英特尔新FPGA台积电20nm代工
三星和Cadence发布20纳米数字设计方法
动器连接。恩智浦 同时将提供一款可选评估系统 ，
以简化 Ｒ ＢＬ Ｄ 功率 级 设计 。 （ 自恩智 浦 半 导 Ｇ Ｅ Ｅ Ｂ 内置 的 ＩＣ、Ｐ 和用 户 闪存 功 能 与 微 处 Ｆ ２ ＳＩ 理 器 、 控 制 器 、 储 器 和其 它 系统 外 设 连接 ， 泛 微 存 广
平台获得 Ｔ Ｍ ０纳 米 Ｐａ ｅ ｌ ＳＣ２ ｈ ｓ 认证
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确调 整 掺杂 物浓 度 和深 度分 布 的独特 能力 ，对 于先
进器件 的优化性能 、 控制漏 电流和降低可变性至关
重 要 。 （ 自应 用材 料 ） 来
飞思卡尔新 ２ ８纳 米 Ｑ ｒ Ａ Ｐ 系 列 ｏ Ｍ Ｉ Ｑ
一
通过 Ｚｇ ｅ ｉ ｔ ｉｋ 考实施方案 ，爱特梅 ｉ ｅ ｇ ｎ 参 Ｂ Ｌ ｈＬ 尔取得了 “ 黄金单元 ” 资质 ， 成为按照这项标准而设
台湾著名的全球芯片制造企业
1.台积电全球最大的芯片制造商，占全球芯片产能的1/5，高端芯片领域占据全球60%以上产能。
芯片代工市场份额高达54%，英特尔，AMD，英伟达，高通，联发科，博通，索尼，苹果，恩智浦......你听说过的，没听说过的芯片品牌都是台积电的客户。
台积电2020年提交给台湾证券交易所的财报显示，公司为480多个客户制造超过9000种不同类型芯片。
2020年营收1.34万亿新台币。
2.联电全球第二大芯片制造商，芯片代工市场份额约9%。
最先进制程为14nm，在28nm的HKMG工艺上仅次于台积电，在28nm节点上具有极强的竞争力，也是韩国三星的CIS芯片制造商。
最近收购了日本富士通半导体，12英寸晶圆厂增加2座，并且借助日本富士通在汽车电子的技术已杀入车用芯片领域。
2020年营收1768亿新台币。
3.力积电曾经的力晶，目前是全球第六大芯片制造商，市场份额约2%。
力积电（力晶）曾经是一家做DRAM芯片（内存）的厂商，因为DRAM价格崩盘，2012年时负债千亿，股价跌至0.29元被台湾证交所下市。
经过多年转型，力积电不仅还清负债，还获得苹果公司触控芯片的订单，2020年底重新登陆兴柜交易，股价最高达88元，上涨303倍，是业界津津乐道的话题。
力积电目前最先进的制程为20nm，特色是提供专业的记忆体代工服务，比如DRAM，NOR Flash，NAND Flash等，也是唯一具有铝制程技术的晶圆代工厂。
其客户多为生物科技公司（生物芯片代工），AI公司等。
该公司目前在新竹铜锣园区兴建2座12英寸晶圆厂，是中芯国际的劲敌。
2020年营收645亿新台币。
4.世界先进是台积电的子公司，也是特殊制程的领导厂商。
但特殊制程多用于军事，工业领域，不如民用制程赚钱，所以该公司目前是全球第八大芯片制造商，占整个半导体制造市场份额不足1%。
世界先进主要的产品是高压制程(High Voltage)、超高压制程(Ultra High Voltage)、BCD(Bipolar CMOS DMOS)制程、SOI(Silicon on Insulator)制程、混合信号制程(Mixed-Signal)、类比信号制程(Analog)、HPA(High Precision Analog)制程等等，是军工和工业领域非常重要的半导体公司，例如高铁使用的IGBT元件就是该公司制造。
英特尔芯片最高工艺技术
英特尔芯片最高工艺技术英特尔芯片是全球最大的微处理器制造商之一，具有许多创新和先进的技术。
其中，芯片的工艺技术是其核心竞争力之一。
最高工艺技术是指芯片制造中使用的最新的、最先进的工艺技术，它决定了芯片的性能、功耗、尺寸和生产成本等方面。
目前，英特尔芯片的最高工艺技术是10纳米制程。
与过去的工艺相比，10纳米工艺技术能够将更多的晶体管集成到芯片上，并且晶体管的尺寸更小，从而提高了芯片的性能。
10纳米制程还采用了三维晶体管架构，即FinFET技术，使得晶体管更加紧密地堆叠在一起，进一步提高了芯片的性能。
除了10纳米制程，英特尔还在研发和生产7纳米制程。
7纳米工艺技术是目前最先进的工艺技术之一，它能够实现更高密度的晶体管集成，进一步提升芯片的性能。
