普通晶闸管 可控硅 整流管混合模块 MFA300A1600V
二极管、晶闸管等型号命名
详细参数请查询我公司网站： 品牌：TH型号：ZP5A/400V•材料：硅引用常用整流二极管型号大全极管型号:4148安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插二极管型号:IN4007/IN4001安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频二极管型号:70HF80安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频二极管型号:MRA4003T3G安装方式:贴片二极管型号:1SS355安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型IN4001 50 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4002 100 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4003 300 110 30 5.0 1.0 DO--41IN4004 400 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4005 600 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4006 800 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4007 1000 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN5391 50 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5392 100 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5393 200 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5394 300 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5395 400 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5396 500 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5397 600 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5398 800 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5399 1000 1.5 50 5.0 1.5 DO--15RL151 50 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL152 100 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL153 200 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL154 400 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL155 600 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL156 800 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL157 1000 1.5 60 5.0 1.5 DO--15普通整流二极管参数(二)型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型RL201 50 2 70 5 1 DO--15RL202 100 2 70 5 1 DO--15 RL203 200 2 70 5 1 DO--15 RL204 400 2 70 5 1 DO--15 RL205 600 2 70 5 1 DO--15 RL206 800 2 70 5 1 DO--15 RL207 1000 2 70 5 1 DO--15 2a01 50 2 70 5 1.1 DO--15 2a02 100 2 70 5 1.1 DO--15 2a03 200 2 70 5 1.1 DO--15 2a04 400 2 70 5 1.1 DO--15 2a05 600 2 70 5 1.1 DO--15 2a06 800 2 70 5 1.1 DO--15 2a07 1000 2 70 5 1.1 DO--15 RY251 200 3 150 5 3 DO--27 RY252 400 3 150 5 3 DO--27 RY253 600 3 150 5 3 DO--27 RY254 800 3 150 5 3 DO--27 RY255 1300 3 150 5 3 DO--27 普通整流二极管参数(三)IN5401 50 3 200 5 1 DO--27 IN5402 100 3 200 5 1 DO--27 IN5403 150 3 200 5 1 DO--27 IN5404 200 3 200 5 1 DO--27 IN5405 400 3 200 5 1 DO--27 IN5406 600 3 200 5 1 DO--27 IN5407 800 3 200 5 1 DO--27 IN5408 1000 3 200 5 1 DO--27 6a05 50 6 400 10 0.95 