2画出图P2所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电...
模拟电子技术基础习题解答
模拟电子技术基础(第四版)习题解答(总133页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图34解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
试问：(1)R b =50k 时，U o= (2)若T 临界饱和，则R b =解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
(完整版)哈工大模电习题册答案
【2-1】 填空：1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。
两种载流子的浓度 。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
3．漂移电流是 在 作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。
5．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。
它工作在 。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。
1. 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。
2. 杂质浓度，温度。
3. 少数载流子，(内)电场力。
4. 单向导电性，正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。
5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z ），工作电流（I Emin ），最大管耗（P Zmax ）和动态电阻（r Z ）6. 增大;【2-2】电路如图2.10.4所示，其中u i =20sinωt (mV)，f =1kHz ，试求二极管VD 两端电压和通过它的电流。
假设电容C 容量足够大。
-+-+C R+k 5ΩV 6iu VD+-D u Di a)(图2.10.4 题2-5电路图1．静态分析静态，是指u i =0，这时u i 视作短路，C 对直流视作开路，其等效电路如图1.4.2(a)所示。
不妨设U D =0.6V则D D 6V (60.6)V1.08mA 5kU I R --===Ω 对于静态分析，也可以根据二极管的伏安特性曲线，用图解法求解。
2．动态分析对于交流信号，直流电源和电容C 视作短路；二极管因工作在静态工作点附近很小的范围内，故可用动态电阻r d 等效，且D d D1ir u ∆=∆，由此可得等效电路如图1.4.2(b)所示。
二极管伏安特性方程：)1e (TD/S D -=U u I i (1.4.1)由于二极管两端电压U D ?U T =26 mV ，故式1.4.1可简化为：TD/S D e U u I i ≈TD D Dd d d 1U I u i r ≈=Ω==≈07.241.08mA26mVD T d I U r 所以d i d d d 0.02sin (V)0.83sin (mA)24.07()u u t i t r r ωω===≈Ω 3．交流和直流相叠加)(mA sin 83.008.1d D D t i I i ω+=+=)(V sin 02.06.0d D D t u U u ω+=+=4．u D 和i D 波形如图1.4.2(c)、(d)所示。
模电作业及答案
作业及答案第一章1、什么是P 型半导体、N 型半导体、PN 结？P 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P 型半导体，亦可称为空穴型半导体。
主要靠空穴导电。
N 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成N 型半导体，亦可称为电子型半导体。
主要靠自由电子导电PN 结：采用不同的掺杂工艺，将P 型半导体与N 型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN 结。
PN 结具有单向导电性。
2、简述PN 结的单向导电性。
在PN 结上外加一电压，如果P 型一边接正极，N 型一边接负极，电流便从P 型一边流向N 型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，即PN 结外加正向电压时处于导通状态。
如果N 型一边接外加电压的正极，P 型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，即PN 结外加反向电压时处于截止状态。
这就是PN 结的单向导电性。
3、简述PN 结的伏安特性。
如左图所示，当PN 结外加正向电压，电流i 随电压u按指数规律变化；当PN 结外加反向电压，首先没有电流流过，但当反向电压增大到一定程度时，反向电流将急剧增加，将PN 结反向击穿。
P. 67四、已知稳压管的稳压值6V Z U =，稳定电流的最小值min 5mA Z I =。
求图T1.4所示电路中1o U 和2o U 各为多少伏。
解：(a) 1316V 2=1086(500102)6L o DZ L o R K U U V V U V R R K U V-Ω∴⨯=⨯=>=+⨯+Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：(b) 226V 5=105(55)5L o L o R K U U V V R R K U VΩ∴⨯=⨯=++Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：P. 69－70: 1.3，1.61.3 电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
模拟电子技能技术总结基础(第四版)习题解答
精心整理第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
(√) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
(√)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS R 大的特点。
(√) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零，则其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l)PN 结加正向电压时，空间电荷区将A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4)U GS =0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3解：U O1=1.3V ,U O2=0V ,U O3=-1.3V ,U O4=2V ,U O5=1.3V ,U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a)(b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，?=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k ?时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
