第3章,光电导器件
(完整版)光电检测技术与应用_郭培源_课后答案
光电检测技术与应用课后答案第1章1、举例说明你说知道的检测系统的工作原理。
(1)光电检测技术在工业生产领域中的应用:在线检测:零件尺寸、产品缺陷、装配定位…(2)光电检测技术在日常生活中的应用:家用电器——数码相机、数码摄像机:自动对焦--- 红外测距传感器自动感应灯:亮度检测---光敏电阻空调、冰箱、电饭煲:温度检测---热敏电阻、热电偶遥控接收:红外检测---光敏二极管、光敏三极管可视对讲、可视电话:图像获取---面阵CCD 医疗卫生——数字体温计:接触式---热敏电阻,非接触式---红外传感器办公商务——扫描仪:文档扫描--- 线阵CCD红外传输数据:红外检测---光敏二极管、光敏三极管(3)光电检测技术在军事上的应用:夜视瞄准机系统:非冷却红外传感器技术激光测距仪:可精确的定位目标光电检测技术应用实例简介点钞机(1)激光检测—激光光源的应用用一定波长的红外激光照射第五版人民币上的荧光字,会使荧光字产生一定波长的激光,通过对此激光的检测可辨别钞票的真假。
由于仿制困难,故用于辨伪很准确。
(2)红外穿透检测—红外信号的检测红外穿透的工作原理是利用人民币的纸张比较坚固、密度较高以及用凹印技术印刷的油墨厚度较高,因而对红外信号的吸收能力较强来辨别钞票的真假。
人民币的纸质特征与假钞的纸质特征有一定的差异,用红外信号对钞票进行穿透检测时,它们对红外信号的吸收能力将会不同,利用这一原理,可以实现辨伪。
(3)荧光反应的检测—荧光信号的检测荧光检测的工作原理是针对人民币的纸质进行检测。
人民币采用专用纸张制造(含85%以上的优质棉花),假钞通常采用经漂白处理后的普通纸进行制造,经漂白处理后的纸张在紫外线(波长为365nm 的蓝光)的照射下会出现荧光反应(在紫外线的激发下衍射出波长为420-460nm 的蓝光),人民币则没有荧光反应。
所以,用紫外光源对运动钞票进行照射并同时用硅光电池检测钞票的荧光反映,可判别钞票真假。
光电器件及应用
任务1认识光敏电阻的应用电路及产品
• 五、火焰检测报警器 • 火焰检测报警器是当物质燃烧时, 在产生烟雾和放出大量气体时,
也会产生可见或不可见的光辐射。 该报警器也称为感光式火灾探测 器, 是用于响应火灾的光特性, 即感应火焰燃烧的光照强度和火焰 的闪烁频率, 如图2 -7 所示。 • 六、光敏电阻的特点 • 优点: 光敏电阻具有光谱特性好、允许的光电流大、灵敏度高、使用 • 寿命长、体积小、无极性、使用方便等优点, 所以应用广泛。 此外 , 许多光敏电阻对红外线敏感, 适宜在红外线光谱区工作。 • 缺点: 响应时间长, 频率特性差, 强光线性差, 受温度影响大。 型 号相同的光敏电阻参数参差不齐, 并且由于光照特性的非线性, 不 适宜在测量要求线性的场合工作, 常用作开关式光电信号的传感元 件。
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任务1认识光敏电阻的应用电路及产品
• (3) 在明暗环境发生变化的情况下, 对比电路结构和光敏电阻在电 路中的工作情况。
• (4) 在规定课时内完成几个应用电路的认识。
• 相关知识
• 一、光敏电阻调光电路 • 光控调光电路工作原理是当周围光线变弱时引起光敏电阻RG 的阻
值增加, 使加在电容C 上的分压上升, 进而使可控硅的导通角增大 , 达到增大照明灯两端电压的目的; 反之, 若周围的光线变亮, 则 RG 的阻值下降,导致可控硅的导通角变小, 照明灯两端的电压也 同时下降, 使灯光变暗,从而实现对灯光照度的控制, 如图2 -2 所示。
具有放大功能。 目前的光电三极管是采用硅材料制作而成的。 这是 由于硅元件较锗元件有小得多的暗电流和较小的温度系数。 硅光电 三极管是用N 型硅单晶做成N - P - N 结构的。 管芯基区面积做 得较大, 发射区面积却做得较小, 入射光线主要被基区吸收。
光电导器件
入射光
光电导材料
Ip Ubb
I
两种类型光敏电阻能带图
本征吸收
要发生本征吸收,光子能量必须大于 材料禁带宽度,即 hv≥Eg或hc/λ≥Eg本 征吸收在长波方向必存在一个界限 λo=h×c/Eg=1.24/Eg(μm) h----普朗克常数为 6.62*10-34JS c----光在真空中的传播速3*108m/s
光敏电阻响应特性曲线
光敏电阻采用交变光照时,其输出将随入 光敏电阻采用交变光照时, 射光频率的增加而减小。 射光频率的增加而减小。
几种光敏电阻的频率特性曲线 1-硒化镉 2-硫化镉 3-硫化铊 4-硫化铅 硒化镉 硫化镉 硫化铊 硫化铅
9、噪声特性 、
光敏电阻的固有噪声主要有三种:热噪 声、产生-复合噪声及 1/f 噪声。
