电子技术基础课件3章

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第3章电子技术基础_模拟部分

第3章电子技术基础_模拟部分

•3.1.5 温度对BJT参数及特性的影响
•1. 温度对BJT参数的影响
•(1) 温度对ICBO的影响 •温度每升高10℃,ICBO约增加一倍。
•(2) 温度对 的影响 •温度每升高1℃, 值约增大0.5%~1%。
•(3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 •温度升高时,V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。
•iB=f(vBE) vCE=const •iC=f(vCE) iB=const •可以写成:
•在小信号情况下,对上两式取全微分得
•BJT双口b+ hrevce
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•ic= hfeib+ hoevce 第3章电子技术基础_模拟部分
•1. BJT的H参数及小信号模型
部载流子传输体现出来的。
外部条件:发射结正偏 集电结反偏
• 由于三极管内有两种载流子(自 由电子和空穴)参与导电,故称为双 极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
1. 内部载流子的传输过程
发射区:发射载流子
集电区:收集载流子
基区:传送和控制载流子
(以NPN为例)
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第3章电子技术基础_模拟部分
•3.1.1 BJT的结构简介
•(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
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第3章电子技术基础_模拟部分
•3.1.1 BJT的结构简介
半导体三极管的结 构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型 和PNP型。
(a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号

北京航空航天大学:数字电子技术基础 教学课件第三章 组合数字电路

北京航空航天大学:数字电子技术基础  教学课件第三章 组合数字电路
X1=+0.1001010
X2=–0.1011011
[X1]反=0.1001010 [X2]反=1.0100100
X3=–1101001 [X3]反=10010110
小数反码定义为 [X]反=
【例如】
X
2–2–n+X
当0≤X<1
当–1 < X≤0
n—二进制小 数数值的位数
[X]反=2–2–6+(–0.101101)
②二进制、 八进制、十六进制转换成十进制 二进制、八进制或十六进制转换成等值的十进 制数时,可按权相加的方法进行。 【例如】 (1011.01)2=1×23十0×22十1×21十1×20十0×2-1十1×2-2 =8+0+2+1+0+0.25=(11.25)10 (167)8=1×82十6×81+7×80=64+48+7=(119)10
2.二进制
在 二进制数中,每一位仅有0、1两个数码。计数规 律:逢二进一。任意一个二进制数可以表示为 (S)2=kn-12n-1+kn-22n-2+...+k020+k-12-1+k-22-2+...+k-m2-m = Ki 2 i
i=n–1 –m
其中,ki:只能取0或1 m、n:正整数,n为整数位数,m为小数位数 2:二进制的基数 2i: 称为第i位的权 【例如】 (101.101)2=1×22十0×21十1×20十1×2-1十0×2-2十1×2-3
一、数制
1.十进制 在 十进制数中,每一位有0—9十个数码。计数规 律:逢十进一。 任意一个十进制数(S)10可以表示为
(S)10=kn-110n-1+kn-210n-2+...+k0100+k-110-1+...+k-m10-m

数字电子技术基础 第三章(1)11-优质课件

数字电子技术基础 第三章(1)11-优质课件

图3.1.2 正逻辑与负逻辑
一些概念
1、片上系统(SoC) 2、双极型TTL电路 3、CMOS
1961年美国TI公司,第一片数字集成电路 (Integrated Circuits, IC)。
VLSI(Very Large Scale Integration)
3.2 半导体二极管门电路
3.2.1 半导体二极管 的开关特性
图3.2.1 二极管开关电路
可近似用PN结方程和下图所 示的伏安特性曲线来描述。
i Is ev/VT 1
其中:i为流过二极管的电流。 v为加到二极管两端的电压。
nkT VT q
图3.2.2 二极管的伏安特性
图3.2.3 二极管伏安特性的几种近似方法
三、电源的动态尖峰电流
图3.5.23 TTL反相器电源电流的计算 (a)vO=VOL 的情况 (b) vO=VOH的情况
图3.5.24 TTL反相器的电源动态尖峰电流
图3.5.25 TTL反相器电源尖峰电流的计算
图3.5.26 电源尖峰电流的近似波形
例3.5.4 计算f=5MHz下电源电流的平均值
图3.3.xx CMOS三态门电路结构之二 (a)用或非门控制 (b)用与非门控制
图3.3.xx CMOS三态门电路结构之三 可连接成总线结构。还能实现数据的双向传输。
3.3.6 CMOS电路的正确使用
一、输入电路的静电防护
1、在存储和运输CMOS器件时最好采用金属屏蔽层 作包装材料,避免产生静电。
tPHL:输出由高电平跳变为低电 平的传输延迟时间。
tPLH:输出由低电平跳变为高电 平的传输延迟时间。
tPD: 经常用平均传输延迟时间tPD
来表示tPHL和tPLH(通常相等)

