第一章 半导体二极管及其应用
半导体二极管及其应用
1. 半导体二极管及其应用 (文字材料)本章概要本章以PN 结的形成为起点,讨论了半导体二极管的单相导电性、伏安特性、主要电参数,分析了半导体二极管在模拟电子电路中的主要应用。
此外,本章还讨论了特种二极管(硅稳压管)及其应用电路。
内容的组成及结构(知识点)本征半导体 N 型半导体 半导体 P 型半导体PN 结的形成PN 结的单向导电特性 二极管:结构、符号、伏安特性、主要参数、温度对参数的影响 整流 二极管的主要应用电路 检波限幅 符号、主要参数及稳压原理 硅稳压管 稳压电路的工作原理 稳压电路的计算发光二极管光电二极管学习目标(1)理解PN 结的形成;(2)熟练掌握PN 节及二极管的单向导电性;(3)熟练掌握二极管及稳压管的伏安特性;(4)熟练掌握二极管及硅稳压管组成电路的特性分析;重难点指导重点:(1)PN 结的单向导电性;(2)二极管的伏安特性及电路分析;(3)硅稳压管的特性及电路分析。
难点: 半导体二极管及其基本电路掺杂半导体 PN 结 变容二极管 特种二极管(1)PN结单向导电性机理;(2)二极管及硅稳压管电路的特性分析。
本章导学1.半导体基础知识(1)本证半导体:完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本证半导体。
其特点:a.在外部能量激励下产生本证激发,成对产生电子和空穴;b.电子和空穴均为载流子,空穴是一种带正电的粒子;c.温度越高,电子和空穴对的数目越多。
(2)两种掺杂半导体a.N型半导体:又称电子型半导体。
它是在本征半导体中掺入少量五价施主杂质,如砷(As)或磷(P)后形成的。
自由电子是多数载流子(简称多子),空穴是少数载流子(简称少子),半导体内还存在不能自由移动的正离子。
b.P型半导体:又称空穴型半导体。
它是在本征半导体中掺入少量三价受主杂质,如硼(B)或铟(In)后形成的。
空穴是多子,自由电子是少子,半导体内还存在不能自由移动的负离子。
(3)掺杂半导体中的多子浓度取决于掺杂浓度;当掺杂浓度一定时,少子浓度随温度升高而增大。
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模拟电子技术基础目录模拟电子技术基础目录模拟电子技术基础目录前言教学建议第1章半导体二极管及其应用1.1 半导体物理基础知识1.1.1 本征半导体1.1.2 杂质半导体1.2 pn结1.2.1 pn结的形成1.2.2 pn结的单向导电性1.2.3 pn结的反向击穿特性1.2.4 pn结的电容特性1.3 半导体二极管及其基本电路1.3.1 半导体二极管的伏安特性曲线1.3.2 半导体二极管的主要参数1.3.3 半导体二极管的电路模型1.3.4 二极管基本应用电路1.4 特殊二极管1.4.1 稳压二极管.1.4.2 变容二极管1.4.3 光电二极管1.4.4 发光二极管思考题习题第2章双极型晶体管及其放大电路2.1 双极型晶体管的工作原理2.1.1 双极型晶体管的结构2.1.2 双极型晶体管的工作原理2.2 晶体管的特性曲线2.2.1 共射极输出特性曲线2.2.2 共射极输入特性曲线2.2.3 温度对晶体管特性的影响2.2.4 晶体管的主要参数2.3 晶体管放大电路的放大原理2.3.1 放大电路的组成2.3.2 静态工作点的作用2.3.3 晶体管放大电路的放大原理2.3.4 基本放大电路的组成原则2.3.5 直流通路和交流通路2.4 放大电路的静态分析和设计2.4.1 晶体管的直流模型及静态工作点的估算2.4.2 静态工作点的图解分析法2.4.3 晶体管工作状态的判断方法2.4.4 放大状态下的直流偏置电路2.5 共射放大电路的动态分析和设计2.5.1 交流图解分析法2.5.2 放大电路的动态范围和非线性失真2.5.3 晶体管的交流小信号模型2.5.4 等效电路法分析共射放大电路2.5.5 共射放大电路的设计实例2.6 共集放大电路(射极输出器)2.7 共基放大电路2.8 多级放大电路2.8.1 级间耦合方式2.8.2 多级放大电路的性能指标计算2.8.3 常见的组合放大电路思考题习题第3章场效应晶体管及其放大电路3.1 