此外，7纳米制程还采用了更先进的EUV（极紫外）光刻技术，使得芯片中更细微的结构更容易制造，提高了制造效率。
最高工艺技术的提升对于英特尔芯片的发展具有重要意义。
首先，它将带来更高的芯片性能。
更多的晶体管集成和更小的尺寸将提高芯片的计算能力和响应速度，使得电子设备更加快速、高效。
其次，最高工艺技术还能够降低功耗和热量的产生。
更小的晶体管尺寸意味着更低的功耗，使得设备在工作时更加节能和环保。
此外，由于工艺技术的提升，芯片的尺寸也会更小，有利于电子设备的轻薄化和微型化。
然而，最高工艺技术也面临一些挑战。
首先，新一代工艺技术的研发需要大量的人力、物力和财力投入，成本较高。
其次，工艺技术的提升也面临物理极限的挑战。
当晶体管尺寸缩小到一定程度时，会出现量子效应和漏电现象，影响芯片的稳定性和可靠性。
因此，工艺技术的进一步提升需要克服这些挑战。
总的来说，英特尔芯片的最高工艺技术是其核心竞争力之一，它决定了芯片的性能和功耗等方面。
目前，英特尔的最高工艺技术是10纳米制程，未来将推出更先进的7纳米制程。
工艺技术的提升将带来更高的芯片性能和更低的功耗，推动电子设备的发展和创新。
不过，工艺技术的进一步提升还面临一些挑战，需要克服。
先进封装最强科普
先进封装最强科普近几年，先进封装已成为半导体越来越普遍的主题。
在由多个部分组成的系列中，将深入研究实现先进封装技术，如高精度倒装芯片、热压键合（TCB）和各种类型的混合键合（HB）。
首先让我们讨论一下对先进封装的需求，摩尔定律正在以迅猛的速度发展。
自台积电32nm 失误以来，直到目前的5nm 工艺节点，台积电的晶体管密度每年增长 2 倍。
尽管如此，真实芯片的密度每 3 年增长约 2 倍。
这种较慢的速度部分是由于SRAM 缩放、功率传输和热密度的消亡，但大多数这些问题都与数据的输入和输出有关。
芯片上数据的输入和输出(IO) 是计算的命脉。
将内存置于芯片上有助于通过减少通信开销来减少IO 需求，但归根结底，这是一种有限的扩展途径。
处理器必须与外部世界进行交易以发送和接收数据。
摩尔定律使业界的晶体管密度大约每 2 年增加 2 倍，但IO 数据的速率每 4 年才增加 2 倍。
几十年来，晶体管密度与IO 数据速率的这种差异出现了巨大差异。
共同封装的光学器件只是解决这个问题的一种方法，它并不是单独出现的。
从根本上说，芯片需要容纳更多的通信或IO 点才能跟上。
不幸的是，这方面的最后一个主要步骤功能增加是在90 年代转向倒装芯片封装。
传统的倒装芯片封装的凸点间距在150 微米到200 微米之间。
这意味着每个IO 单元在裸片的底侧相距150 到200 微米。
台积电N7将凸点间距降低到130 微米，英特尔的10nm 将凸点间距降低到100 微米，这些进步被称为细间距倒装芯片。
不要小看这些进步，因为它们极大地促进了更好的处理器，但2000 年的封装技术与2021 年的封装技术基本相同。
2000年的250mm²的芯片与2022年的250mm²芯片在晶体管数量、性能和成本方面有着难以置信的不同。
摩尔定律每 2 年翻一番，表示晶体管数量增加了2000 倍以上。
显然，现实并不那么有利，但晶体管仍然增加了几个数量级。
英特尔放弃对外晶圆代工业务,不见得有利台积电转单
英特尔放弃对外晶圆代工业务，不见得有利台积电转
单
日前，市场传出为了能填补14 纳米制程的产能缺口，处理器龙头英特尔（intel）在进行旗下 3 座位于包括美国俄勒冈州、爱尔兰以及以色列的晶圆厂产能扩产之外，还将关闭对外定制化晶圆代工业务。
有相关人士看好此举，在英特尔退出晶圆代工市场的情况下，有机会对龙头台积电造成转单效应。
不过，目前市场分析师表示，原本英特尔晶圆代工市占比例本来就不高，所以转单效应其实有限。
根据外媒的报导，过去一段时间以来，英特尔对无晶圆厂的IC 设计公司开放定制化的晶圆代工服务是个错误决定。
因为这不但影响了英特尔在处理器方面的核心竞争力，还因为程序上的错误，导致近期14 纳米产能不足，使得个人电脑产业蒙受处理器缺少所带来冲击的结果。
因此，英特尔为了填补14 纳米制程的产能空缺，决定关闭对外晶圆代工业务，专心将珍贵的产能用于自身的产品量产上。