电子技术基础第三章场效应管及其放大电路

电子技术基础第三章场效应管及其放大电路
• JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制, 来改变导电沟道的宽窄,从而控制漏极电流的大小。
• 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后, iD趋于 饱和。
2019/10/20
思考:为什么JFET的输入电阻比BJT高得多?
场效应管的应用小结
• 一是当作压控可变电阻,即非线性电阻来使用, VGS的绝对值 越大,导电沟道就越窄,对应的导电沟道电阻越大,即电压 V电G阻S控使制用电时阻,的导大电小沟,道管还子没工有作出在现可预变夹电断阻;区,当作压控可变
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场效应管的分类
场效应管 FET
结型
JFET
IGFET ( MOSFET ) 绝缘栅型
N沟道 P沟道 增强型
耗尽型
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N沟道 P沟道
N沟道 P沟道
第二节 结型场效应管(JFET)的 结构和工作原理
一、结型场效应管的结构
二、结型场效应管的工作原理
三、结型场效应管的特性曲线 及参数
UDS(sat) ≤│Up│。
JFET的三个状态
• 恒流区(放大区、饱和区) • 可变电阻区 • 截止区
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小结
• 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电,所以 场效应管也称为单极型三极管。
• JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因此 iG0,输入电阻很高。
• JFET是电压控制电流器件,iD受vGS控制。
第一节 场效应管概述 第二节 结型场效应管的结构和工作原理 第三节 绝缘栅场效应管的结构和工作原理 第四节 场效应管放大电路
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• 3-1 • 3-4 • 3-6 • 3-12
作业
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电力电子技术第3章直流斩波电路ppt课件

电力电子技术第3章直流斩波电路ppt课件

值,记为Uo。设V通的时间为ton,此阶段L上积
蓄的能量为
EI 1ton
电力电子技术
L
i1 E
iG
VD io
V
C
uo R
iG
a)
O
t
io
I1
O
t
b)
➢V断时,E和L共同向C充电并向负载R供电。设V断的时间为
toff,则此期间电感L释放能量为
Uo - E I1toff
电力电子技术
➢稳态时,一个周期T中L积蓄能量与释放能
UB
toff T
UC
➢A点的电压平均值为
UA
-
ton T
UC
➢L2的电压平均值为零,按图3-5b中输出电压Uo的极性,有
Uo
ton T
UC
电力电子技术
➢输出电压Uo与电源电压E的关系:
Uo
ton toff
E
ton T - ton
E
1-
E
这一输入输出关系与升降压斩波电路时的情况相同。
优点(与升降压斩波电路相比):输入电源电流 和输出负载电流都是连续的,且脉动很小,有利 于对输入、输出进行滤波。
T
0 uL d t 0
当V处于通态期间,uL = E;而当V处于断态期间,uL = - uo。于是:
E ton Uo toff
所以输出电压为:
Uo
ton toff
E
ton T - ton
E
1-
E
改变导通比,输出电压既可以比电源电压高,也可以比电源电压低。 当0< <1/2时为降压,当1/2< <1时为升压,因此将该电路称作升降
反过来,V进入断态时的电流初值就是V在通态阶段结束时的电

电子课件电子技术基础第六版第三章集成运算放大器及其应用

电子课件电子技术基础第六版第三章集成运算放大器及其应用
1. 组成框图 集成运算放大器的组成框图如图所示,通常包括输入级、 中间级、输出级和偏置电路。
集成运算放大器的组成框图
(1)输入级 通常是具有较大输入电阻和一定放大倍数的差动放大电路 ,利用它可以使集成运算放大器获得尽可能高的共模抑制比 。 (2)中间级 中间级的作用是使集成运算放大器具有较强的放大能力, 通常由多级共射极放大器构成。
一、零点漂移
放大直流信号和缓慢变化的信号必须采用直接耦合方式, 但简单的直接耦合放大器,常会发生输入信号为零输出信号 不为零的现象。产生这种现象的原因很多,如温度的变化、 电源电压的波动、电路元件参数的变化等,都会使静态工作 点发生缓慢变化,该变化量被逐级放大,便会使放大器输出 端出现不规则的输出量,这种现象称为“零点漂移”,简称“零 漂”。
三、集成运算放大器的主要参数
为了表征集成运算放大器的性能,生产厂家制定了很多参 数,作为合理选择和正确使用集成运算放大器的依据。下面 介绍几项主要的参数,见表。
集成运算放大器的主要参数
集成运算放大器的主要参数
§3-3 集成运算放大器的基本电路
学习目标
1. 了解理想集成运算放大器的基本概念。 2. 了解集成运算放大器线性工作区和非线性工作区的 特性及工作特点。 3. 理解集成运算放大器“虚短”“虚断”的概念。 4. 了解集成运算放大器电路直流平衡电阻的配置。
2. 消除自激振荡 集成运算放大器是多级放大器,具有极高的电压放大倍数 ,但它极易产生自激振荡,使运算放大器不能正常工作。为 了防止自激振荡的产生,通常按产品手册要求,在补偿端子 上接指定的补偿电容或 RC 移相网络,以便消除自激振荡现 象。
四、集成运算放大器的保护 电路
1. 防止电源极性接反 为了防止电源极性接反而损坏集 成运算放大器,可利用二极管的单向 导电特性来控制,如图所示,二极管 V1、V2 串入集成电路直流电源电路 中,当电源极性接反时,相应的二极 管便截止,从而保护了集成电路。 防止电源极性接反保护电路

