微波混频器知识总结
混频器总结报告

混频器一、混频器1、简介变频,是将信号频率由一个量值变换为另一个量值的过程。
具有这种功能的电路称为变频器(或混频器)。
一般用混频器产生中频信号。
混频器将天线上接收到的信号与本振产生的信号混频,cosαcosβ=[cos(α+β)+cos(α-β)]/2。
可以这样理解,α为信号频率量,β为本振频率量,产生和差频。
当混频的频率等于中频时,这个信号可以通过中频放大器,被放大后,进行峰值检波。
检波后的信号被视频放大器进行放大,然后显示出来。
由于本振电路的振荡频率随着时间变化,因此频谱分析仪在不同的时间接收的频率是不同的。
当本振振荡器的频率随着时间进行扫描时,屏幕上就显示出了被测信号在不同频率上的幅度,将不同频率上信号的幅度记录下来,就得到了被测信号的频谱。
从频谱观点看,混频的作用就是将已调波的频谱不失真地从fc搬移到中频的位置上,因此,混频电路是一种典型的频谱搬移电路,可以用相乘器和带通滤波器来实现这种搬移。
2、分类从工作性质可分为二类,即加法混频器和减法混频器分别得到和频及差频。
从电路元件也可分为三极管混频器和二极管混频器。
从电路分有混频器(带有独立振荡器)和变频器(不带有独立振荡器)。
混频器和频率混合器是有区别的。
后者是把几个频率的信号线性的迭加在一起,不产生新的频率。
3、性能指标(1)噪声系数:混频器的噪声定义为:NF=Pno/Pso Pno是当输入端口噪声温度在所有频率上都是标准温度即T0=290K时,传输到输出端口的总噪声资用功率。
Pno主要包括信号源热噪声,内部损耗电阻热噪声,混频器件电流散弹噪声及本振相位噪声。
Pso为仅有有用信号输入在输出端产生的噪声资用功率。
(2)变频损耗:混频器的变频损耗定义为混频器射频输入端口的微波信号功率与中频输出端信号功率之比。
主要由电路失配损耗,二极管的固有结损耗及非线性电导净变频损耗等引起。
(3)1dB压缩点:在正常工作情况下,射频输入电平远低于本振电平,此时中频输出将随射频输入线性变化,当射频电平增加到一定程度时,中频输出随射频输入增加的速度减慢,混频器出现饱和。
第三讲 微波混频器原理

给出各种微波混频器的电路实现等。
第3章 微波混频器
3.1.1 本振激励特性——混频器的大信号参量
如图3-2所示,在混频二极管上加大信号本振功率和直 流偏置(或零偏压)时,流过混频二极管的电流由二极管的伏 安特性来决定。加在二极管上的电压是直流偏置与本振信号 之和,二极管的伏安特性近似为指数函数,即 u (t ) E 0 U L c o s L t
第3章 微波混频器
图 3-3
二极管混频器原理图
第3章 微波混频器
由于UL>>US,可以认为二极管的工作点随本振电压变
化,认为接收到的信号是一个微小电压增量,因此将回路电 流在各个工作点展开为泰勒级数。为了讨论方便,将ZL、 ZL0、ZS短路,这时流过二极管的瞬时电流值为
i f (u ) f ( E 0 U L co s L t U S co s S t ) f ( E 0 U L co s L t ) f '( E 0 U L co s L t )U S co s S t 1 2! f ''( E 0 U L co s L t )(U S co s S t ) …
i=f (E0+uL+uS+u0+ui) =f (E0+uL+Δu)
式中:Δu=uS+u0+ui,利用前面的分析方法,得到小信号电
流为
第3章 微波混频器
iD小= f′(E0+uL)Δu=g(t)· Δu
= (g0+2g1 cosωLt+2g2 cos2ωLt+„)×(US sinωSt-U0 sinω0t -Ui sinωit) =g0US sinωSt-g0U0 sinω0t-g0Ui sinωit +g1US sin(ωL+ωS)t+g1US sin(ωS-ωL)t -g1U0 sin(ωL+ω0)t+g1U0 sin(ωL-ω0)t +g1Ui sin(ωL-ωi)t-g1Ui sin(ωL+ωi)t +g2US sin(2ωL+ωS)t-g2US sin(2ωL-ωS)t -g2U0 sin(2ωL+ω0)t+g2U0 sin(2ωL-ω0)t -g2Ui sin(2ωL+ωi)t+g2Ui sin(2ωL-ωi)t (3-15)
第四讲 微波混频器技术指标

1
Ljmin 10lg(1 2SC j RS )
2 RS 10 lg(1 ) (dB) Rj
(3-44)
第3章 微波混频器
混频二极管的总变频损耗为
