太阳能电池系列之硅片质量引起的组件早期衰减
光伏组件光衰减现象及影响因素有哪些
光伏组件光衰减现象及影响因素有哪些1.0绪论太阳能组件制作完成之后,进行功率测试时,组件功率正常,但是客户接收到组件,安装并运营时发现功率衰减较大。
这种现象大多是由于电池片的光致衰减引起的。
本文将系统、简要的阐述光致衰减现象。
2.0光致衰减光伏组件光致衰减可分为两个阶段:初始光致衰减和老化衰减。
1.初始光致衰减初始的光致衰减,即光伏组件的输出功率在刚开始使用的最初几天内发生较大幅度的下降,但随后趋于稳定。
导致这一现象发生的主要原因是P型(掺硼)晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。
通过改变P型掺杂剂,用稼代替硼能有效的减小光致衰减;或者对电池片进行预光照处理,是电池的初始光致衰减发生在组件制造之前,光伏组件的初始光致衰减就能控制在一个很小的范围之内,同时也提高组件的输出稳定性。
光致衰减更多的与电池片厂家有关,对于组件厂商的意义在于选择高质量的电池片来降低光致衰减带来的影响。
2.老化衰减老化衰减是指在长期使用中出现的极缓慢的功率下降,产生的主要原因与电池缓慢衰减有关,也与封装材料的性能退化有关。
其中紫外光的照射时导致组件主材性能退化的主要原因。
紫外线的长期照射,使得EV A及背板(TPE结构)发生老化黄变现象,导致组件透光率下降,进而引起功率下降。
这就要求组件厂商在选择EV A及背板时,必须严格把关,所选材料在耐老化性能方面必须非常优秀,以减小因辅材老化而引起组件功率衰减。
3.0光致衰减机理P型(掺硼)晶体硅太阳电池的早期光致衰减现象是在30多年前观察到的,随后人们对此进行了大量的科学研究。
特别是最近几年,科学研究发现它与硅片中的硼氧浓度有关,大家基本一致的看法是光照或电流注人导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体,从而使少子寿命降低,但经过退火处理,少子寿命又可被恢复,其可能的反应为:据文献报道,含有硼和氧的硅片经过光照后其少子寿命会出现不同程度的衰减,硅片中的硼、氧含量越大,在光照或电流注人条件下在其体内产生的硼氧复合体越多,其少子寿命降低的幅度就越大。
硅基太阳能电池性能衰减原因分析
硅基太阳能电池性能衰减原因分析近年来,随着环境保护和可再生能源的重要性逐渐凸显,太阳能电池作为一种清洁能源的代表,受到了广泛关注。
然而,随着使用时间的增加,硅基太阳能电池的性能往往会出现衰减现象。
本文将对硅基太阳能电池性能衰减的原因进行分析。
首先,硅基太阳能电池性能衰减的主要原因之一是光照条件的变化。
太阳能电池是利用光照产生电能的,而光照条件的变化会直接影响太阳能电池的输出功率。
在实际应用中,光照强度和角度会随着季节、天气等因素而发生变化,这就导致了太阳能电池的输出功率也会有所波动。
特别是在阴雨天气或冬季光照较弱的时候,太阳能电池的性能衰减现象更加明显。
其次,硅基太阳能电池性能衰减的原因还包括温度的影响。
太阳能电池在工作过程中会产生热量,而温度的升高会导致太阳能电池的效率下降。
研究表明,太阳能电池的温度升高每摄氏度1度,其输出功率会下降约0.5%。
因此,在高温环境下,太阳能电池的性能衰减更加明显。
此外,温度的变化还会导致太阳能电池的寿命缩短,进一步影响其性能。
第三,硅基太阳能电池性能衰减的原因还与电池内部结构的变化有关。
太阳能电池的核心是由硅材料组成的,而硅材料在长时间的使用过程中会发生一些变化,如晶格缺陷、杂质积聚等。
这些变化会导致太阳能电池的光电转换效率下降,从而使其性能衰减。
此外,电池内部还可能出现接触不良、电极腐蚀等问题,进一步影响太阳能电池的性能。
最后,硅基太阳能电池性能衰减的原因还与外部环境的影响有关。
例如,太阳能电池的表面可能会受到污染物的覆盖,如尘土、树叶等,这会降低太阳能电池的吸光能力,从而影响其性能。
此外,太阳能电池还可能受到风雨、冰雹等恶劣天气的侵蚀,导致电池表面损坏,进一步影响其性能。
综上所述,硅基太阳能电池的性能衰减是由多种因素共同作用的结果。
光照条件和温度的变化、电池内部结构的变化以及外部环境的影响都会对太阳能电池的性能产生影响。
为了提高太阳能电池的稳定性和寿命,需要在制造和使用过程中加强对这些因素的控制和管理,以减少性能衰减的发生。
晶体硅太阳能电池光致衰减效应及其应对措施
晶体硅太阳能电池光致衰减效应及其应对措施晶体硅太阳能电池是目前应用最广泛的太阳能电池技术之一,具有高效转换率、稳定性好等优点。
然而,长时间的工作会导致晶体硅太阳能电池出现光致衰减效应,从而降低其光电转换效率。
本文将重点介绍晶体硅太阳能电池光致衰减效应的原因和机制,并探讨一些应对措施。
晶体硅太阳能电池光致衰减效应是指太阳能电池在长时间工作后,其光电转换效率逐渐下降的现象。
这主要是由于晶体硅材料在光照条件下发生一系列的物理和化学变化所导致的。
光致衰减效应是晶体硅太阳能电池不可避免的现象,但可以通过一些措施来减缓其发展速度,提高电池的使用寿命。
光致衰减效应的主要原因之一是晶体硅材料中的氧原子与硅原子形成的氧化物缺陷。
这些缺陷会吸收光子能量,并损失在光电转换过程中产生的电子能量。
此外,晶体硅材料中的杂质和缺陷也会对光致衰减效应起到一定的影响。
这些杂质和缺陷会引起电子的重新组合和能量损失,从而降低电池的效率。
针对晶体硅太阳能电池光致衰减效应,目前有一些应对措施可以采取。
首先,可以通过选择合适的材料来减少光致衰减效应。
例如,可以选择掺杂有抗衰减效应的杂质的晶体硅材料,如锗、磷等。
这些杂质可以降低氧化物缺陷的形成和影响,从而减轻光致衰减效应。
改变电池的结构也是一种有效的减轻光致衰减效应的方法。
例如,可以利用反射层和抗反射涂层来增加光的入射量,提高光电转换效率。
同时,可以采用多层结构或堆叠结构来分散光致衰减效应,减少杂质和缺陷对电池性能的影响。
