存储器实验讲稿
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提示3：类似动态扫描的设计原理(切换显示 切换显示) 提示 ：类似动态扫描的设计原理 切换显示
2008年３月８日
卢庆莉
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输出相当于 位选信号
字符与字符之 间的间隔时间
高位地址 低位地址
2008年３月８日 卢庆莉 编写
提示4 提示4：数据的建立
显示结果: 显示结果
2008年３月８日
卢庆莉
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方法二:移动显示 方法二 移动显示
2008年３月８日 卢庆莉 编写
采用“脉宽触发”方式进行测量的提示2 采用“脉宽触发”方式进行测量的提示2：
采用“负脉宽触发” 采用“负脉宽触发”方式进行测量
2008年３月８日
卢庆莉
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（3）测试波形的步骤 F2对着CP画 F2作为触发源 对着CP 作为触发源。 ① F2对着CP画，F2作为触发源。 F1对着F2画 F2作为触发源 对着F2 作为触发源。 ② F1对着F2画， F2作为触发源。 F3对着F2画 F2作为触发源 对着F2 作为触发源。 ③ F3对着F2画， F2作为触发源。 F4对着F2画 F2作为触发源 对着F2 作为触发源。 ④ F4对着F2画， F2作为触发源。
2008年３月８日 卢庆莉 编写
数字示波器的触发方式有： 数字示波器的触发方式有： 上升沿、下降沿、脉宽 上升沿、下降沿、 脉宽触发又分为： 脉宽触发又分为：正脉宽和负脉宽 采用“脉宽触发”方式进行测量的提示1 采用“脉宽触发”方式进行测量的提示1：
采用“正脉宽触发” 采用“正脉宽触发”方式进行测量
2008年３月８日
卢庆莉
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2008年３月８日
卢庆莉
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触发器+ 2、触发器+存储器可实现时序电路 例如： PROM和 例如：用E2PROM和D触发器设计一个 F=0000011的计数型序列码发生器 的计数型序列码发生器（ F=0000011的计数型序列码发生器（设初态 =000）。 为Q3Q2Q1=000）。
F1= 1 1 0 0 1 1 0 0 F2= 1 1 1 1 0 0 0 0 F3= 1 1 0 1 1 0 1 1 F4= 2008年３月８日1 1 0 0 1 1 0 1
卢庆莉 编写
选择F2作为触发源 选择F2作为触发源 F2
（2）如果没有这样的波形，这时F输出波形 如果没有这样的波形，这时F 属于非均匀周期信号，画波形时采用“ 属于非均匀周期信号，画波形时采用“脉宽 触发”方式进行测量。不能采用 边沿触发” 采用“ 触发”方式进行测量。不能采用“边沿触发” 方式进行测量。 方式进行测量。 提示：采用“脉宽触发”方式进行测量， 提示：采用“脉宽触发”方式进行测量，用F 作为触发源。 作为触发源。首先需要分析被测序列信号的 码型，选出这个码型不重复的一个特征值。 码型，选出这个码型不重复的一个特征值。 例如： 有一特殊唯一的一个“ ， 例如：F有一特殊唯一的一个“1”，即选择正 脉宽触发；如没有即选一个唯一的一个 即选一个唯一的一个“ ， 脉宽触发；如没有即选一个唯一的一个“0”， 即选择负脉宽触发 即选择负脉宽触发。
2008年３月８日
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2008年３月８日
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（2）测CP和F之间的关系时，请注意触发 CP和 之间的关系时， 源的选择。 源的选择。 触发源的选择原则 选择原则： 触发源的选择原则： 寻找F1 F4中只有一个上升沿 F1～ 中只有一个上升沿， （1）寻找F1～F4中只有一个上升沿， 又能重复出现的序列信号作为触发源， 又能重复出现的序列信号作为触发源，这 样可以很容易使波形稳定（注意： 样可以很容易使波形稳定（注意：测量时 以长周期信号为触发源）。 以长周期信号为触发源）。
2008年３月８日
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3、存储器按功能分类： 存储器按功能分类： 按功能分类