而在此计划传出之后，有人看好在英特尔退出晶圆代工市场之后，将有机会为台积电带来转单效益。
对此，市场分析师表示，全球主要IC 设计厂商在保护自家技术的考量下，下单给英特尔代工的本来就不多。
半导体芯片企业-台积电tsmc研究报告
从2016年以来台积电按工艺拆分的变化曲线可以看出：10nm工艺异军突起，在17年前两个季 度以内实现了从0到25%巨大飞跃，28nm以下工艺营收占在2018H2略有下滑。
2018台积电营收按工艺拆分
台积电营收按工艺拆分变化
数据来源：台积电，西南证券整理
数据来源：台积电，西南证券整理
P A G E 43
座超大晶圆厂的总产能已超过700万片十二寸晶圆，约占总产能1100万片的63.6%。
台积电12寸晶圆厂外景
台积电12寸晶圆厂内景
数据来源：台积电，西南证券整理
数据来源：台积电，西南证券整理
台积电 TSMC
产能 利用
台积电产能实现10%稳步增长，产能利用率超90%
台积电公司的众多客户遍布全球，为客户生产的晶片被广泛地运用在电脑产品、通讯产品、消费性、 工业用及标准类半导体等多样电子产品应用领域。如此多样化的晶片生产有助于缓和需求的波动性， 使公司得以维持较高的产能利用率及稳定的产能增长；
半导体芯片企业-台积电tsmc研究报告
科技基建，自主创芯
半导体
制造
台积电 TSMC
半导体
制造
台积电 TSMC
台积电：全球最大的晶圆代工企业
1987年，台积电成立于台湾新竹科学工业园区，开创了专业积体电路制造服务商业模Байду номын сангаас。台积电公司 专注生产由客户所设计的晶片，本身并不设计、生产或销售自有品牌产品，确保不与客户直接竞争。 时至今日，台积电公司已经是全世界最大的专业积体电路制造服务公司，单单在2017年，台积电公司 就以258种制程技术，为465个客户生产9920种不同产品。
台积电公司在北美、欧洲、日本、中国大陆，以及南韩等地均设有子公司或办事处，提供全球客户即 时的业务与技术服务。至2017年年底，台积公司员工总数超过4.8万人。
Intel2025年制程路线图：4nm、3nm、20A和18A？！
Intel2025年制程路线图：4nm、3nm、20A和18A？！在英特尔Accelerated 活动中，英特尔表⽰正在考虑到 2025 年的⽬标。
⾸席执⾏官 Pat Gelsinger在今年早些时候表⽰，英特尔将在 2025 年重返产品领导地位，但⼀直没有解释如何实现。
直到今天，英特尔披露了其到 2025 年的未来五代⼯艺节点技术的路线图。
英特尔相信它可以采取积极的战略来匹配并超越其代⼯竞争对⼿，同时开发新的封装服务为外部客户开展代⼯业务。
最重要的是，英特尔重命名了其⼯艺节点。
以下是英特尔今天的披露的路线图。
技术⽤于⽣产和进⼊零售之间是有区别的；英特尔将某些技术称为“准备就绪”，⽽其他技术则称为“加速”，因此这个时间表只是提到的那些⽇期。
正如您想象的那样，每个⼯艺节点都可能存在数年，此图只是展⽰了英特尔在给定时间的领先技术。
英特尔定义了⼀个强⼤的未来：台积电是否⾯临风险？今年早些时候，⾸席执⾏官 Pat Gelsinger 宣布了英特尔的新 IDM 2.0 战略，包括三个要素：1.建⽴ (7nm)2.扩张（台积电）3. 产业化（英特尔代⼯服务）这⾥的⽬标是继续致⼒于英特尔的⼯艺节点技术开发，超越⽬前⽣产中的当前 10nm 设计，但同时使⽤合作伙伴（或竞争对⼿）的其他代⼯服务来重新获得/保持英特尔在其处理器中的地位的公司收⼊。
第三个要素是 IFS，即英特尔的代⼯服务，英特尔正在⼤⼒承诺向外部半导体业务开放其制造设施。
⽀撑建⽴和产业化⽬标的是英特尔如何执⾏⾃⼰的⼯艺节点开发。
虽然在英特尔最近的 2021 年第三季度财报电话会议中，⾸席执⾏官 Gelsinger 证实，英特尔现在每天⽣产的 10nm 晶圆⽐ 14nm 晶圆多，这标志着两种设计之间的信⼼发⽣转变，但英特尔难以从 14nm ⼯艺过渡到其 10nm ⼯艺已不是什么秘密。
今年 6 ⽉ 29 ⽇，英特尔还表⽰，其下⼀代 10nm 产品需要额外的验证时间，以简化 2022 年在企业系统上的部署。
全球半导体发展历史
全球半导体发展历史(2008-11-21 15:04)1947年12月23日第一块晶体管在贝尔实验室诞生，从此人类步入了飞速发展的电子时代。