定期对晶体硅太阳能电池进行清洁和维护也是减轻光致衰减效应的重要措施。
尘埃、污染物等附着在电池表面会减弱光的透过性,影响光电转换效率。
因此,定期清洁电池表面可以保持较高的光吸收和转换效率。
除了上述措施外,研究人员还在开展其他一些应对光致衰减效应的研究。
例如,可以通过控制电池的工作温度和湿度来减轻光致衰减效应。
此外,利用新型材料和工艺技术也是未来的发展方向,可以提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率,减轻光致衰减效应。
硅片质量对太阳能电池性能的影响
尚德电力控股有限公司张光春1.引言2007年全球商业化光伏电池市场中,由单晶硅和多晶硅组成的晶体硅太阳能电池的市场份额达%,是光伏市场的绝对主流产品,而且在可见的未来几年内,这种局面不会改变。
1999年-2007年全球商业化光伏电池市场份额硅片作为晶体硅太阳能电池的基础材料,其质量对电池性能具有很重要的影响。
一方面,硅片的内部缺陷和杂质会直接影响电池的效率和稳定性;另一方面,硅片的外观缺陷和表面质量对电池的制造和外观等也具有很重要的影响。
只有通过硅片供应商和电池片制造商的共同努力,不断改善和提高硅片质量,才能更好地为我们的客户提供高质量的电池和组件。
2. 单晶硅片质量对电池性能的影响单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构,其电池效率明显高于多晶硅电池。
然而,单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能电池的效率,比如:(a)光照条件下B-O复合体的产生会导致单晶电池的早期光致衰减;(b)内部金属杂质和晶体缺陷(位错等)的存在会成为少数载流子的复合中心,影响其少子寿命,导致电池性能的下降。
2.1少子寿命对电池性能的影响少子寿命是指半导体材料在外界注入(光或电)停止后,少数载流子从最大值衰减到无注入时的初值之间的平均时间。
少子寿命是用于表征材料的重金属沾污及体缺陷的重要参数,少子寿命值越大,相应的材料质量越好。
少子寿命已成为生产线上常规测试的一个参数。
我们选取某供应商某批单晶硅片进行实验,将硅片按不同少子寿命区分后,按正常电池工艺做成电池,其少子寿命和电池效率具有很好的对应关系,如下图所示。
早期光致衰减对电池性能的影响早期光致衰减机理P型掺硼晶体硅太阳电池的早期光致衰减现象最早在30多年前就有相关报道。
大量的科学研究发现它与硅片中的硼氧浓度有关,大家基本一致的看法是光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体,从而使少子寿命降低,但经过退火处理,少子寿命又可恢复,其反应为:正是由于掺硼单晶硅在光照条件下硼氧复合体的生成,引起少子寿命的下降,最终导致太阳电池和组件功率的下降。
硅片质量对太阳能电池性能的影响1
硅片质量对太阳能电池性能的影响尚德电力控股有限公司张光春1.引言2007年全球商业化光伏电池市场中,由单晶硅和多晶硅组成的晶体硅太阳能电池的市场份额达87.4%,是光伏市场的绝对主流产品,而且在可见的未来几年内,这种局面不会改变。
1999年-2007年全球商业化光伏电池市场份额硅片作为晶体硅太阳能电池的基础材料,其质量对电池性能具有很重要的影响。
一方面,硅片的内部缺陷和杂质会直接影响电池的效率和稳定性;另一方面,硅片的外观缺陷和表面质量对电池的制造和外观等也具有很重要的影响。
只有通过硅片供应商和电池片制造商的共同努力,不断改善和提高硅片质量,才能更好地为我们的客户提供高质量的电池和组件。
2. 单晶硅片质量对电池性能的影响单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构,其电池效率明显高于多晶硅电池。
然而,单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能电池的效率,比如:(a)光照条件下B-O复合体的产生会导致单晶电池的早期光致衰减;(b)内部金属杂质和晶体缺陷(位错等)的存在会成为少数载流子的复合中心,影响其少子寿命,导致电池性能的下降。
2.1少子寿命对电池性能的影响少子寿命是指半导体材料在外界注入(光或电)停止后,少数载流子从最大值衰减到无注入时的初值之间的平均时间。
少子寿命是用于表征材料的重金属沾污及体缺陷的重要参数,少子寿命值越大,相应的材料质量越好。
少子寿命已成为生产线上常规测试的一个参数。
我们选取某供应商某批单晶硅片进行实验,将硅片按不同少子寿命区分后,按正常电池工艺做成电池,其少子寿命和电池效率具有很好的对应关系,如下图所示。
2.2 早期光致衰减对电池性能的影响早期光致衰减机理P型掺硼晶体硅太阳电池的早期光致衰减现象最早在30多年前就有相关报道。
大量的科学研究发现它与硅片中的硼氧浓度有关,大家基本一致的看法是光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体,从而使少子寿命降低,但经过退火处理,少子寿命又可恢复,其反应为:正是由于掺硼单晶硅在光照条件下硼氧复合体的生成,引起少子寿命的下降,最终导致太阳电池和组件功率的下降。
硅片质量对太阳能电池性能的影响
硅片质量对太阳能电池性能的影响尚德电力控股有限公司张光春1.引言2007年全球商业化光伏电池市场中,由单晶硅和多晶硅组成的晶体硅太阳能电池的市场份额达87.4%,是光伏市场的绝对主流产品,而且在可见的未来几年内,这种局面不会改变。
1999年-2007年全球商业化光伏电池市场份额硅片作为晶体硅太阳能电池的基础材料,其质量对电池性能具有很重要的影响。
一方面,硅片的内部缺陷和杂质会直接影响电池的效率和稳定性;另一方面,硅片的外观缺陷和表面质量对电池的制造和外观等也具有很重要的影响。