(精华版)国家开放大学电大专科《电工电子技术》机考网考形考网络题库及答案
(更新版)国家开放大学电大专科《电工电子技术》机考网考形考网络题库及答案盗传必究考试说明：形成性考核占课程综合成绩的50%，终结性考试占课程综合成绩的50%。
单选题题目11．在题图1所示的电路中，电流表的正、负接线端用“+”、“‒”号标出，现电流表指针正向偏转，示数为10 A，有关电流、电压方向也表示在图中，则（）正确。
选择一项：c. I1=10 A，U=12 V题目2在题图2所示的电路中，电位器RP的滑动端向下移动时，电流I1、I2的变化趋势是（）。
选择一项：a. I1增大，I2减小题目3在题图3所示的电路中，电流I为（）。
选择一项：c. 5 A判断题题目41．判别一个元件是吸收功率还是提供功率，取决于元件上电压和电流的实际方向，二者相同时是提供功率，相反时是吸收功率。
错题目52．电路中电流的实际方向是电位降低的方向，可据此来判别电流源或电压源上电流或电压的关联性。
选择一项：对题目63．两种电源模型的等效变换只是对相同的外部电路而言，对电源内部是不等效的。
选择一项：对题目74．基尔霍夫定律的理论依据是电荷守恒定律及能量守恒定律，对电路中各元件的种类、性质需加以限制。
选择一项：错分析计算题题目81．测得含源二端网络的开路电压U O=12 V，短路电流I S=0.5 A，试计算当外接电阻为36 Ω时的电压和电流。
答：①设该二端网络为题图1-4所示的电压源U S和内阻R S的串联模型。
②二端网络开路时R S中电流为零，说明U S等于开路电压，即U S=12 V。
③由短路电流I S=0.5 A，电源电压U S=12 V，可求得R S=24 Ω。
④外接电阻R L=36 Ω时，利用串联电路的计算方法可得U L=7.2 V，I L=0.2 A单选题题目91．图2-1所示的电路中包含（）条支路，用支路电流法分析该电路，需要列写（）个方程。
题图2-1选择一项：d. 5,3题目102．用叠加定理分析电路时，当其中一个电源单独作用时，其他电源应置零，即电压源（）、电流源（）。
模拟电路第二章课后习题答案word精品
第二章习题与思考题♦题2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。
EP2-1解：(a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求；(b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置(正偏) ；(c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置(反偏) ；(d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置(正偏) ；(e) 有放大作用(电压放大倍数小于1)；(f) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0；(g) 无放大作用，电容C b使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极;(h) 不能正常放大，场效应管栅源之间无直流偏置；(i) 无放大作用，VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。
本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理U1♦题2-2试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。
设电路中的电容均足够大， 变压器为理想变压器解:-O +v ccRA営&本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念，练习画出各种电路的直流通路和交流通路。
(c)+交紇诵聲十W白浙！SAOO1卩a浦诵踣I交说通路(1 •:)1BQ1CQ♦题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变， 分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的 I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。
① 增大Rb;②增大VCC ③增大3。
解：①Rb =■ 1 BQ■ 1 CQ ■ ~ U CEQ② V cc = 1BQ = 1 CQ = UCEQ ( =V CC- R c 1 CQ )不疋I BQ 基本不变本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对 Q 点的影响♦题2-4在图2.5.2所示NPN 三极管组成的分压式工作点稳定电路中，假设电路其他参数不变，分别改1BQCQ BQ■I B QUCEQ — V CC - 1 CQ R C1CQ=V cc变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的 I BQ 、 I CQ 、U CEQ 、「be 和| A u|将增大、减小还是不变。
第二章自测&习题(1)
共射
18
2.3 分别判断图示电路各是共射、共集、共基放大电路中的 分别判断图示电路各是共射、共集、 哪一种，并写出Q、 哪一种，并写出 、AU、Ri 、 Ro 。
共基
19
2.3 分别判断图示电路各是共射、共集、共基放大电路中的 分别判断图示电路各是共射、共集、 哪一种，并写出Q、 哪一种，并写出 、AU、Ri 、 Ro 。
0 0.72 4 6 8 10 12 u /V CE
I CQ = 2mA, U CEQ = 6V
U om = (6 − 0.7) / 2V
23
2. RL=3k时 时 c +VCC Rc Rb + ui _ VBB T RL e +
c 3k Rc VCC RL 3k 12V e RO T + 1.5k 6V RO VO
uo 等效！ 等效！ _
Rb
ICQ
IBQ VBB
UCE 24
Rb
ICQ
1.5k RO T +
I BQ =
6V
VBB − U BEQ Rb
1 − 0.7 = = 20µA 3 15 ×10
IBQ VBB
iC/mA 4 3 2 1 Q2 40µA 30µA 20µA IB=10µA
2
二、试分析图中所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简 试分析图中所示各电路是否能够放大正弦交流信号， 述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
交流通路中V 短路， 交流通路中 BB短路， 输入信号无法接入， 输入信号无法接入， 不可能
可能
输入信号直接作用 于基极和地之间， 于基极和地之间， 没有作用在直流信 号之上，必然失真， 号之上，必然失真， 不可能 3
电子线路 第五版 (梁明理) 高等教育出版社 课后答案[WORD版本](1)
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1.5 限幅电路如图P1.5所示，设D 为理想二极管，输入电压v i 为正弦波，其振幅大于V R 。
试绘出输出电压v O 的波形。
解：(1)当v i <V R 时（V R >0），二极管D 导通，相当于短接，v O =v i ，输出为正弦波。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =V R ，被限幅在V R 值上。