《模拟电子技术基础》第3章 双极型晶体管及其基本放大电路

《模拟电子技术基础》第3章 双极型晶体管及其基本放大电路

3.2 双极型晶体管
3.2.4 晶体管的共射特性曲线
2.输出特性曲线—— iC=f(uCE) IB=const
以IB为参变量的一族特性曲线
(1)当UCE=0V时,因集电极无收集
作用,IC=0;
(2)随着uCE 的增大,集电区收集电
子的能力逐渐增强,iC 随着uCE 增加而
增加;
(3)当uCE 增加到使集电结反偏电压
电压,集电结应加反向偏置电压。
3.2 双极型晶体管
3.2.3 晶体管的电流放大作用
1. 晶体管内部载流子的传输
如何保证注入的载流
子尽可能地到达集电区?
P
N
IE=IEN + IEP
IEN >> IEP
IC= ICN +ICBO
ICN= IEN – IBN
IEN>> IBN
ICN>>IBN
N
IEP
IE
3. 晶体管的电流放大系数
(1) 共基极直流电流放大系数
通常把被集电区收集的电子所形成的电流ICN 与发射极电流
IE之比称为共基电极直流电流放大系数。

I CN

IE
由于IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN,且ICN>> IBN,ICN>>IEP。通常ത
的值小于1,但≈1,一般

为0.9-0.99。

3.2 双极型晶体管
3.2.3 晶体管的电流放大作用
3. 晶体管的电流放大系数
(2) 共射极直流电流放大系数
I C I CN I CBO I E I CBO ( I C I B ) I CBO

电工电子技术基础-第3章

电工电子技术基础-第3章
[3.13] 在图 T3.13 所示的电路中,已知
R +
4
R 10 , U1 U 2 , I1 I 2 , Z1 (5 j 5) , 同相时 Z 等于多少。 和I Z R jX 。试求 U
2 L 2
I
[ 解] 由于 U1 U 2 , I1 I 2 ,所以 Z1 Z 2 。
( 1)
10 30 V , Z 5 j 5 ,求 I 和 P。 (2) U 30 15 V , I 3 165 A , 求 R、X 和 P。 5e j 60 V ,求 R、X 和 P。 (3) U Z 100 30 V , I
(1) u 10 2 sin t V ; (2) u 10 2 sin(t
1
[ 解]
10 0 V 10 V ; U 10 90 V j10 V ; U
10 90 V j10 V ; U 10 135 V 7.07 j 7.07 V U
du 4 106 100 220 2 cos100 t A 88 2 cos100 t m A dt 1 1 104 ( 2) X C C 2 fC 4 i C
10 jX I U 0.1 60 V 79.6 30 V C j 4
1

U 1 ,所以, C 159 F Z 2 j 20 j I2 C
T。 8 [解](1)由 f 1000 H Z 得 2 f 6280 rad/ s i 100 sin(6280t
) m A 100 sin(6280 0.375 ) m A 100 m A 4 4 (2) i 100 sin(t ) m A 100 sin(1.25 ) m A 0 4 4 (3) i 100 sin(t ) m A 100 sin( ) m A 70.7 m A 4 2 4 2 7 (4) i 100 sin(t ) m A 100 sin( T ) m A 100 m A 4 T 8 4

《数字电子技术基础》第六版--门电路-1117省名师优质课赛课获奖课件市赛课一等奖课件

《数字电子技术基础》第六版--门电路-1117省名师优质课赛课获奖课件市赛课一等奖课件

S
D
B
不论D、S间有无电压, 均无法导通,不能导电
第 章 门电路
3.3.1 MOS管旳开关特征 以N沟道增强型为例研究通电情况:
数字电子技术基础 第六版
2、添加垂直电压VGS
形成电场G—B,把衬底中旳电子吸引 到上表面,除复合外,剩余旳电子在 上表面形成了N型层(反型层)为D、 S间旳导通提供了通道。
VGS(th)称为阈值电压(开启电压)
第 章 门电路
数字电子技术基础 第六版
3.3.1 MOS管旳开关特征
MOS管输入特征和输出特征
① 输入特征:直流电流为0,看进去有一种输入电 容CI,对动态有影响。
② 输出特征: iD = f (VDS) 相应不同旳VGS下得一族曲线 。
第 章 门电路
3.3.1 MOS管旳开关特征 输出特征曲线(分三个区域)
第 章 门电路
3.2.2 二极管或门 二极管构成旳门电路旳缺陷
• 电平有偏移 • 带负载能力差
数字电子技术基础 第六版
• 只用于IC内部电路
第 章 门电路
集成门电路
数字电子技术基础 第六版
集成门电路
双极型 TTL (Transistor-Transistor Logic Integrated Circuit)
第 章 门电路
数字电子技术基础 第六版
3.3.2 CMOS反相器旳电路构造和工作原理 三、输入噪声容限
噪声容限--衡量门电路旳抗干扰能力。 噪声容限越大,表白电路抗干扰能力越强。
测试表白:CMOS电路噪声容限VNH=VNL=30%VDD,且 随VDD旳增长而加大。所以能够经过提升VDD来提升噪声容限
第 章 门电路
半导体基础知识(2)

