8产品名称:22—14nm单反应台等离子体刻蚀机PrimoSSCAD—RIE^TM
PerkinElmer 0822 平板探测器
PerkinElmer 平板探测器型号XRD 0822 AOXRD 0822 APXRD 1611 XPXRD 1620 XN CSXRD 1621 XNXRD 1622 AOXRD 1622 APXRD 1642 APXRD 0820系列X射线数字平板探测器维修德国PerkinElmer XRD 0820系列X射线数字平板探测器维修电路板维修XRD 0822 系列X射线数字平板探测器XRD-EP电源维修EL448197IXS160BP500P063X10071-b00303VJT1011283X射线检测技术和返修技术领先厂商VJ Technologies伟杰科技苏州RD0822 平板X射线探测器珀金埃尔默公司 XRD-0820-ES XRD-0840-ES主板电路板维修XRD 0820NA/CN/MN ESDEXELA 2315MAM DEXELA 2315MAM CL DEXELA 2923MAM CL Dexela 2321(In Development) Dexela 2321(In Development)Dexela 2321 DEXELA 1313LiteratureXRD 0822 AO, APXRD 1611 xPXRD 1622 AP3XRD 1622 AO, APXRD 1642 APXRpad 3025XRpad 4336XRpad 4343XRD 4343 RFXRD Series Product NoteXRD AccessoriesDEXELA NDTDEXELA Standard ProductsDEXELA MAM GigEDEXELA 2315 MAM CLDEXELA 2923 MAM CLDEXELA 1313DEXELA 2321大连PerkinElmer(珀金埃尔默.美国)XRD 0822平板X射线探测器XRD 8英寸(20厘米)平板X射线探测器丹东奥龙射线丹东市中讯安防XRD 0822 平板X射线探测器(FPDs)是PerkinElmer(珀金埃尔默.美国)公司出品的8英寸(20厘米)非晶硅的平板X射线探测器。
Prima普瑞码激光切割机
LASER CUTTING MACHINEFOREWORD 前言PLA TINO is a highly flexible and reliable machine designed and developed for the needs of sheet metal processing industry. PLA TINO cuts a wide range of materials and thicknesses with high speed and precision without the need for manual adjustment.PLA TINO机床是专为金属板金加工设计和开发的一款高度灵活和可靠的激光切割机床。
PLA TINO可以在无需人工调整的情况下自动实现从薄板到厚板的全范围高速,高精度加工。
The following are its main highlights:以下是机床的主要特点:1.It is unitised:它的结构是整体式的:it does not require foundations 无需准备地基it has a minimum footprint 占地面积最小it is easily and quickly installed 可简单快速地安装it is transported in a single block 运输时可装在一个集装箱内2.It is a flying optics system:它是飞行光路式激光切割系统:speed and accuracy independent from the workpiece weight运动速度和精度同加工工件的重量无关the linear axes stokes are: X=4000 mm, Y=2000 mm, Z=150 mm线性轴行程为:X=4000mm, Y=2000mm,Z=150mmthe footprint is the smallest with respect to its strokes同其它具有相同行程的机床相比,它的占地面积是最小的3.It has a cantilever architecture:它的结构是悬臂式的:total accessibility from 3 sides可以从三个方向完全进入机床possibility of manual loading/unloading