实验报告3

—VR 作图，得出一条Hale Waihona Puke Baidu线，Nd 可以由斜率求出，势垒高度为
Φ bn = V0 + Vn + KT/q 其中V0 为直线在电压轴上的截距， Vn = ln
q KT Nc Nd
Nc 为导带有效态密度。 三、实验内容和步骤 测试频率 1MHz,致使可以忽视引线电感的效应。 加到被测二极管上的交流电压的幅度一 定要小，一般小于 50mV。测试后按照实验原理中的公式求出势垒高度。 四、实验数据处理 金属钨：
KT 2(Vbi − VR – q )
其中 A——二极管的结面积，VR ——外加反偏压，Vbi ——结的内建电势，以伏特为单 位。上式假设了二极管界面不存在氧化层，n 型半导体的施主浓度是均匀的。上公式可 以重写为 1 CT 以
1 CT
2
2
=
2(Vbi − VR –
KT ) q
ε s qNd A 2
实验三 金属—半导体接触势垒高度的测量
00848067 微电子系 曹宇
一、实验目的 1. 掌握用电容—电压法测试肖特基势垒高度的方法； 2. 利用以上方法测量两种金属在 n 型硅上的肖特基势垒高度。 二、实验原理 当一个几毫伏的小的交流电压加到直流反偏压的二极管上时， 耗尽层的电容由下式给出： CT = A εs qNd
A=50um*100um,利用拟合后的结果进行计算：其中 Nc=2.8*10^19cm^-3 Nd=3.908*10^16cm^-3, V0=1.107V, Vn=0.17V, Φ bn =1.30V 金属铂：
A=50um*100um,利用拟合后的结果进行计算：其中 Nc=2.8*10^19cm^-3 Nd=3.97*10^16cm^-3, V0=1.379V, Vn=0.17V, Φ bn =1.58V 五、思考题： 2、材料的晶向对肖特基势垒是否产生影响？ 答：材料的晶向会对肖特基势垒产生影响。材料的晶向不同，电子在输运过程中所形成 的平衡态会有差别，而且晶向不同，金属和半导体接触的界面态密度也不同，都会对肖 特基势垒产生影响。 3、有哪些因素影响电容-电压法测量肖特基势垒高度的准确性？ 答：影响因素有如下几条： （1）扫描电压的频率和步幅，影响载流子的输运特性和反应 时间，从而影响准确性。 （2）外界环境的干扰。 （3）界面态电荷会改变势垒的高度，从 而影响测量的准确性。 （4）晶片的晶向也会影响测量的准确性。 （5）分布参数的影响。 六、参考文献： 1、 刘晓彦、韩德栋， 《微电子器件测试实验讲义》 2、 施敏， 《半导体物理》 《半导体器件物理》