二极管三极管场效应管试题讲课教案
二极管》教案
二极管》教案学生在实验中的操作过程，引导学生发现二极管的单向导电特性，掌握二极管的导电原理。
教师：5分钟）1、讲解二极管的质量检测方法。
2、演示使用万用表检测二极管质量的步骤和注意事项。
学生：1、以组为单位进行二极管质量检测实验。
2、学生通过实验掌握二极管质量检测方法和技巧。
教师：5分钟）1、讲解二极管极性的判定方法。
2、演示使用万用表判定二极管极性的步骤和注意事项。
学生：1、以组为单位进行二极管极性判定实验。
2、学生通过实验掌握二极管极性判定方法和技巧。
教师：5分钟）1、组织学生进行小组讨论，总结本节课所学内容。
2、引导学生思考二极管在现实生活中的应用。
学生：1、以组为单位进行小组讨论和总结。
2、学生通过讨论和总结，深入理解二极管的应用价值和重要性。
教学反思本节课采用了多种教学形式，如视觉、听觉、触觉感受、实物展示、自主研究和探究研究等，使学生在多个方面得到真实的感受，激发了学生的研究兴趣和思考能力。
同时，通过任务书和实验操作，培养了学生的规范性和安全意识，提高了学生的实践能力。
但是，在教学过程中，有些学生注意力不集中，需要更多的引导和激励。
在今后的教学中，需要更加注重学生的思维活跃和参与度，提高教学效果。
请注意，本文存在大量格式错误和语言表达不够清晰的问题，需要进行修改和改写。
作业1：请列举二极管在生活中的应用，并调查特殊二极管的用途。
作业2：请思考最简单的方法来点亮发光二极管。
机动时间：1.学生答疑解惑。
2.整理理实一体化教室的卫生清洁工作。
主要特色和创新之处：1.整个教学过程高效有序，采用理实一体化教学，体现“做中教，做中学”的理念，以学生为主体，参与度高。
2.学生研究过程中，将知识与生活应用相结合，提高学生研究的积极性。
存在问题：任务书的制定需要更加详尽和具体。
教学反思：学生课堂任务书一、二极管相关知识链接：1.半导体二极管也称晶体二极管，简称二极管。
2.二极管可分为普通二极管和特殊二极管。
三极管教案
一、教案基本信息教案名称：三极管教案课时安排：45分钟教学目标：1. 让学生了解三极管的基本概念、结构和原理。
2. 让学生掌握三极管的放大特性及其应用。
3. 培养学生动手实验和观察能力，提高学生对电子元件的认识。
教学准备：1. 教室环境布置，准备教学PPT。
2. 准备三极管实物、电路图、实验器材等。
教学过程：一、导入（5分钟）1. 教师通过PPT展示三极管图片，引导学生思考：你们对三极管有什么了解？二、知识讲解（15分钟）1. 教师讲解三极管的结构和原理，通过PPT展示电路图，让学生理解三极管的工作原理。
2. 教师讲解三极管的放大特性，包括电流放大作用和电压放大作用。
3. 教师通过实际操作，演示三极管的放大特性实验，让学生观察并理解放大过程。
三、动手实验（15分钟）1. 教师发放实验器材，指导学生进行三极管放大特性实验。
2. 学生按照实验步骤进行操作，观察实验现象，并记录实验数据。
3. 教师巡回指导，解答学生疑问，确保实验顺利进行。
2. 教师提出问题，引导学生思考三极管在实际应用中的作用，如放大信号、开关控制等。
3. 学生分享自己的思考，教师给予评价和指导。
五、课后作业（5分钟）2. 学生领取作业，认真完成，为下次上课做好准备。
教学反思：本节课通过讲解和实验相结合的方式，让学生了解三极管的基本概念、结构和原理，掌握三极管的放大特性及其应用。
在教学过程中，教师要注意观察学生的反应，及时解答学生疑问，确保教学效果。
通过课后作业的布置，让学生巩固所学知识，提高实际操作能力。
六、教案内容拓展教学内容：1. 介绍三极管的种类和命名规则。
2. 讲解三极管的工作区域及其特性曲线。
3. 探讨三极管在电路中的应用案例。
