多晶硅装置清洗 文档
多晶硅钟罩旋转清洗装置研究和设计
１ ０ ５ ０ ℃－ １ １ ５ ０ ℃， 一 定压 力下进 行还 原气象 沉积 反应 ， 生 产高纯
功率 １ ． ５ ｋ Ｗ。
根据 钟 罩 结构 分 为筒 体 和封 头 ， 简体 部分 为 圆 形直 筒结 构
且 内壁 光 滑 ； 封 头采 用 半椭 圆形 标 准封 头 结构 ， 整体 内部无插
入管 等 内部 零件 影 响 ， 因此 确 定清 洗装 置 可采 用 旋 转结 构 。并 考虑 旋转 要 求平 稳 、摆 动 小 均 匀 对称 ， 因此 同一 高度 刷子 对 称布 置 ， 不 同高度刷 子螺旋 上升 ， 有效克服 钟 罩 内壁椭 圆度 问题 ，
２ 钟 罩旋 转清 洗装置 结构设 计
２ ． １ 旋转结 构 设计
塑料合 金化 工离 心泵 具有耐腐 蚀 、 耐 磨损 、 不 易老化 、 运转平 稳 、 结构 先进 合 理 、密 封 性能严 格 可靠 、拆 卸 检 修方 便 、使 用寿 命 长等优 点 ， 在一 ８ ５ ℃～ ２ ０ ０ ℃温度 条 件下 长期输 送任 意 浓度 的酸 性碱 性 介质 （ 如 硫酸 、盐 酸 、氢 氟酸 、 硝 酸、王 水 、 强碱 、强 氧化 剂 、有 机 溶剂 、 还原 剂等 ）均 不 被腐 蚀 。根 据清 洗 液 的性 质及 现场 使 用要 求 ， 通 过计算 输送 泵 选择 型号 Ｉ Ｈ Ｆ ４ ０ — ２ ５ １ ２ ５ ， 流量 ６ ． ３ ｍ 。 ／ ｈ ， 扬程 ２ ０ ｍ ， 进 口为 ４ ０ ｍ ｍ ，出 口为 ２ ５ ｍ ｉ ｌ ｌ ，电机
多晶硅清洗工艺流程
多晶硅清洗工艺流程
多晶硅的清洗工艺流程包括多个步骤，具体如下：
1. 去除表面附着物：使用碱性或酸性溶液来去除多晶硅表面的有机和无机附着物。
2. 去除表面缺陷：使用化学溶液或机械切割来去除多晶硅表面的缺陷和污渍。
3. 酸洗处理：使用酸性溶液来去除多晶硅表面的氧化物并改善表面质量。
4. 纯化处理：使用高纯溶液来进一步提高多晶硅的纯度。
5. 最终清洗：使用去离子水或超纯水来清洗多晶硅表面，以便最终得到干净的多晶硅材料。
清洗后的多晶硅工件要避免直接接触手部，以免再次污染。以上内容仅供参考，具体流程和步骤可能会根据实际应用有所不同，建议咨询专业人士获取帮助。
电子级多晶硅的清洗工艺 蒲守年
电子级多晶硅的清洗工艺蒲守年
摘要：在电子多晶硅质量检测中，表金属杂质是极为重要的一项指标。现如今，减少电子多晶硅表面金属杂质含量的主要技术为酸清洗，利用不同程度的表面刻蚀，对电子级多晶硅表面金属杂质进行有效控制，使其处于最低状态。文章首先
介绍了电子级多晶硅清洗工艺，对电子级多晶硅清洗过程中的各种问题进行了分析，并提出了有效处理方法。
关键词：电子级多晶硅；清洗工艺；问题与措施
引言：开展电子级多晶硅清洗的主要目的是让硅料表面能够更加清洁，没有
杂质污染，对产品表面金属进行控制能够对其最终性能、效率、稳定性产生极为
重要的作用。现如今，相关电子级多晶硅清洗技术能够参考的经验极为缺乏，我
国有关企业的大部分有关技术都在不断实践与探索中，伴随电子级多晶硅湿法清
洗的持续发展，有关技术也越来越成熟，各种先进设备不断涌现，但最核心的技
术仍把握在少部分国外企业手中，即使生产高纯度清洗液，其高端技术在国内也
难以大批量实现。想要全面落实电子级多晶硅清洗国产化，关键是在整个过程中
突破一些基础材料和技术，是降低成本、增强市场影响力的只要支撑和有效手段。 1清洗硅块与硅芯工艺
在开展电子级多晶硅表面金属去除的主要流程是：硅料—表面清洗—水洗—