在晶体管技术日新月异的60年里，有太多的技术发明与突破，也有太多为之作出重要贡献的人，更有半导体产业分分合合、聚聚散散的恩怨情仇，当然其中还记载了众多半导体公司的浮浮沉沉。
John Bardeen(左)，William Shockley(坐)和Walter Brattain共同发明了晶体管1959年首次将集成电路技术推向商用化的飞兆半导体公司，也是曾经孵化出包括英特尔、AMD、美国国家半导体、LSI Logic、VLSI Technology、Intersil、Altera和Xilinx等等业界众多巨擘的飞兆半导体，现在已成为专注于功率和能效的公司；曾经在上世纪80年代中连续多年位居半导体产业榜首的NEC，在90年代中跌出前10后，再也没有东山再起；更有与发明第一块晶体管的贝尔实验室有着直系血缘的杰尔(Ag ere)，通过多次变卖，被“四分五裂”找不到踪迹。
世上没有常胜的将军。
曾经的呼风唤雨，并不代表能成为永久的霸主。
当我们用历史的眼观来看今天的半导体产业，我们有什么启示呢？全球半导体产业正在东移，以台积电为首的晶圆代工将成为全球半导体工艺与产能双双领先的公司；传统的IDM厂商都向轻资厂转变，65nm已鲜有IDM跟踪，至45nm时除了memory厂商外，仅剩英特尔一家了；AMD在2008年将芯片制造部分剥离出来也说明了这一点。
私募基金正在加速半导体业的整合，未来每个产业仅有前五名是可以生存的；PC在主导半导体产业10多年后，正让位于消费电子，英特尔还能守住霸主地位多久？以台湾联发科为代表的新一代IC公司的崛起，使得众多欧美大厂不再轻易放弃低利润行业，未来的半导体产业会逐渐成为一个成熟的产业，一个微利的产业。
回忆过去60年，哪些人是我们必须记住的？哪些重大事件对业界影响最大？半导体精英话60年重要里程碑1947年12月23日，贝尔实验室在助听器中展示了人类第一块晶体管，William Shockley被誉为晶体管之父。
后栅极工艺浅谈
英特尔为什么牛逼——后栅极工艺浅谈（一）Jeff_Hill | 2013-11-13 17:14 | 阅读：2584 | 评论：39半导体制程工艺上，英特尔要是说第二，那没人敢说第一。
晶圆制造这个圈子，英特尔毫无疑问处于第一流，其他厂商包括IBM，英飞凌，NEC，意法半导体以及东芝等公司，以及目前半导体代工行业的老大老二老三——台积电、GlobalFoundries、三星，统统都是二流。
说这么绝对可能有人不服，小编举最近的一个例子，英特尔仅仅破一次例为美国芯片制造商Altera代工首个四核64位ARM Cortex-A53处理器，就引发了业界一片惊叹。
为了让大家一窥 Intel在半导体制造工艺上的牛逼，笔者选取数月前参加Intel 新品交流会后，印象深刻的45nm以下HKMG的成型工艺来做探讨。
随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG（high-k绝缘层+金属栅极）技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术。
不过在制作HKMG结构晶体管的工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，以IBM为代表的前栅极Gate-first 工艺流派和以Intel为代表的后栅极Gate-last 工艺流派。
更准确点说，在步入HKMG时代之初，只有Intel 和其他所有半导体企业之别。
前栅极和后栅极工艺实现HKMG结构，在技术上有什么差别，请看这段引用：Gate-last是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极；与此相对的是Gate-first工艺，这种工艺的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的退火工步完成之前便生成金属栅极。
Gate-last工艺的难点则在于工艺较复杂，芯片的管芯密度同等条件下要比Gate-first工艺低，需要设计方积极配合修改电路设计才可以达到与Gate-first工艺相同的管芯密度级别。
