半导体器件基础考试题
华为半导体笔试题
华为半导体笔试题一、选择题（每题2分，共20分）半导体材料的主要特性是什么？A. 高导电性B. 低导电性C. 导电性介于导体和绝缘体之间D. 高热稳定性以下哪种材料属于半导体？A. 铜B. 硅C. 橡胶D. 玻璃在半导体器件中，PN结的主要作用是什么？A. 导电B. 绝缘C. 控制电流方向D. 放大信号二极管的正向导通电压通常是多少？A. 0VB. 0.7VC. 1.5VD. 5V以下哪种半导体器件具有放大功能？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 三极管场效应晶体管（FET）与双极型晶体管（BJT）的主要区别是什么？A. 工作原理B. 输入阻抗C. 输出阻抗D. 所有以上选项在集成电路中，CMOS代表什么？A. 互补金属氧化物半导体B. 绝缘体上硅C. 硅栅极CMOSD. 互补双极型晶体管以下哪种技术用于制造集成电路？A. 光刻B. 蚀刻C. 蒸镀D. 所有以上技术半导体存储器中，DRAM和SRAM的主要区别是什么？A. 存储容量B. 访问速度C. 数据保持时间D. 制造工艺以下哪个不是半导体存储器的类型？A. ROMB. RAMC. Flash MemoryD. HDD二、填空题（每题3分，共15分）在半导体物理中，________ 是描述材料导电性能的物理量。
二极管导通时，其两端电压称为________ 电压。
在集成电路设计中，________ 是一种用于隔离不同电路区域的技术。
半导体集成电路的制造过程中，________ 技术用于将电路图案转移到硅片上。
CMOS逻辑门电路中，NMOS和PMOS的作用是________。
三、简答题（每题5分，共10分）简述半导体材料在电子设备中的重要作用。
解释PN结的形成原理及其在半导体器件中的应用。
四、论述题（每题10分，共10分）论述集成电路的发展历程及其对现代电子技术的影响。
五、计算题（每题5分，共5分）已知某二极管的反向饱和电流Is为1e-12A，正向导通电压VF为0.7V，室温下热电压kT/q约为0.026V。
半导体器件基础测试题
半导体器件基础测试题第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
半导体复习题(带答案)
半导体物理复习题一、选择题1.硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中含原子个数为（D）P1A.1B.2C.4D.82．关于本征半导体，下列说法中错误的是（C）P65A.本征半导体的费米能级E F=E i基本位于禁带中线处B.本征半导体不含有任何杂质和缺陷C.本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身D.本征半导体的电中性条件是qn0=qp03．非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。
下面表达式中不等于复合率的是（D）P130A. B. C. D.4．下面pn结中不属于突变结的是（D）P158、159A.合金结B.高表面浓度的浅扩散p+n结C.高表面浓度的浅扩散n+p结D.低表面浓度的深扩散结5.关于pn结，下列说法中不正确的是（C）P158、160A.pn结是结型半导体器件的心脏。
B.pn结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。
C.平衡时，pn结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等。
6.对于小注入下的N型半导体材料，下列说法中不正确的是（B）P128A. B. C. D.7.关于空穴，下列说法不正确的是（C）P15A.空穴带正电荷B．空穴具有正的有效质量C．空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子D．半导体中电子空穴共同参与导电8.关于公式，下列说法正确的是（D）P66、67A.此公式仅适用于本征半导体材料B.此公式仅适用于杂质半导体材料C.此公式不仅适用于本征半导体材料，也适用于杂质半导体材料D.对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用9.对于突变结中势垒区宽度，下面说法中错误的是（C）P177A.p+n结中B.n+p结中C.与势垒区上总电压成正比D.与势垒区上总电压的平方根成正比10.关于有效质量，下面说法错误的是（D）P13、14A.有效质量概括了半导体内部势场的作用B.原子中内层电子的有效质量大，外层电子的有效质量小C.有效质量可正可负D.电子有效质量就是电子的惯性质量。
半导体集成电路练习题
半导体集成电路练习题一、基础知识类1. 填空题1.1 半导体材料主要包括________、________和________。
1.2 PN结的正向特性是指________，反向特性是指________。
1.3 MOS晶体管的三个工作区分别是________、________和________。
2. 判断题2.1 半导体集成电路的导电性能介于导体和绝缘体之间。
（）2.2 N型半导体中的自由电子浓度高于P型半导体。
（）2.3 CMOS电路具有静态功耗低的特点。
（）二、数字电路类1. 选择题1.1 TTL与非门电路中，当输入端全部为高电平时，输出为（）。