of thin sheets without using the automatic pallet changer即使没有自动交换工作台也可轻松地实现板材的手工上下料4.It has high dynamics:它是高动态性能的机床:linear axes combined speed of 110 m/min线性轴的最大定位速度为110m/minacceleration of 1.2 g for single axis单轴最大加速度为1.2g5.It has the best accuracy on the market: 它的精度是同类产品中最高的:Pa and Ps = 0.03 mm (full stroke) according to VDI/DGQ 3441 standards.按VDI/DGQ 3441标准测量其全行程内Pa=0.03mm, Ps=0.03mm6.Its focusing head allows enormous production flexibility and reliability, featuring:它的加工头满足灵活和稳定大批量生产要求,其特点为:the capacitive sensor电容式非接触传感器the F-axis for the automatic and programmable control of the focal position自动可编程控制焦点位置的数控轴F轴the rapid lens change with drawer system拔插式快速透镜更换系统SIPS (Safe Impact Protection System) for protection against collision with fixtures orworkpieces防碰撞安全保护系统SIPS避免切割头同零件和夹具的碰撞损害。
等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用
等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用
等离子体蚀刻是一种通过离子化气体产生的等离子体来加工材
料的方法。
它在大规模集成电路制造中具有重要的应用价值。
首先,等离子体蚀刻能够实现非常高的加工精度和加工速度,这对于微细电路的制造非常重要。
其次,等离子体蚀刻过程中的反应物可以被完全清除,不会对电路性能造成影响。
此外,等离子体蚀刻还可以用于制造纳米材料和微型传感器等领域。
在大规模集成电路制造中,等离子体蚀刻主要用于图形化加工硅片和构造微细电路。
在这个过程中,需要精确控制等离子体参数以及加工过程中的温度、压力等因素,以确保加工质量和稳定性。
同时,还需要使用复杂的掩模技术和光刻技术来实现精细的加工形状和结构。
总之,等离子体蚀刻在大规模集成电路制造中有着广泛的应用和重要的地位。
随着技术的不断发展,相信它将会在微电子制造中发挥更为重要的作用。
- 1 -。
PLASMA-PREEN等离子清洗机
产品背景产品特色及应用特点 应用 价格合理打线垫清洗 高功率 清洗Pd-Ag 裸芯片垫电子数控 清洗镀金部件 负载循环控制 环氧溢出物去除 模拟功率控制 去除光刻胶 处理机存储 清洗陶瓷基片 水冷底座 清洗玻璃部件 清洗光学部件 减少污水排放 清洗半导体表面安全保护设计 塑胶密封剂去除--失效模式分析操作简便 塑料表面上胶处理 维护方便 清洗镀银部件 性能稳定减少金属氧化物去除油渍或是环氧残留物*专利保护 #典型的台式微波等离子清洗/蚀刻机#2.45 GHz 操作 PPC 系列等离子清洗/蚀刻系统是一台台式微波等离子清洗机设备。
PPC 系列等离子清洗机系统融合了下面的特点,并在众多的应用领域中得到肯定。
技术参数反应舱 圆筒形 反应舱口径 4.1” 反应舱深 6.0”反应舱材质 派热克斯玻璃 (可选配石英玻璃)水冷式系统Model No. 862 973 反应舱 方形方形尺寸 8”(L) x 6”(W) x 2”(H)9” (L) x 7” (W) x 3” (H)冷却面 8” x 6” 9” x 7”反应舱材质 派热克斯玻璃 & 铝材 派热克斯玻璃 & 铝材 外部尺寸 28” (W) x 12” (H) x 13”(D) 28” (W)x 12” x 13” (D) 装运重量 65 pounds(约29.5公斤)电源 220V ac 50Hz220V ac 50Hz等离子体功率 100 Watts 至 750 Watts 之间调节频率 2.45 Ghz 负载比 10%至连续性 标准流量 5 cu-ft./Hr. @ STP 附件 真空泵及水冷却装置 处理气体大气、氧气、氩气等80 pounds(约38.5公斤)PPC 系列等离子清洗/蚀刻系统有三款不同机型. 第一款是圆筒型反应舱系统。
