mos管参数表

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mos管2003参数规格

mos管2003参数规格如下：

•额定电压：VRMS指管子所能承受的高直流电压值。

•额定电流：IS指管子所能承载的大直流电流值。

•高耐压：VSSS指管子能够承受的高交流电压峰值。

•小通态压降：VDIFER指大允许泄漏量。

•正向电阻：RDS(ONLY)指正向导电性。

•反向电阻：RDG(ONLY)指反向导电性。

•导通延迟：TDI(ONLY)指正向偏置下导通的延迟。

•截止频率：FTOFF指截止状态下导通的小周期数。

•阈值电压：THRESHOLD VOLTAGE (INCLUDING THRESHOLD VOLTAGES AND THRESH TRIMMED GATE VOLTS)当流过二极管的电流超过某一数值后晶体管开始饱和并逐渐减小到稳定状态时的临界电压。

mos管数据手册参数

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常见的电子元件。MOSFET数据手册中包含以下主要参数：

1. 阈值电压（Threshold Voltage）：这是指MOSFET开始导通所需的最小栅极电压。

2. 漏极电流（Drain Current）：在给定的栅极电压下，MOSFET的漏极电流。

3. 导通电阻（On-Resistance）：MOSFET导通时，漏极和源极之间的电阻。

4. 开关速度（Switching Speed）：MOSFET的开关速度，通常以上升时间和下降时间表示。

5. 最大允许电流（Maximum Allowable Current）：MOSFET所能承受的最大电流。

6. 雪崩击穿电压（Breakdown Voltage）：在漏极和栅极之间施加足够高的电压时，MOSFET的漏极电流会急剧增加，这会导致器件损坏。这个电压值就是雪崩击穿电压。

7. 工作温度（Operating Temperature）：MOSFET可以在一定的温度范围内工作。数据手册会给出其正常工作范围。

以上是MOSFET数据手册中的一些主要参数，实际上根据具体的MOSFET 型号和应用场景，可能还有其他特定的参数和技术指标。

MOS管主要参数及使用注意事项

MOS管是一种常用的电力器件，广泛应用于电子电路和电源装置中。

本文将介绍MOS管的主要参数及使用注意事项。

1.MOS管的主要参数

(1) 导通电阻（Rds(on)）：即MOS管导通时的电阻，也称为开态电阻。导通电阻越小，MOS管导通时的功耗越小。

(2) 饱和电压（Vgs(sat)）：指MOS管在饱和区时，栅极与源极间的

电压差。饱和电压越小，MOS管的导通能力越好。

(3) 压降（Vds）：即栅极与源极间的电压差。对于负载电路，要保

证MOS管的压降在一定范围内，以避免过压损坏MOS管。

(4) 最大耐压（Vds(max)）：指MOS管能够承受的最大电压。在设计

电源装置时，要确保MOS管的最大耐压能够满足应用需求。

(5) 最大电流（Id(max)）：指MOS管能够承受的最大电流。在设计

电源装置时，要确保MOS管的最大电流能够满足应用需求。

(6) 开关速度（tf/td）：指MOS管从关态到开态或从开态到关态的

时间。开关速度越快，MOS管的响应时间越短，适用于高频应用。

(1)静电防护：MOS管对静电敏感，由于静电的高压可能导致器件损坏。在操作MOS管时，应采取防静电措施，如穿戴静电消除器或接地腕带，以保护MOS管的正常工作。

(2)温度控制：MOS管的工作温度范围一般在-55℃至150℃之间。当

环境温度超过此范围时，应采取散热措施，如加散热片或风扇，以防止MOS管过热损坏。

(3)电流限制：在设计电路时，应根据MOS管的最大电流参数选择合适的负载电阻，以确保MOS管工作在安全电流范围内。同时，在开关MOS 管时，要注意控制电流斜率，以减小MOS管的开关损耗。

常用MOS管型号参数

场效应管分类型号简介封装DISCRETE

MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE

MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE

MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE

MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE

MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE

MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE

MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE

MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE

MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE

MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE

MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE

MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE

MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE

MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE

MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE

MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE

MOS管型号对照表

封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)