只有通过硅片供应商和电池片制造商的共同努力,不断改善和提高硅片质量,才能更好地为我们的客户提供高质量的电池和组件。
2. 单晶硅片质量对电池性能的影响单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构,其电池效率明显高于多晶硅电池。
然而,单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能电池的效率,比如:(a)光照条件下B-O复合体的产生会导致单晶电池的早期光致衰减;(b)内部金属杂质和晶体缺陷(位错等)的存在会成为少数载流子的复合中心,影响其少子寿命,导致电池性能的下降。
2.1少子寿命对电池性能的影响少子寿命是指半导体材料在外界注入(光或电)停止后,少数载流子从最大值衰减到无注入时的初值之间的平均时间。
少子寿命是用于表征材料的重金属沾污及体缺陷的重要参数,少子寿命值越大,相应的材料质量越好。
少子寿命已成为生产线上常规测试的一个参数。
我们选取某供应商某批单晶硅片进行实验,将硅片按不同少子寿命区分后,按正常电池工艺做成电池,其少子寿命和电池效率具有很好的对应关系,如下图所示。
2.2 早期光致衰减对电池性能的影响早期光致衰减机理P型掺硼晶体硅太阳电池的早期光致衰减现象最早在30多年前就有相关报道。
大量的科学研究发现它与硅片中的硼氧浓度有关,大家基本一致的看法是光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体,从而使少子寿命降低,但经过退火处理,少子寿命又可恢复,其反应为:正是由于掺硼单晶硅在光照条件下硼氧复合体的生成,引起少子寿命的下降,最终导致太阳电池和组件功率的下降。
晶体硅太阳电池封装损失与组件性能衰退的研究
晶体硅太阳电池封装损失与组件性能衰退的分析
通过理论模型给出了焊接造成损失的一个较为准确的计算方法。 第四章对 SE 晶体硅太阳电池组件的封装和初期衰减的研究,分析了不同
制绒方式的 SE 晶体硅单片组件的封装特性。通过室外的暴晒对 SE 根据接收的 不同的能量来进行性能的测试分析,分析了 SE 组件的衰减特性,最后通过 100 小时 120℃,20 小时 95℃ 、95%湿度,最加速老化做了性能分析。
Above all, in order to improve the performance of PV modules after the solar cells are encapsulated, this paper tests and analyzes the reason of power loss in solar cells encapsulation, especially analyzes selective emitter solar cells’ encapsulated power loss and initial degradation. It also presents methods to improve the encapsulation performance for common silicon solar cells and SE high efficiency. Afterwards, by testing, diagnosing, analyzing 177 PV modules which have been exposed on field for 23 years, a series of precious, firsthand materials, data, degradation phenomenon was collected, the performance of these PV modules, the
组件功率衰减原因及优化措施
多晶硅光伏组件功率衰减的原因分析以及优化措施一、多晶硅光伏组件衰减现象的分类近年来,在新能源理念的大力倡导下,太阳能发电装置逐渐在全世界范围得到推广。
多晶硅太阳能组件由于其价格合理、性能良好而在市场上占有一定的份额。
但是与单晶光伏组件、薄膜光伏组传类织,多晶硅组件在使用过程中同样会产生或多或少的功率衰减现象。
影响多晶硅组件功率衰减的主要因素是什么?又该如何降低这些影响因素呢?多晶硅光伏组件(如图一所示)是由玻璃、EVA、电池片、背板、铝边框、接线盒、硅胶等主材,按照一定的生产工艺进行封装,在一定的光照条件下达到一定输出功率和输出电压的光伏器件。
组件功率的衰减是指随着光照时间的增长,组件输出功率逐渐下降的现象。
其衰减现象可大致分为三类:第一类,由于破坏性因素导致的组件功率骤然衰减,破坏性因素主要指组件在焊接过程中焊接不良、封装工艺存在缺胶现象,或者由于组件在搬运、安装过程中操作不当,甚至组件在使用过程中受到冰雹的猛烈撞击而导致组件内部隐裂、电池片严重破碎等现象;第二类,组件初始的光致衰减,即光伏组件的输出功率在刚开始使用的最初几天内发生较大幅度的下降,但随后趋于稳定;第三类,组件的老化衰减,即在长期使用中出现的极缓慢的功率下降现象。
二、多晶硅组件功率衰减的原因分析及试验验证1、第二类衰减现象的研究分析第二类衰减的原因分析、试验对比以及优化措施导致这一现象发生的主要原因是P型(掺硼)晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。
含有硼和氧的硅片经过光照后出现不同程度的衰减。
硅片中的硼、氧含量越大,在光照或电流注入条件下产生硼氧复合体越多,少子寿命降低的幅度就越大,引起电池转换效率下降。
(1)试验条件及试验步骤试验的条件:A组采用经过初始光照的电池片,B组采用未经初始光照的电池片,A组和B组使用同样的玻璃、EVA、背板和同样的封装工艺。
