场效应管放大电路
场效应管放大电路
这种偏置电路的特点是: 栅极直流偏压直接由电源UGG经电阻Rg供给,因为3DO1是耗 尽型MOS管,故 UGS = - UGG。由于场效应管输入电阻很大, 所以 Ig = 0 。栅偏压是由固定的外加电源供给的,故称为固 定偏置电路。此电路是共源极放大电路。
⑵ 自给栅偏压偏置电路
这种偏置电路的特点是: 在源极上接一个电阻RS,外加电压UDD产生的ID就会在RS 上产 生压降URS ,由于Ig = 0,所以可以得 :UGS = - URS = - ID RS 。 这种电路栅 偏压是由漏极电流流过源极电阻产生的,故称为 自给偏压电路。增强型MOS管不采用此种这种方式。
(mA) ID UGS = 0 V
6
击穿区
rN小
可变电阻区
5
4 3 2
UGS = -1V 放 大 区 UGS = -2V UGS = -3V UGS = -4V
4 8 12 16 20 24
rN大
1 0
截止区
BUDSS
UDS(V)
⑶ 截止区 当|UGS|≥|UP|时,导电沟道完全夹断,电阻rn最大, 漏极电流 ID = 0,管子截止。
id
T2 T1 Id0
T3
Q0
ugso
ugs
从图可以看出当 UGS选在零工作 点,则温度变化时,漏极电流 ID 不变。T1,T2,T3为不同的温度 曲线。
4. 场效应管结构对称,应用灵活 ,方便。有时漏极和源极 可以互换使用,但是当衬底与源极相连在一起是不能互换使 用的。
5. 场效应管的制造工艺简单,有利于大规模集成。 6. 由于MOS场效应管输入电阻高达10¹² KΩ,故受外界静电 场感应产生的电荷不容易泄露,会在栅极上产生很高的电场 强度会引起 SiO2绝缘层击穿损坏管子。焊接时,应将电烙铁 外壳可靠接地。 7. 由于场效应管的跨导小,组成放大电路时,在相同负载 电阻的情况下,其电压放大倍数比三极管放大电路低。
第四章场效应管放大电路
N沟道MOS管,在VGS<VT时,不能形成导电 沟道,管子处于截止状态;只有当VGS≥VT时,才有沟 道形成。 VT——开启电压。
这种在VGS=0时没有沟道,只有VGS≥VT时才能 形成感生导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。
第四章 场效应管放大电路
→形成由栅极指向P型
衬底的纵向电场
+
→将靠近栅极下方的空 穴向下排斥
-
→形成耗尽层。
第四章 场效应管放大电路
现假设vDS=0V,在s、g间加一电压vGS>0V 当vGS增大时→耗尽层增宽,并且该大电场会 把衬底的自由电子吸引到
耗尽层与绝缘层之间,形
成一N型薄层,构成漏-源 之间的导电沟道,称为反
N沟道耗尽型 MOS管 与 N沟 道 增 强型MOS管基本相 似。
区别:耗尽型
MOS 管 在 vGS=0 时 ,漏-源极间已有 导电沟道产生;
增强型MOS管要
在vGS≥VT时才出现 导电沟道。
5.1.5
第四章 场效应管放大电路
N沟道耗尽型MOSFET 在栅极下方的SiO2 层中掺入了大量的金 属正离子。所以当 vGS=0 时 , 这 些 正 离 子 已经感应出反型层, 形成了沟道。
夹断区
VT
2VT
第四章 场效应管放大电路
①截止区: vGS<vT
无导电沟道,iD=0,管子处于截止区.