R--6 6a1 100 6 400 10 0.95 R--6 6a2 200 6 400 10 0.95 R--66a4 400 6 400 10 0.95 R--6 6a6 600 6 400 10 0.95 R--6 6a8 800 6 400 10 0.95 R--6 6a10 1000 6 400 10 0.95 R--6 P600a 50 6 400 10 0.95 R--6 P600B 100 6 400 10 0.95 R--6 P600D 200 6 400 10 0.95 R--6 P600G 400 6 400 10 0.95 R--6 P600J 600 6 400 10 0.95 R--6 P600K 800 6 400 10 0.95 R--6 P600M 1000 6 400 10 0.95 R--6ZP型普通整流管（平板型）适用范围：适用于机车电传，电解，充电，电机励磁，电机调速领域的变流装置。
电力电子课程设计报告陈晋杰赵栗杰
电力电子课程设计报告------陈晋杰----赵栗杰电力电子课程设计报告设计题目：静电除尘器高频高压电源的设计学生姓名：陈晋杰专业：电气工程及其自动化班级：12电气一班指导教师：凌禹设计时间：目录一、设计题目 (2)二、报告正文 (3)摘要 (3)2.1 高频开关电源供电简介 (3)2.2 高频高压电源主要电路拓补的选择 (4)2.3 整流电路的设计 (7)2.4 波形分析 (10)三、设计总结 (11)四、参考文献................一、设计题目单相、三相可控桥式整流的工程应用————静电除尘高频高压电源的设计随着工业的发展，生产规模的日益扩大，环境污染如水污染、空气污染、废物污染、化学污染、噪音污染、热污染等有日趋严重之势。
粉尘是造成空气污染的主要污染物之一。
支撑我国工业基础的煤炭加工、采矿、电力、冶金、炼油、化工、造纸等工业都是粉尘的排放源。
工业粉尘的大量排放，不仅会危及人体健康和自然环境，在某些情况下还会造成大量贵重材料的流失。
在诸多除尘设备中，静电除尘器不仅具有除尘效率高，处理烟气量大，阻力损失小，能耗小及运行费用低等优点，还可以用来回收有用材料和能源。
因此静电除尘器在工业应用上的研究得到了越来越多的重视。
静电除尘器是当今世界公认的高效除尘设备，对于环境的保护具有及其重要的意义。
高压直流电源作为静电除尘器的核心部件，对于除尘的效率和效果有着决定性的影响。
人们在其基础上做了许多改进，比如研制输入为三相相控整流以提高功率因数；在工频整流供电基础上研制调幅式LC恒流供电电源、间歇电源和脉冲电源以提高除尘器对某些粉尘或除尘环境的除尘能力。
但基于晶闸管调压的低频工作方式的除尘电源，由于其低频工作的本质具有的许多缺点，已成为限制进一步提高除尘器除尘效果的瓶颈。
静电除尘电源高频化的发展也已成为国内外除尘行业的共识，这一方面国外走在了前列。
国内已有中小功率高频静电除尘电源的产品，但目前国内绝大多数主流静电除尘设备所配套的电源功率需要在60—100kW。
可控硅整流管MFC300A1600V
125
0.2 V
Rth(j-c) 热阻抗（结至壳） 180°正弦半波，单面散热
0.10 0
℃/W
Rth(c-h) 热阻抗（结至散） 180°正弦半波，单面散热
0.04 ℃/W
Viso 绝缘电压
50HZ ， R.M.S ， t=1min 2500
Iiso:1Ma(max)
V
安装扭矩（M5）
Fm
安装扭矩（M6）
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT
参数
通态平均电流
方均根电流
断态重复峰值电压 反向重复峰值电压
断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电 流 浪涌电流平均时间 积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升 率
通态电流临界上升 率
门极触发电流 门极触发电压
2S V mΩ V V/μs
A/μs
mA V
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅整流管混合模块 thyristor and rectifier module
MFC300
IH
维持电流
20
100 mA
VGD 门极不触发电压
VDM=67%VDRM
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面 散热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波
VR=0.6 VRRM
ITM=900A VDM=67%VDRM ITM=900A 门极触发电流幅 值 IGM=1.5A，门极电流上 升时间 tr≤0.5μs
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
变频器零部件图片
spare part,power devices,rectifier,scr 零部件、电力设备、可控硅整流器, inrush scr/diode module 1600v 180a 策略合作关系scr /二极管模块1600v淹没180aFC-202P45KT4E20 C\N:spare part, power devices, igbt,dual 零部件、电力设备、igbt模块,双dual igbt module 1200v 150a 双igbt模块1200v 150a零部件、选择、过滤、射频干扰滤波器spare part,options,filter,rfi filterrfi(b类)的单位h1rfi unit h1(class b)什么是射频滤波器：随着电子设备工作频率的讯速提高，电磁干扰的频率也越来越高，干扰频率通常会达到数百MHz，甚至CHz以上。
由于电压或电流的频率越高，越容易产生辐射，正是这些频率很高的干扰信号导致了辐射干扰的问题日益严重。
