常用N沟道mos管参数
常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。
注意，焊接ＭＯＳ止静电。
TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。
上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。
N沟道和P沟道MOS管
MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。
我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
1.导通特性NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
2.MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。
缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。
这两种办法都可以减小开关损失。
3.MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。
这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。
对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。
N沟道和P沟道MOS管工作原理
MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。
我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
1.导通特性NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
2.MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。
缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。
这两种办法都可以减小开关损失。
3.MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。
这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。
对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。
N沟道和P沟道MOS管
MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。
我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
1.导通特性NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
2.MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。
缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。
这两种办法都可以减小开关损失。
3.MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。
这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。
对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。
常用N沟道mos管参数
常用N沟道mos管参数N沟道MOS管是一种常用的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它具有许多优良的特性，广泛应用于电子设备和电路中。
以下是一些常用的N沟道MOS管参数的介绍。
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指当栅极电压超过一定值时，MOS管开始导通的电压。
对于N沟道MOS管，阈值电压通常为负值，一般在-1V至-5V之间。
2. 最大漏电流（Idss）：最大漏电流是指当栅极电压为零时，N沟道MOS管漏极电流的最大值。
它表示了当MOS管处于关闭状态时的最大漏电流水平，一般为几微安到几毫安。
3. 饱和漏源电压（VDSsat）：饱和漏源电压是指当MOS管处于饱和区时，漏源间的电压。
在饱和区，MOS管的漏源电压会接近其最小可能值，一般为几十毫伏到几百毫伏。
4. 上升沟道电阻（Rdson）：上升沟道电阻是指在N沟道MOS管处于饱和区时，漏源之间的电阻。
它表示了MOS管饱和状态下导通时的电阻水平，一般为几十毫欧到几百毫欧。
5. 峰值漏源电流（Idp）：峰值漏源电流是指在N沟道MOS管导通时，漏极电流的最大值。
它表示了MOS管能够承受的最大电流水平，一般为几安到几十安。
6. 开启时间（ton）和关闭时间（toff）：开启时间是指MOS管从关断状态到完全导通所需的时间，关闭时间是指MOS管从导通状态到完全关断所需的时间。
它们是描述MOS管开关速度的重要参数，一般为几十纳秒到几百纳秒。
7. 电源电压（Vdd）：电源电压是指N沟道MOS管工作时的电源供应电压。
它决定了MOS管工作的电压范围，一般为几伏到几十伏。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指N沟道MOS管的输入端（栅极）与输出端（漏极）之间的电容。
它影响着MOS管的输入和输出特性，一般为几皮法到几十皮法。
9. 漏源电容（Coss）：漏源电容是指N沟道MOS管的漏极与源极之间的电容。
它影响着MOS管的开关速度和功耗，一般为几皮法到几十皮法。
10.载流能力：载流能力是指N沟道MOS管能够承受的最大电流负载。
N 沟道增强型MOS 场效应管