②可变电阻区: vDS< vGS-vT
iD
K n [2(GS
T
)DS
2 DS
]
Kn
nCox
2
(W L
)
单位:mA V 2
场效应管放大电路
场效应管放大电路
场效应管放大电路是一种重要的净化信号,广泛应用于消声、信号加强和纠正输入和输出信号的应用之中。
场效应管放大电路具有较高的稳定性,施加在输入和输出端的电压可以产生不同的放大倍数,可以增强信号的稳定性,并且有过载保护的功能,可以有效的减少输出噪声。
另外,场效应管放大电路的另一个重要优点是低失真率。
场效应管放大电路的输出电流和最大允许电压有直接的关系,当电压变化时,输出也会相应发生变化,这就可以很好的减少信号传输中的失真率,同时保证输出电流的稳定性。
此外,场效应管放大电路的功耗很低,因为放大电路的输出电压可以由输入端得到调节,这就可以有效的减少电源的功耗,大大改善节电效果。
总之,场效应管放大电路具有低失真率、低功耗和高稳定性等优点,广泛应用于各类电子设备中,提高了得到净化信号的效果。
MOS管放大电路
同相放大器的特点是输入阻抗低、输出阻抗高,因此具有良好的驱动能力。它通 常由一个运算放大器和两个电阻构成,其输出电压与输入电压成比例,且放大倍 数由两个电阻的比值决定。
差分放大器
总结词
差分放大器是一种用于放大差分信号的电路,其输出信号与两个输入信号之差成正比。
详细描述
差分放大器的特点是抑制共模信号、放大差分信号,因此具有较高的抗干扰性能。它通 常由两个对称的放大电路组成,分别对两个输入信号进行放大,然后通过减法器得到差
易于集成
由于MOSFET是平面结构,易 于集成到集成电路中,有利于 减小放大电路的体积和重量。
MOS管放大电路的应用场景
音频放大
用于放大音频信号,如扬声器、 耳机等。
电源管理
用于调整和放大电源电压,如直流 /直流转换器等。
信号放大
用于放大各种传感器输出的微弱信 号,如压力、温度、光等传感器。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
02
输出阻抗匹配的目的是使放大电路的输出信号能够有效地传输到负载,同时避免信号的损失或失真。通过选择适 当的输出阻抗元件,可以使得放大电路的输出阻抗与负载阻抗相匹配。
带宽与增益的权衡
带宽
带宽是指放大电路能够处理的信号频 率范围。在设计和优化MOS管放大电 路时,需要考虑所需的带宽,并选择 适当的元件和电路拓扑以实现所需的 频率响应。
的调节。
电容器
01
电容器是一种储能元件, 由两个平行板中间填充 绝缘介质构成。
02
它具有隔直流通交流的 特性,常用于滤波、耦 合、旁路等电路中。
03
根据介质类型和结构, 电容器可分为固定电容 器和可变电容器两大类。
04
在MOS管放大电路中, 主要使用固定电容器, 用于实现信号耦合和滤 波等功能。
电子电工学——模拟电子技术 第五章 场效应管放大电路
场效应管正常工作时漏极电流的上限值。
2. 最大耗散功率PDM
由场效应管允许的温升决定。
3. 最大漏源电压V(BR)DS 当漏极电流ID 急剧上升产生雪崩击穿时的vDS值。
4. 最大栅源电压V(BR)GS
是指栅源间反向电流开始急剧上升时的vGS值。
5.2 MOSFET放大电路
场效应管是电压控制器件,改变栅源电压vGS的大小,就可以控制漏极 电流iD,因此,场效应管和BJT一样能实现信号的控制用场效应管也 可以组成放大电路。
场效应管放大电路也有三种组态,即共源极、共栅极和共漏极电路。
由于场效应管具有输入阻抗高等特点,其电路的某些性能指标优于三极 管放大电路。最后我们可以通过比较来总结如何根据需要来选择BJT还
vGS<0沟道变窄,在vDS作用下,iD 减小。vGS=VP(夹断电压,截止电 压)时,iD=0 。
可以在正或负的栅源电压下工作,
基本无栅流。
2.特性曲线与特性方程
在可变电阻区 iD
Kn
2vGS
VP vDS
v
2 DS
在饱和区iD
I DSS 1
vGS VP
2
I DSS KnVP2称为饱和漏极电流
