HIR12-21C-TR8,贴片发射管,850波长

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HIR12-21C-TR8,贴片发射管,850波长

HIR12-21C-TR8,贴片发射管,850波长预览说明:预览图片所展示的格式为文档的源格式展示,下载源文件没有水印,内容可编辑和复制EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.DEVICE NUMBER : DTH-012-023 REV : 1.0ECN : PAGE : 1/8 Chip Infrared LED with Right Angle LensMODEL NO :HIR12-21C/TR8Features :High radiant intensityPeak wavelength p=850nmView angle 145High reliabilitySmall double-end packageDescription :HIR12-21C/TR8 is an infrared emitting diode in miniature SMD package molded in awater clear plastic with right angle lens .The spectrally device is matched silicon withphotodiode and phototransistor.Applications :PCB mounted infrared sensorIR diode in low space applicationInfrared applied systemFloppy disk driveCHIPLENS COLORPART NO.MATERIALHIR GaAlAs Water ClearEVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.1.All dimensions are in millimeter.2.General tolerance: 0.1mm3.Lens color Water Clear.4.Above specification may be changed without notice. EVERLIGHT will reserve authorityOn material change for above specification.5.These specification sheets include materials protected under copyright of EVERLIGHTcorporation . Please don’t reproduce or cause anyone to reproduce them withoutEVERLIGHT’s consent.6.When using this product , please observe the absolute maximum ratings and theinstructions for use outlined in these specification sheets. EVERIGHT assumes noresponsibility for any damage resulting from use of the product which does not complywith the absolute maximum ratings and the instructions included in these specificationsheets.Chip Infrared LED with Right Angle LensMODEL NO :HIR12-21C/TR8Absolute Maximum Ratings at T A = 25ParameterSymbol RatingUnit NoticeContinuous Forward Current I F mA Peak Forward CurrentPulse width=100 s,Duty cycle=1 I FP A Reverse Voltage V R V Operating Temperature Topr Storage Temperature Tstg Soldering TemperatureTsol Power Dissipation at(or below)25 Free Air Temperature PdElectronic Optical Characteristics :ParameterSymbolMin.Typ.Max.UnitConditionI F =20mAI F =100mA,tp=100 s, t P /T=0.01Radiant Intensity Ee mW/sr I F =1A,tp=100 s, t P /T=0.01Peak Wavelength P nm I F =20mA Spectral BandwidthnmI F =20mA I F =20mAI F =100mA,tp=100 s, t P /T=0.01Forward Voltage V F V I F =1A,tp=100 s, t P /T=0.01Reverse Current I R A V R =5V View Angle2 1/2degI F =20mATo Distinguish Intensity: Condition:I F =20mABin NumberE F G Min 0.700.95 1.20Max1.251.601.95EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.DEVICE NUMBER : DTH-012-023 REV : 1.0ECN : PAGE : 6/8 Chip Infrared LED with Right Angle LensMODEL NO :HIR12-21C/TR8Reliability Test Item And ConditionThe reliability of products shall be satisfied with items listed below.Confidence level:90%EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.DEVICE NUMBER : DTH-012-023 REV : 1.0ECN : PAGE : 7/8 Chip Infrared LED with Right Angle LensMODEL NO :HIR12-21C/TR8Test Method For Power :Condition : !Test Item : "Unit : mW/srEVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.DEVICE NUMBER : DTH-012-023 REV : 1.0ECN : PAGE : 8/8 Chip Infrared LED with Right Angle LensHIR12-21C/TR8MODEL NO :Packing Quantity Specification1. 2000 Pcs/1 Volume 1 Volume/1Bag2. 55 Bags/1CartonHIR12-21C/TR8。