4.7nF
150kΩ
C4
VDW
6V
820kΩ PbS
R3
1kΩ
32kΩ
光敏电阻的电极常采用梳状图案, 光敏电阻的电极常采用梳状图案,它是在一定的 电极常采用梳状图案 掩膜下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形成的。 掩膜下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形成的。
光电导材料的两侧为金属导 电材料, 电材料,并在其上设置电极
为什么采用以上结构? 为什么采用以上结构? 减小光敏电阻两极间的距离可以大大提高增益; 减小光敏电阻两极间的距离可以大大提高增益; 光敏面作成蛇形,电极作成梳状是因为这 光敏面作成蛇形,电极作成梳状是因为这 蛇形 梳状 样即可以保证有较大的受光表面, 样即可以保证有较大的受光表面,也可以减小 电极之间距离,从而可减小极间电子渡越时间, 电极之间距离,从而可减小极间电子渡越时间, 有利于提高灵敏度。 有利于提高灵敏度。
分析光电器件中的光电效应和能带结构
分析光电器件中的光电效应和能带结构光电效应和能带结构在光电器件中扮演着重要角色。
本篇论文将详细分析光电效应和能带结构的原理、应用和发展趋势。
光电效应是指物质受到光的照射后,产生电荷移动的现象。
根据光电效应的类型不同,光电器件可以分为光电导器件、光电发射器件和光电探测器件三类。
光电导器件是基于外光照射下电阻率变化的原理制作的,将光电效应用于控制电流或电压的器件。
光电导器件广泛应用于光控开关、光电开关和光电变阻器等电子设备中。
其中,基于光电效应的光控开关通过外界光照的变化来实现开关的开关。
光电变阻器则是通过物质中载流子在光照下的迁移和扩散来改变电阻率。
光电导器件的应用领域包括光通信、光电转换和光控电路等。
光电发射器件是基于光照射下电子释放的原理制作的,将光电效应用于发射电子的器件。
光电发射器件广泛应用于光电触发器、光电器件和光电倍增管等设备中。
其中,光电倍增管是一种将光信号转化为电信号,并放大电流的器件。
其工作原理为:外界光照射下,光电子被外加电场加速后击穿光阴极,产生一系列次级电子级联放大,最终被收集极收集。
光电发射器件的应用领域包括粒子物理实验、光电子显微镜和原子能计数器等。
光电探测器件是基于光照射下电荷物质关联的原理制作的,将光电效应应用于探测光信号的器件。
光电探测器件广泛应用于光通信、光电导航和空间探索等领域。
光电探测器件的类型包括光电二极管、光电晶体管和光电管等。
其中,光电二极管是一种将光信号转化为电信号的器件。
其工作原理为:外界光照射下,光子被光电二极管吸收激发产生电子和空穴,由于外加电场作用,电子和空穴被分别集中到正负极,产生电流。
光电探测器件的应用领域包括光学成像、光谱分析和光电感应等。
能带结构是指固体材料中电子能量分布的情况。
能带结构对光电器件的性能有重要影响。
固体材料中的能带结构主要包括导带、价带和禁带。
导带是指能量高的能带,其中的电子可自由运动;价带是指能量低的能带,其中的电子处于束缚状态;禁带是指导带和价带之间能量差,禁止任何电子存在。
第三章光生伏特器件2-1介绍
其中的小实箭际头上表,示不正是向不电能流加的正方向向电(压普,通只整是流正二极管中规 定的正方接向以)后,就光与电普流通的二方极向管与一之样相,反只。有图单中向的前极为光 照面,后导极电ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ性背,光而面表。现不出它的光电效应。
2、光电二极管的电流方程
在无辐射作用的情况下(暗室中),PN结硅光电二 极管的正、反向特性与普通PN结二极管的特性一样,如 图3-2所示。其电流方程为
限制PN结硅光电二极管时间响应的主要因素。
另一个因素是PN结电容Cj和管芯电阻Ri及负载电阻 RL构成的时间常数τRC,τRC为
PN结电容由势垒电R容C Cc b和j(扩Ri散电R 容L)Cd组成。(3-5)
普电势负垒 离容通电子CP容,Nj常各C结为b具是硅几有由光一个空电定间P二的f电,电荷极在量区管负。引的当载起管外的电加芯。阻反空内R向间阻L低电电R压荷于i约变区5大为0内0时有2Ω5,不时0空能Ω,间移,时电动P荷间的N区正结常 数 变宽也,在存n储s的数电量荷级量。增但加;是当,外当加负反载向电电压阻变R小L很时,大空时间,电时荷区间变常
•与光电池相比:
共同点:均为一个PN结,利用光生伏特效应, SiO2保护膜
不同点: (1)结面积比光电池的小,频率特性好
(2)常在反偏压下工作 (3)衬底材料的掺杂浓度不同,光电池高
•国产硅光电二极管按衬底材料的导电类型不同,分为 2CU和2DU两种系列。
