实验二十一 程序升温脱附技术研究固体表面性能4
程序升温方法2012
定义:当固体物质或预吸附某些气体的固体物 质,在载气流中以一定的升温速率加热 时,检测流出气体组成和浓度的变化或 固体(表面)物理和化学性质变化的技术。
可分为:程序升温还原(TPR)
程序升温脱附(TPD) 程序升温表面反应(TPSR) 程序升温氧化(TPO)
第一节 程序升温脱附技术 基本原理 热脱附实验结果不但反映了吸附质与固体 表面之间的结合能力,也反映了脱附发生 的温度和表面覆盖度下的动力学行为。
Ni的存在促进了 CH3OH分解。
第二节 程序升温表面反应
程序升温表面反应(TPSR):在程序升温过程中, 在催化剂表面同时发生表面反应和脱附。 1、预处理后的催化剂在反应条件下进行吸附和 反应,程序升温使催化剂上吸附的各个表面物种 边反应边脱附出来。 2、载气为反应物,程序升温过程中,载气(或载 气中某组成)与催化剂表面上反应形成的某吸附 物种一面反应一面脱附。
PdO/CeO2催化剂的还原性能
CO作为还原剂在于 消除氢溢流的存在。 5%Pd 存在三个CO脱附峰 、和g =2%Pd 只存在和峰 2%Pd 只有峰 移向高温
Cu-Pd双金属氧化物间的相互作用
CuO-PdO/CeO2与 PdO/CeO2相比,峰温 提高,峰形不变。 CuO-PdO与CuO/CeO2 明显不同。 Cu的存在抑制了Pd的 还原。 Pd的存在促进了Cu的 还原。
表面H加速了NO在Ru表面 解离。
二、考察反应机理
CH4 出现在340oC, H2O与CH4同步; 有CO和CO2脱附峰
1、饱和吸附CO的催化剂脉冲吸附H2至饱和。在He中 TPSR。
225 oC,CH4窄峰
H2O峰两个,低温 与CH4相同;高温 峰从350 oC开始。 150oC有一个宽的 CO 无CO2峰
程序升温脱附原理
程序升温脱附原理一、引言程序升温脱附是一种常用的表面分析技术,它可以通过加热样品来探测其表面组成和化学性质。
本文将详细介绍程序升温脱附的原理及其应用。
二、程序升温脱附的基本原理程序升温脱附是一种利用高真空下加热样品并测量其挥发物质量的技术。
在实验过程中,样品被放置在一个加热器中,并在高真空下进行加热。
随着温度的升高,样品表面吸附的气体和溶质开始逸出,并被送入质谱仪或其他检测装置中进行分析。
三、程序升温脱附的仪器结构程序升温脱附通常由以下部分组成:1. 加热器:用于将样品加热至所需温度。
2. 高真空系统:保证实验过程中无氧气污染。
3. 气体分析仪:用于检测和分析逸出气体组成。
四、程序升温脱附的实验步骤程序升温脱附实验步骤如下:1. 将样品放置在加热器中,并将其与高真空系统连接。
2. 开始加热样品,升温速率一般为10-20℃/min。
3. 在样品表面发生脱附时,逸出气体被送入气体分析仪进行分析。
4. 根据逸出气体的组成和数量推断样品表面的化学性质和组成。
五、程序升温脱附的应用程序升温脱附广泛应用于表面化学、材料科学、环境科学等领域。
具体应用包括:1. 表面化学:程序升温脱附可以用于研究催化剂表面上吸附物种的组成和反应机理。
2. 材料科学:程序升温脱附可以用于研究材料表面的吸附性能和化学反应性质。
3. 环境科学:程序升温脱附可以用于研究大气颗粒物和有机污染物在环境中的行为。
六、程序升温脱附的优缺点程序升温脱附具有以下优点:1. 可以检测非挥发性物质。
2. 可以检测样品表面的化学性质和组成。
3. 操作简单,实验时间短。
但是,程序升温脱附也存在以下缺点:1. 只能检测样品表面的物质。
2. 无法区分不同深度的吸附物种。
3. 需要高真空条件下进行实验。
七、总结程序升温脱附是一种常用的表面分析技术,它可以用于研究样品表面的化学性质和组成。
本文详细介绍了程序升温脱附的原理、仪器结构、实验步骤、应用、优缺点等方面,并对其进行了总结。
固体催化剂的表征方法—程序升温脱附还原(TPDTPR)
两种常用的研究酸技术的比较
酸量
程序升温脱 吡啶红外 附
峰面积计算 峰面积计算
酸强度
酸分布 酸型
可以,温度 范围较宽
不可以
可以,只能 比较300℃以 内的
可以
不可以
可以
简要操作
❖ 1.吹扫:吹扫吸附在催化剂上的水分和杂质 ❖ 2.吸附气体 ❖ 3.吹扫物理吸附的气体 ❖ 4.程序升温
固体催化剂的表征 方法—
程序升温脱附/还 原(TPD/TPR)
*** 2009年3月
60年代,Ovetanovio和Amenomiya成 功建立和发展了程序升温技术,在最近的 几十年中,不管是理论上还是在实验上都 得到了充分的完善,并且有广泛的应用, 通过此方法可以得到气体在催化剂上吸附 键的强弱等信息。
例1
❖ 在Cu-Mn-Si耦合反应合成 环己酮和2-甲基呋喃的研究
❖ A3: Cu:Mn=1:2.32 A4: Cu:Mn:Si=1:1.12:2.32 A5: Cu:Mn:Si=1:1.12:1.13 A6: Cu:Mn:Si=1:1.12:0.67