教学过程：六、知识拓展（10分钟）1. 教师讲解三极管的种类，包括NPN型和PNP型三极管，并介绍它们的命名规则。
2. 教师通过PPT展示三极管的特性曲线，讲解其工作区域，包括放大区、饱和区和截止区。
二极管教案
二极管教案教案：二极管教学目标：1. 了解二极管的原理和结构。
2. 熟悉二极管的符号和特性。
3. 掌握二极管的应用场景和实验操作。
教学准备：黑板、白板、投影仪、二极管实物、导线、万用表、电源等实验器材。
教学过程：一、导入（5分钟）1. 教师引导学生回顾前一节课学习的内容——电路和电流。
2. 提问：你们知道二极管吗？它有什么作用？二、讲解二极管的原理和结构（10分钟）1. 通过PPT展示二极管的结构示意图，解释其中的P型半导体和N型半导体的含义。
2. 解释二极管的工作原理：当正向电压施加在P区域，反向电压施加在N区域时，二极管就会导电，这时电流可以顺利通过；但当反向电压施加在P区域，正向电压施加在N区域时，二极管就会截流，电流无法通过。
三、介绍二极管的符号和特性（15分钟）1. 展示二极管的符号，并解释每个元素的含义。
2. 解释二极管的特性：正向工作电压（0.6-0.7V），反向击穿电压（一般为5-100V）和最大正向电流。
四、实验操作（20分钟）1. 将二极管与电源和万用表连接起来，让学生观察电流的变化。
2. 要求学生分别改变正向电压和反向电压，并观察电流变化情况。
3. 让学生总结实验结果，并回答以下问题：当反向电压施加在P区域，正向电压施加在N区域时，电流是否能通过？五、讨论二极管的应用场景（10分钟）1. 引导学生思考二极管在生活中的应用场景，如整流器、发光二极管、二极管激光器等。
2. 让学生选择一个应用场景，并找出其中使用二极管的原因。
六、小结与作业布置（5分钟）1. 小结二极管的原理、结构和特性。
2. 布置作业：复习总结本节课内容，并找出一个自己感兴趣的二极管应用场景，并写出二极管在其中的作用。
教学反思：通过本节课的教学，学生们对于二极管的原理和结构有了更加深入的了解，也对二极管的符号和特性有了进一步的认识。
通过实验操作，学生们亲自实践，从而更加直观地感受到了二极管的工作原理和特点。
此外，引导学生讨论二极管的应用场景，培养了他们的创新思维，激发了他们对于电子技术的兴趣。
电工学教案半导体二极管和三极管
电工学教案半导体二极管和三极管一、教学目标1.了解半导体二极管和三极管的基本结构和工作原理；2.掌握常见半导体二极管和三极管的特性参数；3.能够分析和解决与半导体二极管和三极管相关的电路问题；4.培养学生的动手实践和创新能力。
二、教学内容1.半导体二极管的基本结构和工作原理；2.常见半导体二极管的特性参数和应用；3.三极管的基本结构和工作原理；4.常见三极管的特性参数和应用。
三、教学过程1.导入引入通过介绍电子元器件中的两种重要器件，半导体二极管和三极管，引发学生对相关知识的探究和学习兴趣。
2.课堂讲解2.1半导体二极管2.1.1基本结构和工作原理详细介绍半导体二极管的基本结构，包括P-N结和其注入。
详细介绍半导体二极管的工作原理，包括正向偏置和反向偏置。
2.1.2特性参数和应用介绍半导体二极管的特性参数，包括导通压降、最大反向电压和最大正向电流等。
介绍半导体二极管的应用，包括整流、波形修整等。
2.2三极管2.2.1基本结构和工作原理详细介绍三极管的基本结构，包括三个区域的P-N结和掺杂工艺。
详细介绍三极管的工作原理，包括共发射极、共集电极和共基极的基本工作模式。
2.2.2特性参数和应用介绍三极管的特性参数，包括放大系数、最大耗散功率和最大反向电压等。
介绍三极管的应用，包括放大、开关等。
3.实验演示通过实验演示，让学生亲自搭建电路，观察和验证半导体二极管和三极管的工作原理和特性。
4.小结反思对课堂内容进行总结和归纳，强化学生对半导体二极管和三极管的理解。