因此，对用于解决辐射干扰的滤波器是一个基本要求就是要能对这些高频干扰信号有较大的衰减，这种滤波器就是射频干扰滤波器。
普通干扰滤波器的有效滤波频率范围为数KHz到MHz，而射频干扰滤波器的有效滤波频率从数KHz到GHz以上。
零部件、选择、过滤、射频干扰滤波器spare part,options,filter,rfi filter rfi单位h3(班a1)。
rfi unit h3(class a1)spare part,electro mechanics,sensors,thermal sensor 零件电气机械、传感器、温度传感器ntc sens. w. plug/ntc 10k 410mm wire sens. w·塞/ ntc型ntc就读410mm电线spare part,electro mechancis,inductor,DC link mechancis电气备品备件,电感器、直流环节sparepart/dc-coil ho37/no45kw c3 sparepart / dc-coil ho37 / no45kw c3零部件、电路板、变频器卡是触发板sparepart /电流transducercard c1 500v)电源板零部件、电路板、动力板sparepart / pc3fc-xxx37kh / 45knt4spare part,circuit board,power boards sparepart/pc3fc-xxx37kh/45knt4110kw上的备品备件零部件、电容器、缓冲器的电容器业余、帽子、igbt缓冲器,1.5uf 1000v, spare part,capacitor,snubber capacitor spare,cap,igbt snubber,1000v,1.5uf零部件、电路板、电流放大主,i-scaling,4.54欧姆spare part,circuit board,current scaling spare,i-scaling pca,4.54 ohm电源板下面的spare part,circuit board,gatedrive card spare gate drive pca,cc,d frame,fc302零部件、电路板、gatedrive卡业余的栅极驱动主成分分析法(pca),西西,d框架,fc30 门驱动卡igbt的触发176F8652 SPCBPOspare part,circuit board,power boards spare,power card,pdefc-xxxp110t4xxxxxuxc零部件、电路板、动力板pdefc-xxxp110t4xxxxxuxc业余、权力牌,安装在柜体侧面的可能是整流的触发spare part,circuit board,soft charge card spare,softcharge pca,cc,vlt5122-5302 零部件、电路板、柔软的电荷卡主,softcharge西西,vlt5122-5302,spare part,electro mechanics,inductor,bus pare,bus inductor,vlt5122机械、电子零件、电感,母线空闲时,公共汽车vlt5122电感,spare part,electro mechanics,resistor,DC bus balance spare,balance pca,vlt5122-5302t4/5机械、电子零件、电阻、直流母线的平衡主,vlt5122-5302t4/5空闲,平衡,机械、电气备品备件费用包括电阻、柔软、温控器空闲时,softcharg res闲散总成,27欧姆,110w spare part,electro mechanics,resistor,soft charge incl, thermostat spare,softcharg res assy,27 ohm,110wspare part,electro mechanics,switch spare,disc sw,200a,600v,d1 frame零件电气机械、开关空闲时,阀瓣,李光来,600伏特,200a d1框架spare part,power devices,igbt,single spare,fc igbt kit,300a,t5,d frame零部件、电力设备、igbt模块,单空闲时,俱乐部,300a igbt组件,t5,d框架spare part,power devices,rectifier,scr spare,scr/di assy,160a,1600v零部件、电力设备、可控硅整流器, 空闲时,晶闸管/蒂斯,1600v 160a闲散总成,。
KK型快速晶闸管
a
a 3d1×h1 d3
d3 10
D2-6h g e f a D1 D2 D
D
D2
H2 H4
H2 H3 H
型号 SS12 SS12 SS13 SS14 SS15
外形尺寸(mm) L D H
导电排尺寸(mm) D1 30 40 50 55 80 L1 53 78 78 85 110 H1 4 5 6 6 6
安装尺寸(mm) D2 H2 H3 H4 D 二孔13 二孔13 四孔11 四孔11 四孔11 D3 M3 M3 M3 M3 M3 D3 二孔螺 M6 二孔螺 M6 四孔螺 M6 四孔螺 M6 四孔螺 M6
d4 13 13 13 13 13
C
L1
d
D5 9 9 9 9 9
A 15 17.5 17.5
图3 KP200P~KP2000P系列凸台平板形普通晶闸管、KS200P~KS500P系列凸台平板形双向晶闸管、KK200P~KK1500P系列凸台平板形快速晶闸管
Dmax 2-φ3.5 0 3
+0.2
阴极辅助引线
2-φ4.2
A±1
门极引线 300±30 D1±2
序号 1 2 3 4 5 6 7