采用Gate-first工艺制作HKMG的劣势，是用来制作high-k绝缘层和制作金属栅极的材料必须经受漏源极退火工步的高温，会导致PMOS管Vt门限电压的上升，这样会影响了管子的性能。
三星启动20纳米工艺芯片生产线投资百亿美元
Ｂ ｉｅ 高 级 模 块 库 中 的 Ａｔ ａ浮 点 Ｄ Ｐ编 译 器 、 ｕｌ ｒ ｄ ｌｒ ｅ Ｓ Ｑ ａｔｓＩ Ｒ Ｌ工 具 链 、 ｏｅＳｍ 仿 真 器 ， 以 及 ｕｒ Ｉ Ｔ ｕ Ｍ ｄｌｉ Ｍａｈ ｒｓ Ｔ Ａ ｔＷｏｋ Ｌ Ｂ和 Ｓｍｕｉｋ工具 ， 化 了 Ｆ Ｇ ＭＡ ｉ ｌ ｎ 简 ＰＡ 的 Ｄ Ｐ算法 实现 过程 。浮 点设计 流程 结 合并集 成 了 Ｓ 算 法模 型和 仿 真 、 Ｔ Ｒ Ｌ产 生 、 合 、 局 布线 以及 设 综 布 计 验证 级等 。 通过 功能 集成 ， 算法 级和 Ｆ Ｇ 在 Ｐ Ａ级 实 现 了快 速开 发和设 计 空 间管理 ，最终 减 少 了在设 计
拓展 Ｃｅｒｉ ａ 的软件 Ｄ ／ＭＢ解决 方 案 ，这 项 ｌａＳｇ ｌ ｎ ＡＢＤ 举 措 非 常 符 合 Ｅｈｒ ｖｓ 司 一 贯 的 支 持 领 先 芯 ｔｅＷａｅ 公 片架 构 的战 略方针 ，同时也 拓展 了 Ｃｅｒｉ ａ软 件 ｌ Ｓｇ ｌ ａ ｎ 设计 的实 用性 。 新 的 Ｃｅｒｉ ａＲ ｌ Ｓｇ ｌ Ｆ设计 ， 为移 动设 备 增加 数 ａ ｎ 在 字广 播接 收能 力 的同时 ， 保持 了低 功耗 的特 性 ， 而 从 扩 大 了 Ｓ Ｃ设计 师们 的选 择 范 围 。这 项 设 计 利 用 Ｏ Ｔ ｎｉｃ ｅｓｉ ｌａ的 Ｃ ｎＸＶｅｔ Ｘ Ｄ Ｐ引 擎 的优 势 和 其 ｏｎ ｃ ａＬ Ｓ ｒ 他架 构上 的优 化 ， 实现 了在 ５ＭＨｚ ０ 主频 下 即可完 成
组。 最新 发布 的 型号 ２０ ２０系列 电源 产 品线 以经济有
％的增 长 。 效的价格、 灵活的操作 、 功能结合卓越的电压和电流 今年 全球平 板 电脑 出货量 只能实 现不 足 ５
张忠谋公开台积电20nm制程技术部分细节
张忠谋公开台积电20nm制程技术部分细节
台积电公司宣布他们将于28nm制程之后跳过22nm全代制程，直接
开发20nm半代制程技术。
在台积电公司日前举办的技术会展上，台积电公司
展示了部分20nm半代制程的一些技术细节，20nm制程将是继28nm制程之后台积电的下一个主要制程平台，另外，20nm之后，台积电还会跳过18nm制程。
根据台积电会上展示的信息显示，他们的20nm制程将采用10层金属互联技术，并仍然采用平面型晶体管结构，增强技术方面则会使用HKMG/应变
硅和较新的low-r技术(即由铜+low-k绝缘介质组成的互连层)。
另外，台积电
的20nm制程工艺将彻底放弃栅极氧化硅型绝缘层，全面转向HKMG栅极结构。
光刻工艺方面，台积电20nm制程将继续沿用193nm沉浸式光刻技术，
不过会起用双重掩膜技术(double-patterning)和SMO技术(source-mask optimization)以增强现有的193nm沉浸式光刻技术。
与台积电之前推出的制程技术首先专注于低功耗的风格不同，台积电的20nm制程技术将把高性能作为开发的重点。
台积电这次透露20nm制程细节的举动令他们相对其它代工业对手如GlobalFoundries，三星，联电等似乎有领先一步的优越感。
此前三星和联电公
司在公开场合甚少或根本没有提及其发展2xnm级别制程工艺技术的计划。
而GlobalFoundries公司此前则表示要到2012年下半年才会开始启用22nm级别的制程工艺，而台积电启动20nm制程的日期则也放在了12年下半年。
相比之下，Intel公司则计划于2011年第四季度转向22nm制程技术。
比较Altera与Xilinx带ARM处理器的FPGA哪个更好？
⽐较Altera与Xilinx带ARM处理器的FPGA哪个更好？如今FPGA开始带ARM处理器了。
赛灵思（Xilinx）的称作可扩展处理平台，取名Zynq；Altera的称作集成ARM处理器的SoC FPGA。
今年3⽉份，赛灵思推出Zynq；今年10⽉份，Altera推出集成ARM处理器的SoC FPGA。
