模电复习总结
模电期末复习总结

期末考试总结
1.掌握共发射极放大电路组成,各部分功能。
会计算静态工作点、画交流等效
电路,动态参数求解,最大不失真电压求解,如何稳定静态工作点。
2.掌握差动放大电路组成及功能,静态工作点的求取,动态参数的求取,明确
知道共模电压及差模电压的求法,会计算共模抑制比等参数。
3.掌握叠加法与虚短虚断法,解决运算放大器运算问题,
4.掌握,反馈类型的判断,与反馈的作用,会用虚短虚断方法或反馈系数法求
解反馈电压放大倍数;
5.掌握功率放大器的分类,静态参数及Uom,Pom,效率的求解方法;
6.掌握直流稳压电源的各部分组成及功能,会计算输出电压的变化范围。
7.掌握电压比较器的阈值以及电压传输特性的划分
8.掌握根据三极管三极电压判断管脚方法,掌握二极管的单向导通特性,掌握
场效应管静态及动态参数的求取方法。
深入理解杂质半导体的原理及性能。
9.其他各章节知识点。
完整版模电知识点复习总结共136页

15、机会是不守纪律的。——雨果
46、我们若已接受最坏的,就再没有什么损失。——卡耐基 47、书到用时方恨少、事非经过不知难。——陆游 48、书籍把我们引入最美好的社会,使我们认识各个时代的伟大智者。——史美尔斯 49、熟读唐诗三百首,不会作诗也会吟。——孙洙 50、谁和我一样用功,谁就会和我一样成功。——莫扎特
完整版模电知识点复习总结
11、战争满足了,或曾经满足过人的 好斗的 本能, 但它同 时还满 足了人 对掠夺 ,破坏 以及残 酷的纪 律和专 制力的 欲望。 ——查·埃利奥 特 12、不应把纪律仅仅看成教育的手段 。纪律 是教育 过程的 结果, 首先是 学生集 体表现 在一切 生活领 域—— 生产、 日常生 活、学 校、文 化等领 域中努 力的结 果。— —马卡 连柯(名 言网)
模拟电路期末重点总结

模拟电路期末重点总结一、基本概念1. 信号与信号描述的方式2. 模拟电路的基本组成部分3. 模拟电路中的基本元件:电阻、电容和电感4. 基本电路定律:欧姆定律、基尔霍夫定律5. 模拟电路的常见信号源:直流电源、交流电源、信号发生器等二、放大器及其应用1. 放大器的基本原理和分类2. 放大器的频率响应:通频带、增益带宽积、截止频率3. 常见放大器电路:共基极放大器、共射极放大器、共集电极放大器4. 放大器的非线性失真及其衡量方法5. 放大器的稳定性分析与补偿方法6. 放大器的应用:功率放大、差分放大器、运算放大器等三、滤波器1. 滤波器的基本原理和分类2. 滤波器的频率响应:通频带、截止频率、衰减特性、相位特性3. 一阶滤波器:低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器4. 二阶及以上滤波器:巴特沃斯滤波器、切比雪夫滤波器、椭圆滤波器5. 滤波器的设计:选择频率响应、元件参数计算、频率响应曲线绘制等四、反馈与稳定性1. 反馈的基本概念和分类2. 反馈电路的基本特性:增益、输入阻抗、输出阻抗3. 反馈网络的分析方法:开环增益、闭环增益、反馈系数、传输函数4. 反馈对电路性能的影响:增益稳定、频率稳定、阻抗稳定5. 反馈的设计与应用:选择反馈类型、计算反馈网络参数、稳定性分析等五、振荡器与信号发生器1. 振荡器的基本概念和分类2. 反馈振荡器的工作原理和条件3. 原型振荡器电路:震荡频率计算、电路稳定性分析4. 信号发生器的基本原理和常见电路:正弦波发生器、方波发生器、脉冲发生器等5. 信号发生器的电路设计与参数计算六、功率放大器与运算放大器1. 功率放大器的基本概念和应用领域2. A类、B类、AB类功率放大器的工作原理和特点3. 放大器的功率分配:效率和最大功率输出4. 运算放大器的基本概念和特性5. 运算放大器的基础电路:反相放大器、非反相放大器、加法器等6. 运算放大器的应用:积分器、微分器、比较器、滤波器等七、混频器与调制解调器1. 混频器的基本原理和分类2. 混频器的输入输出特性:转移函数、幅频特性、相频特性3. 调制解调器的基本原理和应用:AM调制解调、FM调制解调、PM调制解调4. 调制解调器的电路实现:调幅电路、调频电路、解调电路等八、特殊用途电路1. 比较器的基本原理和应用2. 电压源的设计与应用3. 倍压电路和反相器:电压倍增电路、反相放大电路等4. 电流源和电流镜电路:恒流源、恒流电桥等5. 电流传感器的电路设计和应用在模拟电路的学习中,我们需要掌握模拟电路的基本概念和基本组成部分,了解模拟电路中的基本元件和基本电路定律。
大学模电知识点总结