HIR12-21C中文资料

元器件交易网Technical Data Sheet Chip Infrared LED With Right Angle LensHIR12-21C/TR8Features․High reliability ․Small double-end package ․Peak wavelength λp=850nm ․Package in 8mm tape on 7” diameter reel ․Low forward voltage ․Pb free ․The product itself will remain within RoHS compliant version.DescriptionsHIR12-21C/TR8 is an infrared emitting diode in miniature SMD package which is molded in a water clear plastic with right angle lens. The device is spectrally matched with silicon photodiode and phototransistor.Applications․PCB mounted infrared sensor ․Infrared remote control units with high power requirement ․Smoke detector ․Infrared applied systemDevice Selection Guide LED Part No.HIRChip MaterialGaAlAsLens ColorWater clearEverlight Electronics Co., Ltd. Device No：DTH-012-023http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 1 of 10Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网HIR12-21C/TR8Package DimensionsNotes: 1.All dimensions are in millimeters 2.Tolerances unless dimensions ±0.1mmAbsolute Maximum Ratings (Ta=25℃)Parameter Continuous Forward Current Peak Forward Current Reverse Voltage Operating Temperature Storage Temperature Soldering Temperature Power Dissipation at(or below) 25℃Free Air Temperature Symbol IF IFP VR Topr Tstg Tsol Pd Rating 65 1.0 5 -25 ~ +85 -40 ~ +85 260 130 Units mA A V ℃ ℃ ℃ mWNotes: *1:IFP Conditions--Pulse Width≦100μs and Duty≦1%. *2:Soldering time≦5 seconds.Everlight Electronics Co., Ltd. Device No：DTH-012-023http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 2 of 10Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网HIR12-21C/TR8Electro-Optical Characteristics (Ta=25℃)Parameter Radiant Intensity Peak Wavelength Spectral Bandwidth Forward Voltage Reverse Current View Angle Symbol Ee λp Δλ Condition IF=20mA. IF=100mA Pulse Width≦100μs ,Duty≦1%Min. 0.7 --------Typ. 1.3 7.0 850 45 1.45 1.80 -145Max. ----1.65 2.40 10 --Units mW /sr nm nmIF=20mA IF=50mA IF=20mAVF IR 2θ1/2. IF=100mA Pulse Width≦100μs ,Duty≦1%V μA degVR=5V IF=20mAEverlight Electronics Co., Ltd. Device No：DTH-012-023http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 3 of 10Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网HIR12-21C/TR8Typical Electro-Optical Characteristics CurvesFig.1 Forward Current vs. Ambient Temperature Fig.2 Spectral Distribution140 120 100 80 60 40 200100 80 60 40 20 0IF=20mA Ta=25° C-25020406080100790 810 830 850 870 890 910 930 950Fig.3 Peak Emission Wavelength Ambient Temperature900Fig.4 Forward Current vs. Forward Voltage 4 108753 108502 108251 10800 -250255075100012345678Everlight Electronics Co., Ltd. Device No：DTH-012-023http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 4 of 10Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网HIR12-21C/TR8Typical Electro-Optical Characteristics CurvesFig.5 Relative Intensity vs. Forward Current Fig.6 Relative Radiant Intensity vs. Angular Displacement100Ie-Radiant Intensity(mW/sr)-20-1001020 30101.0 0.9 0.8 0.740 50 60 70 80 0.6 0.4 0.2 0 0.2 0.4 0.610 10010110210310 4IF-Forward Current (mA)Fig.7 Relative Intensity vs. Ambient Temperature(°C) Fig.8 Forward Voltage vs. Ambient Temperature(°C)1.4IF=20mA1.61.31.4IF=20mA1.21.211.125 50 75 100 120255075100120Everlight Electronics Co., Ltd. Device No：DTH-012-023http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 5 of 10Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网HIR12-21C/TR8Precautions For Use1. Over-current-proof Customer must apply resistors for protection , otherwise slight voltage shift will cause big current change ( Burn out will happen ). 2. Storage 2.1 Do not open moisture proof bag before the products are ready to use. 2.2 Before opening the package, the LEDs should be kept at 30℃ or less and 90%RH or less. 2.3 The LEDs should be used within a year. 2.4 After opening the package, the LEDs should be kept at 30℃ or less and 70%RH or less. 2.5 The LEDs should be used within 168 hours (7 days) after opening the package. 2.6 If the moisture absorbent material (silica gel) has faded away or the LEDs have exceeded the storage time, baking treatment should be performed using the following conditions. Baking treatment : 60±5℃ for 24 hours. 3. Soldering Condition 3.1 Pb-free solder temperature profile3.2 Reflow soldering should not be done more than two times. 3.3 When soldering, do not put stress on the LEDs during heating. 3.4 After soldering, do not warp the circuit board.Everlight Electronics Co., Ltd. Device No：DTH-012-023http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 6 of 10Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网HIR12-21C/TR84.Soldering Iron Each terminal is to go to the tip of soldering iron temperature less than 280℃ for 3 seconds within once in less than the soldering iron capacity 25W. Leave two seconds and more intervals, and do soldering of each terminal. Be careful because the damage of the product is often started at the time of the hand solder. 5.Repairing Repair should not be done after the LEDs have been soldered. When repairing is unavoidable, a double-head soldering iron should be used (as below figure). It should be confirmed beforehand whether the characteristics of the LEDs will or will not be damaged by repairing.Everlight Electronics Co., Ltd. Device No：DTH-012-023http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 7 of 10Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网HIR12-21C/TR8Reliability Test Item And Condition The reliability of products shall be satisfied with items listed below. Confidence level：90% LTPD：10% NO. Item Test Conditions Test Hours/ Sample Cycles Sizes 22pcs 22pcs IR≧U×2 Ee≦L×0.8 VF≧U×1.2 U：Upper Specification Limit L：Lower Specification Limit Failure Judgement Criteria Ac/Re1 REFLOW Soldering TEMP.：260℃±5℃ 6Mins 5secs 15mins 50Cycles 2 Temperature Cycle H : +100℃ 5mins L : -40℃ 15mins 3 Thermal Shock H :+100℃ L :-10℃ 4 High Temperature Storage 5 Low Temperature Storage 5mins 50Cycles 10secs 5mins 1000hrs 1000hrs 1000hrs 1000hrs0/1 0/122pcs0/1TEMP.：+100℃ TEMP.：-40℃22pcs 22pcs 22pcs 22pcs0/1 0/1 0/1 0/16 DC Operating Life IF=20mA 7 High Temperature/ 85℃ / 85% R.H High HumidityEverlight Electronics Co., Ltd. Device No：DTH-012-023http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 8 of 10Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网HIR12-21C/TR8Package DimensionsTaping DimensionsUnit:mmEverlight Electronics Co., Ltd. Device No：DTH-012-023http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 9 of 10Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网HIR12-21C/TR8Packing Quantity Specification1.2000Pcs/1Volume，1Volume/1Bag 2.10Boxes/1CartonLabel Form SpecificationCPN: Customer’s Production Number P/N : Production Number QTY: Packing Quantity CAT: Ranks HUE: Peak Wavelength REF: Reference LOT No: Lot Number MADE IN TAIWAN: Production PlaceRoHSHIR12-21C/TR8Notes1. Above specification may be changed without notice. EVERLIGHT will reserve authority on material change for above specification. 2. When using this product, please observe the absolute maximum ratings and the instructions for using outlined in these specification sheets. EVERLIGHT assumes no responsibility for any damage resulting from use of the product which does not comply with the absolute maximum ratings and the instructions included in these specification sheets. 3. These specification sheets include materials protected under copyright of EVERLIGHT corporation. Please don’t reproduce or cause anyone to reproduce them without EVERLIGHT’s consent.EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD. Office: No 25, Lane 76, Sec 3, Chung Yang Rd, Tucheng, Taipei 236, Taiwan, R.O.CTel: 886-2-2267-2000, 2267-9936 Fax: 886-2267-6244, 2267-6189, 2267-6306 http:\\Everlight Electronics Co., Ltd. Device No：DTH-012-023http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 10 of 10Prepared by：Jaine Tsai。

IR26-21C-L110-TR8 贴片红外发射管规格

11.6mm round Subminiature Infrared LEDIR26-21C/L110/TR8Features․Small double-end package ․Low forward voltage․Good spectral matching to Si photo detector ․Package in 12mm tape on 7 diameter reel.․Pb free․The product itself will remain within RoHS compliant version.Descriptions․IR26-21C/L110/TR8 is an infrared emitting diode in miniature SMD package which is molded in a water clear plastic with spherical top view lens. The device is spectrally matched with silicon photodiode and phototransistorApplications․PCB mounted infrared sensor․Infrared emitting for miniature light barrier ․Floppy disk drive ․Optoelectronic switch ․Smoke detectorDevice Selection GuidePart CategoryChip Material Lens Color IRGaAlAsWater ClearPackage DimensionsNotes: 1.All dimensions are in millimeters2.Tolerances unless dimensions 0.1mm 23Absolute Maximum Ratings (Ta=25 )ParameterSymbol Rating Units Continuous Forward Current I F 65mA Reverse Voltage V R 5V Operating Temperature T opr -25 ~ +85 Storage Temperature T stg -40 ~ +85 Soldering Temperature *1T sol 260 Power Dissipation at(or below)25 Free Air TemperatureP d130mWNotes: *1:Soldering time 5 seconds.Electro-Optical Characteristics (Ta=25 )Parameter Symbol Condition Min.Typ.Max.Units Radiant Intensity Ie I F =20mA 1.0 3.0--mW /sr Peak Wavelength p I F =20mA --940--nm Spectral Bandwidth I F =20mA --45--nm Forward Voltage V F I F =20mA -- 1.2 1.5V Reverse Current I R V R =5V ----10 A View Angle2 1/2I F =20mA--20--deg4-254020601008020Fig.3 Forward Current vs. Fig.4 Relative Intensity vs. Forward Voltage Forward Currentn s i t y (m W /s r )10010005Precautions For Use1. Over-current-proofCustomer must apply resistors for protection , otherwise slight voltage shift will cause bigcurrent change ( Burn out will happen ).2. Storage2.1 Do not open moisture proof bag before the products are ready to use.2.2 Before opening the package, the LEDs should be kept at 30 or less and 90%RH or less.2.3 The LEDs should be used within a year.2.4 After opening the package, the LEDs should be kept at 30 or less and 70%RH or less.2.5 The LEDs should be used within 168 hours (7 days) after opening the package.2.6 If the moisture absorbent material (silica gel) has faded away or the LEDs have exceeded thestorage time, baking treatment should be performed using the following conditions.Baking treatment : 60 5 for 24 hours.3. Soldering Condition3.1 Pb-free solder temperature profile3.2 Reflow soldering should not be done more than two times.3.3 When soldering, do not put stress on the LEDs during heating.3.4 After soldering, do not warp the circuit board.674.Soldering IronEach terminal is to go to the tip of soldering iron temperature less than 350 for 3 seconds within once in less than the soldering iron capacity 25W. Leave two seconds and more intervals, and do soldering of each terminal. Be careful because the damage of the product is often started at the time of the hand solder.5.RepairingRepair should not be done after the LEDs have been soldered. When repairing isunavoidable, a double-head soldering iron should be used (as below figure). It should be confirmedbeforehand whether the characteristics of the LEDs will or will not be damaged by repairing.Carrier Taping Dimensions:Loaded Quantity 1500PCS/ReelNote:The tolerances unless mentioned is0.1mm, Unit = mm89Label Form SpecificationCPN: Customer’s Production Number P/N : Production Number QTY: Packing Quantity CAT: RanksHUE: Peak Wavelength REF: ReferenceLOT No: Lot NumberNotes1.Above specification may be changed without notice. EVERLIGHT will reserve authority on material change for above specification.2.When using this product, please observe the absolute maximum ratings and the instructions for using outlined in these specification sheets. EVERLIGHT assumes no responsibility for any damage resulting from use of the product which does not comply with the absolute maximum ratings and the instructions included in these specification sheets.3.These specification sheets include materials protected under copyright of EVERLIGHTcorporation. Please don’t reproduce or cause anyone to reproduce them without EVERLIGHT’s consent.。

