主流DDR内存芯片与编号识别
我们关注哪些厂商
在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号，
最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有
相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新
换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新
产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。
这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位
的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正
的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自
己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再
自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可
能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术
人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。
那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面
这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。
从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中
国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、
冲电气（Oki，日本）。
这其中，除了力晶、冲电气以外都是我们所比较熟悉的厂商，但华邦则在
经历战略调整，大众商用型DDR内存芯片已经不再开发新的产品，并将于
2004年年底退出这一领域。力晶半导体公司则也与之相似，在DDR内存开发
上似乎并不上心，公司主页也非常简单。鉴于使用力晶与冲电气的内存产品非
常罕见，以及华邦的未来走向，本文将按排名顺序依次介绍前7家公司的产品。由于相关参数的含义，本站的相关文章已经有详细的解释，在此我们就不再进
行介绍了。
小提示：内存编号都能告诉我们什么？
在本站以往的内存专题中，大家可以了解到，对于内存系统而言，我们应该
知道的一些内存基本信息，它们将有助于我们正确的认识内存的物理参数并进
行正确的系统设置，而内存芯片上的编号则提供了关键参数的相关信息，主要
包括：
1、芯片的容量：也称芯片的密度，当我们见到一个内存模组，在不知道容量的时候，可以通过芯片的容量来计算出模组的容量，计算方式就是用芯片的
数量乘以芯片的容量。单位是bit（小b），除以8就可以换算为Byte（大B）
的容量。
2、芯片的位宽：可以说是芯片的结构，知道了芯片的位宽后，乘以芯片的数量就可以得出内存模组的总位宽，并以此能判断模组的物理Bank数量。比
如8颗8bit的芯片组成的模组，就是单物理Bank模组，如果是16颗8bit芯片，就是双物理Bank。对于目前的内存子系统而言，增加一个物理Bank，就会增
加可供管理的页面数量，有利于提高内存管理效率。
3、芯片的逻辑Bank数量：这可以让我们判断页面数量，进而设置相应的
交错策略。
4、芯片的工作速度：这可能是最重要的信息，有的厂商还附带规定了相关的CL、tRCD、tRP时序参数，这无疑对我们了解芯片的能力是非常有用的，
它可以免除我们查看SPD中的时序信息的麻烦（理论上，SPD中的时序信息
要与所使用的内存芯片的参数相一致）。
除此之外还会有封装类型、刷新设置、接口、电压等方面的信息。总之，了解
了芯片编号的含义，就基本可以判断其主要的指标了。
三星电子（SAMSUNG）
三星电子（SAMSUNG）
三星电子内存芯片的外观
三星电子内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：
三星的产品编号中能体现的信息并不是非常详细，但对于一般的指标识别
是完全够用了，其中16、17、18三个编码一般不会在零售市场上出现，据悉
它是为OEM市场而准备的编号。另外，在本图中，有关速度的标识并不全面，除了图中的5个选项外，还有以下两种也是比较常见的：
C4：DDR-400（3-4-4）
C5：DDR-466（3-4-4）
比如以上面的芯片图为例，我们可以看出它的容量是256Mbit，位宽为
8bit，4个逻辑Bank、接口类型是SSTL-2，工作电压是2.5V，产品版本号为
F，采用TSOP-II封装，为大众化普通商用产品，工作速度为DDR-400B级标准（3-3-3）。
美光科技（Micron）
美光科技（Micron）
美光科技内存芯片的外观
美光内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：
美光科技的编号相当详细，这是因为它将所有的DRAM芯片编号进行了统一，包括久远的EDO（在一些专用设备上仍然会使用到它）和未来的DDR-2芯片，所以也显得参数很多，甚至在封装类型中还体现出有铅和无铅（Lead Free）封装，但好在分类还是比较清楚的。值得注意的是芯片的版本，其规则
也基本与三星的一样，越靠后越新，但会有一些特殊的规定，如果是LF、S2、SF、T2等标识则代表了该产品集成了两个内核，可以认为是堆叠式（Stack）