型号 KS200P、KK200P、KP200P KS300P、KK300P、KP300P KS500P、KK500P、KP500P KK800P、KP800P KK1000P、KP1000P KK1500P、KP1600P KP2000P
断态电压临界上升率 dv/dt V/μs 通态电流临界上升率 di/dt A/μs 电路换向关断时间 tg 维持电流 IH 工作结温 Tj 紧固力 推荐散热器型号 μs mA ℃ kN
G
kp300a可控硅参数
kp300a可控硅参数【实用版】目录1.引言2.kp300a 可控硅的基本参数3.kp300a 可控硅的工作原理4.kp300a 可控硅的应用领域5.结论正文【引言】可控硅，全称为可控硅控流器件，是一种半导体器件，具有电压控制的开关特性。
可控硅在电气设备中有着广泛的应用，如整流、交直流转换、逆变等。
本文主要介绍 kp300a 可控硅的参数、工作原理及应用领域。
【kp300a 可控硅的基本参数】kp300a 是一种可控硅型号，其基本参数如下：1.额定电压（VRRM）：300V2.额定电流（ITR）：3A3.控制极电流（ICTR）：30mA4.反向电压（VRMS）：500V5.断态重复峰值电压（VDRM）：3000V【kp300a 可控硅的工作原理】kp300a 可控硅的工作原理基于 PN 结的导通与截止。
当控制极施加正向电压时，PN 结被正向偏置，处于导通状态；当控制极施加负向电压时，PN 结被反向偏置，处于截止状态。
因此，通过控制施加到控制极的电压，可以实现对 kp300a 可控硅的导通与截止控制。
【kp300a 可控硅的应用领域】kp300a 可控硅广泛应用于以下领域：1.交流电机调速：通过调整可控硅的导通角，实现对交流电机转速的控制。
2.逆变器：将直流电源转换为交流电源，以供电动机或其他电气设备使用。
3.整流器：将交流电源整流为直流电源，以供电气设备使用。
4.电源开关：实现对电气设备的开关控制。
【结论】kp300a 可控硅作为一种重要的半导体器件，具有广泛的应用领域。
MTC300A 可控硅模块说明书
产品规格书Specification of Products产品名称：产品型号：普通晶闸管模块湖北梅兰半导体有限公司湖北梅兰半导体有限公司Hubei Merlin Semiconductor Co., Ltd.厂址：湖北省 襄阳市 高新技术开发区电话：总机传真：分机E-mail:mlsanrex@(710)3807852 3807952 3807905 3806705811版本号：02 更新日期：2011.3MTC(MTA MTK)300A（高压系列）321VALUESYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS T j(°C)Min Type MaxUNITI T(AV)Mean on-state current180°half sine wave50HzSingle side cooled,T c=85°C125300AI T(RMS)RMS on-state current Single side cooled,T c=85°C125314AV DRMV RRMRepetitive peak off-state voltageRepetitive peak reverse voltageV DRM&V RRM tp=10msV DsM&V RsM= V DRM&V RRM+200Vrespectively12525005600VI DRMI RRMRepetitive peak currentat V DRMat V RRM12550mAI TSM Surge on-state current9.3.KAI2t I2T for fusing coordination10ms half sine waveV R=60%V RRM125432A2s*103 V TO Threshold voltage 1.15. V r T On-state slop resistance1250.95.mΩV TM Peak on-state voltage I TM=1500A1252.44V dv/dtCritical rate of rise of off-statevoltageV DM=67%V DRM125800V/μs di/dtCritical rate of rise of on-statecurrentFrom67%V DRMto1500A, Gate source1.5At r≤0.5μs Repetitive125100A/μsI GT Gate trigger current30200mAV GT Gate trigger voltage1.03.0VI H Holding currentV A=12V, I A=1A2520150mA V GD Non-trigger gate voltage At67%V DRM1250.2V R th(j-c)Thermal resistanceJunction to heatsinkAt1800sine, Single side cooled0.065°C /W V iso Isolation voltage50Hz,R.M.S,t=1min,I iso:1mA(MAX) 6000V Thermal connection torque(M10) 12.0N.mF mMounting torque(M6) 6.0N.m T stg Stored temperature-40140°C W t Weight1350g OutlineOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAMM10M13M14M15Fig.1通态伏安特性曲线Fig.2 结至管壳瞬态热阻抗曲线Fig.3最大功耗与平均电流关系曲线Fig.4管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.5 最大功耗与平均电流关系曲线Fig.6 管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.7 通态浪涌电流与周波数的关系曲线Fig.8 I 2t 特性曲线Fig.9 门极功率曲线Fig.10 门极触发特性曲线M14M13Outside DimensionM10M15。
