半导体材料PPT

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《半导体物理》课件

《半导体物理》课件

半导体器件
半导体应用
探索各种半导体器件,如二极管、 晶体管和集成电路的工作原理。
了解半导体在电子通信、计算机 和能源技术等领域中的应用。
晶体物理基础
本节将介绍晶体物理学的基本原理及晶格结构。了解晶体的性质和结构对于理解半导体物理至关重要。
晶体结构
探索晶体的结晶结构和晶格参数。
布拉维格子
了解布拉维格子及其在晶体物理中的重要性。
PN结与二极管
深入了解PN结和二极管的工作原理和特性。探索PN结在电子器件中的重要性和应用。
PN结形成
了解PN结的形成过程和材料特性。
正向偏置
介绍正向偏置情况下PN结的导电性能和电流行为。
反向偏置
研究反向偏置情况下PN结的特性和电流行为。
场效应晶体管
本节将深入研究场效应晶体管的工作原理和应用。了解场效应晶体管作为重要的电子器件的优势和特性。
晶体缺陷
研究晶体中的缺陷和杂质对材料性能的影响。
晶体生长
了解晶体的生长原理和方法。
晶体缺陷与扩散
本节将深入研究晶体缺陷和扩散现象。了解这些关键概念对于半导体器件设计和制造至关重要。
1
缺陷类型
介绍晶体缺陷的种类,如点缺陷和线缺
扩散过程
2
陷。
详细了解扩散现象的原理和应用,包括
掺杂和控制扩散速率。
3
热扩散
1
原理介绍
详细了解场效应晶体管的基本物理原理和工作机制。
2
பைடு நூலகம்
MOSFET
研究金属氧化物半导体场效应晶体管的结构和特性。
3
JFET
了解结型场效应晶体管的结构和特点。
集成电路基础
在本节中,我们将介绍集成电路的基本概念和设计原则。了解集成电路的演变和应用。

半导体器件物理(详尽版)ppt

半导体器件物理(详尽版)ppt

半导体 电阻率介于导体和绝缘体之间 。导体(电阻率小于10-8Ω·m), 绝缘体(电阻率大于106Ω·m)。
晶体 自然界中存在的固体材料,按其结构形式不同,可以分为晶 体(如石英、金刚石、硫酸铜等)和非晶体(玻璃、松香、沥青等)。
1.1 半导体的晶格结构
五种常见的晶格结构
●简单立方结构 ●体心立方结构 ●面心立方结构 ●金刚石结构 ●闪锌矿结构
图中“● ”表示价带内的电子 ;图中“○ ”表示价带内的空穴。
思考
• 既然半导体电子和空穴都能导电,而导体只有电子导电,为什么半导体的导 电能力比导体差?
●导带底EC
导带电子的最低能量
●价带顶EV
价带电子的最高能量
●禁带宽度 Eg
Eg=Ec-Ev
●本征激发 由于温度,价键上的电子 激发成为准自由电子,亦 即价带电子激发成为导带 电子的过程 。
●价带
由价电子形成的能带,但半导体 材料价电子形成的低能级能带通 常称为价带。
●禁带宽度/Eg
导带和价带之间的能级宽度,
单位是能量单位:eV(电子伏特)
图1-6
导体、绝缘体、半导体的能带示意图
3~6eV
禁带比较窄,常 温下,部分价带 电子被激发到空 的导带,形成有 少数电子填充的 导带和留有少数 空穴的价带,都
电子不仅可以围绕自身原子核旋转,而且可以转到另一个原子周围,即 同一个电子可以被多个原子共有,电子不再完全局限在某一个原子上, 可以由一个原子转到相邻原子,将可以在整个晶体中运动。
共有化运动
由于晶体中原子的周期性 排列而使电子不再为单个 原子所有的现象,称为电 子共有化。
在晶体中,不但外层价电 子的轨道有交叠,内层电 子的轨道也可能有交叠, 它们都会形成共有化运动;