封装）。而特殊功能则是指产品所具备的一些功能可选项，但自刷新（Self Refresh）自从16Mb的SDRAM以后就是标准的设计，所以这一项是无关紧要的。
在芯片结构方面，表示容量单位的字母（K、M、G，这三个字母大家应该
很熟悉了吧）后面的数字就是芯片的位宽，它乘以前面的字母与数字组合的结
果就是芯片的容量，单位是Bit。比如图中的例子是32M8，代表的是位宽为
8bit，乘以32M，总容量为256Mbit。
以上面的芯片图为例，可以看出它的容量是256Mbit，位宽8bit，采用TSOP-II封装，产品版本应该是第一代（没有版本编号）、速度为DDR-400
（3-3-3）。
英飞凌（Infineon）
英飞凌（Infineon）
英飞凌内存芯片的外观
有人将Infineon称为西门子（Siemens），事实上英飞凌的前身是西门子
半导体公司，在SDRAM时代，我们经常看到Siemens字样的内存，但如今Infineon早已独立，所以今后不再叫它是西门子内存了。
英飞凌内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：
在以前，有些人一看开头是HYB就以为是现代（HYUNHAI）的内存芯片，现在可就不要再出这种错误了。在最新的编号中，英飞凌将DDR和DDR-2的产品编号进行了统一，比如DDR-2 400与DDR-400的速度编号是一样的，但在具体的产品上所代表的含义并不一样。英飞凌的编号比较简明（由于DDR内存目前都是4个逻辑Bank，所以英飞凌也就取消了该编号，但估计到了DDR-2时代，由于多了8Bank的选项，估计还会有该编码），在此就不再多说了。
以上面的芯片图为例，可以看出它的容量是256Mbit，位宽8bit，工作电压2.5V，无变化的标准产品，产品的版本号为B，采用TSOP-II封装，速度为DDR-400B（3-3-3）。
海力士（Hynix）
海力士（Hynix）
海力士内存芯片的外观
与英飞凌的情况类似，海力士以前是韩国现代电子公司的子公司现代半导体公司，后来从母公司中独立，改名为Hynix，所以严格的说，它的产品不能再称之为“现代内存”了。
海力士内存编号说明如下（可点击放大）：
海力士的编号也属于比较简明的那一种，唯一可能比较陌生的就是封装材料和堆叠封装类型，前者是指封装时用的电镀原料，是普通封装，还是无铅（Lead Free）或无卤（Halogen Free）封装，这方面我们不用怎么关心，当然无铅和无卤都是为了环保而采用的工艺。堆叠封装的产品我们一般也很少看到，它们大都用于工业级产品，在此也就不详细介绍了。
以上面的芯片图为例，可以看出它的容量为256Mbit，位宽为8Bit，4个逻辑Bank，SSTL-2接口，产品版本为B，TSOP-II封装，工作速度为DDR-400B级（3-3-3）。这里需要指出的是，最近市面上出现了一种速度编号为D5的芯片，这个编号在最新的编码规则中并没有提及，而在早前的规则中，则定义为DDR-533，也有消息说，D5代表的是海力士新推出的DDR-550，而最近
的一些高档超频模组就使用的这种芯片。笔者认为，DDR-550的说法比较可信，量产DDR-550芯片也是海力士的官方新闻中所提到的。
南亚科技（Nanya）
南亚科技（Nanya）
南亚内存芯片的外观
南亚内存芯片编号说明如下（可点击放大）：
南亚的编号也是SDRAM、DDR SDRAM与DDR-2 SDRAM统一在起，而且也比较简明，在芯片结构方面，规则与美光的一样，并且也没有逻辑Bank
数量的编码，在此不再详细说明了。不过，南亚代工的内存产品也非常多，如Elixir、PQI等，但这些产品已经非常少见，并且也没有对外公布明确的编码规则，我们就不介绍了。
以上图的芯片为例，可以看出是它的容量是128Mbit，位宽为8bit，SSTL-2接口，产品版本为第一代A版本，采用TSOP-II封装，速度为266A级
（CL=2）。
尔必达（ELPIDA）
尔必达（ELPIDA）
尔必达内存芯片的外观
尔必达是日立与NEC各自的内存分部合并的结果，也因此在产品的编号会有两种截然不同的规则与标识，早期以HM为开头的很可能就是原日立分部的延续，而目前则基本转移到了DD开头的编号规则。近期，尔必达的声势比较大，产销形势有明显的好转，采用其芯片的金士顿模组已经在国内上市，相信今后我们能见到越来越多采用尔必达芯片的产品。
尔必达内存芯片编号说明如下（可点击放大）：
尔必达的编号也是比较简单的，需要指出的是，在速度编号的后面还有可
能出现其他的编码，比如L，就代表低能耗，I则代表工业级产品，具有宽广的
工作温度范围（-40至85°C），不过它们很不常见，在此就不多说了。另外，
编码中的第一个字母E，一般不会有，在芯片上直接以DD形状，而E则变成
了尔必达的英文名称——ELPIDA。
以上面的芯片图为例，可以看出是256Mbit容量/4个逻辑Bank，8bit位宽，TSOP-II封装，产品版本号为J，速度标准为DDR-266A级（2-3-3）。
茂矽（MOSEL VITELIC）
茂矽（MOSEL VITELIC）
茂矽内存芯片的外观
茂矽内存芯片编号说明如下（可点击放大）：
茂矽的编号也比较详细，而且比较明确，只是芯片结构一栏比较难以理解，我们可以这样看：前面的三位数是总容量，后面的两位数则是位宽（80=8bit、40=4bit、16=16bit、32=32bit），其他的就很好理解了。
以上面芯片图为例，可以看出是256Mbit容量，8bit位宽，4个逻辑Bank，SSTL-2接口，产品版本为A，采用TSOP-II封装，速度为DDR-400B级（3-
3-3）。
原文地址:https://www.360docs.net/doc/107706386.html,/21/219385_all.html
