MEMS考试复习提纲2016

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MEMS复习题(附参考答案)

08’MEMS复习题1.MEMS的概念，MEMS产品应用。

MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）是指微型化的器件或器件组合，把电子功能与机械的、光学的或其他的功能形结合的综合集成系统，采用微型结构（集微型传感器、微型执行器、信号处理和控制电路、接口电路、通信系统以及电源），使之能在极小的空间内达到智能化的功效。

MEMS 是Micro Electro Mechanincal System 的缩写，即微机电系统，专指外形轮廓尺寸在毫米级以下，构成它的机械零件和半导体元器件尺寸在微米至纳米级，可对声、光、热、磁、压力、运动等自然信息进行感知、识别、控制和处理的微型机电装置。

微机电系统（MEMS）主要特点在于：（1）体积小、精度高、质量轻;(2)性能稳定、可靠性高；（3）能耗低，灵敏度和工作效率高；（4）多功能及智能化;（5）可以实现低成本大批量生产。

民用：MEMS对航空、航天、兵器、水下、汽车、信息、环境、生物工程、医疗等领域的发展正在产生重大影响，将使许多工业产品发生质的变化和飞跃。

军用：精确化、轻量化、低能耗是武器装备的主要发展趋势，这些特点均需以微型化为基础。

微型化的单元部件广泛应用于飞行器的导航和制导系统、通信设备、大气数据计算机、发动机监测与控制、“智能蒙皮”结构和灵巧武器中。

由硅微机械振动陀螺和硅加速度计构成的MEMS惯性测量装置已用于近程导弹，并显著提高导弹的精确打击能力。

微型化技术在武器装备上的另一个重要发展是微小型武器，如微型飞行器、微小型水下无人潜水器、微小型机器人和微小型侦察传感器等。

具体应用：打印机喷嘴——用于打印机；微加速度计和角速度计——应用于汽车安全气囊；微加工压力传感器——用于进气管绝对压力传感器；由硅微振动陀螺和硅加速度计构成的MEMS惯性测量装置——用于军品中的近程导弹。

2.湿法刻蚀和干法刻蚀的概念，两者异同点以及在MEMS中的应用。

mems设计考试知识点

mems设计考试知识点在MEMS设计考试中，了解并掌握关键的知识点是非常重要的。

这些知识点涵盖了MEMS器件的基本原理、设计流程、模拟和数字设计等方面。

以下是MEMS设计考试的一些重要知识点。

一、MEMS器件的基本原理MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）是微机电系统的简称，是一种将微小的机械结构与电子技术相结合的技术。

