SR160 肖特基二极管
肖特基整流二极管参数
肖特基整流二极管参数
肖特基二极管，也叫热电子二极管，主要由金属半导体(Metal-Semiconductor)制成，与传统半导体二极管不同，它具有更高的速度和更低的噪音水平，可用于射频和高速电路等领域。
下面，我们将阐
述肖特基二极管的参数特性。
1. 正向电压临界值：肖特基二极管的正向宽幅临界电压尤为重要，正
常范围是0.2 V到 0.5 V。
当这个电压在设备中超过这个限制，指定的功能将无法正常工作。
2. 反向电流 (I_Leakage)：即在正向电压下所引起的漏电流，通常为
pA级别，也就是微小的电流。
如果设备的反向电流大于这个值，将会导致设备的性能下降。
3. 稳定性：肖特基二极管具有很好的热稳定性，能够在极端环境下工作，比如极寒或极热的温度环境下，其性能也相对稳定。
4. 瞬时响应速度：肖特基二极管具有极快的响应速度，可以在亚纳秒(nS)的时间内响应。
这种快速响应时间非常适合处理大量的高速数据。
5. 更低的开关延时：肖特基二极管实现布尔逻辑电路的开关控制时，
具有比传统半导体二极管更低的开关延迟，从而可以在更短的时间内完成数据处理。
6. 热耐性：由于肖特基二极管的制造材料具有一定的热稳定性，因此耐高温的性能相对而言更好。
可以在高温环境下使用，而不会导致过多的性能下降。
总之，肖特基二极管具有响应速度快、稳定性好、耐高温等特点，适用于高速电路和射频领域等领域，在实际应用中有非常广泛的应用价值。
肖特基二极管有哪些作用
肖特基二极管有哪些作用1.快速开关速度：肖特基二极管具有快速开关和恢复的特性，其导通和截止速度非常快。
其恢复时间较短，使得它能够在高频或需要快速开关的应用中发挥作用。
因此，肖特基二极管常被用作整流器和电路中的开关元件。
2.低压降：肖特基二极管在正向偏置时，具有较低的压降，一般为0.2V至0.3V。
这意味着在正向偏置情况下，肖特基二极管比常规普通二极管具有更小的正向压降，从而减少了能量损耗。
因此，肖特基二极管可以在低压应用中提供更高的效率和性能。
3.高温特性：肖特基二极管具有较好的高温稳定性。
由于它的结构设计，它可以在高温环境下工作而不会受到过热的影响。
这使得肖特基二极管在高温应用中非常有用，例如汽车电子系统中的电源管理和电动机驱动等。
4.抗反向击穿能力：肖特基二极管具有较高的抗反向击穿能力。
这使得它能够在反向偏置时保持较高的正向电流，并且不易被损坏。
这使得肖特基二极管在电源保护和电路中的反向电流保护等应用中广泛使用。
5.较低的存储电荷：肖特基二极管具有较低的存储电荷，这使得它能够迅速地从导通状态切换到截止状态。
这在高频应用中非常有用，因为它减少了开关过程中的能量损耗。
所以，在高频电路和射频通信系统中，肖特基二极管可以提供更好的性能和效率。
6. 逆向恢复时间短：由于肖特基二极管结构的特殊性，逆向恢复时间（Reverse Recovery Time）非常短，通常为纳秒级。
这使得它能够更快地从导通状态转变为截止状态，并且在应用中具有较高的效率。
综上所述，肖特基二极管具有快速开关速度、低压降、高温特性、抗反向击穿能力、低存储电荷和短逆向恢复时间等多种重要作用。
这些特性使得肖特基二极管在电源管理、电动机控制、电子设备、射频通信、高频电路和汽车电子等领域有着广泛的应用。
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode缩写成SBD）的简称。
肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。
但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。
肖特基二极管常用参数大全
肖特基二极管常用参数大全1.电流电压特性：肖特基二极管的电流电压特性是其最重要的参数之一、它包括正向电压、反向电压和漏泄电流。
正向电压是指在正向偏置情况下肖特基二极管所支持的最大电压值。
反向电压是指在反向偏置情况下肖特基二极管所能承受的最大电压值。
漏泄电流是指当肖特基二极管处于反向偏置状态时，从阳极到阴极电流的数值。
2.规格参数：肖特基二极管的规格参数包括最大额定电流、最大额定功率和最大频率。
最大额定电流是指肖特基二极管所能承受的最大电流值。
最大额定功率是指肖特基二极管所能承受的最大功率值。
最大频率是指肖特基二极管所能支持的最高工作频率。
3.转导电导：转导电导是指肖特基二极管在正向偏压下的导纳值。
它是电流和电压的比值，用来衡量肖特基二极管的导电能力。
4.热稳定性：5.漏极电容：漏极电容是指肖特基二极管的漏极到阴极之间的电容值。
它与肖特基二极管的工作频率密切相关。
6.正向压降：正向压降是指肖特基二极管在正向偏压下的电压降。
较低的正向压降意味着肖特基二极管的能耗较低。
7.动态电阻：动态电阻是指肖特基二极管在正向偏压下的阻抗大小。
它与肖特基二极管的导通特性相关。
8.寿命：寿命是指肖特基二极管的使用寿命。
一个好的肖特基二极管应该具有较长的寿命。
9.噪声：噪声是指肖特基二极管产生的噪声信号。
较小的噪声意味着肖特基二极管具有较低的噪音水平。
10.尺寸与封装：尺寸与封装是指肖特基二极管的物理尺寸和封装形式。
常见的封装包括TO-220、TO-247等。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管参数表（原创版）目录1.肖特基二极管的概念与特点2.肖特基二极管的参数表及其含义3.肖特基二极管的应用领域4.肖特基二极管的发展前景正文一、肖特基二极管的概念与特点肖特基二极管，又称为肖特基势垒二极管，是一种金属与半导体接触的电子器件。
它具有很高的工作速度、较低的正向电压和较大的反向电流。
肖特基二极管的这些特性使其在电子设备中具有广泛的应用。
二、肖特基二极管的参数表及其含义肖特基二极管的参数表包括以下几个主要参数：1.最大重复峰值反向电压（VRRM）：表示肖特基二极管能够承受的最大重复峰值反向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VRRM 为 200V。
2.最大直流闭锁电压（VDC）：表示肖特基二极管在最大直流电压下能够正常工作的电压值。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VDC 为 200V。