光电二极管可分为以P型硅为衬底的2DU型与以N型 硅为衬底的2CU型两种结构形式。 图3-1(a)所示的为2DU型光电二极管的原理结构图。 图3-1(b)为光电二极管的工作原理图 图3-1(c)所示为光电二极管的电路符号
PIN型光电二极管
为了提高PN结硅光电二极管的时间响应,消除在PN 结外光生载流子的扩散运动时间,常采用在P区与N区之 间生成I型层,构成如图3-6(a)所示的PIN结构光电二 极管,PIN结构的光电二极管与PN结型的光电二极管在外 形上没有什么区别,都如图3-6(b)所示。
光电探测技术与应用 课后习题与答案
/,(1t )e n N e ητλ∇=--代入(1-83),并对其求导即可得半导体材料在弱辐射下的光电导灵敏度为/2,(1t )g e dgq S d hcl e λτμλ-==-∅,由此可知时间t 响应越长,灵敏度越高。
解:在微弱信号的辐射下, 将式(1-80)2 对于同一种型号的光敏电阻来讲,在不同光照度和不同环境温度下,其光电导灵敏度与时间常数是否相同?为什么?如果照度相同而温度不同时情况又会如何?1 试说明为什么本征光电导器件在越微弱的辐射作用下,时间响应越长,灵敏度越高。
间常数不相同。
在照度相同而温度不同时,其光电导灵敏度不相同和时间常数也不相同。
其材料性质已经一样,只是决定了的值一定,光照度和环境温度不同,则产生的光生电子浓度和热生电子浓度各异,决定了值不同,照度相同决定光生电子浓度相同,温度不同决定热生电子浓度不同,同样也决定了值不同。
由(1-85)和(1-88)推出光电灵敏度不相解:同一型号的光敏电阻,在不同光照度下和不同的环境温度下,其光电导灵敏度和时同,由(2-5)和(2-11)推出其时间常数不相同。
3 设某只CdS 光敏电阻的最大功耗为30mW ,光电导灵敏度S g =0.5⨯10-6S /lx ,暗电导g 0=0。
试求当CdS 光敏电阻上的偏置电压为20V 时的极限照度。
最大照度2(2P ()g gI PE US U S ==2=22500 lx最小照度2P gI PE US U S ===150 lxI p g US E r 得解:由式(2-1)应如何调整电阻器R ?4 在如图所示的照明灯控制电路中,将上题所给的CdS 光敏电阻用作光电传感器,若已知继电器绕组的电阻为5K Ω,继电器的吸合电流为2mA ,电阻R =1K Ω。
求为使继电器吸合所需要的照度。
要使继电器在3lx 时吸合,问第三章 光电导器件光电探测技术与应用 主编:郝晓剑 李仰军 国防工业出版社*1000=208 V 由2()PgIE US == 369.8 lxU C r I p g US E 得,在光照度在3lx 时,入射辐射很弱,r=1,由Pg S E==220—0.002*(5+R )*1000,推出R=820Ω,故应将R 值调到820Ω。
光电检测作业题
光电检测考试题第一章光电检测应用中的基础知识1、分别解释光电导效应、光生伏特效应、光电发射效应。
答:(1)光电导效应:当半导体材料受到光照时,由于吸收光子使其中的载流子浓度增大,导致材料的电导率增大。
(2)光生伏特效应:在PN结光伏器件中,当光投向P区时,在近表面层内激发出电子-空穴对,其中电子将扩散到PN 结区并被结电场拉到N区,同时空穴将进入P区,若P层的厚度小于电子的扩散长度,光子也可能穿透P区到达N区,激发出电子-空穴对,这些光生载流子被结电场分离后,空穴流入P区,电子流入N区,在结区两边参生势垒。
(3)光电发射效应:也称外光电效应,就是在光的作用下,物体内部的电子逸出物体表面向外表发射的现象。
2、光电探测器特性参数有哪些。
答:①响应率②光谱响应率③等效噪声率④探测率与比探测率⑤时间常数⑥线性⑦量子效率3、光电探测系统的噪声有哪几类。
答:可分三类:(1)光子噪声:①信号辐射产生的噪声②背景辐射产生的噪声;(2)探测器噪声:①热噪声②散粒噪声③产生-复合噪声④1/f噪声⑤温度噪声;(3)信号放大及处理电路噪声;4、光辐射探测器的几种噪声,并分别解释。
答:①热噪声:载流子热运动引起的电流起伏或电压起伏;②散粒噪声:随机起伏所形成的噪声;③产生-复合噪声:在外加电压下,电导率的起伏使输出电流中出现产生-复合噪声;④1/f噪声:噪声的功率谱近似与频率成反比;⑤温度噪声:由于器件本身温度变化引起的噪声。
5、如何合理选择光电探测器。
答:①根据待测光信号的大小,确定探测器的动态范围;②探测器和光源的光谱匹配;③须知道探测器的等效噪声功率,所产生电信号的信噪比;④测量调制或脉冲光信号时,要考虑探测器的响应时间或频率响应范围;⑤当测量的光信号幅值变化时,探测输出信号线性程度。
除此之外,还需考虑其稳定性、测量精度、测量方式等因素。