分析结果是，本电路只输出小于V R 值的正弦波部分，大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（a ）所示。
(2)当v i <V R （V R <0）时，二极管D 导通，相当于短接，v O =v i ，输出为正弦波（输出为负半周部分波形）。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =V R 。
分析结果是，本电路只输出小于V R 值的正弦波部分，大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（b ）所示。
(3)当v i <V R （V R >0）时，二极管D 导通，相当于短路，v O =V R ，输出直流电压V R 。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =v i ，输出正弦波。
分析结果是，本电路只输出大于V R 值的正弦波部分，小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（c ）所示。
(4)当v i <V R （V R >0）时，二极管D 截止，相当于断路，v O =V R ，输出直流电压V R 。
当v i >V R 时，二极管D 导通，相当于短接，输出电压v O =v i ，输出正弦波。
分析结果是，本电路只输出大于V R 值的正弦波部分，小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（d ）所示。
1.6 双向限幅电路如图P1.6所示，设D 1、D 2为理想二极管，输入电压v i 为正弦波，其振幅大于V im =3V R 。
模拟电子技术习题解
2.6 晶体管＝50，VCC＝12V，晶体管饱和管压降
UCES＝0.5V。
解：设UBE＝0.7V。则
（1）正常情况：基极静态电流
IB
VCC UBE Rb2
UBE Rb1
0.022mA
U CV C CIC R c6.4V
)
26mV IEQ
Ui
2.73k
R b1
R b2
rbe
Ib RL
Uo
A urbe (R (1 c∥ R)LR )f 7.7
Rf
Rc
R i R b ∥ 1 R b ∥ 2 [ r b e ( 1 ) R f] 3 .7 k
Ro Rc 5k
（2）若电容Ce开路，对Q点没有影响，但影响交流 参数。
∥R3 rbe
Ro R2∥R3
Ri rbe∥R1
2.15 试求出图P2.3（b）所示电路Q点、 Au 、Ri和Ro
(9)Ro 5k
(10 )Ro2.5k
(1)1U s 20 mV (12 )U s 60 mV
2.6 电路如图P2.6所示，已知晶体管＝50，在下列情
况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别
为 多 少 ？ 设 VCC ＝ 12V ， 晶 体 管 饱 和 管 压 降 UCES ＝ 0.5V。
电容Ce开路的微变等效电路：
Ib Ic
Au RfRL' Re
1.92
Ui
R b1
R b2
rbe
Ib RL
Uo
Au 下降
Rf
Rc
Re
R i R b ∥ 1 R b ∥ 2 [ r b e ( 1 ) R f( R e ) 4 ] . 1 k
模电-童诗白(第四版)课后题全解
模拟电子技术（第四版）童诗白课后习题答案第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模拟电子技术基础 第三章 习题解答
成
都 信
解：当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击
息 穿，uO＝－UZ＝－5V。
工 程
当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。
学
院 实 验
IB
uI U BE Rb
480 μA
中 临界饱和时基极电流
心
I BS
VCC UCES
RC
238μA IB
说明晶体管饱和，故Uo＝－0.1V。
6
2.2 分别改正图P2.2所示各电路中的错误，使它们有可能放 大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
uO VCC ICQ RC 11V＜UBE 饱和，Uce＝Uces＝0.7V
5
1.11 电路如图P1.18所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝0.2V，饱和 管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电 压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？
1.3 电路如图P1.3所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画 出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不 计。
成 都 信 息 工 程 学 院 实 验 中 心
1
1.4 电路如图P1.4所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管 导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出 幅值。
成 都 信 息 工 程 学 院 实 验 中 心
2
1.5 电路如图P1.5（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图 （b）所示，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出输出电压uO 的波形，并标出幅值。
成
解：uO的波形如解图P1.5所示。
都
信
息
工
程
学
院
2习题解答
习题【2-1】填空、选择正确答案1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；√B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路；C．将输入交流信号加到晶体管的基极。
2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中：A．只有直流；B．只有交流；√ C．既有直流，又有交流。
3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。
（I CQ；I CQ）4．下列说法哪个正确：A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大；√B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率；C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。
5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。
a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变）(1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。