如何识别超频内存条和购买用于超频的内存条精品
【关键字】情况、方法、模式、稳定、需要、方式、办法、标准、水平、保证、指导、实现如何识别超频内存条和购买用于超频的内存条专家指导如何识别超频内存条和购买用于超频的内存条 网友问1：我现在有两条DDR2 800的内存，但是听说现在市场上有很多DDR2 800的内存条并不是使用标准的DDR2 800颗粒，而是由低端颗粒超频上去的。我想知道有没有什么办法或者软件区别超频的或者未超频的颗粒呢？ 网友问2：现在我想进行把我的内存升级，我现在的内存已经超到DDR2850水平，但是现在不知道需要购买什么样的内存，现在不知道什么样的内存能和它匹配。麻烦我爱电脑网专家帮我介绍些好点的特别适合超频的内存 专家答：现在还没有一款专门的软件来实现区别超频的或者未超频的颗粒这种这个功能，我们在购买内存条的时候可以用下面的几种方法来区别：看看内存条上的颗粒的编号，如果能够直接看到颗粒的编号，然后到网站上搜索即可找到相应的信息参数。其次，查看内存颗粒的工作电压，部分超频颗粒为了能够稳定工作在DDR2 800模式下，只能通过加压的方式实现，DDR2 内存的标准电压是1.80V，要是大于了这个值就要注意了，另外还要留心内存的延迟参数．按照JEDEC（电子元件工业联合会）的规定，对于DDR2 533内存来说的标准延迟参数是4-4-4-12，DDR2 667为5-5-515，DDR2 800是5-5-5-18，如果内存条的参数与标准参数持平，但是工作电压超过了1.8V，则很有可能就是超频颗粒。要注意的是为了达到更低的延迟参数加电压盼隋况不在此列，如DDR2 800 4-4-4-15 @2.2V的情况。最
内存型号说明
Samsung 具体含义解释 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第8位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存 16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M 表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，
芯片命名规则
MAXIM命名规则 AXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。 MAX×××或MAX×××× 说明：1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。 2 后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。 3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护 MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）说明 E指抗静电保护 MAXIM数字排列分类 1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关 4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准 7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器 三字母后缀： 例如：MAX358CPD C = 温度范围 P = 封装类型 D = 管脚数 温度范围： C = 0℃ 至70℃（商业级） I = -20℃ 至+85℃ （工业级） E = -40℃ 至+85℃ （扩展工业级） A = -40℃ 至+85℃ （航空级） M = -55℃ 至+125℃ （军品级） 封装类型： A SSOP(缩小外型封装) B CERQUAD C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) D 陶瓷铜顶封装 E 四分之一大的小外型封装 F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插) K TO-3 塑料接脚栅格阵列 L LCC (无引线芯片承载封装) M MQFP (公制四方扁平封装) N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插
如何辨别内存条的型号及大小
如何辨别内存条的型号及大小 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DD R500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133M Hz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（1 00MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。 D部分编号12个小部分分解示意图
采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存。 第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD =3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32b it。
主流DDR内存芯片与编号识别
