主流DDR内存芯片与编号识别
【教你如何区分内存条1代2代的方法】内存条如何区分几代
【教你如何区分内存条1代2代的方法】内存条如何区分几代你还在为不知道教你如何区分内存条1代2代的方法而不知所措么下面来是为大家收集的教你如何区分内存条1代2代的方法，欢迎大家阅读：。
教你如何区分内存条1代2代的方法：一代: DDR133(PC1600)、DDR266(PC2100)、DDR333(PC2700)、DDR400(PC3200)二代：DDR2 533(PC4200)、DDR2 667(PC5300)、 DDR2 800(PC6400)方法1.看金手指 DDR内存的金手指是184pin的 DDR2的金手指是240pin的方法2.开机后用cpu-z检测或者everest检测方法3.看频率 DDR多为266 333 400的频率，DDR2多为533 667 800的频率注意，如果你的主板只支持一代，而你却装上了二代的话你的主板就会烧掉的!很危险哦~内存条的容量并非越大越好，它的配置，必须遵循以下基本原则：1、条数：2的N次方条(N=0、1、2...，例如1、2、4条);2、容量：2的N次方(N=0、1、2...，例如1、2、4G);3、频率必须一致;楼主使用1G+512M=1.5(G)，显然不符合容量配比原则，反而会比只用1G还来得慢，原因就是它们之间失去配比兼容性;新机的各项物理指标、电气性能良好，掩盖了“配比不佳”的问题;而一旦机器陈旧，性能将下降，特别是灰尘、污垢使得主机电源、CPU、显卡的运行速率降低，那么“配比不佳”的矛盾就突出地显现出来;建议楼主拔下512M内存，此时的显存运行速度不会低于1.5G时的速度。
为什么1条1G和1条512M的内存条只显示1G呢那是因为两条内存条的品牌不同，做工设计也不一样，有的主板无法正确识别的缘故总而言之，不兼容的内存混合使用，问题较多，危害不少，轻则降低整机运行速度，增加主机电源的额外负担，重则有可能烧毁内存条，甚至CPU。
有关内存的几个常见问题1.内存的单面与双面，单Bank与双Bank的区别单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。
主流ddr4内存颗粒编码规则
主流ddr4内存颗粒编码规则
主流DDR4内存颗粒编码规则是一种用于存储和传输数据的内存技术。
DDR4内存是第四代双倍数据速率（Double Data Rate）动态随机存取内存（DDR SDRAM）。
每个DDR4内存芯片由许多内存颗粒组成，每个内存颗粒都有自己的编码规则。
DDR4内存颗粒编码规则通常遵循JEDEC标准（联合电子工程师会议）。
JEDEC标准定义了存储和提取数据所需的编码格式。
DDR4内存颗粒使用64位编码规则，这意味着每个颗粒可以同时传输或存储64位（8字节）的数据。
DDR4内存颗粒编码规则根据JEDEC标准将数据分为不同的组，每组由8位编码表示。
这些编码通常以16进制形式表示，使用0-9和A-F表示16个可能的值。
每个组的编码规则是固定的，这样计算机系统就可以准确地存储和提取数据。
除了数据之外，DDR4内存颗粒编码规则还包括一些附加的控制信号和错误检测纠正（ECC）码。
控制信号用于同步内存操作，并指示内存的读取和写入操作。
ECC码用于检测和纠正内存中的数据错误。
这些额外的编码规则确保数据的安全存储和传输。
总结来说，主流DDR4内存颗粒编码规则使用JEDEC标准定义了存储和传输数据所需的编码格式。
这些规则包括64位编码、16进制表示、控制信号和ECC
码等。
这些规则确保内存的正常操作，并保证数据的准确性和可靠性。
主流DDR2编号识别方法
随着内存技术的进步，现在DDR2已经渐成主流，虽然在很多人的眼中，DDR2仍然有着这样或那样的不足，但在业界主力厂商的大力推广下，在CPU平台不断向更高频率冲刺的时候，DDR2代替原有的DDR已经不可避免。
以下为各大品牌的DDR内存的测评报告。
三星（SAMSUNG）三星电子DDR2内存芯片外观三星电子有关DDR2内存芯片的编号规则如下：三星的编号还第16、17、18三位，我们没在此说明。
因此，这三位编号并不常见，一般用于OEM与特殊的领域，因而在此就不介绍了。
以前面的芯片照片为例，可以看出这是一枚容量为512Mbits、位宽为8bit、4个逻辑Bank、SSTL/1.8V接口、采用FBGA封装的DDR2-400芯片，并且是第三代产品。
海力士（Hynix）海力士DDR2内存芯片外观海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。
因此，在海力士的封装材料中也特别注明了这一点。
根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。
尔必达（ELPIDA）海力士DDR2内存芯片外观海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。
因此，在海力士的封装材料中也特别注明了这一点。
根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。
教大家识别内存颗粒上的编号
教大家识别内存颗粒上的编号教大家识别内存颗粒上的编号2009/2/181、海力士(Hynix)/image/upload/memory/200731012431014077801.jpg海力士DDR2内存颗粒的第一排编号通常由HY开头·第3、4位“5P”代表DDR2·第5位“S”代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V·第6、7位代表容量，本例中“12”代表512Mb，其它如“28”为128Mb、“56”为256Mb、“1G”为1Gb、“2G”为2Gb。