干燥—酸洗—漂洗—干燥，如图1所示：
图1电子级多晶硅表金属处理流程
在开展设备清洗过程中，对硅块与硅芯开展清洗工作，清洗系统主要是对破碎处理与机
械加工以后的硅料开展酸洗，其主要是对硅材料表面沾污的粒子，金属，有机物，湿气分子
和自然氧化膜等进行处理。而在清洗线中，开展酸洗硅料的工艺流程为以下几个步骤：上料—酸洗-超纯水漂洗—超纯水常温浸泡—超纯水热浸泡—真空干燥—下料，清洗工艺流程图如
精馏塔清洗技术方案设计-蓝星
宜昌南玻硅材料有限公司一期多晶硅全面升级扩产技改项目安装工程清洗项目
（精馏工序）
技
术
方
案
蓝星环境工程有限公司
2013年3月22日
目录
1、项目概况 (3)
1.1工程范围 (3)
1.2清洗质量要求 (3)
2、清洗作业场地要求 (4)
3、施工机具要求 (4)
4、设备管道清洗方案 (4)
4.1前期的工作 (4)
4.2清洗工艺 (5)
4.3干燥工艺 (5)
4.4精馏塔的清洗类别的划分及清洗时间的界定 (5)
4.5机泵和阀门的清洗干燥 (6)
4.6设备到场后工序交接顺序 (6)
4.7需安装单位配合的工作 (7)
4.8对安装公司洁净安装的要求 (7)
4．9质量验收标准 (7)
4.10验收和包封 (7)
5、施工进度计划 (8)
6、废液处理 (8)
7、安全注意事项 (8)
1、项目概况
1.1 工程范围
1.1.1一期多晶硅全面升级扩产技改项目安装工程清洗项目包括粗馏塔6台、管线6000米（暂定）。详细参数见附件。
1.2 清洗质量要求
多晶硅厂是一个纯度要求高、工艺复杂、设备种类众多的化工系统（部分具备冶金系统和半导体电子元器件的特点）。为了减少工艺系统调试时净化处理的时间，最大限度地降低调试费用（系统净化处理阶段的废品率高，工厂产出价值低），必须做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗处理。针对不同的设备材质，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。根据甲方的具体要求可分为一般清洗和洁净清洗。
1.2.1一般清洗（适用于输送非氯硅烷介质的设备、管线等）
一般清洗的设备要求用水进行冲洗后，内表面肉眼看不出有污垢、锈渣和灰尘，不能出现清洗死区；用空气吹干至无明水为止。
多晶硅清洗
多晶硅项目设备清洗建议书
多晶硅清洗详细信息如下：多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。生产工艺过程比较复杂。尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作十分严谨。在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准。避免开车质量事故的发生。最大限度地降低调试费用，必须做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗处理。针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》并根据业主和成达公司的具体要求可分为一般清洗和洁净清洗。多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备、合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。并且为了保证脱脂和干燥的质量，多晶硅设备清洗需要对单台设备进行单台清洗并验收后，再进行安装.