我们关注哪些厂商 在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号， 最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有 相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新 换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新 产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。 这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位 的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正 的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自 己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再 自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可 能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术 人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。 那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面 这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。 从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中 国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、 冲电气（Oki，日本）。
怎样鉴别内存条的质量好坏
1．看内存颗粒，字迹清楚，手指摩擦不会模糊，标号正确等。不过现在造假的水平越 来越高，印字的方法也会改进不少。关于颗粒真伪可进一步查询相关资料。 2．内存颗粒的引脚排列整齐，不能歪歪扭扭，焊点要光滑圆润统一美观，以排除手工 焊接的可能。 3．除了内存颗粒，下一个稍大的器件就是SPD，这是存放内存各类相关信息的EEROM， 因为有些主板不需要读取SPD也能自动配置，所以也为造假提供可能。由于不放这个SPD 实在瞒不过去，于是有些JS就会焊一个空的SPD，可以看这个器件的焊点圆润程度简单地 判断是否是人为虚焊，进一步可注意主板的检测信息或借助测量软件。 4．电容也是一个很重要的器件，毕竟每个电容还有好几分钱，所以质量较差的内存条 上会尽可能少的放置电容。一般来说，电容是越多越好，可以提供更稳定的电源，也会 优化信号质量。如果发现每个颗粒周围平均不足3个电容，那这块内存的性能就有问题了，对任何品牌的内存这个标准也同样适合。 5．DDR内存里有个参考电平（Vref），在金手指的1号管脚，这个信号的稳定对DDR内存 来说非常重要，所以要尽量让它没有干扰。金手指1号管脚处附近最好要接一个它的专用去耦电容，每个颗粒对应的Vref管脚也均要接一个去耦电容，位置越靠管脚越好，不过 实际中由于器件摆放的缘故，这个电容一般会放在板最上沿，这时候设计者会引一根粗 线连上去，劣质的内存可能会没有这种参考电平的去耦电容。 6．剩下来的器件就是电阻了，四连的电阻叫排阻。目前主要是在数据线上和差分时钟 信号匹配会使用，对64位的数据总线来说，内存上要有64个电阻（或16个排阻），这个 电阻的作用是较少信号的震荡，提高噪声裕量，但不用这个电阻一般也能工作，所以经 常会看到有些内存条将本该焊接电阻的地方直接短路了，这样每条内存可以省好几毛钱啊！对于差分匹配电阻也一样，没有它都是能工作的，就是质量上会差不少。对于SDR来 说串联电阻一般为10欧姆，对于DDR来说为22欧姆，而差分时钟信号的匹配电阻是120欧 姆。 7．器件说完了，现在说说PCB，也就是内存条的电路板，看看色泽鲜艳与否，手摸摸平
模式识别研究进展-刘成林and谭铁牛
模式识别研究进展 刘成林，谭铁牛 中国科学院自动化研究所 模式识别国家重点实验室 北京中关村东路95号 摘要 自20世纪60年代以来，模式识别的理论与方法研究及在工程中的实际应用取得了很大的进展。本文先简要回顾模式识别领域的发展历史和主要方法的演变，然后围绕模式分类这个模式识别的核心问题，就概率密度估计、特征选择和变换、分类器设计几个方面介绍近年来理论和方法研究的主要进展，最后简要分析将来的发展趋势。 1. 前言 模式识别(Pattern Recognition)是对感知信号（图像、视频、声音等）进行分析，对其中的物体对象或行为进行判别和解释的过程。模式识别能力普遍存在于人和动物的认知系统，是人和动物获取外部环境知识，并与环境进行交互的重要基础。我们现在所说的模式识别一般是指用机器实现模式识别过程，是人工智能领域的一个重要分支。早期的模式识别研究是与人工智能和机器学习密不可分的，如Rosenblatt的感知机[1]和Nilsson的学习机[2]就与这三个领域密切相关。后来，由于人工智能更关心符号信息和知识的推理，而模式识别更关心感知信息的处理，二者逐渐分离形成了不同的研究领域。介于模式识别和人工智能之间的机器学习在20世纪80年代以前也偏重于符号学习，后来人工神经网络重新受到重视，统计学习逐渐成为主流，与模式识别中的学习问题渐趋重合，重新拉近了模式识别与人工智能的距离。模式识别与机器学习的方法也被广泛用于感知信号以外的数据分析问题（如文本分析、商业数据分析、基因表达数据分析等），形成了数据挖掘领域。 模式分类是模式识别的主要任务和核心研究内容。分类器设计是在训练样本集合上进行优化（如使每一类样本的表达误差最小或使不同类别样本的分类误差最小）的过程，也就是一个机器学习过程。由于模式识别的对象是存在于感知信号中的物体和现象，它研究的内容还包括信号/图像/视频的处理、分割、形状和运动分析等，以及面向应用（如文字识别、语音识别、生物认证、医学图像分析、遥感图像分析等）的方法和系统研究。 本文简要回顾模式识别领域的发展历史和主要方法的演变，介绍模式识别理论方法研究的最新进展并分析未来的发展趋势。由于Jain等人的综述[3]已经全面介绍了2000年以前模式分类方面的进展，本文侧重于2000年以后的研究进展。