L=L0+Ljmin
(3-45)
图3-13画出了Rs、Cj及二极管总变频损耗随本振激励功 率的变化曲线。可见,恰当地选择本振幅度能使实际变频损 耗达到最小。
2 2 I e2 m21 I A Poa 8G0 8(Gg m11 )[m22 (m11 Gg ) m12 m21 ]
(3-27)
(3-28)
第3章 微波混频器
因此,镜频端口的负载电导Gi为任意值时,混频器的净
变频损耗为
Psa (Gg m11 )[(m22 (m11 Gg ) m12 m21 )] L0 2 Poa m21Gg
第3章 微波混频器
如图3-12所示,流入二极管的总电流幅值为Ij,Rj两端
的电压幅值为Uj,Rj的实际吸收功率为 输入总信号功率为
Pj I j2 RS 2
U j2
U j2 2 Rj
(3-41)
Prf
பைடு நூலகம்
U j2 2 Rj
(3-42)
RS 2 2 (1 S CJ RS Rj ) 2 Rj Rj
第3章 微波混频器
图 3-11 最小净变频损耗与本振电压幅值的关系
第3章 微波混频器
3.2.2 混频管寄生参量引起的结损耗
净变频损耗随着本振电压加大而单调下降,但实际情况 上混频器是在某个一定大小的本振功率上得到最小的变频损 耗值,过大或过小的本振功率都将增大变频损耗。这是因为 上述分析仅考虑Rj的作用,忽略了寄生参量Ls、Cp、Cj和Rs 的影响,所得结果是理想的。实际上必须考虑寄生参量的影 响。分析时常把Ls和Cp合并到外电路去,只考虑Cj和Rs的影 响。由于Rs、Cj对输入的微波功率进行分压和分流,只有部 分信号功率加到Rj上参加频率变换,因此二极管的结损耗Lj 定义为输入信号功率Prf与结电阻Rj的吸收功率Pj之比。
基于ADS的微波混频器设计分析

基于ADS的微波混频器设计分析微波混频器是一种重要的微波器件,它在通信、雷达、无线电等领域有着广泛的应用。
基于ADS的微波混频器设计分析,是一项非常重要的研究工作。
本文将重点介绍基于ADS的微波混频器设计分析的相关知识和方法。
一、微波混频器的原理及分类1. 微波混频器的原理微波混频器是一种常用的微波被动器件,用于将两路或多路微波信号混合在一起,生成新的频率信号。
它的基本原理是利用非线性电路元件将输入的高频信号和本地振荡器的信号进行混合,从而产生两个新的频率信号:直流分量和带有原频率的交流信号。
这样,微波混频器可以实现频率的转换和信号的混频。
2. 微波混频器的分类微波混频器按照工作原理和结构可以分为多种类型,常见的包括对称式混频器、不对称式混频器、集总电阻混频器、集总电容混频器、集总电感混频器等。
不同类型的混频器在不同的应用场合有着各自的优势和特点,因此在设计分析时需要根据具体的要求选择合适的混频器类型。
1. ADS的介绍ADS(Advanced Design System)是美国Keysight(原Agilent)公司开发的一款高性能微波和射频电路设计软件,它支持从原理图设计到电路仿真、布局和布线的全流程设计。
ADS具有强大的模型库和仿真分析工具,可以帮助工程师快速高效地设计和分析微波电路,并优化电路性能。
2. 微波混频器的设计步骤基于ADS进行微波混频器设计分析,通常包括以下步骤:(1)确定设计要求:包括工作频率范围、功率要求、端口匹配等。
(2)选择混频器类型:根据实际需求选择合适的混频器类型,如对称式混频器、不对称式混频器等。
(3)设计电路原理图:在ADS中绘制混频器的电路原理图,包括输入端口、输出端口、混频器电路等。
可以从ADS的模型库中选择合适的元件进行搭建,也可以根据实际需要自定义元件。
(4)仿真分析:利用ADS的仿真工具对混频器进行电路仿真,包括S参数分析、功率分析、输出谐波分析等。
第六章混频器

听到的声音:哨叫——干扰哨声 干扰的原因:组合频率干扰
qfs pfL = fI pfL qfs = fI pfL + qfs :恒大于fL pfL qfs :无意义
3. 抑制方法:
组合频率分量电流振幅随 (p + q) 的增加而迅速减小,因 而,只有对应于 p 和 q 为较小值的输入有用信号才会产生明 显的干扰哨声,将产生最强干扰哨声的信号频率移到接收频 段之外,就可大大减小干扰哨声的有害影响。
② 镜像干扰: fK fc = 2fI ,可以采用两种措施:高中 频方案、二次混频。
a.高中频方案 中频的两种选择方案:
① 低中频方案, fI f 。 优点:fI 低,中频放大器易实现高增益和高选择性; ② 高中频方案, fI f。 如在短波接收机中,接收频段为 2 ~ 30 MHz,中频选 在 70 MHz 附近。由于中频很高,镜像干扰频率远高于有用 信号频率,混频的滤波电路很容易将它滤除。
1. 电路
2. 分析
i (i1 i2 ) (i3 i4 )
2g DU sm
cos
st
(4
cosLt
4
3
cos 3Lt
)
• s 分量被抵消
• 输出中频分量的幅值是平衡混频器的2倍。
• 优点:环形混频器的混频增益和抑制干扰 的能力比平衡混频器优越,在相同条件下, 输出中频电流可比平衡混频器大一倍。
例如,由
fS
p 1 q p
f
,当
I
p
=
0,q
=
1
时干扰哨声强,
相应输入信号频率接近于中频,即 fS fI,因此,将接收机的
中频选在接收频段以外,避免这个最强的干扰哨声。例如,
微波混频器

第六章 微波/毫米波二极管混频器混频器是微波集成电路接收系统中必不可少的部件。
不论是微波通信、雷达、遥控、遥感,还是侦察与电子对抗,以及许多微波测量系统,都必须把微波信号用混频器降到中低频来进行处理。
微波集成混频器有二极管混频器和场效应晶体管混频器以及双栅场效应管混频器。
二极管混频器基本上采用肖特基势垒二极管作变频元件。
优点是:结构简单、工作频带宽、噪声较低、动态范围大、工作稳定等。
FET 混频器的特点:变频增益、电路较复杂、需直流供电。
从电路结构上看,分为单管式混频、双管平衡式混频和多管式混频。
单管混频器只采用一只二极管,结构简单、成本低,但噪声高、抑制干扰能力差,在要求不高时采用,它是理论分析的基础。
平衡式混频器借助平衡电桥可使本振的噪声抵消,因而噪声的性能得到改善,电桥又使信号与本振之间达到良好隔离,因而平衡混频器是最普遍采用的形式。
另外还有管堆式多双衡混频器、镜频抑制混频器等等,可根据特殊要求而设计。
5.1 微波/毫米波混频器技术指标与特性分析 一、 噪声系数和等效噪声温度比。
outout inin f N S N S N //=f N (dB)=10f N lg(5.1)也可采用以下定义:PnsPnoF =(5.2) 式中P n s — 当系统输入端噪声温度在所有频率上都是标准温度k To 290=时,系统传输到输出端的总噪声资用功率。
Pns — 仅由有用信号输入所产生的那一部分输出的噪声资用功率。
1、单边带噪声系数 SSB Singad Side BandLctm KToDfKTmDfF SSB ==(5.3)Tm :等效噪声温度 tm :等效噪声温度比 2、双边带噪声系数 DSB Double Side Band在遥感探测、射电天线等领域,接收信号是均匀谱辐射信号,存在于两个边带,这种应用时的噪声系数称为双边带噪声系数。
m m f DSB t L Lc KToD Pm F 21/2==(5.4)由(5.3)和(5.4)可知,由于镜像噪声的影响,SSB F 比DSB F 大一倍,即高出3dB 。
微波混频器的设计与应用
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微波混频器的设计与应用微波混频器是一种关键的射频电路元件,广泛应用于通信系统、雷达、卫星通信等领域。
本文将探讨微波混频器的设计原理、常见类型及其在通信系统中的应用。
设计原理微波混频器的设计原理基于非线性元件的特性,常用的非线性元件包括二极管和场效应管。
在微波混频器中,输入信号与局部振荡信号通过非线性元件进行混频,产生包含原始信号频率之差的新频率成分。
通过适当的滤波和放大,可以提取所需的中频信号。
常见类型1. 单平衡混频器(SB Mixer):单平衡混频器采用一个二极管或场效应管,具有简单的结构和较低的成本。
然而,其性能受到器件的非线性和失调的影响较大。
2. 双平衡混频器(DB Mixer):双平衡混频器采用两个对称的非线性元件,具有良好的抑制杂散信号的能力和较高的转换增益,适用于高要求的通信系统。
3. 集总混频器(MMIC Mixer):集总混频器集成了多个微波电路元件于一体,具有小尺寸、低功耗和高可靠性的特点,适用于微波集成电路的应用。
应用微波混频器在通信系统中具有重要的应用价值,主要体现在以下几个方面:1. 频率转换:微波混频器可以实现信号的频率转换,将高频信号转换为中频信号,以便进行后续的信号处理和解调。
2. 调频解调:微波混频器可以将调频信号解调为基带信号,用于语音、数据等信息的传输和处理。
3. 射频前端:微波混频器作为射频前端的重要组成部分,起到信号放大、滤波和混频的作用,提高通信系统的性能和灵敏度。