场效应晶体管3.1.1 结型场效应管3.1.2 绝缘栅场效应管3.1.3 场效应管的参数3.2 场效应管工作状态分析及其偏置电路3.2.1 场效应管工作状态分析3.2.2 场效应管的偏置电路3.3 场效应管放大电路3.3.1 场效应管的低频小信号模型3.3.2 共源放大电路3.3.3 共漏放大电路思考题习题第4章放大电路的频率响应和噪声4.1 放大电路的频率响应和频率失真4.1.1 放大电路的幅频响应和幅频失真4.1.2 放大电路的相频响应和相频失真4.1.3 波特图4.2 晶体管的高频小信号模型和高频参数4.2.1 晶体管的高频小信号模型4.2.2 晶体管的高频参数4.3 晶体管放大电路的频率响应4.3.1 共射放大电路的频率响应4.3.2 共基、共集放大器的频率响应4.4 场效应管放大电路的频率响应4.4.1 场效应管的高频小信号等效电路4.4.2 共源放大电路的频率响应4.5 多级放大器的频率响应4.5.1 多级放大电路的上限频率4.5.2 多级放大电路的下限频率4.6 放大电路的噪声4.6.1 电子元件的噪声4.6.2 噪声的度量思考题习题第5章集成运算放大电路5.1 集成运算放大电路的特点5.2 电流源电路5.3 以电流源为有源负载的放大电路5.4 差动放大电路5.4.1 零点漂移现象5.4.2 差动放大电路的工作原理及性能分析5.4.3 具有电流源的差动放大电路5.4.4 差动放大电路的大信号分析5.4.5 差动放大电路的失调和温漂5.5 复合管及其放大电路5.6 集成运算放大电路的输出级电路5.7 集成运算放大电路举例5.7.1 双极型集成运算放大电路f0075.7.2 cmos集成运算放大电路mc145735.8 集成运算放大电路的外部特性及其理想化5.8.1 集成运放的模型5.8.2 集成运放的主要性能指标5.8.3 理想集成运算放大电路思考题习题第6章反馈6.1 反馈的基本概念及类型6.1.1 反馈的概念6.1.2 反馈放大电路的基本框图6.1.3 负反馈放大电路的基本方程6.1.4 负反馈放大电路的组态和四种基本类型6.2 负反馈对放大电路性能的影响6.2.1 稳定放大倍数6.2.2 展宽通频带6.2.3 减小非线性失真6.2.4 减少反馈环内的干扰和噪声6.2.5 改变输入电阻和输出电阻6.3 深度负反馈放大电路的近似计算6.3.1 深负反馈放大电路近似计算的一般方法6.3.2 深负反馈放大电路的近似计算6.4 负反馈放大电路的稳定性6.4.1 负反馈放大电路的自激振荡6.4.2 负反馈放大电路稳定性的判断6.4.3 负反馈放大电路自激振荡的消除方法思考题习题第7章集成运算放大器的应用7.1 基本运算电路7.1.1 比例运算电路7.1.2 求和运算电路7.1.3 积分和微分运算电路7.1.4 对数和反对数运算电路7.2 电压比较器7.2.1 电压比较器概述7.2.2 单门限比较器7.2.3 迟滞比较器7.2.4 窗口比较器7.3 弛张振荡器7.4 精密二极管电路7.4.1 精密整流电路7.4.2 峰值检波电路7.5 有源滤波器7.5.1 滤波电路的作用与分类7.5.2 一阶有源滤波器7.5.3 二阶有源滤波器7.5.4 开关电容滤波器思考题习题第8章功率放大电路8.1 功率放大电路的特点与分类8.2 甲类功率放大电路8.3 互补推挽乙类功率放大电路8.3.1 双电源互补推挽乙类功率放大电路8.3.2 单电源互补推挽乙类功率放大电路8.3.3 采用复合管的准互补推挽功率放大电路8.4 集成功率放大器8.5 功率器件8.5.1 双极型大功率晶体管8.5.2 功率mos器件8.5.3 绝缘栅双极型功率管及功率模块8.5.4 功率管的保护思考题习题第9章直流稳压电源9.1 直流电源的组成9.2 整流电路9.2.1 单相半波整流电路9.2.2 单相全波整流电路9.2.3 单相桥式整流电路9.2.4 倍压整流电路9.3 滤波电路9.3.1 电容滤波电路9.3.2 电感滤波电路9.3.3 复合型滤波电路9.4 稳压电路9.4.1 稳压电路的主要指标9.4.2 线性串联型直流稳压电路9.4.3 开关型直流稳压电路思考题习题第10章可编程模拟器件与电子电路仿真软件10.1 在系统可编程模拟电路原理与应用10.1.1 