模电判断题.
模电复习题——精选推荐
基本概念部分一.判断题（1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。
√ ）（2、PN 结正向电流的大小由温度决定的。
×）（3、PN 结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。
×）（4、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
×）（5、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
√ ）（6、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
×）（7、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；×）（8、可以说任何放大电路都具有功率放大作用；√ ）（9、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；×）（10、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；×）（11、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；√ ）12、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫（无变化；×）13. 一个完全对称的差动放大器，其共模放大倍数为零。
（√ ）14. 一个理想的差动放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（√ ）15. 差动放大电路的Aud 越大越好，而Auc 则越小越好。
（√ ）（15.零点漂移就是静态工作点的漂移。
√ ）（17.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
√ ）（18.不管差动放大电路的参数是否理想对称，Re 均有共模负反馈作用。
√ ）19．放大电路采用复合管是为了减小输入电阻和放大倍数。
（×）20.镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
（√ ）21.在差动放大电路中采用恒流源作集电极负载能够增大差模放大倍数，同时也可以增大共模抑制比。
（√ ）（22．射极输出器是串联电压负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。
√ ）。
23.在运算电路中，运放的同相输入端和反相输入端均为“虚地”（×）（24.运算电路中的运放一般均引入负反馈。
√ ）25.电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。
模电判断100题
模电判断100题1. （）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
答案:错. 两级接在一起，第二级就是第一级的负载，加了负载，放大倍数就会减小2.（）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。
答案:对.阻容耦合，中间有隔直电容，只能传递交流，不能传递直流.所以能放大交流，但Q独立。
3.（）放大电路的输出电阻越小，称为放大电路的带负载能力越强。
答案：对4. （）只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
答案：错5. （）在环境温度升高时，二极管的正向压降将减小。
答案：对。
在环境温度升高1度，二极管的正向压降将减小2-2.5mV6. （）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
答案：错7. （）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
答案：对8. （）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
答案：错。
半导体是不带电的，无论是N还是P。
多子是电子的，会相应的有正离子存在，整个半导体是中性。
9. （）图中电路能放大正弦信号。
答案：不能。
画交流通路。
Vbb把Ui短路了。
10. 图2为图1放大电路的交流等效电路。
答案：错，多Re11.放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。
答案：错。
因为放大倍数稳定决定于1+AF。
12.若放大电路的放大倍数为负倍数，则引入的反馈一定是负反馈。
答案：错。
负反馈与放大倍数正负无关，比如同相比例电路。
放大倍数是正，反馈是负。
13.运算电路中一般均引入负反馈。
答案：对。
14.若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电流基本不变。
答案：错。
因为没说引入的是什么（电压或电流）负反馈。
该是电流负反馈。
15.负反馈放大电路的放大倍数一定比组成它的基本放大电路的放大倍数小。
答案：对。
负反馈，净输入减小。
所以输出会减小，，输出比原始输入肯定减小。
输出/原始输入。
模拟电子技术判断题
模拟电子技术判断题-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII1，在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
√2，因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
×3，二极管在工作电流大于最大整流电流If时会损坏。
×4，只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
×1，可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。
×2，MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
√3，NMOS管存在异电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
×4，结型场效应管外加的栅源电压应是栅源间的PN结反偏。
√5，场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。
√1，放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关。
×2，共发射极放大电路由于输出电压与输入电压反相，输入电阻不是很大而且输出电阻又较大，估很少应用。
×3，单端输出的具有电流源的差分放大电路，主要靠电流源的横流特性来抑制温漂。
√4，乙类互补对称功率放大电路输出功率越大，功率管的损耗也就越大，所以放大器效率也越小。
×5，OCL电路中输入信号越大，交越失真也越大。
×6，直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。
√1，直流负反馈只存在于直接耦合电路中，交流负反馈只存在于阻容耦合电路中。
×2，若放大电路的A＞0，则接入的反馈一定是正反馈，若A＜0，则接入的反馈一定是负反馈。
×3，共集电极放大电路，由于Au≤1，估该电路没有负反馈。
×4，当输入信号是一个失真的正弦波，加入负反馈后能使失真减小。