半导体基础知识PPT培训课件

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半导体基础知识ppt培 训课件
目录
• 半导体简介 • 半导体材料 • 半导体器件 • 半导体制造工艺 • 半导体技术发展趋势 • 案例分析
半导体简介
01
半导体的定义
总结词
半导体的定义
详细描述
半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,常见的半导体材 料有硅、锗等。
半导体的特性
总结词
化合物半导体具有宽的禁带宽度和高 的电子迁移率等特点,使得化合物半 导体在光电子器件和高速电子器件等 领域具有广泛的应用。
掺杂半导体
掺杂半导体是在纯净的半导体中掺入其他元素,改变其导电 性能的半导体。
掺杂半导体的导电性能可以通过掺入不同类型和浓度的杂质 来调控,从而实现电子和空穴的平衡,是制造晶体管、集成 电路等电子器件的重要材料。
掺杂的目的是形成PN结、调控载流 子浓度等,从而影响器件的电学性能。
掺杂和退火的均匀性和控制精度对器 件性能至关重要,直接影响最终产品 的质量和可靠性。
半导体技术发展趋势
05
新型半导体材料
硅基半导体材料
宽禁带半导体材料
作为传统的半导体材料,硅基半导体 在集成电路、微电子等领域应用广泛。 随着技术的不断发展,硅基半导体的 性能也在不断提升。
半导体制造工艺
04
晶圆制备
晶圆制备是半导体制造的第一步,其目的是获得具有特定晶体结构和纯度的单晶硅 片。
制备过程包括多晶硅的提纯、熔炼、长晶、切磨、抛光等步骤,最终得到可用于后 续工艺的晶圆。
晶圆的质量和表面光洁度对后续工艺的成败至关重要,因此制备过程中需严格控制 工艺参数和材料质量。
薄膜沉积
输入 标题
详细描述
集成电路的制作过程涉及微电子技术,通过一系列的 工艺步骤,将晶体管、电阻、电容等电子元件集成在 一块硅片上,形成复杂的电路。

《硅半导体材料基础》课件

《硅半导体材料基础》课件
《硅半导体材料基础》ppt课件
目录
• 硅半导体材料的简介 • 硅半导体的物理性质 • 硅半导体的晶体结构 • 硅半导体的制备方法 • 硅半导体在电子工业中的应用 • 未来硅半导体材料的发展趋势与挑战
01
硅半导体材料的简介
硅的发现与特性
硅的发现
硅元素是在1824年由雅各布·贝采利 乌斯首次从硅酸钾中分离出来的。
非晶硅的结构
原子排列短程有序
非晶硅的原子排列呈现短程有序的结构,即局部区域内的 原子排列与单晶硅相似,但整体上缺乏长程有序的结构。
不具备完整的晶体结构
非晶硅不具有完整的晶体结构,其原子排列在空间中不连 续,没有明显的结晶轴和晶格振动。
光学和电学性能各异
非晶硅在光学和电学性能方面表现出与单晶硅不同的特性 ,例如其透光性和导电能力较差,但在某些应用领域仍具 有重要价值。
异质结构
利用不同材料的组合,形 成异质结构,实现优势互 补,提高半导体性能。
低维材料
研究二维、一维和零维的 硅基材料,探索其在光电 器件和电子器件中的应用 。
提高硅半导体的性能与稳定性
掺杂技术
通过优化掺杂技术,提高 硅半导体的导电性能和稳 定性。
表面处理
研究表面处理技术,改善 硅半导体的表面质量和稳 定性。
硅半导体的热导率较高,有利于热量的传递 和散发。
热容
硅半导体的热容随温度升高而增大,与其晶 格结构和原子振动有关。
热膨胀系数
硅半导体的热膨胀系数较低,对其机械稳定 性和可靠性有一定影响。
热稳定性
硅半导体的热稳定性较好,能够在较高温度 下保持其结构和性能的稳定性。
03
硅半导体的晶体结构
单晶硅的结构
04
硅半导体的制备方法