该值除以8即为单颗容量，再乘以颗粒数便是整条内存的容量·第8、9位代表颗粒位宽，如果为“4”和“8”，则只占编号中的第8位，如本例所示；如果为“16”和“32”，则占第8、9位·第10位代表逻辑Bank数。
其中“1”为2Banks，“2”为4Banks，而“3”为8Banks·第11位代表接口类型。
比如“1”为SSTL_18，另外，“2”为SSTL_2·第12、13位代表产品的规格，比如C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3，字母越靠后越好海力士内存颗粒的超频性一向不错，比如C5、C3，特别是目前代号S6的DDR2-800内存颗粒比较好超，一般都可以超到1000MHz 的水准，因此对于组建扣肉、AM2超频平台的朋友来说，是极不错的选择常采用的内存模块厂商：很多品牌的DDR2内存都有采用海力士DDR2内存颗粒，如创见、威刚、超胜等。
2、三星(Samsung)/image/upload/memory/200731012431048477802.jpg·三星DDR2内存颗粒的第一排编号通常由K4开头，代表Memory DRAM的意思·第三位“T”代表内存为DDR2内存·第四、第五位代表容量，其中51代表512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量·第六、第七位代表位宽，08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、08为×8、16为×16·第八位代表逻辑Bank，其中“3”的逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks·第九位代表接口类型，一般为“Q”，表示接口类型工作电压为SSTL 1.8V·第十位代表颗粒版本，其中“B”代表的产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推、越新越好·第十一位代表封装类型，其中“G”代表封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA(Small)、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF(Small) ·第十二位代表功耗类型，其中“C”表示普通能耗，如果是L则为低能耗·第十三、十四位代表内存速度，其中D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2 677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。
主流DDR区分方法
主流DDR区分方法
主流DDR（Double Data Rate）内存可以根据不同的标准和参数进行区分。
以下是几种常见的DDR区分方法：
1. DDR标准：主流DDR内存可以根据其符合的DDR标准进行区分，如DDR3、DDR4等。
每个DDR标准都有不同的规格和性能特点。
2. 频率：DDR内存的频率是指其内部时钟的速度。
频率越高，内存的传输速度越快。
主流DDR内存的频率通常以MHz为单位进行表示，例如DDR3-1600、DDR4-2400等。
3. CL时序：CL时序是DDR内存的延迟参数之一，表示存储器处理读写命令时需要的时钟周期数。
较低的CL时序意味着内存响应更快。
主流DDR内存的CL 时序通常为CL9、CL11等。
4. 容量：DDR内存可以根据其容量进行区分，例如4GB、8GB、16GB等。
较大的容量意味着内存可以存储更多的数据。
5. DDR通道：DDR内存通常通过多个通道进行连接，以提高数据传输效率。
主流DDR内存可以根据其通道数量进行区分，例如单通道、双通道等。
以上是几种常见的主流DDR内存区分方法，根据这些参数，用户可以选择适合
自己需求的DDR内存产品。
内存条编码识别
先举2个例子:有两条SD内存，一条编号是HY57V28820AT-H，双面16片，一条是GM72V66841XT7J，单面8片，是多大的内存？怎样识别那些代码啊？一直都不会看。
答案:HY57V28820AT-H，-H表示这是符合PC-133规范的内存,CAS参数为3，也就是原来的T75。
封装形式为TSOP。
HY57指的是现代SDRAM颗粒，V指的是COMS 工艺3.3电压。
后面跟的28意思指的是128Mb、4K的刷新。
也就是这个颗数的组织形式是*8。
也就是16M * 8的颗粒。
GM72V66841XT7J，原LGS的，后与HY公司的内存部门合并，这片内存是10ns 的，PC100，64M的SDRAM内存下面是识别方法:HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.dd表示带宽。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.g表示版本号，B—第三代。
h表示电源功耗， L—低功耗；空白—普通型。
ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.2) HY57V653220B TC-7按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ下面给各位个参考数据:各厂商内存芯片编号（1）HYUNDAI（现代）现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k 代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns ［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。