两家公司的产品⾮常类似。
两者都是集成ARM Cortex-A9 MPCore 双核处理器的SoC，都采⽤28纳⽶⼯艺，都在台积电⽣产。
它们的⽬标应⽤领域也都是视频监视、汽车驾驶员辅助以及⼯⼚⾃动化（⼯业驱动）。
那么，它们之间有什么不同呢？Altera公司产品及企业市场副总裁Vince Hu先⽣总结出以下⼏点不同：1. FPGA与处理器之间的互联（AXI总线）带宽，Altera的SoC FPGA较Xilinx的Zynq有所提升，⼤约是Zynq的两倍带宽。
这样整个芯⽚的性能会更好。
2. Altera的产品更丰富，有两个系列：Cyclone V和Arria V SoC FPGA。
两个不同产品系列针对不同的应⽤，⽤户在功能与价格上⾯有更多的选择。
3. 两家虽然都是由台积电代⼯，但所采⽤的⼯艺有所不同。
Altera选⽤的是LP ⼯艺（lowpower，即低功耗），这样对产品的功耗跟价格⽅⾯会有所缓解。
4. Altera推出的虚拟⽬标软件可提升软件开发⼯程师的效率，把他们的开发时间降到最低。
5. Altera的SoC FPGA的存储器的控制提供 ECC，即纠错码功能，可以满⾜对数据完整性的⾼的需求。
不过赛灵思不以为然。
赛灵思亚太区市场及应⽤总监张宇清说，Altera在步Xilinx的后尘，并完全模仿赛灵思的Zynq。
Zynq-7000 系列预计将于今年下半年推出，⽽Altera的产品需要⼀年之后。
⼯艺⽅⾯，赛灵思与台积电合作开发了HP-L（⾼性能、低功耗）⼯艺，芯⽚性能⽐LP⼯艺会更好，成本也不会显著提⾼。
Xilinx FPGA器件采用台积电16FinFET工艺
解 决方案 Ｍ Ｔ ８ １ ２ ５
联发 科技 股 份有 限公 司 （ Ｍｅ ｄ ｉ ａ Ｔ ｅ ｋ ， Ｉ ｎ ｃ ． ）日前 发 布 全新 四核平 板 电脑 解 决 方案 Ｍ Ｔ ８ １ ２ ５ ， 专 为快 速 成 长 的平 板市 场量 身 订做 。延 续联 发科 技无 线通 讯 四 核 旗 舰 系 列 处 理 器 的 技 术 创 新 ， 联 发 科 技
日前 共 同 宣 布 联 手 推 动 一 项 赛 灵 思 称 之 为 “ Ｆ ｉ ｎ Ｆ ａ ｓ ｔ ” 的专项计 划 ， 采用 台积 电公 司先进 的 １ ６
纳米 Ｆ ｉ ｎ Ｆ Ｅ Ｔ（ １ ６ Ｆ ｉ ｎ Ｆ Ｅ Ｔ） 工 艺 打 造拥 有 最 快 上 市 、 最 高性 能优 势 的 Ｆ Ｐ Ｇ Ａ器 件 。双 方分 别投 入所 需 的
供应商 ，已开始装运 基于数字安全技术 “ Ｉ ｎ ｔ ｅ ｇ ｒ ｉ ｔ ｙ
Ｇ ｕ ａ ｍ”的 Ｓ Ｌ Ｅ ７ ８系列安全 芯片 。 自 ２ ０ ０ ８年起 ， 中国
台湾每年的电子护照签发量为 １ ０ ０ 万张 ， 如今持有人 总数已接近 ２ ３ ０ ０ 万。 这些护照的有效期为十年 ， 符合
用性能 ， 同 时采 用 ２ ８纳 米制 程 ， 提 供 效 能 和功 耗 的 绝佳 平衡 。 ＭＴ ８ １ ２ ５解决 方案 支持 联发科 技 独家 “ 一 模 三板 ”架构 ， 终 端 制造 商 可 以基 于单 一 设计 ， 开发 出分别支持 ３ Ｇ ＨＳ Ｐ Ａ＋ 、 ２ Ｇ Ｅ Ｄ Ｇ Ｅ或 ｗｉ — Ｆ ｉ 的 多 款
球性 研 发 中心 。它 将 与新思 科技 遍 布全 球 的其 他 研 发机 构一 样 ， 采 用先 进 和完善 的研 发技 术 平 台 、 管 理 体 系和人 才 培养 体 系 ，开发 全球 半导 体 产业 和 电子
什么是半导体工艺制程,16nm、10nm都代表了什么
什么是半导体工艺制程，16nm、10nm都代表了什么
随着智能手机的发展，半导体工艺也急速提升，从28nm、16nm、10nm到7nm 这些半导体代工厂们每天争相发布最新的工艺制程，让很多吃瓜群众一脸懵逼不知道有啥用。
半导体行业离我们似乎很遥远，FinFET是什么东西，EUV又是什么新技术，每次看到这种相关的新闻都让我们如同云里雾里，不知所谓。
其实它离我们很近，无论是FinFET还是EUV都是为了完善制程工艺所做的努力。
而一款处理器的性能表现、散热效率、功耗等等都和制程息息相关。
今天，我们来聊聊手机处理器的这些事。
●16nm、10nm，这些数字到底是啥?