第二款是水冷式设备,反应舱尺寸为8”(L) x 6”(W) x 2”(H)。
第三款是一台大型水冷式设备,反应舱尺寸扩展至9” (L) x 7” (W) x 3” (H)。
中微Primo SSC AD-RIE已用于16纳米关键闪存芯片加工
中微Primo SSC AD-RIE已用于16纳米关键闪存芯片加工佚名
【期刊名称】《集成电路应用》
【年(卷),期】2014(0)2
【摘要】中微半导体设备有限公司宣布获得韩国先进存储芯片生产厂商购买Primo SSC AD-RIE(中微单反应台等离子体刻蚀设备)的重复订单。
该设备被客户
认可为用于16纳米关键闪存芯片加工的首选设备(PTOR),将用于大批量芯片生产。
此前,中微的Primo SSC AD-RIE通过客户生产线上严格的验证。
【总页数】1页(P9-9)
【关键词】闪存芯片;半导体设备;等离子体刻蚀;芯片生产;存储芯片;首选设备;刻蚀
工艺;刻蚀技术;生产厂商;副总
【正文语种】中文
【中图分类】TN405
【相关文献】
1.中微第二代等离子体刻蚀设备首次在中国试运安装;用于32~28nm芯片加工[J],
2.碳纤维纳米电极用于微流控芯片安培测定单个PC12细胞中神经递质多巴胺 [J], 程寒;袁琳;明月;杨天鸣;程介克
3.东芝计划在2007年采用55纳米生产闪存/AMD启用两个300毫米技术自动化精确生产(APM)创新中心/Spansion公司Fab25工厂将全部采用110纳米浮门技术/AMD 蟾宫折桂再获两项大奖/RF Micro收购蓝牙芯片公司Silicon Wave/新兴公司筹资380万开发嵌入式系统级芯片/Cadence设计系统公司任命 [J],
4.中微公司发布用于22纳米及以下芯片加工的下一代刻蚀设备 [J],
5.中微介质刻蚀机Primo AD-RIE荣获第十六届工博会金奖 [J],
因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
台式反应离子刻蚀(RIE)系统
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统设备具有如下特点:
•可互换圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统真空反应腔体和射频电极模块化设计
•可选不同材质的反应离子刻蚀(RIE)系统真空腔体:不锈钢、铝、阳极化铝
•多种射频电极配置:圆筒笼式(cage)电极、托盘式(tray)电极、反应离子刻蚀(RIE)式电极、下游式(Downstream)电极
圆筒笼式cage电极托盘式tray电极反应离子刻蚀rie式电极下游式downstream电极圆筒型台式反应离子刻蚀rie系统多真空泵浦选选配圆筒型台式反应离子刻蚀rie系统概况在等离子处理过程的研究和工艺研究中用户强烈需要一款功能高度多样同时也可靠的台式反应离子刻蚀rie系统研发工具
产品P/N:
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统(蚀刻、等离子混合清洗、等离子清除浮渣、刻胶、去胶、表面处理、Etching、故障分析应用、材料改性、钝化层腐蚀、聚酰亚胺蚀刻、等离子促进粘合、生物医学应用、聚合反应)VHF
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统的射频电源
圆筒型台式反应离子刻蚀(RIE)系统有两种可选等离子工艺频率即30 kHz射频电源和13.56 MHz射频电源。每个射频频率具有独特的处理特性,允许用户选择最合适的频率,从而满足具体要求。可用的射频功率范围从150瓦到1250瓦。自动或手动匹配网络,在必要时提供。
•等离子清除浮渣
常见电子束曝光和rie刻蚀工艺流程
常见电子束曝光和rie刻蚀工艺流程下载提示:该文档是本店铺精心编制而成的,希望大家下载后,能够帮助大家解决实际问题。