整流模块MDS75-16
D1
D2
MDC
D1
D2
MDK
－ MDS
3
快 恢 复 二 极 管 (FRD) 模 块
参数
VRRM IF(AV)@TC IF(RMS) IFRM
符号
TC=85 ℃ Tj=150 ℃ f=20KHZ
产品
TC=85 ℃
型 号 (V) (A)
(A)
(A)
IFSM 10ms 45 ℃ (A)
VFM@ trr Rthjc PD
20
40 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125 ≤ 150 ≤ 3 0.55 2500
20
MTC 55 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125 ≤ 150 ≤ 3 0.5 2500
20
MTA 70 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125 ≤ 150 ≤ 3 0.33 2500 风冷 20、 21
1.15
0.16
0.08 TS
MTC200TA160 MFC200TA160 MTK200TA160 MTX200TA160
400 ~ 1800
≤ 40
200 5400 1.65 600 ≤ 150 ≤ 3.0 0.8
1.0
0.15 0.08 TS
MTC250TA160 MFC250TA160 MTK250TA160 MTX250TA160
125
MDA 70 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5
125
MDK 90 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5
125
110 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125
130 400 ～ 1800 ≤ 10
晶闸管和可控硅是不是同一个东西,功能是什
不好意思，问题好像有点多，能回一个两个，说的能让我明白就行了，希望各位大侠帮忙，能联系我让我对可控硅搞的彻底明白的，可以给50个Q币。
问题补充：QQ66617745
敬请抄袭别人回答的朋友自重
如果你只是控制电机的启动与停止可以考虑以下方案
回答如下：
为了保证晶闸管电路能正常可靠地工作，触发电路必须满足以下要求。
一、触发脉冲信号应有足够的功率和宽度
为了使所有的元件在各种可能的工作条件下均能可靠的触发，触发电路所送出的触发电压和电流，必须大于元件门极规定的触发电压UGT与触发电流IGT的最大值，并且留有足够的余量。另外，由于晶闸管的触发是有一个过程的，也就是晶闸管的导通需要一定的时间，不是一触即通，只有当晶闸管的阳极电流即主回路电流上升到晶闸管的擎住电流IL以上时，管子才能导通，所以触发脉冲信号应有一定的宽度才能保证被触发的晶闸管可靠导通。例如：一般晶闸管的导通时间在6μs左右，故触发脉冲的宽度至少在6μs以上，一般取20～50μs，对于大电感负载，由于电流上升较慢，触发脉冲宽度还应加大，否则脉冲终止时主回路电流还未上升到晶闸管的擎任电流以上，则晶闸管又重新关断，所以脉冲宽度下应小于300μs，通常取1ms，相当广50Hz正弦波的18°电角度。
控制我做的比较简单，有个小按钮，和门铃一样的，我们称为S。
从G极出来，接一个电阻，20 ohm，再接S，再接一个1.5伏的5号电池，再接电阻20 ohm，再接到T2上去，就完成了！
这时，你按下开关，晶闸管就一直导通~你松掉开关，晶闸管就截至。
那2个电阻可以取大一点，因为触发电流很小就可以了，你自己算一下，大约50毫安就够了，你看你用什么晶闸管了，说明书上应该有讲的。
MTC90A1600V可控硅晶闸管模块
杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
KK型快速晶闸管
RjC
o
W kg 0.006 0.006 0.006 0.12 0.12 0.027 0.027 0.027 0.090 0.165 0.165 0.265 0.265 0.265 0.265
C
C/W
150 150 150 150 150 150 150 150 190 190 190 190 190 190 190
D 16 22 22 28 31 37 37 42 48 58
S 14 19 19 24 27 32 32 36 42 50
图2 ZP200P~ZP2000P系列凸台平板形普通整流管、ZK200P~ZK1000P系列凸台平板形快速整流管
Dmax 2-φ3.5
+0.2 0
G
A1
D1±2
序号 1 2 3 4 5 6 7
Dmax 250±25 φ4.2
Amax
D1min
门极引线
序号 1 2 3 4 5
型号 KS200F、KK200F、KP200F KS300F、KK300F、KP300F KS500F、KK500F、KP500F KK800F、KP800F KK1000F、KP1000F
正向平均电流IF(AV) A 200 300 500 800 1000
Dmax φ50 φ58 φ65 φ67 φ77
Amax 13 13 19 18 19
D1min φ26 φ35 φ38 φ42 φ45
G-069
电力电子及其它电器类
SF风冷式散热器(平板式) SS水冷式散热器(平板式) SZ、SL螺旋式散热器
安装注意事项： 平板型双面准冷硅元件的使用性能和效果，直接与散热器特性，接触热阻，紧固件和绝缘件，压接 力等有关。 注意中心对准，谨防压扁，硅面与散热器平面之间涂导热硅脂。