总结微波混频器作为通信系统中的关键元件,具有重要的设计原理和广泛的应用场景。
不同类型的微波混频器在性能和应用方面存在差异,工程师需要根据具体的需求选择合适的混频器类型,并结合其他射频电路元件进行系统设计与优化。
微波混频器技术指标与特性分析

微波混频器技术指标与特性分析一、噪声系数和等效噪声温度比噪声系数的基本定义已在第四章低噪声放大器中有过介绍。
但是混频器中存在多个频率,是多频率多端口网络。
为适应多频多端口网络噪声分析,噪声系数定义改为式(9-1),其理论基础仍是式(6-1)的原始定义,但此处的表示方式不仅适用于单频线性网络,也可适用于多频响应的外差电路系统,即(9-1)式中 Pno ——-当系统输入端噪声温度在所有频率上都是标准温度T0 = 290K 时,系统传输到输出端的总噪声资用功率;Pns ——仅由有用信号输入所产生的那一部分输出的噪声资用功率。
根据混频器具体用途不同,噪声系数有两种。
一、噪声系数和等效噪声温度比1、单边带噪声系数在混频器输出端的中频噪声功率主要包括三部分:(1)信号频率f s 端口的信源热噪声是kT 0∆f ,它经过混频器变换成中频噪声由中频端口输出。
这部分输出噪声功率是 m fkT α∆0式中 ∆f ——中频放大器频带宽度;αm ——混频器变频损耗;T 0——环境温度,T 0 = 293K 。
(2)由于热噪声是均匀白色频谱,因此在镜频f i 附近∆f 内的热噪声与本振频率f p 之差为中频,也将变换成中频噪声输出,如图9-1所示。
这部分噪声功率也是kT 0∆f /αm 。
(3)混频器内部损耗电阻热噪声以及混频器电流的散弹噪声,还有本机振荡器所携带相位噪声都将变换成输出噪声。
这部分噪声可用P nd 表示。
这三部分噪声功率在混频器输出端相互叠加构成混频器输出端总噪声功率P nond m m no P f kT f kT P +∆+∆=αα//00 把P no 等效为混频器输出电阻在温度为T m 时产生的热噪声功率,即P no = kT m ∆f ,T m 称混频器等效噪声温度。
kT m ∆f 和理想电阻热噪声功率之比定义为混频器噪声温度比,即 00T T f kT P t m no m =∆= 按照定义公式(9-1)规定,可得混频器单边带工作时的噪声系数为 ns m ns no SSB P f kT P P F ∆==在混频器技术手册中常用F SSB 表示单边带噪声系数,其中SSB 是Singal Side Band 的缩写。
混频原理介绍与分析

混频原理介绍与分析混频原理是指将两个或多个不同频率的信号进行合成,生成一个新的频率信号的过程。
混频技术在无线通信、调频广播、雷达、导航系统等领域有着广泛的应用。
本文将从基本原理、混频器的分类和工作原理、混频器的性能参数等方面进行详细的介绍和分析。
一、基本原理混频原理的基本思想是通过非线性元件将两个或多个不同频率的信号相乘,以产生新的频率分量。
通常使用的非线性元件有二极管、晶体管、场效应管等。
当两个输入信号分别为f1和f2时,通过非线性元件,可以产生频率为f1、f2以及(f1±f2)的频率成分。
其数学表达式为:f3=,2f1±f2,或f4=,2f2±f1二、混频器的分类和工作原理混频器按照混频信号的处理方式可以分为平衡混频器和非平衡混频器两类。
平衡混频器采用平衡型电路,输入信号在非线性元件之前需要进行平衡混频,主要通过互补的非线性元件实现。
平衡混频器可以有效抑制杂散分量的出现,提高混频器的线性度和动态范围。
其中,二极管混频器(均衡)是应用最广泛的,其工作原理是将两个信号分别通过两个二极管,然后再将两个二极管的输出信号相加,最后通过滤波器滤除幅度较小的不需要的频率分量。
非平衡混频器主要有单边带混频器、振荡混频器和自脉冲混频器。
单边带混频器通过抑制一个较强的本地振荡信号来实现混频,它可以实现频率的选择性混频。
振荡混频器以混频信号为输入,在非线性元件中产生新的频率成分。
自脉冲混频器是一种特殊的非平衡混频器,通过将本地振荡信号送入非线性元件,产生自脉冲信号,然后通过滤波器来获得所需频率。
三、混频器的性能参数混频器的性能参数主要包括转换增益、本地振荡抑制比、本地振荡频率抑制比和反射损耗等。
转换增益是指输入信号到输出信号间的增益,通常以分贝(dB)为单位。
转换增益越大,表示混频器性能越好。
本地振荡抑制比是指混频器对本地振荡信号的抑制能力。
本地振荡抑制比越大,表示混频器对本地振荡信号的抑制能力越强。
第五讲 微波混频器电路