半导体物理与器件-课件-教学PPT-作者-裴素华-第1章-半导体材料的基本性质

半导体物理与器件-课件-教学PPT-作者-裴素华-第1章-半导体材料的基本性质

简化为
J = pqv p
1.6.4 半导体的电阻率ρ
电阻率是半导体材料的一个重要参数,其值为电导率
的倒数。 1
1
ρ= =
σ nqμn + pqμ p
对于强P型和强N型半导体业有相应的简化。
从上面的公式可以看出,半导体电阻率的大小决定于 n, p, μn ,μp的具体数值,而这些参数又与温度有关, 所以电阻率灵敏的依赖于温度,这是半导体的重要 特点之一。
b) P型硅中电子和空穴 的迁移率
载流子的迁移率还要随温度而变化。
硅中载流子迁移率随温度变化的曲线 a) μn b) μp
1.6.3 半导体样品中的漂移电流密度
设一个晶体样品如图所示, 以单位面积为底,以平 均漂移速度v为长度的矩 形体积。先求出电子电 流密度,设电场E为x方 向,在电场的作用下, 电子应沿着-x方向运动。
不论半导体中的杂质激发还是本征激发,都是依靠吸收 晶格热振动能量而发生的。由于晶格的热振动能量是随 温度变化的,因而载流子的激发也要随温度而变化。
载流子激发随温度的变化 a)温度很低 b)室温临近 c)温度较高 d)温度很高
伴随着温度的升高,半导体的费米能级也相应地发 生变化
杂质半导体费米能级随温度的变化 a)N型半导体 b)P型半导体
a)随机热运动 b) 随机热运动和外加电场作用下的运动合成
随机热运动的结果是没有电荷迁移,不能形成电流。
引入两个概念:
1. 大量载流子碰撞间存在一个路程的平均值,称为平 均自由程,用λ表示,其典型值为10-5cm;
2. 两次碰撞间的平均时间称为平均自由时间,用τ表示, 约为1ps;
建立了上述随机热运动的图像后,就可以比较实际地去 分析载流子在外加电场作用下的运动了。

模拟电子课件第一章_半导体材料及二极管

模拟电子课件第一章_半导体材料及二极管
–10 0 0.2 0.4
–20
I/uA
锗管的伏安特性
图 二极管的伏安特性
ID
UD
-
UD / V
34
1.正偏伏安特性
当正向电压比较小时,正向电流很小,几乎为零。,
相应的电压叫死区电压。
死区电压: 硅二极管为0.5V左右 锗二极管为0.1V左右
i/mA 30
当正向电压超过死区电压后,二极 管导通, 电流与电压关系近似指数关 系。
42
3.二极管的其它主要参数
➢最大平均整流电流 : I F 允许通过的最大正向平均电流 ➢最高反向工作电压 : 最V大R 瞬时值,否则二极管击穿
1
18
半导体中某处的扩散电流 主要取决于该处载流子的浓 度差(即浓度梯度),而与 该处的浓度值无关。即扩散 电流与载流子在扩散方向上 的浓度梯度成正比,浓度差 越大,扩散电流也越大。
图1.6 半导体中载流子的浓度分布
1
19
即:某处扩散电流正比于浓度分布曲线上该点处的斜率
和。
dn( x) dx
dp ( x) dx
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,即构成 N 型半导体 (或称电子型半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
1
10
原来晶格中的某些硅原子将 被杂质原子代替。 杂质原子与周围四个硅原子 组成共价键时多余一个电子。 这个电子只受自身原子核吸引, 在室温下可成为自由电子。
5价的杂质原子可以提供电子, 所以称为施主原子。
Problem: N型半导体是否呈电中性?
1
+4
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半导体材料的发展及应用培训教材PPT(共 33张)

半导体材料的发展及应用培训教材PPT(共 33张)

半导体交通信号灯
路灯采LED与电源模块分离式设 计易于往后维修保固。最佳化散 热管理技术,有效将灯具光衰现 象降至最低。灯具防尘防水保护 等级IP66 。
当前化合物半导体产业发展的主要体现
二.消费类
信息产业数字化、智能化、网络化的 不断推进,新材料和新技术的不断涌现,都 将对半导体未来的发展产生深远的影响, 将会从不同的侧面促进半导体高速、低 噪声、大功率、大电流、高线性、大动 态范围、高效率、高灵敏度、低功耗、 低成本、高可靠、微小型等方面快速发 展。
日常生活中的消费品???
电视 手机 音箱 冰箱