教你怎么识别内存条
关于内存条 2008-10-10 09:09 金士顿内存条的行货的辨别方法 第一：拿到新的内存条后首先要确认你的内存条上必须有以下两个标签（一个是金士顿的老人头标签，一个是总代理的标签。中国总代共有五个：（弼信恒盈AVNET 联强骏禾）第二：当着卖内存条的商人的面去 https://www.360docs.net/doc/107706386.html,/china/verify验证内存上的产品ID和序列号，如果邮件反馈该内存条被反复验证，切忌千万不能要。要求更换！一定要没有被反复验证的，因为新的内存条上的ID和序列号只能验证一次！ 第三：一定要有上面五个总代的标签，不要轻易相信什么800等一些的刮开密码的确认电话，那是忽悠人的东西。现在个人都可以申请800电话，总之只相信总代理的标签！ 由于金士顿近年来在内存市场上的优异表现，被一些不法之徒看中，假货由此也就混入市场。不过，除了假货之外，因Kingston合法代理商不同，所以贴的标也就不同，所以也有些商家为了竞争只说自己的标才是真货。 两种代理商防伪标签 1目测方法： 购买时对内存防伪标的鉴别，金士顿内存的产品铭牌同时就是防伪标。当视线与防伪标表面垂直时，看到的防伪标上Kingston的LOGO头像是玫瑰红色，而当视线与标签形成一个夹角以后，标签就变成了橄榄绿色。这种方法是最简便直接的防伪办法，消费者在购买时就可以立即检验产品真伪，及时发现假货。 铭牌同时就是防伪标 2一分钟网上辨别： 请点选与您的内存模组上完全相同的变彩防伪标或白色标签: 防伪标图样 另外，打800电话或全球网络查询网站 https://www.360docs.net/doc/107706386.html,/china/verifynew/真假识别，你只需向该网站提交相关的内存产品信息，该网站就将会在极短的时间内帮您识别出您所购买的金士顿内存是否假冒。 先卖个关子，再次重申鉴别金士顿所有产品相对来说最安全、最快捷的方法。如照片所示，通过800防伪电话查询。但是，对眼我要提醒大家，并不是简简单单的按照您所购买产品上面的800电话联系。而是要记住本站提供的正确的800电话：800-8571992。这年头什么东西没有假的，造一个假电话防伪标签太正常
统计模式识别方法
统计模式识别方法 在嗅觉模拟技术领域中，模式识别问题就是由气敏传感器阵列的测量空间向被测对象的的分类或分级空间转化的问题。由于这种模式空间的变化对识别或鉴别结果有着较大的影响，因此模式识别算法的研究和讨论始终较为活跃，各种模式识别方法层出不穷，有力推动了嗅觉模拟技术的应用进程。下面介绍几种常用的统计模式识别方法。 1统计模式识别概述 统计方法，是发展较早也比较成熟的一种方法。被识别对象首先数字化，变换为适于计算机处理的数字信息。一个模式常常要用很大的信息量来表示。许多模式识别系统在数字化环节之后还进行预处理，用于除去混入的干扰信息并减少某些变形和失真。随后是进行特征抽取，即从数字化后或预处理后的输入模式中抽取一组特征。所谓特征是选定的一种度量，它对于一般的变形和失真保持不变或几乎不变，并且只含尽可能少的冗余信息。特征抽取过程将输入模式从对象空间映射到特征空间。这时，模式可用特征空间中的一个点或一个特征矢量表示。这种映射不仅压缩了信息量，而且易于分类。在决策理论方法中，特征抽取占有重要的地位，但尚无通用的理论指导，只能通过分析具体识别对象决定选取何种特征。特征抽取后可进行分类，即从特征空间再映射到决策空间。为此而引入鉴别函数，由特征矢量计算出相应于各类别的鉴别函数值，通过鉴别函数值的比较实行分类。 统计模式识别的技术理论较完善，方法也很多，通常较为有效，现已形成了一个完整的体系。尽管方法很多，但从根本上讲，都是利用各类的分布特征，即直接利用各类的概率密度函数、后验概率等，或隐含地利用上述概念进行识别。其中基本的技术为聚类分析法、判别类域代数界面法、统计决策法、最邻近法等。在聚类分析中，利用待分类模式之间的“相似性”进行分类，较相似的作为一类，较不相似的作为另外一类。在分类过程中不断地计算所划分的各类的中心，一个待分类模式与各类中心的距离作为对其分类的依据。这实际上在某些设定下隐含地利用了概率分布概念，因常见的概率密度函数中，距期望值较近的点概密值较大。该类方法的另一种技术是根据待分类模式和已指判出类别的模式的距离来确定其判别，这实际上也是在一定程度上利用了有关的概念。判别类域界面法中，用已知类别的训练样本产生判别函数，这相当于学习或训练。根据待分类模式
现代内存颗粒编码细则
现代(Hynix)内存编号示含义 (2010-01-21 17:04:43) 转载▼ 标签： 分类：电脑知识 电脑 ddr400 hynix ddr内存 it HY5DU56822AT-H 现代内存编号示意图 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。 B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二
