模拟电子技术第五版基础习题与解答
模拟电子技术基础__第五版__总结、习题课
,
R1 R2 R3 (U Z U BE2 ) R3
。
P570~571 电路如图所示,稳压管的稳定电压UZ= 4.3V,
晶体管的UBE=0.7V,R1=R2=R3=300Ω, 试估算 (。 1)输出电压的可调范围; R0=5Ω (2)调整管发射极允许的最大电流; (3)若UI=25V,波动范围为±10%,则调 整管的最大功耗为多少。
P566 填空:调整管为
T1 ,
采样电路由 R1、R2、R3 组成,
基准电压电路由 R、DZ 组成,
比较放大电路由 T2、Rc 组成,
保护电路由 R0 、T3 组成; 输出电压最小值的表达式为 最大值的表达式为
总结习题课 - 14
R1 R2 R3 (U Z U BE2 ) R2 R3
∵ UO ´ <UZ
Uo´
∴稳压管不工作,UO=3.33V
【例】已知UZ=6V, IZmin=5mA, IZmax=25mA。 (1)计算UI20V时输出UO的值。 解:假设稳压管不工作 UI为20V时 UO ´ = UI ·RL/(RL+R)=6.7V UO ´ >UZ
假设稳压管工作
IR=(UI-UZ)/R=18mA IL=UZ/RL=12mA IDZ = IR- IL =6mA ∵ IZmin < IDZ < IZmax ∴ UO=6V
0.7V
0.7V
-3V
如果要求电路双向限幅电路如何组成?
【例1】电路如图所示,二极管的导通电压UD约为 0.7V。试分别计算开关断开和闭合时输出电压的数值。
分 析
当开关闭合时,二极管外加反向电压, 因而( 截止 ),故输出电压为:
UO V 2 12 V
模拟电子技术(第五版)基础习题答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R G S 大的特点。
( ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、选择正确答案填入空内。
(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S -T U U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(5)U G S =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Z m i n=5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
电子技术基础_模拟部分(第五版)康华光_课后解答
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电子技术基础模拟部分 第五版
主编 康华
高等教育出版社
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康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)笔记和课后习题(含考研真题)..
目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
信号是信息的载体,按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类:①时间连续、数值连续信号,即模拟信号;②时间离散、数值连续信号;③时间连续、数值离散信号;④时间离散、数值离散信号,即数字信号。
二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波),从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号,过滤掉不需要的频率信号,也可以过滤掉某些频率信号,保留其它频率信号。
幅度频谱:各频率分量的振幅随频率变化的分布。
相位频谱:各频率分量的相位随频率变化的分布。
三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路,所谓放大作用,其放大的对象是变化量,本质是实现信号的能量控制。
放大电路有以下4种类型:1.电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2.电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3.互阻放大电路电路的互阻增益为4.互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻:输入电压与输入电流的比值,即对输入为电压信号的放大电路,R i越大越好;对输入为电流信号的放大电路,R i越小越好。
模拟电子技术基础第五版课后习题答案
模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一:模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示,已知ui?5sin?t?v?,二极管导通电压降ud?0.7v。
试画出ui和uo的波形,并标出幅值。
解:通过分析可知:(1) 当ui?3.7v时,uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时,uo?ui (3) 当ui??3.7v时,uo??3.7v 总结分析,画出部分波形图如下所示:1.2 二极管电路如题图1.2所示。
(1)判断图中的二极管是导通还是截止?(2)分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。
解:对于(a)来说,二极管是导通的。
采用理想模型来说,uao??6v 采用恒压降模型来说,uao??6.7v对于(c)来说,二极管d1是导通的,二极管d2是截止的。
采用理想模型来说,uao?0 采用恒压降模型来说,uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止?用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解:(b)先将二极管断开,由kvl定律,二极管左右两端电压可求出:2515=1.5v 18?225?510u右=15?=1v140?10u左=?10?故此二极管截止,流过的电流值为id=0(c)先将二极管断开,由kvl定律,二极管左右两端电压可求出: 52=2.5v,u左=2.5?20?=0.5v 25?518?210u右=15?=1v140?10u左1=15?由于u右?u左?0.5v,故二极管导通。
运用戴维宁定理,电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示,在图中标出三个电极,并说明它们是硅管还是锗管。
解: t1: 硅管,pnp,11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管,npn,3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管,npn,12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管,pnp,12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管,pnp,14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管,npn,12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时,电压放大电路输出电压比负载开路(rl??)时输出电压减少20%,求该放大电路的输出电阻ro。