它们又应用到了半导体材料的哪 些方面呢?
数字电视机
选择数字电视便是选 择了一种高品质,新 时代的生活方式。
消费类
全球家用电子产品装备无线控制和数据连接的比例越来越 高,音视频装置日益无线化,这类产品的市场为化合物半 导体的应用带来了庞大的新市场。
当前化合物半导体产业发展的主要体现
三. 移动通信技术正在不断朝有利于 化合物半导体产品的方向发展
目前,二代半技术成为移动通信 技术的主流,同时正在逐渐向第三代 (3G)过渡.
由于二代半技术对功放的效率和散热 有更高的要求,而3G技术要求更高 的工作频率,更宽的带宽和高线性, 这对砷化镓技术的发展是有利的。
总的来说:
硅(元素半导体)本身有许多难以 再改善的电子特性已经无法再充分满足 人们的需求,化合物半导体逐渐受到青 睐,其中砷化镓凭借着高频率,高电子 迁移率,低噪音,输出功率高,耗能少 ,效益高以及线性度良好,不易失真等 优越的特性,脱颖而出,开发前景令人 鼓舞。
当前化合物半导体产业发展的主要体现
谢谢大家!

11、人生的某些障碍,你是逃不掉的。与其费尽周折绕过去,不如勇敢地攀登,或许这会铸就你人生的高点。

教学课件PPT基本半导体材料及晶圆制备

教学课件PPT基本半导体材料及晶圆制备
由在外延层上还是在衬底上制造器件可分为 正外延和负外延(反外延);
由外延的生长环境状态可分为 液相外延、气 相外延和分子束外延;由外延过程中的生长 机构可分为直接外延和间接外延。
“切克劳斯基法”生长单晶 硅
单晶硅生长
拉晶分三段,开始放肩形成一薄层头部,接 着是等径生长,最后是收尾。直拉法能够生 成几英尺长和直径大到十二英寸或更多的晶 体。200毫米晶圆的晶体将会重达450磅,需 要花费三天时间生长。
掺杂:生长时,可在熔融硅中掺入杂质来获 得期望的电阻率
杂质控制:不受欢迎的杂质会影响器件的特性, 要严格控制。少量氧有益,可作为俘获中心束缚 金属沾污,但要适量。
半导体的电导率:σ =μ n*n+ μ p*p μ n 电子迁移率。 μ p 空穴迁移率。 半导体的电导率与掺杂浓度成正比
4、本征硅半导体的 结构
1)形成的晶体结构: 具 有 金 刚 石 晶 体 结 构; 硅(原子序数14)的物理化学性质主要由最外层四个电 子(称为价电子)决定。每个硅原子近邻有四个硅原 子,每两个相邻原子之间有一对电子,它们与两个原 子核都有吸引作用,称为共价键。
3多晶和单晶
多晶:在本征半导体中,晶胞间不是规则的排 列。这种情形和方糖杂乱无章的堆起来相似, 每个方糖代表一个晶胞。这样排列的材料具 有多晶结构。

单晶材料比多晶材料具有更一致和更可预测 的特性。单晶结构允许在半导体里一致和可 预测的电子流动。在晶圆制造工艺的结尾, 晶体的一致性对于分割晶圆成无粗糙边缘的 晶元是至关重要的
3. 电阻率和迁移率
1、电阻率/电导率定义:衡量材料材料传导电流的
能力(称导电性)的物理量。电阻率和电导率互为
倒数。
R