一、概述
多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。生产工艺过程比较复杂。尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作十分严谨。在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准。避免开车质量事故的发生。最大限度地降低调试费用，必须做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗处理。针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》并根据业主和成达公司的具体要求可分为一般清洗和洁净清洗。
多晶硅清洗个人工作总结
多晶硅清洗个人工作总结
引言
多晶硅清洗是半导体行业中非常重要的一个环节，清洗质量直接影响到晶体生长和片材特性的好坏。在过去的一年中，我全身心投入到多晶硅清洗工作中，经历了一系列的学习和实践，积累了一定的经验。本文将对我的工作进行总结和反思，并展望未来的发展方向。
工作内容
在多晶硅清洗工作中，我的主要工作内容包括以下几个方面：
流程优化
多晶硅清洗工艺繁复，包含了多个步骤，如预清洗、去氧化剂浸泡、酸洗、去离子水漂洗等。我首先对整个清洗流程进行了全面的了解和分析，然后结合生产实践进行了流程优化。通过改变清洗剂的浓度、温度和清洗时间等参数，成功地降低了清洗剂的使用成本，并提高了清洗效果。
质量控制
多晶硅清洗过程中，质量控制是非常重要的。我利用化学分析仪器对清洗前后的多晶硅样品进行分析，确保清洗后的样品质量符合要求。此外，我还加强了与生产技术人员的合作，及时了解生产线上的情况，及时发现并解决问题，确保了产品质量的稳定。
设备维护
多晶硅清洗设备是进行清洗工作的关键，我负责对清洗设备进行定期的保养和维护。保证设备的正常运行是保证清洗效果的前提，因此我加强了与设备供应商的联系，及时处理设备故障，并提出设备改善的意见和建议。
工作总结
在多晶硅清洗工作中，我取得了以下几点成绩：
1. 流程优化：通过优化清洗流程，提高了清洗效果，降低了清洗剂的使用成本。
2. 质量控制：加强与生产技术人员的合作，及时发现和解决问题，保证了产品质量的稳定。
3. 设备维护：定期维护清洗设备，保证设备的正常运行，提高了工作效率。
4. 团队合作：与同事紧密配合，实现了各项工作的顺利进行。
多晶硅清洗个人工作总结
多晶硅清洗个人工作总结
在过去的一段时间里，我负责进行多晶硅清洗工作。通过对这个工作的经验总结和反思，我对自己的工作有了更深入的认识和理解。
首先，在多晶硅清洗的过程中，正确使用清洗剂是非常重要的。我学会了根据实际情况选择不同种类的清洗剂，并根据指导书上的要求精确调整清洗剂的浓度和比例。合理使用清洗剂可以充分发挥其作用，提高清洗效果，减少多余的浪费，节约成本。
其次，我注意到了在清洗过程中仔细操作的重要性。每一个步骤都需要仔细处理，避免出现错误或疏忽。我发现，细心的工作可以减少出错的概率，确保清洗过程的顺利进行。此外，及时清理清洗设备、更换工作服和手套等细节也是保证清洗质量的重要环节。
另外，与团队成员的合作也是多晶硅清洗工作中不可或缺的一部分。我与其他成员保持紧密的沟通，及时分享工作中的问题和心得。通过团队合作，我们可以互相学习和借鉴，提高工作效率，并且减少不必要的错误和浪费。
最后，对于多晶硅清洗工作的总结，我认识到自我反思的重要性。每一次的清洗工作都应该被看作是一个学习和成长的机会。我会定期回顾自己的工作表现和所取得的成果，检视自己的不足之处，并制定改进的计划。只有持续不断地进步和改进，才能更好地完成工作任务。
总而言之，多晶硅清洗是一个需要细心、耐心和团队合作的工作。通过这段时间的工作经验，我不仅加深了对多晶硅清洗工作的理解，也提高了自己的工作技巧和协作能力。我相信在今后的工作中，我会不断学习和成长，为公司的发展贡献自己的力量。
多晶硅歧化反应塔内的催化剂的处理方法及处理系统
多晶硅歧化反应塔内的催化剂的处理方法及处
理系统
下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。本文下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!
并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!
Downloaded tips: This document is carefully compiled by the editor. I hope that after you download them, they can help you solve practical problems. The documents
can be customized and modified after downloading, please adjust and use it according
to actual needs, thank you!
In addition, our shop provides you with various types of practical materials, such
as educational essays, diary appreciation, sentence excerpts, ancient poems, classic articles, topic composition, work summary, word parsing, copy excerpts, other materials and so on, want to know different data formats and writing methods, please pay attention!