6、光电效应分为哪几种,分别解释。
答:光电效应分为内光电效应和外光电效应,内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。
光电器件工作原理
光电器件工作原理光电器件是一类能够将光能转化为电能或将电能转化为光能的器件。
光电器件的工作原理主要涉及光的吸收、光电转换和电流产生等过程。
一、光的吸收光电器件中的光吸收通常通过半导体材料实现。
半导体材料具有带隙能级,当光束照射到半导体材料上时,其中的光子能量可以被半导体吸收。
在光照射下,光子能量被半导体吸收后,电子会从价带跃迁到导带,形成电子空穴对。
光的吸收程度与光子能量与半导体带隙能级之间的关系有关。
二、光电转换光电转换是指将光能转化为电能的过程。
在光电器件中,光的吸收会导致电子在半导体中的能级发生变化,从而产生电流。
根据光电转换的机制不同,光电器件可以分为光电导型器件和光电势型器件。
1. 光电导型器件光电导型器件是通过光照射下的光电导效应来实现光电转换的。
当光照射到光电导型器件上时,光子能量被半导体吸收后,会激发产生电子空穴对。
在电场的作用下,电子和空穴会分别向着相应的电极运动,形成电流。
光电导型器件常见的应用包括光电二极管、光电晶体管等。
2. 光电势型器件光电势型器件是通过光照射下的内光电效应来实现光电转换的。
内光电效应是指当光照射到半导体材料中时,由于光子能量的吸收,半导体材料内部会形成电势差。
通过将半导体材料的两侧连接外电路,就可以利用这个电势差产生电流。
光电势型器件常见的应用包括太阳能电池、光敏电阻等。
三、电流产生在光电器件中,光的吸收和光电转换最终会导致电流的产生。
电流的大小取决于光的强度和光电器件的特性。
光电器件中的电流可以通过外电路连接到其他电子器件中,从而实现光电器件的应用。
根据不同的光电器件类型和具体的应用需求,光电器件的工作原理会有所差异。
但总体而言,光的吸收、光电转换和电流产生是光电器件工作的基本过程。
通过合理设计光电器件的材料、结构和电路,可以实现高效、稳定和可靠的光电转换效果,从而满足各种光电应用的需求。
总结光电器件的工作原理主要涉及光的吸收、光电转换和电流产生等过程。
光电导器件(光敏电阻)
目 录
• 引言 • 光敏电阻的工作原理 • 光敏电阻的种类与特性 • 光敏电阻的应用实例 • 光敏电阻的发展趋势与未来展望 • 结论
01 引言
主题简介
01
光电导器件(光敏电阻)是一种 光电转换器件,其工作原理是利 用光电导效应将光信号转换为电 信号。
02
光电导器件具有灵敏度高、响应 速度快、线性范围宽等优点,广 泛应用于光信号检测、光通信、 自动控制等领域。
光电倍增管
总结词
光电倍增管是一种高灵敏度的光电器件,它通过倍增光电效应产生的微弱电流来提高检测灵敏度。
详细描述
光电倍增管由多个倍增极组成,每个倍增极都具有较高的增益。当光照在光电倍增管的阴极上时,光 生电子被释放并被电场加速到下一个倍增极,在那里再次发生光电效应并释放更多的电子。通过多个 倍增极的连续放大,微弱的光电流被显著放大,从而实现高灵敏度的光电检测。
05 光敏电阻的发展趋势与未 来展望
提高光电转换效率
01
02
03
新型结构设计
通过优化光敏电阻的结构 设计,提高对光的吸收和 利用效率,从而提高光电 转换效率。
材料改性
通过材料改性技术,改善 光敏电阻的光吸收和光电 转换性能,如掺杂、合金 化等手段。
表面处理
对光敏电阻表面进行特殊 处理,提高表面光吸收和 光电转换效率,如涂覆增 透膜、表面微纳结构等。
光电灵敏度
响应时间
表示光敏电阻阻值变化量与光照强度变化 量的比值,反映了光敏电阻对光的敏感程 度。
光敏电阻从无光照状态到有光照状态,或 从有光照状态到无光照状态所需的时间, 反映了光敏电阻的反应速度。
03 光敏电阻的种类与特性
光电二极管
光电导器件
• 当光照稳定时,光生载流子的浓度为
n0 p0 g g载流子产生率 寿命 s 1 g hv V V 材料体积 量子效率
• 无光照时,光敏电阻的暗电流为
( U 0 A qUA n0 n p0 p) Id L L
• 光照时,光敏电阻的光电流为
( U A qUA n n p p) Ip L L
光谱特性多用相对灵敏度与波长的关系曲线表示。从这 种曲线中可以直接看出灵敏范围、峰值波长位置和各波 长下灵敏度的相对关系。
1-硫化镉单晶
2-硫化镉多晶 3-硒化镉多晶 4-硫化镉与硒 化镉混合多晶
在可见光区灵敏的几种光敏电阻的光谱特性曲线
