【CN109841503A】自对准双重图形化半导体结构的制作方法【专利】

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自对准双重构图方法、半导体器件及其制作方法、电子装置[发明专利]

专利名称：自对准双重构图方法、半导体器件及其制作方法、电子装置
专利类型：发明专利
发明人：黄永彬,杨海玩,周乾
申请号：CN201610446548.8
申请日：20160620
公开号：CN107706095A
公开日：
20180216
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种自对准双重构图方法、半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法采用新的自对准双重构图方法制作字线，增加了选择栅的刻蚀窗口，避免了由于刻蚀负载效应导致的刻蚀凹痕。

该半导体器件和电子装置由于上述制作方法使得性能和良率提高。

申请人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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半导体结构的形成方法[发明专利]

专利名称：半导体结构的形成方法
专利类型：发明专利
发明人：陈玺中,林志轩,赵家忻,邱意为,许立德申请号：CN201811241511.7
申请日：20181024
公开号：CN109786220A
公开日：
20190521
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明实施例说明改善图案化于光刻胶上的结构于光刻后的关键尺寸一致性的方法。

可形成层状物于一或多个印刷结构中，接着蚀刻层状物以改善所有结构的整体关键尺寸一致性。

举例来说，方法包括将材料层置于基板上，并将光刻胶置于材料层上。

图案化光刻胶以形成具有第一关键尺寸的第一结构，与具有第二关键尺寸的第二结构，且第二关键尺寸大于第一关键尺寸。

此外，以一或多个沉积与蚀刻的循环形成层状物于第二结构中，以形成调整的第二关键尺寸，且调整的第二关键尺寸约略等于第一关键尺寸。

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹市
国籍：TW
代理机构：隆天知识产权代理有限公司
代理人：黄艳
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采用双重构图形成半导体器件的方法[发明专利]

专利名称：采用双重构图形成半导体器件的方法专利类型：发明专利
发明人：吴寅旭,林南守,薛钟善
申请号：CN201010004006.8
申请日：20100114
公开号：CN101794733A
公开日：
20100804
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种采用双重构图形成半导体器件的方法。

在衬底上形成第一材料膜。

在第一材料膜上形成线性第二材料膜图案。

在第二材料膜图案的侧壁上形成间隔物图案，并且去除第二材料膜图案，以暴露第一材料膜的位于间隔物图案之间的部分。

去除第一材料膜的暴露部分，以形成第一材料膜图案。

在由第一材料膜图案限定的沟槽中，形成第三材料膜图案。

与第二材料膜图案的端部毗邻的第二材料膜图案的相邻第一部分被分隔的距离小于单个间隔物图案的宽度的2倍。

在一些实施例中，将第二材料膜图案中的相邻第一部分分隔的距离大于最小特征尺寸，并且单个间隔物图案的宽度大约等于最小特征尺寸。

申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
国籍：KR
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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半导体结构的制作方法及半导体结构[发明专利]

专利名称：半导体结构的制作方法及半导体结构专利类型：发明专利
发明人：曹新满,夏军,张家云
申请号：CN202210037791.X
申请日：20220113
公开号：CN114361105A
公开日：
20220415
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成导电层；在导电层上依次形成底部掩膜结构、中间掩膜结构和顶部图案化掩膜结构；利用顶部图案化掩膜结构在底部掩膜结构中形成第一图案结构；在第一图案结构上形成第一掩膜结构，在第一掩膜结构中形成第二图案结构，利用第二图案结构刻蚀第一图案结构形成第三图案化结构；以第三图案化结构刻蚀导电层，形成多个接触垫结构；其中，第一图案结构包括多条沿第一方向延伸的第一线条图案，第二图案结构包括多条沿第二方向延伸的第二线条图案，第一方向与第二方向不同，可以形成多个高精度的接触垫结构，改善了半导体结构性能。