四、教学方法1.讲授结合实践通过讲解和实验结合，加深学生对半导体二极管和三极管相关知识的理解和应用能力。
2.探究式学习鼓励学生积极参与课堂互动，提出问题、讨论问题，培养学生的创新思维和解决问题的能力。
五、教学评估1.课堂小测验设置课堂小测验以检测学生对知识的掌握程度。
2.实验报告要求学生根据实验结果和分析写实验报告，评估学生对半导体二极管和三极管的实际操作和分析能力。
三极管教学设计
三极管教学设计一、教学内容本节课的教学内容来自于教材第三章《电子元件》的第五节《三极管》。
本节内容主要介绍三极管的结构、分类、导通与截止条件以及三极管的特性曲线。
具体内容包括：1. 三极管的结构及分类：npn型三极管和pnp型三极管的结构特点及区别。
2. 导通与截止条件：三极管的发射极、基极和集电极的导通与截止条件。
3. 特性曲线：三极管的放大作用及特性曲线。
二、教学目标1. 了解三极管的结构及分类，能够区分npn型和pnp型三极管。
2. 掌握三极管的导通与截止条件，能够判断三极管的工作状态。
3. 理解三极管的放大作用及特性曲线，能够分析三极管的性能。
三、教学难点与重点1. 教学难点：三极管的导通与截止条件的理解，特性曲线的分析。
2. 教学重点：三极管的结构及分类，放大作用的理解。
四、教具与学具准备1. 教具：多媒体教学设备，三极管实物，示波器。
2. 学具：笔记本电脑，电路仿真软件，实验器材。
五、教学过程1. 实践情景引入：通过示波器演示三极管放大信号的过程，引导学生思考三极管的作用。
2. 知识点讲解：讲解三极管的结构及分类，发射极、基极和集电极的导通与截止条件，放大作用及特性曲线。
3. 例题讲解：通过电路仿真软件，分析三极管在不同工作状态下的性能。
4. 随堂练习：学生分组实验，观察三极管的特性曲线，分析三极管的性能。
六、板书设计板书设计如下：三极管结构：发射极、基极、集电极分类：npn型、pnp型导通与截止条件：1. npn型：发射极>基极>集电极2. pnp型：发射极<基极<集电极放大作用：1. 输入信号：基极电流2. 输出信号：集电极电流特性曲线：1. 输入特性曲线2. 输出特性曲线3. 转移特性曲线七、作业设计1. 请画出npn型和pnp型三极管的结构示意图，并标注各极名称。
2. 根据给定的电路图，分析三极管的工作状态，并判断是导通还是截止。
3. 请根据实验数据，绘制三极管的特性曲线，并分析三极管的性能。
项目1 识读主板常用元器件(二极管、三极管、场效应管)
三 、知识准备
三极管特性
三极管在电路中用字母V表示，在主板电路中三极管也用 VT、 PQ表示。不同类型的三极管在电路中所有不同的图形 符号，如图所示是NPN型和PNP型三极管的图形符号。
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三 、知识准备
主板常用三极管
SOT-23封装三极管
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三 、知识准备
主板常用电容器
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四、实操
如何检测三极管?
对于晶体三极管的检测，应首先观察其有无明显的物理损坏，然后查 看其引脚是否有虚焊或者开焊的状况。如果存在明显的物理损坏则需 马上更换新管，如果存在虚焊或者开焊的情况应首先加焊，再进行下 一步的检测。在代换时需注意，NPN型和PNP型晶体三极管之间不能代 换，硅管和锗管之间不能代换。代换时要尽量选择同型号的晶体三极 管进行代换。
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三 、知识准备
问题一：二极管是什么? 问题二：二极管能干什么? 问题三：二极管种类有多少?