模拟电子技术基础 第三章 二极管及其基本电路(共63张PPT)

模拟电子技术基础 第三章 二极管及其基本电路(共63张PPT)
电路如图,R = 1kΩ,VREF = 3V,二极管为硅二极管。 分别用理想模型和恒压降模型求解,当vI = 6sint V时, 绘出相应的输出电压vO的波形。
双向 限幅电路
例: 电路如图,二极管为硅二极管,VD=0.7V,
vs = Vm sint V,且Vm >>VD ,绘出相应的输出电压
-
VC +
因浓度差
多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区
空间电荷区形成内电场
内电场促使少子漂移
内电场阻止多子扩散
最后,多子的扩散和少子的漂移到达动态平衡。
对于P型半导体和N型半导体结合面,离子 薄层形成的空间电荷区称为PN结。
在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称 耗尽层。
3.2.3 PN结的单向导电性
kT VT q 0.026V26mV
3.2.4 PN结的反向击穿
当PN结的反向电压 增加到一定数值时, 反向电流突然快速增 加,此现象称为PN结 的反向击穿。
热击穿——不可逆
雪崩击穿 齐纳击穿
电击穿——可逆
3.2.5 PN结的电容效应
(1) 扩散电容CD
外加电压变化
扩散到对方区域 在靠近PN结附近Fra bibliotek累积的载流子浓
3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管电路的简化模型分析方法
3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法
二极管是一种非线性器件,因而其电路一般要采用非线 性电路的分析方法,相对来说比较复杂,而图解分析法那 么较简单,但前提条件是二极管的V -I 特性曲线。
例3.4.1 电路如下图,二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R, 求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。

电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章_康华光

电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章_康华光
此时,阴 极电位高 于阳极电 位VZ。
(a)符号
(b) 伏安特性
稳压原理
R
+
IR
IO
IZ
+
VI
DZ
VO
RL
-
-
RL↓→IO↑→IR↑→↓VO=VI-VR VO↑←IR↓←IZ↓
稳压管的应用
①、稳压管外接正向电压时,导通。 ②、稳压管外接反向电压,且该电压
的幅值小于VBR时,截止。 ③、稳压管外接反向电压,且该电压
于空穴数,因此,N型半导
体又称为电子半导体。
3、多子和少子
数目较多的载流子叫多数载流子,简 称多子。同样,数目较少的载流子叫少数 载流子,简称少子。
在P型半导体中,空穴是多子,而自 由电子是少子。
在N型半导体中,自由电子是多子, 而空穴是少子。
第二节、PN结的形成及特性 一、PN结的形成 二、PN结的特性 三、PN结的伏安特性及表达式
本征激发时,自由电子和空穴总是成对产生, 称为电子空穴对。因此本征激发又叫做电子空穴 对的产生。
3、载流子 能够自由运动的带电粒子。
只有两种载流子:自由电子和空穴。 自由电子带负电 空穴带正电
4、本征浓度
自由电子和空穴相遇时,成对消失的现象称为 载流子的复合。
电子空穴对的产生和复合总是不停地进行着, 最终处于一种平衡,使半导体中载流子的浓度一 定。一定温度下,单位体积内(1cm3)的载流子 个数称为本征浓度。
正偏时,二极管两端短路 反偏时,二极管开路 2、恒压模型 正偏时,二极管从阳极到阴极
VD=VON(导通电压) 反偏时,二极管开路
➢ 图解分析法
1. 理想模型
2. 恒压降模型
第五节、特殊二极管

模拟电子技术基础 3.3差分放大电路PPT课件

模拟电子技术基础 3.3差分放大电路PPT课件
uod = 2ic1RL
ic2 = ic1
而(对镜像源):
二、双端变单端的转换电路
对共模信号:
ic4 = ic3 ≈ ic1
iL = ic4 – ic2 = 0
uoc = 0
ic2 = ic1

具有双端输出的效果!
3.3.4 差分放大电路的差模传输特性
O
ui
iC
iC1
iC2
I0
UT
-UT
4UT
采用 V3 管代替 R
4 FET管电流源
I0 = IREF
2、有源负载
以电流源取代电阻作放大电路的负载。
优点:既提高了电压放大倍数,又设置了合适的工作点。
一、电流源与有源负载
二、具有电流源的差分放大电路
二、具有电流源的差分放大电路
CMOS差分放大电路
V1、V2构成差放, V3、V4构成电流源作有源负载, V5、V6 、V7构成电流源提供偏置。
第3章 放大电路基础
3.1 放大电路的基础知识 3.2 基本组态放大电路 3.3 差分放大电路 3.4 互补对称功率放大电路 3.5 多级放大器
3.3 差分放大电路
3.3.1 基本差分放大电路
3.3.2 电流源与具有电流源的差分放大电路
3.3.3 差分放大电路的输入、输出方式
差分放大电路又称差动放大电路,简称差放,具有输出电压近似与两个输入电压之差成正比的特性,是集成运放中重要的基本单元电路。
3.3.3 差分放大电路的差模传输特性及应用
一、电路组成及静态分析
一般
3.3.1 基本差分放大电路
结构特点: 1 两个输入端,两个输出端; 2 电路结构和元件参数对称; 3 双电源供电; 4 RE是公共发射极电阻。