4. 直流输入电阻RGS
输入电阻很高。一般在107以上。
二、交流参数
1. 低频互导gm 用以描述栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用。
gm
iD vGS
VDS 常数
2. 输出电阻 rds 说明VDS对ID的影响。
rds
vDS iD
VGS 常数
3. 极间电容
极间电容愈小,则管子的高频性能愈好。
三、极限参数
D iD = 0
第5章场效应管放大电路分析
如果接有外负载RL
Rg1
Rd d Vo
g sb
RL
Vi Rg2
Rg3 R
AV gm (Rd // RL )
Ri Rg3 Rg1 // Rg 2
g
Vi
Rg3 gmVgs R’g
d Rd Vo RL
Ro Rd
s R’g=Rg1//Rg2
27
源极电阻上无并联电容:
AV
Vo Vi
Vgs
gmVgs Rd gmVgs R
10
(2) 转移特性曲线 iD= f (vGS)|vDS= 常数
表征栅源电压vGS对漏极电流的控制作用, 场效应管是电压控制器件。
在饱和区内,FET可看
作压控电流源。
IDSS
转移特性方程:
iD=IDSS(1-vGS/VP)2
vGS VP- 0.8 – vG
0.4
S
11
(3)主要参数
夹断电压:VP 当导电沟道刚好完全被关闭时,栅源所对应的电
s
gd
N+ PN+
18
3 、特性曲线
4区:击穿
区
3区
截止区
vGS<V
T
vGD<V
T
VT
1区:可变电阻区: vGS>VT vGD>VT 沟道呈电阻性,iD随vDS
的增大而线性增大。
iD=0 2区:恒流区(线性放大区)
vGS>VT vGD<VT iD=IDO{(vGS/VT)-1}2 IDO是vGS=2VT时,iD的值。
VT R
g
m
(VT
)
VT R
VT
(gm
1) R
场效应管放大电路
•
•
Au
Uo •
Uo •
gm RL
Ui Ugs
放大电路的输入电阻为
ri [RG (RG1 //RG2 )]// rgs ≈ RG (RG1 //RG2 )
场效应管的输入电阻rgs很高,并联后可略去。由上式可知,在分压点和 栅极之间接入一高电阻RG,可提高放大电路的输入电阻。
放大电路的输出电阻为
正,不能采用自给偏压偏置电路,必须采用分压式偏置电路。
电路中各元件作用如下:
RS为源极电阻,电路的静态工作点受它控制,其阻值约为几千欧姆; CS 为源极电阻上的交流旁路电容,其作用相当于共发射极放大电路中的 CE , 其容量约为几十微法; RG为栅极电阻,用来构成栅极、源极间的直流通路, RG的阻值不能太小,否则会影响放大电路的输入电阻,其阻值约为200 kΩ~ 10 MΩ; RD为漏极电阻,它影响电路的电压放大倍数,其阻值约几十千欧; C1 ,C2分别是输入回路和输出回路的耦合电容,具有隔直流通交流的作用, 其容量约为0.01~0.47 μF。
电 工 电 子 技 术
过渡页
第2页
场效应管放大电路
• 1.1 自给偏压偏置电路 • 1.2 分压式偏置电路
第3页
场
效
应
管 放 大
自 给 偏 压
电偏
路置
电
路
1.1
如图10-21所示是N沟道耗尽 型绝缘栅场效应管的自给偏压偏 置电路,图中,源极电流 (等于 漏极电流 )流经源极电阻 ,在 上产生的压降为 。由于绝缘栅场 效应管的栅极电流为零,因此 上 的压降为零,所以
图10-21 场效应管自给偏压偏置电路
UGS ISRS ISRD
图10-21 场效应管自给偏压偏置电路
场效应管放大电路(27)
由正电源获得负偏压 称为自给偏压
ID
I DSS (1
UGSQ )2 U GS(off)
UDSQ VDD IDQ(Rd Rs )
13
3、分压式偏置电路 即典型的Q点稳定电路
UGQ
= U AQ
=
Rg1 ×
Rg1 + Rg2
VDD
U SQ = I DQ Rs
ID
I
DO
( UGSQ U GS(th)
Ri
Ro
Re
//
rbe2
Rs // Rb