所示D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V 来分别代表不同的工作电压 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR 内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K 刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit 第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。有三种情况，分别是“1”代表2 bank，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank 第7部分代表接口类型，由一个数字组成。分为三种情况，分别是“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2；“3”代表SSTL_18 第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成，这部分的字母在26个字母中的位置越*后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表现在编号上，空白表示第一版，“A”表示第二版，依次类推，到第5版则有“D”来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好 第9部分代表的是功耗，如果该部分是空白，则说明该颗粒的功耗为普通，如果该部分出现了“L”字母，则代表该内存颗粒为低功耗 第10部分代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP 封装，“Q”代表LOFP封装，“F”代表FBGA封装，“FC”代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封装 第11部分代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。空白代表普通；S代表
如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格 消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。 一、DDR SDRAM： 现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。 我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。 究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。 HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
芯片命名规则
IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC 命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。 一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分： ◆.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品 ◆.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量） ◆.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等 ◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它容： ◆.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示 ◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等 ◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等 ◆.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本 ◆.该产品的状态 举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品 详细的型号解说请到相应公司查阅。 IC命名和封装常识 IC产品的命名规则： 大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT 为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。ALTERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。Lattice一般以M4A，LSP，LSIG为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里就不一一做介绍了。 紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C 表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级 下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下： AMD公司FLASH常识：
模式识别课程设计