但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。
而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。
一、DDR SDRAM：现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。
现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。
虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。
这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。
从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
内存序列号识别
内存序列号从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。
当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。
我们可以借助SiSoft Sandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。
内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式（1）1.0---1.2版本这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS 的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。
5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。
2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
（2）1.2b+版本其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS 的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
内存品牌及识别内存
如图4-11所示为HYUNDAI内存。
如图4-9所示为三星DDRAM内存。 图4-9
Micron美光
• SDRAM • Rambus • DDR SDRAM
Micron（美光）是美国最大的内存颗粒 制造商。
其 SDRAM 芯 片 编 号 格 式 为 MT48abcdMefAgTG-hij ， 其 中 MT 代 表 Micron 的 产 品 ， 48 代 表 产 品 家 族 （ 48=SDRAM 、 4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）， ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS），cdMef设 备 号 码 （ 深 度 × 宽 度 ） ， 无 字 母 =bit ， K=Kilobit （ KB ） ， M=Megabit （ MB ） ， G=Gigabit（GB）Mricron的容量=cd×ef；ef表 示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、 16 位 和 32 位 ) ； Ag 代 表 Write Recovery[Twr] （A2=Twr=2clk）；
DDR SDRAM
在Micron DDR SDRAM内存上，内 存芯片上的参数含义如下：-8支持PC200 （CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B （ CL=2.5 ） -7 支 持 PC200 （ CL2 ） ， PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例 如 MT48LC16M8A2TG-75L_ES 表 示 美 光的SDRAM，16M8=16×8MB=128MB， 133MHz。
内存型号识别
DDR内存识别
DDR内存识别部分主流显存颗粒识别MT——Micron 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。
LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
8M8——内存颗粒容量为8M。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。
Infineon 亿恒也叫英飞凌Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。
目前，Infineon 在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。
它的编号简单，编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。