1 1 1 2
rbe1
Ro
30
2.7.2 共射-共基放大电路(组合放大电路)
优点 电压放大能力强,高频特性好
A u
U o U i
Ic1 U i
U o Ie2
1 Ib1
Ib1 rbe1
(1
2 Ib2 RL
2 )Ib2
1RL
rbe1
与单管的相同
31
2.7.3 共集-共基放大电路
2.6 场效应管放大电路
一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点 的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析
1
一、场效应管(以N沟道为例)
场效应管有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极
(d),对应于晶体管的e、b、c;有三个工作区域:
夹断区、恒流区、可变电阻区,对应于三极管的截止
区、放大区和饱和区。 1、结型场效应管 结构示意图
11
2.6.2、场效应管静态工作点的设置方法
1、基本共源放大电路
根据场效应管工作在恒流区的条件,在g-s、d-s间加 极性合适的电源
UGSQ VBB
I DQ
场效应管放大电路
R2 Rg VG R1
Rd g + UGS
ID d +
+VDD C2 + uo -
UGSQ = VG - IDQRS UGSQ IDQ= IDO( UGS(th)
Rs
UDS s - R L ID CS
1)
分压-自偏压式共源放大电路
UDSQ = VDD - IDQ ( Rd + Rs )
+VDD d g s C2 RL + uo -
RG R1
RS
+ RG Ui R1 R2
g +U & - gs RS
d
s + RL Uo -
16
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第六节 场效应管放大电路
g +
& Ui
& + Ugs
s -
id +
& gmUgs
仿真
RG RS RL R2 d
& Uo
R1 -
-
源极输出器的微变等效电路
C1 R2 g s R1 RS C2 RL + uo + ui +VDD d
可用近似估算法 或图解法, 或图解法, 求解过程可参阅 分压– 分压–自偏压式 共源放大电路。 共源放大电路。
RG
共漏极放大电路
15
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首页
第六节 场效应管放大电路
2. 动态分析
R2 C1 + ui id
& gmUgs
分压-自偏压式共源放大电路
Ui = Ugs
Uo = - gmUgs RD′
场效应管的三种放大电路
和半导体三极管一样,场效应管的电路也有三种接法即共源极电路、
共漏极电路和共栅极电路。
1.共源极电路
共源极电路除有图16-13 所示的接法外,还可采用图16-14 所示的电路。
这种电路的栅偏压是由负电压UG经偏置电阻RG提供的。
该电路虽然简单.但R G不易取得过大.否则会在栅漏泄电流流过时产生较大的压降,使栅偏压发生变化.造成工作点的偏离。
共源极基本放大电路的主要参数,可由以下各式确定:
2. 共漏极电路(源极输出器)
共漏极电路如图16-15 所示。
该电路中除有源极电阻Rs提供的自偏压外,还有由R1和R2组成的分压器为栅极提供的固定栅偏压。
共漏极电路的输出与输入同相,可起到阻抗变换器的作用。
共漏极基本放大电路的主要参数可由以下各式确定:
3. 共栅极电路
共栅极电路如图16-16 所示。
偏置电路为自给偏置,当ID流经Rs 时产生压降ID·Rs,由于栅极接地,相当于源极电位比栅极高出一个ID·Rs值。
这种方法简单.栅极电压也会随信号自动调节,对工作点的稳定有好处C 该电路有良好的放大特性。
共栅极电路的输入电阻和输出电阻由下式确定:。
MOS场效应管放大电路
电源抑制比
偏置电路应具有较高的电 源抑制比,以提高放大电 路对电源噪声的抑制能力。