模式识别课程设计 聚类图像分割 一．图像分割概述 图像分割是一种重要的图像分析技术。在对图像的研究和应用中，人们往往仅对图像中的某些部分感兴趣。这些部分常称为目标或前景（其他部分称为背景）。它们一般对应图像中特定的、具有独特性质的区域。为了辨识和分析图像中的目标，需要将它们从图像中分离提取出来，在此基础上才有可能进一步对目标进行测量，对图像进行利用。图像分割就是把图像分成各具特性的区域并提取出感兴趣目标的技术和过程。现有的图像分割方法主要分以下几类：基于阈值的分割方法、基于区域的分割方法、基于边缘的分割方法以及基于特定理论的分割方法等。近年来，研究人员不断改进原有的图像分割方法并把其它学科的一些新理论和新方法用于图像分割，提出了不少新的分割方法。 图象分割是图象处理、模式识别和人工智能等多个领域中一个十分重要且又十分困难的问题，是计算机视觉技术中首要的、重要的关键步骤。图象分割应用在许多方面，例如在汽车车型自动识别系统中，从CCD摄像头获取的图象中除了汽车之外还有许多其他的物体和背景，为了进一步提取汽车特征，辨识车型，图象分割是必须的。因此其应用从小到检查癌细胞、精密零件表面缺陷检测，大到处理卫星拍摄的地形地貌照片等。在所有这些应用领域中，最终结果很大程度上
依赖于图象分割的结果。因此为了对物体进行特征的提取和识别，首先需要把待处理的物体(目标)从背景中划分出来，即图象分割。但是，在一些复杂的问题中，例如金属材料内部结构特征的分割和识别，虽然图象分割方法已有上百种，但是现有的分割技术都不能得到令人满意的结果，原因在于计算机图象处理技术是对人类视觉的模拟，而人类的视觉系统是一种神奇的、高度自动化的生物图象处理系统。目前，人类对于视觉系统生物物理过程的认识还很肤浅，计算机图象处理系统要完全实现人类视觉系统，形成计算机视觉，还有一个很长的过程。因此从原理、应用和应用效果的评估上深入研究图象分割技术，对于提高计算机的视觉能力和理解人类的视觉系统都具有十分重要的意义。 二．常用的图像分割方法 1.基于阈值的分割方法 包括全局阈值、自适应阈值、最佳阈值等等。阈值分割算法的关键是确定阈值，如果能确定一个合适的阈值就可准确地将图像分割开来。阈值确定后，将阈值与像素点的灰度值比较和像素分割可对各像素并行地进行，分割的结果直接给出图像区域。全局阈值是指整幅图像使用同一个阈值做分割处理，适用于背景和前景有明显对比的图像。它是根据整幅图像确定的：T=T(f)。但是这种方法只考虑像素本身的灰度值，一般不考虑空间特征，因而对噪声很敏感。常用的全局阈值选取方法有利用图像灰度直方图的峰谷法、最小误差法、最大类间方差法、最大熵自动阈值法以及其它一些方法。
教你看懂内存编码
教你看懂内存编码！ 内存大小识别方法(详) 内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考： 主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下： 现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］ 三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB 摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD 或TC 日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPD IBM：BM NPNX：NN 一.日本产系列： 主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi ［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。 1.HITACHI［日立］。1 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频， HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式： HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。 第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。 第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。 TT为TSOII封装。 最后XX代表速度： 75：7.5ns［133MHz］ 80：8ns［125MHz］ A60：10ns［PC-100 CL2或3］ B60：10ns［PC-100 CL3］ 例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。 2.NEC。 NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式： μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
关于三星原厂内存条与山寨内存条的真伪鉴别