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三 、知识准备
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三 、知识准备
二极管特性
1）正向特性 如图所示的电子电路中，将二极管的正极接在高电位端
，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称 为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小 时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱 。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压 ”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能真正 导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为 0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。
本任务
本任务主要学习 识别主板中常用 二极管、三极管 、场效应管
电路课件第4章 半导体二极管、三极管和场效应管
在 室 温 下 就可以激发 成自由电子
+4
+4
+4
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4.1 PN结
2）多子与少子
长 沙 理 工 大 学 计 算 机 通 信 工 程 学 院 制 作
电子空穴对
自由电子
多数载流子——自由电子， 主要由掺杂产生。
N型半导体 + + + + + + + + + + +
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4.1 PN结
长 沙 理 工 大 学 计 算 机 通 信 工 程 学 院 制 作
在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体。 1、N型半导体 1） 构成
在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，称为N 型半导体。
+4 +4 +4
+4
+4
+4
掺入五价 原子占据Si 原子位置
空穴
+4
硼原子
+3
+4
－ －
+4
+4
+4
－
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子
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4.1 PN结
杂质半导体的示意图
多子—空穴
长 沙 理 工 大 学 计 算 机 通 信 工 程 学 院 制 作
多子—电子
P型半导体 － － － 少子—电子
N型半导体
－ － －
i IS (e
u 为PN结两端的电压降 IS 为反向饱和电流
(完整word版)半导体器件基础教案
第一章半导体器件基础【学习目标】1.了解PN结的单向导电性。
2.熟悉二极管的伏安特性3.了解开关二极管、整流二极管、稳压二极管的基本用途。
4.掌握三极管输出特性曲线中的截止区、放大区和饱和区等概念.5.熟悉三极管共发射极电流放大系数β的含义。
6.熟悉对三极管开关电路工作状态的分析方法.7.熟悉三极管的主要参数。
8.熟悉MOS场效应管的分类及符号.9.熟悉增强型NMOS管的特性曲线.10.了解MOS场效应管的主要参数。
【内容提要】本章介绍三种常用的半导体器件,即半导体二极管、三极管及MOS场效应管。
重点介绍这些器件的外部特性曲线、主要参数及电路实例。
一、教学内容(一）半导体二极管1．PN 结的伏安特性PN 结的伏安特性描述了PN 结两端电压u 和流过PN 结电流i 之间的关系。
图是PN 结的伏—安特性曲线。
可以看出：（1）当外加正向电压较小(u I <U ON )时，外电场不足以克服PN 结内电场对多子扩散所造成的阻力，电流i 几乎为0，PN 结处于截止状态；（2）当外加正向电压u I 大于U ON 时,正向电流i 随u 的增加按指数规律上升且i 曲线很陡 。
（3）当外加反向电压(u<0）时，反向电流很小, 几乎为0，用I R 表示；（4）当u £ U （BR ） 时，二极管发生电击穿,｜u| 稍有增加,|i ｜急剧增大, u » U BR 。
把PN 结外加正向电压导通、外加反向电压截止的性能称作单向导电特性。
U ON 称作导通电压，也叫开启电压, U （BR) 称作反向击穿电压，I R 称作反向电流。
2．半导体二极管应用举例半导体二极管是将PN 结用外壳封装、加上电极引线构成。
可以用作限幅电路、开关电路等。
（1）用作限幅电路图2.2(a)是二极管电路。
假设输入电压u I 是一周期性矩形脉冲,输入高电平U IH =+5V 、低电平U IL =-5V ，见图(b ）。
二极管与三极管认识与测试任务书.
实践项目任务书
项目一二极管与三极管认识与测试
教师姓名余红娟授课时数2 累计课时 2 一、实践目标
1．认识、测试并应用二极管与三极管
2．爱护工具、器材、整理、清洁、习惯与素养
二、实践设备与材料
1．工具
2．器材
3．仪器仪表
三、实践过程
3．对给定的器件进行测试并填表三
4．二极管应用电路测试
根据给定的元器件，在面包板上画下图1-1所示电路。
（a ） （b ）
图1-1
按面包板上电路图连接，观察两个电路灯泡的不同反应，结果记录在表4
图1-2
（a ） （b ）
按面包板上电路图连接，测量输入输出电压关系，记录到表6中。
6．
图1-3
四、实践总结。
半导体二极管三极管和场效应管课件
场效应管的类型与特性
场效应管的应用
工作原理的比 较
01
02
半导体二极管
半导体三极管