多晶硅片清洗
多晶硅片清洗工艺
1.药槽清洗液最佳配比确定
由以上实验数据分析, 在清洗剂浓度较低时,不能达到良好的清洗效果, 切割过程中吸附到Si片表面的砂浆等沾污依然停留在 S i 片表面。提高清洗剂用量, 砂浆残留的片数减少, 但是持续加大清洗剂用量, 又会造成新的污染, 即清洗剂残留，和砂浆残留一样, 会影响Si 片的质量。因此选择其中效果最好的配比为2.0L。
2．药槽清洗温度的确定
药槽清洗温度设置与表面活性剂的性质密切相关，这是因为在低温时非离子表面活性剂与水完全混溶, 亲水基聚氧乙烯与水形成的氢键能量低, 随着温度升高分子热运动加剧氢键被破坏, 导致非离子表面活性剂在水中的溶解度下降, 当温度升高并且达到一定值时, 非离子表面活性剂从水溶液中析出变混浊, 此时的温度即为浊点，温度对非离子表面活性剂的去污能力的影响是明显的, 研究表明当温度接近于浊点时, 清洗效果最好。通过实验得出40-55℃均可, 但45℃为最佳。
3.碱性清洗液与Si的反应
选择生产线连续进行清洗一个药槽,从新配清洗液开始每隔1 min测其 pH 值, 所得数据如图。
配置好准备清洗用的碱性清洗液pH值在 1 2~1 3 , 碱性很强, Si片浸人清洗液后,表面会产生大量直径在0.5mm 左右的气泡, 认为是Si和清洗液中大量存在的-OH 发生如下反应:
Si+4OH-→(SiO4)4+2H2
反应持续进行, 过程测量药槽中清洗液pH值, 相比开始降低0.1-0.3,但是继续测量, pH值将保持在一定水平11. 5-1 2 左右不再继续下降,这是因为上步反应生成的 (SiO4)4是不稳定的, 它在水溶液中继续和水发生如下反应
影响电子级多晶硅清洗质量的因素
电子技术 • Electronic Technology
86 •电子技术与软件工程 Electronic Technology & Software Engineering 【关键词】电子级多晶硅 清洗质量 相关因素电子级多晶硅的生产工艺和光伏级的多晶硅生产工艺高度相似，但是并不属于一个相同行业，在具体的设计理念、工艺流程、设备的性能选型、材料的标准以及质量控制方式等方面都存在比较突出的差异。在原本的装置局部方面提升并不能满足电子级多晶硅的生产需求，这也就衍生除了一整套全新的生产方式。表面金属杂质含量属于电子级多晶硅的重要质量标准之一，在国际标准中，电子级多晶硅的1级品表面金属杂质应当在5.5ppbw 以内，但是我国整体生产效益并不理想，这也间接提升了对清洗质量的要求。对此，探讨电子级多晶硅清洗质量影响因素具备显著现实意义。1 表面清洗剂的选择和使用应用表面清洗剂的主要目的在于去除掉电子级多晶硅表现所附着的各种灰尘颗粒物、有机物以及油脂，这也是非常重要的清洗工作环节。电子级多晶硅在还原工序中拆除运输到后续的处理工序中，会通过破碎与筛分处理，此时表面容易附着各种油脂和有机物，因为油脂和有机物当中含量比较多的碳元素，在后续的酸洗同时很难有效地去除掉，所以需要先采用清洗剂对表面的外层杂质进行处理掉。但是，在不同质量等级的清洗剂选择方面必须慎重，如果清洗剂选择不合理便会导致清洗质量较差。在选择清洗剂时，需要各种元素的准确分析控制，例如钾、钙、钠，尽可能保障这一些元素含量较少，从而为后续的水冲洗提供质量保障。2 水洗方式的选择电子级多晶硅中的硅料清洗过程中，不同的水冲洗方式所呈现出的效果并不相同，在去除硅料表面残留的清洗剂和酸液效果方面也存在比较突出的差异。比较常用的18MΩ.cm 超纯水水洗方式是以喷淋、浸泡、冲洗为主，新工艺采用多种重复或交替的方式处理，可以有影响电子级多晶硅清洗质量的因素
多晶硅清洗普通员工个人总结
多晶硅清洗普通员工个人总结
参加工作进入清洗中心已经有一年多的时间了,为了尽快掌握工作技能,我一直坚持学习和实践,使自己在学校里学到的知识,运用在工作中,进一步的.能让自己发挥自己的长处,一年多来,取得了长足的进步｡
1､认真学习,提高自己的基本知识｡
首先在学习中,知道自己要做的工作是什么,认真的了解,进一步的剖析,理解和掌握知识,然后运用在实践的工作中,对实践中与学习中的区别,能让我对实践的认识更加的透彻,使自己得到提高｡