(3) 在二极管的右边接有低通滤波器,由λSg/4终端开
路线、半环电感和缝隙电容组成。它的作用是滤除信号和本 振及其各次谐波等高频信号,λSg/4终端开路线对高频信号 呈现短路输入阻抗,高频信号将从这里短路接到地板上而不 会从中频端口输出,但这一开路线对中频信号则呈现较大容 抗而近似不影响中频传输。为了对偏离中心频率fS的其他高 频信号也提供低阻抗,λSg/4开路线采用低阻线(阻抗为5~ 10 Ω),即微带线很宽。中频引出线上的半环电感和缝隙电 容组成谐振于本振频率的并联谐振回路,以进一步加强对本 振的抑制,阻止它进入中频回路,但这一并联谐振回路对中 频则近似短路,中频可以顺利通过。
上的中频电流为二者之差,因此有
i0(t)=i01(t)-i02(t)=2g1US cosω0t
(3-70)
第3章 微波混频器
由此说明,平衡混频器的输入信号和本振功率都平分加
到两只混频管上,得到了充分利用。这一方面大大降低了本 地振荡器输出功率的要求,另一方面输入信号的动态范围增 加了一倍。 平衡混频器的第二个优点是抑制本振引入的调幅噪音。 实际中,振荡器在输出所需振荡信号的同时,一定伴随有噪 声输出,其噪声频谱如图3-24所示。
第3章 微波混频器
电路中设计微带线长度时都是以信号频率对应的微带导
内波长为基准的,一方面是由于信号频率和本振频率很接近, 按信号波长设计对本振传输带来的影响不大; 另一方面是 由于信号功率比较弱,电路设计务必要保证信号的损失最小, 因此只能牺牲部分本振功率。 单端混频器电路以微带形式光刻在介质基片上,为平面 电路,其结构简单,制造容易,体积小,质量轻,但性能较 差,实际应用不多。然而这种单端混频器也是其他各种混频 器的基础,其基本结构及其设计思想对于其他混频器都具有 参考意义。
微波混频器

I
j
(V
)
Is(exp(
qV
KT
)
1)
C
j
(V
)
C j0 (1 V
)
fc 1
2RsC j0
设计混频器之前须确定下列参数
本振激励下二极管射频阻抗; 本振激励下二极管中频阻抗; 本振输入阻抗; 在不希望的频率和本振谐波上二极管的最佳端接阻抗;
端口间的隔离度。
单管混频器的设计
优点:
1.多倍频和工作带宽,没有电桥,取决于巴伦带 宽;
例:1MHz~2GHz 11个倍频和。 1GHz~26GHz 5个倍频和
2)混频组合分量少,比单平衡少一半; 3)隔离度好; 4)动态范围大。
X波段谐波混频器设计实例
基本指标: 中心频率10GHz 带宽500MHz 本振谐波次数为4 需要得到中频0.75-1.25GHz 变频损耗<15dB 杂散抑制度>60dBc。
平衡式混频器借助平衡电桥可使本振的噪声抵消 ,因而噪声的性能得到改善,电桥又使信号与本 振之间达到良好隔离,因而平衡混频器是最普遍 采用的形式。
另外还有管堆式多双衡混频器、镜频抑制混频器 等等,可根据特殊要求而设计。
微波/毫米波混频器技术指标与特性分析
噪声系数和等效噪声温度比
Nf
Sin / N in Sout / N out
微波混频器
微波集成混频器: 二极管混频器 场效应晶体管混频器 双栅场效应管混频器
二极管混频器: 结构简单、工作频带宽、噪声较低、
动态范围大、工作稳定等 FET混频器:
变频增益、电路较复杂、需直流供电
从电路结构上,分为单管式混频、双管平衡式混 频和多管式混频。
第四讲微波溷频器技术指标

16)
Ii=GiUi
对式(3-16)和式(3-20)联立求解,得
(3-20)
IS=m11US+m12U0 I0=m21US+m22U0
(3-21)
IS
I
0
m11
m21
m12 US
m22
U
0
(3-22)
第3章 微波混频器
式中:
m11
g0
g22 g0 Gi
m12
m21
g1
g1g2 g0 Gi
第3章 微波混频器
F单
L1
Noa Nia
1(L1-1)td
(3-52)
如果将Noa等效为温度是Tm的电阻所产生的热噪声资用
功率,即
Noa=KTmB
式中:Tm为混频器的等效噪声温度,并定义混频器的噪声 比为
tm单
1 L1
[1
(L1
1)td ]
(3-53)
第3章 微波混频器
F单=L1tm单
(3-54)
(3-29)
可见,净变频损耗是信号源电导Gg与网络参数[m]的
函数。当混频器的激励状态一定时,L0随Gg变化。调整Gg可
使L0达到最小。令
L0 Gg
0
,即可求得最小变频损耗及其相
第3章 微波混频器
L0min
(Ggopt
m11)[(m22 (m11 Gg ) m12m21)] m221Gg