isppac10的结构和原理10.1.2 其他isppac器件的结构和原理10.1.3 isppac的典型应用10.2 multisim软件及其应用10.2.1 multisim 8的基本界面10.2.2 元件库10.2.3 仿真仪器10.2.4 仿真分析方法10.2.5 在模拟电路设计中的应用思考题习题第11章集成逻辑门电路11.1 双极型晶体管的开关特性11.2 mos管的开关特性11.3 ttl门电路11.3.1 ttl标准系列与非门11.3.2 其他类型的ttl标准系列门电路11.3.3 ttl其他系列门电路11.4 ecl门电路简介11.5 cmos门11.5.1 cmos反相器11.5.2 其他类型的cmos电路11.5.3 使用cmos集成电路的注意事项11.5.4 cmos其他系列门电路11.6 cmos电路与ttl电路的连接思考题习题参考文献延伸阅读:模拟电子技术基础50问1、空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗?答:不是,但是在它的运动中可以将其等效为载流子。
电子技术基础课件:半导体二极管及其应用
若正、反向电阻阻值都非常大,表明管子内部已断路;若正、反向电阻阻值都很小, 则表明管子内部已短路。出现断路时,表明二极管已损坏。管子正常情况下,若正向电阻 为几千欧,则为硅管;若正向电阻为几百欧,则2 特性及主要参数 1. 单向导电性 二极管的主要特性是单向导电性。 加在二极管两端的电压称为偏置电压,若将直流电 源的正端加到二极管正极(PN结的P区),负端加到二极管的负极(PN结的N区),如图1.5(a)所 示,称为二极管(PN结)正向偏置,简称正偏。 这时电流表示出较大的电流值,二极管的这 种状态称为正偏导通,二极管呈现很小的电阻。 若将直流电源的正端接二极管的负极,负 端接二极管的正极,如图1.5(b)所示,称为二极管(PN结)反向偏置,简称反偏。 这时电流表 示出的电流值几乎为零,二极管的这种状态称为反向截止,即二极管呈现很大的电阻。 这 种允许一个方向电流流通的特性,称为单向导电性。
半导体二极管及其应用
3.基本应用 利用稳压管组成的简单的稳压电路如图1.15所示,R为限流电阻,RL为稳压电路的负载。 当输入电压UI、负载RL变化时,该电路可维持电压UO的稳定。
稳压二极管正常稳压工作时,有下述方程式:
若RL不变,UI增大时,UO将会随着增大,加于二极管两端的反向电压增加,使电流IZ 大大增加,IR也随之显著增加,从而使限流电阻上的压降IRR 增大,其结果是,UI的增加量 绝大部分都降落在限流电阻R 上,从而使输出电压UO基本维持恒定。反之,UI下降时,IR减 小,R 上压降减小,从而维持UO基本恒定。
《模拟电子技术基础(第3版_陈梓城)》多媒体课件 第1章 半导体二极管及其应用
1.1.2 半导体二极管的结构、类型、电路符号 一、半导体二极管的内部结构示意图
以PN结为管芯,在P区和N区均接上电极引线,并以外 壳封装,就制成了半导体二极管,简称二极管。
从P区接出的引线称为二极管的阳极(Anode),从N区接 出的引线称为阴极(Cathode)。
图1.1.4 二极管内部结构示意图、电路符号、实物图 (a)内部结构 (b)图形符号 (c)整流二极管实物图
3.掺杂特性 本征半导体的导电能力差,但是在本征半导体中掺入
某种微量元素(杂质)后,它的导电能力可增加几十万甚 至几百万倍。
人们正是通过掺入某些特定的杂质元素,精确地控制 半导体的导电能力,制成各种性质、用途的半导体器件。
图1.1.2 掺杂半导体共价键结构示意图 (a)N型半导体 (b)P型半导体
当温度下降时,半导体材料的导电能力显著下降。利 用半导体对温度十分敏感的特性,制成了工业自动控制装 置中常用的热敏电阻。
1.1 半导体二极管
2. 光敏特性 某些半导体,受到光照时,半导体就像导体一样,导电
能力很强;当没有光线照射时,就像绝缘体一样不导电,这 种特性称为“光敏”特性。光照强度越强,半导体的导电性 能越好。
图1.1.3 N型半导体和P型半导体简化结构示意图 (a)N型半导体简化结构示意图 (b)P型半导体简化结构示意图
N型半导体是否带负电?为什么?