第一片集成电路只有4个晶体管，而1997年一片集成电路
中有40亿个晶体管。有科学家预测，集成度还将按10倍/6年
的速度增长，到2015或2020年达到饱和。
学习电子技术方面的课程需时刻关注电子技术的发展！
6
1 电子系统概
（by John Bardeen , William Schockley and Walter Brattain in Bell Lab） 他们在1947年11月底发明了晶 体管，并在12月16日正式宣布“晶 体管”诞生。1956年获诺贝尔物理 学奖。巴因所做的超导研究于1972 年第二次获得诺贝尔物理学奖。
伏安特性受温度影响t在电流不变情况下管压降u反向饱和电流isubrt正向特性左移反向特性下移正向特性为指数曲线反向特性为横轴的平行线增大1倍1033二极管的参数1最大整流电流if2反向击穿电压ubr和最高反向工作电压urm3反向电流ir4最高工作频率fm5极间电容cj在实际应用中应根据管子所用的场合按其所承受的最高反向电压最大正向平均电流工作频率环境温度等条件选择满足要求的二极管
本征锗的电子和空穴浓度:
n = p =2.38×1013/cm3
14
小结：
1. 半导体中两种载流子
带负电的自由电子 带正电的空穴
2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 称为 电子 - 空穴对。 3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示，显然 ni = pi 。 4. 由 于 物 质 的 运 动 ， 自 由 电 子 和 空 穴 不 断 的 产 生 又 不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动 会达到平衡，载流子的浓度就一定了。 5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高， 基本按指数规律增加。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资1.IRF系列：IRF540N、IRF840、IRF3205等IRF系列是一种N沟道MOS管，具有低电源电流和高开关速度特点，可以工作在高频率下。
常用的封装有TO-220、TO-247、D2-Pak等。
-IRF540N参数：导通电阻：0.077Ω最大耗散功率：150W最大漏电流：50μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：49nC-IRF840参数：导通电阻：0.85Ω最大耗散功率：125W最大漏电流：10μA最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：90nC-IRF3205参数：导通电阻：8mΩ最大耗散功率：110W最大漏电流：250μA最大栅源电压：20V最大漏源电压：55V最大栅极电荷：75nC2.IRFP系列：IRFP250N、IRFP460等IRFP系列是一种P沟道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合高频率下的应用。
常用的封装有TO-247、TO-3P等。
-IRFP250N参数：导通电阻：0.095Ω最大耗散功率：200W最大漏电流：250μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：200V最大栅极电荷：73nC-IRFP460参数：导通电阻：0.27Ω最大耗散功率：180W最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：123nC3.IRL系列：IRL540N、IRL3713等IRL系列是一种低电平驱动的MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合低电平驱动电路。
常用的封装有TO-220、D2-Pak等。
-IRL540N参数：导通电阻：0.054Ω最大耗散功率：120W最大漏电流：50μA最大栅源电压：55V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：32nC-IRL3713参数：导通电阻：7.5mΩ最大耗散功率：60W最大漏电流：50μA最大栅源电压：20V最大栅极电荷：20nC以上是常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资的介绍，不同型号的MOS管具有不同的特点和适用场景，用户可以根据实际需求选择适合的型号和封装方式。
MOS管分类及参数
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双极型三极管 噪声 较大 温度特性 受温度影响较大 输入电阻 几十到几千欧姆 静电影响 不受静电影响 集成工艺 不易大规模集成
场效应三极管 较小 较小，可有零温度系数点 几兆欧姆以上 易受静电影响 适宜大规模和超大规模集成 避免栅极悬空
四种MOS管的比较：
1. 对于P沟道器件，VDD必为负值，衬底必须接在电 路中的最高电位上。对于N沟道器件， VDD必为正值，衬 底必须接在电路中的最低电位上。 2. 就UGS而言，增强型器件是单极性的，其中P沟道 为负值，N沟道为正值，而耗尽型器件则可正可负。 3.N沟道器件，UGS向正值方向增大， ID 越大；P沟 道器件， UGS越向负值方向增大， ID越大。
) （当U GS(off) uGS 0时）
U GS(off)
(2)极间电容：三个极间均存在电容。
uDS (3)输出电阻rd：rd iD
U GS＝C
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主要参数
三、极限参数 (1)最大漏级电流IDM： 正常工作漏极电流上限值。 (2)击穿电压 最大漏源电压U(BR)DS 最大栅源电压U(BR)GS (3)最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= U (BR)DS IDM决定。