电工与电子技术基础第3章 三相电路

电工与电子技术基础第3章  三相电路

3.3 三相电路功率
3.3.1 三相功率分析计算
⒈ 三相电路总功率 有功功率: 无功功率: 视在功率: 功率因数:
⒉ 对称三相电路总功率
有功功率: 无功功率: Up、Ip分别为每相负载的相电压、相电流的有效值;
是三相负载相电压与对应的相电流之间的相位差角。
【例63--160】 已知某三相对称负载阻抗Z=(6+j8)Ω,线电压Ul =380V,试求该三相对称负载分别作Y形联结和Δ形联结时的 P、Q、S、 解:因电路对称,电路总的功率因数即每相负载的功率因数。
3-3
3-9
图3-9 三相不对称有中线电路
⒉ 无中线
3-4
3-10
3-3
a)
b)
图3-10 三相不对称无中线电路
结论
⑴ 三相负载不对称且无中线,将引起负载相电压不对称, 负载电压过高过低,轻者使其不能正常工作,重者将损 坏负载设备。
⑵ 在三相负载不对称情况下,应采用三相四线制。即 联结中线,并使ZN →0,则 →0。这样各相负载虽因 阻抗不同,但两端电压仍能保持均衡。
第3章 目录
3.1 三相电路基本概念
3.1.1 对称三相电源概述 3.1.2 三相电源联结 3.1.3 三相负载联结
3.2 三相电路分析计算
3.2.1 对称三相电路分析计算 3.2.2 不对称三相电路分析计算
3.3 三相电路功率
3.3.1 三相功率分析计算 3.3.2 三相功率测量
3.4 安全用电 3.5 习题
⑴ 负载Y形联结:
⑵ 负载Δ形联结: 从上例计算中得出,PΔ=3PY,表明三相对称负载作Δ形 联结时吸收的功率是Y形联结时的3倍。
⑵ 负载Δ形联结 不对称负载: 对称负载:

电子技术基础——电路与模拟电子(第3章)

电子技术基础——电路与模拟电子(第3章)

du(t ) p(t ) = u (t )i (t ) = Cu(t ) dt
(3―6)
对上式从-∞到 进行积分 可得t时刻电容上的储能为 进行积分, 对上式从 到t进行积分,可得 时刻电容上的储能为 计算过程中认为u(-∞)=0。 。 计算过程中认为
ωC (t ) = ∫
t
−∞
p (ξ )d ξ
(3-7)
1 1 1 = + C C1 C2
或写为
C1C2 C= C1 + C2
(3―18)
上式中C为电容 相串联时的等效电容。由式(3―17)画出 上式中 为电容C1与C2相串联时的等效电容。由式 为电容 画出 其等效电路如图3.6(b)所示。同理可得,若有 个电容 k(k=1,2,…,n) 所示。同理可得,若有n个电容 个电容C 其等效电路如图 所示 相串联, 相串联,其等效电容为
第3章 动态电路分析
电容元件及电容电流波形分别如图3.2( )、 例3-1 电容元件及电容电流波形分别如图 (a)、 (b)所示,已知 )所示,已知u(0)=0,试求 ,试求t=1s、t=2s、t=4s时的电 、 、 时的电 容电压u以及 以及t=2s时电容的储能。 时电容的储能。 容电压 以及 时电容的储能
第3章 动态电路分析
电感串并联: 电感串并联:
是电感L 相串联的电路, 图 3.8(a)是电感 1 与 L2 相串联的电路 , 流过两电感的电流是同一电 是电感 的微分形式和KVL,有 流i。根据电感 。根据电感VAR的微分形式和 的微分形式和 ,
L = L1 + L2
(3―25)
称为电感L1与 L2串联时的等效 称为电感 与 串联时的等效 电感。 由式(3―26)画出相应的等效 电感 。 由式 画出相应的等效 电路如图3.8(b)所示 。 同理 , 若有 所示。 同理, 若有n 电路如图 所示 个 电感 Lk(k=1,2,…,n) 相 串联 , 可 推 导其等效电感为