硫化镉单晶、硫化镉与硒化镉混合多晶,硫化镉多晶 、硒化镉多晶等几种光敏电阻的光谱特性曲线覆盖了 整个可见光区,峰值波长在515~600nm之间。这 与人眼的光谱光视效率V(λ)曲线的范围和峰值波长 (555nm)是很接近的,因此可用于与人眼有关的 仪器,例如照相机、照度计、光度计等。不过它们的 形状与V(λ)曲线还不完全一致。如直接使用,与人 的视觉还有一定的差距,所以必须加滤光片进行修正 ,使其特性曲线与V(λ)曲线完全符合,这样即可得 到与人眼视觉相同的效果。
Ip=SgEU
6. 温度特性
光敏电阻的温度特性很复杂,在一定的照度下, 亮电阻的温度系数α有正有负,
(R 2 -R1 ) = (T2 -T1 ) R1
R1、R2分别为与温度T1、T2相对应的亮电阻。
硫化镉光敏电阻的温度特性曲线 a) 硫化镉单晶 b) 硫化镉多晶
温度对光谱响应也有影响。一般说,光谱特 性主要决定于材料,材料的禁带宽度越窄则 对长波越敏感,但禁带很窄时,半导体中热 激发也会使自由载流子浓度增加,使复合运 动加快,灵敏度降低。因此,采取冷却灵敏 面的办法来提高灵敏度往往是很有效的。
光电技术第二版习题答案
光电技术第二版习题答案光电技术第二版习题答案光电技术是一门研究光与电的相互转换关系的学科,广泛应用于光电子器件、光学通信、光电显示等领域。
对于学习光电技术的学生来说,做习题是提高理论掌握和解决实际问题的重要方式之一。
本文将为大家提供光电技术第二版习题的详细答案,希望能够帮助大家更好地理解和应用光电技术。
第一章:光电效应1. 什么是光电效应?光电效应是指当光照射到金属表面时,金属中的自由电子被光子激发而跃迁到导带中,从而产生电流的现象。
2. 光电效应与光的频率有什么关系?光电效应与光的频率有直接关系。
当光的频率小于临界频率时,无论光的强度如何增大,都无法引起光电效应;当光的频率大于临界频率时,光电效应可以发生。
3. 什么是逸出功?逸出功是指金属表面的电子从金属内部跃迁到导带所需的最小能量。
逸出功的大小决定了光电效应的临界频率。
4. 什么是光电流?光电流是指光照射到金属表面后,由于光电效应而产生的电流。
5. 什么是光电倍增管?光电倍增管是一种利用光电效应放大光信号的器件。
它由光阴极、倍增结构和阳极组成,光照射到光阴极上产生光电子,经过倍增结构的倍增作用后,最终产生大量的电子被收集到阳极上,从而放大光信号。
第二章:光电子器件1. 什么是光电二极管?光电二极管是一种能够将光信号转换为电信号的器件。
它由光敏材料和P-N结构组成,当光照射到光敏材料上时,产生光电效应,从而在P-N结构上形成电流。
2. 什么是光电导?光电导是一种能够将光信号转换为电信号并放大的器件。
它由光敏电阻、放大电路和输出电路组成,当光照射到光敏电阻上时,光电阻的电阻值发生变化,从而在放大电路中产生电流信号。
3. 什么是光电晶体管?光电晶体管是一种能够将光信号转换为电信号并放大的器件。
它由光敏基区、放大区和输出区组成,当光照射到光敏基区上时,产生光电效应,从而在放大区中形成电流信号,并通过输出区输出。
4. 什么是光电耦合器件?光电耦合器件是一种能够将光信号转换为电信号并隔离输入输出的器件。
光电导效应的光电器件
光电导效应的光电器件
光电导效应是指当光照射到半导体材料时,会产生电子-空穴对,从而使半导体的电导率增加的现象。
利用光电导效应可以制作多种光电器件,例如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等。
光敏电阻是一种基于光电导效应的电阻器件,其电阻值随着光强的增加而减小。
光敏电阻通常由半导体材料制成,例如硅、锗、砷化镓等。
当光照射到光敏电阻上时,会产生电子-空穴对,从而使半导体的电导率增加,电阻值减小。
光敏电阻的优点是响应速度快、灵敏度高、成本低,广泛应用于光控开关、光探测器、光敏传感器等领域。
光敏二极管和光敏三极管是一种基于光电导效应的二极管和三极管器件,其工作原理与光敏电阻类似,但具有更高的灵敏度和更快的响应速度。
光敏二极管和光敏三极管通常由硅、锗等半导体材料制成,当光照射到光敏二极管或光敏三极管上时,会产生电子-空穴对,从而使半导体的电导率增加,产生电流信号。
光敏二极管和光敏三极管的优点是灵敏度高、响应速度快、噪声低,广泛应用于光通信、光探测器、光敏传感器等领域。
除了上述光电器件外,利用光电导效应还可以制作其他光电器件,例如光敏电池、光敏集成电路等。
这些光电器件在光学通信、光学检测、光学控制等领域具有广泛的应用前景。
光电技术 (王庆有 著) 电子工业出版社 课后答案
光电技术第一章参考答案1辐射度量与光度量的根本区别是什么?为什么量子流速率的计算公式中不能出现光度量?答:为了定量分析光与物质相互作用所产生的光电效应,分析光电敏感器件的光电特性,以及用光电敏感器件进行光谱、光度的定量计算,常需要对光辐射给出相应的计量参数和量纲。