三、PN结及其单向导电性
如果通过一定的生产工艺把半导体的P区和N区部分结合 在一起,则它们的交界处就会形成一个很薄的空间电荷区, 称为PN结(PN Juntion)。 PN结具有单向导电性,外加偏置 电压,正偏导通,反偏截止。即P区电位高于N区,PN结通导, 相当于开关闭合;P区电位低于N区电位,PN结截止,相当于 开关断开。
第1章半导体二极管及其应用
第1章 半导体二极管及其应用 章
1.3 二极管应用
1.3.1 整流 所谓整流,就是将交流电变为单方向脉动的直流电。整流 电路是二极管的主要应用领域之一。利用二极管的单向导电性 可组成单相、三相等各种形式的整流电路,然后再经过滤波、 稳压,便可获得平稳的直流稳压电源。 1.3.2 检波 就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流 电流的大小(100mA)作为界限,通常把输出电流小于100mA 的 叫检波。
1.4.5 隧道二极管 隧道二极管是因为用含有大量杂质的本征半导体制作 PN结时,会产生极薄的耗尽层,若加正向偏压,则在达到 扩散电位之前,由于隧道效应而发生电流流动。若接近扩 散电位,则为通常的二极管特性,所以如图1-26所示,在 正向电压低的范围,显示出负的电阻。 隧道二极管的优点是开 关特性好,速度快、工作频 率高;缺点是热稳定性较差。 一般应用于某些开关电路或 高频振荡等电路中。
图1-17 二极管保护电路
第1章 半导体二极管及其应用 章
1.4 特殊二极管
1.4.1 稳压二极管 1. 电路符号与伏安特性 稳压二极管是利用二极管反向击穿的特性 制成的,专门作为稳定电压用的面接触型硅 二极管。它的外形与内部结构也和普通二极 管相似,对外具有两个电极。图1-18即为稳 压管的符号。
第1章 半导体二极管及其应用 章
1.3.3 钳位 利用二极管正向导通时压降很小的特性可组成钳位电 路如图1-13所示.若A点VA=0,二极管D可正向导通,其压降 很小,故F点的电位也被钳制在0V左右,即 VF≈0。
图1-13 二极管钳位电路
第1章 半导体二极管及其应用 章
1.3.4 限幅 利用二极管正向导通后其两端电压很小且基本不变的特性, 可以构成各种限幅电路,使输出电压幅度限制在某一电压值内。
第1章半导体二极管及其应用
二、稳压二极管的主要参数
三、稳压二极管稳压电路
作业
2018年12月28日星期五
模拟电子技术
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一、模拟电子技术课程是什么
模拟电子技术课程是一门研究模拟电子技术的基本
规律,并注重实践应用的一门专业基础课。 放大
1mV 100mV
y kx
输出信号幅度大 输出信号失真小
模拟电子技术 10
(3) 学好并掌握硬件本领将使你基础实,起点高,发 展大,受益无穷! 4.是工程师训练的基本入门课程
5.是很多重点大学的考研课程
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三、课程研究对象与教学内容
1.模拟信号与数字信号 模拟信号:幅值连续、时间连续 u t
0
语言信号波形
数字信号:幅值离散、时间离散(通常变化时 刻之间的间隔是均匀的)
专业基础课程对稳定。 专业应用性质课。课时少,内容变化快。
实践教育类
创新拓展类
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模拟电子技术
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2.是电气信息类、电子信息科学类专业的主干课程 3.是强调硬件应用能力的工程类课程