2､发现问题,怎么使自己去解决问题｡
工作中,无时无刻都在发生问题,当工作中发现问题,然后总结问题,处理问题,使自己得到提高,对工作的熟练,经验的积累,发现的问题得到及时有效的处理｡
3､团结进取,勇与创新｡
时刻保持积极进取的心,领导和同事的关心,让自己对工作时刻保持进步｡严格要求自己,对工作的认真,对同事的热情,对领导的安排｡让自己在工作中能更优良的发挥自己的能力,无论在工作中或者是生活中,自己对知识的渴求,不懂的不会的,问别人,让自己了解的同时,也能避免下次的再一次发生｡
工作是以一丝不苟为原则本意,自己的认知加上别人的理解,然后
总结理论｡得到结果｡从结果中再去创新,得到新的解释｡任何的创新都是在不断的积累中发展,根据当前的实际,从创新中补充到实践运用中,进而得到新的成果,勇敢的敢于提出问题,解决问题可以从已知的经验中获取,也可以更一步的从创新中得到解答｡我是清洗中心的一员｡我时刻保持着以安全为己任,这是我从事本职工作的前提首要｡当我融入这个集体时,我就已经被赋予了安全这两个字,我感谢中心领导和同事的关心,年轻人本着不断进取积极向上的心去要求自己进步｡一切克服不必要的困难｡要有集体荣誉感,奉献自己的能力,同而加强自己的业务技能｡使自己得到不断地提高｡
多晶硅生产设备安装前清洗
多晶硅生产设备安装前清洗
一、多晶硅项目设备清洗的目的、意义
多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。生产工艺过程比较复杂。尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作需要十分严谨。在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准，避免开车质量事故的发生，最大限度地降低调试费用。
针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》。根据项目公司和十一设计院的具体要求本项目的清洗可分为一般清洗和洁净清洗。
多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备；合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。并且为了保证脱脂和干燥的质量，多晶硅设备清洗需要对单台设备进行单台清洗并验收后，再进行安装。
二、污垢主要对多晶硅影响因素
1、油脂：在多晶硅生产过程中，油分子对多晶硅的危害十分严重。实际证明，整个工艺系统几ppm的油含量就可能造成多晶硅质量严重降低，甚至会造成系统污染累积。因此，多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。
2、水分：水中含有大量的氯离子，氯离子对多晶硅制造工艺十分敏感。设备及系统干燥工艺很关键。
3、氯离子残留：水和其他溶液在设备表面残留的氯离子对多晶硅系统设备影响巨大。因此，在清洗后对设备进行纯水冲洗工艺十分重要。
多晶硅太阳电池清洗制绒过程中物料的用量控制
多晶硅太阳电池清洗制绒过程中物料的用量控制
太阳能是未来清洁能源的重要来源之一，而太阳电池则是太阳能利用的核心技术。多晶硅太阳电池是目前市场上最常见的一种太阳电池，其制造过程中需要进行多道工序，其中清洗制绒过程尤为重要，而物料的用量控制也是制造过程中的关键因素之一。
清洗制绒过程介绍
清洗制绒是多晶硅太阳电池制造过程中的一个关键环节，主要包括多道工序：清洗
首先需要对硅片进行清洗处理，以去除表面的杂质和污垢，确保后续工序的顺利进行。清洗过程中需要用到清洗溶液，其主要成分包括：去离子水、氢氧化钠和氢氟酸，其用量需要控制在一定范围内，以保证清洗效果的稳定性。
抛光
对硅片进行抛光处理，以去除表面的微小凸起和瑕疵，提高硅片表面的平整度和光洁度。抛光需要用到抛光液，其主要成分包括：氢氧化钠、氢氟酸等，其用量也需要控制在一定范围内。
制绒
制绒是将硅片表面放置一层粗糙的硅质辊，通过旋转硅片使辊表面的硅颗粒划伤掉硅片表面上一部分的表现，从而形成一个微弧形的图形，以提高硅片的光电转换效率。制绒需要用到划伤液和硅质辊，其用量也需要控制在一定范围内。