文档下载后可定制修改,请根据实际需要进行调整和使用,谢谢!本店铺为大家提供各种类型的实用资料,如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等,想了解不同资料格式和写法,敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by this editor. I hope that after you download it, it can help you solve practical problems. The document can be customized and modified after downloading, please adjust and use it according to actual needs, thank you! In addition, this shop provides you with various types of practical materials, such as educational essays, diary appreciation, sentence excerpts, ancient poems, classic articles, topic composition, work summary, word parsing, copy excerpts, other materials and so on, want to know different data formats and writing methods, please pay attention!常见电子束曝光和RIE刻蚀工艺流程1. 介绍电子束曝光(EBL)和反应离子刻蚀(RIE)是微纳加工中常用的工艺步骤,用于制备微米或纳米尺度的结构。
au反应离子刻蚀代加工
au反应离子刻蚀代加工
激光刻蚀代加工(Laser Ablation)是一种利用激光束能量将被加工工件表面的薄膜或物质分解成可操作的粒子,以达到加工目的的一种新型代加工方法。
激光刻蚀代加工的主要特点是刻蚀灵敏,可以达到微米级的加工精度,并且可以较快的完成加工。
反应离子刻蚀代加工(Reactive Ion Etching,RIE)是一种离子化学刻蚀加工方法,也称为反应性离子刻蚀或可选性离子刻蚀,它是一种将被加工物体表面的薄膜或物质分解成可操作的粒子的刻蚀加工方法。
它主要应用于半导体、微电子、微机械、印刷电路板和光学元件等领域。
反应离子刻蚀代加工技术主要由刻蚀室、刻蚀槽和真空泵三个部分组成。
刻蚀室是刻蚀装置的核心部件,由真空室、基座、控制器和离子源组成。
刻蚀槽是把被加工物体放在其中,它用于把被加工物体放在真空室中进行刻蚀。
真空泵是刻蚀室的核心部件,用于把空气从刻蚀室中抽出来,保证刻蚀室中的空气绝对真空。
反应离子刻蚀代加工和激光刻蚀代加工相比,有两个明显的优势:一是刻蚀精度高,可以达到纳米级的刻蚀精度;二是刻蚀速度快,可以达到每秒几千层的刻蚀速度。
反应离子刻蚀代加工的应用领域很广,并且可以在多种材料上进行刻蚀加工,因此在微机械、半导体、微电子、印刷电路板和光学元件等领域有着广泛的应用。
未来,反应离子刻蚀代加工技术将在微纳加工领域取得更大的发展,为我们提供更精确、更快速、更优质的产品。
科罗纳实验室 低温等离子体表面改性处理设备说明书
Please refer to the manual in detail before installing, operating and debugging. 安装,操作或调试设备前,请先详细阅读本说明一.概述南京苏曼电子有限公司始建于1983年。
二十几年来一直致力于低温等离子体(电浆)技术的理论研究和材料表面改性处理技术的产品开发,成熟的掌握了各种低温等离子体的实现方法和辉光放电、电晕放电、电弧放电、等产生低温等离子体的工艺技术和知识产权。
并将谐振型脉宽调制技术、微程序控制技术、数字信号处理技术、模糊程序控制等现代先进技术融合在苏曼公司的系列产品之中。
使苏曼公司推出的相关产品实现了电路数字化、软件模糊化、结构模块化、产品系列化。
在体积、效率、功率、可靠性、外观、可操作性及系列方面在国内都处于领先水平。
尤其在价格和易用性方面更具中国特色。
苏曼公司创建的科罗纳实验室(CORONA Lab.)现在已经成为国内最具技术实力的低温等离子体技术和表面处理技术相关产品的研发基地。
推出了十几款用于各种材料和形状的表面改性处理系列产品和大功率臭氧电源,成功的推动了我国高分子材料表面改性处理技术的发展和设备的更新换代。
苏曼公司对各种高分子和金属材料所制成的薄膜、片材、二维和三维零件、高分子和金属材料的复合零件都有对应的表面处理产品。
对印刷、吹膜、复合、流延、涂覆、胶结、真空镀铝、编织布、化纤布、无纺布、片材、管材、合成纸、粉粒等表面处理也有其对应的解决方案。
另外,我们还可为高等院校和研究院所设计和定制用于表面聚合、表面接枝、金属渗氮、冶金、表面催化、化学合成和气液态污染物的处理等各种低温等离子体的处理设备和实验装置。