（a）(2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。
（b；a；c）(3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。
（b；a；c）(4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。
（c；b）(5) V cc减少时，直流负载线的斜率。
（c）6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。
（越好）7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。
（饱和区）8．在共射基本放大电路中，若适当增加 ，放大电路的电压增益将（）。
（基本不增加）9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。
（增加）10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。
√ A．放大倍数变大，输出电阻变大B．放大倍数变大，输出电阻不变C．放大倍数变小，输出电阻变大D．放大倍数变小，输出电阻变小11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。
模拟电子技术基础简明教程课后答案(第三版)高等教育出版社1
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80A μ60Aμ40A μ20Aμ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8C BO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模电-童诗白课后题全解
当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。
（2） 29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
（1）S闭合。
（2）
波形如图所示。
60℃时ICBO≈32μA。
选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。
晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表
(a) (b) (c) (d)
(e) (f) (g)
图
解：(a)不能。(b)不能。
(c)构成NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
(d)不能。(e)不能。
(f)构成PNP 型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
解：由于 ，所以 。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故
时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故
电路如图所示，晶体管β=100， =100Ω。
(1)求电路的Q点、 、 和 ；
(2)若改用β=200的晶体管，则Q点如何变化？
(3)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
ID＝（V－UD）/R＝，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。
（1）两只稳压管串联时可得、、和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得和6V等两种稳压值。
IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝～Ω。
（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
RL=∞时； 图
RL=3kΩ时；
输出电阻：
电路如图所示，晶体管的β=60 , 。
(1)求解Q点、 、 和
6-10复习题及答案
第六章基本放大电路一、填空题1、当NPN半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
（发射极，集电极，基，集电）2、根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
（共基电路，共射电路，共集电路）3、三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
（输入特性，输出特性）4、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。
（IB，VBE ）5、为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。
（截止，减小，增大）6、三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
（基极，集电极）7、共射组态既有放大作用，又有放大作用。
（电压，电流）8、画放大器交流通路时，和应作短路处理。
（电容，电源）二、选择题1、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。
（B）A、10B、50C、80D、1002、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（D）A、增大B、减少C、反向D、几乎为零3、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足（D）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏4、测得三极管IB=30μA时，IC = 2.4mA ；IB=40μA时，IC = 1mA，则该管的交流电流放大系数为。
（B）A、80B、60C、75D、1005、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的。
（C）A、iCB、uCEC、iBD、iE6、下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是。
（B）A、共射接法B、共基接法C、共集接法D、任何接法7、放大电路的三种组态。
（C）A、都有电压放大作用B、都有电流放大作用C、都有功率放大作用D、只有共射极电路有功率放大作用8、晶体管构成的三种放大电路中，没有电压放大作用但有电流放大作用的是（D）A、共集电极接法B、共基极接法C、共发射极接法D、以上都不是三、问答题：1. 放大电路中为什么要设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？答：为了不失真地放大交流信号，必须在电路中设置合适的静态工作点。
模拟电子技术基础试题及答案
1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。
【】A. 83B. 91C. 1002、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内。