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栅 场 效 应 管
N 沟 道 耗 尽 型
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绝 缘 栅 场 效 应 管
P 沟 道 增 强 型
P 沟 道 耗 尽 型
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1.4.3
场效应三极管的参数和型号
பைடு நூலகம்
一、直流参数 (1)开启电压UGS(th) (或UT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 UDS一定， iD >0。 (2)夹断电压UGS(off) (或UP) 夹断电压是结型和耗尽型FET的参数，漏极电流约为 零时的UGS值 。即当UGS=UGS(off) 时,漏极电流为零（微小电 流）。 (3)饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当UGS=0时，产生预夹断时所对 应的漏极电流。
富满电子 SC8205 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管说明书
SC8205(文件编号：S&CIC0706)20V N 沟道增强型MOS 场效应管20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRDS(ON),=75mΩRDS(ON),=38mΩRDS(ON),=30mΩRDS(ON),=28mΩRDS(ON),Vgs@10V,=25mΩ特点专有的先进平面技术 高密度超低电阻设计 大功率、大电流应用 理想的锂电池应用封装形式：TSSOP-8/SOT-23-68205A/TSSOP-88205S/SOT-23-6BCD65D1/D2S1S1G1G2S2S2D1/D21234567854123456S1S2G1G2NCD 4321G at e1Source1DrainGate2Source2N-Channel MOSFETSC8205(文件编号：S&CIC0706)20V N沟道增强型MOS场效应管最大额定值和热特性(Ta=25℃，除非另有说明。
)参数符号值单位漏源电压V DS20V栅源电压V GS±12漏极电流I D6A漏极脉冲电流I DM20最大功耗TA=25℃P D2W TA=75℃ 1.3工作结温和存储温度范围T J,T stg-55to150℃结环热阻（PCB安装）RθJA62.5℃/W 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。
电特性参数符号测试条件最小典型最大单位静电漏源击穿电压BV DSS V GS=0V,I D=250uA20----V漏源电阻R DS(on)V GS=1.8V,I D=2.0A--53.075.0mΩV GS=2.5V,I D=3.5A--30.038.0V GS=4.0V,I D=4.5A23.030.0V GS=4.5V,I D=4.5A22.028.0V GS=10V,I D=5.0A20.025.0栅极阈值电压V GS(th)V DS=V GS,I D=250uA0.5-- 1.5V 栅源短路时漏极电流I DSS V DS=20V,V GS=0V----1uA 漏极短路时截止栅电流I GSS V GS=±12V,I D=0uA----±100nA 跨导g fs V DS=15V,I D=6.0A--29--SSC8205(文件编号：S&CIC0706)20V N 沟道增强型MOS 场效应管动态总栅极电荷Q gV DS =10V,I D =6A V GS =4.5V6.248.11nC栅源电荷Qg s 1.64 2.13栅漏电荷Q gd 1.34 1.74延迟时间（On ）t d(on)V DD =10V,I D =6A I D =1A,V GS =4.5V10.420.8ns上升时间（On ）t r 4.48.8延迟时间（Off ）t d(off)27.3654.72下降时间（Off ）t f 4.168.32输入电容C iss V DS =8V,V GS =0Vf=1.0MHz--522.3--pF 输出电容C oss --98.48--反向传输电容C rss--74.69--漏源二极管二极管最大正向电流I S ------ 1.7A 二极管正向电压V SD I S =1.7A,V GS =0V----1.2V注：脉冲测试：脉冲宽度<=300us ，占空比<=2%。
N沟道和P沟道MOS管
N沟道和P沟道M O S管 Company Document number：WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。
我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS 管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
1.导通特性NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS 管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。
缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。
这两种办法都可以减小开关损失。
管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。
这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。
常用部分场效应管型号用途参数
常用部分场效应管型号用途参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种利用电子场的作用控制电流的半导体元件。