大学模电知识点总结1. 电路基础电路是由电路元件和互相连接在一起的导线组成的。
电路是由电路元件和互相连接在一起的导线组成的。
电路的基本元件包括电源、电阻、电容和电感等。
电源可以提供电流,电阻可以阻碍电流的流动,电容可以储存电荷,电感可以储存能量。
电路中的元件之间通过电路连接线连接在一起,共同构成了一个闭合的电路。
2. 电路分析方法电路分析方法主要包括基尔霍夫定律、欧姆定律和电容电感元件的动态特性分析等。
基尔霍夫定律是用来分析电路中的电流和电压分布的重要方法。
欧姆定律则是用来分析电路中的电流和电压的关系的基本定律。
电容电感元件的动态特性分析包括对电容电感元件的充放电过程和动态特性的分析。
3. 有源电路分析有源电路分析是分析电路中带有能源的元件的分析方法。
有源电路中的电源可以提供电流和电压,分析有源电路需要考虑电源的作用和影响。
有源电路分析主要包括对电源的特性分析、对有源电路的电流和电压分布的分析等内容。
4. 无源电路分析与有源电路不同,无源电路是指电路中不含电源的电路。
无源电路分析主要是对无源电路中的电阻、电容、电感等元件的分析。
无源电路中的元件都是 passively响应的,因此分析无源电路需要考虑元件之间的相互影响和电流、电压的分布。
5. 交流电路分析交流电路是指交流电源供电的电路,交流电路分析需要考虑交流电源的特性和电路中的电阻、电容、电感等元件的特性。
分析交流电路需要考虑交流电源的频率和幅值对电路的影响,以及交流电路中的电压、电流的相位差等因素。
6. 数字电路设计数字电路设计是指在数字逻辑门的基础上设计各种数字电路。
数字电路设计需要考虑逻辑门的特性和组合逻辑、时序逻辑的设计。
数字电路设计还需要考虑输入信号的采样和量化、数字信号的处理和输出等内容。
7. 模拟电路设计模拟电路设计是指在模拟元件的基础上设计各种模拟电路。
模拟电路设计需要考虑模拟元件的特性和模拟电路的放大、滤波、整定等功能。
模拟电路设计还需要考虑输入信号的采样和处理、模拟信号的处理和输出等内容。
模电必考知识点总结

模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础,了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。
2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。
3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法,包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。
4. 传输线理论了解传输线的基本特性,包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。
二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理,包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。
2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法,包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。
3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性,包括截止频率、增益带宽积等相关知识。
4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类,了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。
三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性,包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。
2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用,掌握运算放大器的基本应用方法。
四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用,包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。
2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法,了解它们在滤波电路中的应用。
3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻(陷波)滤波器的设计方法和特性,掌握模拟滤波器的设计技巧。
五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法,包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。
模电 知识点总结