关于三星原厂内存条与山寨内存条的真伪鉴别: 1：原厂三星内存条电路板看着泛黄偏暗，布线整洁合理，而寨条的颜色绿油油的并且反光，最简单的方法就是将你机器自带的原厂三星内存和你买的内存条一一比对是不是一样的，如果一样至少电路板绝对是真的，另外三星同代(DDR3)内存条的电路板布线都是一模一样的，绝对不会有原厂内存条走线电气孔不同的情况，因为三星电路板都是指定厂商的，并且一个模具出来的所以绝对是一样的，唯一颜色可能不同，或者偏浅或偏深，但是绝对不会是绿油油的颜色，金手指金黄偏暗,电路板边上有金黄色烫金三星logo和与标签对应M378B5173EB0-CK0金黄色烫金编号(注意与标签不是完全一样的)，另外在电路板的背面可以看到电路板的四位数字生产周期,另外在颗粒下方会有激光蚀刻的五位数字+字母组合的编号，台式机DDR3 1600MHz在左边金手指上方有两个相同的大写字母，笔记本内存条的位置参考机器自带原装内存条确定位置。 2：原厂三星内存条的电气孔对着光可以透光，而山寨条的电气孔是奸商自己印刷上去的，根本起不了提升电气性能的作用，更不能抗干扰和减少信号传输过程中的信号衰减。 3：原厂颗粒丝印字迹在强光下呈现荧光状清晰或者有些颗粒可能进行哑光处理，但是绝对清晰可辨，而山寨条所使用的颗粒基本都是白片或者假的颗粒，并且都是奸商自己用使用机器进行印刷的，所以用手多磨擦几次会把丝印磨擦掉，而原厂颗粒是不是掉色的。 4：原厂三星内存条的标签如果是台式机是M378/M379开头的一串代码，笔记本是M471开头的一串代码，我曾经在X猫商城买的一个台式机内存条竟然贴的是笔记本M471开头的标签，毫无疑问绝对是假的。
教你认识计算机硬件及相关参数的识别(2--内存篇)(精)
二、内存（RAM） 1、什么是内存呢？在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并用其存储数据的部件，存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路，内存只用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的程序和数据就会丢失。既然内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，那么它是怎么工作的呢？我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。从一有计算机开始，就有内存。内存发展到今天也经历了很多次的技术改进，从最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM、RDRAM、DDRAM、DDRII RAM等，内存的速度一直在提高且容量也在不断的增加。 2、如何理解内存、硬盘、CPU之间的关系呢？我们可以这样去理解----CPU把硬盘当中的数据读取到内存当中来执行，并把执行完的结果写到硬盘当中去。如果执行期间发生断电的情况那么由于CPU来不及把结果写回到硬盘之上，数据就丢失了。也就是说并不是CPU速度越快，计算机的运行速度就越快，计算机的运行速度也和内存容量的大小及内存的速度有关。 3、如何识别内存型号内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看： samsung内存例：samsungk4h280838b-tcb0 第1位——芯片功能k，代表是
模式识别综述
模式识别综述 摘要:介绍了模式识别系统的组成及各组成部分包含的内容。就统计模式识别、结构模式识别、模糊模式识别、神经网络模式识别等模式识别的基本方法进行简单介绍，并分析了其优缺点。最后列举了模式识别在各领域的应用，针对其应用前景作了相应分析。 关键字：模式识别系统、统计模式识别、结构模式识别、模糊模式识别、神经网络模式识别 背景 随着现代科学技术的发展，特别是计算机技术的发展，对事物认识的要求越来越高，根据实际需求，形成了一种模拟人的各种识别能力（主要是视觉和听觉）和认识方法的学科，这个就是模式识别，它是属于一种自动判别和分类的理论。这一理论孕育于20世纪60年代，随着科学技术的发展，特别是20世纪70年代遥感技术的发展和地球资源卫星的发射，人们通过遥感从卫星取得的巨量信息，需要进行空前规模的处理、识别和应用，在此推动下，模式识别技术便得以迅速发展[1]。发展到现在，应用领域已经非常广阔，包括文本分类、语音识别、视频识别、信息检索和数据挖掘等。模式识别技术在生物医学、航空航天、工业生产、交通安全等许多领域发挥着重要的作用[2]。 基本概念 什么是模式呢？广义地说，存在于时间和空间中可观察的事物，如果可以区别它们是否相同或是否相似，都可以称之为模式。但模式所指的不是事物本身，而是我们从事物获取的信息。因此模式往往表现为具有时间或空间分布的信息[3]。 人们在观察各种事物的时候，一般是从一些具体的个别事物或者很小一部分开始的，然后经过长期的积累，随着对观察到的事物或者现象的数量不断增加，就开始在人的大脑中形成一些概念，而这些概念是反映事物或者现象之间的不同或者相似之处，这些特征或者属性使人们对事物自然而然的进行分类。从而窥豹一斑，对于一些事物或者现象，不需要了解全过程，只需要根据事物或者现象的一些特征就能对事物进行认识。人脑的这种思维能力视为“模式”的概念。 模式识别就是识别出特定事物，然后得出这些事物的特征。识别能力是人类和其他生物的一种基本属性，根据被识别的客体的性质可以将识别活动分为具体的客体与抽象的客体两类。诸如字符、图像、音乐、声音等是具体的客体，他们刺激感官，从而被识别。而思想、信仰、言论等则是抽象的客体，这些属于政治、哲学的范畴。我们研究的主要是一些具体客体的识别，而且仅限于研究用机器完
samsung内存识别法
芯片上的代码就是型号 内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看： samsung内存 例：samsungk4h280838b-tcb0 第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表dram。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量； 56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10 为10ns(66mhz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。