MTC300A1600V可控硅晶闸管模块
杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）散热形式：风冷型模块外型图M353 散热形式：水冷型模块外型图M353S使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉杭州国晶电子科技有限公司与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
可控硅整流管混合模块MFC110A
Thyristor/Diode Module
attribute data：
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application：
■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关
应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
的任何部位。
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.Ver:XZ0318第5页A A V
12
mA
2.40
KA
29
103A2S
0.8
V
2.29
mΩ
1.50
1.60
V
800 V/μs
100 A/μs
40
100
mA
1.0
2.5
V
100
mA
0.2
V
第1页
可控硅整流桥混合模块
Thyristor/Diode Module
Rth(j-c) Rth(c-h)
热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）
25
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
VDM=67%VDRM
125
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
最小 600
30 0.8 20
参数值 典型
MTC MTX晶闸管模块使用说明书
MTC/MTX 晶闸管模块三、产品外形、安装尺寸符合标准：JB /T 3283-4-注：(单位mm )90%。
温度下限为-30℃，温度上限为+75℃。
七、开箱及检查八、订货须知品合格证。
用户在订货时，请注明产品的型号、规格。
如有特殊要求，请与制造商协商。
打开外包装纸盒，检查包装盒内应有使用说明书，产九、公司承诺自产品生产日期起二十四个月内，在客户正常的储运、保养、使用条件下，因产品的制造质量问题而不能正常使用时，提供“三包”服务。
-3-本产品执行JB /T3283标准经检验合格，准予出厂。
检 验 员:检验日期:名称:型号:晶闸管模块MTC/MTX 系列检 01见内盒标签××××××××321K2G2G1K1×321K2G2G1K1×400A 、500A 晶闸管模块70A 、90A 、110A 晶闸管模块25A 、40A 、55A 晶闸管模块250A 、300A 晶闸管模块250A 、300A 水冷晶闸管模块400A 、500A 水冷晶闸管模块600A 晶闸管模块600A 水冷晶闸管模块800A 、1000A 晶闸管模块800A 、1000A 水冷晶闸管模块×130A 、160A 、200A 晶闸管模块地址: 浙江省乐清市柳市镇电器城3单元 邮编: 325604电话: (86-577)6177 8888传真: (86-577)6177 8000客服热线: 400-826-8008本使用说明书自2021年03月 第一版生产厂:表一:(产品不包含散热器,如需要请另外购买)。
可控硅参数符号说明
可控硅参数符号说明: IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流KP200A—500A平板型普通晶闸管参数KP2000A—4500A平板型普通晶闸管参数KK200A—1000A 平板型快速晶闸管KP800A—1500A 平板型普通晶闸管参数KK1200A—3000A 平板型快速晶闸管Type V DRMV RRMI T(AV)@85℃tq@100℃30V/μSV TM@I TM(max)I GT V GTI DRMI RRM(max)I H(max)TjmI TSM@10msI2t@10msdv/dt(min)di/dt(min)Rthjc(max)外形(V)(A)(μS)(V/A)(mA)(V)(mA)(mA)℃(KA)(KA2S)(V/μS)(A/μS)(℃/W)KK1200-55KT14800-1800120015-35 3.1/300040-3000.9-2.56020-400115149805003000.024KT14 KK1500-60KT151200-2600150020-60 3.1/300040-3000.9-3.06020-5001151613005003000.02KT15 KK1800-67KT9B1200-2600180015-60 3.1/400040-3000.9-3.06020-5001151918005003000.017KT9B KK2000-70KT161200-2600200015-60 3.1/400040-3500.9-3.08020-8001152122005003000.016KT16 KK2500-76KT171200-2600250015-60 3.1/500040-3500.9-3.08020-8001152736005003000.011KT17 KK3000-76KT17800-1600300020-60 3.1/500040-3500.9-3.08020-8001153148005003000.011KTKP5A—500A 螺栓型普通晶闸管参数KK5A—100A 螺栓型快速晶闸管大功率可控硅晶闸管系列硅双向触发二极管参数可控硅整流器件单、双向可控硅（SCR,TRIAC）YCR单向可控硅系列◆先进的玻璃钝化芯片◆小的通态压降◆高的可靠性、稳定性KS5A—50A螺栓型双向晶闸管KG5A—50A螺栓型高频晶闸管目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。