MEMS器件包括传感器和执行器，其作用是将物理量转换为电信号或者通过电信号控制机械运动。

1. 传感器：MEMS传感器是测量和检测物理量（如压力、温度、加速度等）的器件。

常见的MEMS传感器有压力传感器、温度传感器、加速度传感器等。

2. 执行器：MEMS执行器是根据电信号来控制机械运动的器件。

常见的MEMS执行器有微型喷墨头、微型马达等。

二、MEMS设计流程在进行MEMS设计时，按照一定的流程进行是非常重要的。

这里介绍一般的MEMS设计流程。

1. 需求分析：首先确定所设计的MEMS器件的具体需求和功能。

2. 设计概念：根据需求确定设计的整体思路和方案。

3. 建立模型：使用专业的软件工具进行MEMS器件的三维建模。

4. 仿真分析：通过仿真软件对MEMS器件进行电学和结构仿真分析。

5. 优化设计：根据仿真结果进行设计参数的优化，以满足特定的性能需求。

6. 制造工艺：将设计好的MEMS器件进行工艺制造。

7. 封装测试：对制造完成的MEMS器件进行封装和测试，以验证设计的性能指标。

三、MEMS模拟设计MEMS模拟设计是指使用模拟电路设计方法来设计MEMS器件。

以下是其中的几个重要知识点。

1. MEMS传感器的模拟电路设计：对于使用MEMS传感器来测量物理量的系统，需要进行模拟电路设计。

例如，对于压力传感器，需要考虑电桥、放大器等电路的设计。

2. MEMS执行器的模拟电路设计：对于使用MEMS执行器控制机械运动的系统，需要进行模拟电路设计。

例如，对于微型马达，需要有适当的电路来控制其运动。

_现代传感技术_复习要点--2016

4.1 应变效应和应变式传感器何为电阻应变效应？电阻丝阻值公式，由哪些参数决定？电阻丝灵敏度系数由哪两部分构成？与电阻丝材质的关系？温度如何影响应力传感器的输出电阻？应力传感器的温度补偿方法有哪些？电阻应变式传感器在设计过程中，应该考虑哪些问题？常用应变式传感器的工作原理。

4.2 电容、电感式传感器电容式传感器的工作原理。

电容的公式，由哪些参数决定？常见电容式传感器的类型及其工作原理。

差动结构的优点有哪些？描述常见电感式传感器工作原理（自感式、差动变压器式、电涡流、压磁式传感器）。

4.3 压电效应及压电式传感器什么是压电效应？石英晶体内部存在哪三种压电效应，有何特点？4.4 电磁效应及磁电式传感器磁电式传感器的线圈感应电动势取决于哪些参数？磁电式传感器的典型结构及工作原理？4.5 热电效应和热电式传感器热电偶如何工作（热电势和温度有何关系）？在热电偶回路中引入各种测量仪表、连接导线，会对热电势有何影响，为什么？热电偶的冷端温度处理方法有哪些？4.6 光电效应及光电式传感器内光电效应和外光电效应有何区别？MOS光敏元如何存储电荷？CCD全称是什么？三相CCD中，信号电荷在不同MOS光敏元间如何转移？CCD电荷的注入方式有哪些？面阵CCD传感器的类型及对比？可以通过哪些参数评价CCD的性能？PSD相对于象限探测器，有何优点？结合示意图，描述PSD的工作原理。

4.7 磁光效应及磁光式传感器结合原理图，说明什么是法拉第效应？克尔效应和法拉第效应的区别？结合示意图，说明法拉第效应测导线电流的工作机理？克尔效应可分为哪几类，电场和磁场方向的对应关系？塞曼效应主要应用？磁致双折射效应的两种类型是什么，分别对应那种铁磁介质？4.8 湿敏传感器什么是绝对湿度，相对湿度，各自单位是什么？湿度的表示方法有哪些？典型湿度测量方法的工作过程？（伸缩式湿度计，干湿球湿度计和露点计）湿敏传感器的主要特性参量有哪些？常见湿敏传感器的工作机理。