红外线发射接收管

红外线发射接收管IR/PT/PD产品介绍——超毅电子今天超毅小编为大家分享红外线发射接收管IR/PT/PD产品的详细资料，希望能帮到大家进一步开发应用。

红外线发射接收管IR/PT/PD，以产品波长范围分类，可分为：可见光400~700nm、紫外線,X-ray400nm以下、紅外線,無線電波700nm以上三大类。

其中，紫外线和红外线属不可见光，目前，不可见光的波长范围有：红外线发射管（940nm---IR、850nm---HIR、875nm---SIR），红外线接收管PT/PD（400~1100nm、700~1100nm、760~1100nm、840~1100nm）红外线发射接收管IR/PT/PD，以产品外形分类，可分为：直插Lamp型、贴片SMD 型、Side LookIR (Infrared Emitter Diode)红外线发射管原理介绍1.发光二极管2.将电能转换成光能3.工作方式：输入—顺向电流产品特性：1.High reliability 高性能2.Low voltage 低电压3.High radiant power 高辐射功率PT (Photo Transistor)光敏二极管或红外线接收管原理介紹1.光电晶体(NPN电晶体)2.将光能转换成电能3.工作方式供给一工作电压(VCE)PT产品的主要特性:1.High reliability 高性能2.Low cost 低成本3.Match visible light and nearInfrared range usage. 匹配可见光及近红外光产品使用4.No Base connection 无需基极连接5.High spectral sensitivity高光谱灵敏度PD (Photodiode)光敏三极管或红外线接收管原理介绍1.光二极体(PN二极体)2.将光能转换成电能3. 工作方式供给—逆向电压(Vr)PD产品的主要特性:1.High reliability 高性能2.High spectral sensitivity高光谱灵敏度3.Matches visible light and near Infrared range usage可匹配可见光及近红外光产品使用4.Low noise 低杂讯IR/PT/PD产品的应用电视遥控器上、安全光栅、空调遥控器、玩具遥控、CCD相机、一般的光学传感器、红外线触摸屏、烟雾感应器、3D眼镜、小家电、扫描仪、游戏机、投币机、安防产品、科教产品、感应洁具、光学微型投影机、验钞机、油质检测仪、车载DVD、工业电脑、音响、医疗设备等周边产品IR/PT/PD常用料号：IR908-7C-F、IR928-6C-F、IR333C-6-A、PD333-3C、HIR333C-A、IR333C-A、IR204-H60、PT204-6B、IR204-A,PT204-6B、IR928-6C、PT91-21B、PD95-21B-TR10等广州市超毅电子有限公司。

激光二极管的波长

激光二极管的波长激光二极管是一种常见的激光器件，其波长对于激光的应用具有重要意义。

本文将介绍激光二极管的波长特性及其在不同领域的应用。

一、激光二极管波长的定义与特性激光二极管是一种半导体激光器件，其工作原理是通过注入电流激发半导体材料产生激光。

激光二极管的波长通常指的是其发出的激光光束的波长。

激光二极管的波长范围广泛，可以覆盖从红外到紫外的全波段。

常见的波长有650纳米（nm）、785nm、808nm、980nm等，其中808nm和980nm波长的激光二极管在工业和医疗领域中应用较为广泛。

二、激光二极管波长的应用领域1. 通信领域：激光二极管的波长在通信领域有着广泛的应用。

例如，1550nm波长的激光二极管被用于光纤通信系统中的光信号传输。

其波长特性使其具有较低的光纤损耗，并且能够穿透较长距离的光纤。

2. 医疗领域：激光二极管的波长在医疗领域也有着重要的应用。

例如，808nm和980nm波长的激光二极管被广泛应用于激光治疗和激光手术中。

这两种波长的激光具有较高的组织穿透力，能够实现对深层组织的治疗和手术。

3. 工业领域：激光二极管的波长在工业领域中也有着广泛的应用。

例如，980nm波长的激光二极管被用于激光打标、激光切割和激光焊接等工艺中。

其波长特性使其能够实现对不同材料的高效加工。

4. 显示领域：激光二极管的波长在显示领域中也有着应用。

例如，红色和绿色激光二极管的波长被用于激光投影仪和激光显示器中，能够实现高亮度和高对比度的显示效果。

三、激光二极管波长的选择与优化在不同的应用领域中，选择合适的激光二极管波长非常重要。

波长的选择应考虑到材料的吸收特性、光纤传输特性、组织穿透力等因素。

同时，激光二极管的波长也可以通过调节温度或施加外部电场进行优化，以满足不同应用的需求。

激光二极管的波长是其重要的特性之一，不同波长的激光二极管在不同领域中具有各自的应用优势。

正确选择和优化激光二极管的波长，能够实现更高效、更精确的激光应用。

四方面浅谈850nm红外发射管基本知识-中国LED网

四方面浅谈850nm红外发射管基本知识2006年6月30日 8:55 来源：中国安防网从2004年开始，红外发射管在安防行业的应用越来越普及，其主要用在红外一体目前，红外一体机的制造集中在珠三角，大约有500家生产企业，其中以台湾、香港等外资企业势力较强，其产品全部外销，而其它绝大多数是中小型私人企业，其产品以内外销结合方式销售，而红外灯的制造企业以京津地区和东北地区为主，大约200家左右，其产品几乎全部内销。

受国家相关政策的影响，安防行业还将有三到五年的高速发展期，将会有更多企业进入此行业。

然而，目前很多企业技术不成熟，设计产品时进入误区，一心追求距离，希望找到距离又远监控范围又广的红外LED，其实这是不明智的，鉴于此，在此给更多的朋友介绍一些发射管的知识，希望对大家有所帮助。