结论:弱酸对环己醇脱氢没有 太大的影响,而中等强度的 酸对环己酮的收率影响大
储伟 ,催化剂工程 肖丰收,辛勤,催化研究中的TPD-IR-MS方法
2.程序升温还原(TPR)
TPR常应用于表征负载型金属或过渡金属 氧化物催化剂,对TPR结果进行分析可以获 得金属与载体的相互作用,金属的价态和是 否形成合金等方面的信息。
徐柏庆,徐奕德等,程序升温原位分析方法
程序升温还原原理
当负载的金属的价态,聚集状态,与载体 的作用发生改变的时候,其还原温度,还原 后的价态将会发生改变,如果能测出程序升 温还原过程中氢气的消耗量,还原温度等, 就能得到负载金属的一些状态参数。
氧空位与h2-tpd的关系
氧空位与h2-tpd的关系
氧空位和H2-TPD之间存在着密切的关系,这涉及到固体表面的化学性质和催化活性。
首先,氧空位是指固体表面上缺失氧原子的位置。
这些氧空位可以影响固体表面的化学反应活性,因为它们提供了吸附位点和反应位点。
在催化反应中,氧空位可以作为活性位点,参与吸附和反应过程。
因此,氧空位的存在会对催化剂的性能产生重要影响。
H2-TPD(氢程序升温脱附)是一种常用的实验技术,用于研究固体表面上氢的吸附和脱附行为。
通过H2-TPD实验,可以了解固体表面上氢的吸附强度、数量以及吸附位点的性质。
这些信息对于理解固体表面的化学性质和催化活性至关重要。
在研究催化剂时,通过H2-TPD实验可以确定氧空位对氢吸附和脱附的影响。
具体来说,氧空位可以影响固体表面上氢的吸附能力和脱附能力,从而影响催化剂的活性和选择性。
通过对氧空位和
H2-TPD之间的关系进行研究,可以更好地理解催化剂的表面性质和催化性能。
总之,氧空位和H2-TPD之间存在着密切的关系,它们共同影响
着固体表面的化学性质和催化活性。
通过深入研究氧空位和H2-TPD 之间的关系,可以为设计和优化催化剂提供重要的理论指导和实验依据。
程序升温脱附 TPD
程序升温脱附 TPD程序升温脱附(Thermal Programmed Desorption,TPD)是一种常用的表征方法,用于研究各种材料中的吸附、物理吸附和化学吸附等表面现象。
TPD实验通常使用温度程序升温的方式,将待测物质蒸发或者解离出来,观察并分析脱附曲线,从而得到有关样品表面的信息。
实验步骤1、进样将待测样品进入实验装置中,并进行预处理。
鉴于TPD采用温度变化的方式,为了避免与待测物质干扰,通常在高温条件下加热,推荐使用氢气和氦气的气氛来预处理样品,以保证样品表面得到清洁。
2、设定实验条件为了使实验结果更加准确,需要在实验前设定恰当的实验条件。
每种样品的适宜实验条件会略有不同。
比如,要考虑实验设备的温度范围,在温度变化的过程中不同的离解峰(desorption peak)可能会重叠,真实的曲线形状也可能会受到干扰。
在设定实验条件时,还需要根据样品的特性来考虑如何入样、加样,以及如何选择离子检测器。
3、加热过程在升温过程中,加热器的温度会逐渐上升,直到温度达到一定程度。
当温度升高到样品中有吸附物时,吸附物质会脱附出来。
通过检测脱附物的离开,实验者可以推断出样品表面上可能存在的影响物。
4、记录结果最后,将所有测量结果记录下来,以备后期使用。
通过分析TPD输出的曲线图,可以得到一些样品表面相关信息,比如吸附热、吸附性能、分级等特征。
输出结果需要经过处理,便于实验人员进行数据分析,以便绘制出关于样品的详细信息。
优点和局限TPD的优点是很明显的。
它可以大大提高表面分析的效率和准确度,帮助研究人员快速了解样品内部的某些基本物理和化学特性。
同时,它也是一种普遍适用的表征方法,不仅适用于吸附物质的研究,还广泛应用于氧化还原反应、表面析出、合成反应和催化等领域。
然而,TPD也存在着一些局限之处。
首先,它的使用过程比较复杂,需要实验者有一定的相关基础和实验操作技能。
其次,使用TPD进行表征实验时,样品的数量有一定的限制,因为它需要先进行处理,才能进行实验。
程序升温脱附法的建立及对负载金属催化剂的初步考察
程序升温脱附法的建立及对负载金属催化剂的初步考察刘君佐(石油化工科学研究院)一、序言在多相催化中,由于催化剂本身成分和结构以及与之有关的反应动力学系统额复杂性,使得在解释催化剂活性和结构上遇到了困难,从而妨碍了对特定化学过程最佳催化剂的选择。
近代,虽然有着众多的技术和方法,如各种能谱,光谱,热分析,磁学方法等,可被用来获得关于催化剂结构的知识。
但是,一般的物理方法,尚需与吸附过程相结合,方能较好的阐述有关催化机构的问题。
因此,化学吸附(脱附)法总是作为一种主要而有效的手段,被广发地应用与各种类型催化剂的研究。
程序升温脱附(TPD)技术,作为闪脱(FD)技术的一个进展,在1963年首先被雨宫良三和茨维塔诺契所提出,随后扩大和改进了这一技术的应用和理论分析。
近十多年来,雅凯尔松、贡道尔、康瓦林卡、拉塞尔、所康生、史缪特克等,也在这方面进行了大量工作。
麦克尼科尔和三浦熙等发展了TPR技术;麦克卡齐和布伦诺等则分别使用了TPSR(程序升温表面反应)和TPDE(程序升温分解)方法。