说起这个话题，我们要先搞清楚什么是制程。
那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。
其实这些数值所代表的都是一个东西，那就是处理器的蚀刻尺寸，简单的讲，就是我们能够把一个单位的电晶体刻在多大尺寸的一块芯片上。
手机处理器不同于一般的电脑处理器，一部手机中能够给它留下的尺寸是相当有限的。
蚀刻尺寸越小，相同大小的处理器中拥有的计算单元也就越多，性能也就越强。
这也是为何厂商会频繁强调处理器制程的原因。
同时，因为随着频率的提升，处理器所产生的热量也随之提高，而更先进的蚀刻技术另一个重要优点就是可以减小晶体管间电阻，让CPU所需的电压降低，从而使驱动它们所需要的功率也大幅度减小。
所以每一代的新产品不仅是性能大幅度提高，同时还有功耗和发热量的降低。
综合以上，可以发现处理器的制程对于手机十分重要，更高的性能带来更流畅的游戏体验，而一个保持正常温度的机身更是能保证大家拥有一个良好的使用体验。
一次制程的升级，带来了散热效果与计算性能的双重提升。
三大创新技术为下一代20nm FPGA奠定基础
中 国 ， 向 媒 体 网 络 、 广 播 和 计 算 应 用 设 计 人 员 在 扩 展 带 宽 、 和 用 户 介 绍 了 提 高性 能 以及降 低功耗 方面面 临越 来越 大的需 Ａｌ ｒ在 硅 片 融 求 。 ＡＩｅ ａ ２ ｍ 的 体 系 结 构 、 软 件 和 工 艺 ｔａ ｅ ｔｒ在 ０ｎ 合 过程 中取 得 的 上 的 创 新 ，能 支 持 更 强 大 的 混 合 系 统 架 构 的 开 发 。 ” 对 于 Ａｌｅ ａ 司下 一 代 ２ ｎ Ｆ ＧＡ产 品 ｔｒ公 ０ ｍ Ｐ Ａｌ ｒ公司资深副总裁 、首席 ｔａ ｅ 技术官Ｍｉｈ ｕｉｈ 士 ｓ ａＢ ｒ 博 ｃ 司未来的技术发 的 真正 创 新 之 处 ，Ｍｉｈ ｕ ｉｈ 士 是 这样 评 价 ｓ ａＢ ｒｃ博 展方 向 。这 次访 问ｇ Ｍｉ ａＢ ｒｈ￣士 上次 中国 之 的 ，他 说 ： “０ ｐ 芯 片 至 芯 片 和 ２ Ｇｂ ｓ ￣ ｓ ｕｉ ｔ ｈ ｃ ４ Ｇｂ ｓ ８ ｐ 背板 行 不 到 半 年 ，为什 么在 如 此 短 的时 间 内再 次 来 到 高速 收发器 技术 、精度 可调ＤＳ 体 系结 构 以及 Ｐ 中国 呢？ 用Ｍｉ ａ ｕｉ 博 士 自己 的话 说 ，技 术 创 异 质 混 合 ３ Ｃ等 三 项 关 键 技 术 是 产 品创 新 的 ｓ ｒｈ ｈＢ ｃ ＤＩ
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台积电芯片工艺节点
台积电芯片工艺节点台积电芯片工艺节点是指台积电在集成电路制造过程中所采用的工艺技术的节点，也是衡量芯片制造工艺先进程度的重要指标之一。
随着科技的不断进步和市场的不断需求，台积电不断推出新的工艺节点，以满足不同应用场景的需求。
台积电最先进的工艺节点是7纳米（nm）工艺。
这一工艺节点采用了极紫外光刻技术（EUV），使得芯片的晶体管密度更高、功耗更低。
相比之前的10纳米工艺，7纳米工艺在同样面积的芯片上可以容纳更多的晶体管，进一步提升了芯片的性能和功能。
此外，7纳米工艺还采用了晶体管的FinFET结构，进一步提高了电路的开关速度和能效。
除了7纳米工艺，台积电还在不断研发和推出更先进的工艺节点。
下一个即将推出的工艺节点是5纳米工艺。
5纳米工艺相较于7纳米工艺，进一步缩小了晶体管的尺寸，提高了晶体管的密度。
这一工艺节点采用了更多的EUV刻蚀步骤，进一步提高了芯片的制造精度和性能。
5纳米工艺还采用了更先进的材料和工艺，进一步降低了功耗，提高了芯片的能效。
除了7纳米和5纳米工艺，台积电还在不断投入研发，准备推出更先进的工艺节点。
例如，台积电计划推出3纳米工艺节点。
3纳米工艺将进一步缩小晶体管的尺寸，提高晶体管的密度和性能。
这一工艺节点将采用更多的EUV光刻技术，进一步提高芯片的制造精度。
同时，3纳米工艺还将采用更先进的材料和结构，进一步降低功耗和提高能效。
除了工艺节点的不断推进，台积电还在不断优化工艺技术，以提高芯片的制造质量和可靠性。
例如，台积电在每个工艺节点都会进行严格的工艺验证和测试，确保芯片在投产前符合设计要求。
台积电还持续投入研发，提升工艺技术的稳定性和一致性，以满足客户对高品质芯片的需求。
台积电芯片工艺节点是衡量芯片制造工艺先进程度的重要指标。
台积电在不断推出更先进的工艺节点，并优化工艺技术，以满足不同应用场景的需求。
随着科技的不断进步，相信台积电在芯片制造领域将继续保持领先地位，推动集成电路技术的发展。
唱响2013,20nm FPGA背后蕴藏的巨大能量
唱响2013，20nm FPGA背后蕴藏的巨大能量
就在大家为28nm的FPGA器件2012年开始全面量产而振臂欢呼的时候，两大FPGA巨头又开始在力推其20nm的FPGA器件了。
那幺，20nm 能让我们超越什幺？对于像赛灵思（Xilinx）这样刚刚在28nm上花了巨资量产的公司，为什幺又要去追20nm呢？