MEMS考试重点

1What’s MST ?what’s micro-machine ? MEMS, NEMS, micro-system? and explain them simply ?(P2)答MEMS is simultaneously a toolbox, a physical product, and a methodology, all in one:A micro-system is an intelligent miniaturized system comprising sensing, processing and actuating functions. These would normally combine two or more of the following: electrical, mechanical, optical, chemical, biological, magnetic or other properties integrated into a single or multichip hybrid.MST is Microsystems technology, it's a name of technology called in Europe, and the technology is called microelectromechanical systems (MEMS). NEMS: Nano-Electromechanical system, it’s feature sizes in 1-10 nm, combined mechanical and electrical, new effect devices and systems based on nano structure. Micro machining is the set of design and fabrication tools that precisely machine and form structure and elements at a scale well below the limits of our human perspective faculties – the micro-scale.MEMS micro- electro – mechanical systems is a technology that in its most general form can be defined as miniaturized mechanical and electro-mechanical elements that are made using the techniques of micro-fabrication.2，What are advantages of microtechnology? Why are different governments interested in MEMS?答: Advantages:∙It is a brand-new field has to consider a variety of physical fields of the mixing action research, compared with the traditional mechanical technologies.∙The size much smaller, 0.1~100um, its thickness much smaller.∙Use the silicon material, which has good electrical performance, strength, hardness, and Young Modules are similar with iron. Good heat transfer rate.∙Can use in production of the mature of IC technology, process, make high-volume , low-cost production.∙Higher level functions, integrate smaller function together into one package for great utility.∙Brings cost benefits directly through low unit pricing by cutting silica and maintenance costs.Micro electrical mechanical structures and systems miniature devices that enable the operation of complex systems. They exist today in many environments, especially auto motive, medical, consumer, industrial and aerospace. Their potential for future penetration into a broad range of applications is real supported by strong development activities. At many companies and fabrication processes. The development of MEMS is inherently inter disciplinary, necessitating and understanding of the tool box as well as of the end application.3 What are main application fields of MEMS? Explain these fields respectively (speak out at least four fields). You may take some example to support your ideas.(P3)答:Four application fields.(1).In the commercial application1)Drug delivery systems.2)RF and wireless electronics.3)Engine and propulsion control.(2).In the military application1)Head-and night-display systems.2)Low-power,high-density mass data storage devices.3)Embedded sensors and actuators for condition-based maintenance.(3).In car industry application1)MEMS pressure sensors.2)MEMS brake sensors.3)MEMS acceleration sensors.4)Auto motive safety braking and suspension systems.(4).In biochemical and medical application1)Miniature biochemical analytical.2)Invasive and noninvasive biomedical sensors.3)Medical imaging.4)minimally invasive surgery.4 Introduction one basic process tools.(P34)答: OxidationHigh-quality amorphous silicon dioxide is obtained by oxidizing silicon in either dty oxygen or in steam at elevated temperatures(8500C-11500C).Oxidation mechanism have showing final oxide thickness as function of temperature,oxidizing environment,and time are widely available.Thermal oxidation of silicon generates compressive stress in the silicon dioxide film.There are two reasons for the stress:silicon dioxide molecules take more volume than silicon atoms,and there is a mismatch between the coefficients of thermal expansion of silicon and silicon dioxide.The compressive stress depends on the total thickness of the silicon dioxide layer and can reach hundreds of Mpa.As a result,thermally grown oxide films cause bowing of the underlying substrate.Moreover,freestanding membranes and suspended cantilevers made of thermally grown silicon oxide tend to warp or curl due to stress variation through the thickness of the film.5 Introduction photolithography process.(P40)答: Lithography involves three sequential steps:∙Application of photoresist, which is photosensitive emulsion layer;∙Optical exposure to print an image of the mask onto the resist;∙Immersion in an aqueous developer solution to dissolve the exposed resist and render visible the latent image.Photolithography is the process of transferring shapes on a mask to the surface of a silicon wafer. The steps involved in the photolithography process are wafer cleaning; barrier layer formation; photoresist application; soft baking; mask alignment; exposure and development; and hard-baking. 6.Brief explanations of the difference between isotropic(各向同性的) and anisotropic(各项异性的).(P45)答：Isotropic etchants etch uniformly in all directions, resulting in rounded cross-sectional features. By contrast, anisotropic etchants etch in some directions preferentially over others, resulting in trenches or cavities delineated by flat and well-defined surfaces, which need not be perpendicular to the surface of the wafer. The etch medium (wet versus dry) plays a role in selecting a suitable etch method. Wet etch in aqueous solution offer the advantage of low-cost batch fabricaton--25to50 100-mm-diameter wafers can be etched simultaneously—and can be either of the isotropic or anisotropic type. Dry etching involves the use of reactant gases, usually in a low-pressure plasma, but nonplasma gas-phase etching is also used to a small degree. It can be isotropic or vertical. The equipment for dry etching is specialized and requires the plumbing of ultra-clean pipes to bring high-purity reactant gases into the vacuum chamber.Isotropic etchants etch uniformly .in all directions, resulting in rounded cross-sectional features. By contrast, anisotropic etchants etch in some directions preferentially over others, resulting in trenches or cavities delineated by flat and well-defined surfaces, which need not be perpendicular to the surface of the wafer. (page 45)各项同性蚀刻剂在各个方向的蚀刻都有一致性，形成了圆形的横截面特征。