3.最大正向平均整流电流（I(AV)）：表示肖特基二极管在最大正向电压下能够通过的平均整流电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 I(AV) 为 10.0A。
4.最大瞬时正向电压（VF）：表示肖特基二极管在最大正向电流下能够承受的瞬时正向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VF 为 0.92V。
5.额定直流阻断电压下的最大直流反向电流（IR）：表示肖特基二极管在最大直流阻断电压下能够承受的最大直流反向电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 IR 在最大直流阻断电压 TA25 下为0.1mA，在最大直流阻断电压 TA125 下为 20.0mA。
6.工作温度和存储温度范围（TJ,TSTG）：表示肖特基二极管能够正常工作的温度范围。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的工作温度和存储温度范围为 -65to 175。
三、肖特基二极管的应用领域肖特基二极管广泛应用于各种电子设备中，如电源开关、稳压器、充电器、电视机、收音机等。
其高速开关特性使得肖特基二极管在高频应用领域具有优势。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有低功耗、大电流、超高速特性的半导体器件。
它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管的参数表通常包括以下内容：1. VF（Forward Voltage Drop）：正向压降。
这是肖特基二极管在正向导通时，从阳极到阴极的电压降。
通常情况下，VF的值较低，大约在0.4V到0.7V之间。
2. VFM（Maximum Forward Voltage Drop）：最大正向压降。
这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。
VFM决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。
3. VBR（Reverse Breakdown Voltage）：反向击穿电压。
这是肖特基二极管在反向偏置时，能够承受的最大电压，超过这个电压会导致器件损坏。
4. VRRM（Peak Reverse Voltage）：峰值反向电压。
这是设备在反向工作时所能承受的最大电压。
VRRM通常高于VBR，以确保器件在正常操作中不会因反向电压而损坏。
5. VRsM（Non-Repetitive Peak Reverse Voltage）：非反复峰值反向电压。
这是设备在非反复模式（如单次脉冲）下所能承受的最大反向电压。
6. VRwM（Reverse Working Voltage）：反向工作电压。
这是设备在反向偏置时能够安全工作的电压。
7. Vpc（Maximum DC Blocking Voltage）：最大直流截止电压。
这是肖特基二极管能够承受的最大直流电压，用于防止器件因过压而损坏。
8. Trr（Reverse Recovery Time）：反向恢复时间。
这是肖特基二极管从反向偏置到正向偏置的恢复时间，通常很短，大约在几纳秒到几十纳秒之间。
肖特基二极管主要参数
肖特基二极管主要参数
肖特基二极管是一种半导体二极管，它具有相比传统矽二极管更高的开关速度和低噪声特性。
以下是肖特基二极管的主要参数：
1. 正向电压降（Forward Voltage Drop）：肖特基二极管在正向导通状态下的电压降。
通常为0.2-0.5V，较低矽二极管的典型值更小。
2. 反向电压（Reverse Voltage）：肖特基二极管可以承受的最大反向电压。
通常为30-200V。
3. 正向电流（Forward Current）：肖特基二极管在正向导通状态下可以通过的最大电流。
通常为几十毫安到几安。
4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current）：肖特基二极管在反向偏置状态下的漏电流。
通常非常小，一般为几微安到几毫安。
5. 开关速度（Switching Speed）：肖特基二极管的响应速度。
由于肖特基二极管中没有存储电荷，所以其开关速度较矽二极管更快。
6. 热稳定性（Thermal Stability）：肖特基二极管的温度特性。
肖特基二极管具有较低的温度导致电流变化的特点。
7. 噪声系数（Noise figure）：肖特基二极管的噪声性能。
由于肖特基二极管的结构特点，其在高频应用中具有较低的噪声系数。
这些参数可以帮助工程师选择合适的肖特基二极管用于特定应用，例如高频放大器、开关电路和功率电源等。
肖特基整流二极管介绍
肖特基整流二极管介绍肖特基整流二极管介绍一、引言肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode简称SBD)是一种金属(或金属硅化物)/ 半导体接触的器件，它是多子器件，主要用其非线性电阻的特性。
SBD是最古老的半导体器件，1904年开始，矿石检波器就得到了应用。
SBD在超高频及微波电路中用于检波和混频，都是用其正向非线性电阻的特性。
SBD长期用金属与半导体接触进行制作，稳定性差，是可靠性最差的半导体器件之一。
八十年代开始对金属硅化物深入研究，用金属硅化物代替金属，获得了可靠而又重复的肖特基势垒，为大规模生产奠定了基础。
各种家用电器、微电脑、汽车电子、通讯设备、仪器、国防军工都要求电子设备轻量化、小型化，特别是要求采用小型化和高效率的电源。
高频开关电源随着工作频率的提高，其体积和重量都会明显减小，同时效率显著提高，高频开关电源越来越受到人们的重视。
SBD 有三大特点:(1)速度快(多子器件，无少子储存效应);(2)正向压降低;(3)散热性能好。
SBD与通常的PN结整流器件相比，SBD具有开关速度快(高频)、导通电压低(高效)、抗电流浪涌冲击能力强(大电流)。
低输出电压(V??24V)的高频开关电源多采用肖特基整流二0极管。
