主流DDR内存芯片与编号识别

我们关注哪些厂商

在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号，

最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有

相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新

换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新

产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。

这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位

的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正

的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自

己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再

自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可

能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术

人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。

那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面

这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。

从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中

国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、

冲电气（Oki，日本）。

这其中，除了力晶、冲电气以外都是我们所比较熟悉的厂商，但华邦则在

经历战略调整，大众商用型DDR内存芯片已经不再开发新的产品，并将于

2004年年底退出这一领域。力晶半导体公司则也与之相似，在DDR内存开发

上似乎并不上心，公司主页也非常简单。鉴于使用力晶与冲电气的内存产品非

常罕见，以及华邦的未来走向，本文将按排名顺序依次介绍前7家公司的产品。由于相关参数的含义，本站的相关文章已经有详细的解释，在此我们就不再进

行介绍了。

小提示：内存编号都能告诉我们什么？

在本站以往的内存专题中，大家可以了解到，对于内存系统而言，我们应该

知道的一些内存基本信息，它们将有助于我们正确的认识内存的物理参数并进

行正确的系统设置，而内存芯片上的编号则提供了关键参数的相关信息，主要

包括：

1、芯片的容量：也称芯片的密度，当我们见到一个内存模组，在不知道容量的时候，可以通过芯片的容量来计算出模组的容量，计算方式就是用芯片的

数量乘以芯片的容量。单位是bit（小b），除以8就可以换算为Byte（大B）

的容量。

2、芯片的位宽：可以说是芯片的结构，知道了芯片的位宽后，乘以芯片的数量就可以得出内存模组的总位宽，并以此能判断模组的物理Bank数量。比

如8颗8bit的芯片组成的模组，就是单物理Bank模组，如果是16颗8bit芯片，就是双物理Bank。对于目前的内存子系统而言，增加一个物理Bank，就会增

加可供管理的页面数量，有利于提高内存管理效率。

3、芯片的逻辑Bank数量：这可以让我们判断页面数量，进而设置相应的

交错策略。

4、芯片的工作速度：这可能是最重要的信息，有的厂商还附带规定了相关的CL、tRCD、tRP时序参数，这无疑对我们了解芯片的能力是非常有用的，

它可以免除我们查看SPD中的时序信息的麻烦（理论上，SPD中的时序信息

要与所使用的内存芯片的参数相一致）。

除此之外还会有封装类型、刷新设置、接口、电压等方面的信息。总之，了解

了芯片编号的含义，就基本可以判断其主要的指标了。

三星电子（SAMSUNG）

三星电子（SAMSUNG）

三星电子内存芯片的外观

三星电子内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：

三星的产品编号中能体现的信息并不是非常详细，但对于一般的指标识别

是完全够用了，其中16、17、18三个编码一般不会在零售市场上出现，据悉

它是为OEM市场而准备的编号。另外，在本图中，有关速度的标识并不全面，除了图中的5个选项外，还有以下两种也是比较常见的：

C4：DDR-400（3-4-4）

C5：DDR-466（3-4-4）

比如以上面的芯片图为例，我们可以看出它的容量是256Mbit，位宽为

8bit，4个逻辑Bank、接口类型是SSTL-2，工作电压是2.5V，产品版本号为

F，采用TSOP-II封装，为大众化普通商用产品，工作速度为DDR-400B级标准（3-3-3）。

美光科技（Micron）

美光科技（Micron）

美光科技内存芯片的外观

美光内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：

美光科技的编号相当详细，这是因为它将所有的DRAM芯片编号进行了统一，包括久远的EDO（在一些专用设备上仍然会使用到它）和未来的DDR-2芯片，所以也显得参数很多，甚至在封装类型中还体现出有铅和无铅（Lead Free）封装，但好在分类还是比较清楚的。值得注意的是芯片的版本，其规则

也基本与三星的一样，越靠后越新，但会有一些特殊的规定，如果是LF、S2、SF、T2等标识则代表了该产品集成了两个内核，可以认为是堆叠式（Stack）

封装）。而特殊功能则是指产品所具备的一些功能可选项，但自刷新（Self Refresh）自从16Mb的SDRAM以后就是标准的设计，所以这一项是无关紧要的。

在芯片结构方面，表示容量单位的字母（K、M、G，这三个字母大家应该

很熟悉了吧）后面的数字就是芯片的位宽，它乘以前面的字母与数字组合的结

果就是芯片的容量，单位是Bit。比如图中的例子是32M8，代表的是位宽为

8bit，乘以32M，总容量为256Mbit。

以上面的芯片图为例，可以看出它的容量是256Mbit，位宽8bit，采用TSOP-II封装，产品版本应该是第一代（没有版本编号）、速度为DDR-400

（3-3-3）。

英飞凌（Infineon）

英飞凌（Infineon）

英飞凌内存芯片的外观

有人将Infineon称为西门子（Siemens），事实上英飞凌的前身是西门子

半导体公司，在SDRAM时代，我们经常看到Siemens字样的内存，但如今Infineon早已独立，所以今后不再叫它是西门子内存了。

英飞凌内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：