它的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。
所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
对它颗粒编号的简单介绍：HYB－内存编号开头25－25是时间（周）D－D代表DDR颗粒，S代表SDR颗粒128－128代表单颗容量为128/8=16M32－32表示位宽32bit3.3－3.3代表颗粒速度这颗编号为HYB25D128323C-3.3，编号中正数第10、11位，也就是“32”代表了该颗粒的数据输出位宽。
32也就是单颗32位。
顺便说一下，这是DDR SGRAM 显存颗粒。
Samsung 韩国三星目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。
内存DDR的123代区分
温馨提示：
1、DDR代表是1代内存、DDR2代表是2代内存、DDR3代表是3代内存。
2、金士顿512M DDR 400 台式机内存的“400”是频率的意思！常用内存频率有266、33
3、400、533、667、800、1066……等频率。
频率越高，速度越快！
3、内存最好要使用同型号、同大小、同频率为好，这样您的系统才能更稳定。
4、常用内存有DDR、DDR2、DDR3之分，3种内存不能混用，拍前请确定自己电脑使用的是什么型号内存、什么频率。
5、如果您不确定自己电脑使用什么内存！可以用下面这个“C PU-Z”软件检测一下，谢谢！
运行软件后看“SPD”选项的“最大带宽”一栏,会看到“PCxx00”，如下：
DDR 是“1代内存”频率分266 333 400 规格
PC2100是DDR 266内存
PC2700是DDR 333内存
PC3200是DDR 400内存
DDR2 是“2代内存”频率分533 667 800 规格PC2-4200是DDR2 533内存
PC2-4300是DDR2 533内存
PC2-5300是DDR2 667内存
PC2-6400是DDR2 800内存
DDR3是“3代内存”频率分1066 1333 1600 PC3-8500 是DDR3 1066/1067内存
PC3-10600是DDR3 1333内存
PC3-10700是DDR3 1333内存
PC3-12800是DDR3 1600内存。
内存颗粒识别大全
很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普
通SDRAM参考。
SEC编码规则：
KM4 XX S XX 0 X X XT－XX
1 2 3 4 5 6 7 89 10 11
1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4。
2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。
5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK
7、I／O界面：一般为1
8、产品系列：从A至F。
9、功耗：空白则是普通，L是低功
1、HYB代表西门子
2、39S代表SDRAM
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为0
6、产品系列 7、一般Biblioteka T 8、L为低耗，空白为普通
9、速度：
6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS
七、FUJITSU（富士通FUJITSU）
片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
怎样从内存芯片上识别DDR400-1G的内存条
内存条芯片参数整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
常见内存的编号与标识
常见内存的编号与标识
佚名
【期刊名称】《电脑采购》
【年(卷),期】2001(000)019
【摘要】<正> 1.LGS 曾经最为多见的内存芯片品牌,但现在已经被现代所并购,所以我们现在见到的大多数HY就是以前的LGS,LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式 GM72V xx xx 1x T/x -xx最前面的两个xx表示容量,其中16为
16MB,66为64MB,28为128MB。
最后两个xx即代表速度: 其中:7--143MHz;
7.5--133MHz;8--125MHz;7K--100MHz(CL为2);7J--100MHz(CL为3);10K--100MHz(不是PC100规格) 从中可见,常见的7J内存只是刚刚达到PC100的规格,而7.5和7两种才可达到PC133
【总页数】1页(P17-17)
【正文语种】中文
【中图分类】F764.6
【相关文献】
1.常见内存的编号与标示 [J],
2.明明白白买DDR2内存看清DDR2内存颗粒编号 [J], 小团子
3.极品内存如何找?颗粒编号揭示超频性能 [J], 小团子
4.标准编号（标识）与标准性质标识的区别 [J], 茆殿宝
5.买内存需要知道编号吗？ [J],
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主流品牌内存及其参数