生产出的所有组件经红外隐形裂纹检测仅探测,并采用3A级脉冲模拟仪测试组件I-V曲线,确定组件完好无损,各选择5块进行试验,电池片经过初始光照的组件采用"A·x"进行编号,电池片未经始光照的组件采用"B-x"进行编号。
晶硅太阳能电池光致衰减问题讨论解读
四.光伏组件输出功率初始衰减的解决方案
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(一)改进掺硼P型直拉单晶硅棒的质量 在国内,掺硼P型直拉单晶是目前硅棒市场的主流产品,单晶棒的质量确实令人担 忧 ,单晶棒制造商必须认真对待这个问题.其实直拉单晶工艺是很成熟的,只要 我们把好用料质量关,按正规拉棒工艺生产,硅棒的质量是可以得到较好控制的。 建议如下: 1. 避免使用低质量的多晶硅料 2. 严格控制掺入过多低电阻率N型硅料,如IC的废N型硅片等,避免生产高补偿的 P型单晶棒, 这种硅棒,尽管电阻率合适,但硼-氧浓度非常高,将导致太阳电池 性能出现较大幅度的初始光致衰减. 3. 提高拉棒工艺,减少晶体硅中氧含量,降低内应力,降低缺陷密度,改进电阻率 的均匀性。
一. P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理
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据文献中报道: (一)含有硼和氧的硅片经过光照后出现不同程度的 衰减(如图2、图3、图4所示)。硅片中的硼、氧 含量越大,在光照或电流注入条件下产生的硼氧 复合体越多,少子寿命降低的幅度就越大。 (二)在低氧、掺镓、掺磷的硅片中少子寿命随光照 时间的衰减幅度极小。
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图16 异常组件的红外成像,出现热斑(温度相差11.3℃)
案例分析
我们对某硅片供应商提供的一批质量极差的硅片进行了全过程的跟踪试验, 将转换效率为16.%的电池片,经弱光光照1.5小时后(光源为节能灯11W X 40只),发现电池片转换效率大幅衰减,且离散性也很大,效率最高的为 15.4%,最低的仅为13%,如图17所示。
图17 质量极差的硅片做成的电池片,弱光光照后效率分布图
案例分析
将光照后的电池重新检测分档,按转换效率的分布情况做成14块组件,组 件经太阳光光照后的功率又进一步下降,如图18所示:
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浅析太阳能光伏电站的光伏组件衰减问题及解决方法
浅析太阳能光伏电站的光伏组件衰减问题及解决方法导语:太阳能光伏电站中的核心部件是光伏组件,光伏组件的质量量和衰减问题,直接影响光伏电站的总发电量的高低,下面一起来讨论光伏组件的衰减问题对光伏电站的建设的影响和相关解决方案。
光伏组件的衰减一般分为光致衰减和老化衰减,目前国际上又提出一种获得较多技术研究人员认同的PID电势能诱导衰减,目前前两者讨论的比较多。
光致衰减主要受电池工艺问题和电池原料,是指光伏组件在初始应用的几天输出功率发生较大的急剧性下降,但是输出功率会逐渐稳定。
一、光致衰减理论光照或电流注入导致硅片中的硼于氧结合形成硼氧复合体,进一步导致硅片中少子寿命降低,导致光伏组件效率下降,硅片中的硼氧成分越高,在光照或电流注入条件下硼氧复合体越多,复合体越多组件功率衰减量越大,因此低氧,低硼,掺稼,掺磷,用稼磷替代硼能有效降低光伏组件衰减。
光伏组件光致衰减的解决途径:硅片中氧元素和硼元素的含量决定了组件的光致衰减程度,因此硅片中硼氧越少往往硅片质量越好,组件光致衰减量越少。
从根本上来讲光伏组件的光致衰减要从硅片入手:方法一:改进掺硼p性直拉单晶硅质量:在我国国内,掺硼直拉单晶硅是我国目前硅帮市场的主流产品。
在硅棒制作中要避免使用低质量的多晶硅料;控制掺人过多低电阻n型硅料,避免生产高补偿的p性单晶棒,因为硼氧含量极高,将导致光伏组件出现大幅度光致衰减;提高拉棒工艺水平,降低硼氧含量,降低缺陷密度,改进电阻率均匀性。
方法二:用稼替代硼元素:此种方法没有发现光致衰减问题。
方法三:利用磁控直拉单晶硅,区熔单晶硅工艺,都是可以改变硅片质量的。
后者避免了大量氧进入晶体硅的缺陷,从而彻底解决了掺硼的硅片,光伏组件的衰减问题。
方法四:使用掺p的n型硅替代掺硼的p型硅片,n型硅片可以解决光致衰减问题,但是从现有技术和工艺来看,在转换效率和制造成本上没有优势。
方法五:提高硅片加工水平改进硅片性能的一致性,进一步借助硅片分选机改进硅片质量如太阳能光伏电池片组件衰减测试仪。
光伏组件功率衰减原理及规律解析
光伏组件功率衰减原理及规律解析组件是太阳能发电的关键元件,光伏组件功率衰减是指随着光照时间的增加,组件输出功率不断呈下降趋势的现象。
组件功率衰减直接关系到组件的发电效率。
因此研究组件功率衰减非常有必要。
组件功率衰减包括组件初始光致衰减、组件材料老化衰减及外界环境或破坏性因素导致的组件功率衰减。
外界环境导致功率衰减主要由光伏电站运营不当造成,可通过加强光伏电站的维护进行改善或避免;破坏性因素导致的组件功率衰减是由于组件明显的质量问题所致,在组件生产和电站安装过程对质量进行严格检验把控,可减少此类功率衰减的现象。
本文主要研究组件初始光致衰减及材料老化衰减。
1组件初始光致衰减分析■组件初始光致衰减原理分析组件初始光致衰减(LID)是指光伏组件在刚开始使用的几天其输出功率发生大幅下降,之后趋于稳定的现象。
普遍认为的衰减机理为硼氧复合导致,即由p型(掺硼)晶体硅片制作而成的光伏组件经过光照,其硅片中的硼、氧产生复合体,从而降低了其少子寿命。
在光照或注入电流条件下,硅片中掺入的硼、氧越多,则生成复合体越多,少子寿命越低,组件功率衰减幅度就越大。