辐射度量与光度量是光辐射的两种不同的度量方法。
根本区别在于:前者是物理(或客观)的计量方法,称为辐射度量学计量方法或辐射度参数,它适用于整个电磁辐射谱区,对辐射量进行物理的计量;后者是生理(或主观)的计量方法,是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算,称为光度参数。
因为光度参数只适用于0.38~0.78um 的可见光谱区域,是对光强度的主观评价,超过这个谱区,光度参数没有任何意义。
而量子流是在整个电磁辐射,所以量子流速率的计算公式中不能出现光度量。
光源在给定波长λ处,将λ~λ+d λ范围内发射的辐射通量d Φe ,除以该波长λ的光子能量h ν,就得到光源在λ处每秒发射的光子数,称为光谱量子流速率。
2 试写出 e φ、e M 、e I 、e L 等辐射度量参数之间的关系式,说明它们与辐射源的关系。
答:辐(射)能:以辐射形式发射、传播或接收的能量称为辐(射)能,用符号表示,其计量单位为焦耳(J )。
e Q e Q 辐(射)通量e φ:在单位时间内,以辐射形式发射、传播或接收的辐(射)能称为辐(射)通量,以符号e φ表示,其计量单位是瓦(W ),即e φ =dt dQ e 。
辐(射)出(射)度:对面积为A 的有限面光源,表面某点处的面元向半球面空间内发射的辐通量d e M e φ与之,该面元面积d 比,定义为辐(射)出(射)度e M 即M A e =dAd eφ。
其计量单位是瓦每平方米[W/m 2]。
辐(射)强度:对点光源在给定方向的立体角元e I Ωd 内发射的辐射通量e d φ,与该方向立体角元Ωd 之比,定义为点光源在该方向的辐(射)强度,即e I e I =Ωd de φ,辐射强度的计量单位是瓦特每球面度(W/sr )。
光电导的工作原理
光电导的工作原理光电导是一种光电转换器件,能够将光能转化为电能。
它在光学通信、光电测量、光电能量转换等领域具有广泛的应用。
本文将从物理原理、结构组成和工作过程三个方面介绍光电导的工作原理。
一、物理原理光电导的工作原理基于光电效应。
光电效应是指当光照射到某些物质表面时,光子可以激发材料中的电子从价带跃迁到导带,产生自由载流子(电子或空穴)。
这些自由载流子的移动形成了电流,实现了光能到电能的转换。
二、结构组成光电导的主要结构包括光电转换层、衬底和电极。
光电转换层是光电效应的关键部分,通常采用具有良好光电特性的材料,如硅(Si)、锗(Ge)、硒化镉(CdS)等。
衬底则为光电转换层提供支撑,并具备一定的导电性能。
电极用于连接外部电路,将产生的电流导出。
三、工作过程当光照射到光电转换层上时,光子的能量被转移给该层中的电子,使电子跃迁到导带中成为自由载流子。
这些自由载流子在光电转换层中随机运动,并且受到衬底和电极的影响,形成电流。
光电导通过将电流导出,实现了光能到电能的转换。
值得注意的是,光电导的工作效率与光照强度成正比。
当光照强度增大时,光电导产生的电流也随之增加。
此外,光电导的工作效率还与光电转换层的材料特性和结构设计有关。
不同的材料和结构可以对不同波长范围的光进行选择性吸收和转换,以实现更高的能量转化效率。
总结:光电导是利用光电效应将光能转化为电能的器件。
它的工作原理基于光电效应,光照射到光电转换层上时,光子激发材料中的电子从价带跃迁到导带,形成自由载流子,从而产生电流。
光电导的结构主要包括光电转换层、衬底和电极,其中光电转换层是关键部分,衬底和电极用于提供支撑和连接外部电路。
光电导的工作效率与光照强度、材料特性和结构设计有关。
在实际应用中,可以根据需求选择不同的材料和结构,以提高光电转换的效率和性能。
(字数:394)。
光电效应和光电器件
真空光电管旳伏安特征
充气光电管旳伏安特征
充气光电管: 构造和真空光电管基本相同,优点是敏捷度高. 所不同旳仅仅是在玻璃泡内充以少许旳惰性气体 其敏捷度随电压变化旳稳定性、频率特征等都比真空光电管差
4.1 光电效应和光电器件
4.1.1 光电管 4.1.2 光敏电阻 4.1.3 光敏二极管和光敏晶体管 4.1.4 光电池 4.1.5 光电式传感器旳应用
4.1 光电效应和光电器件
4.1.1 光电管 4.1.2 光敏电阻 4.1.3 光敏二极管和光敏晶体管 4.14 光电池 4.1.5 光电式传感器旳应用
4.1.6 光电式传感器旳应用
模拟式传感器 脉冲式传感器
1. 模拟式光电传感器
基于光电器件旳光电流随光通量而发生变化,是光通 量旳函数 。 对于光通量旳任意一种选定值,相应旳光电流就有一 种拟定旳值,而光通量又随被测非电量旳变化而变化, 这么光电流就成为被测非电量旳函数。(光电比色高 温计)
硫化镉光敏电阻旳温度特征
温度对光谱特征影响