1 m221 [2m11m22 m12m21 2 m11m22 (m11m22 m12m21) ]
混频器的等效电路是一个三端口网络,净变频损耗不但 与二极管的特性有关,还与各端口的负载阻抗有关。实际应 用中,最关心的是镜像短路、镜像匹配和镜像开路这三种混 频器的净变频损耗。为普遍起见,首先讨论镜像端口负载电 导Gi为任意值时的净变频损耗,然后再讨论三种主要混频器
微波混频器的工作原理

或写为 I g V 导纳矩阵与三端口等效电路如图3-4所示。 结论 ①在感兴趣的频率上 等效为 [g] Rj i ②镜频 端口负载对混频器性能有影响,典型负 载为短路、开路、匹配 Cj ③等效条件:①小信号②忽略
微波混频器的工作原理
IS
Vs
I0
g
Ii
Vi
V0
图3-4(a)导纳矩阵电路等效
微波混频器的工作原理
的特性,在小信号成分 u中,还应该考虑镜频和中频电压 的作用,即: u VS sin S t V0 sin 0t Vi sin it
i0 i0 f V0 VL cos Lt u
i f V0 VL cos Lt u
微波混频器的工作原理
以上众多频率成分中,中频是有用成分。越大越好,镜频 和和频有利用可能。其他均为无用的寄生频率,必须滤 除掉。 2、实际混频器的物理过程 以上只考虑一次混频,说明基本原理。实际中,必须考虑: 1、 不可能完全滤掉寄生频率。 2、 镜频、中频等再次参与混频 3、 非线性电容 C也有混频作用。 j 4、 L 和S的初始相位。 实际情况比上述复杂得多,因此要精确分析,必须构造 更复杂的模型。
g2Vi sin 2L i t g2Vi sin 2L i t
其中: S有关的项 g0VS sin S t 与 0有关的项 g0V0 sin 0t 与 g0Vi sin it 与 有关的项 i
g0V0 sin L 0 t
g1V0 sin L 0 t g2VS sin 2L S t
aISa e aV0 J 0 aVL
1 g1 2
2
0
aI Sa e
a V0 VL cos L t
第三讲微波混频器原理

第3章 微波混频器 图 3-1 微波混频器的原理框图
第3章 微波混频器
目前微波混频器主要采用的是金属-半导体构成的肖特 基势垒二极管作为非线性器件。虽然二极管混频有变频损耗, 但其噪声小、频带宽(可选多倍频程)、工作稳定、结构 简单,方便用于微波集成电路。近年来,由于微波单片集成 电路的发展,GaAs肖特基势垒栅场效应管及双栅MES FET 混频器的研制成功,使混频器电路得到新的发展。目前,结 合低噪声放大器、混频器、中频放大器等单元的集成接收组
可见,当UL一定时,GL值随直流电流的增大而增大, 因而可以借助于调整E0来调节I0,从而改变GL使本振口达到 匹配。在实际工作中,因为微波波段很难测量UL,所以通 常由测量PL和I0来测定UL和GL。
第3章 微波混频器
当混频二极管上只加直流偏压E0和本振功率时,混频二 极管呈现的电导为
di d v | uE0 UL cosLt
Jn (UL )
eUL
2πU L
故直流分量和本振基波电流幅值为
I0 Isa e (E0 UL )
2πUL
即
IL1≈2I0
(3-4)
第3章 微波混频器
则所需的本振激励功率为
1
P L
2 IL1
UL
I0
UL
混频器对本振呈现的电导为
(3-5)
GL
IL1 UL
2I0 UL
(3-6)
产生各种变频干扰和失真。因此,在设计混频电路时,应考
虑如何抑制部分组合频率成分,以改善混频器的性能。
第3章 微波混频器
3.1.3 上面求混频产生的小信号电流i(t)时,仅计算了接收信
号vS(t)和本振的所谓“一次混频”, 而未考虑混频产物的反 作用。在实际工作中,至少要考虑中频ω0和镜频ωi的反作用, 实际的混频器电路可以等效为图3-5所示的简化电路。
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i f u0 f ' u0 u I i
(1-6)
式(1-6)中, I f u0 及 i f ' u0 u , f u0 和 f ' u0 均是 t 的周期偶函数, 可以分解为只含 cos nLt 项的傅里叶级数,即
S 中频接地线等部分构成。图 1.7 是单端混频器示 4 意图,图 1.8 是其相应的等效电路。
S 阻抗变换器加相移段) 、肖特基 4
图 1.7 单端混频器示意图
S
4
d
Z0
D
S
us
Z 01
ul
Z0
Z0
S
4
LC 带 通 滤 波 器