03 场效应管
特性的比 较
半导体二极管
场效应管
正向导通电压低，反向截止电流小， 响应速度快。
输入阻抗高，噪声低，功耗低，但频 率特性较差。
半导体三极管
电流放大倍数高，频率特性好，但功 耗较大。
应用场景的选择
三极管的类型与特性
全面了解不同类型的三极管及其特性
按结构可分为NPN和PNP型，按材料可分为硅管和锗管。不同类型的三极管具有不同的特性，如电流放大倍数、频率响应等。 此外，三极管的参数还包括最大允许功耗、最大反向电压等。
三极管的应用
场效应管的结构与工作原理
场效应管是一种电压控制型器件，其 核心结构包括源极、栅极和漏极。工 作原理基于电场效应，通过改变栅极 电压来控制源极和漏极之间的电流。
半导体材料
总结词
常用的半导体材料有硅、锗、硒、磷等元素半导体以及化合物半导体，如砷化镓、磷化镓等。
详细描述
硅是最常用的半导体材料，具有稳定的化学性质和较高的电子迁移率，广泛用于集成电路、太阳能电池等领域。 锗也是一种常用的半导体材料，其电子迁移率高于硅，但稳定性较差。此外，硒、磷等元素半导体以及化合物半 导体在特定领域也有应用。
半导体二极管
01
半导体三极管
02
场效应管
பைடு நூலகம்03
THANKS
感谢观看
半导体二极管三极管和场效应管课 件
• 场效应管 • 三种器件的比较与选择
半导体的定义与特性
总结词
半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，其电阻率随温度、光照和杂质含量等 因素的变化而变化。
电路与电子学学习课件半导体二极管三极管和场效应管学习课件教学课件
令
kT / q UT
则
I IS(eU /UT 1)
PN结的击穿特性
(1)雪崩击穿
材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中 的电场随着增强，这样通过空间电荷区的电子和空穴就会在电场作用下 获得能量增大，在晶体中运行的中子和空穴将不断的与中性原子发生碰 撞,通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电 子-空穴对，新产生的载流子在电场作用下再去碰撞其他中性原子，又产 生的自由电子空穴对，如此连锁反应使得阻挡层中的载流子的数量急剧
C UCE
EC
征
且IC= IB
RB
E
UBE
IE
对于PNP型三极管应满足: EB
VC < VB < VE 且IC= IB
（二） 饱和状态
条（1）发射结正向偏置； 件（2）集电结正向偏置。
共发射极接法放大电 路
即UCE < UBE
RC
IC
特 （1） IB增加时，IC基本不变， IB B 征 且IC UC / RC
素,如硼,则形成P 型
半导体。
+4
+4
+4
+4
硼负原离子
+43
+4
填补空位
空穴
+4
+4
P 型半导体结构示意图
空穴是多数载流子
负离子
电子是少数载流子
在P型半导中, 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
4.1.3 PN 结的形成
用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上,形成 P型半导体区域 和 N型半导体区域,在这两个区域的交界处就形成了一个PN 结。
（2）集电结反向偏置。 对于PNP型三极管应满足:
电子技术习题(二级管和三级管)培训课件
精品文档二极管、三极管专题复习一、填空题：1．PN结具有________性能，加________电压时,PN结导通,加________电压时，PN结截止。
2．三极管是控制器件，所谓放大作用，实质上是通过的变化来控制有较大变化。
3．半导体二极管的基本性能是，正向电压大于电压时导通，导通后硅管的正向压降为V，锗管为V。
4．温度上升，二极管的反向饱和电流。
(增大、减小)5．已知某晶体三极管I B=0.2mA, I C＝4.0mA，则I E=______ m A, = = __ ___。
6. 输出特性曲线反映三极管________和________关系的特性曲线。
7．8．PNP管处于放大状态时，三个电极中_______极电位最高。
NPN管处于放大状态时，三个电极中_______极电位最低。
二、选择题：V= -3V、V CE=6V、V BC= -5.4V，则该管是1. 万用表测量电子线路中的晶体管测得E（）。
A、PNP型，处于放大工作状态B、PNP型，处于截止工作状态C、NPN型，处于放大工作状态D、NPN型，处于截止工作状态2．如图所示，V为理想二极管，则U AB为（）。
3．用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（）。
A．R×10KΩ挡B．R×1Ω挡C．R×100Ω或R×1KΩ挡4．图2给出了锗二极管和硅二极管的伏安特性曲线，其中硅二极管的伏安特性曲线是由：___________。
（A）a和c组成（B）a和d组成（C）b和c组成（D）b和d组成精品文档5．放大电路中某三极管极间电压如图所示，则该管类型及1、2、3极分别为（ ）。
A. NPN 硅管，E 、C 、BB. NPN 硅管，C 、B 、EC. PNP 锗管，E 、C 、BD. PNP 锗管，B 、C 、E6．测得放大电路中三极管三个电极对地电位如图所示，则该管为（ ）。
A. NPN 型硅管,1脚为b 极、2脚为c 极、3脚为e 极B. PNP 型锗管,1脚为e 极、2脚为b 极、3脚为c 极C. NPN 型锗管,1脚为e 极、2脚为c 极、3脚为 b 极D. PNP 型硅管,1脚为b 极、2脚为c 极、3脚为e 极7．在图2-9所示电路中，V 为理想二极管，则A 、B 两端的电压为( )。
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半导体器件测试题
一、填空(40分)