主流品牌内存参数解读以下皆为DDR SDRAM品牌内存：HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14定义：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP （UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR4003-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））LGS的内存编码规则：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司。
DDR内存常用品牌颗粒识别
DDR 内存常用品牌颗粒识别详解海力士(现代)内存海力士内存颗粒编号一般分为14个部分1. HY 表示海力士内存2.产品家族，“5D”表示DDR 内存3.工作电压V 表示VDD=3.3V ，VDDQ=2.5V U 表示VDD=2.5V ，VDDQ=2.5V W 表示VDD=2.5V ，VDDQ=1.8V S 表示VDD=1.8V ，VDDQ=1.8V 4.容量和刷新设置 64表示64Mb 、4K 刷新 66表示64Mb 、2K 刷新 28表示128Mb 、4K 刷新 56表示256Mb 、8K 刷新 57表示256Mb 、4K 刷新 12表示512Mb 、8K 刷新 1G 表示1Gb 、8K 刷新 5.颗粒位宽 4表示X4 8表示X8 16表示X16 32表示X326.表示逻辑BANK 数量 1表示2bankS 2表示4BANKS 3表示8BANKS7.接口类型1表示SSTL ＿3 2表示SSTL ＿2 3表示SSTL ＿18 8.颗粒版本“空白”表示第一代生产 A 表示第二代 B 表示第三代 C 表示第四代 9.能耗水准“空白”表示大众商用型、普通能耗 L 表示大众商用型、低能耗10.封装形式 T 表示TSOP Q 表示LQFP F 表示FBGAFC 表示FBGA （UTC ：8X13mm ） 11.表示堆叠封装 “空白”表示普通S 表示Hynix K 表示M&T J 表示其他M 表示MCP （Hynix ） MU 表示MCP （UTC ） 12.封装材料 空白 表示普通材料 P 表示铅 H 表示卤素 R 表示铅和卤素 13.颗粒性能D43表示DDR400（3-3-3） D3表示DDR400（3-4-4） J 表示DDR333M 表示DDR266（2-2-2） K 表示DDR266A H 表示DDR226B L 表示DDR200 14.工作需求温度 I 表示工业常温40-85度 E 扩展温度零下25-85三星DDR 内存三星内存颗粒一般分为17部分1.K 表示内存2.内存类别 4表示DRAM3.内存子类别 H 表示DDR T 表示DDR2 4-5.代表容量 28表示128Mb 56表示256Mb 51表示512Mb 1G 表示1Gb 2G 表示2Gb 6-7.表示位宽 04表示X4 32表示X32 06表示X4 Stack 07表示X8 Stack 16表示X16 8.表示BANK 数量 3表示4BANK 4表示8BANK9.表示接口类型与电压8表示接口类型为SSTL ＿2 工作电压2.5V Q 表示接口类型SSTL 工作电压1.8V 10.产品版本 M 1代 A 2代 B 3代 C 4代 D 5代 E 6代 F 7代 G 8代 H 9代生产 11.封装类型 T 表示TSOP2S 表示 sTSOP2 G 表示FBGAU 表示TSOP2（LEAD FREE ）Z 表示FBGA （LEAD FREE ）12.工作温度、能耗C 大众商用型能 、普通能耗 工作温度0-70 L 大众商用型能 、低通能耗 0-70I 工业型、普通能耗40-85 13-14.频率延迟 CC DDR400 3-3-3 C4 DDR400 3-4-4 C5 DDR466 3-4-4 B3 DDR333 2.5-3-3 AA DDR266 2-2-2 A2 DDR266 2-3-3 BO DDR266 2.5-3-3 15-17.OEM 时常保留标号位置英飞凌内存英飞凌内存颗粒编号一般分10个部分1.HY B 表示英飞凌内存（与海力士有区别 注意）2.工作电压 39表示3.3V 25表示2.5V 18表示1.8V 3.内存类型 S 表示SDR D 表示DDR T 表示DDR24.容量 略5.产品结构 40表示X4 80表示X816表示X166.产品变化，0表示标准产品7. 版本号字母表中的顺序越靠后越新例如A1代B2代C3代...8.封装类型C FBGA（含铅）T TSOP 400mil（含铅）E TSOP 400mil（无铅无卤）F FBGA（无铅无卤）G 堆叠TSOP（无铅无卤）9.能耗标准空白表示普通能耗L 低能耗10.颗粒性能5 DDR400B 3-3-36 DDR333 2.5-3-37 DDR266A 2-3-37F DDR266 2-2-27.5 DDR266B 2.5-3-38 DDR200 2-2-2。
常见内存型号及部分内存条的真假辨别？
常见内存型号及部分内存条的真假辨别？常见内存型号及部分内存条的真假辨别？常见内存型号DDR=Double Data Rate双倍速率同步固态随机处理器：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
什么是 DDR1?有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。
尽管一般是使用“DDR” ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。