一、发射管晶片目前850nm发射管晶片主要由日本、台湾、韩国、德国、大陆企业提供，而台湾大陆企业的晶片，其外延片主要来自于日本和韩国，功率、光衰最好的是日本制造的，台湾鼎元的外延片来自于日本，其提供的晶片在该行业的口碑也较好。

目前,日本晶片厂除对外提供外延之外，其已开始自己切割，这必将对台湾和大陆的晶片厂造成压力。

二、850nm发射管的封装目前做850nm发射管封装的公司很多，但是其懂得封装的细节，懂得封装细节对发射管影响的公司很少;要封装出品质好的IR发射管，首先要选好材料，主要材料是晶片、银浆、胶水、支架等；晶片的选择决定其功率、光衰，目前用日本和台湾的晶片最好；银浆的选择对其死灯现象影响较大，目前最好的银浆来自日本和英国；胶水决定其耐热性能，目前最好的胶水是台湾原厂的，其应力好，耐高温，封出的IR发射管表面偏雾和略偏黄，有的公司使用的胶水很透明有些偏兰的感觉，这种胶水用于一般的LED还可以，但不适合封装IR发射管，其不耐高温、进行波峰焊（浸焊）易死灯。

三、850发射管的选择一般的一体机设计距离较近，一般适用较大角度的IR发射管，市场上最通用45、60度角，可选择一般晶片，最好还是选择日本和台湾的，市场上用12Pcs、14Pcs、18Pcs、24Pcs发射管的一体机，常用此类产品一般开发距离在5-20米，若开发20米以上的一体机，必需建议使用日本和台湾晶片，如28Pcs、36Pcs、48Pcs、64Pcs等产品，同时需选用较小角度的效果会更好。