调整方便性
偏置电路应易于调整,以 满足不同工作条件下的需 要。
Part
04
mos场效应管放大电路的性 能分析
电压放大倍数
总结词
电压放大倍数是mos场效应管放大电路的重要性能指标,表示输出电压与输入电压的比 值。
详细描述
促进电子技术发展
研究mos场效应管放大电 路有助于推动电子技术的 发展,促进相关领域的技 术创新。
Part
02
mos场效应管放大电路的基 本原理
mos场效应管的工作原理
金属-氧化物-半导体结构
mos场效应管由金属、氧化物和半导体材料组成,形成导电沟道。
电压控制器件
mos场效应管通过外加电压控制导电沟道的开闭,实现电流的放大 或开关作用。
02
结果表明,mos场效应管放大电路具有高放大倍数、高输入电阻和低噪声等优 点,适用于低频信号放大和高增益要求的应用场景。
03
本文还对mos场效应管放大电路的稳定性进行了分析,并提出了改进措施,以 提高电路的稳定性和可靠性。
对未来研究的展望
未来研究可以进一步探索mos场效应管放大电路在高频、宽带和低噪声等方面的性能优化,以满足更 广泛的应用需求。
VS
详细描述
失真性能是衡量mos场效应管放大电路性 能的重要指标之一,失真越小,电路的性 能越好。失真性能主要受到静态工作点、 跨导、源极电阻和负载电阻等因素的影响 。
Part
05
mos场效应管放大电路的应 用
在音频放大器中的应用
音频放大器是mos场效应 1
管放大电路的重要应用领 域之一。
第1113讲场效应管及其放大电路
3. 分压式偏置电路
即典型的Q点稳定电路
UGQ
UAQ
Rg1 Rg1Rg2
VDD
USQ IDQRs
ID IDO(UUGGSS(Qt h) 1)2
U DS V Q D D ID(Q R dR s)
为什么加Rg3?其数值应大些小些?
哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点?
[例1.4.1] 已知某管子的输出特性曲线如图所示。试分 析该管为什么类型的场效应管(结型、绝缘栅型、N 沟道、P沟道、增强型、耗尽型)。
增强型MOS管uDS对iD的影响
刚出现夹断
iD随uDS的增 大而增大,可
uGD=UGS(th), 预夹断
变电阻区
uGS的增大几乎全部用 来克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅 受控于uGS,恒 流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么?
耗尽型MOS管
1. 结型场效应管
结构示意图
漏极
符号
栅极
导电 沟道
源极
栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用
沟道最宽
UGS(off)
沟道变窄
沟道消失 称为夹断
uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必 须加负电压?
动画1
漏-源电压对漏极电流的影响
uGD>UGS(off)
uGD=UGS(off)
预夹断
uGD<UGS(off)
第11-13讲 场效应管及其放大电路
一、场效应管
二、场效应管放大电路静态工作点 的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 四、复合管
一、场效应管(以N沟道为例)
场效应管有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极(d), 对应于晶体管的e、b、c;有三个工作区域:截止区、恒流区、 可变电阻区,对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。
模电第10讲 场效应管及其放大电路
三、场效应管放大电路的动态分析
1. 场效应管的交流等效模型
与晶体管的h参数等效模型类比:
近似分析时可认 为其为无穷大!