模电知识点总结一、基本概念1. 电路元件:模拟电子技术的基本元件包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。
其中,电阻用于限制电流,电容用于储存电荷,电感用于储存能量,二极管用于整流、开关等,晶体管用于放大、开关等。
2. 信号:在模拟电子技术中,信号是指随时间或空间变化的电压或电流。
常见的信号形式有直流信号、交流信号、脉冲信号等。
3. 放大器:放大器是模拟电子技术中的重要元件,用于放大输入信号的幅度。
常见的放大器有运放放大器、晶体管放大器等。
4. 滤波器:滤波器是用于选择特定频率范围内的信号,常用于滤除噪声、提取特定频率成分等。
5. 调制解调:调制是将基带信号调制到载波上,解调是将载波信号解调还原为基带信号。
调制解调技术是模拟电子技术中的重要应用之一。
二、基本电路1. 电阻电路:电阻是最基本的电路元件之一,常用于限制电流、调节电压和波形、分压等。
常见的电阻电路包括电压分压电路、电流分压电路、电阻网络等。
2. 电容电路:电容是能存储电荷的元件,常用于滤波、积分、微分等。
常见的电容电路包括RC电路、LC电路、多级滤波器等。
3. 电感电路:电感是储存能量的元件,常用于振荡器、磁耦合放大器等。
常见的电感电路包括RLC电路、振荡电路、滤波器等。
4. 滤波器电路:滤波器是用于选择特定频率范围内的信号的电路,常用于滤除杂散信号、提取特定频率成分等。
常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、陷波滤波器等。
5. 放大器电路:放大器是用于放大电压、电流信号的电路,常用于信号调理、传感器信号放大、运算放大器电路等。
常见的放大器电路包括运算放大器电路、放大器电路、多级放大器电路等。
6. 混频器电路:混频器是用于将两路信号进行混频得到中频信号的电路,常用于调频收音机、超外差接收机等。
常见的混频器电路包括倍频器电路、调频接收机电路、超外差接收机电路等。
7. 调制解调电路:调制解调电路是用于调制解调信号的电路,常用于调制解调的通信系统、调幅收音机、调频收音机等。
模电知识点复习总结

模电知识点复习总结模拟电子技术(模电)是电子工程中的重要基础学科之一,主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。
下面是我对模电知识点的复习总结:一.基础知识1.电路基本定律:欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。
2.信号描述与频域分析:时间域与频域的关系。
傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。
3.理想放大器:增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。
4.放大器基本电路:共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。
二.放大器设计1.放大器的参数:增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。
2.放大器的稳定性:稳态稳定性和瞬态稳定性。
3.放大器的频率响应:截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。
4.放大器的非线性失真:交趾略失真、交调失真、互调失真等。
5.放大电路的优化设计:负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。
三.运算放大器1.运算放大器的基本性质:增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。
2.电压放大器:非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。
3.运算放大器的应用电路:比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。
4.运算放大器的非线性失真:输入失真、输出失真、交调失真等。
四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理:输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。
2.双向可调电源的电路结构:移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。
3.双向可调电源的控制方式:串行控制和并行控制。
五.滤波器设计1.常见滤波器类型:低通、高通、带通和带阻滤波器。
2.滤波器的频率响应特性:通频带、截止频率、衰减量。
3.滤波器的传输函数:频率选择特性、阶数选择。
4.滤波器的实现方法:RC、RL、LC和电子管等。
六.可控器件1.二极管:理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。
2.可控硅:双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。
3.功率晶体管:NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。
模电知识点总结笔试

模电知识点总结笔试一、基础理论知识1. 电子学基础(1)电子学的基本概念:电子、电荷、电流、电压等。
(2)半导体物理学:半导体材料的性质、PN结的特性等。
2. 电路基础(1)电路分析方法:基尔霍夫定律、戴维南定理、叠加原理等。
(2)电路中的元件:电阻、电容、电感等实际应用。
二、模拟信号处理1. 信号与系统(1)信号的分类:连续信号、离散信号、周期信号、非周期信号等。
(2)系统的分类:线性系统、非线性系统、时变系统、时不变系统等。
2. 模拟滤波(1)滤波器的分类:低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等。
(2)滤波器的设计:巴特沃斯滤波器、切比雪夫滤波器、椭圆滤波器等。
三、放大电路1. 放大器的基本概念(1)放大器的分类:按输入输出信号类型分为模拟放大器和数字放大器。
(2)放大器的性能参数:增益、带宽、输入阻抗、输出阻抗等。
2. 放大电路设计(1)基本放大电路:共射放大器、共集放大器、共基放大器等。
(2)放大电路稳定性分析:稳定性条件、负反馈、电容耦合等。
四、信号发生与调制1. 信号发生器(1)基本信号源:RC震荡器、LC震荡器、晶体振荡器等。
(2)信号源的稳定性分析:频率稳定度、振幅稳定度、相位噪声等。
2. 调制技术(1)调制原理:调频、调幅、调相等基本调制方式的原理和特点。
(2)调制电路设计:频率调制电路、幅度调制电路、相位调制电路等。
五、反馈电路1. 反馈的基本概念(1)反馈电路的分类:正反馈、负反馈。
(2)反馈电路的性能:增益稳定、带宽拓展、非线性失真降低等。
2. 反馈网络设计(1)反馈网络结构:电流负反馈、电压负反馈。
(2)反馈网络应用:放大电路、振荡器、滤波器等反馈电路的设计。
六、运算放大器1. 运算放大器的特性(1)运算放大器的基本原理:差分输入、单端输出、大增益、高输入阻抗等。
(2)运算放大器的理想模型:无输入偏置电流、无输入偏置电压等。
2. 运算放大器的应用(1)运算放大器在电路中的基本应用:比较器、积分器、微分器等。
模电重点总结复习必备