(1) 当前社会对于硬件工程师(特别是具有设计开发 能力的工程师)需求量很大。 (2)培养硬件工程师比较困难。
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1.2.4 PN结的电容特性 一、 势垒电容
二、扩散电容
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模拟电子技术
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1.3 半导体二极管及其基本电路 1.3.1 二极管特性曲线 1.3.2 二极管的主要参数 一、直流电阻 二 、交流电阻 三、最大整流电流 I F 四、最大反向工作电压 URM 五、反向电流IR
模拟电子技术教案-第1章 半导体二极管及其基本应用
模拟电子技术主编第1章半导体二极管及其基本应用1.1.1 半导体的基础知识本证半导体1.定义:纯净的单晶半导体称为本征半导体。
2.本征半导体的原子结构及共价键:共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子组成,称为束缚电子。
3.本征激发和两种载流子:——自由电子和空穴受温度的影响,束缚电子脱离共价键成为自由电子,在原来的位置留有一个空位,称此空位为空穴。
在本征半导体中,自由电子和空穴成对出现,数目相同。
复合现象:空穴出现以后,邻近的束缚电子可能获取足够的能量来填补这个空穴,而在这个束缚电子的位置又出现一个新的空位,另一个束缚电子又会填补这个新的空位,这样就形成束缚电子填补空穴的运动。
为了区别自由电子的运动,称此束缚电子填补空穴的运动为空穴运动。
4. 结论(1)半导体中存在两种载流子,一种是带负电的自由电子,另一种是带正电的空穴,它们都可以运载电荷形成电流。
(2)本征半导体中,自由电子和空穴相伴产生,数目相同。
(3)一定温度下,本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡,电子空穴对的数目相对稳定。
(4)温度升高,激发的电子空穴对数目增加,半导体的导电能力增强。
这是半导体和导体在导电机制的本质差异。
另一方面,空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。
杂质半导体1.定义:为了提高半导体的导电能力可在本征半导体中掺入微量杂质元素,该半导体称为杂质半导体。
2.半导体分类在本征半导体中有意识加入微量的三价元素或五价元素等杂质原子,可使其导电性能显著改变。
根据掺入杂质的性质不同,杂质半导体分为两类:电子型(N 型)半导体和空穴型(P 型)半导体。
(1)N 型半导体在硅(或锗)半导体晶体中,掺入微量的五价元素,如磷(P)、砷(As)等,则构成N 型半导体。
五价的元素具有五个价电子,它们进入由硅(或锗)组成的半导体晶体中,五价的原子取代四价的硅(或锗)原子,在与相邻的硅(或锗)原子组成共价键时,因为多一个价电子不受共价键的束缚,很容易成为自由电子,于是半导体中自由电子的数目大量增加。
半导体二极管及应用
ud
+
-
(3)让我们来比较一下二极管的直流电阻和交流电阻 直流电阻: 交流电阻: 思考:1、能否用万用表来测量二极管的直流电阻或交流电阻? 2、你会用万用表来判断二极管的极性及其性能的好坏?
三、 二极管的主要参数
1、 最大平均整流电流IF
2、 最大反向工作电压UR:
3、 反向电流IR:
4、 最高工作频率fmax:
?