业界对于应用的追求是无止境的。
赛灵思全球高级副总裁汤立人说道，虽然28nm已能很好满足现今的需求，我们的Kintex-7上个季度发布超过20M，并且All programmable的Zynq获得的Design机会目前已与FPGA 相当，但是新的应用又在召唤我们前行，所以我们2013年会推出新一代的基于20nm工艺的FPGA、All programmable SoC和3D IC等，与今天基于28nm的产品相比，又有了更进一步的提升。
汤立人强调，同其他厂商比，Xilinx的优势在于，包括3D IC和All programmable SoC等技术，他们已在28nm上实现突破，并且已在批量出货了，这使得我们在20nm时可以推出第二代性能更强、功耗更低的产品，这个非常重要，很多难题我们在28nm时解决，而不是留到20nm时才开始学习。
他解释，特别是3D IC这一最新的技术，它需要产业链的高度配合，包括晶圆厂、封装厂以及半导体设备厂商全部要一起协作来完成这一3D封装的高科技工艺。
Xilinx在28nm时不仅实现了同构架构的3D IC量产，还实。
英特尔将进一步关闭对外客制化的晶圆代工业务
英特尔将进一步关闭对外客制化的晶圆代工业务
近日，就在处理器龙头英特尔（intel）宣布，将扩产旗下 3 座晶圆厂的产能以解决当前14 纳米产能不足的问题后，现在市场上传出，在目前产能不足的情况下，英特尔将进一步关闭对外客制化的晶圆代工业务。
根据专业半导体论坛《SemiWiki》指出，过去一段时间以来，英特尔对无晶圆厂的IC设计公司开放客制化的晶圆代工服务是个错误的决定，因为这不但造成了英特尔在处理器方面的核心竞争力，还因为程序上的错误，导致了近期14 纳米产能不足，使得个人计算机产业蒙受处理器缺少所带来冲击的结果。
论坛中进一步指出，生态系统是代工业务的一切，与时间、金钱和技术紧密相连，而英特尔过去似乎大大低估了这 3 件事。
就以英特尔之前为Altera 代工的事情来说，Altera 是英特尔客制化代工业务的最大受益者。
因为，Altera 在此之前都是交由台积电的28 纳米制程所代工，但是在台积电为Xilinx 提供了与Altera 相同的代工服务之后，Altera 与台积电的关系逐渐恶化，后来在14 纳米制程的产品上转向了英特尔的怀抱，并最终被英特尔高价收购。
然而，在英特尔为Altera 进行代工之后，Altera 旗下的14纳米制程芯。
Altera介绍下一代20nm产品创新技术细节
Altera介绍下一代20nm产品创新技术细节不久前，Altera 公司公开了在其下一代20nm 产品中规划的几项关键创新技术，通过在20 nm 的体系结构、软件和工艺的创新，支持更强大的混合系统架构的开发。
日前，Altera 公司资深副总裁首席技术官Misha Burich 博士专程来到北京，详细介绍了创新技术的细节。
据Misha Burich 博士介绍，Altera 的20nm 混合系统架构包括40-Gbps 收发器技术、下一代精度可调数字信号处理(DSP)模块体系结构以提供高达5 TFLOP(每秒5 万亿次浮点运算)的IEEE 754 标准浮点运算性能、异质混合3D IC 技术即通过创新的高速互联接口来集成FPGA 和用户可定制HardCopy ASIC，或者集成包括存储器、第三方ASIC、光接口等在内的各种技术。
20nm 混合系统架构在功耗管理方面继续创新，包括自适应电压调整、可编程功耗技术、以及工艺技术优化等，使得Altera 器件功耗比前一代降低了60%。
异质混合20nm 系统的开发通过全功能高级设计环境得以实现，这一设计环境包括系统集成工具(Qsys)、基于C 的设计工具(OpenCL™)以及DSP 开发软件(DSP Builder)。
Altera 持续关注通过增强其开发工具以在20nm 实现业界最快的编译时间，来提高设计人员的效能。
值得注意的是，Altera 是业界唯一能够在一个器件中集成FPGA 和ASIC 的公司。
Altera 下一代器件采用TSMC 的20nm 工艺技术和业界最高的系统集成度，并包括硬核ARM 处理器子系统。
20nm 片上系统(SoC) FPGA 为客户提供了从28-nm 到20nm 的软件移植途径，同时将处理器子系统的性能提高了50%。
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预计 健 康 和健 身设 备将 会 是 最 大 的 ｒ Ｉ 『 穿戴 设 Ｉ ｉ 场 在这 个应 用领域 ，意法半 导 体提供 一站 式 购物
作者 简介
Ｖ ｉ ｓ ｈ ａ ｌ ＧＯＹ ＡＬ，意 法半 导 体 东盟 澳洲 新 西 兰 区模 拟 器件 和 Ｍ Ｅ Ｍ Ｓ产 品部 ， 射频 、 传 感 器和 模拟 器件 定 制 产 品 高级技 术市场 经理 。
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