iD gm uGS
U DS
根据iD的表达式或转移特性可求得gm。
i D 2 I DSS 1 uGS gm uGS U U GS(off) U GS(off)
U
DS
2 I
2 DSS
1 uGS U GS(off) U GS(off)
2
U DS
2 U GS(off)
2 U GS(off)
2 UGS(th)
I DSS iD
当小信号作用时,可以用来 I DQ近似id,所以
gm
I DSS I DQ
同理,对于增强型MOS管
gm
I DO I DQ
2. 基本共源放大电路的动态分析
• 例2.7.1 已知图中所示电路 VGG 6V VDD 12V Rd 3kΩ
VGS(th) 4V I DO 10mA
试估算电路的Q点
Au
Ro
解:(1)求Q:
VGS VGG 6V 2 U GSQ I DQ I DO 1 2.5mA U GS(th) UDSQ VDD I DQ Rd 4.5V
优点:输入电阻高、噪声系数低、温度稳定性好、 抗辐射能力强、便于集成化。缺点:放大能力差。
输入 输出 公共极
Au
gm Rd 大 倒相
Ri
Ro
共源 g
d
s
很大 大几千欧 几倍~几十倍
gm Rs 1 gm Rs 小同相
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第四章场效应管放大电路本章内容4.1 结型场效应管4.2 绝缘栅场效应管4.3 场效应管的主要参数4.4 场效应管的特点4.5 场效应管放大电路本章要点1.场效应管的类型2.场效应管的工作原理3.场效应管的主要参数和特点4.场效应管放大电路的分析方法电子课件四:场效应管放大电路课时授课教案一授课计划批准人:批准日期:课序:9 授课日期:授课班次:课题:第四章第4.1节结型场效应管目的要求:1. 了解场效应管的类型和电路符号。
2.理解结型场效应管的工作原理。
3.掌握结型场效应管的特性。
重点:结型场效应管的工作原理难点:结型场效应管的输出特性教学方法手段:结合电子课件讲解教具:电子课件、计算机、投影屏幕复习提问: 1. 三极管三种基本组态放大电路的特点?2. 三极管的输出特性曲线的四个区?课堂讨论: 1. N沟道结型场效应管的外部工作条件?2. 场效应管的特性曲线与三极管的特性曲线有何异同点?布置作业:课时分配:二授课内容4.1 结型场效应管引言场效应管属于单极性电压控制型晶体管,它有许多优点,用得也比较广泛。
场效应管有结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(IGBT)两大类。
结型场效应管为耗尽型,他又分为N 沟道和P沟道两种,其电路符号如图4-1所示。
绝缘栅场效应管有增强型和耗尽型之分,又各有N沟道和P沟道两种,其电路符号如图4-12所示。
场效应管放大电路有共源极放大电路和共漏极放大电路两种。
4.1.1 结构下面以N沟道结型场效应管为例进行分析,如图4-1(a)所示。
三个区域:一个N型区,两个P型区。
三个电极:源极S,漏极D,栅极G。
两个PN结:一个导电沟道:N型导电沟道电路符号如图4-1(c)所示。
电路符号中栅极的箭头方向表示PN结的正方向。
4.1.2 工作原理外部工作条件:U DS为正值,U GS为负值。
当u GS=0时,PN结最窄,导电沟道最宽。
在正向电压u DS的作用下,产生较大的漏极电流I DSS,I DSS称为饱和漏极电流。
当u GS<0时,PN结反偏,PN结变宽,导电沟道变窄。
在正向电压u DS的作用下,漏极电流i D 减小。
当u GS≤U P,U P<0时,PN结反偏,PN结变得更宽且把导电沟道夹断,漏极电流i D 为零。
U P称为夹断电压,如图4-2所示。
结论:1.u GS改变,PN结宽度改变,导电沟道宽度改变,漏极电流改变,故曰电压控制型晶体管。
2.因为PN结处于反偏状态,故栅极电流很小,其栅源电阻R GS很大。
3.因为场效应管只有一种载流子(N沟道是电子,P沟道是空穴)导电,故曰单极性晶体管。