×5，负反馈只能改善反馈环路以内电路的放大性能，对反馈环路之外电路无效。
√6，在深度负反馈放大电路中，只有尽可能的增大开环放大倍数，才能有效地提高闭环放大倍数。
(完整word版)模电复习资料(判断和填空有答案)
判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
(对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性.(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区，放大区,截止区。
(错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少。
(错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区.（错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
(对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1，而接近于1。
（错）射极输出器不具有电压放大作用.（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）直流放大器只能放大直流信号。
（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。
（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄.（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和.（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
(错)第四章在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。
(对)第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级,偏置电路这几个部分组成。
模电考试试题10套和答案(打印版)
坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。
2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。
3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。
4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。
6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。
8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR为__________之比。
9．某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。
图1二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。
模电试卷及答案 大题判断填空选择
模电大题选择，填空判断一、VD1,VD2为理想二极管，其导通电压为0V，电路如图所示，画出u O的波形。
（15分）二、判别题：（21分）1、若放大电路中三极管3个电极的电位分别为下列各组数值，试确定它们的电极和三极管的类型。
（a）①5V ②1.2V ③0.5V（b）①6V ②5.8V ③1V（c）①-8V ②-0.2V ③0V2、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电流并联负反馈，这些反馈是否能够（1）稳定输出电压（）（2）稳定输出电流（）（3）增加输出电阻（）（4）增加输入电阻（）（5）增大静态电流（）（6）稳定静态电流（）三、某两级阻容耦合放大电路如图所示，已知β1= β2=40，试求：（24分）（1）各级电路的静态工作点；（2）各级电压放大倍数Au1，Au2和总电压放大倍数Au；（3）放大器输入电阻Ri和输出电阻Ro；（4）后级采用什么电路？有什么优点？四、OTL电路如图所示，电容C足够大，三极管的饱和压降U CES=1V，求：（15分）（1）电路中VT1、VT2工作在哪一种方式？（2）R1、VD1、VD2的作用是什么？（3）电位器RP的作用是什么？（4）负载R L上能够得到的最大不失真输出功率P omax是多少？五、如图所示电路属长尾式差动放大器。
已知VT1、VT2为硅管。
β =100，试计算（15分）（1）电路静态工作点Q；（2）差模电压放大倍数A ud；（3）差模输入电阻R id和输出电阻R od。
六、判断图示电路中反馈是何种交流反馈类型，若满足深度负反馈条件，求电压放大增益。
（15分）七、运算放大器应用电路如图所示，图中运放均为理想运放，U BE=0.7V。
（15分）（1）求出三极管c、b、e各极对地电位；（2）若电压表读数为200mV，试求出三极管的β值。
九、具有放大环节的串联型稳压电路如图所示，已知变压器副边u2的有效值为16V，三极管VT1、VT2的β1= β2 =50，U BE1=U BE2=0.7V, U Z=+5.3V，R1=300Ω，R2=200Ω，R3=300Ω，Rc2=2.5kΩ。
模电判断题
第一篇电子电路基础知识一、判断题（正确的打√，错误的打×）1、射极输出器不具有电压放大作用。
（√）2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
（√）3、在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。
（×）说明：效率最高是的乙类功放.4、逻辑电路中“1”比“0”大。
（×）说明：逻辑电路中“1”与“0”不存在大小之分。
5、石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。
（√）6、直流放大器只能放大直流信号。
（√）7、在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（√）8、振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性（×）9、直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号（√）10、差动放大器如果注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小零点漂移（√）11、放大器具有正反馈特性时，电路必然产生自激振荡（×）12、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄（×）说明：级数愈少，通频带愈宽。
13、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以e极和c极可以互换使用（×）14、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（×）15、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。