物料用量的控制
在多晶硅太阳电池的制造过程中，各个环节所用到的物料都需要在一定的范围内进行控制，以确保产品质量和稳定性，并且控制过程也需要遵循以下规律：
学习运用两型社会的思想
当前国家全面贯彻“两型社会”建设，即资源节约型、环境友好型社会建设，企业在进行物料用量控制时有必要学习和运用两型社会的思想，提倡资源节约，减少浪费。
精益生产
精益生产是指在制造过程中减少不必要的资源和步骤，提高生产效率和品质的一种生产管理方法，企业应学习和运用精益生产的思想，尝试减少不必要的物料用量及其成本，实现资源最大化利用。
多晶硅清洗工艺
3.3二次清洗的工艺流程：
二次清洗 二次清洗
二次清洗
3.4二次清洗腐蚀原理：
刻蚀槽：扩散中磷硅玻璃的形成： 4 POCl3 + 3 O2 = 2 P2O5 + 6 Cl2 在较高的温度的时候， P2O5作为磷源与Si发生了如下反 应： 2 P2O5 +5 Si = 5 SiO2 + 4 P 所以去磷硅玻璃清洗实质上就是去除硅片表面的SiO2。
图8 一次清洗工艺流程
2.4一次清洗各槽位腐蚀原理
一次清洗
刻蚀槽：HF-HNO3溶液，去除表面油污、切割损伤层以及制 备绒面；反应如下：
Si+2HNO3+6HF = H2[SiF6]+2HNO2+2H2O
3Si+4HNO3+18HF = 3H2[SiF6]+4NO+8H2O
3Si+2HNO3+18HF = 3H2[SiF6]+2NO+4H2O+3H2
生产过程中使用的各种溶液的浓度，是根据 酸碱滴定原理自动进行检测的。我们使用的检测 设备，是由德国生产的Metrohm检测仪。它可以 根据我们的需要，对各种溶液进行实时监控。
溶液浓度检测
4.2 HF浓度的检测：
NaOH + HF = NaF + H2O 40 ： 20 M NaOH×V NaOH ： M HF×V HF
多晶硅还原装置操作规程
多晶硅还原装置操作规程
一、操作前的准备工作
1.检查多晶硅还原装置的设备、仪器和管道等是否正常，如有异常情
况应及时修复。
2.确保操作人员已经接受了相关培训并理解了操作规程的内容。
3.操作人员应穿戴好防护装备，包括安全帽、眼镜、口罩、耐酸防护
服等。
二、操作步骤
1.启动操作控制系统，确保设备处于正常工作状态。
2.检查多晶硅仓中的多晶硅料是否足够，如不足应及时补充。
3.打开多晶硅仓的进料阀门，将多晶硅料送入还原炉中。注意不要堆
积多晶硅料，避免阻塞料仓。
4.打开还原炉的加热控制系统，将温度升至设定值。升温过程中应注
意设备运行情况，并及时处理异常情况。
5.当温度达到设定值后，打开还原炉的气体供应系统，将还原气体送
入还原炉中。
6.监测还原气体的流量、温度和压力等参数，确保供气系统正常运行。
7.监测多晶硅的反应情况，包括温度、压力和反应产物的排放等。如
有异常情况，应及时采取措施处理。
8.在还原过程中，严禁随意打开或关闭设备的阀门、开关等，并不得擅自进行设备维修或更换等工作。
9.定期对装置进行检查和维护，保持设备的正常运行。
10.当操作结束时，先关闭还原炉的气体供应系统，再关闭加热控制系统。
11.清理多晶硅还原装置的各个部位，确保设备的清洁。
12.将多晶硅还原装置记录表归档，做好设备使用记录。
三、安全注意事项
1.操作人员应严格按照操作规程进行操作，严禁违章操作和擅自修改设备参数。
2.在操作过程中应注意安全，不得擅自接触设备和管道，避免发生意外事故。
3.如遇到设备故障或异常情况，应及时向相关负责人报告并采取相应措施。
多晶硅工艺管道及设备络合清洗_闫晓辉
2013年 第2期
38
多晶硅工艺管道及设备络合清洗
闫晓辉 王卫东
（陕西建工集团设备安装工程有限公司第一分公司 陕西宝鸡 721006）
摘 要：微电子级多晶硅生产工艺要求原料要在“无油、无水、无尘”的环境下运行,系统洁净度要求高。络合清
洗过程就是利用有机化合物在一定的浓度和温度下，通过和金属表面的油脂、铁屑、氧化物、化学残留物等反应，生成可溶性的化合物。
关键词：微电子级多晶硅 洁净度 络合清洗 PH值 反应时间
