AO3407A(MOS场效应管原厂推荐)
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RDS(ON)
—
50
60
Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= -2A,VGS= -4.5V)
RDS(ON)
—
70
90
Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS= -15V,f=1MHz)
CISS
—
430
—
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)
Characteristic 特性參數
Symbol Min 符號 最小值
Typ 典型值
Max 最大值
Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID = -250uA,VGS=0V)
(VGS=0V, VDS= -24V, TA=55℃)
IDSS
—
—
-1
-5
Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+20V, VDS=0V)
IGSS
—
—
+100
Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= -4.3A,VGS= -10V)
BVDSS
-30
—
—
Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID = -250uA,VGS= VDS)
VGS(th)
-1
—
-2.5
Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(IS= -1A,VGS=0V)
VSD
—
—
-1
Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= -24V)
t(off)
—
39
—
Unit 單位
V V V uA
nA
mΩ mΩ
pF pF ns ns
Pulse Width<300μs; Duty Cycle<2.0%
Output Capacitance 輸出電容 (VGS=0V, VDS= -15V,f=1MHz)
COSS
—
72
—
Turn-ON Time 开启時間 (VDS= -15V, VGS= -10V, RGEN=6Ω)
t(on)
—
29
—
Turn-OFF Time 关断時間 (VDS= -15V, VGS= -10V, RGEN=6Ω)
Symbol 符號
Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓
Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓
BVDSS VGS
Drain Current (continuous) 漏極電流-連續
ID
Drain Current (pulsed) 漏極電流-脉冲
IDM
Total Device Dissipation
總耗散功率
PD
TA=25℃環境溫度爲 25℃
Junction 結溫
TJ
Storage Temperature 儲存溫度
Tstg
Max 最大值
-30 +20 -4.3 -18
1400
150 -55to+150
Unit 單位
V V A A
mW
℃ ℃
AO3407A
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
AO3407A SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
P 沟道增强型 MOS 场效应管
■MAXIMUM RATINGS 最大額定值
Characteristic 特性參數