常用高频发射管

常用高频发射三极管、发射场效应管、发射电子管、发射模块砷化镓(GaAS)场效应发射管MOS型AB类场效应发射管 (28V)双极型 A、AB类发射管 24V双极型丙类无线发射管(13.5V)摩托罗拉(MOTOROLA)专用发射管用于高频发射的电子管的型号及作用FU-13 发射管功率放大FU-15 发射管功率放大及振荡FU-15J 发射管功率放大及振荡FU-17 发射管功率放大及高频振荡FU-17T 发射管功率放大及高频振荡FU-19 发射管功率放大及高频振荡FU-25 发射管高低频功率放大,倍频,振荡和阳极调幅FU-27F 发射管 110Hz以下功率放大,振荡和调幅FU-29 发射管米波范围内作功率放大,振荡以及在短波范围内作线性放大FU-29T 发射管米波范围内作功率放大,振荡以及在短波范围内作线性放大FU-31 发射管米波波段作功率放大和振荡FU-32 发射管米波波段作功率放大和振荡FU-32T 发射管米波波段作功率放大和振荡FU-33 发射管功率放大和振荡FU-400F 发射管大功率音频扩大机,电视发射机FU-46 发射管高频放大,振荡,倍频,调频FU-483F 发射管超高频振荡FU-5 发射管调幅及低频功率放大FU-50 发射管功率放大和高频振荡FU-500F 发射管无线电设备中功率放大和振荡FU-50J 发射管功率放大和高频振荡FU-7 发射管高低频功率放大,倍频,振荡和阳极调幅FU-80 发射管 50MHz频率以下作功率放大和振荡FU-80J 发射管 50MHz频率以下作功率放大和振荡FU-81 发射管功率放大和振荡FU-811 发射管功率放大和振荡FU-81J 发射管功率放大和振荡常用高频发射管资料与代换部分大功率功放模块和常用高频发射管的参数！高频功率放大模块t"Io*型号频率功率型号频率功率gE\MM57704EL 335-360M 13W M67741L 135-160M 30W Y]O7 M57704L 400-420M 13W M67741H 150-175M 30W kM57704H 450-470M 13W M67742 68-88M 30W 14)M57706 145-175M 8W M67743L 68-81M 7W oM57710A 156-160M 30W M67743H 77-88M 7W XM57716 430-450M 17W M67748L 135-150M 7W AqvKh@ M57719L 135-145M 14W M67748H 150-175M 7W ?31xM57719 145-175M 14W M67749L 400-430M 7W L-gM57721L 350-400M 7W M67749H 440-470M 7W BKS!M57726 144-148M 43W M67760LC 806-870M 20W iQaM57729EL 335-360M 30W M67775 1465-1477M 7.5W wPp M57729SL 360-380M 30W M67776H 896-941M 5W CS~oM57729UL 400-420M 30W 4(M57729L 400-420M 30W M67781L 135-160M 40W D/4PN M57729H 450-470M 30W M67781H 150-175M 40W {di6M57735 50-54M 19W M67783 1240-1300M 1.4W ZJM57737 144-148M 30W M67789 1465-1477M 3W "M57774 220-225M 30W M68702L 135-160M 60W 'vUPM57775 806-866M 0.4W M68702H 150-175M 60W #RC'#/ M57782 824-851M 7W M68703LA 400-430M 50W rEG =a M57788M 430-450M 40W M68703HA 440-470M 50W I*M57796MA 144-148M 7W M68706 250-270M 30W w_NdM57796H 150-175M 7W M68710L 400-430M 2W 5p#dM57797MA 430-450M 7W M68711 889-915M 3.8W :e`/`M57797H 450-470M 7W M68721 118-137M 10W &M67702 150-175M 60W M68729 220-245M 30W )4M67709L 350-390M 13W M68732SL 330-380M 7W aQq'M67711 1240-1300M 16W M68743H 896-941M 3.8W ]vP7 M67715 1240-1300M 1.2W M68745L 806-870M 3.8W z\\M67723H 276-284M 1.5W M68745H 896-941M 3.8W I[_M67730L 175-200M 30W MHW803-3 870-905M 3W 75M67732 1240-1300M 1W S-A V17 144-148M 60W IV%M68762SL 360-380M 30W M68732H 118-137M 10W Do2xD常用发射三级管资料oX©『中国业余无线电』-- 『中国业余无线电』X型号功率增益电压频率工作状态封装123脚:[E©『中国业余无线电』-- 『中国业余无线电』l2N3375 10W 5dB 28V 400MHz FM/AM/SSB TO-60]P2N3553 2,5W 10dB 28V 175MHz FM/AM TO-39 C B E2S\PD2N3632 20W 7dB 28V 175MHz FM TO-60g2N3866 5W 10dB 28V 400MHz WINTransceiver TO-39 C B E S2N3924 4W 6dB 13,6V 175MHz WINTransceiver TO-39?|.B2N4427 2W 10dB 12V 175MHz WINTransceiver TO-39l8N42N5108 1W 5dB 24V 1200MHz WINTransceiver TO-39 ]$Q2N5109 3,5W 11dB 15V 200MHz WINTransceiver TO-39({;8[#2N5421 3W 9dB 13,5V 175MHz WINTransceiver TO-39p7iTn2N5913 2W 7dB 12,5V 175MHz WINTransceiver TO-39h~}ETQ2N5943 1W 8dB 15V 400MHz FM TO-39z.2SC730 0,8W 10dB 13,5V 175MHz FM TO-39 C B E|2SC1096 10W60MHz FM TO-2205Aa^2SC1173 10W100MHz FM/AM/SSB TO-220-SF?:S2SC1306 16W30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E P6Di!Y2SC1307 16W 12dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E~|97WO 2SC1590 5W 10dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C L(2SC1591 14W 7,5dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C%2SC1678 5W 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E ZuG_N32SC1728 8W 80MHz WINTransceiver TO-202 E B C a2SC1729 14W 10dB 13,5V 175MHz FM T-31E D~FW2SC1909 10W 14,5dB 13,5V 50MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E(S#K,2SC1944 13W 11,1dB 12V 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E>s?1Q2SC1945 16W 14,5dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B E C"&G02SC1946 25W 6,7dB 13,5V 175MHz FM T-31E{![5RK2SC1946A 30W 10dB 13,5V 175MHz FM T-31E l2SC1947 3W 10dB 13,5V 175MHz FM TO-39 C B E O2SC1957 1,8W 17dB 12V 30MHz WINTransceiver TO-126 E C B i@T2SC1966 3W 7,8dB 13,5V 470MHz FM T-31E_X52SC1967 7W 6,7dB 13,5V 470MHz FM T-31E Kf2SC1968 14W 3,7dB 13,5V 470MHz FM T-31E>AS%e2SC1968A 14W 5,4dB 13,5V 470MHz FM T-31E]Nv)2SC1969 18W 12dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E ZGtG]2SC1970 1,5W 10dB 13,5V 175MHz WINTransceiver TO-220 B E C~DmS7# 2SC1971 7W 10dB 13,5V 175MHz WINTransceiver TO-220 B E C jVWs2SC1972 14W 10dB 13,5V 175MHz WINTransceiver TO-220 B E C]e^0i2SC1973 1W 50MHz WINTransceiver TO-92L B C E fcPr2SC1974 13W 10dB 13,5V 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E'S2SC1975 4W 10dB 13,5V 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E l'.2SC2028 1,8W 30MHz WINTransceiver TO-126 E C B>52SC2029 6W 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E&Q2SC2036A 1,4W WINTransceiver TO-202 B C E_)bN{Q2SC2050 10W 12dB 13,5V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E n,C_2SC2053 0,2W 15,7dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E GjVm02SC2055 0,25W 15,3dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E t2SC2056 1,5W 9dB 12V 175MHz FM TO-39 C B E p\=_2SC2075 4W 13,5V 27MHz WINTransceiver TO-220 B C E yc42SC2078 4W 13dB 12V 100MHz FM/AM TO-220 B C E Cgb}2SC2086 0,45W 13dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E#g{2SC2092 4W 13dB 12V 100MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E M2SC2094 15W 8,8dB 13,5V 175MHz FM/AM/SSB T-31E tS;2SC2166 6W 13,8dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E e7/~2SC2207 16W WINTransceiver TO-220 B C E mt2SC2237 6W 13,8dB 13,5V 175MHz FM T-31E?)B32SC2312 18,5W27MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E q+J2SC2314 1,8W 17dB 12V 180MHz FM/AM TO-126 E C B O2SC2509 13W 14dB 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E$Y!2SC2527 60W WINTransceiver TO-220V2SC2538 0,6W 10dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E iny2SC2539 14W 14,5dB 13,5V 175MHz FM T-31E fhm02SC2660 30W30MHz WINTransceiver TO-220DF2SC2695 23W 1,9dB 13,5V 520MHz FM T-31E X4@SK2SC3001 6W 13dB 7,2V 175MHz FM T-31E|2SC3017 1W 11dB 13,5V 175MHz FM TO-39 C B E A*2SC3018 3W 13dB 7,2V 175MHz FM T-31E=.2SC3020 3W 10dB 12,5V 520MHz FM T-31E:/a`"2SC3021 7W 7,7dB 12,5V 520MHz FM T-31E3A= x&2SC3022 18W 4,8dB 12,5V 520MHz FM T-31E M)5L|(2SC3103 2,8W 6,7dB 7,2V 520MHz FM T-31E GOIF/22SC3104 6W 4,8dB 7,2V 520MHz FM T-31E T4os2SC3133 13W 14dB 12V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220 B E C W2SC3297 15W100MHz WINTransceiver TO-220Qu2SC3299 20W WINTransceiver TO-220#2SC3668 1W 100MHz WINTransceiver g$F<&.2SC3807 15W260MHz WINTransceiver TO-126s2SC4137 4W 400MHz WINTransceiver TO-126$cv_B<2SC4693 FM/AM TO-92L B C E Q]4KTC1006 1W100MHz FM/AM TO-92L E C B CKTC1969 16W 12dB 12V 100MHz FM/AM TO-220 B C E t,=XcuKTC2078 4W 11dB 12V 100MHz FM/AM TO-220 B C E 6&PYNMRF161 5W 13,5dB 12,5V 225-500MHz FM/AM TO-220 B E C~CcMy MRF162 15W 13,5dB 12,5V 225-500MHz FM/AM TO-220 B E C)MRF163 25W 12dB 12,5V 225-500MHz FM/AM TO-220 B E C$&X>5MRF237 4W 12dB 18V 175MHz WINTransceiver TO-390sj4vQMRF260 5W 10dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C^IMRF261 10W 5,2dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C[/MRF262 14W 7,5dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C`N>U`MRF264 30W 5,2dB 12,5V 136-174MHz WINTransceiver TO-220 B E C K&fh MRF340 8W 13dB 28V 70MHz WINTransceiver TO-220 B E C dMRF342 24W 11dB 28V 70MHz WINT ransceiver TO-220 B E C Sg95MRF344 60W 6dB 28V 70MHz WINTransceiver TO-220MuyUMRF454 80W 12dB 12,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB BgEMRF455 60W 13dB 12,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB i)2MRF475 12W 10dB 13,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E Y?Z- | MRF476 3W 15dB 13,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E|%lMRF477 40W 15dB 13,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220 B E C[JM;0 MRF479 15W 10dB 13,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220a/e<.iMRF485 15W 10dB 28V 1,5-30MHz WINTransceiver TO-220SMRF486 40W 15dB 28V 1,5-30MHz WINTransceiver TO-220i{JgODMRF496 40W 15dB 13,5V 1,5-30MHz WINTransceiver TO-220Y;g6MRF497 60W 10dB 13,5V 27-50MHz WINTransceiver TO-220 B E C Lm|kg MRF517 0,75W 10dB 20V 1000MHz WINTransceiver TO-39y]zmzjMRF607 1,75W 11,5dB 16V 175MHz WINTransceiver TO-39w>zMRF660 7W 5,4dB 12,5V 400-512MHz WINTransceiver TO-220#gz[MS1226 30W 18dB 28V 30MHz FM/AM/SSB z2j$AMS1227 20W 15dB 12,5V 30MHz FM/AM/SSB Xp&$Q无线电台常用高频发射管参数型号电流功率频率型号电流功率频率C1945 6A 20W 30MHz C2538 0.4A 0.7W 175MHzC1969 6A 20W 30MHz C2539 4A 35W 175MHzC2078 3A 10W 30MHz C2628 4A 40W 175MHzC2904 22A 200W 37MHz C2630 14A 100W 175MHzC1162 2.5A10W 37MHz C2694 20A 140W 175MHzC1946 7A 50W 175MHz C2905 15A 120W 520MHzC1947 1A 10W 175MHz C3101 1A 10W 520MHzC1970 0.6A5W 175MHz C3102 18A 170W 520MHzC1971 2A 13W 175MHz C3022 7A 50W 520MHzC1972 4A 25W 175MHz C1947 1A 10W 175MHzC2053 0.3A0.6W 175MHz C1959 0.5A 0.5W 300MHz C2131 0.6A4W 520MHz C2068 0.5A 1.5W 95MHzC2407 0.2A0.6W 500MHz C2229 0.5A 0.8W 120MHz C2482 0.7A0.9W 50MHz。