在本征半导体中掺入5价元素,则多子应是 ,掺杂越多,则其数量越 ;少子是 ,掺杂越多,则其数量越 。
杂质半导体中少子的数量比同温度下本征半导体的同种载流子 。
平衡PN结中多子的扩散电流 少子的漂移电流。
PN结内电场的方向是由 区指向 区。
+
-
交流小信号模型
【例题】试估算二极管上交流电压与 电流成分的振幅值Udm、Idm。
+
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+
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ui
1k
10V
(1)未加上正弦信号时,由10V直流电源确定二极管的静态 工作点;
(2)加上正弦信号后,二极管在静态工作点上叠加一个交流 小信号,二极管在电路中可等效为一个线性元件,这样 就可以利用叠加原理分别计算其直流量和交流量。
(4)稳定电压温度系数
雪崩管为正;
齐纳管为负。
UZ
U
IZmin
IZmax
A
UZ
稳压性能变差;
易过热(产生热击穿);
rZ 越小,稳压性能越好,一般为几到几十
4、稳压管的电路模型
正常工作时,稳压管的电路模型如下:
rZ
UZ
DZ
相当于一个电源为UZ,内阻为rZ的恒压源。
5、 稳压管稳压电路
第一章 半导体二极管及其应用电路
高起专网络教材—《模拟电子技术》-半导体二极管及其应用电路主编:周雪,西安电子科技大学出版社Frequently Asked Question(FAQ)1.为什么要学习模拟电子技术基础课程?解:《模拟电子技术》是电子类、计算机类专业的一门重要的技术基础课,也是电子类、计算机类专业的入门课。
本书以讲清概念强化应用为重点,突出集成电路的特性和应用,突出电子技术的应用性、实践性,强化实际应用能力,培养学生的技术应用能力和创新实践能力。
2.对学生学习该课程有什么基本要求?解:对学生的要求如下:1)掌握各类电子器件的符号、特性、参数、使用方法;2)掌握由电子器件构成的各种常用电路,分析工作原理、计算电路参数。
3)会用常用仪器来测试电路,验证电路的功能。
会搭接安装常用的实际电路,会分析电路故障,初步掌握简单设备的维修原理与方法。
3.在放大电路的试验中,常采用什么仪器提供测试信号源?解:常常采用频率可连续变化的正弦波信号发生器作为放大电路的实验、测试信号源。
4.模拟电子技术课程的特殊的电路规律有哪些?解:分析的主要是非线性元器件;直流和交流共存于同一电路中,它们既互相联系和互相区别,增加了分析问题的复杂性。
5.学习模拟电子技术专业基础课,有什么分析方法?解:为了突出主要矛盾,简化实际问题,经常采用近似的方法。
为了在一定条件下实现矛盾的转化,经常采用等效方法。
为了直观形象地分析全局,确定工作状态或研究变化趋势,经常采用图解的方法。
6.半导体的导电性不同于导体,具有哪些特性?解:半导体的导电性不同于导体的特性有:①热敏特性:半导体受热温度升高后,其导电性能急剧增强。
②光敏特性:其一是半导体受光照后,其导电性能急剧增强;其二半导体受光照后,产生电动势。
③掺杂特性:在纯净的半导体中,掺入微量的有用的杂质元素,其导电性能急剧增强。
7.常见的半导体材料有哪些?其导电性与导体有什么区别?解:常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓。
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1.1 半导体二极管 1.1.1 半导体基础知识 1.半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。常用 的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)、硒(Se)和砷化镓 (GaAs)等。 2.本征半导体: 纯净的不含任何杂质、晶体结构排列整 齐的半导体。 3.共价键:相邻原子共有价电子所形成的束缚。 4.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。 5.空穴产生:价电子获得能量挣脱原子核吸引和共价键束 缚后留下的空位,空穴带正电。
(3)最大耗散功率PM和最大工作电流IZM PM为稳压管所允许的最大功率,IZM为稳压管允许流过的 最大工作电流,超过PM或IZM时,管子因温度过高而损坏。 PM=UZIZM