实验中所用器件型号为： 实验中所用器件型号为： 28C64B型 PROM(电可改写的 电可改写的ROM) 28C64B型E2PROM(电可改写的ROM)
2008年３月８日 卢庆莉 编写
28C64B的工艺结构 的工艺结构： 4、28C64B的工艺结构：
实验四十二 ：存储器
2008年３月８日
卢庆莉
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主要授课内容： 主要授课内容：
一、存储器的基础知识 二、存储器的应用 三、实验任务 四、实验要求 五、实验步骤 六、调测要求及注意事项
2008年３月８日 卢庆莉 编写
一、存储器的基础知识 学习要点： 学习要点： 半导体存储器概念： 1、半导体存储器概念： 2、存储器的主要指标： 存储器的主要指标： 存储容量和 存储容量和工作速度 存储器按功能分类： 按功能分类 3、存储器按功能分类：
GC Gf 隧道区
2008年３Βιβλιοθήκη Baidu８日
卢庆莉
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编程器是如何写“ 5、 编程器是如何写“1” 的
电场运动的方向
2008年３月８日
卢庆莉
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写入脉冲电压撤除
管的V 使T1管的 T=7V
2008年３月８日 卢庆莉 编写
编程器是如何写“ 的 6、 编程器是如何写“0”的
电荷运动方向
电场运动的方向
2008年３月８日
(1)结构：采用浮栅隧道氧化层MOS管。它有两个栅极： 结构：采用浮栅隧道氧化层 管 它有两个栅极： 结构 控制栅G 浮置栅G 控制栅 C 和 浮置栅 f。 (2)特点：浮置栅与漏区之间有一个氧化层极薄的隧道区， 特点： 特点 浮置栅与漏区之间有一个氧化层极薄的隧道区， 其厚度仅为10~15um , 可产生隧道效应。写入、擦除： 其厚度仅为 可产生隧道效应。写入、擦除： 利用隧道效应。 利用隧道效应。
2008年３月８日 卢庆莉 编写
六、调测要求及注意事项 EEPROM的应用 的应用。 1、EEPROM的应用。 写片时要注意区别厂商及型号。 （1） 写片时要注意区别厂商及型号。 28C64B 28C64 和 28C64B 器件的性能与型号通 过后缀表示。 过后缀表示。 （2） 存储器不用的地址位要接合适的 电平，不可悬空不处理。 电平，不可悬空不处理。 写好的芯片在搭式电路时， （3）写好的芯片在搭式电路时，请使 用自锁插座，以免损坏芯片管脚。 用自锁插座，以免损坏芯片管脚。
五、实验步骤 1、在学生机上编写EEPROM的数据。 在学生机上编写EEPROM的数据。 EEPROM的数据 在教师机上下载。 2、在教师机上下载。 3、装配电路。 装配电路。 电路调测。 4、电路调测。 用示波器画出CP F1、F2、F3、F4的 CP、 5、用示波器画出CP、F1、F2、F3、F4的 波形。波形画好后请老师验收。 波形。波形画好后请老师验收。 学习founadtion3.1软件（ founadtion3.1软件 6、学习founadtion3.1软件（P34 例6-1）
2008年３月８日
卢庆莉
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（2）若Gf上无负电荷时，当Gc=1时，由 上无负电荷时， Gc=1时 于 VT小，则T1（导通），位线= 0，经 导通） 位线= 0， 输出三态缓冲器，读出的信息为“ 。 输出三态缓冲器，读出的信息为“0”。
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二、存储器的应用 1、实现组合逻辑函数 例如： 例如： 将函数转换为最小项形式： 将函数转换为最小项形式：
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三、实验任务 实验内容：新教材P214 T1（必做内容） 实验内容：新教材P214 T1（必做内容） 利用EEPROM设计一个4路序列信号发生器。 EEPROM设计一个 利用EEPROM设计一个4路序列信号发生器。 F1= 1 1 0 0 1 1 0 0 F2= 1 1 1 1 0 0 0 0 F3= 1 1 0 1 1 0 1 1 F4= 1 0 1 1 1 0 0 1
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写入脉冲电压撤除