A. 高电平B. 低电平C. 不确定D. 无法判断A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门A. PMOS管导通时，NMOS管截止B. PMOS管截止时，NMOS管导通C. PMOS管和NMOS管同时导通D. PMOS管和NMOS管同时截止2. 填空题2.1 数字电路中的逻辑门主要有________、________、________和________等。
2.2 半加器是由________和________组成的。
2.3 全加器的三个输入端分别是________、________和________。
三、模拟电路类1. 选择题A. 非反相比例运算放大器B. 反相比例运算放大器C. 电压跟随器D. 差分放大器1.2 在运算放大器电路中，虚短是指________。
（）A. 输入端短路B. 输出端短路C. 输入端与地之间短路D. 输入端与输出端之间短路A. 低通滤波器允许低频信号通过，抑制高频信号B. 高通滤波器允许低频信号通过，抑制高频信号C. 带通滤波器允许一定频率范围的信号通过D. 带阻滤波器允许一定频率范围的信号通过2. 填空题2.1 模拟信号的特点是________、________和________。
2.2 运算放大器的主要参数有________、________和________。
半导体的基础知识试题
第一章半导体的基础知识一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为、和三大类。
2、电子技术的核心是半导体，它的三个特性是：、、3、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子叫做，带负电的载流子叫做；N型半导体中多数载流子是，P型半导体中的多数载流子是。
4、PN结具有性能，即：加电压时PN结导通，加电压时PN结截止。
5、二极管的主要特性是具有。
二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电流会，这时二极管处于状态。
6、晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向，反向的特性。
导通后，硅管的管压降约为，锗管约为。
7、整流电路将交流电变为直流电，滤波电路将直流电变为的直流电。
8、整流电路按整流相数，可分为与两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为与两种。
9、把脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为。
10、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗，对直流电的阻抗的特性，整流后的脉动直流电中的交流分量由电容，只剩下直流分量加到负载的两端。
二、选择题1、稳压管（）A、是二极管B、不是二极管C、是特殊二极管2、稳压管电路如图1—1所示，稳压管的稳压值为（）A、6.3VB、0.7VC、7VD、14V3、稳压管稳压电路如图1—2所示，其中U Z1=7V、U Z2=3V，该电路输出电压为（）A、0.7VB、1.4VC、3VD、7V4、NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、掺入杂质元素不同C、P区和N区的位置不同5、三极管的I CEO大，说明其（）A、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长D、热稳定性差6、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V,m则（）A、1为e 2为b 3为cB、1为e 2为c 3为bC、1为b 2为e 3为cD、1为b 2为c 3为e7、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（ ）A 、i cB 、U CEC 、I bD 、i E8、P 型半导体中空穴多于自由电子，则P 型半导体呈现的电性为（ ）。
半导体器件基础习题答案(完美版)
gv ( E )[1 f ( E )]
f (E)
1 1 e
( E E F ) / kT
e ( E EF ) / kT , E EF 3kT
gc (E) f (E)
* * mn 2mn ( E Ec ) ( E EF ) / kT e 2 3 * * mn 2mn 2 3
半导体器件习题答案
A:clear； ％specification of basic parameters kT=0.0259; ni=1.0e10; NB=logspace(13,18); EFiD=kT.*log(NB./ni); EFiA=-EFiD; %plot out Fermi level positioning
p ea k , hole
2 3
1 1 1 ( Ev E )1/ 2 E peak,hole Ev kT 1/ 2 2( Ev E ) kT 2
2.16 与浓度相关的问题 (a) Q: 均匀掺杂N A 1015 / cm3 的 p 型硅片，在温度 T 0K 时，平衡状态的空穴和电子 浓度是多少？ A: 由于 T 趋于 0 K，因此 n->0，p->0 nN 和 (b) Q: 掺入杂质浓度为 N 的半导体 N ni 且所有的杂质全部被电离， 请判断杂质是施主还是受主？说明理由 A: 杂质是施主，因为 对于施主 n N D , p ni2 / N D 度是多少？ A: 硅片在 300K 的温度下的本征载流子浓度为 ni 1010 / cm 3 n 105 / cm3 假设非简并，则 p ni2 / n 1015 / cm3 结果显示确实为非简并 (d) Q: 在温度 T=300K，样品硅的费米能级位于本征费米能级之上 0.259eV 处，空穴和电子 的浓度是多少？ A: 硅片在 300K 的温度下的本征载流子浓度为