《半导体基础》课件

《半导体基础》课件

在温度升高或电场加强时,电 子和空穴的输运能力增强。
掺杂可以改变半导体的导电性 能,增加载流子的数量。
半导体中的热传导
01 热传导是热量在半导体中传递的过程。
02 热传导主要通过晶格振动和自由载流子传 递。
03
半导体的热传导系数受到温度、掺杂浓度 和材料类型的影响。
04
在高温或高掺杂浓度下,热传导系数会增 加。
模拟电路和数字电路中均有广泛应用。
场效应晶体管
总结词
场效应晶体管是一种电压控制型器件,利用电场效应来控制导电沟道的通断。
详细描述
场效应晶体管可分为N沟道和P沟道两种类型,通过调整栅极电压来控制源极和漏极之 间的电流。场效应晶体管具有低噪声、高输入阻抗和低功耗等优点,广泛应用于放大器
和逻辑电路中。
集成电路基础
掺杂半导体
N型半导体
通过掺入施主杂质,增加自由电子数量,提高导电能力。
P型半导体
通过掺入受主杂质,增加自由空穴数量,提高导电能力。
宽禁带半导体

碳化硅(SiC)
具有宽禁带、高临界击穿场强等特点, 适用于制造高温、高频、大功率的电子 器件。
VS
氮化镓(GaN)
具有宽禁带、高电子迁移率等特点,适用 于制造蓝光、紫外线的光电器件。
详细描述
二极管由一个PN结和两个电极组成,其单 向导电性是由于PN结的正向导通和反向截 止特性。根据结构不同,二极管可分为点接 触型、肖特基型和隧道二极管等。
双极晶体管
总结词
双极晶体管是一种电流控制型器件,具有放 大信号的功能。
详细描述
双极晶体管由三个电极和两个PN结组成, 通过调整基极电流来控制集电极和发射极之 间的电流,实现信号的放大。双极晶体管在

《半导体材料》课件

《半导体材料》课件
解决策略
解决可靠性问题需要从材料的设计、制备、封装、测试等各个环节入手,加强质量控制和可靠性评估。
半导体材料的环境影响与可持续发展
环境影响
半导体材料的生产和使用过程中会对环境产生一定的影响,如能源消耗、废弃物处理等。
可持续发展
为了实现可持续发展,需要发展环保型的半导体材料和生产技术,降低能源消耗和废弃物排放,同时 加强废弃物的回收和再利用。
《半导体材料》ppt 课件
目录
CONTENTS
• 半导体材料简介 • 半导体材料的物理性质 • 常见半导体材料 • 半导体材料的制备与加工 • 半导体材料的发展趋势与挑战
01
半导体材料简介
半导体的定义与特性
总结词
半导体的导电能力介于导体和绝缘体 之间,其电阻率受温度、光照、电场 等因材料的制备技术
制备技术
为了获得高性能的半导体材料,需要 发展先进的制备技术。这包括化学气 相沉积、分子束外延、离子注入等。
技术挑战
制备技术面临的挑战是如何实现大规 模生产,同时保持材料的性能和均匀 性。
半导体材料的可靠性问题
可靠性问题
随着半导体材料的广泛应用,其可靠性问题越来越突出。这包括材料的稳定性、寿命、可靠性等方面的问题。
VS
电阻率
电阻率是衡量材料导电能力的物理量。半 导体的电阻率可以通过掺杂等方式进行调 控,从而实现对其导电性能的优化。
光吸收与发光特性
光吸收
半导体具有吸收光子的能力,当光子能量大于其能带间隙时,电子从价带跃迁至导带, 产生光电流。
发光特性
某些半导体在受到激发后可以发出特定波长的光,这一特性使得半导体在发光器件、激 光器等领域具有广泛应用。
离子束刻蚀
利用离子束对材料进行刻蚀,实现纳米级加工。