目前在线生产的系列产品有、ZW-A,CTE-K,CTR(薄膜表面处理系列)、CTT-K,CTT-F(供暖管,天然气管,石油管等内外管壁PE表面处理系列)、CTB(冰箱盖处理),CTD,CTD-K,RFD,RFD-F(二维和三维零件表面处理系列)、CTP(低温等离子体实验仪器仪表系列)、CTK(片材处理系列)、HPD系列次大气辉光放电低温等离子表面处理系统、CTO(大功率臭氧电源系列)等产品系列。
一种适用于RIE刻蚀的载板装置[实用新型专利]
专利名称:一种适用于RIE刻蚀的载板装置
专利类型:实用新型专利
发明人:胡茂界,夏利鹏,秦崇德,方结彬,何达能,陈刚申请号:CN201721181829.1
申请日:20170915
公开号:CN207233761U
公开日:
20180413
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本实用新型公开一种适用于RIE刻蚀的载板装置,属于太阳能电池技术领域,包括用于传输硅片的铝载体,还包括设置在铝载体内的若干用于放置硅片的硅片位、用于分隔硅片位的定位点、及设置在铝载体四周边缘上的若干陪片位;所述铝载体呈方形,所述硅片位具有四十个,硅片位均匀分布在所述铝载体上,通过所述定位点相互隔开;所述陪片位具有二十八个,陪片位通过定位点与所述硅片位隔开。
本实用新型可实现陪片牢固的固定在载板上,不会在生产过程中发生陪片缺失,避免影响RIE刻蚀效果,有效保证工艺的稳定性,使硅片表面形成一层均匀纳米级凹坑。
申请人:广东爱康太阳能科技有限公司
地址:528100 广东省佛山市三水工业园区C区69号
国籍:CN
代理机构:北京中济纬天专利代理有限公司
代理人:孔凡亮
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PVDCVD设备介绍
• System facilities
– 冷卻水,電力,氣體輸送
• RF generator rack
– RF generator – Microwave system
• 控制器與電力箱(System controller /AC power box) • 熱交換器系統 (Heat Exchanger) • 真空系統 (Vacuum Systems)
• Producer所執行的阻障層製程包括:SACVD, PECVD 及 先進的Low K材料製程如BD, BLOk
Generic 5LM Logic Device
Pad Etch
Passivation
Metal Etch Via Etch Contact Etch Spacer Etch Gate Etch
System=platform+ 週邊設備
製程反應室
晶舟承載反應室 Loadlock
輔助反應室
系統大小比較
Precision 5000® Endura®
Centura®
Producer™
Centura Mainframe 類型
• Standard 5200 • HTF Centura • RTP Centura • 其他
Al-5 Al-4 Al-3 Al-2 Al-1
Passivation IMD-4 IMD-3 IMD-2
IMD-1
PMD
n+
n+
P-Well
STI
p+
N-Well
p+
Implant
Epi Shallow Trench Isolation
等离子体刻蚀多晶硅
等离子体刻蚀多晶硅与刻蚀SiO2相同,选择合适的化学物质刻蚀多晶硅也需要考虑到以下几个因素:副产品挥发性、选择比和各向异性。
另一个需要考虑的因素是,Si表面普遍存在一层天然氧化层,这一氧化层需要在刻蚀初期,用额外的“穿透”步骤去除。
刻蚀多晶硅常采用含氟刻蚀剂,Si和F的化合物SiF4具有很好的挥发性。
然而采用SF6、CF4或CF4/O2刻蚀多晶硅时,等离子体中产生的F自由基的浓度很高,而聚合物的生成相对较少,因而刻蚀会倾向于各向同性。
上一节我们介绍SiO2的刻蚀时,曾提到降低相关氟的组分并增加碳的组分可以提高刻蚀的各向异性,降低自发刻蚀作用,增强离子诱发的刻蚀作用。
添加H2或使用CHF3可以实现这一点。
但这样做也会增加SiO2相对于Si的刻蚀速率,因为在Si上会优先生成一层聚合物。
这一点对刻蚀SiO2是适用的,但对刻蚀多晶硅并不适用,因为我们要提高刻蚀对下层SiO2的选择性。
因而采用含氟物质,难以同时保证各向异性和刻蚀多晶硅对SiO2的选择性。
若对各向异性要求并不高,可以在CF4中加入O2,因O2的加入,Si的刻蚀速率比SiO2的刻蚀速率增加的多,因而刻蚀Si对于SiO2的选择性就提高了,但此时刻蚀会更趋于各向同性。
对于氟化物来说,为了兼顾各向异性和选择性,可以在刻蚀过程中改变化学气体。
开始时选择刻蚀为各向异性,例如采用CF4/H2混合气体,当刻蚀快结束时,可以提高刻蚀对SiO2的选择性,如可采用CF4/O2混合气体。