哈工大MEMS复习资料

1、体硅工艺：（腐蚀工艺）从硅圆片上去除材料的过程。

4个特点：a. Typically wet etched 典型湿法腐蚀b. Traditional MEMS industry 传统MEMS工业c. Artistic design, inexpensive equipment 设计美观，设备廉价d. Issues with IC compatibility 与IC兼容自停止腐蚀PPT26页的补充：a. 采用各向异性腐蚀可以进行硅的高精度加工b. 硅也具有较强的压阻效应c. 压力传感器和加速度计是首先被发展起来的。

（碱性腐蚀液：~）2、表面微机械加工（iMEMS,POST-CMOS工艺）：硅片本身不被腐蚀，在硅片上用连续生长功能层、结构层、牺牲层的工艺来制作微机械结构，借助多次光刻-套刻实现图形复制和层间对准，依靠牺牲层技术控制结构的分离与衔接。

a.Typically plasma etched（典型等离子刻蚀）b.IC-like design philosophy, relatively expensive equipment（IC设计理念，相当昂贵）c.Different issues with IC compatibility （不兼容）牺牲层技术：所谓“表面牺牲层”技术，即在形成微机械结构的空腔或可活动的微结构过程中，先在下层薄膜上用结构材料淀积所需的各种特殊结构件，再用化学刻蚀剂将此层薄膜腐蚀掉，但不损伤微结构件，然后得到上层薄膜结构（空腔或微结构件）。

由于被去掉的下层薄膜只起分离层作用，故称其为牺牲层。

3、DRIE(ICP):（深槽反应离子刻蚀技术）去除衬底层，但看起来与表面微机械加工相似。

工艺过程：钝化----刻蚀---钝化----刻蚀LIGA：（深刻电铸模造技术）LIGA技术是一种基于X射线光刻技术的MEMS加工技术，主要包括X光深度同步辐射光刻、电铸制模和注模复制三个工艺步骤。

MEMS考试

《微机电系统》课程复习提纲1.什么叫微机电系统？该学科的特点是什么？写出微机电系统在美国、日本和欧洲的英文术语。

2.给出微机电系统常用材料，并说明硅及其合金材料的特点。

3.尺寸微小是微机电系统的基本特征，简述微尺寸效应给MEMS带来的五种影响因素。

4.微尺寸效应对于微机械系统信号检测的影响是什么？并写出从设计上考虑需要遵循的原则。

5.说明微机电系统的制造与集成电路制造技术的联系与区别，并写出微机电系统的专用制造方法。

6.硅材料分单晶硅、多晶硅和非晶硅，写出单晶硅和多晶硅的区别和联系；并写出硅单晶在晶面上原子密度、扩散速度以及腐蚀速度的大小关系。

7.分别阐述应用于MEMS制造的体微细加工技术中湿法和干法加工技术的原理和特点。

8.在集成电路制造中经常使用掺杂技术，掺杂的目的是什么？主要采用哪两种技术？并说明其工作原理。

9.为什么外延生长技术在硅单晶薄膜制造中很重要？并说明汽相外延的定义，写出四氯化硅氢还原法和硅烷热分解法外延的化学反应式。

10.写出光刻工艺中曝光、显影和后烘的目的。

11.说明光刻工艺的基本原理，并阐述在光刻工艺中使用的负/正性光刻胶的区别。

12.左图是一差分对电路图，右图是某一版图设计师设计的版图，你觉得合适吗？如果不能满足工艺的要求，请说明不对的原因，并给出解决办法。

答：“栅极掩蔽”的效应: 这个效应是在源/漏区注入过程中由多晶硅栅极造成的。

因为注入物（或者说硅大晶片）有7°的倾斜以防止沟道效应的产生，这样一来，在源区或漏区的一条窄带会有少量的注入，对注入区热处理后，在源极和漏极边上的扩散会产生微小的不对称。