中图分类号：TB65 文献标识码：B 文章编号:1002-3607（2013）02-0038-02
多晶硅是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业最基础的原材料。作为多晶硅产品中纯度最高的微电子级多晶硅生产工艺要求原料要在“无油、无水、无尘”的环境下运行。我们在陕西天宏硅材料有限责任公司2750吨/年多晶硅项目工程实践的基础上，经过反复摸索求证，总结出以下施工方法，取得了一定的经济效益和社会效益。本方法适用于系统洁净度要求不含Na、P离子的安装施工。
一、清洗方式的确定
目前，国内设备及管道清洗大多采用酸洗、钝化方式，药剂选用无机酸与金属表面的氧化物反应，生成溶于水的盐，再利用NaOH、Na 3PO 4等碱性盐和金属反应，在表面生产致密钝化层。这种方法的特点是反应速度快，条件简单，缺点是容易造成过腐蚀，使母材有效壁厚减薄，钝化膜表面易残留Na、P离子。
本工程采用络合清洗法，主要药剂选用有机化合物，不含Na、P，反应速度慢，需一定的温度，药剂只和金属表面氧化物反应，不会形成过腐蚀及氢脆。对于容积较大（大于10m 3）的设备，先进行人工打磨清理，后喷淋的清洗方式；对于容积小于10m 3的设备，采用药剂溶液循环清洗的方式；管道、阀门、法兰、管件等采用槽浸循环清洗方式。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
多晶硅装置开车前清洗技术
多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。生产工艺过程比较复杂。尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作十分严谨。在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准。避免开车质量事故的发生。最大限度地降低调试费用，必须做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗处理。针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》并根据业主和成达公司的具体要求可分为一般清洗和洁净清洗。
多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备、合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。并且为了保证脱脂和干燥的质量，多晶硅设备清洗需要对单台设备进行单台清洗并验收后，再进行安装。
二、污垢主要对多晶硅影响因素
1、油脂：在多晶硅生产过程中，油分子对多晶硅的危害十分严重。实际证明，整个工艺系统几ppm的油含量就可能造成多晶硅反应速度减慢，产量降低，甚至硅反应停止。因此，多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。
2、水分：水中含有大量的氯离子，氯离子对多晶硅的反应十分敏感。设备及系统干燥工艺很关键。
3、氯离子残留：水和其他溶液在设备表面残留的氯离子对多晶硅影响十分大。因此，在清洗后对设备进行纯水冲洗工艺十分重要。
4、氧化物、灰尘其他杂质：其他污垢的存在，对多晶硅的生产影响也很大。因此，在设备清洗过程中，采用酸洗工艺对其他污垢进行清洗十分必要。
一、概述
多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。生产工艺过程比较复杂。尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作十分严谨。在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准。避免开车质量事故的发生。最大限度地降低调试费用，必须做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗处理。针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》并根据业主和成达公司的具体要求可分为一般清洗和洁净清洗。