u
+
-
A
+
∞
i
f
R
i
i
f
i
i
i+
i-
i
+
+
T
-
i
+
u
R
i
i
i
b
i
f
2
虚短
3
虚断
1
串联负反馈,输入端电压求和
6
并联负反馈,输入端电流求和
5
虚断
4
虚短
判断能否自激的方法
(1)画出 的波特图
(2)找出两个特定的频率
(3)判断
(4)若不自激,则判断幅度裕度和相位裕度
方法一:
方法二:
02
01
分析方法:分频段研究法和时间常数法
直流稳压电源
工作原理
整流
计算
稳压
滤波
g
g
d
S
d
i
工作在非线性区时的特点
工作在线性区时的特点
虚断
虚短 虚断
运算放大器
波特图
画复杂电路或系统的波特图,关键在于一些基本因子
基本放大电路
01.
多级放大电路
01.
差分放大电路
01.
反馈放大电路
01.
运算放大器
01.
功率放大器
01.
频率响应
01.
直流稳压电源
01.
三、电路部分
共发射极、共集电极、共基极、 共源、共漏
特点和典型功能:
较大,Ri很大;适于小信号电压放大
共漏放大电路
+
C
g3
模拟电路知识点复习总结

1. 内部载流子的传输过程
发射区:发射载流子
集电区:收集载流子
基区:传送和控制载流子
(以NPN为例)
IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO
放大状态下BJT中载流子的传输过程
2. 电流分配关系
根据传输过程可知 IE=IB+ IC
设
传输到集电极的电流
= 发射极注入电流
即 = InC
IE
通常 IC >> ICBO 则有 IC
iB=f(vBE) vCE=const
(1) 当vCE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时, vCB= vCE - vBE>0,集电结已进入反偏状态,开始收
集电子,基区复合减少,同样的vBE下 IB减小,特性曲线右移。
共射极连接
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
2. 输出特性曲线
(1)虚短
由于运放的电压放大倍数很大,而运放的输出电 压是有限的,一般在10 V~14 V。因此运放的差模输入 电压不足1 mV,两输入端近似等电位,相当于 “短 路”。开环电压放大倍数越大,两输入端的电位越接 近相等。
“虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时, 可把两输入端视为等电位,这一特性称为虚假短路,简 称虚短。显然不能将两输入端真正短路。
则 = IC ICEO
IB
当
IC
ICEO 时,
IC IB
是另一个电流放大系数。同样,它也只与管
子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。
一般 >> 1 。
3. 三极管的三种组态
BJT的三种组态
共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示; 共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示; 共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示。
模拟的电子技术基础知识点的总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电总结复习资料-模拟电子技术基础

第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电总结(大全5篇)