《数字电子技术基础》第3章 门电路

《数字电子技术基础》第3章 门电路
VDD
导通
TP vI vO
TN
vo=―1” 截止
vI=1
VDD
截止
T1 vI
vO T2
vo=―0” 导通
静态下,无论vI是高电平还是低电平,T1、T2总有 一个截止,因此CMOS反相器的静态功耗极小。
二、电压传输特性和电流传输特性
T1导通T2截止
电 压 传 输 特 性
T1T2同时导通
T2导通T1截止
噪声电压作用时间越短、电源电压越高,交流噪声容 限越大。
三、动态功耗
反相器从一种稳定状态突然变到另一种稳定状态的过
程中,将产生附加的功耗,即为动态功耗。
动态功耗包括:负载电容充放电所消耗的功率PC和 PMOS、NMOS同时导通所消耗的瞬时导通功耗PT。 在工作频率较高的情况下,CMOS反相器的动态功耗 要比静态功耗大得多,静态功耗可忽略不计。
VNL VIL (max) VOL (max)
测试表明:CMOS电路噪声容限 VNH=VNL=30%VDD,且随VDD的增加而加大。
噪声容限--衡量门电路的抗干扰能力。 噪声容限越大,表明电路抗干扰能力越强。
§3.3.3 CMOS反相器的静态输入输出特性
一、输入特性 因为MOS管的栅极和衬底之间存在着以SiO2 为介质的输入电容,而绝缘介质非常薄,极易被
S1
输 入v I 信 号 输 vo 出 信 号
S2
图3.1.3 互补开关电路
互补开关电路由于两个开关总有一个是断开的, 流过的电流为零,故电路的功耗非常低,因此在数字 电路中得到广泛的应用
3.1 概述
4. 数字电路的概述 (1)优点: 在数字电路中由于采 用高低电平,并且高低电 平都有一个允许的范围, 如图3.1.1所示,故对元器 件的精度和电源的稳定性 的要求都比模拟电路要低, 抗干扰能力也强。

《电工电子技术基础》第3章三相交流电路.ppt

《电工电子技术基础》第3章三相交流电路.ppt
第1章
3.1 三相电源的连接方式 3.2 三相负载的连接方式 3.3 三相电路的功率
第1章
3.1 三相电源的连接方式
1. 对称三相交流电
A
定子 首端: A B C 三绕组在空间
↓↓↓
位置互差120o

N
Z
尾端: X Y Z

转子
转子装有磁极并以 的速度旋。三
个线圈中便产生三个单相电动势。

S
中线的作用在于,使星形连接的不对称负载得到相 等的相电压。为了确保零线在运行中不断开,其上不允 许接保险丝也不允许接刀闸。
第3页
1.负载的Δ形连接:
iA 线电流
A
iAB
Δ接负载的端电压等于电源线电压;
火线上通过的电流称为线电流Il; 负载中通过的电流称为相电流IP;
接时 U l: U p
uAB uCA Z
三个线电压也是对称的,
e C uA
ZX
Y
u AB
u CA
N
且超前与其相对应的相电 压30°电角。
UC
A
-UA
N
-
30 UBN
30
UAB
- 30
UCN
uB
u BC
B C





UABUANUBN UAN(UBN)





UBC UBNUCN UBN(UCN)





UCA UCNUAN UCN(UAN)
由相量图还可看出,在三相对称情况下,线电流是相 电流的1.732倍,相位滞后与其相对应的相电流30°。
第3页

电工与电子技术基础课件第三章正弦交流电

电工与电子技术基础课件第三章正弦交流电

_
正弦交流电的优越性:
正半周
便于传输;易于变换
便于运算;
有利于电器设备的运行;
.....
负半周
二、正弦交流电的产生
正弦交流电通常是由交流发电机产生的。图3-2a 所示是最简单的交流发电机的示意图。发电机由定子和 转子组成,定子上有N、S两个磁极。转子是一个能转 动的圆柱形铁心,在它上面缠绕着一匝线圈,线圈的两 端分别接在两个相互绝缘的铜环上,通过电刷A、B与 外电路接通。
1 F 106 F
1pF 1012 F
图3-17 电容器的图形符号
(2) 电容器的基本性质 实验现象1
1)图3-18a是将一个电容器和一个灯泡串联起来接在直流电 源上,这时灯泡亮了一下就逐渐变暗直至不亮了,电流表的指 针在动了一下之后又慢慢回到零位。 2)当电容器上的电压和外加电源电压相等时,充电就停止了, 此后再无电流通过电容器,即电容器具有隔直流的特性,直流 电流不能通过电容器。
1.电容器的基本知识 (1)电容器——是储存电荷的容器
组成:由两块相互平行、靠得很近而 又彼此绝缘的金属板构成。
电容元件的图形符号
电容量 C q
u 1)C是衡量电容器容纳电荷本领大小的物理量。 2)电容的SI单位为法[拉], 符号为F; 1 F=1 C/V。
常采用微法(μF)和皮法(pF)作为其单位。
第一节 交流电的基本概念
一、交流电
交流电——是指大小和方向 都随时间作周期性的变化的
电动势、电压和电流的总称。
正弦交流电——接正弦规律 变化的交流电。
图3-1 电流波形图 a)稳恒直流 b)脉动直流
c)正弦波 d)方波
正弦量: 随时间按正弦规律做周期变化的量。
ui