所有这些,都带来了TPD技术应用的新动向,并说明了它有着十分广阔的发展前途。
TPD法的主要优点在于:1,设备简单易得;2,不受研究对象限制,几乎有可能包括所有的实用催化剂;3,从能量角度出发,原位地考察活性中心和与之相应的表面反应,提供有关表面结构的众多情报;4,对催化剂制备参数非常敏感,有着高度的鉴别能力。
为了克服气体脉冲色谱法中的某些限制,从1974年开始,我们筹建期一套动态法TPD 装置。
二、TPD技术的基本原理当吸附的微粒被提供的热能活化,以至能够克服为了它的逸出所需要越过的能垒(通常称为脱附活化能)时,就产生脱附。
由于不同的吸附质与相同的中心间的结合能力不同,因而,在脱附时所需的能量也不同。
所以,热脱附实验的结果,反映了在脱附发生时的温度和表面覆盖下,过程的动力学行为。
通常,吸附在固体表面上的气体的脱附活化能和活化熵,用测定固定温度线的脱附速度来评价。
程序升温脱附
TPD过程中表面覆盖度、脱附速率、 温度和时间的关系图
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程序升温峰图
随着温度升高脱附速率先升 高再减慢 Tm 代表脱附速率最大时的 峰温 不同 Tm 下的峰代表不同的吸 附中心 峰面积代表脱附量大小
程序升温脱附峰图
西南石油大学
实验方法
预处理
吸附-脱附
分析数据
西南石油大学
高逐渐改变吸附质进样量,重复上述步 骤得到多组TPD谱图。
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三、分析数据
定性分析 (1)对比上述几组TPD谱,若仅出现一个峰,表明只有一 种吸附中心(酸/碱类型)。若出现两个或多个脱附峰, 表明有二个或多种吸附中心(酸/碱类型)。 (2)低温脱附峰(Tm=25~200℃)相应于弱酸/碱中 心,中温峰(Tm=200~400℃)相应于中等酸/碱中 心,高温峰(Tm>400℃)相应于强酸/碱中心;
(1)80目左右待测样品准确称量0.1g; (2)250℃~500℃焙烧2h后装入样品管; (3)350℃He气吹扫1h; (4)冷却到120℃,恒温30分钟。
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二、吸附-脱附
(1)注入一定量吸附质 NH 3 ; (2)以(15℃~20℃)/min速率的升温,控制 载气速度45ml/min进行脱附至结束,得到程脱 谱;
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(1)氨进料量(ml)0,加热速 度β (℃/min)14.0; (2)氨进料量(ml)1,加热速 度β (℃/min)14.2; (3)氨进料量(ml)1.5,加热 速度β (℃/min)13.8;
(4)氨进料量(ml)2,加热速 度β (℃/min)13.3;
(5)氨进料量(ml)4,加热速 度β (℃/min)14.6;
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程序升温脱附技术在催化剂表征中的应用
程序升温脱附技术在催化剂表征中的应用催化剂是一类能够增强化学反应速率的物质,在各个领域中都有广泛的应用。
为了更好地了解和优化催化剂的性能,研究人员常常需要进行催化剂的表征分析。
而程序升温脱附技术,作为一种高效准确的表征手段,已经被广泛应用在催化剂研究中。
程序升温脱附技术(Programmed Temperature Desorption, PTD)是一种利用温度改变来研究固体表面物质脱附行为的技术。
它基于物质在不同温度下脱附的特性,通过改变脱附温度和脱附速率,来探测催化剂中的活性物种以及与之相互作用的性质。
此技术使得研究人员可以定量地了解催化剂在实际应用过程中的性能和稳定性。
在催化剂表征中,程序升温脱附技术广泛应用于以下几个方面:1. 表面活性物种的检测和表征程序升温脱附技术可以通过改变脱附温度和脱附速率来检测和表征催化剂表面活性物种。
例如,通过控制升温速率,可以观察到不同温度下脱附的物种。
这些物种可以是吸附剂、中间体或者反应产物等。
通过定量分析这些物种的脱附行为,可以揭示催化剂的反应机理和催化性能。
2. 表面活性位点的定量分析程序升温脱附技术可以通过将催化剂与已知气体相互作用,来定量分析催化剂表面的活性位点数量。
通过测定吸附气体在不同温度下的脱附量,可以计算出催化剂表面的活性位点密度。
这对于了解催化剂在反应中的活性和选择性具有重要意义。
3. 催化剂的表面离子态分析催化剂表面的离子态对于催化剂的性能和稳定性具有重要影响。
程序升温脱附技术可以通过对催化剂中离子物种的脱附行为进行研究,来了解催化剂表面的离子态分布和性质。
这对于优化催化剂的性能和设计新型催化剂具有重要意义。