模拟电子技术第五版基础习题与解答
模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术的领域中,模拟电子技术一直占据着重要的地位。
它是电子信息工程、通信工程、自动化等专业的基础课程之一。
《模拟电子技术第五版》作为一本经典教材,其中的基础习题对于学生理解和掌握这门课程的知识具有至关重要的作用。
首先,让我们来看看一些关于半导体基础知识的习题。
半导体器件是模拟电子技术的基石,理解其工作原理和特性是学好这门课程的关键。
例如,有这样一道习题:“解释为什么在纯净的半导体中掺入少量杂质可以显著改变其导电性能?”对于这道题,我们需要明白,纯净的半导体中载流子浓度很低,而掺入杂质后会形成施主能级或受主能级,从而增加了载流子的浓度,使得导电性能得到改善。
再比如,“比较 N型半导体和 P 型半导体在导电机制上的差异。
”这道题要求我们清楚 N型半导体中主要是电子导电,P 型半导体中主要是空穴导电,并且要能够详细阐述其形成原因和导电过程。
在二极管这一章节,也有不少具有代表性的习题。
“分析二极管在正向偏置和反向偏置时的电流特性,并解释其原因。
”在解答这道题时,我们要知道在正向偏置时,二极管的 PN 结变薄,电阻减小,电流容易通过;而在反向偏置时,PN 结变厚,电阻增大,只有极小的反向饱和电流。
还有“利用二极管的单向导电性,设计一个简单的整流电路,并计算其输出电压和电流。
”这样的题目则需要我们将理论知识应用到实际电路设计中,通过计算来确定电路的性能参数。
三极管是模拟电子技术中的核心器件,相关的习题更是复杂多样。
“阐述三极管的放大作用原理,以及如何判断三极管的工作状态。
”这道题要求我们深入理解三极管的结构和工作原理,知道三极管通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大作用。
判断工作状态时,需要根据基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系,以及各极之间的电压来确定。
又如“设计一个共射极放大电路,计算其电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
”这就需要我们综合运用三极管的放大原理、电路分析方法以及相关的计算公式来完成。
模拟电子技术基础第五版华成英答案第3章
第3章 多级放大电路自 测 题一、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1k Ω至2k Ω,电压放大倍数大于3000,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(2)要求输入电阻大于10M Ω,电压放大倍数大于300,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(3)要求输入电阻为100k Ω~200k Ω,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10M Ω,输出电阻小于100Ω,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000io >I U A ui ,输出电阻R o <100,第一级应采用 ,第二级应采用 。
解:(1)A ,A (2)D ,A (3)B ,A (4)D ,B(5)C ,B二、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差B .晶体管参数的分散性C .晶体管参数受温度影响D .电源电压不稳定(2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是 。
A .克服温漂B . 提高输入电阻C .稳定放入倍数 (4)差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ,共模信号是两个输入端信号的 。
A .差B .和C .平均值(5)用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使。
A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强解:(1)C,D (2)C (3)A (4)A,C (5)B(6)Cr=100三、电路如图PT3.3所示,所有晶体管均为硅管,β均为60,'bbΩ,静态时|U B E Q|≈0.7V。
模拟电子技术第五版基础习题与解答
模拟电子技术基础习题与解答2.4.1电路如图题2.4.1所示。
(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解(1)求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==(2)求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示,温度 T =300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则 mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆ O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+,即1.406V ~1.394V 。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。
图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。
图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。
图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止,为什么?解 图a :将D 断开,以“地”为电位参考点,这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω= V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
模拟电子技术基础 第五版 总结、习题课
UO1≈( 1.3V )
UO2=( 0 )
UO3≈( -1.3UO5≈(
), 1.3V
UO6≈(
) -2V
稳压二极管
在正向特性区和反 向截止区稳压管特性曲线 与普通二极管的特性曲线 基本一样。 在反向击穿区,稳压 管特性曲线更加陡直。 即UBR几乎为定值(作为UZ);或当∆UZ有微小 变化时, ∆IZ有很大变化。利用此特性稳压管工作在 反向击穿区时起稳压作用。
∵ UO ´ <UZ
Uo´
∴稳压管不工作,UO=3.33V
【例】已知UZ=6V, IZmin=5mA, IZmax=25mA。 (1)计算UI20V时输出UO的值。 解:假设稳压管不工作 UI为20V时 UO ´ = UI · RL/(RL+R)=6.7V UO ´ >UZ
假设稳压管工作
IR=(UI-UZ)/R=18mA IL=UZ/RL=12mA IDZ = IR- IL =6mA ∵ IZmin < IDZ < IZmax ∴ UO=6V
(1)为保证空载时 稳压管能够安全工 作,R2应选多大?