模电总结(大全5篇)第一篇:模电总结半导体器件半导体中有两种载流子:电子,空穴。
当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后,共价键就留下一个空位,这个空位就称为空穴。
影响半导体导电性的因素:外界热(温度)和光的作用或往纯净的半导体中掺入某些杂质。
本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
在绝对0度(T=0K)和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有可以运动的带电粒子(即载流子),它的导电能力为0,相当于绝缘体。
在常温下,由于热激发,使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子,同时共价键上留下一个空位,称为空穴。
本征激发的特点:① 两种载流子参与导电,自由电子数(n)=空穴数(p)② 外电场作用下产生电流,电流大小与载流子数目有关③ 导电能力随温度增加显著增加杂质半导体(通过掺杂,提高导电能力)N 型半导体:电子是多数载流子,空穴是少数载流子,但半导体呈中性,也称为(电子半导体)。
(在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素,如磷形成)P 型半导体:空穴是多数载流子,电子是少数载流子,但半导体呈中性,也称为(空穴半导体)。
(在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素,如硼形成)多子浓度主要取决于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
二极管:导通管的压降看做常值(硅0.7V,锗0.2V)或0V(理想二极管)。
特殊二极管——稳压管(工作在反向击穿区)稳压原理:无论输入变化或负载变化,引起的电流变化都加于稳压管上,使输出电压稳定。
双极性晶体管(BJT)集电区:面积较大,基区:较薄,掺杂浓度低,发射区:掺杂浓度较高。
要使三极管能放大电流,必须使发射结正偏,集电结反偏。
双极性晶体管输出特性三个区域的特点: ① 放大区:发射结正偏,集电结反偏。
② 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。
③ 截止区: 发射结、集电结均反偏。
双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。
场效应管有两种: 结型场效应管JFET;绝缘栅型场效应管MOS ① N沟道增强型② N 沟道耗尽型③ P 沟道增强型④ P 沟道耗尽型耗尽型与增强型的区别在与UGS=0时是否有导电沟道。
模电知识点总结

模电知识点总结第一篇:模电知识点总结第一章绪论1.掌握放大电路的主要性能指标:输入电阻,输出电阻,增益,频率响应,非线性失真2.根据增益,放大电路有那些分类:电压放大,电流放大,互阻放大,互导放大第二章预算放大器1.集成运放适合于放大差模信号2.判断集成运放2个输入端虚短虚断如:在运算电路中,集成运放的反相输入端是否均为虚地。
3.运放组成的运算电路一般均引入负反馈4.当集成运放工作在非线性区时,输出电压不是高电平,就是低电平。
5.根据输入输出表达式判断电路种类同相:两输入端电压大小接近相等,相位相等。
反相:虚地。
第三章二极管及其基本电路1.二极管最主要的特征:单向导电性2.半导体二极管按其结构的不同,分为面接触型和点接触型3.面接触型用于整流。
点接触型用于高频电路和数字电路4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关5.掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂6.在常温下硅二极管的开启电压为0.5伏,锗二极管的开启电压为0.1伏7.硅二极管管压降0.7伏,锗二极管管压降0.2伏8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容9.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱内电场,扩散加剧反向电压:外电场使空间电荷区变宽,加强内电场,阻止扩散运动进行10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区 12.稳压管称为齐纳二极管13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压下进行,反向电流随光照强度的增加而上升14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判断二极管的质量优劣?用万用表的欧姆档测量二极管的电阻,记录下数值,然后交换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.这个读数相差越多,二极管的质量越好.当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路第四章双极结型三极管及放大电路1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件2.采用微变等效电路求放大电路在小信号运用时,动态特性参数3.晶体三极管可以工作在: 放大区,发射结正偏,集电极反偏饱和区,发射结集电极正偏截止区,发射结集电极反偏4.NPN,PNP,硅锗管的判断5.工作在放大区的三极管,若当Ib以12μA增大到22μA时,Ic 从1mA变为2mA,β约为1006.直流偏置电路的作用是给放大电路设置一个合适的静态工作点,若工作点选的太高——饱和失真。
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(完整版)模电总结复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素(多⼦是空⽳,少⼦是电⼦)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素(多⼦是电⼦,少⼦是空⽳)。
6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度,少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通,反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开,分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),⼆极管导通(短路);若 V阳1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开,分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
模电复习总结