半导体器件基础习题三
半导体器件基础习题三2014年5月27日姓名学号作业务请写上中文姓名、学号，发往luming.sjtu42@。
1，已知铝栅P 沟MOSFET的N型衬底掺杂浓度N D＝5×1015atoms／cm3，栅氧化层厚度d sio2＝1000Å氧化层中固定正电荷密度Q SS/q = 1011atoms／cm2求铝栅P 沟MOSFET的阈值电压。
解：由先计算先计算故再计算代入可得2，已知硅栅N 沟MOSFET的P 型衬底掺杂浓度N A = 1.5×1015 atoms／cm3，栅氧化层厚度d sio2＝1000Å氧化层中固定正电荷密度Q SS/q = 1011atoms／cm2多晶硅中掺入磷的浓度N D＝5×1018atoms／cm3求MOSFET 的阈值电压。
解：根据给出的数据，可以算出故代入可得3，硅栅N 沟MOSFET场区氧化层厚度d sio2＝10 4 Å氧化层中固定正电荷密度Q SS/q＝1011atoms／cm2如果在场区增加掺杂浓度N A＝5×1015 atoms／cm3试求厚膜场区的阈值电压。
解：这时因为有根据数据可得4．铝栅 N 沟 MOSFET 的 P 型衬底掺杂浓度N A ＝2.0×1015 atoms ／cm 3 氧化层厚度 d sio2 ＝1500Å 铝的功函数 W m ＝ 4.20 eVP 型硅掺杂浓度为N A ＝1.5×1016 atoms ／cm 3时的功函数 W si ＝4.97 eV试求氧化层中固定正电荷密度分别为 Q SS ／q = 5×1010 atoms ／cm 2 Q SS ／q = 5×1011 atoms ／cm 2 时的阈值电压。
解：UMS 和 氧化层中的电荷 QSS ：= 4.20V - 4.97 V = - 0.77 V 计算根据数据可得阈值电压UT= - 0.77 V – 0.47V + 0.1V + 0.66V= - 0.48V5．试问图示MOSFET 处于饱和状态还是非饱和状态？解：图(a) 是P 沟MOSFET，衬底接地，因为|U DS | ＞|U GS | - |U T |即8V ＞(5 - 3) V，所以处于饱和工作状态。
模拟电路习题
第一章半导体器件基础⒈讨论题与思考题⑴ PN结的伏安特性有何特点？⑵二极管是非线性元件,它的直流电阻和交流电阻有何区别?用万用表欧姆档测量的二极管电阻属于哪一种?为什么用万用表欧姆档的不同量程测出的二极管阻值也不同？⑶硅二极管和锗二极管的伏安特性有何异同?⑷在结构上，三极管是由两个背靠背的PN结组成的,那么，三极管与两只对接的二极管有什么区别?⑸三极管是由两个背靠背的PN结组成的,由很薄的基区联系在一起。
那么，三极管的发射极和集电极是否可以调换使用?⑹场效应管的性能与双极型三极管比较有哪些特点?⒉作业题题1．1在硅本征半导体中掺入施主杂质，其浓度为317dcm10=N,分别求出在２５０Ｋ、３00K、350K时电子和空穴的浓度。
题１.2若硅PN结的317acm10=N，316dcm10=N，求T=３0０K时PＮ结的内建电位差。
题1．3流过硅二极管的电流I D=1mA时，二极管两端压降U D=0．７V,求电流I D=０.1mA和１０ｍA时，二极管两端压降U D分别为多少?题1.4 电路如图题1.4中二极管是理想的,tUuωsinmi⋅=：①画出该电路的传输特性;②画出输出电压波形。
题图1．4题1.5题图1．5中二极管是理想的,分别求出题图１.5(ａ)、(b)中电压Ｕ和电流I的值。
（a) (ｂ）题图1.5题1.6 在图题1.６所示电路中，取5-Ｖ<U I<5V。
①二极管是理想的,导通电压UＤ（on)＝0.6V，画出传输特性曲线（U I~ U O);②若二极管的导通电压U D(on）=0.6V,导通电阻ＲＤ=10０Ω, 画出其传输特性曲线。
题图1.6题1.7一PNＰ型晶体三极管，其I CBO＝10μA。
工作在放大区且ＩＥ=3mA时,I C＝2.98mA。
若连接成共发射极组态,调整发射结电压,使三极管I B=３0μＡ，则此时的IＣ为多大？题1．８在图题1.8所示电路中,已知β=100,U I =5V,V CＣ=10V，R C=4．66kΩ,U BＥ(oｎ)＝0.7V，试求晶体三极管进入饱和区所需R B的最大值。
半导体器件物理试题库
题库(一) 半导体物理基础部分1、计算分析题已知：在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C µn =1350 2cm /V s × µp =500 2cm /V s × 半导体硅材料在室温的条件下，测得 n0 = 4.5×104/cm 3，N D =5×=5×101015/cm 3 问：⑴问：⑴ 该半导体是n 型还是p 型？型？⑵ 分别求出多子和少子的浓度分别求出多子和少子的浓度⑶ 样品的电导率是多少？样品的电导率是多少？⑷ 分析该半导体的是否在强电离区，为什么0D n N ¹？2、说明元素半导体Si 、Ge 中的主要掺杂杂质及其作用？中的主要掺杂杂质及其作用？3、什么叫金属-半导体的整流接触和欧姆接触，形成欧姆接触的主要方法有那些？半导体的整流接触和欧姆接触，形成欧姆接触的主要方法有那些？4、为什么金属与重掺杂半导体接触可以形成欧姆接触？、为什么金属与重掺杂半导体接触可以形成欧姆接触？P-N 部分5、什么叫pn 结的势垒电容？分析势垒电容的主要的影响因素及各因素导致垒电容大小变化的趋势。
的趋势。