电子技术基础课件第3章 集成运算放大器及正弦波振荡电路

电子技术基础课件第3章  集成运算放大器及正弦波振荡电路

图中VT3组成分压式工作点稳定电路,该电路当温度发生变 化时,Ie3基本不变,且
从而阻止了Ic1、Ic2随温度升高而增大,起到抑制零漂的作用。
*3.1.4 差动放大电路的4种接法
1.单端输入、双端输出式 单端输入、双端输出式差动放大电路如图3.3所示。
2.双端输入、单端输出式 双端输入、单端输出式差动放大电路如图3.4所示。
② 中间级。其作用是提供较高的电压放大倍数,一般由共发射 极放大电路组成。
③ 输出级。输出级的作用是提供一定的电压变化,通常采用互 补对称放大电路。
④ 辅助环节。使各级放大电路有稳定的直流偏置。
2.集成运放符号
集成运放是高电压放大倍数、高输入电阻、低输出电阻的直 接耦合放大电路,由于直接耦合放大电路存在零点漂移问题,所 以对零漂影响最大的第一级电路往往采用差动放大器。
(a)新符号
(b)旧符号
图3.9 集成运放的图形符号
3.主要参数 集成运放的性能可以用各种参数来反映,为了合理正确地
选择和使用集成运放,下面介绍集成运放的主要性能指标。 ① 开环电压放大倍数Auo:指无反馈时集成运放的差模电压放大 倍数。 ② 差模输入电阻rid:指差模输入时运放无外加反馈回路时的输 入电阻。
集成电路按电路功能可分为模拟集成电路和数字集成电路, 模拟集成电路主要有集成功率放大器、集成运算放大器、集成 稳压器等。由于集成电路体积小、稳定性好,因而在各种电子 设备及仪器中得到了广泛的应用。
3.2.1 集成电路的特点
与分立元件电路相比,集成电路具有以下突出特点。 1.可靠性高、寿命长 2.体积小、重量轻 3.速度高、功耗低 4.成本低
3.抑制零点漂移的措施 ① 选用稳定性能好的高质量的硅管。
② 采用高稳定度的稳压电源可以抑制电源电压波动引起的零漂。
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(4--25)
3.2.2加减运算电路 加减运算电路
(1) 反相求和运算: 反相求和运算:
uP = u N = 0 i11 + i12 = i F
U i1 − 0 U i1 − 0 0 − U O + = R11 R21 R2
ui1 i11 ui2 i12
R11 R12
iF ∆ ∆ ∆ ∆
R2
_ ∞ + +
(4--2)
集成电路内部结构的特点
1、电路元件制作在一个芯片上,元件参数偏差 、电路元件制作在一个芯片上, 方向一致,温度均一性好。 方向一致,温度均一性好。 2、电阻元件由硅半导体构成,范围在几十到 、电阻元件由硅半导体构成,范围在几十到20 千欧,精度低。 千欧,精度低。高阻值电阻用三极管有源元 件代替或外接。 件代替或外接。 3、几十 以下的小电容用 结的结电容构成、 、几十µF以下的小电容用 结的结电容构成、 以下的小电容用PN结的结电容构成 大电容要外接。 大电容要外接。 4、二极管一般用三极管的发射结构成。 、二极管一般用三极管的发射结构成。
uO = −(
R2 C1 du 1 + )uI − R2C1 I − ∫ uI dt R1 C 2 dt R1C 2
(4--32)
3.2.4对数指数运算电路 对数指数运算电路
利用PN结伏安特性的指数规律实现对数指数运算电路。 利用 结伏安特性的指数规律实现对数指数运算电路。 结伏安特性的指数规律实现对数指数运算电路
uN= uP= 0
uo iF = − R dui iC = C dt iC = i F
ui
-+ +
R2