常用的场效应管型号有MOSFET和JFET，它们在电子电路中广泛应用。
下面将介绍几种常用的场效应管型号及其用途和参数。
1.N沟道MOS场效应管（NMOS）NMOS是最早出现的一种场效应管，通过在P型衬底上形成N型沟道来控制电流。
NMOS在低电压和低功率电子电路中广泛应用。
它具有低开关损耗、高通道导电度等特点。
常用的NMOS型号有2N7000、IRF540等。
这些型号的参数一般包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
2.P沟道MOS场效应管（PMOS）PMOS是通过在N型衬底上形成P型沟道来控制电流的。
PMOS比NMOS具有更高的开关损耗和较低的通道导电度。
它主要应用于部分数值逻辑电路和模拟信号放大电路。
常用的PMOS型号有IRF9520、IRF630等。
这些型号的参数包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
3.绝缘栅双极MOS场效应管（IGBT）IGBT是一种高压、大功率开关器件，适用于需要控制高电流和高电压的电路。
它结合了MOS场效应管和双极晶体管的优点，具有低漏电流、低导通压降等特点。
常用的IGBT型号有IRFP4668、IRFP460等。
这些型号的参数包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
4.JFET场效应管JFET是一种通过调节源漏电流，改变沟道导电性的场效应管。
它具有低噪声、高输入电阻等特点，适用于放大和开关电路。
常用的N型JFET型号有2N3819、J113等，P型JFET型号有J310、BF245等。
这些型号的参数包括最大漏极电流（IDSS）、截止电压（VGS(off)）等。
常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。
注意，焊接ＭＯＳ止静电。
TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。
上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。
单片机 mos管常用型号
单片机 mos管常用型号
《单片机MOS管常用型号及其应用》。
在现代电子设备中，单片机作为控制核心，扮演着至关重要的角色。
而MOS管作为单片机中的关键元件之一，其型号的选择和应用对整个系统的性能和稳定性有着重要的影响。
下面我们将介绍一些常用的单片机MOS管型号及其应用。
1. IRF540N.
IRF540N是一款常用的N沟道MOS场效应管，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
它在单片机驱动电机、灯光控制和直流电源开关等方面有着广泛的应用。
2. IRF3205。
IRF3205是一款N沟道MOS场效应管，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力。
它在单片机驱动大功率负载、电源逆变器和电动车控制系统等领域有着重要的应用。
3. 2N7000。
2N7000是一款小功率N沟道MOS场效应管，具有较小的体积和较低的驱动电压。
它在单片机驱动小功率负载、信号开关和电子开关等方面有着广泛的应用。
除了上述几种常用的单片机MOS管型号外，还有许多其他型号的MOS管适用于不同的应用场景。
在选择MOS管时，需要考虑到其导通电阻、耐压能力、开关速度等参数，并根据具体的应用需求进行选择。
总之，单片机MOS管作为单片机系统中的重要组成部分，其选择和应用对系统的性能和稳定性有着重要的影响。
希望本文对大家在单片机MOS管的选择和应用方面有所帮助。
几种常用的MOS管参数、应用电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF9540
⼏种常⽤的MOS管参数、应⽤电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF95401. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V栅极（Gate—G，也叫做门极），源极(Source—S)，漏极（Drain—D）漏源电压（Vdss）100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）33A栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻44mΩ @ 16A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）130W类型N沟道IRF540N（NMOS管）应⽤电路MOS管由电压控制，与三极管不同（三极管是电流控制）。
说⽩了，给箭头⽅向相反的压降就是导通，⽅向相同就是截⽌可以在单⽚机和栅极之间加⼀个1k的电阻，起到限流作⽤；此外，可以栅极和源极之间加⼀个10k的电阻，⼀是为提供；⼆是起到泻放电阻的作⽤：保护栅极G-源极S2. IRF9540N,P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V漏源电压（Vdss）-100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）23A栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻117mΩ @ 11A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）140W类型P沟道IRF9540N（PMOS管）应⽤电路3. IRF9540,P沟道,-100V,-19A跟IRF9540N的区别是引脚封装不同，从原理图可以看出来，两个正好是上下颠倒的。