世界高频开关电源年销售额约为500亿美圆，这是一个巨大的市场!对肖特基整流二极管的规模生产有巨大的拉动力。
SBD制作简单、工艺流程短、成本低、有利于大规模生产。
肖特基整流二极管在高频开关电源电路中起开关作用，是用其正、反向非线性电阻的特性(不再只是用正向非线性电阻的特性)。
肖特基整流二极管的名称较多，有功率肖特基二极管、肖特基续流二极管、大电流肖特基二极管、肖特基开关二极管等等。
肖特基势垒与p-n结的比较肖特基二极管的势垒可以比做在同一种半导体上的p-n结低许多，例如硅，p-n结的内建势V?0.8V;而肖特基结势垒电势为0.5V,0.6V很容易做到。
在同一电流密度下，p-n结上的正bi向压降比肖特基二极管上的电压降至少高0.3V。
常用肖特基二极管、型号的命名、字母含义
SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT
M：MOTOROLA
缩写 M
B：Barrier1
缩写 B
R：Rectifier
缩写 R
10：电流 10A
200：电压 200V
C：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
T：表示管装
MBR1045CT，其中的“C”：表示 TO-220 封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示 TO-3P 封装
MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR3045PT， 30A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR3060PT， 30A， 60V，TO-247、TO-3P；
MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；
MBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10A
M
BMBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15A RFMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20A 1MBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25A 0MBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30A
MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；
MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；
MBR6045PT， 60A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR6060PT， 60A， 60V，TO-247、TO-3P；
SR1660双肖特基二极管, Io=16A, Vrev=60V
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,(%)
39
62 0~
16
1 SR
12 8 4 0
10 5.0
SR 1
SR 1
64
5
SR 1 65 0~ SR 1 66 0
1 SR 62 1 SR 0~ 64 5
65 1 SR 0~ 66 0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1.0
Tj=25 C Pulse Width 300us 1% Duty Cycle
FIG.1-TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD CURRENT,(A) 24 20
FIG.2-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS 50
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,(A)
CASE TEMPERATURE,( C)
FIG.3-MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENT
250
0.1
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,(A)
200
.01
.1
.3
.5
.7
.9
1.1
1.3
1.5
150
Tj=25 C 8.3ms Single Half Sine Wave JEDEC method
.051 MAX. (1.3) .040 MAX. (1.0) .100 (2.54) PIN 1 PIN 3 Positive CT Suffix "C"
肖特基整流二极管的几个技术参数
肖特基整流二极管的几个技术参数肖特基整流二极管选型1.肖特基二极管用于防止电源反接。
就看你怎么连接了。
如果串联到电路中，就直接连接，如果并联，就反接。
2，TVS二极管最好是用表测一下来确定正负极。
3，并联在电路中使用要反接。
正接反接：二极管正极接地，负极靠近电源一般是稳压管正向导通相当于小电阻，反向截止被阻断。
肖特基二极管1.导通压降VF:VF为肖特基二极管正向导通时肖特基二极管两端的压降，选择肖特基二极管是尽量选择VF较小的肖特基二极管。
2.反向饱和漏电流IR:IR指在肖特基二极管两端加入反向电压时，流过肖特基二极管的电流，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的肖特基二极管。
3.额定电流IF:指肖特基二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
4.浪涌电流IFSM:允许流过正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
越大越好5.反向峰值电压VRM:即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使肖特基二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