RL ui
4
C
末端开路
图 1.8 单端混频器等效电路图
从等效电路可以看出,混频二极管 D 以前的电路是输入电路,其作用主要有 两个: 第一是把信号和本振的混合信号加给混频器,图 1.7 中的定向耦合器起类似 信号中“加法器”的作用。定向耦合器的耦合度要合理确定,太小了本振功率浪 费大,太大了信号损失大,一般在 10dB 左右。 第二个作用是使信号与二极管输入阻抗匹配,管子的容性阻抗经相移段 d 到 纯阻点,因为电压波节点对应的纯阻最小,一般选电压波节点位置为纯阻点,再 用一段
i I sa e u 1 f u
(1-4)
在混频二极管上同时加上本振电压 uL U L cos Lt ,直流偏置 U 0 ,信号电 压 uS U S cos S t ,且本振电压 U L 远大于信号电压 U S ,即 U L
U S 。由前面所
述的本振激励特性知,在某个时刻 t ,信号在直流偏压和本振电压建立的工作点 附近的变化是线性的。因此,将 i f u 在 u0 U L cos Lt U 0 处展开成泰勒级 数为:
VD uS uL iL RL
低 通 滤 波 器
uI
本地振荡器
图 1.1 微波混频器的原理框图
图 1.2 微波混频器的电路原理图
图 1.1 是微波混频器的原理框图,对它的基本要求是小变频损耗和低噪声系 数。图 1.2 是该混频器对应的电路原理图。 3.1 一次混频电流频谱 肖特基势垒二极管的伏安特性用下式表示为:
i t g t u g U cos t g nU s cos nL S t 1 1 S 1 0 S S n 1 (1-19) i t g t u g U cos t g U cos n t n 2 2 S2 0 S S n s S L n 1
n 1
gn
1 2
T0ຫໍສະໝຸດ i cos nLt d Lt I sa eU J n U L
(1-10)
小信号一次混频的电流为:
i I 0 2 I n cos nLt g 0 2 g n cos nLt U S cos S t n 1 n 1
下,电流频谱图所图 1.3 所示。注意,因为 cos x cos x ,在 L S 的情况 下,亦有类似的结论。
i
I
L
2L S S
2L
3L
3L S L S
4L S 2L S
图 1.3 一次混频电流频谱图
从频谱图分析可以得到: (1) 输入两个频率成分为 L 和 S 的电压,由于二极管工作特性的非线性, 输出电流产生了无数的组合频率分量,其中离中频较近得频率成分为 L , S 及
uS
1:1
uL
VD1
i1
i
VD 2
i2
iI
1:1
图 1.9 反相型平衡混频器电路原理图
图 1.9 中,信号电压 uS 等幅同相加到 VD1 和 VD 2 上,即:
uS1 uS 2 U s cos st
本振电压 u L 等幅反相加到 VD1 和 VD 2 上,即
(1-16)
uL1 U L cos Lt uL 2 U L cos Lt
2L S ,我们称 K 2L S 为镜频。在设计混频器时,要设法消除中频输出
电流中含有的这三种频率成分,以消除干扰。 (2) 中频输出频率为 I S L ,从式(1-12)易得该频率成分的电流幅度
为 g1U S ,完全保留了信号电压幅度变化的信息。即在小信号时,尽管混频器输 入端与输出端的频率不同,但幅度之间具有线性关系。 (3) 在众多频率成分中, K 2L S 和 L S 再次混频可以产生中 频,具有回收利用的可能,前者称为镜频,后者成为和频。 3.2 二次混频与混频器的三端口等效电路 实际混频器的输出滤波电路可以有效地把除中频外的一切高频成分有效短 路,使它们不再对 R j 产生影响。但输入端的信号通道也可以为镜频分量提供通 道,输出端的中频电压也反过来加在混频管上,就存在二次混频现象。其等效电 路如图 1.4 所示。
两只混频管由 u L 所激励地时变电导分别为:
g t g 2 g n cos nLt 0 1 n 1 g t g 2 g cos n t n 2 0 n L n 1
(1-17)
(1-18)
流过两管的电流分别为:
微波混频器
1 微波混频器的作用与用途
微波混频器是任何微波接收系统必不可少的前端电路功能块。 它将微弱的微 波信号和本地振荡信号同时加到非线性元件上, 实现频率由高频到低频或低频到 高频的转换,输出为中频信号,以进行下一步功能处理。混频器能够混频的一个 关键是有非线性半导体器件—肖特基势垒二极管。 能实现混频的电路形式有单端 混频器和平衡混频器等,其特性指标为变频损耗和噪声系数,本文以微波下混频 器电路为主要电路展开。