4.1.3 转移特性曲线结型场效应管的漏极电流i D 与栅源电压u GS 的关系式如下: 常数=-=DS PGS DSS D U U u I i 2)1( 式中:I DSS -----饱和漏极电流 U P -------夹断电压 i D --------漏极电流 u GS -----栅源极间电压U DS -----漏源极间电压为参变量 转移特性曲线如图4-5所示。
4.1.4 输出特性曲线在栅源电压一定时,漏极电流与漏源极间电压的关系。
常数==GS DS D U u f i )( 输出特性曲线如图4-4所示。
1. 可变电阻区在图4-4中靠近纵轴的区域为可变电阻区。
U GS 不变,i D 随u DS 升高而增大,电阻随U GS 变化而改变。
它对应于三极管输出特性曲线的饱和区。
2. 恒流区U GS 不变时,i D 基本不随u DS 而改变,故称为恒流区或饱和区,实为放大区。
它对应于三极管输出特性曲线之放大区。
3. 夹断区。
u GS =U P 时,i D =O 。
它对应于三极管输出特性曲线的截止区。
4. 击穿区当u DS 升高到一定值时,PN 结被反向击穿,i D 突然增大,叫击穿区。
思考题:对于P 沟道结型场效应管来说,其结构、外部条件、工作原理、转移特性曲线、输出特性曲线如何?小 结1. 场效应管属于单极性电压控制型器件,它有结型和绝缘栅型两大类 ,结型场效应管只有耗尽型,但它有N沟道和P沟道两种。
绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型之分,又各有N沟道和P沟道两种,它们的结构、电路、工作条件、特性曲线不同。
2.结型场效应管的工作原理是:改变UGS,改变PN结宽度,改变导电沟道宽度,最终改变漏极电流大小。
3.场效应管的栅极电流近似为零,输入电阻很大。
作业教材P95习题四:1 2 3课时授课教案一授课计划批准人:批准日期:课序:10 授课日期:授课班次:课题:第四章第4.2~4.4节绝缘栅型场效应管及场效应管的参数目的要求:1. 理解绝缘栅型场效应管的工作原理。
4.掌握绝缘栅型场效应管的特性。
5.掌握场效应管的主要参数。
重点:绝缘栅型场效应管的工作原理。
难点:绝缘栅型场效应管的特性教学方法手段:结合电子课件讲解教具:电子课件、计算机、投影屏幕复习提问: 1. 场效应管有那些类型?2. N沟道结型场效应管的工作原理?课堂讨论: 1. 绝缘栅型场效应管与结型场效应管的工作原理的异同点?2. 耗尽型与增强型绝缘栅型场效应管的工作原理有何异同?布置作业:课时分配:二 授课内容4.2 绝缘栅型场效应管引言绝缘栅场效应管是一种输入电阻更大的场效应管。
有增强型和耗尽型之分,又各有N 沟道和P 沟道两种。
4.2.1 N 沟道增强型绝缘栅场效应管一、 结构N 沟道增强型绝缘栅场效应管的结构如图4-7所示。
三个区域: 一个P 型区,两个N 型区。
三个电极: 源极S ,漏极D ,栅极G 。
两个PN 结:绝 缘 层: 2O S i 二、 工作原理工作条件:,0,0>>>T GS DS U u u 如图4-8所示当u GS =0时,P 型衬底中无导电沟道出现,两个N 型区不连通,虽加正向电压u DS ,也无漏极电流I D 。
当T GS U u <<0时,在u GS 的作用下,P 型衬底中的自由电子被感应到绝缘层下边,形成很窄的感应电荷区,漏极电流i D 很小 ,相当于管子仍未导通。
当时,感应电荷增多T GS U u =,感应电荷区加宽,两个N 型区被连通,产生较大的漏极电流,管子导通。
GS u 继续升高,漏极电流按指数规律增大 。
U T 称为开启电压。
三、 转移特性曲线常数=-=DS T GS D U U u K i 2)(2/1~05.0V mA K )(=转移特性曲线如图4-9(a )所示。
四、 输出特性曲线常数==GS DS D U u f i )(N 沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线如图4-9(b)所示,显然也有四个区域。
思考题:P 沟道增强型绝缘栅场效应管的结构、外部条件、工作原理、特性曲线如何?4.2.2 N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管 一、 结构N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构如图4-10所示。