红外发射管的光电参数介绍-bpshui-ChinaUnix博客

红外发射管的光电参数介绍-bpshui-ChinaUnix博客全部分类移动开发与应用WEB前端架构与运维程序设计数据库操作系统热点技术综合红外发射管的光电参数介绍1934阅读0评论2011-02-09bpshui分类：红外发射管一般有以下几类：·按峰值波長（λp）主要為：850nm、870nm、880nm、940nm、980nm。

·就POWER而言︰850nm>880nm>940nm。

·就价格而言︰850nm>880nm>940nm，现在市场上使用较多为850nm和940nm因为850nm发射功率大，照射的距离较远，所以主要用于红外监控器材上;而940nm主要用于家电类的红外遥控器上。

峰值波长︰λp(单位︰nm) 发光体或物体在分光仪上所量测的能量分布，其峰值位置所对应的波长，称为峰值波长(λp)。

辐射强度︰Power(单位:W,W/sr,W/cm2)用以表示红外线发光二极管(IR)其辐射红外线能量之大小。

辐射强度(Power)与输入电流(If)成正比。

发射距离与辐射强度(Power) 成正比。

W/sr︰表示红外线辐射强度的单位，为IR发射红外线光之单位立体角(sr)所辐射出的光功率的大小。

W/cm2︰表示照度的单位，为sensor单位面积(cm2)所接收IR发射之辐射功率的大小。

国内常用X光机球管参数表

12°
300kHU
DR
RAY14
0.6/1.2
33/78
12°
350kHU
DSA
G1086
0.3/1.2
12/100
12°
1.0MHU
G1582
0.3/1.0
18/112
12°
1.5MHU
东软X射线机使用球管
机型
型号
焦点mm
功率KW
靶角
热容量
拍片机
RAD12
0.6/1.2
22/54
12.5°
150KHU
OPTILIX150-30/50HC-100
0.6/1.0
600kHU
AXIOM ICONOS R200
OPTILIX150-40/80HC-100
0.6/1.0
600kHU
SIREGRAPH CF
OPTI 150-30/50HC-100L
0.6/1.0
600kHU
AXIOM VERTIX VX
OPTI 150-40/80HC-100L
国内常见X光机球管型号及参数表
万东X射线机使用球管
机型
型号
焦点mm
功率KW
靶角
热容量
HF拍片
RAD12
0.6/1.2
22/54
12.5°
150kHU
RAY12
0.6/1.2
22/54
12°
150kHU
E7843X
0.6/1.2
20/46
12°
150kHU
新东方2000
A192
0.6/1.2
40/100
DAR-3000
0.6/1.2P323DK-80S （发生器XUD150B-30）

850nm超辐射发光二极管

收稿日期: 2004- 01- 04.
部吸收区的脊波导单量子阱结构。文章对其波导模式等进行了理论分析, 并给出了主要技术参数的设计和测试结果。
2 理论分析
半导体发光器件, 按发光机理可分为自发辐射和受激辐射。发光二极管( L ED) 为自发辐射, 半导体激光器( L D) 为受激辐射。超辐射发光二极管是同时利用自发辐射和受激辐射的器件。SLD 与 LD 不同之处是, 在波导的两端没有反射镜面, 也就是说, SL D 是由受激辐射来支配发光的, 而不是靠器件两端面的重复反射形成光的反馈而发光的光源。所以, SLD 具有受激发射成分, 发射的光主要是相位不一致的非相干光。由于它与 L D 有相近的发散角, 所以, 与光纤耦合的效率较高。下面对其工作原理进行理论分析。
当 R 不为零, 且 2 l 分别为的偶数倍时, 增益为
最大值 G max, 2 l 为的奇数倍时, 增益为最小值
G m in, 所以调制系数 m 为[ 6]
m=
G max G max +
G m in G m in
=
2RG s
1+
R
2
G
2 s
( 10)
理想的 SLD 应是 m = 0, 此时净增益为单程增
= 2/ L c
( 20)
短的相干长度的光源可降低光纤陀螺系统中的
瑞利背向散射噪声和斑纹相干噪声。
图 2 计算光辐射束宽示意图
2. 长度,
n 0、n 1分别代表各自区域的折射率。根据几何光学
和自发辐射的规律, 可以得出远场水平发散角 / / 为
为了确定波导的模式, 我们采用麦克斯韦方程
来描述。三层介质板波导的电磁场与 y 无关, 所

MPT6038C PT19-21C-TR8规格书

SMD Low Power LED
15-13D/R6GHBHC-A01/2T 15-22SURSYGC/S530-A2/TR8 15-22SURSYGC/S530-A3/E3/TR8 15-22/S2GHC-A01/2T 15-22/R6BHC-A06/2T 15-21SYGC/S530-E2/TR8 15-21SURC/S530-A3/TR8 15-21UYC/S530-A3/TR8 15-21UYC/S530-A2/TR8 15-21/Y2C-CQ1R2B/2T 15-21/T7D-JQ2S1PY/2T 15-21/T1D-APQHY/2T 15-21/W1D-APQHY/2T 15-21SURC/S530-A2/TR8 15-21UYOC/S530-A3/TR8 15-21UYOC/S530-A2/TR8 15-21/GHC-YR1S1/2T 15-215UYOC/S530-A2/TR8 15-215/BHC-AN2Q1/2T 15-215/Y5C-AP2R1L/2T 15-215/R6C-AP1Q1L/2T 15-215/G7C-BN1P2B/2T 15-21/BHC-AN1P2/2T 15-22VYVGC 15-23B/R6G6HBHC-A01/2T IR15-21C/L10/TR8 PD15-22C/TR8ÿYLÿ PD15-22B/TR8 PT15-21B/TR8 PT15-21C/TR8 PT26-21B/TR8 GT197 12-11/BHC-ZL1M2QY/2C 12-22/BHR6C-A01/2C 12-22/G6R8C-A30/2T Revision 12-22/G6BHC-C31/2C :3 12-22/R6GHC-A30/2C LifecyclePhase: 12-21C/W1D-AR1S2/2C 12-21C/GHC-YR2T1/2C