《半导体器件》课件

《半导体器件》课件

总结词
高效转换,环保节能
详细描述
在新能源系统中,半导体器件用于实现高效能量转换和 环保节能。例如,太阳能电池板中的硅基太阳能电池可 以将太阳能转换为电能,而LED灯中的发光二极管则可 以将电能转换为光能。
THANKS
感谢观看
总结词
制造工艺复杂
详细描述
集成电路的制造工艺非常复杂,需要经过多个步骤和工艺 流程。制造过程中需要精确控制材料的物理和化学性质, 以确保器件的性能和可靠性。
总结词
具有小型化、高性能、低功耗等特点
详细描述
集成电路具有小型化、高性能、低功耗等特点,使得电子 设备更加轻便、高效和节能。同时,集成电路的出现也推 动了电子产业的发展和进步。
总结词
由半导体材料制成
详细描述
双极晶体管通常由半导体材料制成,如硅或锗。这些材料 在晶体管内部形成PN结,是实现放大和开关功能的关键 结构。
总结词
正向导通,反向截止
详细描述
在正向偏置条件下,双极晶体管呈现低阻抗,电流可以顺 畅地通过。在反向偏置条件下,双极晶体管呈现高阻抗, 电流被截止。
场效应晶体管
05
CATALOGUE
半导体器件的应用
电子设备中的半导体器件
总结词
广泛使用,基础元件
详细描述
在电子设备中,半导体器件是最基本的元件 之一,用于实现信号放大、传输和处理等功 能。例如,二极管、晶体管和集成电路等是 电子设备中不可或缺的元件。
通信系统中的半导体器件
总结词
高速传输,信号处理
详细描述
在通信系统中,半导体器件用于信号的高速 传输和处理。例如,激光二极管用于光纤通
总结词
通过电场控制电流的电子器件
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1、热敏电阻器 、
v PTC热敏电阻器以BaTiO3固溶体为主晶相的半导体陶瓷元 件。在一定的温度范围内,其阻值随温度的增加而增加, 表现出所谓的PTC效应。按材料居里点可分为低温、高温, 按阻值可分为低阻、高阻,按使用电压可分为低压、常压 和高压,按曲线陡度可分为缓变型和开关型。
v PTC热敏电阻于1950年出现,随后1954年出现了以钛酸钡 为主要材料的PTC热敏电阻。到7O年代中期得到了很大的 发展,各种不同用途的PTC热敏电阻元件相继出现。PTC热 敏电阻在工业上可用作温度的测量与控制,或者汽车某部 位的温度检测与调节,也可以大量用于民用设备,如控制 瞬间开水器的水温、空调器与冷库的温度。到目前为止, 无论是工业电子设备,还是家用电器产品,几乎到处都可 以看到PTC热敏电阻元件。据世界上最大的电子陶瓷生产 公司之一的日本村田制作所报导,PTC产品的品种规格已 达169种。近年来,随着通信技术的迅猛发展,对于程控 电话交换机用PTC过电流保护元件、移动电话石英晶体振 荡器用PTC恒温器等需求剧增。为了降低汽车尾气排放和 提高冷启动速度,需要大量汽车冷启动用PTC加热片。
谢谢观看
2011年3月31日 年 月 日
件及应用
一、半导体陶瓷概念
v 半导体陶瓷就是指导电性介于导电和绝缘介质之间的陶瓷 半导体陶瓷就是指导电性介于导电和绝缘介质之间的陶瓷 材料, 材料,具有半导体特性、电导率约在10-6~105S/m的陶瓷。 半导体陶瓷的电导率因外界条件(温度、光照、电场、气 氛和温度等)的变化而发生显著的变化,因此可以将外界 环境的物理量变化转变为电信号,制成各种用途的敏感元 件,又由于半导体陶瓷有独特的电学性能,同时还具有优 良的机械性能、热性能和良好的化学稳定性、因而已成为 当代科学技术中不可缺少的重要材料。 v 如用于电动机、收录机、计算机、复印机、变压器、烘干 机、暖风机、电烙铁、彩电消磁、燃料的发热体、阻风门、 化油器、功率计、线路温度补偿等。