多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备、合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。并且为了保证脱脂和干燥的质量，多晶硅设备清洗需要对单台设备进行单台清洗并验收后，再进行安装。
二、污垢主要对多晶硅影响因素
1、油脂：在多晶硅生产过程中，油分子对多晶硅的危害十分严重。实际证明，整个工艺系统几ppm的油含量就可能造成多晶硅反应速度减慢，产量降低，甚至硅反应停止。因此，多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。
2、水分：水中含有大量的氯离子，氯离子对多晶硅的反应十分敏感。设备及系统干燥工艺很关键。
3、氯离子残留：水和其他溶液在设备表面残留的氯离子对多晶硅影响十分大。因此，在清洗后对设备进行纯水冲洗工艺十分重要。
4、氧化物、灰尘其他杂质：其他污垢的存在，对多晶硅的生产影响也很大。因此，在设备清洗过程中，采用酸洗工艺对其他污垢进行清洗十分必要。
三、国内大、中型化工生产装置清洗现状
国外对设备、管道的清洗十分重视，有专门从事清洗的研究机构。再国外，设计单位在设计化工工艺流程及要求时已经将清洗考虑了进去，并做了概算及投资。清洗方式也有单一的水力清洗发单调发展到化学清洗、机械清洗等。世界各国对清洗行业的组织形式是多种多样的，从单个零件到整个装置的清洗，既有专业化学清洗公司，也有企业自行组织的清洗队伍。有的设备、管道及零部件需经常定期清洗，并且部分生产设备本身就装有固有的清洗装置，清洗技术的应用有了很大的进步。
生产多晶硅的工艺较多，各个国家生产厂家在开发新技术、进行技术改造的同时，通过对设备的清洗来降低能耗和保证多晶硅的产品质量。提高设备运转率，延长使用寿命，争取以最低的能耗，生产出更多的多晶硅产品。
四、多晶硅装置开车前化学清洗的意义
新建多晶硅装置中的设备、管线、精馏塔、槽、还原炉、氢化炉在制造、储存、运输和安装过程中会产生大量的污物。这些污物主要有：油脂、扎制鳞片、氧化铁锈皮、泥沙、焊渣、焊药、防锈油及表面涂层等。其中焊渣、焊药的主要成分为钛、锰、铬、铁等金属氧化物，而切削油和防锈油及表面涂层则是一些高分子有机物。
新建多晶硅设备进行化学清洗，不仅要进行高要求的除油脂处理，而且还要进行化学清洗和钝化保护处理。随着缓蚀技术的发展，金属设备在化学清洗过程中的腐蚀损失已降到了很小，最终的钝化处理将有助于减小设备运行中的腐蚀。另外，同酸洗时的腐蚀相比，轧制鳞片、氧化铁锈皮、泥沙、焊渣、防锈油及涂层等引起的设备运行事故更加具有危险性。由于化学清洗之后，得到了干净的金属表面，因而能更快的生产出合格的产品，工厂由此获得的经济效益将大大超过清洗的投资费用。目前，各种新建装置尤其是高温、高压设备、大型设备和生产工艺要求比较高的设备和管线，再投产前都要进行化学清洗。不仅要清洗设备本体，而且要清洗那些与设备连接有可能把污物带入的其他管道和设备。同样，我们认为多晶硅装置不仅要清洗工艺系统，其它附属设备的化学清洗和钝化处理对设备的运行安全和寿命意义重大，因此，我们建议所有的设备必须进行化学清洗。
五、多晶硅设备主要清洗项目
1、还原炉、氢化炉的清洗脱脂钝化干燥
2、CDI系统设备的清洗脱脂钝化干燥
3、还原氢化车间设备的清洗脱脂钝化干燥
4、合成车间设备的清洗脱脂钝化干燥
5、精馏工序设备的清洗脱脂钝化干燥
6、中间罐区的清洗脱脂钝化干燥
7、管道系统的清洗脱脂钝化干燥
六、附件
1、奥氏体不锈钢设备的化学清洗和钝化
2、不锈钢设备及零部件酸洗钝化技术（设备清洗必要性论文）
附件一奥氏体不锈钢设备的化学清洗和钝化
摘要: 从奥氏体不锈钢的钝化机理入手,分析了钝化膜存在的意义、破坏机理和防护措施,给出了参考的清洗钝化剂配方、清洗钝化工艺、操作注意事项,明确了奥氏体不锈钢钝化膜质量的检验方法。
关键词:奥氏体不锈钢;清洗;钝化;钝化膜;质量检验
中图分类号: TG178文献标识码: C