6、什么是pn 结的正向注入和反向抽取？结的正向注入和反向抽取？7、pn 结在正向和反向偏置的情况下，势垒区和载流子运动是如何变化的？结在正向和反向偏置的情况下，势垒区和载流子运动是如何变化的？8、简述pn 结雪崩击穿、隧道击穿和热击穿的机理．结雪崩击穿、隧道击穿和热击穿的机理．9、什么叫二极管的反向恢复时间，提高二极管开关速度的主要途径有那些？、什么叫二极管的反向恢复时间，提高二极管开关速度的主要途径有那些？ 10、如图1所示，请问本PN 结的偏压为正向，还是反向？准费米能级形成的主要原因? PN 结空间电荷区宽度取决的什么因素，对本PN 结那边空间电荷区更宽？结那边空间电荷区更宽？图1 pn 结的少子分布和准费米能级结的少子分布和准费米能级三极管部分1111、何谓基区宽变效应？、何谓基区宽变效应？1212、晶体管具有放大能力需具备哪些条件？、晶体管具有放大能力需具备哪些条件？1313、怎样提高双极型晶体管的开关速度？、怎样提高双极型晶体管的开关速度？1414、双极型晶体管的二次击穿机理是什么？、双极型晶体管的二次击穿机理是什么？1515、如何扩大晶体管的安全工作区范围？、如何扩大晶体管的安全工作区范围？16、详细分析PN 结的自建电场、缓变基区自建电场和大注入自建电场的异同点。
半导体试题及答案
半导体试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性介于金属和绝缘体之间，这是因为：A. 半导体材料内部存在大量的自由电子B. 半导体材料内部存在大量的空穴C. 半导体材料的能带结构D. 半导体材料的晶格结构答案：C2. 下列哪种掺杂方式可以增加半导体的导电性？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 同时进行N型和P型掺杂D. 不进行任何掺杂答案：A3. 半导体的PN结在正向偏置时，其导通的原因是：A. 电子从P区注入N区B. 空穴从N区注入P区C. 电子和空穴的复合D. 电子和空穴的注入答案：D4. 半导体器件中，晶体管的放大作用主要依赖于：A. 基极电流B. 发射极电流C. 集电极电流D. 所有电流的总和5. 下列哪种材料不适合作为半导体材料？A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C6. 半导体器件的最小特征尺寸缩小，可以带来以下哪些好处？A. 降低成本B. 提高速度C. 减少功耗D. 所有以上答案：D7. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于：A. 制造晶体管B. 制造集成电路C. 制造绝缘体D. 制造导线答案：B8. 半导体的能带理论中，价带和导带之间的区域被称为：A. 能隙B. 能级C. 能带D. 能区答案：A9. 下列哪种半导体器件具有记忆功能？B. 晶体管C. 存储器D. 逻辑门答案：C10. 半导体器件的热稳定性主要取决于：A. 材料的热导率B. 器件的散热设计C. 器件的制造工艺D. 所有以上答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 半导体材料的特性包括：A. 导电性B. 绝缘性C. 半导体性D. 磁性答案：AC2. 下列哪些因素会影响半导体器件的性能？A. 温度B. 湿度C. 光照D. 电压答案：ABC3. 半导体器件的类型包括：A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电阻答案：ABC4. 下列哪些是半导体材料的掺杂元素？A. 硼B. 磷C. 铜D. 锗答案：AB5. 在半导体工艺中，下列哪些步骤是必要的？A. 清洗B. 氧化C. 蒸发D. 抛光答案：ABC三、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性主要依赖于______。
半导体培训测试
半导体培训测试（100分）1、姓名【填空题】________________________2、工号【填空题】________________________一、单选题3、1、自然界的物质、材料按导电能力大小可分哪些种类。
【单选题】（3分）A.A、导体B.B、半导体C.C、绝缘体D.D、以上三项都是正确答案: D4、2、选出下列属于半导体材料的选项。
【单选题】（3分）A.A、硅B.B、锗C.C、砷化镓D.D、以上三项都是正确答案: D5、3、当前半导体行业研究的热门话题low-K材料是什么？【单选题】（3分）A.A、低介电常数材料B.B、所有半导体材料C.C、光刻胶材料D.D、以上三项都是正确答案: A6、4、低介电常数材料或称low-K材料的介电常数通常是多少以下？【单选题】（3分）A.A、介电常数k≤2.8B.B、介电常数k≤3.9C.C、介电常数k≤1D.D、以上三项都是正确答案: D7、5、晶圆的的8、12英寸是是什么参数指标？【单选题】（3分）A.A、重量B.B、材料系数C.C、晶圆直径D.D、晶圆厚度正确答案: C8、6、硅晶圆材料主要来源什么物资的提炼？【单选题】（3分）A.A、沙子B.B、植物C.C、石油D.D、海水正确答案: A9、7、晶体管实质上有哪几部分由组成？【单选题】（3分）A.A、漏极（Drain）B.B、源极（Source）C.C、栅极（Gate）D.D、以上三项都是正确答案: D10、8、晶圆制造工艺中、芯片电路内纳米架构是晶体管越小越好，栅极的最小宽度就是工艺制程中的X 纳米，那么以下哪些选项是我们加工所谓的LOW-K材料？【单选题】（3分）A.A、45nm-32nmB.B、28nm-14nm，C.C、10nm-7nmD.D、以上三项都是正确答案: D11、9、选出硅片从原材料到成型的加工工序。