（10分）图(b)中把两个晶体管按不同方向放置，将会影响器件间的匹配。

因为在光刻和硅片制造流程中的许多工序都表现出沿不同方向的行为特征。

图(c)和(d)提供了两种可以接受的解决方案。

13.在版图设计中，大多数其他的尺寸都由“设计规则”设定。

也就是说，尽管工艺流程的每一步都存在着各种偏差，但这一套规则保证了合格晶体管的制作和互连。

MEMS考试复习题最终版

MEMS考试复习题最终版MEMS考试复习题（占80%）第⼀章绪论1.微电⼦⼯业与MEMS的关系(⽹上搜索)教材总结：微电⼦⼯业与MEMS的关系主要有以下⼏点：1)对于MEMS的发展⽽⾔，微电⼦⼯业集成电路技术是起始点，集成电路产业按照摩尔定律⼀直发展到今天，推动着信息社会的迅速发展。

2)电⼦器件⼩型化和多功能集成是微加⼯技术的推动⼒。

3)MEMS是由集成电路技术发展⽽来的。

它经过了⼤约20年的萌芽阶段，在萌芽时期，主要是开展⼀些有关MEMS的零散研究。

PPT:1)微系统是从微传感器发展⽽来的，已有⼏次突破性的进展。

70年代微机械压⼒传感器产品问世，80年代末研制出硅静电微马达，90年代喷墨打印头，硬盘读写头、硅加速度计和数字微镜器件等相继规模化⽣产，充分展⽰了微系统技术及其微系统的巨⼤应⽤前景。

2)MEMS⽤批量化的微电⼦技术制造出尺⼨与集成电路⼤⼩相当的⾮电⼦系统，实现电⼦系统和⾮电⼦系统的⼀体化集成，从根本上解决信息系统的微型化问题，实现许多以前⽆法实现的功能。

3)今天的MEMS与40年前的集成电路类似，MEMS对未来的社会发展的推动已经逐步显现，它也是21世纪初⼀个新的产业增长点。

2.⼏种主要的商业化MEMS器件及其优点(列举两到三种)1)MEMS压⼒传感器优点：具有较⾼的测量精度、较低的功耗和极低的成本。

2)喷墨打印头优点：廉价，性能好，可以提供⾼品质的彩⾊打印。

（⾼分辨率，⾼对⽐度）3)数字光处理器(DLP) 优点：与LCD投影相⽐，DLP具有更⾼的像素填充因⼦，更⾼的亮度、灰度和对⽐度，光利⽤效率⾼，对⽐度和⾊彩平衡的长期稳定性好。

4)集成惯性传感器（⾼灵敏度，低噪声，低使⽤成本，满⾜了汽车市场使⽤的需要）5)加速度传感器（对地震监测的超⾼灵敏度，⾼可靠性与长期稳定性）3.热墨喷头的结构(组成)和⼯作原理结构组成：喷墨嘴、加热条、墨汁腔热喷墨技术其⼯作原理是通过喷墨打印头（喷墨室的硅基底）上的电加热元件（通常是热电阻），在3微秒内急速加热到300摄⽒度，使喷嘴底部的液态油墨汽化并形成⽓泡，该蒸汽膜将墨⽔和加热元件隔离，避免将喷嘴内全部墨⽔加热。

《MEMS技术》考试知识点.