（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈；【】A.2VB.3VC.6VU ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，（2）当i则输出电压的幅值将；【】A.减小B.不变C.增大U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增（3）在i大输入电压，则输出电压波形将；【】A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。
【】A.RW减小B.Rc减小C.VCC减小3、互补输出级采用共集形式是为了使。
【】A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强4、选用差分放大电路的原因是。
【】A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。
【】A.3dBB.4dBC.5dB6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
【】A．输入电阻增大B．输出量增大C．净输入量增大D．净输入量减小7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
【】A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。
【】A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
【】A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
电工电子技术(国开)自测题-精选.pdf
单选题1、（）是利用电磁感应原理进行变换交流电压的一种器件。
B、变压器2、D触发器功能：（）。
C．只具有置位、复位两种功能3、JK触发器功能：（）。
A．具有置位、复位、保持和翻转四种功能4、PN结加正向偏置是指（）。
B．P区接电源正极，N区接电源负极5、RLC串联电路发生谐振时，回路的（）。
B．电流达到最大值6、按各触发器的状态转换与时钟输入CP的关系分类，计数器可分（）。
A．同步和异步7、比较下列数值，最大数是（）。
A．（369）10A．（369）10 B．（107）16 C．（100100011）2 D．（1101011001）8、比较下列数值，最大数是（）。
D．（316）8 A．（379）10B．（157）16 C．（100110011）2 D．（316）89、变压器初级绕组的输入功率会（）次级绕组的输出功率。
C、大于10、单相桥式整流电路输出的脉动电压平均值UO(AV)与输入交流电压的有效值U2之比近似为（）A．0.911、地球磁场的北极（N极）位于地球的（）极附近。
B、南极12、放大电路中的直流通路为三极管提供了（）。
A、静态工作点13、函数Y=A（B+C）的对偶式Y’ 是（）。
C．Y’=A+BC14、逻辑函数Y=ABC+AC+B+C化简成最简与或表达式，正确结果是（）。
B．Y=A+B+C15、能用于脉冲整形的电路是（）。
C．施密特触发器16、任何一个有源二端网络，都可以等效简化为一个电压源和一个内阻（）的形式，该等效电压源的电压等于外电路开路时二端网络的（）电压；C、串联，开路17、使用3个触发器构成的计数器最多有8个有效状态。
（）D．818、为使三极管工作在放大状态，必须（）。
C．发射结加正向偏置，集电结加反向偏置19、下列Y形三相负载连接的电压电流关系中，（）正确。
A．UP= UL，IP=IL20、下列叙述正确的是（）。
D．计数器属于时序逻辑电路21、一台异步电动机接在恒压恒频的电源上运行，处于空载状态。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
第1章常用半导体器件自测题一、判断以下说法是否正确，用“×〞和“√〞表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，那么其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)假设耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.根本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3四、稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)假设T 临界饱和，那么R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
习题02章 放大电路的基本原理和分析方法
ɺ RL=∞时， Au = 时 rbe + (1 + β ) Re
ɺ Ui
-
+ɺ Uo -
(1 + β ) Re
≈ 0.99 ≈ 0.97
ɺ RL=1.2k 时， Au =
rbe + (1 + β ) Re // RL
(1 + β ) Re // RL
26 26 = 200 + 101× ≈ 1.5k Ω ② rbe = rbb′ + (1 + β ) I EQ 2 β ( Rc // RL ) = −100 ③ Au = − 是截止失真，应减少R ④是截止失真，应减少 b rbe
习题2-14 在图 在图P2-14的电路中，设β=50，UBEQ=0.6V。 的电路中， 习题 的电路中 ， 。 求静态工作点； 画出放大电路的微变等效电路； ①求静态工作点；②画出放大电路的微变等效电路； 求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 ③求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 +VCC 解：① VCC = I BQ Rb + U BEQ + (1 + β ) I BQ Re +12V Rb
②微变等效电路
ɺ Ui
Re 2k
+ ɺ Uo _
26 ≈ 1.63k Ω ③ rbe = 300 + (1 + β ) I EQ β ( Rc // RL ) Au = − ≈ −0.94 rbe + (1 + β ) Re
ɺ Ui
rbe
Rb
β Iɺb RL
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2.2 画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
图P2.2
2.4 电路如图P2.4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时U B E Q＝0.7V。
利用图解法分别求出R L＝∞和R L＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压U o m（有效值）。
图P2.4
2.8若将图P2.7所示电路中的NPN型管换成PNP型管，其他参数不变，则为使电路正常放大，电源应做如何修改？如果输出电压波形底部失真，说明电路产生了什么失真？
图P2.7
2.10 在图P2.10所示电路中，设静态时I C Q＝2mA，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V。
试问：当负载电阻R L＝∞和R L＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？若要使输出不失真输出电压最大，则在其他电路参数不变的情况下Rb应选取多少千欧？
图P2.10
2.12 电路如图P2.12所示，晶体管的 ＝80。
（1）求出Q点；
图P2.12。