但这一方法会使多晶硅或多或少地存在钻蚀。
刻蚀多晶硅要同时获得各向异性和良好的选择性,可采用氯化物刻蚀剂。
硅同Cl原子生成副产物的挥发性略低于同F原子生成副产物的挥发性,但仍可以接受。
氯化物如Cl2,HC1或SiCl4都可以用来刻蚀多晶硅。
同采用氟化物刻蚀相比较,氯化物中参与刻蚀的化学物质含量较低,因而对Si的侧向刻蚀相对少一些。
同时由于离子轰击的作用,纵向刻蚀速率显著增长。
这或者是由于离子轰击作用导致了表面化学键的断裂,或者是由于它增强产物的去除作用。
机台名称卷对卷式等离子体处理系统
机台名称:等离子体清洗机机台型号:PLAUX-PC120L整机规格:1120mm(W) 1030mm(D)< 1720mm(H)真空室规格:650mm(W) 550mm(H^ 450mm(D)(定制)电源系统:13.56MHz等离子体发生源(500W,全自动阻抗匹配)控制系统:触摸屏+PLC自动控制进气系统:2-5路工作气体可选:Ar、N2、H2、CF4、O2用途:适用于LED、LCD、SMT领域,半导体IC领域,硅胶、塑胶、聚合体领域,汽车电子行业等。
★ LED LCD、SMT领域:LED打线、IC封装前的清洗,LCD制造工艺中清洗偏光片、排特点:高精度,快响应,良好的操控性和兼容性,完善的功能和专业的技术支持。
线基位,电子元器件、光学元器件表面的清洗。
★硅胶、塑胶、聚合体领域:硅胶、塑胶、聚合体的表面粗化、刻蚀、活化机台名称:等离子体清洗机机台型号:PLAUX-PM12H平板垂直型整机规格:1800(W)X 1320(D) X1860(H) mm真空室规格:1118(W)X 1095 (D)X900(H) mm电源系统:13.56MHz等离子体发生源(500W,全自动阻抗匹配)控制系统:触摸屏+PLC自动控制进气系统:2-5路工作气体可选:Ar、N2、H2、CF4、O2特点:高精度,快响应,良好的操控性和兼容性,完善的功能和专业的技术支持。
用途:适用于LED、LCD、SMT领域,半导体IC领域,硅胶、塑胶、聚合体领域,汽车电子行业等。
★ LED LCD、SMT领域:LED打线、IC封装前的清洗,LCD制造工艺中清洗偏光片、排线基位,电子元器件、光学元器件表面的清洗。
★硅胶、塑胶、聚合体领域:硅胶、塑胶、聚合体的表面粗化、刻蚀、活化机台名称:等离子体清洗机机台型号:PLAUX-PR216L整机规格:1810mm(W) 1390(H) X1080mm(D)真空室规格:进口铝600(W)X 600(H) X600(D)mm电源系统:13.56MHz等离子体发生源(500W,全自动阻抗匹配)控制系统:触摸屏+PLC自动控制进气系统:2-5路工作气体可选:Ar、N2、H2、CF4、O2 特点:高精度,快响应,良好的操控性和兼容性,完善的功能和专业的技术支持。
prima electro控制单元
Prima Electro控制单元是一个实时控制单元,由意大利Prima Electro公司制造。
该公司成立于1978年,专门致力于机械、电子和软件的集成。
随着时间的推移,Prima Electro已经发展成为一家能够提供各种控制解决方案的公司,其控制单元广
泛应用于各种工业领域。
Prima Electro控制单元的特点是具有高度的可靠性和稳定性,能够在各种恶劣的工
业环境中稳定运行。
此外,该控制单元还具有易于编程和调试的优点,使得用户能够方便地实现各种控制逻辑和算法。
总的来说,Prima Electro控制单元是一个功能强大、可靠性高的实时控制单元,适
用于各种工业自动化和控制应用。
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电子专用设备成 果汇编
电 字 工 业 专 用 设 备
mo SSC AD—RIETM。Primo SSC AD—RIETM 是 采 用 高 深 宽 比 (HAlt)刻蚀 中各 向异 性 刻 蚀 的 性 能 ;
-
创 新 性 :
中 微 自主 研 发 的 单 反 应 台 等 离 子 体 刻 蚀 机
Primo SSC AD.RIETM 具 有 如 下创 新 特 点 :
Primo SSC AD—RIETM 属于 原 始 创 新 。
·超 高速 涡 轮 分 子泵 和 大抽 气 通 道 ,可 以产
中微 刻 蚀 设 备 的 一 大 关 键 优 势 在 于 它 的配 置 生 高流 量 、低 压 力 ,有 利 于高 深 宽 比 (HAR)刻蚀 ;
产 品 介 绍 : 等 离 子 体 刻 蚀 设 备 是 极 大 规 模 集 成 电 路 制 造