《MEMS技术》考试知识点
第一章 MEMS和微系统概论
1、重点掌握MEMS技术的基本概念、历史与发展
2、掌握微电子技术、MEMS和微系统的区别
3、熟悉MEMS和微系统的应用
第二章微系统的工作原理
1、掌握微传感器的灵敏度、量程、频率响应等基本概念
2、熟练掌握压阻、电容、隧道、压电、谐振以及热对流式工作原理与检测方式
3、掌握静电驱动器、压电、电磁、形变记忆合金、热等驱动器的工作原理第七章用于MEMS和微系统的材料
1、掌握半导体材料单晶硅的特性
2、掌握晶面、晶向与晶面族的概念
3、掌握硅及其硅化合物的材料的特性
第八章微系统加工工艺
1、掌握外延、氧化、扩散工艺的基本概念与工艺过程
2、熟悉金属化工艺、化学气相淀积工艺
3、熟悉刻蚀工艺
4、掌握紫外光刻技术
第九章微制造技术
1、掌握硅湿法腐蚀中的各向异性腐蚀、自停止技术与凸角补偿技术
2、掌握静电键合技术
3、熟悉干法腐蚀中深槽腐蚀技术
4、熟练掌握表面工艺、体硅工艺与LIGA工艺
第十章微系统设计（重点章节）
1、掌握MEMS器件的设计流程
2、熟练掌握根据要求设计MEMS压阻、电容、隧道式微加速度计、微压力传感器，包括设计掩模版、工艺流程，结构工艺简图的绘制。

第十一章微系统封装
1、掌握微系统封装的三个等级
2、掌握主要的封装技术
参考书目：《MEMS和微系统一设计与制作》机械工业出版社熊继军。

MEMS考试复习提纲2016

1.解释微系统技术与微电子技术的差异2.比较MEMS封装与IC封装的不同3.介绍BioMEMS的分类及其典型结构的工作原理4.介绍微型电动机的工作原理，介绍微型加速度计的典型配置及其工作原理5.解释硅被优先选择作为MEMS衬底材料的原因。

6.MEMS材料中压电晶体材料、聚合物类材料各自特点及应用；如何使聚合物导电？7.介绍化学气相沉积的工作原理8.比较干法腐蚀和湿法腐蚀的不同之处9.等离子体在微加工中的作用10.叙述体硅微制造、表面微加工和LIGA工艺的特点及其优缺点11.表面微加工由几个的组成部件组成？对于表面微加工过程主要存在哪些力学问题，分别阐述其原因12.分析表面微加工中防止粘连产生的原因. 防止粘连的主要方法主要有哪三类?13.介绍LIGA工艺过程，在LIGA工艺过程中为什么电铸是必要的？LIGA对光刻胶有什么要求14.描述DRIE工艺并分析DRIE如何获得近乎完美垂直腐蚀结构15.比较体硅微制造与表面微加工工艺技术的异同点。

16.MEMS微系统封装主要难点17.键合技术主要应用领域，微系统元件键合的难点18.介绍粘合剂键合、共晶键合特点及工艺过程检测和控制要求19.介绍局部加热键合的主要方法，采用激光进行局部加热键合有何显著优点？20.介绍三种导线键合方法和特点，对导线键合过程控制检测要求有哪些21.为何对于MEMS器件制造，密封工序是要重点考虑的对象？按照材料分类，密封分为哪两类，各有何特点？22.集成密封过程的主要优点、步骤。

23.使用中间层进行晶片键合其工艺过程的主要特征。

使用中间层进行晶片键合的主要步骤。

24.判断真空密封好坏的依据。

阳极键合工艺与局部CVD沉积结合的真空密封步骤。

25.微组装过程中微观操作与宏观尺寸操作不同，具体叙述其特点26.比较微组装过程中，串行微组装与并行微组装的不同27.微组装系统设计一般准则及主要流程28.简述自动微组装系统的主要组成部分29.压力传感器封装设计的几个主要步骤30.简述图示的集成密封工艺过程。