重庆高压可控硅模块型号
重庆高压可控硅模块型号
随着电子技术的不断发展，高压可控硅模块在电力、工业控制等领域得到了广泛应用。
在重庆地区，也有多种型号的高压可控硅模块供应。
以下是一些常见的重庆高压可控硅模块型号：
1. KP1000A-380V：额定电压380V，额定电流1000A，最大阻断电压2000V。
2. KS500A-220V：额定电压220V，额定电流500A，最大阻断电压1200V。
3. ST2400A-400V：额定电压400V，额定电流2400A，最大阻断电压2500V。
4. KF2000A-220V：额定电压220V，额定电流2000A，最大阻断电压1800V。
以上是一些常见的重庆高压可控硅模块型号，不同型号的模块有不同的应用场景和技术参数，用户可根据具体需求进行选择。
- 1 -。
普通晶闸管 可控硅 整流管混合模块 MFC300A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 390$
-30e C -10e C 25e C 125 e C
3*:
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
PD[
3*0 : V㛝ᆑ
T J=125e C
ⶀᗕ⛁䰏ᡫZth,e C/W
䗮ᗕዄؐ⬉⌕ ITM,A
ᯊ䯈 t,S
Fig.1䗮ᗕӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
mfc300a普通晶闸管可控硅整流管混合模块特点典型应用主要参数300a6001800v93a10tmdvdtdidtrrm通态平均电流方均根电流断态重复峰值电压反向重复峰值电压断态重复峰值电流反向重复峰值电流通态不重复浪涌电流浪涌电流平方时间积门槛电压斜率电阻通态峰值电压断态电压临界上升率通态电流临界上升率门极触发电流门极触发电压维持电流门极不触发电压热阻抗结至壳热阻抗壳至散绝缘电压安装扭矩m10安装扭矩m6贮存温度质量包装盒尺寸180正弦半波50hz单面散热tc85tm900adm67vdrm67vdrm180正弦波单面散热180正弦波单面散热50hzrmst1miniso
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM I2t VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size 参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M10) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸 外形为401F 120×67×56（1只装） -40 1350 At 67%VDRM °正弦波 180 , 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX) 2500 12 6 125 125 VA=12V, IA=1A 25 ITM=900A VDM=67%VDRM ITM =600A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM 测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ 结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 25 125 125 30 1.0 20 0.2 0.100 0.04 600 最小 参数值 典型 最大 300 471 1800 40 9.30 432 0.80 0.72 1.58 800 100 180 2.5 150 A A V mA KA A2s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm 单位
晶闸管智能控制模块说明书(第12版)
晶闸管智能控制模块使用说明书目录一、产品介绍 (1)1、用途 (1)2、特点 (1)3、型号、规格 (2)4、型号义释 (6)二、模块内部电联接形式 (6)1、三相整流模块 (6)2、三相交流模块 (7)3、单相整流模块 (8)4、单相交流模块 (9)三、规格选取与注意事项 (10)1、模块电流规格的选取 (10)2、导通角要求 (11)3、控制电源要求 (11)4、使用环境要求 (12)5、模块的测试方法 (12)6、其它要求 (12)四、模块的安装与接线 (13)1、模块的安装方法 (13)2、控制引线接线方法 (13)3、各种控制信号输入方法 (21)五、模块参数 (23)1、模块主要通用参数 (23)2、模块输入电压与输出电压的换算关系 (24)3、模块输入电流与输出电流的换算关系 (24)4、模块详细参数 (24)六、控制、输出特性曲线 (28)七、模块的保护 (29)1、过流保护 (29)2、过压保护 (31)3、过热保护 (37)八、模块的外形及安装尺寸 (42)1、模块外形图 (42)2、模块安装尺寸 (48)3、模块电联结图与接线示意图、外形图对应关系 (51)一、产品介绍1、用途广泛应用于不同行业各种领域如调温、调光、励磁、电镀、电解、电焊、等离子拉弧、充放电、稳压、有源逆变等电源装置。
本系列模块还可通过模块控制端口与外置的多功能控制板连接，实现“交流电机软起动、双闭环直流电机调速和恒流恒压控制”等功能（我公司可为用户配备这种外置多功能控制板）。
2、特点（1）本说明书所覆盖的晶闸管智能控制模块，采用本公司独立开发的移相触发集成电路，实现了控制电路与晶闸管主电路集成一体化，使模块具备了弱电控制强电的电力调控功能。