的 三 大 关 键 设 备 之 一 ,Primo SSC AD.RjE 是 中 微 公 司 目前 最 先 进 的 等 离 子 体 刻 蚀 设 备 , 可 用 于 1X 纳 米 关 键 刻 蚀 工 艺 芯 片 加 工 。 SSC,即单 反 应 台 腔 体 , 是 建 立 在 中 微 前 一 代 介 质 刻 蚀 设 备 Pri— mo AD R/E ̄产 品 技 术 和 Primo平 台概 念 的 基 础 上 , 通 过 在 一 个 平 台 上 支 持 6个 刻 蚀 反 应 台 达 到 生 产 力 的 最 大 化 。Pr imo SSC AD—RIETM是 采 用 高 抽 速 、低 压 、高 能脉 冲 等 离 子 体 的手 段 为 高 深 宽 比 刻 蚀 而 开 发 的产 品 。该 设 备 设 计 之 不 同 ,在 于 将 反 应 台 拆 分 为 独 立 的 反 应 腔 ,专 用 于 气 体 输 送 和 抽
台销 售 ,由此 达 成 的 简 化 新工 艺流 程 已用 于 40 nnl 上 海 市 科 技 进 步 二 等 奖 ”、 国 家 02专 项 授 予 的
和 28 n/n制程 ,并 计划 在 16 11111和 10 nnl制 程 中加 “2011年 度 突 出 成 果 奖 ”、 科 技 部 等 四 部 委 2012
以沿 用 ,已在验 证 中 。
年 颁 发 的“国 家 战 略 性 创 新产 品 ”证 书等 。
中 微 Primo iDEA ̄有 着 业 界 公 认 的 高 水 平 的
8 产 品名称 :22—14 nm 单反应 台等 离子体 刻蚀机
Prim o SSC AD—RIE
研 制 单 位 : 中微 半 导体 设备 (上海 )有 限公 司
来 的损 害上 表 现 优 异 ,同时 又 减 少 了所 需 机 台的数 发 的“2009年 度 全 球 最 佳 产 品 奖 ”、上 海 市 颁 发 的
量 。截 至 2015年 9月底 ,Primo iDEA ̄已实 现 共 9 “2009年 度 上 海 市科 技进 步 一 等 奖 ”和“201 1年 度
金 奖 ”,另 一 项专 利 “等 离子 体 约 束 装 置 ”(专 利 号 : 200610116449.x) 于 2013年 12月 获 得 了上 海 市 知 识 产 权 局 授 予 的“上 海 市 发 明创 造 专 利 奖 ”。 中 微 刻 蚀 产 品还 被 上 海 市知 识产 权 局 评 为 “上 海 市 专 利 新 产 品 ”。中微 公 司 是上 海 市 知 识 产 权 局 评 定 的“上 海 市 知 识 产权 优 势 企 业 ”。
极 具 灵 活 性 。 它在 同一 个 主机 系统 上 可 以配 备双
· 极 高 功 率 的低 频 射 频 偏 压 电源 。 7 kW 、2
反应 器 实 现 高 产 出和低 成 本 ,也 可 以配 备 单 反 应 MHz偏 压 功 率 可 以提 供 更 高 的 离 子 能 量 ,结 合 可
器 以满 足 关键 刻 蚀 工 艺 中高 抽 速 等 要 求 , 如 Pri. 以选 配 的 脉冲 射 频 功 率 电源 一起 , 可 以提 高 在 高 发 明 专 利 情 况 : Primo iDEA ̄共 申请 了 10项 专 利 ,包 括 国 内
专 利 7项 ,海 外 专 利 3项 。 应 用 于 Pr imo iDEA固产 品 的 一 项 关 键 专 利
“感 测 和 移 除 被 加 工 半 导 体 工 艺 件 的 残 余 电荷 的 系 统 和 方 法 ”(专 利 号 :ZL200910049960.6)于 2013 年 11月获 得 了 国家 知识 产权 局授 予 的“中 国专 利
应 用 范 围 和 市 场 前 景 :
中 微 Primo iDEA ̄ 目前 已有 多 台进 入 先 进 的 基 础 :前 期 产 品 曾先 后 30余 次在 国 内外 获 得 知 名
芯 片 生 产线 ,并 已证 明在 避 免 等 离子 体 接 触 器件 带 奖 项 ,包 括 2009年 世 界权 威 媒 体 《半 导 体 国际》颁
气 系 统 控 制 ,同 时还 具 有 以下 新 特 性 :双 频 同步 脉 冲 等 离 子 体 、 可冷 却 的 聚 焦 环 工 艺 组 件 和 更 大 容 量 的分 子 泵 等 。这 些 特 点 对 20 nm 及 以下 的一 些 关 键 应 用 需求 能带 来 很 好 的效 果 。根 据 客 户 要 求 , Primo SSC AD.RIET M 可 以处 理 多层 薄 膜 刻 蚀 的微 负载 问题 、极 端 边 缘 形 貌 问题 以及 在 高端 存 储 芯 片 中针 对 关键 接 触 性 的刻 蚀 进 行 刻 蚀 终 点控 制 。