直插N型IRF370321030 2.3直插N型IRL3803140306直插N型IRF140513155 5.3直插N型IRF3205110558贴片TO-

252

N型FDD668884305直插N型BUZ111S80558直插N型5N0575509.5直插N型IRF280475402直插N型60N06606014铁壳非直

插

N型IRF1504010055直插N型50N03L282521贴片N型SI43362230 4.2贴片N型IRF78312130 3.6贴片N型IRF783220304直插N型BTS12019100100贴片N型IRF78221830

贴片N型IRF78361730 5.7贴片N型IRF81131730 5.6贴片N型SI440417308贴片N型FDS668816306贴片N型IRF7805Z1630 6.8贴片N型IRF783116304贴片N型IRF747714308.5贴片N型IRF872114308.5贴片N型IRF78051330

贴片N型IRF7805Q133011贴片N型IRF7413123018贴片N型TPC800312306贴片N型IRF7477113020贴片N型IRF7811113012直插N型BTS11010100200贴片N型IRF7466103015贴片N型SI4410103014贴片N型SI4420103010贴片N型A27009307.3贴片N型IRF78078.330

贴片N型SI48127.33028贴片N型SI9410 6.93050贴片N型IRF731363029直插N型6N60 5.5600750贴片P型SI440517307.5贴片P型STM4439A143018贴片P型FDS667913309

mos管重要参数

MOS管的重要参数包括：

开启电压VT：开启电压（又称阈值电压），使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压。

直流输入电阻RGS：即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比，这一特性有时以流过栅极的栅流表示。

漏源击穿电压BVDS：指管子能够承受的高交流电压峰值。

以上信息仅供参考，建议查阅专业书籍或者咨询专业人士获取更全面和准确的信息。

常用MOS管型号参数

场效应管分‎类型号‎简介封装‎

DISC‎R ETE

‎M OS F‎E T 2N‎7000 ‎60V,0‎.115A‎TO-9‎2 DIS‎C RETE‎

MOS ‎F ET 2‎N7002‎60V,‎0.2A ‎S OT-2‎3 DIS‎C RETE‎

MOS ‎F ET I‎R F510‎A 100‎V,5.6‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T E

MO‎S FET‎IRF5‎20A 1‎00V,9‎.2A T‎O-220‎DISC‎R ETE

‎M OS F‎E T IR‎F530A‎100V‎,14A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎

MOS ‎F ET I‎R F540‎A 100‎V,28A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎E

MOS‎FET ‎I RF61‎0A 20‎0V,3.‎3A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TE

M‎O S FE‎T IRF‎620A ‎200V,‎5A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TE

M‎O S FE‎T IRF‎630A ‎200V,‎9A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TE

M‎O S FE‎T IRF‎634A ‎250V,‎8.1A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎

MOS ‎F ET I‎R F640‎A 200‎V,18A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎E

MOS‎FET ‎I RF64‎4A 25‎0V,14‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T E

MO‎S FET‎IRF6‎50A 2‎00V,2‎8A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TE

MOS管主要参数

MOS管主要参数(2011-09-06 10:23)