(2)当R2按上面原则选定后,负载电阻 允许的变化范围是多少?
总结习题课 - 8
解:稳压管中的最大电流为 :
I Z max
PZM 40 mA UZ
IZ ≤ IDZ≤IZmax IZ ≤ IR1 - IR2 ≤ IZmax
(1) 为保证空载时稳压管能够安全稳定工作,
总结习题课 - 15
解:(1)基准电压UR=UZ+UBE=5V,
输出电压的可调范围:
R1 R2 R3 R1 R2 R3 UO U Z ~ U Z R2 R3 R3 7.5 ~ 15V
模电习题答案(第五版)
湖南人文科技学院 田汉平
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电子技术基础模拟部分 第五版
第九章作业题解答
田汉平
湖南人文科技学院通信与控制工程系
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第五章作业题解答
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模拟电子技术基础-第五版-总结、习题课
(3)由 UZ UBE3 UO
R5
可得
R4 RP R5
(UZ UBE3) R 4 R5 UO (UZ UBE3) R 4 RP R5
R5
R5
总结习题课 - 7
10.12 习题解答
10.12 电路如图P10.12所示,已知稳压管的稳定电压 为 6V , 最 小 稳 定 电 流 为 5mA , 允 许 耗 散 功 率 为 240mW;输入电压为20~24V,R1=360Ω。试问:
UO1≈( 1.3V)
UO2=( 0 )
UO3≈( -1.3V)
UO4≈( 2V ), UO5≈( 1.3V), UO6≈( -2V)
稳压二极管
在正向特性区和反 向截止区稳压管特性曲线 与普通二极管的特性曲线 基本一样。
在反向击穿区,稳压 管特性曲线更加陡直。
即UBR几乎为定值(作为UZ);或当∆UZ有微小 变化时, ∆IZ有很大变化。利用此特性稳压管工作在 反向击穿区时起稳压作用。
总结习题课 - 1
已知UZ=6V, UBE=0.7V, R1=R2=R3=300Ω, UI=24V
1)UO≈24V; >>>>>>>>(1)T1的c、e 短路; 2)UO≈23.3V; >>>>>>>>(2)Rc 短路; 3)UO≈12V且不可调; >>>>>>(3)R2 短路; 4)UO≈6V且不可调; >>>>>>(4)T2的b、c 短路; 5)UO可调范围变为6~12V。>>>>>(5)R1 短路。
IL=UZ/RL=12mA
电子技术基础(第五版)习题册参考答案
8. 正偏ꎻ 反偏ꎻ 正偏ꎻ 反偏ꎻ 零偏ꎻ 反偏ꎻ 零偏ꎻ 反偏
9. 控制ꎻ 用较小的电流控制较大的电流
10. U CE ꎻ I B ꎻ 无
238
11. 饱和ꎻ 截止ꎻ 发射ꎻ 集电
12. 增大ꎻ 增大ꎻ 减小ꎻ 向左移
13. 发射ꎻ 集电极与基极间的反向饱和
14. 较小ꎻ 不稳定
15. 放大ꎻ 开关
V CC 12
=
= 0 06 ( mA) = 60 ( μA)
R B 200
U CE = V CC - I C R C = 12 - 4I C
令 I C = 0ꎬ 则 U CE = 12 Vꎬ 得点 M (12ꎬ 0) ꎬ 令 U CE = 0ꎬ 则
8. 最大整流电流ꎻ 最高反向工作电压
9. 烧毁ꎻ 击穿
10. 硅ꎻ 稳压ꎻ 锗ꎻ 普通ꎻ 硅ꎻ 整流ꎻ 锗ꎻ 开关
11. 击穿ꎻ 开路
12. 小ꎻ 好
13. 电ꎻ 光ꎻ 光ꎻ 电ꎻ 发光二极管
二、 判断题
1.
8.
14.
× ꎻ 2.
× ꎻ 9.
× ꎻ 3.
× ꎻ 4. √ꎻ 5.
× ꎻ 10. √ꎻ 11.