（×）16、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（×）17、用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。
（×）18、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（×）19、PNP三极管处于截止状态时，发射结正偏（×）20、晶体三极管具有能量放大功能。
（×）21、当集电极电流值大于集电极最大允许时，晶体三极管一定损坏。
（√）22、一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。
模拟电子技术选择判断题
模拟电子技术选择判断题1、半导体二极管加正向电压时，有( ) [单选题] *A、电流大电阻小(正确答案)B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大2、PN结正向偏置时，其内电场被( ) [单选题] *A、削弱(正确答案)B、增强C、不变D、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于( ) [单选题] *A、反向偏置击穿状态(正确答案)B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态4、在本征半导体中掺入()构成P型半导体。
[单选题] *A、3价元素(正确答案)B、4价元素C、5价元素D、6价元素5、 PN结V—I特性的表达示为( ) [单选题] *A、(正确答案)B、C、D、6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带( ) [单选题] *A、变宽B、变窄(正确答案)C、不变D、与各单级放大电路无关7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为( ) [单选题] *A、10kΩB、2kΩC、4kΩ(正确答案)D、3Kω8、三极管工作于放大状态的条件是( ) [单选题] *A、发射结正偏，集电结反偏(正确答案)B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏9、三极管电流源电路的特点是( ) [单选题] *A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大(正确答案)C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大10、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC应当( ) [单选题] *A、短路(正确答案)B、开路C、保留不变D、电流源11、带射极电阻Re的共射放大电路，在并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将() [单选题] *A、减小B、增大(正确答案)C、不变D、变为零12、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
模电试题-选择、判断题
一、判断题（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×（7）×（8）√（9）×（10）×（11）√（12）×（13）×（14）×（15）√（16）×（17）×（18）√（19）×（20）√（21）×（22）√（23）√（24）×（25）√（26）×（27）√（28）×（29）×（30）×（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
（）（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（7）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（8）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（9）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（10）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（11）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（12）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（13）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（14）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（15）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。
( )（16）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，它只能放大直流信号。
( )（17）只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
模电复习题和答案
模电复习题和答案判断题1、在N型半导体中如果掺有⾜够量的三价素，可将其改型为P型半导体(√).2、因为N型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电（×）。
3、处于放⼤状态的晶体管，集电极电流是多⼦漂移运动形成的。
（×）4、结型场效应管的栅-源电压的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS⼤的特点。
（√）5、放⼤电路必须加上合适的直流电源才能正常⼯作（√）6、只有电路既放⼤电流⼜放⼤电压，才称其有放⼤作⽤（√）7、阻容耦合多级放⼤电路各级的Q点相互独⽴，（√）它只能放⼤交流信号。
（√）8、直接耦合多级放⼤电路各级的Q点相互影响，（√）它只能放⼤直流信号。
（×）9、运放的输⼊失调电压U IO是两输⼊电压之差（×）10、运放的输⼊失调电流I IO是两输⼊端电流之差（×）11、若放⼤电路的放⼤倍数为负，则引⼊的反馈⼀定是负反馈（×）12、负反馈放⼤电路的放⼤倍数与组成它的基本放⼤电路的放⼤倍数量纲基本相同（√）13、运算放⼤电路⼀般均引⼊负反馈（√）14、在集成运算电路中，集成运放的反相输⼊端均为虚地（×）。
15、只要电路引⼊了正反馈，就⼀定会产⽣正弦波震荡（×）16、凡是振荡电路中的集成运放均⼯作在线性区。
（×）17、在功率放⼤电路中，输出功率越⼤，功放管的功耗越⼤（×）18、功放电路的最⼤输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最⼤交流功率（√）。
19、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压（√）。
20、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有⼀只整流管断开，输出平均电压变为原来的⼀半（×）。
⼆、填空题1、在本征半导体中加五价元素可形成N型半导体，加⼊三价元素可形成形成P型半导体。
2、⼯作在放⼤区的某三极管，如果当I B从12uA增⼤到22uA时，I C从1mA变到2mA，那麽它的β约为100 。
模拟电子技术模电-第2章答案(含大题)