【单选题】（3分）A.A、冶金熔融B.B、拉直长晶C.C、晶棒切片D.D、以上三项都是正确答案: D12、10、烧蚀激光切割机的加激光属于什么光？【单选题】（3分）A.A、日光B.B、紫外光C.C、红外光D.D、黄光正确答案: B二、多选题13、11、半导体工厂的生产环境要求包括以下哪些？【多选题】（5分）A.A、恒温B.B、恒湿C.C、ESD 防护D.D、防火正确答案: ABC14、12、下列不属于IC封装生产工序的是。
第1章课后习题参考题答案
第1章课后习题参考题答案第⼀章半导体器件基础1．试求图所⽰电路的输出电压Uo，忽略⼆极管的正向压降和正向电阻。
解：（a）图分析：1）若D1导通，忽略D1的正向压降和正向电阻，得等效电路如图所⽰，则U O=1V，U D2=1-4=-3V。
即D1导通，D2截⽌。
2）若D2导通，忽略D2的正向压降和正向电阻，得等效电路如图所⽰，则U O=4V，在这种情况下，D1两端电压为U D1=4-1=3V，远超过⼆极管的导通电压，D1将因电流过⼤⽽烧毁，所以正常情况下，不因出现这种情况。
综上分析，正确的答案是 U O= 1V。
（b）图分析：1.由于输出端开路，所以D1、D2均受反向电压⽽截⽌，等效电路如图所⽰，所以U O=U I=10V。
2．图所⽰电路中，E解：由于Eu oE u i3．选择正确的答案填空在图所⽰电路中，电阻R为6Ω，⼆极管视为理想元件。
当普通指针式万⽤表置于R×1Ω挡时，⽤⿊表笔(通常带正电)接A点，红表笔(通常带负电)接B点，则万⽤表的指⽰值为( a )。
a.l8Ω，b.9Ω，c.3Ω，d.2Ω,e.0Ω解：由于A端接电源的正极，B端接电源的负极，所以两只⼆极管都截⽌，相当于断开，等效电路如图，正确答案是18Ω。
4．在图所⽰电路中，uI =10sinωt V，E = 5V，⼆极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压uo的波形。
解：（a ）图当u I ＜E 时，D 截⽌，u O =E=5V ；当u I ≥E 时，D 导通，u O =u I u O 波形如图所⽰。
（b ）图当u I ＜-E=-5V 时,D 1导通D 2截⽌，uo=E=5V ；当-E ＜u I ＜E 时，D 1导通D 2截⽌，uo=E=5V ；当u I ≥E=5V 时，uo=u I所以输出电压u o 的波形与（a ）图波形相同。
5．在图所⽰电路中，试求下列⼏种情况下输出端F 的电位UF 及各元件(R 、DA 、DB)中通过的电流：( 1 )UA=UB=0V ；( 2 )UA= +3V ，UB = 0 V 。
半导体器件考试试卷(电工电子技术大学专业试卷)
半导体器件考试试卷一、填空题1、半导体之所以得到广泛的应用，是因为它具有_________性、_________性、_________性。
2、在半导体中，同时存在着_________导电和_________导电，这是半导体导电方式的主要特点。
3、P 型半导体中多数载流子是__ _____ ,少数载流子是__ _____ ；N 型半导体中多数载流子是__ _____, 少数载流子是__ _____ 。
4、半导体中的多数载流子主要是__ _____形成的，少数载流子一定是__ _____形成的。
5、PN 结的__ _____区接高电位，而__ _____区接低电位，称为PN 结正向偏置，则PN 结__ _____。
6、硅二极管的死区电压约为__ _____伏，正向导通电压约为__ _____伏；锗二极管死区电压约为__ _____伏，正向导通电压约为__ _____伏。
．7、二极管的正向电流是由__ _____载流子的__ _____运动形成的；而反向电流则是由__ _____ 载流子的__ _____运动形成的。
8、稳压管工作在特性曲线的__ _____区，其在电路中的接法为：稳压管的阴极应接电源的__ _____极。
9、整流作用是利用二极管的__ _____特性工作的，稳压管是利用二极管__ _____特性工作的 。
10、在模拟电路中，三极管通常工作在__ _____状态。
在数字电路中，三极管通常工作在__ _____状态和__ _____状态，其作用相当于__ _____。
11、三极管的输出特性分为三个工作区，分别是__ _____、__ _____、__ _____。
12、晶体管工作受温度影响是由于温度变化__ _____浓度变化所致 。
二、 单项选择题1、在电路中测出三极管三个电极对地电位如图2-1所示，则该三极管处于( )状态。
A ．截止状态B ．放大状态C ．饱和状态2、在图2-2所示电路中，设稳压管1Z D 的稳压值为7伏，稳压管2Z D 的稳压值为6伏，两管的正向导通电压均为0.6伏，在i U =20V 时，输出电压O U 的值为 ( )。
半导体器件试题
第一章 半导体器件一、 是非题1、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（ ）2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）3、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）4．当外加反向电压增加时，PN结的结电容减小。
（）5．当外加电压为0时，PN结的电容最小。
（）6、二极管是根据PN结的单向导电性制成的，因此二极管也具有单向导电性。
（ ）7、二极管的电流-电压关系特性可大概理解为反向偏置导通，正向偏置截止。