× ꎻ 7. √ꎻ
× ꎻ 13. √ꎻ
三、 选择题
1. Cꎻ 2. Aꎻ 3. ACDꎻ 4. Aꎻ 5. Bꎻ 6. Aꎻ 7. Cꎻ 8. Aꎻ
9. ABDꎻ 10. Cꎻ 11. Cꎻ 12. Bꎻ 13. Dꎻ 14. Cꎻ 15. Bꎻ
16. Aꎻ 17. Cꎻ 18. Bꎻ 19. Cꎻ 20. Cꎻ 21. Aꎻ 22. Dꎻ
u o ( V)
0
0
导通 截止
0
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模拟电子技术基础习题与解答
2.4.1电路如图题所示。
(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解(1)求二极管的电流和电压
mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω
⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==
(2)求v o 的变化范围
图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解所示,温度 T =300 K 。
Ω≈==02.36.826mA
mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则
mV V r R r V v d d DD O 6)
02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆ O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+,即~。
2.4.3二极管电路如图所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。
图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。
图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。
图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。
2.4.4 试判断图题 中二极管是导通还是截止,为什么?
解 图a :将D 断开,以“地”为电位参考点,这时有
V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω
+Ω= V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=
D 被反偏而截止。
图b :将D 断开,以“地”为参考点,有
V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω
+Ω= V V k k V k k V B 5.115)525(5)10()218(2=⨯Ω+Ω+-⨯Ω+Ω=
D 被反偏而截止。
图c :将D 断开,以“地”为参考点,有
V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω
+Ω= V V k k V k k V B 5.015)525(520)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω-=
D 被正偏而导通。
2.4.7电路如图题所示,D 1,D 2为硅二极管,当 v i = 6 sin ωtV 时,试用恒压降模型和 折线模型(V th = V ,r D =200Ω)分析输出电压 v o 的波形。
解 (1)恒压降等效电路法
当0<|V i |<时,D 1、D 2均截止,v o =v i ;当v i ≥时;D 1导通,D 2截止,v o = 0. 7V ;当v i ≤时,D 2导通,D 1截止,v o =-0.7V 。
v i 与v o 波形如图解2.4.7a 所示。
(2)折线等效电路如图解2.4.7b 所示,图中V th =0.5V ,r D =200Ω。
当0<|V i |<0.5 V 时,D 1,D 2均截止,v o=v i ; v i ≥0.5V 时,D 1导通,D 2截止。
v i ≤- V 时,D 2导通,D 1 截止。
因此,当v i ≥0.5V 时有
th D D
th i O V r r R V V v ++-= V V V V om 42.15.0200)2001000()5.06(≈+⨯Ω
+-= 同理,v i ≤-时,可求出类似结果。
v i 与v o 波形如图解2.4.7c 所示。
2.4.8 二极管电路如图题 2.4.8a 所示,设输入电压v I (t )波形如图 b 所示,在 0<t <5ms 的时间间隔内,试绘出v o (t )的波形,设二极管是理想的。
解 v I (t )<6V 时,D 截止,v o (t )=6V ;v I (t )≥6V 时,D 导通
V t v V V t v t v I I O 3)(2
16200)200200(6)()(+=+⨯Ω+-=
2.4.13 电路如图题2.4.13所示,设二极管是理想的。
(a )画出它的传输特性;(b )若输入电压v I =v i =20 sin ωt V ,试根据传输特性绘出一周期的输出电压 v o 的波形。
解 (a )画传输特性
0<v I <12 V 时,D 1,D 2均截止,v o =v I ;
v I ≥12 V 时,D 1导通,D 2截止
V v V k k v k k v I I O 43
212)126(6)126(12+=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω= -10V <v I <0时,D 1,D 2均截止,v o =v I ;
v I ≤-10 V 时,D 2导通,D 1 截止
3
1032)10()126(6)126(12-=-⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=I I O v V k k v k k v 传输特性如图解 2.4 13中 a 所示。
(b )当v o =v I =20 sin ωt V 时,v o 波形如图解2.4.13b 所示。
2.5.2 两只全同的稳压管组成的电路如图题2.5.2所示,假设它们的参数V 2和正向特性的V th 、r D 为已知。
试绘出它的传输特性。
解 当| v I |<(Vz +V th )时,D zl 、D Z2均截止,v o =v I ;
| v I |≥(Vz +V th )时,D zl 、D Z2均导通
th Z d d
th Z I O V V r r R V V v v ++⋅+--=
传输特性如图解2.5.2所示。