越大越好6.直流反向电压VR:;上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
7.工作频率fM:由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
肖特基二极管的fM值较高，最大可达100GHz。
肖特基二极管特点
肖特基二极管特点一、什么是肖特基二极管肖特基二极管是一种特殊的二极管，它是由金属与半导体接触而形成的。
与常规二极管相比，肖特基二极管具有一些独特的特点和优势。
二、肖特基二极管的特点1.低 forward voltage drop (VF): 肖特基二极管的正向电压降低，通常在0.2V左右，远低于常规的硅二极管。
这意味着在正向工作时，肖特基二极管的功耗较低，可以减少能量损耗和发热，提高效率。
2.快速开关速度: 肖特基二极管的开关速度非常快，正向恢复时间（Trr）短。
这使它适用于高频应用和快速开关电路。
3.低反向漏电流 (IRR) : 肖特基二极管的反向漏电流很低，通常在纳安级别。
这使得它在低功耗应用中表现出色，并具有较高的性能稳定性。
4.优秀的温度特性: 肖特基二极管具有较好的温度特性，温度变化对其工作电压的影响较小。
5.抗辐射能力强: 肖特基二极管具有较高的抗辐射能力，能够在强辐射条件下正常工作，适用于核电站和其他辐射环境。
6.低噪声、低失真: 由于肖特基二极管的特殊结构，其内部噪声相对较低，能够提供清晰的信号传输和高质量的信号处理，减少失真。
7.良好的反向耐压能力: 肖特基二极管具有较高的反向耐压能力，通常在几十伏特到一百伏特之间，能够满足各种应用的要求。
8.可靠性高: 由于肖特基二极管没有PN结，且工作在较低的正向电压下，因此具有更长的使用寿命和更高的可靠性。
9.适应广泛: 肖特基二极管适用于各种应用场合，例如功率电子、通信设备、工业控制、汽车电子、太阳能电池等。
三、肖特基二极管的应用肖特基二极管由于其独特的特点，广泛应用于各个领域。
以下是肖特基二极管在不同领域的应用示例：1. 电源供电在电源供电系统中，肖特基二极管可以用于功率因数校正电路、开关电源、充电器等。
其低损耗和高效率的特点使得电源供电系统更加节能和可靠。
2. 通信设备在通信设备中，肖特基二极管可以用于高频振荡器、射频放大器和混频器等。
常用的肖特基二极管型号及参数
常用的肖特基二极管型号及参数肖特基二极管（Schottky Diode）是一种由半导体材料制成的二极管，其具有较快的开关速度、低的开关功耗和较小的反向恢复时间等优点。
在电子设备和电路中广泛使用，特别是在高频应用、功率电子和数字和模拟电路中。
下面是一些常用的肖特基二极管型号及其参数的介绍。
1.1N5817-正向电压降：0.45V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：15ns2.BAT41-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：150nA-耐反向电压：30V- 反向恢复时间：4ns3.BAT85-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：200mA -反向漏电流：150nA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：4ns4.SB540-正向电压降：0.55V-最大正向连续电流：5A-反向漏电流：200uA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：25ns5.MBR2045CT-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：35ns-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：100V- 反向恢复时间：40ns7.11DQ06-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：60V- 反向恢复时间：20ns-正向电压降：0.52V-最大正向连续电流：16A-反向漏电流：50uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：16ns9. TPSMBxxA-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：600mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：5-180V（不同型号可选）- 反向恢复时间：5-50ns（不同型号可选）10.LMBS82-正向电压降：0.32V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：4ns以上是一些常见的肖特基二极管型号及其参数的介绍。
SR160肖特基二极管
SR120 – SR1601.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERSingle Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.For capacitive load, derate current by 20%.Characteristic Symbol SR120 SR130 SR140 SR150 SR160 UnitPeak Repetitive Reverse VoltageWorking Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRMV RWM V R 2030405060V RMS Reverse VoltageV R(RMS)1421283542V Average Rectified Output Current (Note 1) @T L = 100°C I O 1.0A Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method)I FSM 40A