2 本振激励特性
在肖特基势垒二极管上加大信号本振电压和直流偏压时, 根据混频二极管的 伏安特性可知, 此时二极管工作在非线性状态。我们引入一个参数来反映这种状 况,该参数称为二极管的时变电导 g t 。 g t 的定义式如下:
g t
di du
u U 0 U L cosLt
容对高频信号起近似“短路”作用,对中频信号(频率较低)起近似“开路”作 用,通过一段
S 阻抗变换器后,高频信号近似“开路” ,中频信号近似“短路” , 4
可以防止中频漏入信号端和本振端,也可以防止信号和本振接地。 该混频器虽然电路简单,但噪声大,只能用于信号较强且要求不高的场合。 4.2 反相型平衡混频器 为了更有效的抑制本振噪声,我们引入用两只参数相同的肖特基势垒二极管 构成的平衡混频器,其性能优越,线路也不复杂,因而被广泛应用。图 1.9 是反 相型平衡混频器的电路原理图。
S 阻抗变换器与定向耦合器的输出端(阻抗为 50 )匹配。 4
S 终端开路线对信号短路,对其他的高次谐波呈现大电容作用 4
肖特基势垒二极管 D 是核心元件,通过其伏安特性的非线性产生中频成分。 输出电路用一段
而将其有效短路。LC 并联谐振回路对中频信号有选择作用,起到只让中频通过 的作用。
S 中频接地线等效为图 1.8 中终端接大电容的线长为 S 的并联枝节。大电 4 4
i f u f u0 f ' u0 u
1 '' f u0 u 2 2!
(1-5)
式(1-5)中, u U L cos Lt U 0 U S cos S t , u U S cos S t 。 在小信号情况下,二极管电流可以近似为下式:
I S g0 I I g1 I g K 2
g1 g0 g1
g2 U s g1 U I g0 U K
(1-15)
与式(1-15)对应的混频三端口等效电路如图 1.5 所示,用戴维南定理化简后, 得到简化等效示意图如图 1.6 所示。
(1-11)
利用三角公式处理后,得到:
i I 0 2 I n cos nLt g0U S cos S t g nU s cos nL S t
n 1 n 1
(1-12)
g n 称为 n 阶时变电导,是 f ' u0 的傅里叶级数展开式的系数。在 L S 的情况
I I 0 2 I n cos nLt
n 1
(1-7) (1-8) (1-9)
L
In
1 2
T
0
i cos nLt d Lt I sa eU L J n U L
f ' u0 g0 2 g n cos nLt
(1-1)
肖特基势垒二极管的伏安特性用下式表示为:
i I sa e u 1 f u
(1-2)
得到:
g t
di du
u U 0 U L cosLt
U U cosLt I sa e 0 L
(1-3)
式(1-3)说明当本振电压 u L 随时间作周期性变化时,瞬时电导 g t 也随时间 作周期性变化,故称为时变电导。故在本振作用下,混频二极管可等效为一个时 变电导。
Ie
Ge
Gif
图 1.5 混频三端口等效电路
图 1.6 简化的等效电路
4.微波混频器典型电路分析
微波混频器的基本电路包括单端混频器、平衡混频器和双平衡混频器,对应 使用的二极管个数为 1 个,2 个,4 个。在这些基本混频器电路的基础上增加镜 像信号处理技术就可构成镜像回收混频器, 包括滤波器式镜像回收混频器和平衡 式镜像回收混频器。 为了保证有效地进行混频, 微波混频器的基本电路都应满足以下几项主要原 则: (1)信号电压和本振电压应能同时加到二极管上,二极管要有直流通路和中 频输出回路; (2)二极管和信号回路应尽可能做到匹配,以便获得较大的信号功 率; (3)本机振荡器与混频器之间的耦合应能调节,以便选择合适的工作状态; (4)中频输出端应该能滤掉高频信号,以防止渗入中频放大器。 值得注意的是, 在微波电子线路中, 设置短路和开路的方法与低频电子线路 中不一样。根据传输线理论,当频率达到微波波段时,传输线就成为电长线(根 据电尺寸定义的) ,线上电压,电流具有明显的波动性,导线上电压,电流的相 位不再是近似不变, 因而在设置短路或开路时,不能像在低频电子线路中一样直 接地接地或者断开, 而是利用传输线的四分之一波长阻抗变换作用,等效的设置 短路或开路。 此外, 分析设计电路时还要充分考虑因失配引起的波的反射等问题。 4.1 单端混频器基本电路 该电路主要由定向耦合器、阻抗变频器( 势垒二极管、低通滤波器、