模电复习总结5⽉8⽇到14⽇,⽤了7天时间总结了模拟电⼦,其中⾃⼰⼿敲了⼤约8000字,到最后实在敲烦了,直接粘贴了部分内容。
另外还很⽆耻的粘下了好多图⽚。
希望对各位的复习能够起到点作⽤。
模拟电⼦——注电基础考试复习⽤⼀、元件基础1、半导体半导体器件中最常⽤的半导体材料有硅和锗两种,都是四价元素,其纯净物导电性很差,按照⼀定规律掺⼊三价、五价元素后,导电性能⼤幅上升,分别形成N型、P型半导体。
四价、五价元素混合后形成N型半导体,容易失去电⼦,形成较稳定的正价离⼦。
四价、三价元素混合后形成P型半导体,容易吸收电⼦,形成较稳定的负价离⼦。
P型半导体和N型半导体制造在同⼀块材料上,在两种半导体的交界⾯上形成PN结。
PN结是构成半导体器件的基础。
2、⼆极管⼀对PN结称为⼆极管,分别在P端和N端引出管脚。
P端易失去电⼦,作为⼆极管的正端。
N端易吸收电⼦,作为⼆极管的负端。
PN结由于两侧材料吸收电⼦能⼒不同的性质,成为⼀个耗尽层。
耗尽层到点能⼒较低,形成⼀个不稳定的内电场h0,此内电场从N端指向P端,即⼆极管的正端指向负端,内电场电压从P端指向N端。
其不稳定包括两个⽅⾯。
⼀个是受外界温度影响⽐较⾼,试验测得300K(25℃)时,温度电压当量U T≈26mV,在室温附近,温度每升⾼1℃,正向压降约减⼩2~2.5mV,温度每升⾼10℃,反向电流约增⼤⼀倍。
另⼀个是外部电压的影响。
当正向加⼀个电压时,由于内外电场⽅向相反,相当于内电场被削弱,耗尽层变薄,电压差很⼩,可以⼤量通过电⼦,容易导电。
当反向加⼀个电压时,由于内外电场⽅向相反,相当于内电场被加强,耗尽层变厚,电压差很⼤,很难通过电⼦,基本不导电。
这就是⼆极管的单向导电性。
⼆极管的伏安特性曲线中包括正向特性和反向特性。
实际使⽤的主要是较为直线部分,正向特性的线性部分为导通部分,线性部分延长线与电压轴的交点为导通电压U on。
导通电压根据不同材料和制作⼯艺,⼀般在0.1V~0.8V范围内(计算时,如不给出的话,硅管取0.7V,锗管取0.3V)。
模电总结复习资料模拟电子技术基础

模电总结复习资料模拟电⼦技术基础第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素(多⼦是空⽳,少⼦是电⼦)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素(多⼦是电⼦,少⼦是空⽳)。
6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度,少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通,反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开,分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),⼆极管导通(短路);若 V阳1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开,分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
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第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。
1、导体导电和本征半导体导电的区别:导体导电只有一种载流子:自由电子导电半导体导电有两种载流子:自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现,数目相等,所带电荷极性不同,故运动方向相反。
2、本征半导体的导电性很差,但与环境温度密切相关。
3、杂质半导体(1)N型半导体——掺入五价元素(2)P型半导体——掺入三价元素4、PN结——P型半导体和N型半导体的交界面在交界面处两种载流子的浓度差很大;空间电荷区又称为耗尽层反向电压超过一定值时,就会反向击穿,称之为反向击穿电压5、PN结的单向导电性——外加电压正向偏置反向偏置6、二极管的结构、特性及主要参数(1)P区引出的电极——阳极;N区引出的电极——阴极温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线下移。
二极管的特性对温度很敏感。
其中,Is为反向电流,Uon为开启电压,硅的开启电压——0.5V,导通电压为0.6~0.8V,反向饱和电流<0.1μA,锗的开启电压——0.1V,导通电压为0.1~0.3V,反向饱和电流几十μA。
(2)主要参数1)最大整流电流I:最大正向平均电流2)最高反向工作电流U:允许外加的最大反向电流,通常为击穿电压U的一半3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向导电性越好,对温度越敏感4)最高工作频率f:二极管工作的上限频率,超过此值二极管不能很好的体现单向导电性7、稳压二极管在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内),端电压几乎不变,表现出稳压特性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。
(1)稳压管的伏安特性(2)主要参数1)稳定电压U:规定电流下稳压管的反向击穿电压2)稳定电流I:稳压管工作在稳定状态时的参考电流。
电流低于此值时稳压效果变坏,甚至根本不稳压,只要不超过稳压管的额定功率,电流越大稳压效果越好。
模电各章节主要知识点总结