(4)动态内阻rZ 它是指稳压管两端电压变化量ΔUZ与相应 电流变化量ΔIZ之比值。它反映管子的稳压性能,rZ越小,稳 压性能越好。 (5)稳定电压的温度系数CTV 稳压管中流过的电流为IZ 时,环境温度每变化1℃,稳定 电压相对变化量(用百分数表示)称为稳定电压的温度系数。 它表示温度变化对稳定电压UZ的影响程度。
1.1.3 二极管的伏安特性 一、二极管的单向导电性 图(a)中的开关闭合,灯亮,大电流;图(b)开关闭合,灯不亮, 电流几乎为零。
图1.1.5 半导体二极管单向导电性实验 (a)二极管正向偏置 (b)二极管反向偏置
二极管阳极电位高于阴极电位,称为二极管(PN结)正向 偏置,简称正偏(Forward bias); 二极管阳极电位低于阴极电位,称为二极管(PN结)反向 偏置,简称反偏(Reverse bias)。 二极管正偏导通,反偏截止的这种特性称为单向导电性 (Onilateral conductivity)。
报警器实物图
1.2
特种二极管
1.2.1 稳压二极管(Voltage regulator diode) 稳压二极管就是通过半导体特殊工艺处理后,使它具有 很陡峭的反向击穿特性的二极管。又称齐纳二极管(Zener diode),简称稳压管。稳压二极管的电路符号与其伏安特性 如图1.2.1所示。常用稳压二极管有2CW和2DW系列。
图1.2.4 快速恢复二极管图形符号Leabharlann .2.5SMT与微型二极管简介
图1.2.5 圆柱型微型二极管
图1.2.6 SOT-23封装微型二极管
图1.2.7 SOT-23封装型二极管内部结构
微型元器件实物图
1.3
1.3.1
二极管整流电路
单相半波整流电路
市电(交流电网)变为稳定的直流电需经过变压、整 流、滤波和稳压四个过程。 利用二极管的单向导电性,将大小和方向都随时间变
1.1.4 温度对二极管特性的影响 1、温度升高1℃,硅和锗二极管导通时的正向压降UF将减 小2.5mv左右。 2、温度每升高10℃,反向电流增加约一倍。 3、温度升高UBR下降。
1.1.5 二极管的主要参数 1.最大整流电流IF IF为指二极管长期运行时允许通过的最大正向直流电流。 IF与PN结的材料、面积及散热条件有关。 大功率二极管使用时,一般要加散热片。 在实际使用时,流过二极管最大平均电流不能超过IF,否则二 极管会因过热而损坏。
教学目标
4、熟悉单相半波整流、桥式整流电路组成及工作原 理;选学全波整流电路组成、工作原理;会估算整 流电路直流电压、选择整流二极管;了解整流电路 纹波系数概念;掌握全波、桥式整流电路中二极管 的正确装接方法;选学倍压整流电路组成工作原理 及适用场合。
5、熟悉电容滤波电路工作原理,会估算输出电压, 正确选用二极管和电解电容;了解LC滤波电路组成, 熟悉RC滤波电路组成,会估算输出电压。
2.最高反向工作电压URM(反向峰值电压) URM为二极管在使用时允许外加的最大反向电压。URM=UBR。 实际使用时,二极管所承受的最大反向电压值不应超过URM , 以免二极管发生反向击穿。
3.反向电流IR IR是指在室温下,二极管未击穿时的反向电流值。 4.最高工作频率 二极管的工作频率若超过一定值,就可能失去单向导电 性,这一频率称为最高工作频率。主要由PN结的结电容的大 小来决定。 点接触型二极管结电容较小,可达几百兆赫兹。 面接触型二极管结电容较大,只能达到几十兆赫兹。 必须注意的是,手册上给出的参数是在一定测试条件下 测得的数值。如果条件发生变化,相应参数也会发生变化。 因此,在选择使用二极管时注意留有余量。
1.1.2 二极管的结构、类型、图形符号 1.通过一定的生产工艺把半导体的P区和N区部分结合在一 起,则它们的交界处就会形成一个具有单向导电性的薄层, 称为PN结(PN Juntion)。 2.以PN结为管芯,在P区和N区均接上电极引线,并以外壳 封装,就制成了半导体二极管,简称二极管。 3.二极管电路符号:箭头方向表示二极管导通时的电流方向。
图1.1.3 二极管内部结构示意图、图形符号 (a)内部结构 (b)图形符号
4.二极管的分类 (1)按所用材料不同划分:硅管和锗管;
(2)按制造工艺不同划分:
①点接触型:结电容(Junction capacitance)很小,允许 通过的电流也很小(几十毫安以下),适用于高频检波、变
频、高频振荡等场合。2AP系列和2AK系列;
图1.1.9 二极管构成的稳压电路
附:二极管引脚识别及性能简易测试
二极管性能简易测试示意图 可使用万用表电阻档通过测量二极管的正、反向电阻 值,来判别其阳极、阴极。 可使用万用表R×1k、R×100档对二极管性能进行简 易测试。