1、纯净的半导体称为，它的导电能力很。
在纯净的半导体中掺入少量的
价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，少数
载流子为。
曲线，在正向电压超过 V
后，二极管开始导通，这个电压称为
电压。
正常导通后，此管的正向压降约
为 V。
当反向电压增大到 V时，
即称为电压。
其中
稳压管一般工作在区。
3、二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管导通；
给二极管加电压，二极管截止。
4、二极管的主要参数有 ________、_________和。
5、晶体三极管是___________控制器件。
三极管按材料分为_ 和两种类型，而每一种又有和两种结构形式。
6、三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
工作在饱和区时
发射结偏；集电结偏。
7、三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作于时，Ic=0；当三极
管工作于区时，关系式Ic=βI b才成立；当三极管工作在区时
Vce。
8、三极管的电流分配关系是。
9、场效应管是利用电压来控制电流大小的半导体器件。
10、场效应管的转移特性曲线是指在一定的下，和之间的关系。
场应
管的输出特性曲线划分为________、_________和三个区。
二、判断题（14分）
1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。
2、（）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
3、（）硅的导通电压为0.3V，锗的导通电压为0.7V 。
4、（）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。
5、（）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。
6、（）三极管的中ICEO的值体现了温度稳定性，越大说明三极管热稳定性越高。
7、（）对于三极管来说，只要发射结正偏集电结反偏就工作在放大状态。
8、（）三极管可以用两个二极管来替代。
9、（）三极管有放大作用，把基极能量放大成集电极电流输出。
10、（）硅三极管比锗三极管稳定。
11、（）场效应管是电流控制型器件。
12、（）结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。
13、（）场效应管的跨导反映了△V GS对△I D的控制能力。
14、（）开启电压V T是耗尽型场效应管和重要参数。
三、选择题（26分）
1、半导体的导电能力（）。
A.与导体相同
B.与绝缘体相同
C.介乎导体和绝缘体之间
2、当温度升高时，半导体的导电能力将（）。
A.增强 B .减弱 C.不变
3、P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）。
A.带正电
B.带负电
C.不带电
4、将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。
A.变宽
B.变窄
C.不变
5、电路如图所示,所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（）。
A.D1导通，D2、D3截止
B.D1、D2截止，D3导通
C.D1、D3截止，D2导通
D.D1、D2、D3均截止
+
6、二极管的死区电压随环境温度的升高而（ ）。
A.增大
B.不变
C.减小
7、测 得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V 、0.7V 和4.7V ，则该管为（）。
A.NPN 型锗管
B.PNP 型锗管
C.NPN 型硅管
D.PNP 型硅管 8、工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（ ）。
A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结、集电结均反偏 D.发射结、集电结均正偏 9、某效应管的符号如图所示，则该场效应管应为（）。
A.P 沟道耗尽型
B.P 沟道增强型
C.N 沟道增强型
10、某场效应管的转移特性如图所示，则此场效应管为（）。
A.绝缘栅N 沟道耗尽型B.绝缘栅P 沟道耗尽型C.绝缘栅N 沟道增强型
D
S
G
GS V
/
11、在焊接场效应管时，电烙铁需要有外接地线或先断电后再快速焊接，其原因是（）。
A.防止过热烧坏 B.防止栅极感应电压过高而造成击穿 C.防止漏、源极间造成短路 12、晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β ，I CBO ，U BE 的变化情况 A.β 增大，I CBO 和U BE 减小 B.β 和I CBO 增大，U BE 减小 C.β 和U BE 减小，I CBO 增大 D.β ，I CBO ，U BE 都增大
四、分析计算题（22分）
1、如图，V 1、V 2为理想二极管。
分析V 1 、V 2状态 求V AB （5分）
2、图中，V为硅二极管。
求S分别与A、B接通时V的状态和V MN的值（5分）
1、3、判断图示三极管的工作状态。
（6分）
4、场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对
于耗尽型管求出U GS（off）、I DSS；对于增强型管求出U GS（th）。
（6分）
R
10V 10V
A B
M
N
V
S
3V
2V
6
(b)
0.7V
5V
0V
(a)
-1.7V
-5V
(c)
3V
3.7V
3.3V
(d)。