4. 表面活性物种与载体相互作用的研究在一些催化剂中,载体与活性物种之间的相互作用对于催化剂性能和稳定性起到至关重要的作用。
程序升温脱附技术可以通过改变脱附温度和脱附速率来研究载体与活性物种之间的相互作用。
这有助于优化载体的选择和改进催化剂的稳定性。
TPD程序升温脱附技术资料
TPD实验基本操作一般可分为以下步骤:
(1)装催化剂---加热---通惰性气体 (2)切断载气-----通预处理气体 (3)降温至室温------- 通惰性气体 (5)线性升温脱附 ( 4 )注吸附气体
2)实验条件对TPD的影响 主要有6个参数: 1、载气流速(或抽气速率) 2、反应气体/载气的比例 3、升温速率
如果温度是随着时间线性上升的, 即: T=T0+βt, β为线性升
温速率. 则上式变为 - dθ/dT =A/βexp(- Ed/RT )θn (5)
如果脱附过程为一级, 当吸附质的脱附速率最大时,
在TPD 曲线(- dθ/dT -T)上则表现为一个极大值, 此时应有- d²θ/dT²=0. 当脱附级数n=1 时, 将式(5)对温度进行微分后在 TPD 实验谱图峰值温度处得到(6):
2.水滑石型固体碱碱性位的内标CO₂-程序升温脱附-MS
表征²
将70 mg水滑石样品与10mg内标物混合后装入石英管进行预 处理(Ar气气氛下500℃恒温1 h后,降至50℃吸附CO₂),然后
用Ar气吹扫至基线水平,以10℃/min的速率升温,用质谱计
检测尾气中CO₂的信号强度,得CO₂一TPD曲线图。 CO₂-TPD-MS能够根据碱密度(脱附峰面积)求出碱性量.
当脱附过程中吸附可被忽略时, 式(1)可简化为 - dθ/dt =Kdθⁿ (2) 由Arrhenius 方程:
Kd=Aexp(-Ed/RT) (3)
R 为理想气体常数, T 为开尔文温度. 则式(2)可改写为 - dθ/dt =Aexp(- Ed/RT )θⁿ (4)
其中, A 为脱附速度常数的指前因子, Ed 为平均脱形状
6、催化剂“体积/质量”比
TPD TPR TPO TPS TPSR TPRS
应用1 NH3-TPD研究催化剂表面酸性
不同类型分子筛的NH3-TPD图谱
Al-MCM-41的NH3-TPD去卷积图
ZSM-5
Al-MCM-41 SO2-4/ZrO2/MCM-41 Si-MCM-41/PO3H Al2O3
Si-MCM-41
根据峰面积判断酸量:ZSM-5 > Al-MCM-41 > Si-MCM41/PO3H ≈SO2-4 /ZrO2/MCM-41 > Al2O3 > MCM-41。
常见术语
程序升温脱附(Temperature-Programmed Desorption) 程序升温还原(Temperature-Programmed Reduction) 程序升温氧化(Temperature-Programmed Oxidation) 程序升温硫化(Temperature-Programmed Sulfuration) 程序升温碳化(Temperature-Programmed Carbonation) 程序升温再氧化(Temperature-Programmed Re-Oxidation) 程序升温分解(Temperature-Programmed Decomposition) 程序升温滴定(Temperature-Programmed Titration) 程序升温表面反应(Temperature-Programmed Surface Reaction) 共进料程序升温反应(Co-feed Temperature-Programmed Reaction 热重分析(Thermogravimetric Analysis) 差热分析(Differential Thermal Analysis)
二、 TPD技术
定义
TPD程序升温脱附技术
常用吸附气体:CO /NH3 / 吡啶
二、实验装置和谱图定性分析
1)实验装置 三部分组成:a、气体净化与切பைடு நூலகம்系统
b、反应和控温单元 c、分析测量单元
载气:高纯He、Ar或N2; 载气流速:30-50mL/min; 催化剂装量:50-200mg; 粒度:40-80目; 升温速率:525K/min; 监测器:TCD和MS
升温速率的影响
升温速率增大,峰形变 得尖锐,TPD峰容易重叠; 升温速率过小时, TPD 信号减弱。
3)TPD所能提供的信息:
1、吸附类型(活性中心)的 个数 2、吸附类型的强度(中心 的能量) 3、每个吸附类型中质点 的数目(活性中 心的密度) 4、脱附反应的级数 5、表面能量分析等方面 的信息
四、TPD优点与局限性:
优点: 1、简单; 2、不受研究对象的限制; 3、提供众多情报; 4、鉴别能力强;
TPD局限性: 1)对一级反应动力学的研究非常困难。 2)实际转化率可能高于理论计算的转化率。 3)加载气对反应有影响时,所得结论的可信度下 降。
4)不能用于催化剂寿命的研究。
五、应用: TPD技术测催化剂表面酸碱性