第二章训练题一、判断题：1.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（×）2. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
（×）3.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（× ）4.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
5. 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
（×）6. 当单级放大电路的静态工作点过高时，根据I b=I c/β，可选用β大的晶体三极管来减小I b 。
（×）7. 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（×）8. 若单管共射放大电路中的三极管为NPN型，输出电压的底部失真时为饱和失真。
（√）9. 在共射放大电路中，若晶体管为NPN，输出电压u o出现底部失真，则该失真为截止失真。
（×）10. 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
（×）11.可以说任何放大电路都有功率放大作用；（√）12.若单管共射放大电路出现截止失真，可适当增大基极电阻R B消除失真。
（ × ）13.某二级电压放大电路中，已知A u1=－10、A u2=－50 ，则总的电压放大倍数为500。
（√）14. 某二级电压放大电路中，已知Au1=50、Au2=100 ，则总的电压放大倍数为150。
（√）15. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
（×）16. 有人测得晶体管的U BE=0.7V, I B=20µA，因此推算出：be r=U BE/I B=0.7V/20µA=35KΩ。
（×）17.放大电路如图1所示，已知：U CC＝12V，R B＝240kΩ，R C＝3kΩ，晶体管β＝40，且忽略U BE。
模电复习试题及答案(选择、填空、判断)
《模拟电子技术》复习题综合（半导体基础知识、单管共射放大电路）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。
模电课后习题答案
2、在常温下，硅二极管的门限电压约0.6V，导通后在较大电流下的正向压降约0.7V；锗二极管的门限电压约0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约0.2V。
3、在常温下，发光二极管的正向导通电压约1.2~2V，高于硅二极管的门限电压；考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在5~10mA。
4、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为普通（稳压）二极管。请写出这种管子四种主要参数，分别是最大整流电流、反向击穿电压、反向电流和极间电容。
解：题图2.1.4所示的电路图中，图（a）所示电路，二极管D导通，VAO=－6V，
图（b）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VAO=－0V，
图（c）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VAO=－0V。
2.1.5在用万用表的 三个欧姆档测量某二极管的正向电阻时，共测得三个数据； ，试判断它们各是哪一档测出的。
解：万用表测量电阻时，对应的测量电路和伏安特性如图2.1.5所示，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值，用指针的偏转表示在表盘上。当流过的电流大时，指示的电阻小。测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效直流电阻值和联合决定。
通常万用表欧姆档的电池电压为Ei= 1.5V， 档时，表头指针的满量程为100μA（测量电阻为0，流经电阻Ri的电流为10mA），万用表的内阻为 ； 档时，万用表的内阻为 （测量电阻为0，表头满量程时，流经Ri的电流为1mA）； 档时（测量电阻为0，表头满量程时，流经Ri的电流为0.1mA），万用表的内阻为 ；
模拟电子技术期末试卷5套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ） 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ） 差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
模电试卷
一、判断题1、在P 型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N 型半导体。
（X ）2、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（X ）3、只要集成运放引入正反馈，就一定工作在非线性区。
（X ）4、在电源电压相同的情况下，功率放大电路比电流放大电路的输出功率大。
（ ）5、整流的目的是将交流变为直流。
（ ）二、选择题1、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为（ C ）A 正值B 负值C 零D 未知2、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ A ）A 集成工艺难于制造大容量电容B 可获得很大的放大倍数C 可使温漂小3、直流负反馈是指（ B ）A 直接耦合放大电路中所引入的负反馈B 在直流通路中的负反馈C 只有放大直流信号时才有的负反馈而交流负反馈是指（ A ）A 在交流通路中的负反馈B 阻容耦合放大电路中所引入的负反馈C 只有放大交流信号时才有的负反馈4、通用型集成运放适用于放大（ C ）A 任何频率信号B 高频信号C 低频信号5、为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器，应采用哪种类型的滤波电路（ A ）A 带阻B 带通C 低通D 高通6、欲实现50-=u A 的放大电路，应选用（C ）A 微分运算电路B 同相比例运算电路C 反相比例运算电路D 积分运算电路7、LC 串联网络在谐振时呈（ B ），在信号频率大于谐振频率时呈（A ），在信号频率小于谐振频率时呈（ C ）A 感性B 阻性C 容性8、现有直接耦合基本放大电路如下：A 共射电路B 共集电路C 共基电路选择合适答案填入空内。
（1）输入电阻最小的电路是（ C ）（2）输出电阻最小的电路是（B ）（3）高频特性最好的电路是（ C ）（4）输入电压与输出电压反相的电路是（ A ）9、在输入量不变的情况下，若引入反馈后（B ），则说明引入的反馈是负反馈。
A 输入电阻增大B 净输入量减小C 净输入量增大D 输出量增大三、填空题1、欲得到电流-电压转换电路，应在放大电路中引入 （1）电压并联 负反馈；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（2）电流串联 负反馈；欲减小电路从信号源索取的电流，增强带负载能力，应在放大电路中引入（3）电压串联 负反馈；欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（4）电流并联 负反馈。
模电判断题.