漏源电压（Vdss）-100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）19A(Tc)栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻200mΩ @ 11A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）150W(Tc)类型P沟道。
单片机 mos管常用型号
单片机 mos管常用型号单片机MOS管常用型号在单片机应用中，MOS管是一种常见的关键元件，它具有高电压、低电流的特点，被广泛用于电源开关、驱动电机、控制信号等场合。
下面将介绍几种常用的单片机MOS管型号。
1. IRFZ44NIRFZ44N是一款N沟道MOS管，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
它适用于较大功率的开关电路，例如电机驱动、照明控制等。
在单片机系统中，IRFZ44N常被用于驱动继电器、电机和LED 等外围设备。
2. IRF3205IRF3205是一款N沟道MOS管，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
它适用于较大功率的开关电路，如电机驱动、电源开关等。
在单片机控制的电源开关电路中，IRF3205常被用于实现高效率的开关控制。
3. IRF9540IRF9540是一款P沟道MOS管，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
它适用于负载开关、电源开关等应用。
在单片机系统中，IRF9540常被用于控制高压负载开关，如电机驱动、电源开关等。
4. IRL540NIRL540N是一款N沟道MOS管，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
它适用于低电压、中等功率的开关电路。
在单片机系统中，IRL540N常被用于驱动小型电机、LED灯带等低功率负载。
5. IRF840IRF840是一款N沟道MOS管，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
它适用于中等功率的开关电路，如电机驱动、电源开关等。
在单片机系统中，IRF840常被用于驱动中型电机、电源开关等应用。
通过以上介绍，我们可以看出，单片机MOS管在不同的应用场合中有着不同的选择。
选择适合的MOS管型号可以提高系统的可靠性和效率。
在实际应用中，我们需要根据具体的需求和参数要求来选择合适的MOS管型号，以确保系统的正常运行和稳定性。
希望以上介绍对大家了解单片机MOS管常用型号有所帮助，同时也希望读者能够根据具体应用需求选择合适的MOS管，以提高系统的性能和可靠性。
常用N沟道mos管参数
常用N沟道mos管参数型号极性用途V A W ns RONIRFBC40N-FET MOS-enh,S-L6006.212527/301.2ΩIRFBC30N-FET MOS-enh,S-L6002.25015/304.4ΩIRF820N-FET MOS-enh,S-L5002.55018/183ΩIRF840N-FET MOS-enh,S-L500812535/300.85ΩIRF830N-FET MOS-enh,S-L5004.57523/231.5ΩIRF740N-FET MOS-enh,S-L4001012541/360.55ΩIRF640N-FET MOS-enh,S-L2001812577/540.18ΩIRF630N-FET MOS-enh,S-L20097550/400.4ΩIRF540N-FET MOS-enh,S-L10028150110/750.077ΩIRF530N-FET MOS-enh,S-L100147951/360.18ΩIRF9640P-FET MOS-enh,S-L20011125/0.5ΩIRF9630P-FET MOS-enh,S-L2006.575100/800.8ΩIRF9610P-FET MOS-enh,S-L20012025/152.3ΩIRF9540P-FET MOS-enh,S-L10019125140/1400.2ΩIRF9530P-FET MOS-enh,S-L1001275140/1400.3ΩIRF9230P-FET MOS-enh,S-L200575100/800.5Ω电调常用MOS管参数大全2010年11月09日星期二15:31A2700N型管(贴片)耐压：30V电流：9A导通电阻：7.3mΩSI4336N型管(贴片)耐压：30V电流：22A导通电阻：4.2mΩSI4404N型管(贴片)耐压：30V电流：17A导通电阻：8mΩSI4410N型管(贴片)耐压：30V导通电阻：14mΩSI4420N型管(贴片)耐压：30V电流：10A导通电阻：10mΩSI4812N型管(贴片)耐压：30V电流：7.3A导通电阻：28mΩSI9410N型管(贴片)耐压：30V电流：6.9A导通电阻：50mΩIRF7313N型管(贴片)耐压：30V电流：6A导通电阻：29mΩIRF7413N型管(贴片)耐压：30V电流：12A导通电阻：18mΩIRF7477N型管(贴片)耐压：30V电流：11A导通电阻：20mΩIRF7805Z