TPD实验基本操作一般可分为以下步骤: (1)装催化剂---加热---通惰性气体 (2)切断载气-----通预处理气体 (3)降温至室温------- 通惰性气体 ( 4 )注吸附气体 (5)线性升温脱附
2)实验条件对TPD的影响
主要有6个参数: 1、载气流速(或抽气速率) 2、反应气体/载气的比例 3、升温速率 4、催化剂颗粒大小和装量 5、吸附(反应)管体积和几何形状 6、催化剂“体积/质量”比
2.水滑石型固体碱碱性位的内标CO₂-程序升温脱附-MS 表征²
程序升温脱附TPD课件
实验操作步骤
仪器连接
将热脱附仪、气相色谱仪和热 导检测器连接起来,确保密封 良好。
程序升温
按照实验要求设置升温程序, 开始程序升温脱附实验。
样品准备
将待测样品放入热脱附仪的样 品盘中,确保样品均匀平铺。
启动仪器
打开电源,启动热脱附仪和气 相色谱仪,预热至所需温度。
案例三:物理吸附脱附实验
总结词
物理吸附脱附实验主要研究气体在固体表面上的物理吸附和脱附行为,不涉及到化学键的形成和断裂。
详细描述
在物理吸附脱附实验中,样品被加热至一定温度,通入一定量的待测气体,通过检测样品表面剩余气体的压力变 化以及样品的物理性质变化,可以得出气体在样品表面上的物理吸附和脱附行为。该实验可以帮助我们了解物理 吸附的机理和热力学性质。
程序升温脱附TPD课件
目录
CONTENTS
• TPD实验介绍 • 实验仪器与操作 • 数据处理与分析 • 实验案例展示 • 实验结论与展望 • 参考文献
01
CHAPTER
TPD实验介绍
TPD实验原理
程序升温脱附(Temperature Programmed Desorption, TPD)是一种热分析技术,用于研究吸附在固体表面上的气 体分子的脱附行为。
容。
间接引用
在文中引用他人的研究成果,但未 注明具体内容,仅注明作者和年份 。
参考文献列表
在文末列出所有引用的参考文献, 按照规定的格式进行编排。
THANKS
谢谢
材料科学
TPD实验可用于研究材料 表面的吸附和反应性能, 为新材料的设计和应用提 供指导。
02
CHAPTER
实验仪器与操作
实验二十一 程序升温脱附技术研究固体表面性能4
实验二十一 程序升温技术研究固体表面性能1.目的要求(1) 掌握氧化还原方法研究固体表面性质的基本方法和原理。
(2) 掌握程序升温和微型催化色谱技术的一般操作和装置原理。
(3) 学习分析固体负载催化剂的负载量、多组分之间的相互作用。
2.实验原理(1)程序升温还原技术简介程序升温还原技术(简称TPR),是在升温还原过程中,测定某些物理量的变化,以分析催化剂表面上可还原组分的量及分布的非常灵敏的方法[1]。
它可以用于表征金属氧化物、金属、金属离子交换分子筛催化剂的表面状态。
很多金属催化剂在制备过程中先被制成相应的金属氧化物,然后再还原成金属,故其氧化物的存在状态(如负载、不负载、分散度、是否与其它金属共存)就决定了金属的存在状态、TPR 方法的基本原理就是将这些氧化型的催化剂放在含氢或其它还原性的气流中,按一定速率升高温度。
催化剂中某些组分,依其还原能力的不同,在不同的温度下被还原。
记录还原过程中变化着的信号,就可以得到催化剂表面状态的信息。
最常用的方法是在一定的压力下,在恒定的H 2/N 2气流中,按一定速率升温度,用热导池记录升温过程中氢浓度的变化记录到的是在不同温度下的还原峰。
如果知道还原反应的化学计量,还可以算出任何被还原组分的量。
这种氢浓度随温度升高而变化的函数关系,称为TPR 曲线还原峰,最高点所对应的温度称为TPR 峰温。
一种固体催化剂的制备或改进的成功与否,不仅决定其体相组成,往往更多地决定于其表面组成和活性中心的分布。
因此,表征催化剂表面状态的方法具有特别的重要性。
已有许多方法是可以用来表征催化剂的,如x 射线粉末衍射、电于显微镜、红外光谱、光电子能谱等等,但是这些方法往往不能提供反应条件下催化剂的完整可靠信息。
(2) 适用范围金属氧化物与氢作用,可用下面的方程式表示MO(s) + H 2 (g) M (s) + H 2O (g)该反应得以进行,在热力学上必须满足:0ln 22<+∆=∆H OH p p RT G G由于大多数金屑氧化物还原过程的标准自由能∆G o 小于零,故这些氧化物的还原在热力学上是可行的。
程序升温脱附的原理及应用
程序升温脱附的原理及应用程序升温脱附(Programmed Temperature Desorption,简称PTD)是一种常用的气相色谱检测技术,用于分离和定性分析样品中的挥发性有机化合物。
该技术的原理是通过程序升温控制样品中化合物的蒸发和分离,并通过检测脱附气体中化合物的含量来实现分析。
PTD广泛应用于环境监测、食品安全、药物分析等领域。
PTD技术主要有以下几个阶段:制备样品、升温蒸馏、定量分析。
首先,将待分析的样品制备成固体或液体形态,常见的方法包括固相萃取和液涂法。