释放电荷使V 释放电荷使VT=0V
2008年３月８日 卢庆莉 编写
7、在正常读取条件下
上有负电荷时， Gc=1时 （1）若Gf上有负电荷时， 当Gc=1时，由于 截止） 位线=V VT≈7V ，则T×（截止），位线=VCC，经输出三态 缓冲器，读出的信息为“ 。 缓冲器，读出的信息为“1”。
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飞字的显示结果: 飞字的显示结果
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四、实验要求 1、根据序列码长度确定计数器的模 长和存储单元的个数。 长和存储单元的个数。 正确建立存储数据。 2、正确建立存储数据。 3、学会独立使用编程器及数据输入 和烧录EEPROM EEPROM芯片 和烧录EEPROM芯片 。 独立搭试硬件电路。 4、独立搭试硬件电路。 要求用示波器画出cp cp﹑ 5、要求用示波器画出cp﹑F1﹑F2﹑F3﹑ F4的波形 的波形。 F4的波形。 2008年３月８日 卢庆莉 编写
2008年３月８日 卢庆莉 编写
注意管脚对应关系。 （4）注意管脚对应关系。实验箱上的 插座为40 40脚 芯片是28 28脚 插座为40脚，芯片是28脚。
１
４０
１４
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2、序列码电路调试 （1）序列码的每一个码元的输出是与存储 器的地址有关（ 器的地址有关（即：与计数器的计数状态 有关 ）。 000→0F；001→07；010→0A；011→0E； 000→0F；001→07；010→0A；011→0E； 100→0D；101→01；110→04；111→0C； 100→0D；101→01；110→04；111→0C；
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选做实验提示：新教材P214 选做实验提示：新教材P214 Ｙ1 提示
提示1：点阵 × 的介绍 参看实验手册P103） 提示 ：点阵5×7的介绍 （参看实验手册 ）
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提示2 提示2： 选做实验有两种方法: 选做实验有两种方法: (1) 切换显示 (2) 移动显示
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输出相当于 位选信号
字符与字符之 间的间隔时间
高位地址 低位地址
2008年３月８日 卢庆莉 编写
提示4 提示4：数据的建立
显示结果: 显示结果
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方法二:移动显示 方法二 移动显示
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采用“脉宽触发”方式进行测量的提示2 采用“脉宽触发”方式进行测量的提示2：
采用“负脉宽触发” 采用“负脉宽触发”方式进行测量
2008年３月８日
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（3）测试波形的步骤 F2对着CP画 F2作为触发源 对着CP 作为触发源。 ① F2对着CP画，F2作为触发源。 F1对着F2画 F2作为触发源 对着F2 作为触发源。 ② F1对着F2画， F2作为触发源。 F3对着F2画 F2作为触发源 对着F2 作为触发源。 ③ F3对着F2画， F2作为触发源。 F4对着F2画 F2作为触发源 对着F2 作为触发源。 ④ F4对着F2画， F2作为触发源。
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数字示波器的触发方式有： 数字示波器的触发方式有： 上升沿、下降沿、脉宽 上升沿、下降沿、 脉宽触发又分为： 脉宽触发又分为：正脉宽和负脉宽 采用“脉宽触发”方式进行测量的提示1 采用“脉宽触发”方式进行测量的提示1：
采用“正脉宽触发” 采用“正脉宽触发”方式进行测量
2008年３月８日
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触发器+ 2、触发器+存储器可实现时序电路 例如： PROM和 例如：用E2PROM和D触发器设计一个 F=0000011的计数型序列码发生器 的计数型序列码发生器（ F=0000011的计数型序列码发生器（设初态 =000）。 为Q3Q2Q1=000）。