850nm红外线灯珠规格书

850nm红外线灯珠规格书
红外线（IR）是一种电磁辐射，波长范围在700纳米到1毫米之间。

在这个范围内，850纳米是红外线辐射的一种常见波长。

红外线灯珠是一种发射850纳米红外光的发光二极管（LED），通常用于红外传感器、监控摄像头、红外照明等应用中。

红外线灯珠的规格书通常包括以下内容：
1. 电气特性，包括工作电压、工作电流、功率消耗等参数，以及正向电压和反向电流的额定值。

2. 光学特性，包括发光强度、辐射角度、光通量等参数，以及光谱特性和波长范围。

3. 热特性，包括工作温度范围、热阻值等参数。

4. 封装信息，包括封装类型、尺寸、引脚定义等信息。

5. 其他特性，例如寿命、防护等级、环境适用性等。

在查阅红外线灯珠的规格书时，需要注意以上提到的各方面特性，并根据具体的应用需求进行选择。

另外，规格书中也可能包括性能曲线、典型应用电路、质量标准、安全注意事项等内容，这些都对于了解和使用红外线灯珠非常重要。

总的来说，规格书提供了关于红外线灯珠性能和特性的详细信息，能够帮助用户正确选择、使用和设计相关产品和系统。

红外摄像头为什么使用850nm波长红外发射管

红外摄像头为什么使用850n m波长红外发射管
市面上有很多不同波长的红外发射管，其中以850nm和940nm波长为主。

那么红外摄像头为什么使用850nm波长红外发射管？
首先，我们来了解一下红外摄像头的相关知识。

简单来说红外摄像头是用来感应红外线和成像的机器，可以分为2种：一种是被动式红外摄像头，主要用于军事；另一种是主动式，民用为主。

任何物体在绝对零度（一273℃）以上都会发射出红外线，但是这种红外线强度不够，只能使用被动式红外摄像头来捕捉画面。

但是被动式红外摄像头价格很贵，所以不适合民用。

而主动式红外摄像头是利用红外发射管发射出红外线，红外线被物体发射的原理来捕捉画面，所以价格比较便宜，一般在几百块之内。

主动式红外摄像头可以接收的红外线分布为中心波长830--950nm。

在这个范围内，可以说850nm和940nm波长的红外发射管都适合，能做出有红爆和无红爆的红外摄像头。

有红爆是850nm红外发射管，常用型号有L5IR850B-30,L5IR850B-45和
L5IR850B-60,使用中近距离观察可以看到红外管会发出微弱的红光。

而无红爆就是940nm红外发射管，常用型号有L5IR5-30,L5IR5-45和
L5IR5-60,使用中红外管表面没有任何光亮。

因此红外摄像头不是只能使用850nm红外发射管，而不能用其他的。

用850nm 红外发射管的原因是同一款摄像头,在850nm波长的感应度,比在940nm波长的感应度好到10倍，还有发射功率可以更大，发射距离更远，相比之下，850nm这种有轻微红暴的红外管更适合应用在红外摄像头上，也因此成为了主流。

850 nm近红外光电二极管

850 nm近红外光电二极管是一种常见的光电器件，常被用于红外传感、通信、医疗和工业影像等领域。

本文将从以下几个方面对850 nm近红外光电二极管进行介绍和分析：一、850 nm近红外光电二极管的基本原理850 nm近红外光电二极管是一种基于半导体材料的电子器件，其基本原理是利用P-N结发生光电效应。

当850 nm波长的近红外光照射到P-N结上时，光子能量被半导体吸收，从而使得P-N结中的电子-空穴对被激发生成，形成光生载流子，最终导致P-N结的电流发生变化。

850 nm近红外光电二极管能够将光信号转换为电信号。

二、850 nm近红外光电二极管的特性和优势1. 波长选择：850 nm波长是近红外光中的一种常用波长，其透过能力较强，适合用于光透过性要求较高的应用场景。

2. 高灵敏度：850 nm近红外光电二极管在红外光谱范围内具有较高的灵敏度，能够快速、准确地对近红外光信号进行检测和转换。

3. 响应速度快：由于其结构和材料的优化，850 nm近红外光电二极管具有较快的响应速度，能够实现高速通信和高速传感。

三、850 nm近红外光电二极管的应用领域1. 通信领域：850 nm近红外光电二极管可用于光纤通信系统中的发射端和接收端，实现光信号的发送和接收。

2. 医疗领域：850 nm近红外光电二极管可用于医学成像设备中，如医用光学显微镜、光学照射仪等，对人体组织进行近红外光成像和检测。

3. 工业领域：850 nm近红外光电二极管可应用于工业控制系统中，如光电传感器、红外测距仪等，实现工业自动化和智能检测。

四、850 nm近红外光电二极管的发展趋势随着近红外光技术的不断发展和应用需求的不断增长，850 nm近红外光电二极管在灵敏度、波长选择、响应速度等方面仍有待进一步提升和改进。

未来，随着半导体材料、工艺和封装技术的进步，850 nm 近红外光电二极管将更加广泛地应用于医疗、通信、工业等领域，为人类社会的进步和发展做出更大的贡献。

肖特光纤导光束参数

肖特光纤导光束参数
（原创版）
目录
1.肖特光纤导光束的概念
2.肖特光纤导光束的参数
3.肖特光纤导光束的应用
正文
【1.肖特光纤导光束的概念】
肖特光纤导光束是一种利用光纤传输光信号的技术，其原理是利用光纤的高折射率和低损耗特性，将光信号从光源传输到远处。

肖特光纤导光束具有传输速度快、抗干扰性强、信号损耗低等优点，因此在通信、医疗、科学研究等领域得到广泛应用。

【2.肖特光纤导光束的参数】
肖特光纤导光束的主要参数包括：
(1) 波长：光纤导光束的波长通常与光源的波长一致，常见的波长有850nm、980nm、1310nm 等。

(2) 传输速率：光纤导光束的传输速率取决于光源的性质和光纤的性能，一般来说，光纤的传输速率远高于铜线等传统传输方式。

(3) 传输距离：光纤导光束的传输距离受到光纤本身的限制，一般来说，单模光纤的传输距离可以达到几十到上百公里，而多模光纤的传输距离则较短。

(4) 损耗：光纤导光束的损耗主要来自于光纤本身的损耗和连接器的损耗，一般来说，光纤的损耗越小，传输质量越高。

【3.肖特光纤导光束的应用】
肖特光纤导光束在多个领域都有广泛应用，包括：
(1) 通信：光纤通信是利用光纤传输信息的一种通信方式，具有传输速度快、抗干扰性强、信号损耗低等优点。

(2) 医疗：光纤导光束在医疗领域也有广泛应用，例如内窥镜、激光治疗等。

(3) 科学研究：光纤导光束在科学研究领域也有广泛应用，例如光纤传感器、光纤激光器等。

850nm红外发射管SIR5121.