DDR1规格DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行 DDR-266: DDR-SDRAM 记忆芯片在133 MHz下运行 DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行（JEDEC制定的DDR最高规格）DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）什么是 DDR2?DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。
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我们关注哪些厂商在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号，最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。
在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。
所有相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。
这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。
但请注意，他们并不是真正的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再自己或找代工厂封装。
这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。
因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。
那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。
从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、冲电气（Oki，日本）。
这其中，除了力晶、冲电气以外都是我们所比较熟悉的厂商，但华邦则在经历战略调整，大众商用型DDR内存芯片已经不再开发新的产品，并将于2004年年底退出这一领域。
力晶半导体公司则也与之相似，在DDR内存开发上似乎并不上心，公司主页也非常简单。
鉴于使用力晶与冲电气的内存产品非常罕见，以及华邦的未来走向，本文将按排名顺序依次介绍前7家公司的产品。
由于相关参数的含义，本站的相关文章已经有详细的解释，在此我们就不再进行介绍了。
小提示：内存编号都能告诉我们什么？在本站以往的内存专题中，大家可以了解到，对于内存系统而言，我们应该知道的一些内存基本信息，它们将有助于我们正确的认识内存的物理参数并进行正确的系统设置，而内存芯片上的编号则提供了关键参数的相关信息，主要包括：1、芯片的容量：也称芯片的密度，当我们见到一个内存模组，在不知道容量的时候，可以通过芯片的容量来计算出模组的容量，计算方式就是用芯片的数量乘以芯片的容量。
单位是bit（小b），除以8就可以换算为Byte（大B）的容量。
2、芯片的位宽：可以说是芯片的结构，知道了芯片的位宽后，乘以芯片的数量就可以得出内存模组的总位宽，并以此能判断模组的物理Bank数量。
比如8颗8bit的芯片组成的模组，就是单物理Bank模组，如果是16颗8bit芯片，就是双物理Bank。
对于目前的内存子系统而言，增加一个物理Bank，就会增加可供管理的页面数量，有利于提高内存管理效率。
3、芯片的逻辑Bank数量：这可以让我们判断页面数量，进而设置相应的交错策略。
4、芯片的工作速度：这可能是最重要的信息，有的厂商还附带规定了相关的CL、tRCD、tRP时序参数，这无疑对我们了解芯片的能力是非常有用的，它可以免除我们查看SPD中的时序信息的麻烦（理论上，SPD中的时序信息要与所使用的内存芯片的参数相一致）。
除此之外还会有封装类型、刷新设置、接口、电压等方面的信息。
总之，了解了芯片编号的含义，就基本可以判断其主要的指标了。
三星电子（SAMSUNG）三星电子（SAMSUNG）三星电子内存芯片的外观三星电子内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：三星的产品编号中能体现的信息并不是非常详细，但对于一般的指标识别是完全够用了，其中16、17、18三个编码一般不会在零售市场上出现，据悉它是为OEM市场而准备的编号。
另外，在本图中，有关速度的标识并不全面，除了图中的5个选项外，还有以下两种也是比较常见的：C4：DDR-400（3-4-4）C5：DDR-466（3-4-4）比如以上面的芯片图为例，我们可以看出它的容量是256Mbit，位宽为8bit，4个逻辑Bank、接口类型是SSTL-2，工作电压是2.5V，产品版本号为F，采用TSOP-II封装，为大众化普通商用产品，工作速度为DDR-400B级标准（3-3-3）。
美光科技（Micron）美光科技（Micron）美光科技内存芯片的外观美光内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：美光科技的编号相当详细，这是因为它将所有的DRAM芯片编号进行了统一，包括久远的EDO（在一些专用设备上仍然会使用到它）和未来的DDR-2芯片，所以也显得参数很多，甚至在封装类型中还体现出有铅和无铅（Lead Free）封装，但好在分类还是比较清楚的。
值得注意的是芯片的版本，其规则也基本与三星的一样，越靠后越新，但会有一些特殊的规定，如果是LF、S2、SF、T2等标识则代表了该产品集成了两个内核，可以认为是堆叠式（Stack）封装）。