N型管(贴片)耐压：30V电流：16A导通电阻：6.8mΩIRF7811N型管(贴片)耐压：30V电流：11A导通电阻：12mΩIRF7831N型管(贴片)电流：16A导通电阻：0.004ΩIRF7832N型管(贴片)耐压：30V电流：20A导通电阻：4mΩIRF8113N型管(贴片)耐压：30V电流：17A导通电阻：5.6mΩTPC8003N型管(贴片)耐压：30V电流：12A导通电阻：6mΩFDS6688N型管(贴片)耐压：30V电流：16A导通电阻：0.006ΩFDD6688TO-252贴片耐压：30V电流：84A导通电阻：5mΩA2716P型管(贴片)耐压：30V电流：7A导通电阻：11.3mΩSI4405P型管(贴片)耐压：30V电流：17A导通电阻：7.5mΩSI4425P型管(贴片)耐压：30V电流：9A导通电阻：19mΩSI4435P型管(贴片)耐压：30V电流：8A导通电阻：20mΩSI4463P型管(贴片)耐压：20V电流：12.3A导通电阻：16mΩSI9435P型管(贴片)耐压：30V电流：5.3A导通电阻：50mΩIRF7424P型管(贴片)耐压：30V电流：8.8A导通电阻：22mΩSTM4439A P型管(贴片)耐压：30V电流：14A导通电阻：18mΩFDS6679P型管(贴片)耐压：30V电流：13A导通电阻：9mΩBUZ111S N型管(直插)耐压：55V电流：80A导通电阻：8mΩ5N05N型管(直插)耐压：50V电流：75A导通电阻：0.0095Ω6N60N型管(直插)耐压：600V电流：5.5A导通电阻：0.75Ω50N03L N型管(直插)耐压：25V电流：28A导通电阻：21mΩ60N06N型管(直插)耐压：60V电流：60A导通电阻：14mΩBTS110N型管(直插)耐压：100V电流：10A导通电阻：200mΩBTS120N型管(直插)耐压：100V电流：19A导通电阻：100mΩIRF150N型管(铁壳非直插)耐压：100V电流：40A导通电阻：55mΩIRF1405N型管(直插)耐压：55V电流：131A导通电阻：5.3mΩIRF2804N型管(直插)耐压：40V电流：75A导通电阻：2mΩIRF3205N型管(直插)耐压：55V电流：110A导通电阻：8mΩIRF3703N型管(直插)耐压：30V电流：210A导通电阻：2.3mΩIRL3803N型管(直插)耐压：30V电流：140A导通电阻：6mΩ。
MOS管参数详解及驱动电阻选择
MOS管参数解释MOS管介绍在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。
MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。
这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。
MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。
常用N沟道场效应管及参数
常用的N沟道场效应管及其参数07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。
irfp240场效应管参数
irfp240场效应管参数IRFP240场效应管参数IRFP240是一种常用的N沟道MOS场效应管，广泛应用于功率放大电路和开关电路中。
下面将介绍IRFP240的主要参数和特性，以帮助我们更好地了解和应用它。
1. 导通电阻（Rds(on)）：IRFP240的导通电阻是衡量其导通能力的关键参数。
一般来说，导通电阻越小，场效应管能够提供更大的电流和更低的功耗。
IRFP240的典型导通电阻在25°C时为0.14Ω，这意味着在导通状态下，该管子可以通过较大的电流而且功耗较低。
2. 阈值电压（Vgs(th)）：阈值电压是控制场效应管导通的重要参考参数。
当输入信号的电压高于阈值电压时，IRFP240开始导通。
IRFP240的典型阈值电压为2V-4V，这意味着在控制IRFP240导通时，输入信号的电压应高于阈值电压。
3. 额定电流（Id）：额定电流指的是场效应管正常工作时的最大电流。
IRFP240的额定电流为20A，这意味着在正常工作条件下，该管可以承受最大20A的电流。
4. 额定电压（Vdss）：额定电压是场效应管能够承受的最大电压。
IRFP240的额定电压为200V，这意味着在正常工作条件下，该管子可以承受最大200V的电压。
5. 输入电容（Ciss）：输入电容表示场效应管输入端所具有的电容特性。
IRFP240的典型输入电容为1800pF，这个参数对于输入和输出信号耦合、共模抑制和交叉调制等方面具有重要影响。
6. 开关时间和关断时间（t(on)和t(off)）：开关时间和关断时间是衡量场效应管开关速度的重要参数。
IRFP240的典型开关时间为47ns，关断时间为120ns。
这意味着当输入信号变化时，IRFP240可以迅速进行导通或断开，以实现高效能的开关操作。
以上是IRFP240场效应管的主要参数和特性。
这些参数对于工程师在设计和选择合适的电路时非常重要。
在实际应用中，应根据具体的电路需求和工作条件综合考虑这些参数，并合理选择和配置场效应管，以确保电路的正常运行和性能要求的实现。
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电流：9A