■组件初始光致衰减的实验分析本研究采用对比实验的办法,在背板、EVA、玻璃和封装工艺等条件完全一致情况下,采用两组电池片(一组经初始光照,另一组未经初始光照),分别将其编号为I和II。
同时,生产出的所有组件经质量全检及电致发光(EL)检测,确保质量完全正常。
实验过程条件确保完全一致,采用同一台太阳能模拟仪测量光伏组件I-V曲线。
分别取I和II光伏组件各3组进行试验,记录其在STC状态下的功率输出值。
随后,将I和II光伏组件放置于辐照总量为60kWh/m2(根据IEC61215的室外暴晒试验要求)的同一地点进行暴晒试验,分别记录其功率,结果见表1。
由表1可知,I组光伏组件整体功率衰减明显较II组低。
因此,可推测光伏组件的初始光致衰减主要取决于电池的初始光致衰减。
在光伏组件封装前对其电池片进行初始光照,则组件功率衰减会显著减弱。
太阳能电池片衰减的原因
太阳能电池片衰减的原因
太阳能电池片是太阳能光伏发电的核心部件,其性能和衰减问题是业内关注的重点。
电池片的衰减主要受以下几个因素影响:
首先,生产工艺是影响电池片性能的重要环节。
在制造过程中,如果控制不好杂质和缺陷,电池片中就会存在大量的缺陷和杂质,这些缺陷和杂质能吸收太阳光,导致电池片内部产生热能,使得电池片温度升高,热能又促使更多的缺陷和杂质析出,形成一个恶性循环,最终导致电池片效率的降低和寿命的缩短。
其次,光照条件也会影响电池片的衰减。
在长期的光照下,电池片会发生光致衰减现象。
这是因为在太阳光的紫外线和红外线的影响下,电池片中的硅原子会形成新的化学键,这些新形成的化学键会导致电池片的效率降低。
另外,热能也是影响电池片衰减的重要因素。
在高温下,电池片内部的硅原子运动会加速,这会导致电池片的效率降低。
同时,过高的温度也会促使硅材料内部发生热解反应,释放出氢原子和其他杂质,进一步加速电池片的衰减。
此外,环境因素如空气湿度、氧气和二氧化硅粉尘等也会影响电池片的衰减。
在潮湿环境中,电池片表面容易形成一层水膜,这为杂质和缺陷提供了析出的条件,进一步加速了电池片的衰减。
同时,氧气和二氧化硅粉尘也会与电池片表面发生化学反应,导致电池片的效率降低。
综上所述,太阳能电池片的衰减是多因素综合作用的结果。
为了延长电池片的寿命和提高其效率,需要从生产工艺、光照条件、热能和环境因素等多个方面进行综合考虑和优化。
太阳能电池系列之硅片质量引起的组件早期衰减
太阳能电池系列之硅片质量引起的组件早期衰减第一篇:太阳能电池系列之硅片质量引起的组件早期衰减摘要:本篇丫丫将探讨硅片质量对太阳能电池性能的影响,主要涉及少子寿命、早期光致衰减、位错对电池性能的影响,以及组件功率下降的原因与解决方式等内容。
一、相关概念1、少子少子,即少数载流子,它相对于多子而言。
半导体材料中有电子和空穴两种载流子。
如果在半导体材料中某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子。
如,在N型半导体中,空穴是少数载流子,电子是多数载流子;在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
2、光致衰减对于硼掺杂的Cz法生长的单晶硅太阳能电池,当它暴露于光照下时,电池性能会衰减,并最终达到一个稳定的效率,这种现象叫作光致衰减。
3、热斑太阳电池热斑是指太阳电池组件在阳光照射下,由于部分组件受到遮挡无法工作,使得被遮盖的部分升温远远大于未被遮盖部分,致使温度过高出现烧坏的暗斑。
热斑可能导致整个电池组件损坏,造成损失。
因此,需要研究造成热斑的内在原因,从而减小热斑形成的可能性。
太阳电池热斑的形成主要由两个内在因素构成,分别与内阻和太阳电池自身暗电流大小有关。
4、反向电流(reverse current)反向电流原本是针对二极管提出的一个概念,当二极管反向偏置的时候本来应该是不导通的,没有电流;但是实际在二极管两端加反向电压的时候,会有微弱的电流流过二极管,这个电流就是反向电流。
从反向电流和漏电流都可以判断Si片中杂质含量高低。
5、暗电流(dark current)与暗电流曲线指无光照条件下,P-N结在不同电压下的电流。
暗电流曲线是指太阳能电池在没有光照下的电压-电流(IV)曲线,测试方法与光电流一样,只是必须完全隔绝光线。
测量暗电流的意义在于表征电池的整流效应。
好的电池应该有比较高的整流比,也就是正向暗电流比反向暗电流高越多越好。
电流的整流效应与电池开路电压有关。
二、少子寿命对电池性能的影响少子寿命是指半导体材料在外界注入(光或电)停止后,少数载流子从最大值衰减到无注入时的初值之间的平均时间。
太阳能电池的寿命与性能衰减分析
太阳能电池的寿命与性能衰减分析太阳能电池是一种利用太阳光转化为电能的装置,被广泛应用于太阳能发电系统中。
然而,随着时间的推移,太阳能电池的性能会逐渐下降,寿命也会有所减少。
本文将对太阳能电池的寿命与性能衰减进行分析。
首先,太阳能电池的寿命主要受到以下几个因素的影响:材料的老化、温度、湿度、光照强度、电池设计等。
其中,材料的老化是太阳能电池寿命减少的主要原因之一。
太阳能电池中常用的材料有硅、镓、硒等,这些材料在长时间的使用中会发生物理和化学变化,导致电池性能下降。
此外,高温和高湿度环境也会加速太阳能电池的老化过程,减少其寿命。
其次,太阳能电池的性能衰减主要表现在以下几个方面:光电转换效率下降、输出功率减少、电池电压降低等。
光电转换效率是衡量太阳能电池性能的重要指标,随着时间的推移,太阳能电池的光电转换效率会逐渐降低。
这是因为太阳能电池材料的老化和损耗导致光电转换效率下降。
此外,太阳能电池的输出功率也会随着时间的推移而减少,这是由于材料老化和光照强度的变化导致的。
另外,太阳能电池的电压也会随着时间的推移而降低,这可能是由于电池内部电阻的增加导致的。
为了延长太阳能电池的寿命和减缓性能衰减,可以采取以下措施:首先,选择高质量的太阳能电池材料和组件,这样可以减少材料老化和性能衰减的速度。