而特殊功能则是指产品所具备的一些功能可选项，但自刷新（Self Refresh）自从16Mb的SDRAM以后就是标准的设计，所以这一项是无关紧要的。
在芯片结构方面，表示容量单位的字母（K、M、G，这三个字母大家应该很熟悉了吧）后面的数字就是芯片的位宽，它乘以前面的字母与数字组合的结果就是芯片的容量，单位是Bit。
比如图中的例子是32M8，代表的是位宽为8bit，乘以32M，总容量为256Mbit。
以上面的芯片图为例，可以看出它的容量是256Mbit，位宽8bit，采用TSOP-II封装，产品版本应该是第一代（没有版本编号）、速度为DDR-400（3-3-3）。
英飞凌（Infineon）英飞凌（Infineon）英飞凌内存芯片的外观有人将Infineon称为西门子（Siemens），事实上英飞凌的前身是西门子半导体公司，在SDRAM时代，我们经常看到Siemens字样的内存，但如今Infineon早已独立，所以今后不再叫它是西门子内存了。
英飞凌内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：在以前，有些人一看开头是HYB就以为是现代（HYUNHAI）的内存芯片，现在可就不要再出这种错误了。
在最新的编号中，英飞凌将DDR和DDR-2的产品编号进行了统一，比如DDR-2 400与DDR-400的速度编号是一样的，但在具体的产品上所代表的含义并不一样。
英飞凌的编号比较简明（由于DDR内存目前都是4个逻辑Bank，所以英飞凌也就取消了该编号，但估计到了DDR-2时代，由于多了8Bank的选项，估计还会有该编码），在此就不再多说了。
以上面的芯片图为例，可以看出它的容量是256Mbit，位宽8bit，工作电压2.5V，无变化的标准产品，产品的版本号为B，采用TSOP-II封装，速度为DDR-400B（3-3-3）。
海力士（Hynix）海力士（Hynix）海力士内存芯片的外观与英飞凌的情况类似，海力士以前是韩国现代电子公司的子公司现代半导体公司，后来从母公司中独立，改名为Hynix，所以严格的说，它的产品不能再称之为“现代内存”了。
海力士内存编号说明如下（可点击放大）：海力士的编号也属于比较简明的那一种，唯一可能比较陌生的就是封装材料和堆叠封装类型，前者是指封装时用的电镀原料，是普通封装，还是无铅（Lead Free）或无卤（Halogen Free）封装，这方面我们不用怎么关心，当然无铅和无卤都是为了环保而采用的工艺。
堆叠封装的产品我们一般也很少看到，它们大都用于工业级产品，在此也就不详细介绍了。
以上面的芯片图为例，可以看出它的容量为256Mbit，位宽为8Bit，4个逻辑Bank，SSTL-2接口，产品版本为B，TSOP-II封装，工作速度为DDR-400B级（3-3-3）。
这里需要指出的是，最近市面上出现了一种速度编号为D5的芯片，这个编号在最新的编码规则中并没有提及，而在早前的规则中，则定义为DDR-533，也有消息说，D5代表的是海力士新推出的DDR-550，而最近的一些高档超频模组就使用的这种芯片。
笔者认为，DDR-550的说法比较可信，量产DDR-550芯片也是海力士的官方新闻中所提到的。
南亚科技（Nanya）南亚科技（Nanya）南亚内存芯片的外观南亚内存芯片编号说明如下（可点击放大）：南亚的编号也是SDRAM、DDR SDRAM与DDR-2 SDRAM统一在起，而且也比较简明，在芯片结构方面，规则与美光的一样，并且也没有逻辑Bank数量的编码，在此不再详细说明了。
不过，南亚代工的内存产品也非常多，如Elixir、PQI等，但这些产品已经非常少见，并且也没有对外公布明确的编码规则，我们就不介绍了。
以上图的芯片为例，可以看出是它的容量是128Mbit，位宽为8bit，SSTL-2接口，产品版本为第一代A版本，采用TSOP-II封装，速度为266A级（CL=2）。
尔必达（ELPIDA）尔必达（ELPIDA）尔必达内存芯片的外观尔必达是日立与NEC各自的内存分部合并的结果，也因此在产品的编号会有两种截然不同的规则与标识，早期以HM为开头的很可能就是原日立分部的延续，而目前则基本转移到了DD开头的编号规则。
近期，尔必达的声势比较大，产销形势有明显的好转，采用其芯片的金士顿模组已经在国内上市，相信今后我们能见到越来越多采用尔必达芯片的产品。
尔必达内存芯片编号说明如下（可点击放大）：尔必达的编号也是比较简单的，需要指出的是，在速度编号的后面还有可能出现其他的编码，比如L，就代表低能耗，I则代表工业级产品，具有宽广的工作温度范围（-40至85°C），不过它们很不常见，在此就不多说了。
另外，编码中的第一个字母E，一般不会有，在芯片上直接以DD形状，而E则变成了尔必达的英文名称——ELPIDA。
以上面的芯片图为例，可以看出是256Mbit容量/4个逻辑Bank，8bit位宽，TSOP-II封装，产品版本号为J，速度标准为DDR-266A级（2-3-3）。
茂矽（MOSEL VITELIC）茂矽（MOSEL VITELIC）茂矽内存芯片的外观茂矽内存芯片编号说明如下（可点击放大）：茂矽的编号也比较详细，而且比较明确，只是芯片结构一栏比较难以理解，我们可以这样看：前面的三位数是总容量，后面的两位数则是位宽（80=8bit、40=4bit、16=16bit、32=32bit），其他的就很好理解了。
以上面芯片图为例，可以看出是256Mbit容量，8bit位宽，4个逻辑Bank，SSTL-2接口，产品版本为A，采用TSOP-II封装，速度为DDR-400B级（3-3-3）。