（ ）8、用万用表识别二极管的极性时，若测得是二极管的正向电阻，那么标有“+”号的测试棒相连的是二极管的正极，另一端是负极。
（ ）9、反向电流几乎与二极管两端所加电压无关，击穿后反向电流剧增。
（）10、特定的二极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作点的变化而变化。
（）11、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小，当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。
（）12、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（ ）13、如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管内部断路。
（ ）14、二极管的正极电位为-20V，负极电位为19.4V，则二极管处于零偏。
（ ）15、二极管的正向电阻小，反向电阻大。
（）16、二极管的正极电位是-20V，负极电位是-19.4V，则该二极管处于反偏的状态。
（）17、稳压二极管是特殊的二极管，工作于反向击穿特性。
（）18、稳压二极管工作在正常的反向击穿状态时，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态。
（ ）19、当工作电流超过最大稳定电流时，稳压二极管将不起稳压作用，但并不损坏。
（ ）20、三极管相当于两个反向连接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。
（ ）21、晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以，基极断开后还可以作为二极管使用。
（）22、三极管由两个PN结构成，所以能用两个二极管反向连接起来充当三极管使用。
半导体考研试卷真题
半导体考研试卷真题一、选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料中，电子和空穴的浓度主要取决于（）A. 温度B. 掺杂元素C. 晶格结构D. 电子的迁移率2. PN结在正向偏置时，其导电机制是（）A. 电子和空穴的扩散B. 电子的漂移C. 空穴的漂移D. 电子和空穴的复合3. 下列哪个参数是描述半导体材料导电性能的指标？（）A. 载流子浓度B. 晶格常数C. 晶格缺陷D. 晶格振动4. 半导体器件中，MOSFET的工作原理是基于（）A. 电子的漂移B. 电子的扩散C. 量子隧穿效应D. 载流子的迁移率5. 在半导体器件设计中，通常采用什么方法来减小PN结的电容效应？（）A. 增加掺杂浓度B. 减少掺杂浓度C. 增加PN结的面积D. 减小PN结的面积6. 半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为（）A. 费米能级B. 禁带宽度C. 载流子浓度D. 电子亲和能7. 半导体激光器的工作原理是基于（）A. 电子的漂移B. 电子的扩散C. 电子和空穴的复合D. 电子的量子隧穿8. 在半导体器件中，温度升高时，PN结的正向偏置电压将（）A. 增大B. 减小C. 保持不变D. 先增大后减小9. 下列哪个因素会影响半导体材料的载流子寿命？（）A. 温度B. 掺杂浓度C. 晶格缺陷D. 所有上述因素10. 半导体器件的可靠性测试中，通常采用哪种方法来加速器件老化？（）A. 增加工作电压B. 增加工作温度C. 增加工作频率D. 增加工作电流二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述半导体材料的导电机制，并解释为什么半导体的导电性能可以通过掺杂来调控。
2. 解释什么是PN结，并描述PN结在正向偏置和反向偏置时的物理现象。
3. 说明MOSFET的工作原理，并简述其在集成电路设计中的应用。
三、计算题（每题25分，共50分）1. 假设一个PN结的正向偏置电压为0.7V，求在室温下（T=300K）的扩散电流和漂移电流。
半导体的基础知识试题
第一章半导体的基础知识一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为、和三大类。
2、电子技术的核心是半导体，它的三个特性是：、、3、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子叫做，带负电的载流子叫做；N型半导体中多数载流子是，P型半导体中的多数载流子是。
4、PN结具有性能，即：加电压时PN结导通，加电压时PN结截止。
5、二极管的主要特性是具有。
二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电流会，这时二极管处于状态。
6、晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向，反向的特性。
导通后，硅管的管压降约为，锗管约为。
7、整流电路将交流电变为直流电，滤波电路将直流电变为的直流电。
8、整流电路按整流相数，可分为与两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为与两种。
9、把脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为。
10、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗，对直流电的阻抗的特性，整流后的脉动直流电中的交流分量由电容，只剩下直流分量加到负载的两端。