A三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（√）2．放大电路产生饱和失真或截止失真的根本原因是静态工作点不合适。
（√）3．复合管的β值近似等于组成它的各三极管β值的乘积。
（√）4．只要放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
（×）5．直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。
（√）B三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（×）2．任何放大电路都既能放大电流又能放大电压。
（×）3．在推挽功率放大器中，当两只晶体三极管有合适的偏置时，就可以消除交越失真。
（√）4．在输入量不变的情况下，若引入反馈后净输入量减小，则说明引入的反馈是负反馈。
（√）5．功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。
（×）C三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．温度升高后，本征半导体两种载流子的浓度仍然相等。
（√）2．场效应管是由电压来控制电流的器件，仅靠一种载流子导电。
（√）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（√）4．负反馈放大电路的闭环放大倍数和开环放大倍数的量纲不相同。
（×）5．直流电源是一种将正弦信号变换为直流信号的波形变换电路。
（×）D三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性进行稳压的。
（√）2．阻容耦合多级放大电路各级的静态工作点是相互独立的，它只能放大交流信号。
（√）3．差分放大电路中，公共发射极电阻R E的主要作用是提高共模抑制比。
（√）4．二阶压控电压源低通滤波器在高频段幅频特性的变化规律为40dB/十倍频。
模电判断题——精选推荐
模电判断题模拟电⼦技术版）期末练习判断题⼀、判断题(每题1分)1.在桥式整流电路中，如⽤交流电压表测出变压器⼆次侧的交流电压为20V，则在纯电阻负载两端⽤直流电压表测出的电压值约为18V。
（）2. P型半导体带正电，N型半导体带负电。
3.在P型半导体中掺⼊⾼浓度的五价元素，可以改型为N型半导体。
4.硅⼆极管正向导通时，其两端的电压很⼩的变化，会引起电流较⼤的变化。
5. PN结正偏时，势垒电容效应明显；PN结反偏时，扩散电容效应明显。
6. PN结在⽆光照、⽆外加电压时，结电流为零。
（）7.⼆极管在反向电压超过最⾼反向⼯作电压U RM时会损坏。
8.半导体中空⽳带正电，电⼦带负电。
9.⼆极管在⼯作电流⼤于最⼤整流电流I F时会损坏。
（）10.在变压器⼆次侧电压和负载电阻相同的情况下，因为桥式整流电路的输出电流是半波整流电路的输出电流的2倍，因此，它们的整流管的平均电流⽐值为2:1。
（）11.在变压器⼆次侧电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路的输出电流的2倍。
（）因此，它们的整流管的平均电流⽐值为2:1。
（）12.若电源变压器⼆次侧电压的有效值为U2，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时2U。
（）的输出电压均为213.光电⼆极管是受光器件，能将光信号转换电信号。
（）14.发光⼆极管使⽤时必须反向偏置，光电⼆极管则应该正向偏置。
（）15.变容⼆极管的特点是结电容随反偏电压的⼤⼩变化。
（）16.在变压器⼆次侧电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路的输出电流的2倍。
（）17.⼆极管在⼯作频率⼤于最⾼⼯作频率f M时会损坏。
18.当输⼊电压为正弦波时，若PNP管共发射极放⼤电路发⽣饱和失真，则基极电流的波形将正半波削波，（）。
输出电压u o 的波形将负半波削波（）19.由于发射区和集电区的杂质浓度以及⾯积不同，因此BJT的集电极和发射极不能互换使⽤。
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A三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（√）2．放大电路产生饱和失真或截止失真的根本原因是静态工作点不合适。
（√）3．复合管的β值近似等于组成它的各三极管β值的乘积。
（√）4．只要放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
（×）5．直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。
（√）B三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（×）2．任何放大电路都既能放大电流又能放大电压。
（×）3．在推挽功率放大器中，当两只晶体三极管有合适的偏置时，就可以消除交越失真。
（√）4．在输入量不变的情况下，若引入反馈后净输入量减小，则说明引入的反馈是负反馈。