传感器复习提纲一

一、原来题库里的内容纲要（这些都没变）1、现代检测技术及传感器基础知识（这部分知识点是选考题，2-3题吧）1）讲义P4，有关方法误差、环境误差、装置误差、数据处理误差和随机误差等的判别。

比如告诉你某种实际情况产生的误差，让你判别这种情况属于上述的哪种误差。

2）讲义P5，有关系统误差、随机误差、粗大误差和动态误差等的判别。

比如某种条件下产生了一个误差，问你这种误差属于上述的哪种误差。

3）P9-P10现代测试系统的发展趋势在熟悉这里四点的情况下，判别选项中哪点是不对的。

4）P14，衡量传感器特性的主要技术指标有哪些？当然给你放进去其他无关的选项你能区分得出来。

5）有关“灵敏度”这个指标的理解，P13。

特别强调检测灵敏度并非越高越好的。

6）P14，分辨力和分辨率概念的区别。

自己对照讲义好好看看。

7）P17，有关传感器在选择时候需要考虑的各种相关指标，这里需要特别强调一点，性能价格比是最重要的一个因素哦，别看表格里是没有放进去。

8）P17，传感器输出信号的特点有哪些？9）传感器传统接口中典型的传感器接口电路有哪些，各自对应的功能如何？P1 7大家着重注意放大电路、滤波电路、线性化电路和温度补偿电路吧。

10）P18-19，传感器与计算机接口有关问题的描述具体有哪些接口？对各自含义的基本理解。

通常有哪些分类等。

2、超声波传感器的应用1）P66，声音传感器相关声音传感器有哪两种？每种均应用在什么场合？各自的基本工作原理是什么？2）超声波的基本概念和特性等，P66。

3）超声波探头的分类、P67；超声波传感器的基本工作原理，压电效应和磁致伸缩效应各自的基本描述；P69，粘合剂的作用等。

4）对照P72，图4-15超声波发送电路，结合40KHz的提供，R8、R9的作用，输出端采用两个反相器并联的作用等，展开提问，要知道各自的功能表述。

5）（必考题）P27，图2-16超声波接收电路，主要是对照表2-1中2、3、5、6脚接法的提问，注意参数为什么要这么设置，作用是什么。

模电复习提纲(16级)

复习提纲(一)常用半导体器件1.PN结的单向导电性2.二极管的伏安特性3.稳压二极管的应用4.三极管的类型、电流放大原理、主要参数、输出特性曲线（理解三个工作区）(二)基本放大电路1.基本放大电路：三种组态及特点2.基本放大电路的分析方法（重点共射、共集Q点、动态分析）1)图解法（失真分析）2)小信号等效电路法(三)多级放大电路1.多级放大电路的耦合方式及分析（简单理解Au Ri Ro）2.几个概念：零点漂移、差模信号、共模信号、共模抑制比3.差分放大电路的分析（电路识别、定性分析）（四）放大电路的频率响应（会看波特图、f L、f H、BW、A u）（五）负反馈放大电路三会：1)会判断负反馈的组态2)会估算负反馈放大电路的放大倍数（重点：电压放大倍数A uf）3)会连线(即负反馈对性能指标的影响，根据要求，引入负反馈)（六）信号的运算与处理1.理想运算放大器a)条件b)虚断和虚短2.运算放大电路的分析a)同相比例运算（放大)电路（电压跟随器）b)反向比例运算电路c)求和运算电路d)减法运算电路e)积分运算电路及应用f)微分运算电路及应用3.滤波电路的基本概念和分类、滤波电路的选用（定性）（七）波形的发生和信号的转换1.RC正弦波振荡电路（振荡器组成、振荡条件、振荡频率计算、引入负反改善波形）2.LC正弦波振荡电路（起振相位条件的判断）3.电压比较器的分析（重点：单限比较器）（八）功率放大电路甲乙类OCL、OTL主要考查双电源互补对称电路的分析计算（P om、效率、选管、交越失真等）（九）直流电源1.桥式整流电路2.电容、电感滤波电路3.串联型稳压电路4.三端稳压器。