申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
国籍：CN
代理机构：北京律智知识产权代理有限公司
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910246191.2
(22)申请日 2019.03.29
(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技
园区祖冲之路1399号
(72)发明人叶滋婧　
(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务
所(普通合伙) 31237
代理人屈蘅
(51)Int.Cl.
H01L 21/027(2006.01)
H01L 21/033(2006.01)
(54)发明名称自对准双重图形化半导体结构的制作方法(57)摘要本发明公开了一种自对准双重图形化半导体结构的制作方法，包括：提供依次形成有待刻蚀薄膜、核心图形薄膜和图案化的第一光刻胶层的半导体衬底，以第一光刻胶层为掩膜对核心图形薄膜进行刻蚀，形成第一尺寸核心图形层和第二尺寸核心图形层，分别在第一尺寸和第二尺寸核心图形层的两侧形成侧墙。

形成覆盖第二尺寸核心图形层的第二光刻胶层。

去除第一尺寸核心图形层和第二光刻胶层。

以侧墙和述第二尺寸核心图形层为掩膜刻蚀待刻蚀薄膜；以及去除侧墙和第二尺寸核心图形层，形成自对准双重图形。

本发明具有工艺步骤简单，且解决了在第二尺寸核心图形层对准第一尺寸核心图形层时套层精度难以控制，最终导致自对准双重图形的形貌难
以控制的问题。

权利要求书1页说明书5页附图5页CN 109841503 A 2019.06.04
C N 109841503
A
权　利　要　求　书1/1页CN 109841503 A
1.一种自对准双重图形化半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底上从下至上依次形成有待刻蚀薄膜、核心图形薄膜、图案化的第一光刻胶层，所述图案化的第一光刻胶层定义了第一尺寸的核心图形和第二尺寸的核心图形；
以所述图案化的第一光刻胶层为掩膜对所述核心图形薄膜进行刻蚀，将所述第一尺寸的核心图形和第二尺寸的核心图形的图案转移至所述核心图形薄膜上，形成具有第一尺寸的核心图形形貌的第一尺寸核心图形层和第二尺寸核心图形层；
分别在所述第一尺寸核心图形层和所述第二尺寸核心图形层的两侧形成侧墙；
形成图案化的第二光刻胶层，所述图案化的第二光刻胶层覆盖所述第二尺寸核心图形层；
去除所述第一尺寸核心图形层；
去除所述第二光刻胶层；
以所述侧墙和所述第二尺寸核心图形层为掩膜刻蚀所述待刻蚀薄膜；以及
去除所述侧墙和所述第二尺寸核心图形层，以形成自对准双重图形。

2.如权利要求1所述的自对准双重图形化半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一尺寸小于所述第二尺寸。

3.如权利要求1所述的自对准双重图形化半导体结构的制作方法，其特征在于，所述图案化的第二光刻胶层覆盖所述第二尺寸核心图形层和位于所述第二尺寸核心图形层两侧的侧墙。

4.如权利要求1所述的自对准双重图形化半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第一尺寸核心图形层和所述第二尺寸核心图形层的两侧形成侧墙的步骤包括：在所述第一尺寸核心图形层和所述第二尺寸核心图形层上形成侧墙介质层，所述侧墙介质层覆盖所述第一尺寸核心图形层和所述第二尺寸核心图形层以及所述待刻蚀薄膜的表面；
进行刻蚀工艺，将所述待刻蚀薄膜的表面以及所述第一尺寸核心图形层和所述第二尺寸核心图形层上方的侧墙介质层去除，分别在所述第一尺寸核心图形层和所述第二尺寸核心图形层两侧形成侧墙。

5.如权利要求4所述的自对准双重图形化半导体结构的制作方法，其特征在于，所述侧墙介质层利用原子层沉积工艺形成。

6.如权利要求4所述的自对准曝光半导体结构制作方法方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述侧墙介质层，去除第一尺寸核心图形层及所述第二尺寸核心图形层上的所述侧墙介质层以及所述待刻蚀薄膜上所述侧墙介质层。

7.如权利要求4所述的自对准双重图形化半导体结构的制作方法，其特征在于，相邻两个所述侧墙相互分离。

8.如权利要求1所述的自对准双重图形化半导体结构的制作方法，其特征在于，采用干法或湿法刻蚀工艺去除所述第一尺寸核心图形层、第二光刻胶层及第二尺寸核心图形层。

2。