v 另外,PTC热敏陶瓷在彩电消瓷器,空诃器,暖风机,节 能灯软启动等家用电器方面得到了’普遍应用。值得注意 的是,P1 在航空航天、雷达、电子通信、仪器仪表等领 域占有非常重要的地位。PTC的表面贴装元件已在逐步开 发和生产。 v NTC热敏电阻有三种不同类型的阻温特性。一种是缓变型 的热敏电阻。另一种是负温度突变型,又称临界温度系数 热敏电阻(CTR),在特定温度内,其阻值急剧下降。再一 种是阻温特性为直线的陶瓷热敏元件。常温(300 C)NTC热 敏陶瓷材料,大多数是尖晶石型氧化物半导体陶瓷,其中 包括二元系材料及多元系材料。
v 陶瓷材料的结合键为离子键和共价键,它的导电载流子随 电场强度的温度的变化而改变。在低温弱电场作用下,主 要是弱联系填隙离子参加导电;随电场强度增加,联系强 的基本离子也可能参加导电,高温时呈现电子导电。按其 载流子性质不同,陶瓷材料的电导又分为电子电导和离子 电导。 v 陶瓷材料 陶瓷材料,温度升高,一方面使离子的扩散系数增大。另 一方面有更多电子被激发到导带上,虽然晶格热振动的加 剧能导致电子迁移率的降低,但由于前面两个因素在半导 体陶瓷中占支配地位,所以总的趋势是电导率随温度升高 电导率随温度升高 而增大
四、结束语
v 我国在高性能半导体陶瓷材料的研究方面已经取得了一些 成果,与国际先进水平的差距正在缩小,一大批引进产品 已逐步被国产化,许多产品已受到国际上的重视,某些产 品已经出口。当前我们正处在科学兴国,以技术—经济为 核心的重要发展时期,新材料已列为优先发展的重要领域 之一,信息通讯事业已引起高度重视。毫无疑问,半导体 陶瓷及其传感技术有着美好的发展前景。
v 半导体陶瓷在光的照射下,往往会引发其一些电性质的变 化,由于陶瓷电特性的不同及光子能量的差异,可能产生 光电导效应,也可能产生伏特效应。利用这些效应,可以 制造光敏电阻和光电池。
5、透明半导体陶瓷 、
v 透明半导体陶瓷以日本东工大应用陶瓷研究所细野秀雄教 授为首承担的“透明电子活性”项目最近成功地将作为陶 瓷材料而使用广泛的由氧化铝和氧化钙构成的物质 (12CaO·7Al2O3 )变成了具有半永久导电性的半导体。由 于新发现的半导体陶瓷是透明的, 故若能提高其导电率, 可期待将它用作液晶显示器等的透明电极。这次开发是从 研究陶瓷的纳米结构开始的,结果发现,身边常见的陶瓷
2、气敏半导体陶瓷 、
v 常见的气敏半导体陶瓷材料无论是n型,还是P型半导瓷, 其气敏特性都是由于表面物理吸附,化学吸附或物理化学 吸附引起表面能态发生改变,从而导致材料电导率的变化。 气敏陶瓷可分为电导式和电话式两类。 v SnO2气敏传感器至今仍是应用最广和性能最优的一种,对 许多可燃气体,如氢、一氧化碳、甲烷、丙烷、乙醇、丙 酮、城市煤气和天然气等都有相当高的灵敏度,并且有较 高的重复性和使用寿命。选择纳米级的材料可以大幅度提 高SnO2气敏陶瓷传感器的气敏性能。后的目标是研究低温 或常温下工作的气敏传感器,此外SnO2气敏传感器在如何 消除环境气氛对湿度的影响方面的问题还没有很好地解决。
半导体陶瓷
材料0802 G10-547
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半导