然后,将样品装入装有纯化的气体的进样装置中,加热并升温至一定温度,使样品中的挥发性有机化合物蒸发。
最后,通过气相色谱仪等分析方法来检测脱附气体中化合物的含量和种类。
PTD技术的原理基于化学物质的挥发特性和温度对挥发性有机化合物的影响。
挥发性有机化合物的挥发速度与温度呈正相关,通常随着温度的升高,挥发性有机化合物的蒸发速率会加快。
根据该原理,PTD技术通过升温控制样品中化合物的蒸发和分离,不同挥发性有机化合物在不同温度下脱附进入气相,实现了样品中的化合物的分离和定性分析。
PTD技术具有许多优势和应用价值。
首先,该技术的分离效果较好,可以有效地将样品中的复杂化合物分离并进行定性分析。
其次,PTD技术不需要富集样品或特殊处理样品,节省了时间和劳动力成本。
此外,该技术对于挥发性有机化合物的检测灵敏度高,并且可以同时分析多个化合物,提高了分析效率。
最后,PTD技术广泛应用于环境监测、食品安全、药物分析等多个领域,可以有效地监测和检测样品中的有害物质。
在环境监测领域,PTD技术可以用于土壤、水体和空气样品中挥发性有机化合物的分析。
例如,PTD技术可以用于监测土壤中的揮發性有害物质,如有机污染物和揮發性有机化学品。
在食品安全领域,PTD技术可以用于监测食品中的农药残留和防腐剂等有害物质。
此外,在药物分析领域,PTD技术可以用于药物溶液和体内样品中挥发性有机化合物的分析,例如药物代谢产物的分析。
程序升温分析技术(下)
2.1.2 程序升温吸附脱附法
说明:CO在Pt、Pt3Sn和PtSn上的TPD曲线 Pt和Sn形成合金后,TPD峰向低温方向位移, Sn的含量增加后,高温峰消失。该现象表明, Pt和Sn之间产生了电子配位体效应,Sn削弱 了Pt吸附CO的性能。 从TPD曲线下面积的变化表明,Sn对Pt还能 起稀释作用并于表面富集,由于表面上Pt量 减少,使Pt吸CO量也减少,这是Sn对Pt表现 出来的集团效应。 根据Pt-Sn 合金吸附CO量,可以推算合金表 面的组成。如果合金中的惰性成分对活性金 属不起电子配位体效应,TPD 曲线的变化情 况将与上述不同。 由于吸附分子之间的相互排斥作用,用TPD 法应该得到Ed随覆盖度增加而变小,即Tm, 随的增加而变小的信息。反之,Tm,随的减 少而变大。
2.3.2 还原NO的氧化物催化剂的TPD
2.3.2 还原NO的氧化物催化剂的TPD
说明: LaxCeyFeO3、LaxCeySrzFeO3和LaxSrzFeO3的NO-TPD图 。
NO的吸附条件:在500℃下通入0.5%混合气20min,然后降温至室温。
La0.5Ce0.5FeO3只有两个TPD峰:一个低温峰(Tm=75℃),另一个为带肩峰的大面积的高温峰,Tm=410℃(图14a)。
双金属组分是否形成合金(或金属簇)即是人们最关注的理论问题,因为此问题乃金属催化的核心理论问题。
02
发生还原反应的化合物主要是氧化物,在还原过程中,金属离子从高价态变成低价态直至变成金属态,对催化剂最常用的还原剂是H2气和CO气。
01
3.1 CuO-NiO/SiO2的TPR研究
氧化态的CuO(0.75%Cu)-NiO(0.25 % Ni)/SiO2的TPR表明,Tr=200~220℃为CuO的还原峰,Tr=500℃为NiO的还原峰;
程序升温技术
由于化学吸附象化学反应一样只能 在特定的吸附剂吸附质之间配对进行, 所以具有专一性(specificity),并且在表 面上只能吸附一层 。相反,物理吸附 由于是范氏力起作用,而范氏力是在同 类或不同类的任何分了间都存在的,所 以是非专一性的.在表面上上可吸附多 层。
物理吸附与化学吸附的主要差别
v-t作图法:利用N2吸附公共曲线.就可以
把某样品的氮吸附实验数据V-p/ps转换成v-t 关系,如图:
• 上面的右图是一条通过原点的直线,这
是因为多层吸附在无空间阻碍时,表面的 吸附液膜体积vl(ml/g),应该等于吸附层 厚t(nm)和表面积St(m2/g)的乘积,其中 103是单位换算因子。 • vl=v*0.001547=St*t/103 • 即 St=1.547*v/t=(vl/t)*103 • 式中St是用v-t作图法算得的比表面。 0.001547是标准状态下1ml氮气凝聚后的 液态氮毫升数。
分子的相互作用比吸附质和吸
附剂之间的强造成的。
BET公式C小于2,可以描述这
种吸附等温线。
现代催化剂表征方法-辛勤主编,page16
吸附等温线形状分析
VI型等温线,反应无孔均匀表
面多层吸附的结果,如结晶的
金属表面和石墨表面。催化中
很少用。
现代催化剂表征方法 - 辛勤主编,page16
毛细凝聚现象和回滞环
• 大量实验结果显示在IV型等温线上会出现滞后环,及吸附量随 平衡压力增加时测定的吸附分支和压力减小时所测定脱附分支 不能重合。
这一现象发生在中孔材料的吸 附上,BET公式不能处理回滞 环,必须用Kelvin公式(毛细 凝聚现象)来理解和处理
了解回滞环 对理解孔的类型和 特点非常重要