F1= 1 1 0 0 1 1 0 0 F2= 1 1 1 1 0 0 0 0 F3= 1 1 0 1 1 0 1 1 F4= 2008年３月８日1 1 0 0 1 1 0 1
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选择F2作为触发源 选择F2作为触发源 F2
（2）如果没有这样的波形，这时F输出波形 如果没有这样的波形，这时F 属于非均匀周期信号，画波形时采用“ 属于非均匀周期信号，画波形时采用“脉宽 触发”方式进行测量。不能采用 边沿触发” 采用“ 触发”方式进行测量。不能采用“边沿触发” 方式进行测量。 方式进行测量。 提示：采用“脉宽触发”方式进行测量， 提示：采用“脉宽触发”方式进行测量，用F 作为触发源。 作为触发源。首先需要分析被测序列信号的 码型，选出这个码型不重复的一个特征值。 码型，选出这个码型不重复的一个特征值。 例如： 有一特殊唯一的一个“ ， 例如：F有一特殊唯一的一个“1”，即选择正 脉宽触发；如没有即选一个唯一的一个 即选一个唯一的一个“ ， 脉宽触发；如没有即选一个唯一的一个“0”， 即选择负脉宽触发 即选择负脉宽触发。
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（2）测CP和F之间的关系时，请注意触发 CP和 之间的关系时， 源的选择。 源的选择。 触发源的选择原则 选择原则： 触发源的选择原则： 寻找F1 F4中只有一个上升沿 F1～ 中只有一个上升沿， （1）寻找F1～F4中只有一个上升沿， 又能重复出现的序列信号作为触发源， 又能重复出现的序列信号作为触发源，这 样可以很容易使波形稳定（注意： 样可以很容易使波形稳定（注意：测量时 以长周期信号为触发源）。 以长周期信号为触发源）。
2008年３月８日
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3、存储器按功能分类： 存储器按功能分类： 按功能分类
实验中所用器件型号为： 实验中所用器件型号为： 28C64B型 PROM(电可改写的 电可改写的ROM) 28C64B型E2PROM(电可改写的ROM)
2008年３月８日 卢庆莉 编写
28C64B的工艺结构 的工艺结构： 4、28C64B的工艺结构：
实验四十二 ：存储器
2008年３月８日
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主要授课内容： 主要授课内容：
一、存储器的基础知识 二、存储器的应用 三、实验任务 四、实验要求 五、实验步骤 六、调测要求及注意事项
2008年３月８日 卢庆莉 编写
一、存储器的基础知识 学习要点： 学习要点： 半导体存储器概念： 1、半导体存储器概念： 2、存储器的主要指标： 存储器的主要指标： 存储容量和 存储容量和工作速度 存储器按功能分类： 按功能分类 3、存储器按功能分类：
GC Gf 隧道区
2008年３Βιβλιοθήκη Baidu８日
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编程器是如何写“ 5、 编程器是如何写“1” 的
电场运动的方向
2008年３月８日
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写入脉冲电压撤除
管的V 使T1管的 T=7V
2008年３月８日 卢庆莉 编写
编程器是如何写“ 的 6、 编程器是如何写“0”的
电荷运动方向
电场运动的方向
2008年３月８日
(1)结构：采用浮栅隧道氧化层MOS管。它有两个栅极： 结构：采用浮栅隧道氧化层 管 它有两个栅极： 结构 控制栅G 浮置栅G 控制栅 C 和 浮置栅 f。 (2)特点：浮置栅与漏区之间有一个氧化层极薄的隧道区， 特点： 特点 浮置栅与漏区之间有一个氧化层极薄的隧道区， 其厚度仅为10~15um , 可产生隧道效应。写入、擦除： 其厚度仅为 可产生隧道效应。写入、擦除： 利用隧道效应。 利用隧道效应。
2008年３月８日 卢庆莉 编写
六、调测要求及注意事项 EEPROM的应用 的应用。 1、EEPROM的应用。 写片时要注意区别厂商及型号。 （1） 写片时要注意区别厂商及型号。 28C64B 28C64 和 28C64B 器件的性能与型号通 过后缀表示。 过后缀表示。 （2） 存储器不用的地址位要接合适的 电平，不可悬空不处理。 电平，不可悬空不处理。 写好的芯片在搭式电路时， （3）写好的芯片在搭式电路时，请使 用自锁插座，以免损坏芯片管脚。 用自锁插座，以免损坏芯片管脚。