半导体陶瓷

引言: 引言:半导体的相关介绍
物质可根据其导电性大小分为导体、半导体和 绝缘体,在室温时如果按材料的电阻率大小一 般为小划分: 导体 ρ< 10-2 Ω·cm 半导体 10-2 < ρ < 109 Ω·cm 绝缘体 ρ > 109 Ω·cm 绝缘体又称电介质。大多数陶瓷是绝缘体,少 数是导体,也有一部分是半导体。
4、压敏电ห้องสมุดไป่ตู้器 、
v 压敏电阻器的特点是伏安特性呈非线性,对电压变化敏感 的半导体陶瓷。压敏电阻器的非线性伏安特性是由材料的 晶界效应引起的结果,可用分立的双肖特基势垒模型等理 论进行解释。 v 目前,应用最广、性能最好的是ZnO压敏半导体陶瓷。 ZnO压敏陶瓷材料的研究从最初对电子设备小型化和高可 靠性的要求而展开,发展到今天已远远超出了这个范围。 目前,低压至集成电路,高压至数百千伏超高压输电系统 的瞬态过电压保护,高能至数十万千瓦大型发电机灭磁保 护,高频至数十亿赫兹的发射天线都是陶瓷压敏电阻的应 用领域。利用上述优越的压敏特性所制作的电阻器有浪涌 吸收,高压稳压,超导移能,无间隙避雷器等,已获得广 泛应用。
v 有透明半导体这样的新功能。用的材料12CaO·7Al3O2 的 结晶由纳米大小的笼形成, 把氢负离子(通常的氢为正离 子)引入笼中。用紫外线照射它,它会放出电子。由于这 个电子的存在使绝缘的陶瓷材料变为具有导电性。该陶瓷 的电导率可用照射的紫外线强度控制。同时,在室温下可 半永久地保持半导体的性质, 一旦加热到约400oC又回复 到原来的绝缘体。再次变为半导体,时由于不产生强的光 吸收,故在可视领域亦能保持其透明性。
v 采用集成电路工艺把超微粒薄膜集成在硅衬底上,可制成 对还原性气体灵敏度很高的气敏元件,它是一种很有发展 前途的新型半导体气敏传感器。随着人们对食品卫生的日 益重视,气敏传感器用于酒类识别和肉类的鲜度鉴定得到 了迅速发展。
3、湿敏半导体陶瓷 、
v 湿敏陶瓷具有当环境温度变化导致其电性质相应变化的一 类材料。陶瓷湿敏材料大部分是利用微孔吸附水份与晶粒 表面作用使电导发生变化制成湿敏传感器,利用电容量变 化制成的湿敏陶瓷传感器因湿敏特性曲线的非线性变化、 器件不稳定和寿命短等原因,应用范围较窄。最近关于湿 敏传感器的开发研究的显著特征是对湿敏陶瓷材料进行改 性和探索,诸如利用质子传导的固体电解质型温度传感器 和利用热敏电阻组成的绝对湿度湿敏传感器等。但目前主 要还是用电阻式陶瓷湿敏传感器。最近对致密型的湿敏材 料也有研究,取得了一些进展。 v 主要应用于空调,食品加工,轻纺等烘干系统所用的温度 检测和控制元件。
三、半导体陶瓷元件及应用
v 半导体陶瓷是敏感元器件及传感器技术的关键材料,是当 今世界迅速发展的一项高新技术领域,它与现代信息技术、 通讯技术、计算机技术密切相关,它的研究开发乃至生产, 涉及到物理、化学、材料科学与工程等多种学科,因此, 半导体陶瓷属技术密集和知识密集型产业。日本产品在世 界市场上占绝对优势地位。美国,欧洲也占有相当数量。 相比之下我国半导体陶瓷起步较晚,产品性能、生产水平 和国际先进水平相比还有明显差距。改革开放以来,随着 电子工业的高速发展,对半导体陶瓷的要求愈来愈高,发 展半导体陶瓷正面临着许多急待解决的重要问题。 v 半导体陶瓷品种主要有:热敏、气敏、湿敏、压敏及光敏 电阻器等。
某些陶瓷与金属的电导率( ) 某些陶瓷与金属的电导率(κ)随温度的变化见图
二、半导体陶瓷半导化
v 半导体陶瓷生产工艺的共同特点是必须经过半导化过程。 v 半导化过程可通过掺杂不等价离子取代部分主晶相离子 (例如,BaTiO3中的Ba2+被La3+取代),使晶格产生缺陷,形 成施主或受主能级,以得到n型或p型的半导体陶瓷。 v 另一种方法是控制烧成气氛、烧结温度和冷却过程(例如 氧化气氛可以造成氧过剩,还原气氛可以造成氧不足,这 样可使化合物的组成偏离化学计量而达到半导化)。
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