（√）5．功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。
（×）C三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．温度升高后，本征半导体两种载流子的浓度仍然相等。
（√）2．场效应管是由电压来控制电流的器件，仅靠一种载流子导电。
（√）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（√）4．负反馈放大电路的闭环放大倍数和开环放大倍数的量纲不相同。
（×）5．直流电源是一种将正弦信号变换为直流信号的波形变换电路。
（×）D三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性进行稳压的。
（√）2．阻容耦合多级放大电路各级的静态工作点是相互独立的，它只能放大交流信号。
（√）3．差分放大电路中，公共发射极电阻R E的主要作用是提高共模抑制比。
（√）4．二阶压控电压源低通滤波器在高频段幅频特性的变化规律为40dB/十倍频。
（×）5．只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
（×）E一、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．将两块PN结连接在一起，即可组成NPN型或PNP 型三极管。
（×）2．多级分立元件放大电路中，射极输出器可降低输出电阻，提高带负载能力。
（√）3．多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄。
（√）4．在深度负反馈放大电路中，闭环放大倍数A f与反馈网络有关，而与放大器开环放大倍数A无关，故可以省去放大通路，仅留下反馈网络，来获得稳定的放大倍数。
（×）5．OTL电路要求输出功率足够大，因而它的电压放大倍数和电流放大倍数均大于1。
（×）F一、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．场效应管中的多子和少子均参与导电。
（）2．共模抑制比越大，差动放大电路抑制零点漂移的能力越强。
（）3．若放大电路的Au小于1，则接入的反馈一定是负反馈；若放大电路的Au大于1，则接入的反馈一定是正反馈。
（）4．运放在非线性应用时，必需使它处于开环或正反馈状态。
（）5．OCL电路要求输出功率足够大，因而它的电压放大倍数和电流放大倍数均大于1。
（）G一、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．虽然N型半导体中的多数载流子是空穴，但是N型半导体仍呈电中性。
（）2．阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。
（）3．运算放大器的输入电流接近于零，因此，将输入端断开，运算放大器仍可以正常工作。
（）4．凡是能产生自激振荡的电路一定具有正反馈。
（）5．功率放大器的主要任务就是向负载提供足够大的不失真的功率信号。
（）H一、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。
（√）2．晶体管的输入电阻be r是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。
（×）3．射极输出器的输入电流是B I，输出电流是E I，因此，具有较高的电流放大倍数。
（√）4．反相比例运算电路反馈电阻引入负反馈，同相比例运算放大电路反馈电阻引入正反馈。
（×）5．多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄。
（√）I一、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．有两个晶体管，其中第一个管子的β1=150，Iceo1=200μA，第二个管子的β2=50，Iceo1=10μA，其他参数都一样。
由于β1>β2，因此第一个管子的性能优于第二个管子的性能。
（×）2．将两个空载时2021-==u u A A 的共射放大电路级联，总的400=uA 。
（×）3．负反馈只能改善反馈环路以内的放大性能，对反馈环之外电路无效。
（√）4．电压放大电路工作于小信号状态，功率放大电路工作于大信号状态。
（√）5．在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。
（√）J 一、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．可以说任何放大电路都有功率放大作用。
（√）2．只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
（×）3．反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
（×）4．为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器应用高通滤波器。
（×）5．桥氏整流电路在接入电容滤波后，输出直流电压会升高。