其次,保持太阳能电池的正常工作温度,避免过高的温度和湿度环境。
此外,定期清洁太阳能电池表面的灰尘和污垢,以提高光吸收效率。
最后,合理设计太阳能电池系统,减少电池电压降低和功率损失。
除了以上措施外,科技的进步也为太阳能电池的寿命和性能提供了新的可能性。
例如,研究人员正在探索使用新型材料来制造太阳能电池,这些材料具有更长的寿命和更高的光电转换效率。
此外,一些新技术如太阳能电池的双面发电、太阳能电池的自清洁等也有望减缓太阳能电池的性能衰减。
总结起来,太阳能电池的寿命和性能衰减是一个复杂的问题,受到多种因素的影响。
通过选择高质量材料、保持正常工作温度、定期清洁和合理设计太阳能电池系统,可以延长太阳能电池的寿命和减缓性能衰减。
硅片造成的非正常功率衰减
硅片造成的非正常功率衰减
硅片造成的非正常功率衰减有以下两种情况:
1.光致衰减(Staebler-Wronski 效应):在长期有氧环境硅片中会发生缓慢
化学反应被氧化,从而降低硅片性能。
硅片在长期有氧坏境中会发生缓慢化学反应被氧化,从而降低性能,这是组件长期衰减的主要原因;在真空成型过程中会以一定比例掺杂硼(空穴)和磷(给体),提高硅片的载流子迁移率,从而提高组件性能,但是硼作为缺电子原子会与氧原子(给体)发生复合反应,降低载流子迁移率,从而降低组件的性能,这是组件第一年衰减2%左右的主要原因。
2.组件老化衰减:组件在长期使用中出现的极缓慢的功率下降,产生的主要
原因与电池衰减和封装材料的性能退化有关。
由于破坏性因素导致的组件功率骤然衰减,破坏性因素主要指组件在焊接过程中焊接不良、封装工艺存在缺胶现象,或者由于组件在搬运、安装过程中操作不当,甚至组件在使用过程中受到冰雹的猛烈撞击而导致组件内部隐裂、电池片严重破碎等现象; 组件初始的光致衰减,即光伏组件的输出功率在刚开始使用的最初几天内发生较大幅度的下降,但随后趋于稳定,一般来说在2%以下。
perc组件lid衰减标准
perc组件lid衰减标准全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:Perc组件lid衰减标准是指在太阳能光伏系统中使用的perc电池组件在环境条件下进行长期使用后,其性能是否仍然能够保持稳定。
由于光伏系统一般需要使用20-30年以上,因此对于perc组件的寿命和性能稳定性要求较高。
在光照条件、温度变化、湿度等环境因素的影响下,perc组件的发电效率和稳定性容易受到影响,所以制定了一系列的lid衰减标准来评估perc组件的质量。
lid,即光诱导降解,是指在光照条件下,晶体硅电池组件在早期使用阶段会出现发电效率下降的现象。
这是因为光照条件下会激发组件中的掺杂杂质与硅晶体表面氧发生反应,形成一层氧化膜,导致电池片的有效发电面积减小,影响电池组件的发电效率。
为了避免lid对perc组件的影响,需要对perc组件的lid性能进行评估和测试。
一般来说,perc组件需要通过一系列严格的测试标准来评估其lid 衰减性能。
常见的lid测试标准主要包括iec 61215、iec 61215、iec 61215、iec 61215和iec 61215等。
这些标准规定了perc组件在不同环境条件下的lid衰减率和稳定性要求,以确保perc组件在使用寿命内能够保持稳定的发电效率。
除了lid测试标准外,还有一些其他影响perc组件性能稳定性的因素需要考虑。
比如热压力测试(htc)、湿度热试验(hdt)等,这些测试可以评估perc组件在高温、高湿条件下的性能稳定性。
通过这些测试,可以更全面地评估perc组件的质量和性能,为太阳能光伏系统的长期运行提供保障。
第二篇示例:perc组件lid衰减标准是指对于一种材料或产品在经过一段时间后,其表面上光泽度的减少程度的标准规定。
perc组件是一种常用于太阳能电池的制造中的关键组件,其表面的lid(Light Induced Degradation,光诱导衰减)问题一直备受关注。
因为lid问题会直接影响太阳能电池的性能和寿命,所以有一套严格的衰减标准对perc组件的质量进行评价和控制是非常必要的。
P型掺硼单晶硅太阳电池和组件早期光致衰减问题的研究
一些公司拉棒工艺不过关,晶体硅中氧含量过高,内应力大,位错缺陷密度高+电阻率不均匀.都直接
影响了太阳电池的效宰及稳定性。我们希望改进拉棒工艺,控翩氧含量。 用上述几种硅片制作的太阳电池有较大幅度的早期光致衰减,会超出客户所能接受的范围。其实直拉单晶 工艺是很成熟的,只要我们把好用料质量关,按正规拉棒工艺生产,硅棒的质量是可以得到较好控制的。 (B)、利用磁控直拉硅单晶工艺(MCZ)改进单晶硅棒产品质量 此工艺不仅能控韵单晶中的氧浓度.也使硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善,这种工艺已在国内部 分拉棒公司开始试用。 (c)、利用区熔单晶硅工艺(FZ)改进单晶硅棒产品质量 区焙单晶硅_[艺避免了直拉工艺中大量氧进人硅晶体的固有缺陷.从而彻底解奂了P型(掺硼)太阳电
(1)
由于原始高纯多晶硅料短块,一些拉棒公司就掺入了一些不应该使用的基磷和其它有害杂质含量
高的虚次的硅料。使用此类材料生产的太阳电池不但效率低,而且早期光致衰减幅度非常大。我们强烈要求不 使用低质量的硅料。
(封
在高纯多晶硅料中掺^过多低电阻率N型硅料,如lc的废N型硅片等1所制造出的掺硼cz硅棒
是一种高补偿的P型单晶材料,尽管电阻率合适,但硼一氧浓度非常高,从而导致太阳电池性能出现较大幅度 的早期光致衰减。我们强烈要求不使用低电阻宰N型硅料。
弛的早期光致衰减现象。因Fz工艺成本较高,主要用于lc和其它半导体器件的硅片翻造,但目前一些公司
已对Fz工艺进行相关改造,降低了成本,蛆适合于太阳电池硅片的制造。国内一些拉棒公司巳开展了这方面
.80.