06
第六章:信号发生器与信号变换器
信号发生器的定义和分类
总结词
信号发生器是用于产生所需信号的电子设备 ,根据产生信号的方式不同,可以分为振荡 器和调制器两类。
详细描述
信号发生器是用来产生各种所需信号的电子 设备,这些信号可以是正弦波、方波、脉冲 波等。根据产生信号的方式不同,信号发生 器可以分为两类:振荡器和调制器。振荡器 是利用自激反馈产生所需信号的电子设备, 而调制器则是利用调制技术将低频信号加载
THANKS
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限流、分压、反馈等
电阻的串并联
串联增大阻值,并联减小阻值
电容
电容的种类
电解电容、瓷片电容、薄膜电 容等
电容的参数
标称容量、允许偏差、额定电 压、绝缘电阻等
电容的作用
隔直流通交流、滤波、耦合等
电容的充电放电
在交流电下,电容具有“隔直 流通交流”的作用,即让高频 信号通过,阻止低频信号通过
电感
电感的种类
信号变换器的工作原理和应用
• 总结词:模拟式信号变换器的工作原理是将输入的模拟信号进行采样、量化和 编码,转换成数字信号输出;数字式信号变换器则是将输入的数字信号进行解 码和数模转换,转换成模拟信号输出。
• 详细描述:模拟式信号变换器的工作原理是将输入的模拟信号进行采样、量化 和编码,转换成数字信号输出。采样是将连续时间信号转换为离散时间信号的 过程,量化是将采样后的离散值进行近似取整的过程,编码则是将量化后的离 散值转换为二进制码元的过程。数字式信号变换器的工作原理是将输入的数字 信号进行解码和数模转换,转换成模拟信号输出。解码是将输入的数字码元进 行解码的过程,数模转换则是将解码后的离散值转换为连续时间信号的过程。 模拟式和数字式信号变换器在通信、测量、控制等领域有着广泛的应用。
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第二章 信号的运算与处理一、分析依据运算放大器的理想特性和工作在深度负反馈下的两个概念① Ri 很大,Ro 很小,A 很大② 虚短——在深度负反馈的条件下,运放的两输入端的电压差为零即 u N=u P③ 虚断——运放的两输入端不取用电流。
即 i N=i P=01)节点电流法对电路中的任一节点,直接连接于该节点的所有支 路的电流之代数和恒等于零。
2)叠加原理由两个或多个信号源所产生的响应表示为每一个信号源单独作用时所产生的响应之和。
二.基本运算电路1.分析设计公式1)反相比例运算电路R 2 =R 1//R f2)同相比例运算电路R 2=R 1//R f3)反相求和运算电路R 4=R 1//R 2//R 3//R f4)同相求和运算电路R 1//R 2//R 3//R 4=R f //R 55)加减运算电路R 1//R 2//R f =R 3//R 4//R56) 基本差动放大电路i Nv I2+v O-R LR 3R 4+-A v I1 R 1iP v P v NR 2R 1 = R 2 R 3 =R 4 R 3v O =(v I2-v I1)R 17)仪用放大器 R 1+-A 1v Ov 1R 2R 3R 4+-A 3vO1 R 2+-A 2v 2v O2R 4R 3R 4 2R 2v O =-(1+) (v 1-v 2) R 3 R 12.电路特点及设计注意事项 三、其他应用1. 积分运算2. 微分运算3.绝对值运算电路第三章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si 、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*三种模型微变等效电路法三. 二极管应用电路分析*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V 阳 <V 阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
四. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN 结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第四章 三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN 和PNP 两种。
2.工作条件1)内部条件---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触 面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
2)外部条件---发射结正偏,集电结反偏 二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态2. 三极管各极电流的分配BC E I I I +=BC I I β=B E )1(I I β+=* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件) 3. 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线(饱和管压降,用U CES表示)放大区---发射结正偏,集电结反偏。
截止区---发射结反偏,集电结反偏。
饱和区--发射结正偏,集电结正偏。
4. 温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。
I CEO、I C以及β均增加。
温度升高I三. 低频小信号等效模型(简化)h ie---输出端交流短路时的输入电阻,常用r be表示;h fe---输出端交流短路时的正向电流传输比,常用β表示;四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、V CC、R b、R c 、C1、C2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点*直流负载线---由V CC=I C R C+U CE确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响1)改变R b:Q点将沿直流负载线上下移动。
2)改变R c:Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3)改变V CC:直流负载线平移,Q点发生移动。