五、实验步骤 1、在学生机上编写EEPROM的数据。 在学生机上编写EEPROM的数据。 EEPROM的数据 在教师机上下载。 2、在教师机上下载。 3、装配电路。 装配电路。 电路调测。 4、电路调测。 用示波器画出CP F1、F2、F3、F4的 CP、 5、用示波器画出CP、F1、F2、F3、F4的 波形。波形画好后请老师验收。 波形。波形画好后请老师验收。 学习founadtion3.1软件（ founadtion3.1软件 6、学习founadtion3.1软件（P34 例6-1）
2008年３月８日
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（2）若Gf上无负电荷时，当Gc=1时，由 上无负电荷时， Gc=1时 于 VT小，则T1（导通），位线= 0，经 导通） 位线= 0， 输出三态缓冲器，读出的信息为“ 。 输出三态缓冲器，读出的信息为“0”。
2008年３月８日
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二、存储器的应用 1、实现组合逻辑函数 例如： 例如： 将函数转换为最小项形式： 将函数转换为最小项形式：
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三、实验任务 实验内容：新教材P214 T1（必做内容） 实验内容：新教材P214 T1（必做内容） 利用EEPROM设计一个4路序列信号发生器。 EEPROM设计一个 利用EEPROM设计一个4路序列信号发生器。 F1= 1 1 0 0 1 1 0 0 F2= 1 1 1 1 0 0 0 0 F3= 1 1 0 1 1 0 1 1 F4= 1 0 1 1 1 0 0 1
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写入脉冲电压撤除
释放电荷使V 释放电荷使VT=0V
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7、在正常读取条件下
上有负电荷时， Gc=1时 （1）若Gf上有负电荷时， 当Gc=1时，由于 截止） 位线=V VT≈7V ，则T×（截止），位线=VCC，经输出三态 缓冲器，读出的信息为“ 。 缓冲器，读出的信息为“1”。
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飞字的显示结果: 飞字的显示结果
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四、实验要求 1、根据序列码长度确定计数器的模 长和存储单元的个数。 长和存储单元的个数。 正确建立存储数据。 2、正确建立存储数据。 3、学会独立使用编程器及数据输入 和烧录EEPROM EEPROM芯片 和烧录EEPROM芯片 。 独立搭试硬件电路。 4、独立搭试硬件电路。 要求用示波器画出cp cp﹑ 5、要求用示波器画出cp﹑F1﹑F2﹑F3﹑ F4的波形 的波形。 F4的波形。 2008年３月８日 卢庆莉 编写
2008年３月８日 卢庆莉 编写
注意管脚对应关系。 （4）注意管脚对应关系。实验箱上的 插座为40 40脚 芯片是28 28脚 插座为40脚，芯片是28脚。
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2、序列码电路调试 （1）序列码的每一个码元的输出是与存储 器的地址有关（ 器的地址有关（即：与计数器的计数状态 有关 ）。 000→0F；001→07；010→0A；011→0E； 000→0F；001→07；010→0A；011→0E； 100→0D；101→01；110→04；111→0C； 100→0D；101→01；110→04；111→0C；
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选做实验提示：新教材P214 选做实验提示：新教材P214 Ｙ1 提示
提示1：点阵 × 的介绍 参看实验手册P103） 提示 ：点阵5×7的介绍 （参看实验手册 ）
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提示2 提示2： 选做实验有两种方法: 选做实验有两种方法: (1) 切换显示 (2) 移动显示