三个区域: 一个P 型区,两个N 型区。
三个电极: 源极S ,漏极D ,栅极G 。
两个PN 结:绝 缘 层: 2O S i ,绝缘层中事先掺入很多正离子。
二、 工作原理外部条件:GS DS u u ,0>可为正值或负值。
当0=GS u 时,因绝缘层中所掺正离子的作用,感应电荷区已经存在,相当于在两个N 区中间预先埋入了导电沟道。
在DS u 作用下产生DSS I 。
当0>GS u 时,感应电荷增多,导电沟道变宽,漏极电流随之增大。
当0<GS u 时,感应电荷减少,导电沟道变窄,漏极电流随之减小。
当P GS U u ≤时,感应电荷消失,导电沟道消失,漏极电流随之为零。
P U 称为夹断电压。
三、 转移特性曲线常数=-=DS PGS DSS D U U u I i 2)1( N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移特性曲线如图4-11(a)所示。
四、 输出特性曲线常数==GS DS D U u f i )(N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线如图4-11(b)所示,显然也有四个区域。
思考题:P 沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构、外部条件、工作原理、特性曲线如何?4.3 场效应管的主要参数4.3.1 直流参数 一、 饱和漏极电流DSS I 二、 夹断电压P U 三、 开启电压T U 四、 直流输入电阻GS RΩ>610GS R 结型场效应管 Ω>1010GS R 绝缘栅型场效应管4.3.2 交流参数 一、 低频跨导m g常数=∂∂=DS GSDm U u i g 二、 极间电容GS C 、GD C 、DS C 。
其值只有几个PF 。
4.3.3 极限参数一、 漏极最大允许耗散功率DM PDS D DM U I P =耗散功率大于最大允许耗散功率时,因管温超限而损坏管子。
二、漏、源极间击穿电压BUDS三、栅、源极间击穿电压BUGS4.4 场效应管的特点一、场效应管属于单极性电压控制型晶体管。
二、场效应管几乎无栅流,其输入电阻很大。
三、场效应管的噪声小,受辐射影响小,温度稳定性好。
四、场效应管制造工艺简单,易于大规模集成。
五、场效应管的跨导较小,组成放大电路时,其电压放大倍数较小。
六、绝缘栅场效应管的绝缘层很薄,容易击穿。
故存放和焊接时应采取安全措施。
七、若绝缘栅场效应管的衬底未与源极相连,则其漏极与源极可以互换使用。
小结1.绝缘栅场效应管的栅极被绝缘层绝缘,故其输入电阻很大。
2.耗尽型绝缘栅场效应管的u可为正值,也可为负值。
这与结型GS场效应管不同。
3.在使用场效应管时不能超过其极限参数。
4.在保存和使用绝缘栅场效应管时,应采取安全措施。
作业教材P95习题四: 4 5 6 7课时授课教案一授课计划批准人:批准日期:课序:11 授课日期:授课班次:课题:第四章第4.5节场效应管放大电路目的要求:1. 掌握场效应管的微变等效电路。
2. 掌握场效应管放大电路的微变等效电路。
3. 掌握场效应管放大电路的分析方法。
重点:共源极放大电路。
难点:共漏极放大电路。
教学方法手段:结合电子课件讲解教具:电子课件、计算机、投影屏幕复习提问: 1. 三极管的微变等效电路?2. 三极管共集电极放大电路的特点?课堂讨论: 1. 场效应管放大电路的偏置方式?2. 共漏极放大电路的特点?布置作业:课时分配:二 授课内容4.5 场效应管放大电路引言场效应管放大电路有共源极放大电路和共漏极放大电路两种基本组态。
前者与三极管共发射极放大电路相对应,后者与三极管共集电极放大电路相对应。
4.5.1 偏置电路一、 自给偏压电路自给偏压电路如图4-16所示,由R G 提供偏置电压GSQ U 。
S DQ GSQ R I U -=二、 分压式偏置电路分压式偏置电路如图4-19所示,由R 2、R 1、R G 提供偏置电压。