伴随温度升高,光谱响应峰值向短波方向移动。所以, 采用降温措施,能够提升光敏电阻对长波光旳响应。
硫化铅光敏电阻旳光谱温度特征
4.1 光电效应和光电器件
4.1.1 光电管 4.1.2 光敏电阻 4.1.3 光敏二极管和光敏晶体管 4.1.4 光电池 4.1.5 光电式传感器旳应用
4.1.4 光敏二极管和光敏晶体管
1. 工作原理 2. 基本特征
1. 工作原理
构造与一般二极管相同,装在透明玻璃外壳中 在电路中一般是处于反向工作状态旳
光敏二极管
光敏晶体管
与一般晶体管很相同,具有两个pn结。把光信 号转换为电信号同步,又将信号电流加以放大。
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在初始状态,开关K处于如图所示的位置,电压比较器的正输 入端的电位为R1与RW1分电源电压Ubb所得的阈值电压Vth(一般为 1~1.5V),而电压比较器的负输入端的电位VR近似为电源电位Ubb,
显然电压比较器负输入端的电位高于正输入端的电位,比较器输出
为低电平,三极管截止,电磁铁不吸合,开门叶片闭合。 当按动快门的按钮时,开关K与光敏电阻R及RW2构成的测光与 充电电路接通,这时,电容C两端的电压UC为0,由于电压比较器的 负输入端的电位低于正输入端而使其输出为高电平,使三极管T导 通,电磁铁将带动快门的叶片打开快门,照相机开始曝光。快门打
3、温度特性: 温度的变化,引起温度噪声,导致其灵敏度、光照特性、响 应率等都发生变化。为了提高灵敏度,必须采用冷却装置,尤 其是杂质型半导体受温度影响更明显。
I
200 150 100
50
0 20 40 60 80 100
T
4、时间响应: 时间特性与光照度、工作温度有明显的依赖关系。
时间响应及其与照度的关系
开的同时,电源Ubb通过电位器RW2与光敏电阻R向电容C充电,且充
电的速度取决于景物的照度,景物照度愈高光敏电阻R的阻值愈低, 充电速度愈快。VR的变化规律可由电容C的充电规律得到
VR=Ubb[1-exp(-t/τ )]
式中τ 为电路的时间常数
τ =(RW2+R)C
光敏电阻的阻值R与入射的光照度EV有关
由基本特性得到的光敏电阻主要参数
1)亮电阻(kΩ):指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。 2)暗电阻(MΩ):指光敏电阻器在无光照射(黑暗环境)时的 电阻值。 3)最高工作电压(V):指光敏电阻器在额定功率下所允许承受 的最高电压 4)亮电流:指光敏电阻器在规定的外加电压下受到光照射时所 通过的电流。 5)暗电流(mA):指在无光照射时,光敏电阻器在规定的外加 电压下通过的电流。 6)时间常数(s):指光敏电阻器从光照跃变开始到稳定亮电 流的63%时所需的时间。 7)电阻温度系数:指光敏电阻器在环境温度改变1℃时,其电 阻值的相对变化。 8)灵敏度:指光敏电阻器在有光照射和无光照射时电阻值的相 对变化。
2
Rp
dU o
U W U be Re
(3-28)
图3-13 恒压偏置电路
或
uo UW Re R S gev
2
(3-29)
显然,恒流偏置电路的电压灵敏度SV为
Sv UW Re R Sg
2
(3-30)
Байду номын сангаас
3.3
恒压电路
利用晶体三极管很容易构成光敏电阻的恒压偏置 电路。如图3-14所示为典型的光敏电阻恒压偏置电路。
Ie U W U be Re
Re
Rp
(3-25)
图3-13 恒压偏置电路
在晶体管恒流偏置电路中输出电压Uo为 U o U bb I c R (3-26) 求微分得 (3-27) dU o I cdR 将
d R SgR d E v
2
Re
代入(3-27)得
R S gdE v
R 1 g E
Sg
当电容C两端的电压UC充电到一定的电位(VR≥Vth)时, 电压比较器的输出电压将由高变低,三极管T截止而使电 磁铁断电,快门叶片又重新关闭。 快门的开启时间t可由下式推出
t =(RW2+R)C · Ubb/ Vth ln
1、光电特性:
I p US
E g
强光下,光照增强的同时,载 流子浓度不断的增加,同时光 敏电阻的温度也在升高,从而 导致载流子运动加剧,因此复 合几率也增大,光电流呈饱和 趋势。(冷却可以改善)
2、伏安特性: 在一定的光照下,光电流 I光与所加电压U的关系
I (mA)
10
1000 Lx 100 Lx
3.2
恒流电路
在简单偏置电路中,当RL» R时,流过光敏电阻的电 流基本不变,此时的偏置电路称为恒流电路。然而,光 敏电阻自身的阻值已经很高,再满足恒流偏置的条件就 难以满足电路输出阻抗的要求,为此,可引入如图3-13 所示的晶体管恒流偏置电路。 稳压管DW将晶体三极管的 基极电压稳定,即UB=UW,流 过晶体三极管发射极的电流Ie 为