导通电阻：19mΩ
SI4435 P型管(贴片)
耐压：30V
电流：8A
导通电阻：20mΩ
SI4463 P型管(贴片)
耐压：20V
电流：12.3A
导通电阻：16mΩ
SI9435 P型管(贴片)
耐压：30V
电流：5.3A
导通电阻：50mΩ
IRF7424 P型管(贴片)
IRF9230 P-FET MOS-enh,S-L 200 5 75 100/80 0.5Ω
电调 常用MOS管参数大全
2010年11月09日 星期二 15:31
A2700 N型管(贴片)
耐压：30V
电流：9A
导通电阻：7.3mΩ
SI4336 N型管(贴片)
耐压：30V
电流：22A
IRF630 N-FET MOS-enh,S-L 200 9 75 50/40 0.4Ω
IRF540 N-FET MOS-enh,S-L 100 28 150 110/75 0.077Ω
IRF530 N-FET MOS-enh,S-L 100 14 79 51/36 0.18Ω
IRF9640 P-FET MOS-enh,S-L 200 11 125 / 0.5Ω
导通电阻：6mΩ
IRF840 N-FET MOS-enh,S-L 500 8 125 35/30 0.85Ω
IRF830 N-FET MOS-enh,S-L 500 4.5 75 23/23 1.5Ω
IRF740 N-FET MOS-enh,S-L 400 10 125 41/36 0.55Ω
IRF640 N-FET MOS-enh,S-L 200 18 125 77/54 0.18Ω
电流：7.3A
导通电阻：28mΩ
SI9410 N型管(贴片)
耐压：30V
电流：6.9A
导通电阻：50mΩ
IRF7313 N型管(贴片)
耐压：30V
电流：6A
导通电阻：29mΩ
IRF7413 N型管(贴片)
耐压：30V
电流：12A
导通电阻：18mΩ
IRF7477 N型管(贴片)
耐压：50V
电流：75A
导通电阻：0.0095Ω
6N60 N型管(直插)
耐压：600V
电流：5.5A
导通电阻：0.75Ω
50N03L N型管(直插)
耐压：25V
电流：28A
导通电阻：21mΩ
60N06 N型管(直插)
耐压：60V
电流：60A
导通电阻：14mΩ
BTS110 N型管(直插)
耐压：100V
电流：10A
导通电阻：200mΩ
BTS120 N型管(直插)
耐压：100V
电流：19A
导通电阻：100mΩ
IRF15 0 N型管(铁壳非直插)
耐压：100V
电流：40A
耐压：55V
电流：131A
导通电阻：5.3mΩ
IRF2804 N型管(直插)
耐压：40V
电流：75A
导通电阻：2mΩ
IRF3205 N型管(直插)
耐压：55V
电流：110A
导通电阻：8mΩ
IRF3703 N型管(直插)
耐压：30V
电流：210A
导通电阻：2.3mΩ
IRL3803 N型管(直插)
耐压：30V
电流：140A
导通电阻：0.006Ω
FDD6688 TO-252贴片
耐压：30V
电流：84A
导通电阻：5mΩ
A2716 P型管(贴片)
耐压：30V
电流：7A
导通电阻：11.3mΩ
SI4405 P型管(贴片)
耐压：30V
电流：17A
导通电阻：7.5mΩ
SI4425 P型管(贴片)
耐压：30V
电流：11A
导通电阻：20mΩ
IRF7805Z N型管(贴片)
耐压：30V
电流：16A
导通电阻：6.8mΩ
IRF7811 N型管(贴片)
耐压：30V
电流：11A
导通电阻：12mΩ
IRF7831 N型管(贴片)
耐压：30V
电流：16A
导通电阻：0.004Ω
IRF7832 N型管(贴片)
耐压：30V
电流：20A
导通电阻：4mΩ
IRF8113 N型管(贴片)
耐压：30V
电流：17A
导通电阻：5.6mΩ
TPC8003 N型管(贴片)
耐压：30V
电流：12A
导通电阻：6mΩ
FDS6688 N型管(贴片)
耐压：30V
电流：16A
型号 极性 用途 V A W ns RON
IRFBC40 N-FET MOS-enh,S-L 600 6.2 125 27/30 1.2Ω
IRFBC30 N-FET MOS-enh,S-L 600 2.2 50 15/30 4.4Ω
IRF820 N-FET MOS-enh,S-L 500 2.5 50 18/18 3Ω
IRF9630 P-FET MOS-enh,S-L 200 6.5 75 100/80 0.8Ω
IRF9610 P-FET MOS-enh,S-L 200 1 20 25/15 2.3Ω
IRF9540 P-FET MOS-enh,S-L 100 19 125 140/140 0.2Ω
IRF9530 P-FET MOS-enh,S-L 100 12 75 140/140 0.3Ω
导通电阻：4.2mΩ
SI4404 N型管(贴片)
耐压：30V
电流：17A
导通电阻：8mΩ
SI4410 N型管(贴片)
耐压：30V
电流：10A
导通电阻：14mΩ
SI4420 N型管(贴片)
耐压：30V
电流：10A
导通电阻：10mΩ
SI4812 N型管(贴片)
耐压：30V
耐压：30V
电流：8.8A
导通电阻：22mΩ
STM4439A P型管(贴片)
耐压：30V
电流：14A
导通电阻：18mΩ
FDS6679 P型管(贴片)
耐压：30V
电流：13A
导通电阻：9mΩ
BUZ111S N型管(直插)
耐压：55V
电流：80A
导通电阻：8mΩ
5N05 N型管(直插)