Forward Voltage @I F = 1.0A V FM 0.500.70V Peak Reverse Current @T A = 25°C At Rated DC Blocking Voltage @T A = 100°C I RM 0.510mA Typical Junction Capacitance (Note 2)C j 11080pF Typical Thermal Resistance Junction to LeadR JL 15K/W Typical Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1)R JA 50K/W Operating and Storage Temperature RangeT j , T STG-65 to +150°CNote: 1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.W T EWER SEMICONDUCTORS10203040110100I ,P E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T (A )F S M NUMBER OF CYCLES AT 60HzFig.3Max Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current1010010000.1110100C ,J U N C T I O N C A P A C I T A N C E (p F )j V ,REVERSE VOLTAGE (V)Fig.4Typical Junction CapacitanceR020406080100120140I ,I N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T (m A )R PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)Fig.5Typical Reverse Characteristics100101.00.10.010.0010.11.010I ,I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T (A )F V ,INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)Fig.2Typical Forward CharacteristicsF 200.50.10.91.31.72.10.51.0255075100125150I A V E R A G E F O R W A R D C U RR E N T (A )(O ),T ,LEAD TEMPERATURE (C)Fig.1Forward Current Derating CurveL °ORDERING INFORMATIONProduct No.!Package TypeShipping QuantitySR120-T3DO-415000/Tape & Reel SR120-TB DO-415000/Tape & Box SR120DO-411000 Units/Box SR130-T3DO-415000/Tape & Reel SR130-TB DO-415000/Tape & Box SR130DO-411000 Units/Box SR140-T3DO-415000/Tape & Reel SR140-TB DO-415000/Tape & Box SR140DO-411000 Units/Box SR150-T3DO-415000/Tape & Reel SR150-TB DO-415000/Tape & Box SR150DO-411000 Units/Box SR160-T3DO-415000/Tape & Reel SR160-TB DO-415000/Tape & Box SR160DO-411000 Units/BoxProducts listed in bold are WTE Preferred devices.!T3 suffix refers to a 13” reel. TB suffix refers to Ammo Pack.Shipping quantity given is for minimum packing quantity only. For minimum order quantity, please consult the Sales Department.Won-Top Electronics Co., Ltd (WTE) has checked all information carefully and believes it to be correct and accurate. However, WTE cannot assume any responsibility for inaccuracies. Furthermore, this information does not give the purchaser of semiconductor devices any license under patent rights to manufacturer. WTE reserves the right to change any or all information herein without further notice.WARNING : DO NOT USE IN LIFE SUPPORT EQUIPMENT. WTE power semiconductor products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without the express written approval.We power your everyday.Won-Top Electronics Co., Ltd.No. 44 Yu Kang North 3rd Road, Chine Chen Dist., Kaohsiung, Taiwan Phone: 886-7-822-5408 or 886-7-822-5410Fax: 886-7-822-5417Email: sales@Internet: 。