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(3) 还原模式 各种不同的金属氧化物,其还原反应的机理可能是不同的。 一种方式是金属氧化物表面与氢接触,发生还原作用并立即在表面上形成许多还原相金 属晶粒的核心,随着反应的进行,金属微粒不断长大,也出现一些新核,故氧化物与金属间 的界面在逐渐增大,直至金属颗粒生长到彼此能联结在一起,此后反应界面开始下降。以这 种机制进行还原的反应, 其还原等温线具有 S 型特征, 反应速度随还原程度的变化有极大值。 这种反应模式称为核化模型(见图 2.21.1)。
5
图 2.21.4 氧化镍及氧化铜的 TPR 曲线
负载在 SiO2 上以后,NiO 更难以还原而 CuO 则更容易还原(由图 8—4 的 Tmax 可知), 说明 SiO2 与 NiO 间存在着很强的相互作用,而对 CuO 来说,SiO2 是起分散剂的作用。 ②组成及预处理对催化剂还原能力的影响 双金属催化剂往往有比单金属更好的催化性能(主要是选择性)。用 TPR 技术研究 Ni-Cu 负载催化剂发现,Cu 能促进 NiO 的还原,而且其还原能力随加入 Cu 量的增加而增大(图 2.21.5) 。
(2.21.14)
dc s Ac p c q G S e E / RT dT
故
p q 1 dc S ,max A ' cG E q , max c S . max e E / RTmax 2 c S ,max dT RTmax
(2.21.15)
(2.21.16)
图 2.21.6
不同预处理条件对负载铜—镍催化剂还原
能力的影响 (a)N2 的脱附峰(b)CuO 的还原峰 (c)NiO 的还原峰 (d)Cu—Ni 合金的还原峰 图 2.21.5 CuO-NiO/SiO2 催化剂还原能力 (随 Cu 含量而变化的曲线) TPR 方法也能很有效地分辨出预处理条件不同对催化剂表面状态的影响。 例如将 0.75%的 Cu 及 0.25%的 Ni 负载在硅胶上,采取以下两种不同预处理办法。 (i)在空气中 500C 灼烧 1 小时, 在氮气气氛保护下, 在 400C 恒温 l 小时后逐渐冷却。(ii) 前述催化剂在 TPR 实验后,于 500C 继续还原 16 小时后,再于 400C 燃烧半小时。
图 2.21.1 核化模型的还原特征
另一种方式是反应界面不断减小,从反应一开始,氧化物表面就被迅速生长的产物薄膜 所覆盖,随着反应的进进行,氧化物颗粒的直径愈来愈小,故反应界面也愈小。按这种方式 还原,反应速度逐渐降低可称之为收缩球模式(见图 2.21.2)。
图 2.21.2 收缩球模型的还原特征
负载后的金属氧化物,可能均匀地分布于载体表面上,也可能以“孤岛”的形式位于载体 之上。后者的还原行为类似于体相氧化物,载体仅起分散剂的作用。而前种情况,均匀分布 的金属氧化物在载体表面则是可迁移的。在还原过程中,通过扩散及结合而形成还原相的金 属颗粒。这种还原相促使氢仍解离或活化,使还原作用显出自动催化的特征。但是,如果存 在着金属—载体的相互作用, 则能减少金属原子的可迁移性, 阻碍成核过程及自动催化效应, 使其氧化物难以还原。 对干双金属氧化物, 可视为由一种主要金属氧化物及另一种掺杂金属氧化物组成。 若掺杂
根据动态平衡原理,还原速率也可写成
r f dx dZ
(2.21.6)
式中:dx 为在 dZ 体积的反应器内的转化率数, 如 f 为反应气体进料速度,而 f = F cG 式中的 F 为混合气体的进料速度。 对整个反应器积分,得 r=fx 而 所以 故 当还原速率达最大时 x = cG/ cG r = F cG (2.21.8) (2.21.9) (2.21.10) (2.21.11) (2.21.7)
实验二十一
1.目的要求
程序升温技术研究固体表面性能
(1) 掌握氧化还原方法研究固体表面性质的基本方法和原理。 (2) 掌握程序升温和微型催化色谱技术的一般操作和装置原理。 (3) 学习分析固体负载催化剂的负载量、多组分之间的相互作用。 2.实验原理 (1)程序升温还原技术简介 程序升温还原技术(简称 TPR),是在升温还原过程中,测定某些物理量的变化,以分析 催化剂表面上可还原组分的量及分布的非常灵敏的方法[1]。它可以用于表征金属氧化物、金 属、金属离子交换分子筛催化剂的表面状态。很多金属催化剂在制备过程中先被制成相应的 金属氧化物,然后再还原成金属,故其氧化物的存在状态(如负载、不负载、分散度、是否与 其它金属共存)就决定了金属的存在状态、 TPR 方法的基本原理就是将这些氧化型的催化剂放 在含氢或其它还原性的气流中,按一定速率升高温度。催化剂中某些组分,依其还原能力的 不同,在不同的温度下被还原。记录还原过程中变化着的信号,就可以得到催化剂表面状态 的信息。最常用的方法是在一定的压力下,在恒定的 H2/N2 气流中,按一定速率升温度, 用 热导池记录升温过程中氢浓度的变化记录到的是在不同温度下的还原峰。如果知道还原反应 的化学计量,还可以算出任何被还原组分的量。这种氢浓度随温度升高而变化的函数关系, 称为 TPR 曲线还原峰,最高点所对应的温度称为 TPR 峰温。 一种固体催化剂的制备或改进的成功与否,不仅决定其体相组成,往往更多地决定于其 表面组成和活性中心的分布。因此,表征催化剂表面状态的方法具有特别的重要性。已有许 多方法是可以用来表征催化剂的,如 x 射线粉末衍射、电于显微镜、红外光谱、光电子能谱 等等,但是这些方法往往不能提供反应条件下催化剂的完整可靠信息。 (2) 适用范围 金属氧化物与氢作用,可用下面的方程式表示 MO(s) + H2 (g) 该反应得以进行,在热力学上必须满足:
dc dr F G dT dT
dr 0 dT
(2.21.12)
由式(2.21.9)可知
dcG 0 dT
4
(2.21.13)
将式(2.21.10)、式(2.21.11)代入式(2.21.5),得
dc s ,max E q 0 2 dT RTmax c S . max
下标 max 代表还原速率最大时的各参数值。由式(2.21.2)、式(2.21.4)可得
7
图 2.21.8 TPR 流程图
4.实验步骤 取 lml 按 1:1:1 混合好的 PdO /SiO2、 V2O5/SiO2、PdO-V2O5/ SiO2 催化剂,装入反应 管内,催化剂两端用石英棉或玻璃毛塞满,以恒定流速通入 H2—N2 混合气 H2/N2 比为 5/ 95 左右,在室温下吹扫至基线平稳,以一定速率升温(如每分钟 8 度)至 400C,记录在整个升 温过程中尾气中氢浓度的变化,得到 TPR 谱图。 装入上述三种催化剂,在 TPR 图上,分别得到三个还原峰. 0.05%PdO/SiO2 0.05%PdO/SiO2-20%V2O5/SiO2 20% V2O5/SiO2 峰温随升温速率及 PdO、V205 含量而有变化。 降至室温,当基线平稳后,用 0.25ml 针筒注入一定量纯 H2 气,求出峰面积,以便计算 在该条件下氢的校正因子。 实验前按要求使热导池处于稳定的工作状态,杜瓦瓶中装入致冷剂,以便冷冻还原过程 中产生的水。 (1) 根据各样品还原蜂的峰温,进行分析比较其氧化还原特性。 (2)根据求得的氢校正因子 K, 计算各还原峰面积所相应的氢的物质的量 n. K = V/A 其中 V 是注入纯氢气的体积;A 是相应的峰面积。 n = SKP1000/RT 式中 S 是还原峰面积,K 校正因子,P 是大气压,R 是气体常数,T 是室温. (3)比较单组分与复合催化剂之间还原峰温、还原容量,还原速度(峰形状)之不同。 注意:①单组分 V2O5/SiO2 催化剂的峰温在 500℃之上,升温至 400℃只能观察到部分还 原, 但复合催化刘 PdO-V2O5/SiO2 在该温度范围内却可使 V5+全部还原成低价态。 因此通过该
d ( dcG ) E / RT p q cG c x ) dt d ( Ae dT dT p q E p q 1 dc S p 1 q dc G Ae E / RT cG cS qcG cS pcG cS 2 dT dT RT
(2.21.5)
取对数,得
2 lnT max ln p ln cG ,max (q 1) ln c S ,max E 常数 RTmax
(2.21.17)
②参数的影响 Tmax( 还原峰温) 是 TPR 给出的重要信息,由式(2.21.17)可知,当 cG,max 增加时,Tmax 下降。所以在恒定压力下增加进料速度,往往由于转化率下降而引起 cG,max 的增加,造成 Tmax 下降。升温速度也影响 Tmax 的参数。因此,比较不同的 TPR 实验结果时,必须考虑到这些 因素.从式(2.21.17)看不出催化剂量大小对 Tmax 值的影响,但实际上,若用固体样品量过 大,其内部往往存在着温差及氢浓度梯度造成 Tmax 的差异,所以样品量不宜过大。 (5)应用实例 由于各种表面组分的还原能力取决于它们自身的性质及化学、物理环境,因此 TPR 技术 除了前面提到的可做为表征催化剂表面状态的一种方法以及控制催化剂制备及再生的一种检 验工具外,还可以对催化剂活性及选择性成因提供结构方面的信息。例如 ①负载及非负载镍和铜催化剂的 TPR 曲线 分别将 CuO、NiO 负载在 SiO2 上,虽然同样是负载型催化剂,但通过 TPR 实验可知, 载体 SiO2 的作用完全不同[2]。
2
物是比其更易还原的金属离子,则掺杂离子首先被还原,它可能促使氢分子活化从而促进还 原作用;如果掺杂物不是嵌入母体金属氧化物的晶格中,而是单独存在,则不会起到这种作 用。具体例子见图 2.21.3,(a)、(b)是还原的例子,(c)则不存在这种促进作用。
掺杂 TiO2 的 MnO2 原曲线
Mn02 的还原曲线
2.21.3 掺杂与不掺杂金属氧化物的还原等曲线
(4) 实验参数对 TPR 数据的影响 ①非恒温还原动力学 对于任何形态的金属氧化物,其还原过程均可表示为