三、在模拟电子报警器中的应用
VD8为续流二极管。 VD1~VD4选用整流二 极管1N4007用于整流。 VD10、VD11、VD12起 开关、钳位作用。 VD5起开关、钳位作用。
1.1
半导体二极管
半导体二极管是最简单的电子器件,但应用十分广泛。 其主要用于整流、限幅、开关等。其中绝大多数的电子仪器 设备用交流电供电,其中经过变压、整流、滤波,再经稳压 器稳压后给电子电路作为直流电源。
本书附录B中的模拟电子报警器就采用这种供电方案。 除普通、整流二极管外,还有一些特殊二极管,用于各种不 同的特殊的场合。
第一章
1.1
半导体二极管及其应用
半导体二极管
1.2
1.3 1.4
特种二极管
二极管整流电路 滤波电路
教学目标
1、了解半导体的结构和导电特性、本征半导体的特 点、导电原理、杂质半导体特点、PN结的特性。
2、了解二极管的结构,熟悉二极管的单向导电性、 电路符号、伏安特性、主要参数、温度对特性的影响、 简单应用。 3、熟悉稳压二极管的伏安特性、电路符号及主要参 数。了解变容二极管、肖特基二极管、快速恢复二极 管的特性、电路符号,了解SMT与微型二极管基本知 识。
通常UZ<5V的稳压管具有负温度系数,UZ>8V的稳压管 具有正温度系数,而UZ 在6V左右时稳压管(如2DW7型)的 温度系数最小。
1.2.2 变容二极管 1.变容二极管原理、电路符号 变容二极管是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而 变化的特性制成的。
图1.2.2 变容二极管图形符号和C-U特性曲线 2.用途 它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等,例 如在电视接收机的调谐回路中作可变电容等。
图1.1.1 共价健结构与空穴产生示意图
6.半导体的特性
7.杂质半导体的分类: (1)N型半导体(N-type semiconductor):在四价的本征半导 体(硅)中掺入微量五价元素(磷),就形成了N型半导体。
(2)P型半导体(P-type semiconductor):在四价的本征半导 体(硅)中掺入微量三价元素(硼)就形成P型半导体。
二、二极管的伏安特性(Volt-ampere characteristics) 二极管的伏安特性曲线如图1.1.6所示,分为三部分: (a)正向特性 (b)反向特性 (c)反向击穿特性
图1.1.6 半导体二极管(硅管)伏安特性曲线
(a)正向特性:①OA段为死区,此时正偏电压称为死区电压 Uth,硅管0.5V,锗管0.1V。②AB段为缓冲区。③BC段为正 向导通区。当u≥Uth时,二极管才处于完全导通状态,导通电 压UF基本不变。硅管为0.7~0.8V,一般取0.7V,锗管为 0.2~0.3V,通常取0.2V。当二极管为理想二极管时,UF=0。 (b)反向特性:如图OD段所示,二极管处于截止状态,在电 路中相当于开关处于关断状态。 (c)反向击穿特性:如图所示,反向电流在E处急剧上升,这 种现象称之为反向击穿(Reverse breakdown),此时所对应 的电压为反向击穿电压UBR。对于非特殊要求的二极管,反向 击穿时会使二极管PN结过热而损坏。
1.2.4
快速恢复二极管
快速恢复二极管图形符号如图1.2.4所示,它与普通二极 管相似,但制造工艺与普通二极管有所不同,在靠近PN结的 掺杂浓度很低,以此获得较高开关速度和较低的正向压降。 它的反向恢复时间为200~750nS,高速的可达10nS,与肖特基 二极管相比,其耐压值要高得多。 它主要用作高速整流元件,在开关电源和逆变电源中作 整流二极管,以降低关断损耗,提高效率和减小噪声。
图B.2 可燃气体报警器
其中VD1~VD4选用整流二极管1N4007用于整流。 VD5起开关、钳位作用,当阴极电位高于阳极电位,VD5 截止,相当于开关断开;当阳极电位高于阴极电位,VD5导通, 二极管两端电压钳制在0.7V左右。 VD8为续流二极管,当电路有+5V电源供电时,VD8反偏 截止,电容C4通过R7充电,UC5<+5V,VD8反偏截止;当 电源关断,VD8正偏导通,等效电阻远小于R7,近似于短路, 为C5放电提供了放电的通路,加快放电。 VD10、VD11、VD12起开关、钳位作用,工作原理参阅 7.1.1节。 VD5、VD8、VD10、VD11、VD12均选用开关二极管 1N4148。
1.1.6 二极管的应用 一、二极管限幅电路 1.单向限幅电路
图1.1.7 单向限幅电路 (a)电路图 (b)波形图