半波整流滤波电路
测光与控制的电路 执行电路 设使照明灯点亮的光 照度为EV
继电器绕组的直流电阻为RJ,使继电器吸合的最小电流为 Imin,光敏电阻的光电导灵敏度为Sg,暗电导go=0,则
U Ev I min R R J Sg
显然,这种最简单的光电控制电路还有很多缺点,还需 要改进。在实际应用中常常要附加其他电路,如楼道照 明灯常配加声控开关或微波等接近开关使灯在有人活动 时照明灯才被点亮;而路灯光电控制器则要增加防止闪 电光辐射或人为的光源(如手电灯光等)对控制电路的 干扰措施。
(3-22)
将式(3-22)代入式(3-21)得
iL R R RL i
(3-23)
偏置电阻RL两端的输出电压为
RR L R RL U bb R R L S g (R R L )
2 2
u L R L iL
i
ev
(3-24)
从式(3-24)可以看出,当电路参数确定后,输出电 压信号与弱辐射入射辐射量(照度ev)成线性关系。
U bb R S g (R R L )
2
2
d EV
(3-20)
设iL=dIL,ev=dEv,则
iL U bb R S g (R R L )
2 2
ev
(3-21)
加在光敏电阻上的电压为R与RL对电压Ubb的分压, 即UR=R/(R+RL) Ubb,因此,光电流的微变量为
i U R S g ev U bb R R RL S g ev
2
火焰探测报警器
图3-18所示为采用光敏电阻为探测元件的火焰探测报警器 电路图。PbS光敏电阻的暗电阻的阻值为1MΩ ,亮电阻的 阻值为0.2MΩ (幅照度1mw/cm2下测试),峰值响应波长为 2.2μ m,恰为火焰的峰值辐射光谱。
3 照相机电子快门
图3-19所示为利用光敏电阻构成的照相机自动曝光控 制电路,也称为照相机电子快门。 电子快门常用于电子程 序快门的照相机中,其中测 光器件常采用与人眼光谱响 应接近的硫化镉(CdS)光敏 电阻。照相机曝光控制电路 是由光敏电阻R、开关K和 电容C构成的充电电路,时 间检出电路(电压比较器), 三极管T构成的驱动放大电 路,电磁铁M带动的开门叶 片(执行单元)等组成。
光敏电阻的配置电路
3.1 基本偏置电路
设在某照度Ev下,光敏电阻的阻值为R,电导为g,流 过偏置电阻RL的电流为IL
IL U bb R RL
用微变量表示
dI L U bb (R R L )
2
dR
2 而,dR=d(1/g)=(-1/g2 )dg
dg=S g dEv
因此
dI L
第三章 光电导器件
1,基本原理:
如果把光敏电阻连接到外电路中,在外加电压的
作用下,用光照射就能改变电路中电流的大小:
光敏电阻阻值对光照特别敏感,是一种典型的利用光 电导效应制成的光电探测器件。 对于本征型,可用来检测可见光和近红外辐射 对于非本征型可以检测波长很长的辐射
2,基本结构:
组成:它由一块涂在绝缘基底 上的光电导材料薄膜和两端接有 两个引线,封装在带有窗口的金 属或塑料外壳内。电极和光电导 体之间呈欧姆接触。
5
10 Lx
E 0 0
50 100
V (V )
一定的光照下,I光与电压U的关系; 相同的电压下,I光与光照E的关系
(1) 光敏电阻为纯电阻,符合欧姆定律,对多数半导体,当 电场强度超过104伏特/厘米 (强光时),不遵守欧姆 定律。 硫化镉例外,其伏安特性在100多伏就不成线性了。 (2)光照使光敏电阻发热,使得在额定功耗内工作,其最 高使用电压由其耗散功率所决定,而功耗功率又和其面积 大小、散热情况有关。 (3)伏安特性曲线和负载线的交点即为光敏电阻的工作点。
光敏电阻在恒压偏置电路 的情况下输出的电流IP与处于放 大状态的三极管发射极电流Ie近 似相等。因此,恒压偏置电路 的输出电压为
U o E c I c Rc
取微分,则得到输出电压的变 化量为
光敏电阻的应用实例
1 照明灯的光电控制电路
如图3-17所示为一种最简单的由光敏电阻作光电敏 感器件的照明灯光电自动控制电路。 它由3部分构成
5、噪声特性: 热噪声、产生复合噪声 、1/f 噪声与调制频率的关系
IN
1 f 躁声
2
产生 复合躁声
热躁声
lg f
0
(1) 红外:减小温漂,使信号放大,可调制较高的f
(2)制冷可降低热噪声
(3)恰当的偏置电路,可使信噪比最大
6、光谱特性:相对灵敏度与波长的关系
可见光区光敏电阻的光谱特性:
光谱特性曲线覆盖了整个可见光区,峰值波长在 515~600nm之间。尤其硫化镉的峰值波长与人眼(380~ 780nm )的很敏感的峰值波长(555nm)是很接近的,因此 可用于与人眼有关的仪器,例如照相机、照度计、光度计 等。