肖特基二极管参数
肖特基二极管参数肖特基二极管(parameter of Schottky diode)肖特基二极管是一种快速开关和整流器件，具有高速响应和低电压损耗的特点。
它是由石墨、金属等组成的亚稳态材料构成的，可以在高频运输中更好地工作。
肖特基二极管具有以下参数：1）峰值重复电压（PRV）：这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。
PRV决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。
在肖特基二极管的情况下，PRV比普通二极管要低一些，因为它是由金属构成，难以承受高电压。
2）正向电流（IF）：这是设备在正向导通模式下能够承受的最大电流。
在肖特基二极管的情况下，IF可以达到数百安培，使其成为快速开关电路的理想选择。
3）反向电流（IR）：这是设备在反向偏置模式下经受的最大电流。
在肖特基二极管中，IR通常小于或等于1微安，这是因为它不是典型PN结二极管中产生少数载流子扫描的结果，而是因为它本身的物理属性发生变化。
4）正向电压降（VF）：这是二极管在正向导通模式下，产生的电压降。
肖特基二极管的VF很低，通常在0.3V 以下，这是由于其特殊的材料组成和界面结构确定的特性。
5）反向恢复时间（TRR）：这是二极管在正向导通后，快速回到截止状态所需的时间。
在肖特基二极管的情况下，TRR非常短，通常在ns级别，使之成为高速开关电路的理想选择。
6）热稳定性：这是指在不同工作温度下，设备性能的改变程度。
对于肖特基二极管，热稳定性很好，这是由于其结构和材质具有高温稳定性。
肖特基二极管的优点：1）速度快：由于它的结构和物理属性，肖特基二极管的响应速度非常快，具有精确的开关行为。
2）电压降低：由于其低VF，肖特基二极管消耗的能量非常低。
这可以节省能源，降低系统成本。
3）高温稳定性：肖特基二极管在高温下的性能稳定，可以在一些极端条件下运作。
肖特基二极管的缺点：1）不适合高电压应用：由于其材质较脆，肖特基二极管不能承受较高的电压。
2）有限的PRV：虽然这是一个非常快速的开关装置，但其峰值重复电压相对较低，不适合在高电压电路中使用。
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode缩写成SBD）的简称。
肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。
但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。
常用肖特基二极管
反向重复峰 最大平均
Part 值电压 Number
正向电流
VRRM IO @ TA
V
A
℃
1.0 安培肖特基势垒二极管
1N17 20
1.0
90
1N18 30
1.0
90
1N19 40
1.0
90
1S20 20
1.0
75
1S40 40
1.0
75
1S60 60
1.0
100
1S80 80
1.0
100
75 80
SR380 80
3.0
75 80
SR3100 100
3.0
75 80
5.0 安培肖特基势垒二极管
0.55 0.70 0.85 0.85
2.0 0.5 2.0 0.5 2.0 0.5 2.0 0.1
0.475 0.500 0.525 0.550 0.700 0.700 0.850 0.850
5.0
100 150
SR5A10 100
0
5.0
100 150
SRF5A2 20 0
5.0
90 150
SRF5A4 40 0
5.0
90 150
SRF5A6 60
0
5.0
100 150
SRF5A8 80 0
5.0
100 150
SRF5A1 100
00
5.0
100 150
8.0 安培肖特基势垒二极管
0.55 5.0 0.5 0.70 5.0 0.5 0.70 5.0 0.5 0.85 5.0 0.5 0.85 5.0 0.2 0.55 5.0 0.5 0.70 5.0 0.5 0.70 5.0 0.5 0.85 5.0 0.5 0.85 5.0 0.2 0.55 5.0 1.0 0.70 5.0 1.0 0.70 5.0 1.0 0.85 5.0 1.0 0.85 5.0 1.0 0.55 5.0 1.0 0.70 5.0 1.0 0.70 5.0 1.0 0.85 5.0 1.0 0.85 5.0 1.0
肖特基整流二极管介绍
肖特基整流二极管介绍一、引言肖特基势垒二极管（Schottky barrier diode简称SBD）是一种金属（或金属硅化物）/ 半导体接触的器件，它是多子器件，主要用其非线性电阻的特性。
SBD是最古老的半导体器件，1904年开始，矿石检波器就得到了应用。
SBD在超高频及微波电路中用于检波和混频，都是用其正向非线性电阻的特性。
SBD长期用金属与半导体接触进行制作，稳定性差，是可靠性最差的半导体器件之一。
八十年代开始对金属硅化物深入研究，用金属硅化物代替金属，获得了可靠而又重复的肖特基势垒，为大规模生产奠定了基础。
各种家用电器、微电脑、汽车电子、通讯设备、仪器、国防军工都要求电子设备轻量化、小型化，特别是要求采用小型化和高效率的电源。
高频开关电源随着工作频率的提高，其体积和重量都会明显减小，同时效率显著提高，高频开关电源越来越受到人们的重视。
SBD 有三大特点：（1）速度快（多子器件，无少子储存效应）；(2)正向压降低；（3）散热性能好。
SBD与通常的PN结整流器件相比，SBD具有开关速度快（高频）、导通电压低（高效）、抗电流浪涌冲击能力强（大电流）。
低输出电压（V0≤±24V）的高频开关电源多采用肖特基整流二极管。
世界高频开关电源年销售额约为500亿美圆，这是一个巨大的市场!对肖特基整流二极管的规模生产有巨大的拉动力。
SBD制作简单、工艺流程短、成本低、有利于大规模生产。
肖特基整流二极管在高频开关电源电路中起开关作用，是用其正、反向非线性电阻的特性（不再只是用正向非线性电阻的特性）。
肖特基整流二极管的名称较多，有功率肖特基二极管、肖特基续流二极管、大电流肖特基二极管、肖特基开关二极管等等。