二、选择题1、稳压管（）A、是二极管B、不是二极管C、是特殊二极管2、稳压管电路如图1—1所示，稳压管的稳压值为（）A、6.3VB、0.7VC、7VD、14V3、稳压管稳压电路如图1—2所示，其中U Z1=7V、U Z2=3V，该电路输出电压为（）A、0.7VB、1.4VC、3VD、7V4、NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、掺入杂质元素不同C、P区和N区的位置不同5、三极管的I CEO大，说明其（）A、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长D、热稳定性差6、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V,m则（）A、1为e 2为b 3为cB、1为e 2为c 3为bC、1为b 2为e 3为cD、1为b 2为c 3为e7、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（ ）A 、i cB 、U CEC 、I bD 、i E8、P 型半导体中空穴多于自由电子，则P 型半导体呈现的电性为（ ）。
(完整版)常用半导体器件选择复习题
第4章常用半导体器件-选择复习题1•半导体的特性不包括 ______________ 。
A.遗传性B.光敏性C.掺杂性D. 热敏性2. 半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为A.漂移运动B. 扩散运动C.3. ______________________________________ N型半导体中的多数载流子是____________________________________________ 。
A.自由电子B.电子C.4. P型半导体中的多数载流子是_A.空穴B.5•本征半导体中掺微量三价元素后成为A.P 型B.N6•本征半导体中掺微量五价元素后成为A. N型7.在PN结中由于浓度的差异，是有序运动空穴D.OD.同步运动光子O电子C.自由电子 D.____________ 半导体。
型 C. 复合型 D. 导电型____________ 半导体。
型 C. 复合型 D. 导电型光子B. P空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就漂移运动再封装起来，B. 三极管9.当外电场与内电场方向相同时，阻挡层A.变厚B. 变薄10 .当外电场与内电场方向相反时，阻挡层A.变薄B. 变厚11. PN结的基本特性是______________ 。
A.单向导电性B. 半导性C.电流放大性D. 绝缘性12 .晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构_A.截止区B. 发射区C. 基区D.集电区13 •稳压二极管一般要串______________ 进行工作，以限制过大的电流。
A电阻B 电容A.扩散运动&将一个PN结两端各加一条引线,A.二极管B. C.有序运动D.同步运动就成为一只C.电子管14 •下图电路中，设硅二极管管的正向压降为A. 0V B . 3VD.晶闸管电子不容易通过。
变为导流层，电子容易通过。
C. 消失D.变为导流层________________________ ?C. 消失D.电感 D 电源0V,C15 •下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V,则Y_______________ 。
(完整版)半导体器件基础测试题
第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
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D、稳压管是反向串接在电路中,即稳压管正极串接电路中电源的低电位,负极接电源的
高电位。
11、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，则
下列四种变化中正确的是。
A、UＩ↑→U0↑→IＷ↑→IＲ↑→UR↑→U0↓；
Ｂ、UI↑→Ｕ0↑→IＷ↓→IＲ↓→UR↓→Ｕ０↓；
C、UI↑→U０↓→ＩＷ↓→IR↑→UR↑→U0↓;
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：Ｃ、温度;D、晶体的缺陷。
３、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；Ｄ、发射结反偏、集电结反偏；
4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏；
C、发射结反偏、集电结正偏;Ｄ、发射结反偏、集电结反偏；
５、晶体三极管的饱和条件,下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏；
Ｃ、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；
6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、UＡO＝1５V；B、UAO=１2V；
Ｃ、UAＯ=－１2V；D、UAＯ=0V。
18、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。
A、UAO=6V；Ｂ、ＵAO＝–６Ｖ;