第十届中国太阳能光伏会议论文集
的试制工作. (D)、改变掺杂剂,用镓代替硼
用掺镓的硅片制作的电池,没有发现太阳电池的早期光致衰减现象,见图3和图4,也是解决太阳电池早 期光致衰减的办法之一。
单晶硅组件首年衰减率
单晶硅组件首年衰减率单晶硅组件是目前太阳能光伏发电领域中应用最广泛的组件之一。
它具有高效率、稳定性好的特点,因此备受市场青睐。
然而,随着时间的推移,单晶硅组件的发电效率会逐渐下降,这就是我们常说的衰减现象。
本文将从单晶硅组件首年衰减率的角度来探讨这一现象。
我们需要明确什么是单晶硅组件的首年衰减率。
简单来说,它是指单晶硅组件在首年使用过程中,由于各种因素的影响,所导致的发电效率下降的比例。
一般来说,单晶硅组件的首年衰减率在0.5%到3%之间。
那么,造成单晶硅组件首年衰减的原因有哪些呢?首先,由于制造工艺和材料的不完美,单晶硅组件在生产过程中可能会存在一些缺陷,比如晶粒缺陷、材料杂质等。
这些缺陷会导致组件的光电转换效率下降,从而降低了发电能力。
其次,环境因素也是导致单晶硅组件衰减的重要原因之一。
比如温度的升高会使组件的工作温度升高,从而导致发电效率的下降;而光照的变化也会对组件的发电效率产生一定的影响。
那么,如何降低单晶硅组件的首年衰减率呢?首先,我们可以通过优化制造工艺和材料来减少组件的缺陷。
比如,可以采用更高质量的硅材料,提高制造工艺的精度等。
其次,我们可以通过改善组件的散热性能来降低温度对组件发电效率的影响。
比如,可以在组件背面增加散热片,提高组件的散热效果。
此外,我们还可以通过优化组件的电路设计,减少电路中的损耗,提高组件的发电效率。
我们还可以通过定期的清洁和维护来延缓组件的衰减。
由于组件表面容易积累灰尘和污垢,这些杂质会降低组件的透光性,从而影响发电效率。
因此,定期对组件进行清洁是非常必要的。
此外,我们还需要定期检查组件的连接线路和支架等部件,确保其正常工作,避免因为这些部件的损坏导致组件的发电效率下降。
单晶硅组件的首年衰减率是一个不可忽视的问题。
虽然这种衰减现象无法完全避免,但我们可以通过优化制造工艺和材料、改善组件的散热性能、优化电路设计以及定期清洁和维护等方式来延缓组件的衰减。
这样可以保证单晶硅组件在使用寿命内能够稳定高效地发电,为太阳能光伏发电行业的发展做出贡献。
组件效率衰减曲线
组件效率衰减曲线
组件效率衰减曲线是指随着时间的推移,组件的效率逐渐下降的曲线。
在一些电子设备中,如太阳能电池板、发动机等,随着使用时间的增加,组件的性能会受到各种因素的影响,逐渐降低。
通常,组件效率衰减曲线呈现出一个先快后慢的趋势,即初始时期效率下降较快,随着时间的推移,效率下降的速度逐渐减慢。
这是因为在组件使用过程中,一些因素会导致组件性能下降,如材料老化、磨损、电子元件寿命等,但随着时间的推移,这些因素对组件性能的影响逐渐减弱。
具体的衰减曲线形状和速度取决于组件的特性、制造工艺以及使用环境等因素。
因此,不同组件的效率衰减曲线可能存在差异。
对于太阳能电池板来说,效率衰减曲线通常以年份为横轴,效率衰减为纵轴。
根据多项研究和实测数据,太阳能电池板的效率在开始使用后的几年内可能会快速下降,然后逐渐稳定或缓慢下降。
为了延长组件的使用寿命和维持其性能,通常需要定期对组件进行维护和保养。
例如,太阳能电池板需要定期清洗,以去除积尘和污垢,以保持最佳的光吸收效果。
此外,定期检查和更换老化或故障的电子元件也是关键措施。
总之,组件效率衰减曲线对于评估和预测组件性能的变化趋势具有重要意义,对于各种电子设备的维护和优化具有指导作用。
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摘要:本篇丫丫将探讨硅片质量对太阳能电池性能的影响,主要涉及少子寿命、早期光致衰减、位错对电池性能的影响,以及组件功率下降的原因与解决方式等内容。
一、相关概念
1、少子
少子,即少数载流子,它相对于多子而言。
半导体材料中有电子和空穴两种载流子。
如果在半导体材料中某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子。
如,在 N型半导体中,空穴是少数载流子,电子是多数载流子;在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
2、光致衰减
对于硼掺杂的Cz法生长的单晶硅太阳能电池,当它暴露于光照下时,电池性能会衰减,并最终达到一个稳定的效率,这种现象叫作光致衰减。
3、热斑
太阳电池热斑是指太阳电池组件在阳光照射下,由于部分组件受到遮挡无法工作,使得被遮盖的部分升温远远大于未被遮盖部分,致使温度过高出现烧坏的暗斑。
热斑可能导致整个电池组件损坏,造成损失。
因此,需要研究造成热斑的内在原因,从而减小热斑形成的可能性。
太阳电池热斑的形成主要由两个内在因素构成,分别与内阻和太阳电池自身暗电流大小有关。
4、反向电流(reverse current)
反向电流原本是针对二极管提出的一个概念,当二极管反向偏置的时候本来应该是不导通的,没有电流;但是实际在二极管两端加反向电压的时候,会有微弱的电流流过二极管,这个电流就是反向电流。
从反向电流和漏电流都可以判断Si片中杂质含量高低。
5、暗电流(dark current)与暗电流曲线
指无光照条件下,P-N结在不同电压下的电流。
暗电流曲线是指太阳能电池在没有光照下的电压-电流(IV)曲线,测试方法与光电流一样,只是必须完全隔绝光线。
测量暗电流的意义在于表征电池的整流效应。
