宏孔硅光辅助电化学腐蚀光谱响应特性研究
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作者： 杨炳辰;于金豪;王国政;杨继凯;端木庆铎
作者机构： 长春理工大学理学院,吉林长春130022
出版物刊名： 岭南师范学院学报
页码： 51-55页
年卷期： 2017年 第6期
主题词： 宏孔硅 光辅助电化学腐蚀 光谱响应 LED
摘要：设计了硅光辅助电化学腐蚀光谱响应曲线的测量实验,计算了在氢氟酸溶液中n型硅的光谱响应特性曲线,发现随着波长的增加,光谱响应度明显增加.选择卤素灯和LED （850nm）作为光源,测量了n型硅光辅助电化学腐蚀I -V 曲线,结果证明,光随着波长的增加在硅中的穿透深度也增加是导致光谱响应度和波长成正比的根本原因.。