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SHENZHEN SHUGUAN ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD. V1.0 2015.10.22
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850nm波长波宽

850nm波长波宽【原创实用版】目录1.850nm 波长的定义和重要性2.850nm 波长的应用领域3.850nm 波长的优势与局限性正文850nm 波长是光谱中的一段波长，位于红光与近红外光之间。

在科技和工程领域，这个波长有着广泛的应用，主要归功于其独特的物理特性。

首先，让我们了解一下 850nm 波长的定义。

光谱是电磁波谱的一部分，包括从紫外线到射线所有波长的电磁辐射。

在光谱中，850nm 是一个特定波长的红外光。

这个波长的光具有很多优点，例如，它的穿透力强，可以穿透许多非金属材料，如水、塑料和纸张。

这使得它在许多应用中具有优势。

850nm 波长在许多领域都有应用。

其中最主要的应用是在光纤通信中。

在光纤通信中，信息是通过光的形式传输的，而 850nm 波长是光纤通信中最常用的波长之一。

这是因为 850nm 波长的光在光纤中的损耗最小，可以在长距离内传输而不会损失太多的信号强度。

除了在光纤通信中，850nm 波长还被广泛应用于生物医学、化学检测、环境监测等领域。

在生物医学中，850nm 波长的光被用于医学成像，例如用于检测皮肤癌的激光成像技术。

在化学检测中，850nm 波长的光被用于分析化学物质的浓度。

在环境监测中，850nm 波长的光被用于监测水质和空气质量。

虽然 850nm 波长在许多领域有着广泛的应用，但它也存在一些局限性。

首先，它的穿透力虽然强，但对于一些金属和镜面材料，它的穿透力仍然有限。

此外，850nm 波长的光在传输过程中可能会受到干扰，这可能会影响其在光纤通信等领域中的应用效果。

总的来说，850nm 波长是一个在科技和工程领域中具有广泛应用的重要波长。

它的独特物理特性使得它在许多领域中都具有优势，但同时也存在一些局限性。

650和850波长的作用

650和850波长的作用
波长是指波动的周期性重复的空间长度，在光学领域中常用来描述光的特性。

650和850波长是两个比较常见的波长，它们在不同的应用中具有不同的作用和用途。

650波长主要用于红光显示和通信领域。

在红光显示方面，650纳米的波长通常用于制造红色LED灯，它具有较高的亮度和较好的可视性，常用于指示灯、汽车尾灯、红色显示屏等。

在通信领域，650纳米的波长被广泛应用于光纤通信系统中，主要用于传输数据和信号。

650纳米的波长相对较长，能够在光纤中传输较远的距离，具有较高的传输效率和稳定性，因此被广泛应用于长距离通信和高速数据传输。

850波长主要用于红外光通信和光纤传感领域。

在红外光通信方面，850纳米的波长被广泛用于光纤通信系统中，主要用于短距离高速通信。

850纳米的波长具有较高的传输速率和较低的传输延迟，适用于数据中心、局域网和城域网等短距离通信场景。

在光纤传感领域，850纳米的波长也被用于制造光纤传感器，用于测量温度、压力、应变等物理量，具有高精度和快速响应的特点。

总结起来，650和850波长在不同的领域具有不同的作用。

650波长主要用于红光显示和长距离通信，而850波长主要用于红外光通信和光纤传感。

这两个波长的应用为我们的生活和科技发展提供了
很大的便利和可能性，为我们的通信和传感系统提供了更加高效和可靠的解决方案。

半导体激光治疗仪参数要求

半导体激光治疗仪参数要求
半导体激光治疗仪1台，设备需原装进口，并需满足下列参数要求。

1、需适用于医疗机构开展去除人体毛发的临床治疗工作。

2、半导体激光波长需为755nm或者810nm。

3、脉宽需为3-125ms。

4、需具有多种快速无痛的脱毛模式和多种肤色的治疗模式。

5、需具有彩色触摸屏控制方式。

6、需具有激光内置式手具，不需光纤传导可实现直接传输；手具上需具有控制开关，可实现手动控制；激光输出窗口介质需为宝石材质。

7、光斑形状需为方形光斑，半导体手具光斑尺寸需不小于15x10mm。

8、需为内置接触式冷却方式，可直接对激光输出窗口介质进行冷却。

9、半导体激光能量密度755nm波长需为1-60J/cm2可调，810nm波长需为1-120J/cm2可调，重复频率需为0.5-10Hz可调。

10、需配备专用激光防护眼镜1副。

11、整套设备自验收合格之日起原厂保修期不低于两年。

许昌市中心医院。

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EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.
DEVICE NUMBER : DTH-012-023 REV : 1.0
ECN : PAGE : 1/8 Chip Infrared LED with Right Angle Lens
MODEL NO :HIR12-21C/TR8
Features :
High radiant intensity
Peak wavelength p=850nm
View angle 145
High reliability
Small double-end package
Description :
HIR12-21C/TR8 is an infrared emitting diode in miniature SMD package molded in a
water clear plastic with right angle lens .The spectrally device is matched silicon with
photodiode and phototransistor.
Applications :
PCB mounted infrared sensor
IR diode in low space application
Infrared applied system
Floppy disk drive
CHIP
LENS COLOR
PART NO.
MATERIAL
HIR GaAlAs Water Clear
EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.
1.All dimensions are in millimeter.
2.General tolerance: 0.1mm
3.Lens color Water Clear.
4.Above specification may be changed without notice. EVERLIGHT will reserve authority
On material change for above specification.
5.These specification sheets include materials protected under copyright of EVERLIGHT
corporation . Please don’t reproduce or cause anyone to reproduce them without
EVERLIGHT’s consent.
6.When using this product , please observe the absolute maximum ratings and the
instructions for use outlined in these specification sheets. EVERIGHT assumes no
responsibility for any damage resulting from use of the product which does not comply
with the absolute maximum ratings and the instructions included in these specification
sheets.
Chip Infrared LED with Right Angle Lens
MODEL NO :
HIR12-21C/TR8
Absolute Maximum Ratings at T A = 25
Parameter
Symbol Rating
Unit Notice
Continuous Forward Current I F mA Peak Forward Current
Pulse width=100 s,Duty cycle=1 I FP A Reverse Voltage V R V Operating Temperature Topr Storage Temperature Tstg Soldering Temperature
Tsol Power Dissipation at(or below)25 Free Air Temperature
Pd
Electronic Optical Characteristics :Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
I F =20mA
I F =100mA,tp=100 s, t P /T=0.01Radiant Intensity Ee mW/sr I F =1A,tp=100 s, t P /T=0.01
Peak Wavelength P nm I F =20mA Spectral Bandwidth
nm
I F =20mA I F =20mA
I F =100mA,tp=100 s, t P /T=0.01Forward Voltage V F V I F =1A,tp=100 s, t P /T=0.01
Reverse Current I R A V R =5V View Angle
2 1/2
deg
I F =20mA
To Distinguish Intensity: Condition:I F =20mA
Bin Number
E F G Min 0.700.95 1.20Max
1.25
1.60
1.95
EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.
DEVICE NUMBER : DTH-012-023 REV : 1.0
ECN : PAGE : 6/8 Chip Infrared LED with Right Angle Lens
MODEL NO :HIR12-21C/TR8
Reliability Test Item And Condition
The reliability of products shall be satisfied with items listed below.
Confidence level:90%
EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.
DEVICE NUMBER : DTH-012-023 REV : 1.0
ECN : PAGE : 7/8 Chip Infrared LED with Right Angle Lens
MODEL NO :HIR12-21C/TR8
Test Method For Power :
Condition : !
Test Item : "
Unit : mW/sr
EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.
DEVICE NUMBER : DTH-012-023 REV : 1.0
ECN : PAGE : 8/8 Chip Infrared LED with Right Angle Lens
HIR12-21C/TR8
MODEL NO :
Packing Quantity Specification
1. 2000 Pcs/1 Volume 1 Volume/1Bag
2. 55 Bags/1Carton
HIR12-21C/TR8。