微系统MEMS-复习资料(北理考试)

MEMS考试复习资料、总结一、名词解释微系统：“个”小功能却强大的微装置。

微机电系统（MEMS：Micro Electromechanical System）①是在微电子技术（半导体制造技术）基础上发展起来的，融合了光刻、腐蚀、薄膜、LIGA、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工等技术制作的高科技电子机械器件，②是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的独立智能微型系统。

③其内部结构一般在微米甚至纳米量级，微型化、智能化、多功能、高集成度和适于大批量生产。

热管理：控制温度在合理范围的散热管理系统。

多芯片组件（MCM：Multi-Chip Module）①是将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装技术。

②其余混合集成电路产品并没有本质区别，只不过多芯片组件具有更高的性能、更多的功能和更小的体积，可以说多芯片组件属于高级混合集成电路产品。

CSP(Chip Scale Package)封装：芯片级封装> BGA封装：球栅阵列封装与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高。

SSI：小规模集成电路(Small Scale Integration )通常指含逻辑门数小于10 门(或含元件数小于100个)。

根据集成电路规模的大小，通常将其分为SSI 、MSI 、LSI 、VLSI。

分类的依据是一片集成电路芯片上包含的逻辑门个数或元件个数。

陀螺仪(gyroscope)：①人们利用陀螺的力学性质、运动特性所制成的各种功能的陀螺装置称为陀螺仪②陀螺仪是用高速回转体的动量矩敏感壳体相对惯性空间绕正交于自转轴的一个或二个轴的角运动检测装置。

利用其他原理制成的角运动检测装置起同样功能的也称陀螺仪。

数据融合：数据融合是指利用计算机对按时序获得的若干观测信息，在一定准则下加以自动分析、综合，以完成所需的决策和评估任务而进行的信息处理。

mems期末试题及答案

mems期末试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. MEMS技术中，"M"代表什么？A. MicroB. MacroC. MegaD. Mini答案：A2. 下列哪项不是MEMS传感器的常见应用？A. 汽车B. 医疗C. 航空D. 农业答案：D3. MEMS加速度计通常用于测量什么？A. 速度B. 加速度C. 温度D. 湿度答案：B4. 在MEMS制造过程中，下列哪项技术不常用？A. 光刻B. 蚀刻C. 焊接D. 沉积答案：C5. 下列哪种材料不是MEMS制造中常用的材料？A. 硅B. 玻璃C. 塑料D. 铁答案：D6. MEMS陀螺仪通常用于什么目的？A. 测量温度B. 测量压力C. 测量角速度D. 测量湿度答案：C7. 在MEMS技术中，"封装"指的是什么？A. 将MEMS器件放入保护壳中B. 将MEMS器件与外部电路连接C. 将MEMS器件与电源连接D. 将MEMS器件与计算机连接答案：A8. MEMS技术的一个主要优点是什么？A. 高成本B. 低功耗C. 低精度D. 低可靠性答案：B9. 下列哪项不是MEMS传感器的常见类型？A. 加速度计B. 陀螺仪C. 压力传感器D. 温度计答案：D10. MEMS技术可以应用于以下哪个领域？A. 消费电子B. 工业自动化C. 军事D. 所有以上答案：D二、填空题（每题2分，共20分）1. MEMS技术是一种利用______技术制造极小尺寸机械系统的技术。

答案：微电子2. 一个典型的MEMS传感器由______、执行器和控制电路组成。

答案：传感器3. 在MEMS制造中，______是一种常用的制造技术，用于创建微小结构。

答案：光刻4. MEMS传感器通常需要______来转换机械信号为电信号。

答案：转换器5. 一个MEMS加速度计可以测量______、______和______方向的加速度。

答案：X轴、Y轴、Z轴6. MEMS技术的一个主要应用是______，用于检测和测量运动。

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