uo
du i u o = − RC dt
(4--29)
(2) 积分运算: 积分运算:
iC C iR
R R2

ui iR = R
duo iC = − C dt
ui
+ +
uo
1 uo = − ∫ u i dt RC
+vCC uo
-vEE
输入级 要求: 尽量减小零点漂移,尽量提高 要求: 尽量减小零点漂移 尽量提高 KCMR , 输入电阻 Ri尽可能大。 尽可能大。
(4--6)
T4 反相端 uN uP 同相端 IS T3 T1 T2 T5
+vCC uo
-vEE
输入级
中间级
足够大的电压放大倍数
(4--7)
T4 反相端 uN uP 同相端 IS T3 T1 T2 T5
+vCC uo
-vEE
输入级
中间级 输出级
主要提高带负载能力, 主要提高带负载能力,给出足够的输出电流 io ,输出电阻 Ro小。
(4--8)
运放的特点和符号
运放的特点: 运放的特点: ri 高:几十 ∼ 几百 Ω 几十k 几百kΩ 几十 KCMR很大 ro 小:几十 ~ 几百Ω 几百Ω A od 很大:104以上 107 以上~ uN uP ∇ - + +
(4--18)
uN uP
- +
uo
U O = Aod ( uP − uN )
开环差模增益 Aod → ∞,所以
uP − u N = 0 即uP = u N
输入电阻r 输入电阻 i
称两个输入端“ 称两个输入端“虚短路 ” 所以输入端电流为零。 → ∞,所以输入端电流为零。 称两个输入端“ 称两个输入端“虚断路 ”
共模电压: 共模电压:ui 没有虚地概念。 没有虚地概念。
(4--23)
(3) 电压跟随器
uo = uN = uP = ui
ui
_ ∞ + +
∆ ∆ ∆ ∆
uo
此电路是电压 串联负反馈, 串联负反馈,输 入电阻大, 入电阻大,输出 电阻小, 电阻小,电压跟 随性能好。 随性能好。
(4--24)
以上电路计算的比较归纳: 以上电路计算的比较归纳: 1.它们都引入电压负反馈,因此输出电阻 它们都引入电压负反馈, 它们都引入电压负反馈 都比较小 。 2.对于单一信号作用的运算电路,分析运 对于单一信号作用的运算电路, 对于单一信号作用的运算电路 算关系时,先列出关键节点的电流方程, 算关系时,先列出关键节点的电流方程, 点和N点 然后根据“虚断” 如P点和 点;然后根据“虚断”和“虚 点和 原则进行整理。 短”原则进行整理。
第3章 集成运算放大电路 章
(4--1)
§3.1 集成运算放大电路
集成电路: 集成电路 优点: 优点 分类: 分类
将整个电路的各个元件做在一 个半导体基片上。 个半导体基片上。 工作稳定、使用方便、体积小、 工作稳定、使用方便、体积小、 重量轻、功耗小。 重量轻、功耗小。 模拟集成电路、 模拟集成电路、数字集成电路 小、中、大、超大规模集成电路 ……
PN结V- I 特性表达式 结 u / UT S
i = I (e
− 1)
iD=– IS – 1.0 – 0.5
iD/mA 1.0
其中
0.5
IS ——反向饱和电流 反向饱和电流 UT ——温度的电压当量 温度的电压当量 且在常温下( 且在常温下(T=300K) )
0
0.5
1.0 υ D/V
PN结的伏安特性 结的伏安特性
(4--11)
(4--12)
uo = f ( u P − u N )
(4--13)
uo = f ( u P − u N )
线性区
uo = Aod ( uP − uN )
Aod:差模开环放大倍数 非线性区
+UOM
uo = ±U OM
−UOM
uN uP - + uo
(4--14)
在运放的线性应用中, 在运放的线性应用中,运放的输出与 输入之间加了负反馈, 输入之间加了负反馈,运放工作于线性状 态。 信号的放大、运算 信号的放大、 运放线 性运用 有源滤波电路 恒压源、 恒压源、恒流源电路
输入电阻小和“虚地” 输入电阻小和“虚地” 是反相输入的特点。 是反相输入的特点。
(4--22)
(2) 同相比例运算放大器 R2 uN= uP= ui
u o − ui u i = R2 R1
R2 uo = (1 + )ui R1
ui
R1 RP
_ ∞ + +
∆ ∆ ∆ ∆
uo
电压串联负反馈 输入电阻高。 输入电阻高。
(4--3)
基本原 理框图
T4 反相端 uN uP 同相端 IS T3 T1 T2 T5
+vCC uo
-vEE 输入级 中间级 输出级
(4--4)
与uo反相
T4 反相端 uN uP 同相端
与uo同相ຫໍສະໝຸດ (4--5)uo T3 T1 T2 T5
IS
T4 反相端 uN uP 同相端 IS T3 T1 T2 T5
kT UT = = 0.026V= 26 mV q
(4--33)
(1) 采用二极管的对数运算: 采用二极管的对数运算:
i D ≈ I S (e
uD uT
− 1) ≈ I S e
uD uT
iD uD ≈ uT ln IS
uI iD = iR = R
uI uO = − uD ≈ − uT ln IS R
RP
uo
R2 R2 u 0 = −( u i1 + ui 2 ) R 11 R 12
(4--26)
(2) 同相求和运算: 同相求和运算: R1 RF

此电路如果以u 此电路如果以 P为 则输出为: 输入 ,则输出为:
RF u0 = (1+ )u P + R1
+
u u
R21
i1
+
R22
i2
R22 R 21 up = ui 1 + ui 2 R 21 + R 22 R 21 + R 22
Ii = 0
ri = ∞
虚开路 - Aod +
ro = 0
放大倍数与 uN 负载无关, 负载无关, 可以分开分 uP 析。
uo
(4--16)
3.3 集成运放在信号运算方面的应用
一、理想运放的两个工作区
1.理想运放的性能指标 理想运放的性能指标 输入电阻 共模抑制比 输出电阻 开环差模增益 上限截止频率
RF R12 R11 所以: 所以: O = (1 + u )( ui 1 + ui 2 ) R1 R11 + R12 R11 + R12
(4--27)
-
+
uo
_
uP ~ ui1 、ui2?
ui1 − u p R21 + ui 2 − u p R22 =0
(3) 加减运算电路
R2
uP = u N
ui1 ui2 R1 R1
(4--15)
由于集成运放的开环放大倍数很大, 由于集成运放的开环放大倍数很大,输 入电阻高,输出电阻小, 入电阻高,输出电阻小,在分析时常将其 理想化,称其所谓的理想运放 理想运放。 理想化,称其所谓的理想运放。
理想运放的条件: 理想运放的条件:
虚短路
uP = u N
A0 d = ∞
u o = A0 d ( u P − u N )
_ ∞ + +
∆ ∆ ∆ ∆
uo
Ri=R1 反馈方式: 反馈方式: 电压并联负反馈 输出电阻很小! 输出电阻很小!
平衡电阻, 平衡电阻,使输入端 对地的静态电阻相等。 对地的静态电阻相等。
RP=R1//R2
(4--21)
R2
ui R1 RP
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