（2）采用进口方形芯片、高级芯片支撑板，模块压降小、功耗低，效率高，节电效果好。
（3）采用进口贴片元件，保证了触发控制电路的可靠性。
（4）采用（DCB）陶瓷覆铜板，经独特处理方法和特殊焊接工艺，保证焊接层无空洞，导热性能好。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
2
500
਼⊶᭄ n,@50Hz
400
300
200
100 1 10
ᯊ䯈t,ms
普通晶闸管、可控硅整流管混合模块
Fig.7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.8 I2t⡍ᗻ᳆㒓
2/3
MFA300A
Gate characteristic at 25e C junction temperature
䮼ᵕ⬉य़,V GTˈ V
Gate Trigger Zone at varies temperature 390$
-30e C -10e C 25e C 125 e C
3*:
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
PD[
3*0 : V㛝ᆑ
2
ITM=900A VDM=67%VDRM ITM =600A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
25 125 125
25 125
1.0 20 0.2
外形为401F 120×67×56（1只装）
普通晶闸管、可控硅整流管混合模块
1/3
MFA300A
性能曲线图
Peak On-state Voltage 07& Vs.Peak On-state Current
䗮ᗕዄؐ⬉य़VTM,V
360
᳔䗮ᗕࡳ㗫PT(AV)(max),W
Conduction Angle
ㅵ⏽ᑺTc,(max)e C
Conduction Angle
'&
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.3᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
360
Fig.4ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07& '&
ᯊ䯈 t,S
Fig.1䗮ᗕӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
᳔䗮ᗕࡳ㗫PT(AV),(max),W
Fig.2 㒧㟇ㅵⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
Max. case Temperature07& Vs.Mean On-state Current
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M10) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
MFA300A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
300A 600~1800V 9.3 A×103 432 A2S*103
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
38
2
42
G1K1 G2K2
4-Φ6.5
62 48 35
1
3
K2 G2 K2 G2
93 108 125
MFX(DT) MFX(TD)
415F3
K1 G1
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅整流管混合模块
3/3Βιβλιοθήκη 参数值 典型 最大 300 471 1800 40 9.30 432 0.80 0.72 1.58 800 100 30 180 2.5 150 0.100 0.04 2500 12 6 -40 125 1350
单位 A A V mA KA A s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm
PLQ
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGTˈA
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGTˈmA
Fig.5 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.6 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MFC(TD)
外形尺寸图
21
3-M10
K1 G1 K1 G1 K1 G1 K2 G2 K2 G2
MFA(TD)
44.5 52
MFK(TD) MFC(DT) MFA(DT) MFK(DT)
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 9.3Vs.Cycles
⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
Fig.6 ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
ㅵ⏽ᑺTc(max),e C
Conduction Angle
Conduction Angle
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Max. junction To case Thermai Impedance Vs.Time
T J=125e C
ⶀᗕ⛁䰏ᡫZth,e C/W
䗮ᗕዄؐ⬉⌕ ITM,A