肖特基势垒与p-n结的比较肖特基二极管的势垒可以比做在同一种半导体上的p-n结低许多，例如硅，p-n结的内建势V bi≥0.8V；而肖特基结势垒电势为0.5V～0.6V很容易做到。
在同一电流密度下，p-n结上的正向压降比肖特基二极管上的电压降至少高0.3V。
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1.5
18
Tj=25 C 8.3ms Single Half Sine Wave JEDEC method
FORWARD VOLT AGE,(V)
12
6
FIG.5 - TYPICAL REVERSE
0 1 5 10 50 100
CHARACTERISTICS 100
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
.034(.9) .028(.7) DIA. .205(5.2) .166(4.2)
1.0(25.4) MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.
FIG.4-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
350 300 250 200 150 100 50 0
JUNCTION CAPACITANCE,(pF)
REVERSE LEAKAGE CURRENT, (mA)
10
1.0
Tj=75 C
.1
Tj=25 C
.01
.05
.1
.5
1
5
10
1.2 1.0
50
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,(A)
0.8
SR
0.6 0.4 0.2 0 0 20 40 60 80
SR 15 0~ SR 16 0
SR 18
3.0 1.0
SR 12 0~ SRMPERATURE,( C)
FIG.3-MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENT
Ta=100 C
1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 2. Thermal Resistance Junction to Ambient Vertical PC Board Mounting 0.5"(12.7mm) Lead Length.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current See Fig. 1 Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A Maximum DC Reverse Current Ta=25 C at Rated DC Blocking Voltage Typical Junction Capacitance (Note1) Typical Thermal Resistance RqJA (Note 2) Operating Temperature Range TJ Storage Temperature Range TSTG
NOTES:
SR120 SR130 SR140 SR150 SR160 SR180 SR1100 UNITS 20 14 20 30 21 30 40 28 40 50 35 50 1.0 30 0.55 1.0 10 110 50 -65 +125 -65 +150 -65 +150 0.70 0.85 60 42 60 80 56 80 100 70 100 V V V A A V mA mA pF C/W C C
1.0 Ampere
DO-41
.107(2.7) .080(2.0) DIA.
1.0(25.4) MIN.
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic * Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant * Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202, method 208 guranteed * Polarity: Color band denotes cathode end * Mounting position: Any * Weight: 0.34 grams
50
100
.01 0
20
40
60
80
100 120 140
REVERSE VOLTAGE,(V)
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLT AGE,(%)
SR120
1.0 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
THRU
SR1100
VOLTAGE RANGE
20 to 100 Volts
CURRENT FEATURES
* Low forward voltage drop * High current capability * High reliability * High surge current capability * Epitaxial construction
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (SR120 THRU SR1100)
FIG.1-TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD CURRENT,(A)
FIG.2-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
30
1 SR
15
100
20 R1 ~S 40
120
0 11 SR 0~ 0
140
160
180
200
S 0~
R1
0 10
Tj=25 C Pulse Width 300us 1% Duty Cycle
0.1
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,(A)
24
.01
.1
.3
.5
.7
.9
1.1
1.3