C、UAO=-12V；Ｄ、UＡＯ=12V。
1９、金属导体的电阻率随温度升高而，半导体的导电能力随温度的升高而。
A、升高/升高；Ｂ、降低／降低；C、升高/降低；D、降低/升高。
A、—12V；Ｂ、—6V；
C、+６V;D、+1２V。
７、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性;B、锗管使用在反向击穿区；
C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。
８、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
Ａ、用万用表的R×1０0或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极,指针偏转;
A、锗管PNＰ型高频小功率晶体管；B、锗管PＮP型低频大功率晶体管；
D、UI↑→U0↓→IＷ↓→IR↓→UR↓→Ｕ0↓。
12、对于三极管放大作用来说,下列说法中最确切的是。
Ａ、三极管具有电压放大作用；B、三极管具有功率放大作用;
C、三极管具有电流放大作用;D、三极管具有能量放大作用。
１3、对于二极管来说,下列说法中错误的是。
A、二极管具有单向导电性;Ｂ、二极管同样具有放大作用;
20、下列是PN结两端的电位值,使PN结导通的是。
A、Ｐ端接＋5V，N端通过一电阻接＋7Ｖ;
B、N端接+２V,P端通过一电阻接+7V；
C、P端接─３V，Ｎ端通过一电阻接＋7V；
Ｄ、Ｐ端接＋1V,N端通过一电阻接+６V。
２１、电路如图所示,Ｒ=1ＫΩ，设二管导通时的管压降为0.5Ｖ，则电压表的读数是。
15、 下图中两只二极管的导通状态是。
A、D１、D2导通;B、D１、D2截止；
C、D1导通、Ｄ２截止；Ｄ、D1截止、D2导通。
16、下图中二极管为理想二极管,则输出电压是。
A、ＵAO=1５V;B、ＵＡO=12V;
C、UAＯ=-１５V; D、UＡO=-12V。
１7、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。
C、二极管具有箝位功能；D、二极管具有开关等功能。
14、对于三极管的输入特性，下列说法正确的是。
A、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ｕbe之间的关系;
B、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Uce之间的关系；
C、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ｉc之间的关系;
D、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ｉe之间的关系;
Ｄ、输出电压值的范围介于0V — １V之间。
23、对于3ＡG１１Ｃ三极管的型号,下列说法正确的是。
A、锗管ＰNＰ型高频小功率晶体管;Ｂ、锗管PＮP型低频大功率晶体管;
Ｃ、硅管NPN型高频小功率晶体管；D、硅管ＮPN型低频大功率晶体管;
2４、对于3DＤ8０C三极管的型号,下列说法正确的是。
Ａ、锗管PNＰ型高频小功率晶体管;Ｂ、锗管PNP型低频大功率晶体管；
半导体器件基础测试题
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第一章半导体器件基础测试题(高三)
姓名班次分数
一、选择题
１、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子;Ｂ、空穴;
C、三价元素；D、五价元素。
Ｂ、用万用表的R×1０K的欧姆,黑棒接正极，红棒接负极,指针偏转；
Ｃ、用万用表的R×１00或R×100０的欧姆,红棒接正极,黑棒接负极,指针偏转;
Ｄ、用万用表的R×10,黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转;
9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、UA=3.5V, UB＝３.5V,Ｄ截止；
B、UA=3．5Ｖ,UB＝1.0V，D截止；
C、硅管ＮPN型高频小功率晶体管；D、硅管ＮPN型低频大功率晶体管；
2５、对于3DG12C三极管的型号，下列说法正确的是。
Ａ、锗管ＰNP型高频小功率晶体管;B、锗管PNP型低频大功率晶体管;
C、硅管NPN型高频小功率晶体管;D、硅管ＮＰN型低频大功率晶体管
26、对于3AD３０Ｂ三极管的型号,下列说法正确的是。
C、UA=1．0Ｖ，UＢ＝３.5V,D导通；
D、UA=1.0V,UＢ=1.0V，D截止。
１0、稳压二极管在电路中的接法Fra bibliotek正确的说法是。
A、稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负极；
Ｂ、稳压管是反向并接在电路中,即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正极；
C、稳压管是正向串接在电路中,即稳压管正极串接电路中电源的高电位,负极接电源的
A、0.5V;Ｂ、1５V；
C、３V；Ｄ、以上答案都不对。
22、如图所示,设输入信号ui为正弦波，幅值为1V,二极管导通时正向电压降为0．６V，
关于输出信号u０波形的说法,正确的是。
A、输出电压值的范围介于-0.６V — +０.6V之间;
B、输出电压值的范围介于-０V — +0．6Ｖ之间;
Ｃ、输出电压值的范围介于-0.6V — ０V之间；