（√）K 三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．放大器能将微弱的输入信号放大成能量较大的信号输出，因此说，三极管具有能量放大的作用。
（ ）2．由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以两个场效就管不能组成复合管。
（ ）3．射极输出器的输入信号加在BJT 的基极，输出取自发射极。
因此，输出电压的大小可用公式BE B E u u u -=进行计算。
（ ）4．乙类功放中的两个三极管交替工作，各导通半个周期。
（ ）5．一最大输出功率为W 10的互补对称功放电路，其功放管至少应选耗散功率CMP 为W 2的晶体管。
（ ）L 三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．场效应管中的多子和少子均参与导电。
（ ）2．射极输出器的输入电流是B I ，输出电流是E I ，只要负载电阻选择得当，输出电压就可比输入电压大得多。
（ ）3．若放大电路的u A 小于1，则接入的反馈一定是负反馈；若放大电路的u A 大于1，则接入的反馈一定是正反馈。
（ ）4．只要满足AF=1，ϕa +ϕf =2n π这两个条件，就可以产生正弦波振荡。
（ ）5．在OTL 功放电路中，输出耦合电容的主要作用是“隔直”，防止直流经负载短路。
（ ）M 三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．场效应管仅多子参与导电，它放大时由栅极电流控制漏极电流。
（ ）2．放大电路处于静态时，电路中的电流、电压均为直流；当它工作在动态时，电路中的电流、电压则均为交流。
（ ）3．理想运放工作在线性状态，两输入端电压近似相等，即-+=U U 。
（ ）4．用集成稳压器构成稳压电路，输出电压稳定，在实际应用时，不需考虑输入电压大小。
（ ）5．有一乙类功放电路，其电源电压V V CC 16=，Ω=8LR ，在理想情况下可得到最大输出功率为W 16。
N 三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．PN 结的伏安特性方程可以描述其正向特性和反向特性，也可以描述其击穿特性。
（ ）2．直接耦合的放大电路与阻容耦合放大电路的频率特性曲线并没有区别。
（ ）3．一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，而不能放大共模信号。
（ ）4．集成运算电路中一般均引入负反馈，而在振荡电路中不存在负反馈。
（ ）5．互补对称功率放大电路从放大作用看，只有电流放大作用，没有电压放大作用。
（ ）O 三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．通常的JFET 在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
（√）2．只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（ ）3．若放大电路引入深度电流串联负反馈，则电压放大倍数可稳定不变。
（）4．集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（√）5．直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
（√）P三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
（）2．阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。
（）3．若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
（）4．在LC正弦波振荡电路中，不用通用型集成运放作放5．在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
Q三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。
（√）2．只有当两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管）时才能组成复合管。
（ ）3．在负反馈放大电器中，在反馈系数较大的情况下，只有尽可能地增大开环放大倍数，才能有效地提高闭环放大倍数。
（ ）4．在正弦波振荡电路中，只允许存在正反馈，不允许引入负反馈。
（ ）5．顾名思义，功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
（ ）R 三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．共集放大电路的电压放大倍数总是小于1，故不能用来实现功率放大。
（×）2．差动放大电路中的长尾电阻ER 对共模信号和差模信号都有负反馈作用，因此，这种电路是靠牺牲差模电压放大倍数来换取对共模信号的抑制作用的。
（×） 3．在深度负反馈的条件下，由于闭环放大倍数F A 1 ，与管子参数几乎无关，因此可以任意选用晶体管来组成放大级，管子的参数也就没有什么意义了。
（×）4．甲乙类互补对称功率放大电路不会出现交越失真，且其效率较高，静态功耗较低。