好的电池应该有比较高的整流比,也就是正向暗电流比反向暗电流高越多越好。
电流的整流效应与电池开路电压有关。
二、少子寿命对电池性能的影响
少子寿命是指半导体材料在外界注入(光或电)停止后,少数载流子从最大值衰减到无注入时的初值之间的平均时间。
少子寿命值越大,相应的材料质量越好。
电池片从线上下来测试的时候,如果是烧结后的测试,在电场的作用下少子会定
向移动,一般少子是由半导体本征激发而产生,暗电流过大会导致开路电压变小,直接导致转换率下降,然而暗电流过小的话,说明少子的量少,少子少说明少子寿命短,在少子被激发出来后很快的被复合掉。
少子寿命由少子的有效质量和散射有关,有效质量是与能带结构决定,一般片子都是固定的,有效质量也是固定的,所以少子寿命主要与散射有关,散射分离子散射,缺陷散射,和晶格散射等,如果片子内部缺陷多,离子多,晶格震动越厉害,散射率越明显,散射率越大,少子寿命大大越低,此外散射还与温度有关,温度越高,内部的微观运动越剧烈,导致散射率变大,少子寿命下降,少子寿命下降直接导致片子的短路电流减小,导致转换率下降,因此通过判断暗电流的大小,我们可以知道片子的基本状况,是好是坏,坏在哪里也就一清二楚了。
三、早期光致衰减对电池性能的影响
1、光伏组件输出功率的衰减的两个阶段
第一个阶段,我们可以把它称作初始的光致衰减,即光伏组件的输出功率在刚开始使用的最初几天内发生较大幅度的下降,但随后趋于稳定。
导致这一现象发生的主要原因是光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体,降低了少子寿命。
第二个阶段,我们可以把它称作组件的老化衰减,即在长期使用中出现的极缓慢的功率下降,产生的主要原因与电池缓慢衰减有关,也与封装材料的性能退化有关。
其中第一阶段的早期光致衰减是由硅片质量问题导致的。
2、早期光致衰减的危害
(1)危害
早期光致衰减一方面会引起组件功率在使用的最初几天内发生较大幅度的下降,使标称功率和实际功率不符;另一方面,如果同一组件内各个电池片光致衰减不一致,会造成原本分选时电性能一致的电池片,经过光照后,电性能存在很大偏差,引起组件曲线异常和热斑现象,导致组件早期失效。
热斑电池的温度与周电池的温度相差较大,过热区域可引起EVA加快老化变黄,使该区域透光率下降,从而使热斑进一步恶化,导致组件的早期失效。
(2)如何如何消除或减小热斑
为了防止太阳电池由于热斑效应而遭受破坏,最好在太阳电池组件的正负极间并联一个旁路二极管,以避免光照组件所产生的能量被受遮蔽的组件所消耗,该二极管的作用是当电池片出现热斑效应不能发电时,起旁路作用,让其它电池片所产生的电流从二极管流出,使太阳能发电系统继续发电,不会因为某一片电池片出现问题而产生发电电路不通的情况。
能解决热斑的二极管很多,但目前的关键是选择结温最低的,产生热斑时,很大
的电流将通过二极管,较短时间内,二极管的温度将上升很快,直至超过接线盒内部构件的融化温度,接线盒将被烧毁。
在IEC 61215 第二版中,有二极管发热测试,其方法如下:把组件放在75度烘箱中至热稳定,在二极管中通组件的实际短路电流,热稳定后(例如1h),测量二极管的表面温度,根据以下公式计算实际结温Tj=Tcase + R*U*I其中R 为热阻系数,由二极管厂家给出,Tcase是二极管表面温度(用热电偶测出),U是二极管两端压降(实测值),I为组件短路电流。
计算出的Tj不能超过二极管规格书上的结温范围。
所以,对于这个测试,选择二极管要看以下几个量:电流(大的好)、最大结温(大的好)、热阻(小的好)、压降(小的好)、反向击穿电压(一般40V就远远够了)。
3、解决办法
1)改善硅单晶质量
A.利用磁控直拉硅单晶工艺
此工艺不仅能控制单晶中的氧浓度,也使硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善,但需配置磁场设备并提供激磁电源,增加成本和工艺难度;
B.使用掺磷的N型硅片
从目前产业化的丝网印刷P型电池工艺来看,N型电池在转换效率和制造成本上还没有优势,一些关键工艺有待解决
C.用稼代替硼作为P型掺杂剂
由于稼在硅中的分凝系数为0.008,远小于硼的0.8,这使得掺稼单晶硅棒的电阻率分布相对掺硼单晶较宽,但对于市场上单晶硅电池要求电阻率为0.5-6欧姆的规格范围,这并不是个问题,现有电池工艺完全可以接受。
采用稼替代硼作为P型掺杂剂的优势主要有:
①对现有拉晶设备和工艺无任何影响,仅需将硼掺杂剂改为稼掺杂剂;
②对现有电池制造工艺无任何影响;
③每50千克硅料仅需掺稼1~2克,成本约为10元
2)电池片光照预衰减
四、位错对电池性能的影响
硅片中存在着极高的位错密度,成为少数载流子的强复合中心,最终导致电池和组件性能的严重下降。
五、太阳能电池生产工艺中每个工序的工艺难点
1、制绒的工艺难点是绒面金字塔要小而均匀,没有手指印,花篮印,色差,发白等现象;
2、扩散是核心工序,难点是方块电阻不均匀,以及PN结的深浅控制(结合硅片
情况);
3、去边要求刻去边上的PN结,对与刻边的控制,刻后漏电流要小;
4、去PSG就是去除表面的磷硅玻璃,腐蚀过后表面清洁,沥水效果好;
5、减反射膜主要是控制膜的厚度(最佳厚度为1/4光波长),以及没有色差;
6、印刷可以说是比较重要的环节,背面铝浆的厚度,栅线的宽度和高度,要求浆料的粘稠度要和网板匹配起来,和硅片的具体情况匹配才能达到比较好的效果。
7、烧结要重要的是温度以及履带的速度控制,这要根据硅片以及浆料的具体情况调整到比较好的范围。