2. 交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点V CC’= U CEQ+I CQ R L’的直线。
3. 静态工作点与非线性失真(1)截止失真*产生原因---Q点设置过低*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。
*消除方法---减小R b,提高Q。
(2)饱和失真*产生原因---Q点设置过高*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。
*消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC 。
4. 放大器的动态范围(1)U opp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
(2)范围*当(U CEQ-U CES)>(V CC’ - U CEQ)时,受截止失真限制,U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。
*当(U CEQ-U CES)<(V CC’ - U CEQ)时,受饱和失真限制,U OPP=2U OMAX=2 (U CEQ-U CES)。
*当(U CEQ-U CES)=(V CC’ - U CEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。
六. 放大电路的等效电路法1.静态分析(1)静态工作点的近似估算(2)Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区,应满足R B>βRc。
2.放大电路的动态分析* 放大倍数* 输入电阻*输出电阻七. 分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1.静态分析2.动态分析*电压放大倍数在R e两端并一电解电容C e后输入电阻在R e两端并一电解电容C e后* 输出电阻八. 共集电极基本放大电路1.静态分析2.动态分析* 电压放大倍数* 输入电阻* 输出电阻3. 电路特点* 电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。
* 输入电阻高,输出电阻低。
九.复合管的组成及特点1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。
2.类型取决于第一只管子的类型。
3.β=β1·β 2十.多级放大电路(课件)1.极间耦合方式1)阻容耦合----各级静态工作点彼此独立;能有效地传输交流信号;体积小,成本低。
但不便于集成,低频特性差。
2)变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立,可以实现阻抗变换。
体积大,成本高,无法采用集成工艺;不利于传输低频和高频信号。
3)直接耦合----低频特性好,便于集成。
各级静态工作点不独立,互相有影响。
存在“零点漂移”现象。
*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时,静态工作点也随之变化,致使u o偏离初始值“零点”而作随机变动。
4)光电耦合----抗电干扰能力强,多用于信号的远距离传输系统。
2.多级放大电路的动态分析第五章场效应管放大电路双极性三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。
1.能够根据转移特性判别场效应管类型。
(P237表5.5.1)2.能够判断不同组态时输入输出相位关系。
第六章集成运算放大电路一. 集成运放电路的基本组成1.输入级----采用差放电路,以减小零漂。
2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路,以提高放大倍数。
3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。
4.偏置电路----多采用电流源电路,为各级提供合适的静态电流。
二.集成电路中的电流源1.作为偏置电流2.作为有源负载三. 长尾差放电路的原理与特点1. 抑制零点漂移的过程----当T↑→i C1、i C2↑→i E1、i E2 ↑→u E↑→u BE1、u BE2↓→i B1、i B2↓→i C1、i C2↓。
R e对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用,被称为“共模反馈电阻”。
2静态分析1) 计算差放电路I C设U B≈0,则U E=-0.7V,得2) 计算差放电路U CE•双端输出时••单端输出时(设VT1集电极接R L)对于VT1:对于VT2:3. 动态分析1)差模电压放大倍数•双端输出••单端输出时从VT1单端输出:从VT2单端输出:2)差模输入电阻3)差模输出电阻•双端输出:•单端输出:三. 集成运放的电压传输特性当u I在+U im与-U im之间,运放工作在线性区域:四. 理想集成运放的参数及分析方法1. 理想集成运放的参数特征* 开环电压放大倍数A od→∞;* 差模输入电阻R id→∞;* 输出电阻R o→0;* 共模抑制比K CMR→∞;2. 理想集成运放的分析方法1) 运放工作在线性区:* 电路特征——引入负反馈* 电路特点——“虚短”和“虚断”:2) 运放工作在非线性区* 电路特征——开环或引入正反馈* 电路特点——输出电压的两种饱和状态:当u+>u-时,u o=+U om当u+<u-时,u o=-U om两输入端的输入电流为零:i+=i-=0第七章放大电路中的反馈一. 反馈概念的建立*开环放大倍数---A*闭环放大倍数---Af*反馈深度---1+AF*环路增益---AF:1.当AF>0时,Af下降,这种反馈称为负反馈。
2.当AF=0时,表明反馈效果为零。
3.当AF<0时,Af升高,这种反馈称为正反馈。
4.当AF=-1时,Af→∞。
放大器处于“自激振荡”状态。
二.反馈的形式和判断1. 反馈的范围----本级或级间。
2. 反馈的性质----交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存在反馈则为交流反馈,交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。
3. 反馈的取样----电压反馈:反馈量取样于输出电压;具有稳定输出电压的作用。