分类：电源技术

1.开启电压VT

·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；

·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流输入电阻RGS

·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

·这一特性有时以流过栅极的栅流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS

·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿

（2）漏源极间的穿通击穿

·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后

，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

4. 栅源击穿电压BVGS

·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

5. 低频跨导gm

·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力

·是表征MOS管放大能力的一个重要参数

·一般在十分之几至几mA/V的范围内

6. 导通电阻RON

·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间

mos管的各项参数解释

mos管的各项参数解释：

直流参数：

漏源极直流电阻Rds：表示MOS管在静态时，漏极和源极之间的电阻。

栅极阈值电压Vgs(th)：表示MOS管开启时，栅极和源极之间的电压。

漏源饱和电压Vds(sat)：表示MOS管在饱和区工作时，漏极和源极之间的电压。

交流参数：

跨导gm：表示MOS管的放大倍数，即栅极电压对漏源电流的控制能力。

漏源电容Cds：表示MOS管在静态时，漏极和源极之间的电容。

时间参数：

开态时间ton：表示MOS管从截止状态到饱和导通状态所需的时间。

关态时间toff：表示MOS管从饱和导通状态到截止状态所需的时间。

极限参数：

最大漏源电压Vds(max)：表示MOS管所能承受的最大漏源电压。

最大栅极电压Vgs(max)：表示MOS管所能承受的最大栅极电压。

最大耗散功率Pd(max)：表示MOS管所能承受的最大功率。

MOS管参数表

Cds---漏-源电容

Cdu---漏-衬底电容

Cgd---栅-源电容

Cgs---漏-源电容

Ciss---栅短路共源输入电容

Coss---栅短路共源输出电容

Crss---栅短路共源反向传输电容

D---占空比（占空系数，外电路参数）

di/dt---电流上升率（外电路参数）

dv/dt---电压上升率（外电路参数）

ID---漏极电流（直流）

IDM---漏极脉冲电流

ID(on)---通态漏极电流

IDQ---静态漏极电流（射频功率管）

IDS---漏源电流

IDSM---最大漏源电流

IDSS---栅-源短路时，漏极电流

IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流

IGR---反向栅电流

IGDO---源极开路时，截止栅电流

IGSO---漏极开路时，截止栅电流

IGM---栅极脉冲电流

IGP---栅极峰值电流

IF---二极管正向电流

IGSS---漏极短路时截止栅电流

IDSS1---对管第一管漏源饱和电流

IDSS2---对管第二管漏源饱和电流

Iu---衬底电流

Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导

Gp---功率增益

Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导

gds---漏源电导

K---失调电压温度系数

Ku---传输系数

L---负载电感（外电路参数）

LD---漏极电感

Ls---源极电感

rDS---漏源电阻

rDS(on)---漏源通态电阻

rDS(of)---漏源断态电阻

MOS管型号参数表

耗散功率 P(W) 40 30 40 30 40 75 75 125
125
25 25 42 42 36 60 90 90 150 150 25 42 60 60 25 42 25 42 30 30 45 45 60 60 20 25 40 42 60 60 250 60 60 50 250 42
导通电阻 Rds(Ω)
耗散功率 P(W) 40 20 25 25 42 42 98 25 25 42 42 36 25 25 42 42 3.5 25 42 25 42 25 30 30 45 45 60 60 25 42 3.5 25 60 60 20 25 40 42 45 45 60 60 50 42 50
导通电阻 Rds(Ω)
第2页
200905861.xls
型号
IRFR010 IRFR012 IRFR020 IRFR022 IRFR014 IRFR024 IRFU121 IRFU120 IRFU221 IRFU210 IRFU212 IRFU220 IRFU222 IRFU214 IRFU224 IRFU321 IRFU310 IRFU320 IRFU322 IRFU421 IRFU420
外形/封装
150B 150A 150A 150A 150B 150B 150A 150A 150A 150B 150A 150A 150A 150B 150B 150A 151 150A 150A 150A 150A

常用MOS管功能参数

CJP75H21 STP140NF75 IRF1407PbF IRFB4110PbF RU140N10 IRFB4310 IRFB4310ZPbf IRFB4410 IRFB4115GPbF IRFB4321GPbF
75 75 75 100 100 100 100 100 150 150
140 120 130 130 140 140 120 96 104 83
100 100 92 120 100 97 90 68 74 59
3.5 7.5 7.8 4.5 8 7 6 10 11 15
3 3 3 3 3 3 3 3 4 4
长电 ST IR IR 锐俊 IR IR IR IR IR
TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
型号 CJP75N80 AOT470 SSF7509 TK80E08 STP75NF75 STP80NF70 ME75N80C HY1707P STP75NF68 IRFB3607PbF
耐压(V) 最大电流（A） 75 75 80 75 75 68 80 70 68 75 25℃ 80 100 80 80 75 98 75 80 80 80 100℃ 78 78 72 70 70 68 60 65 56 56
Hale Waihona Puke Baidu

mos管的主要参数

MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管，也叫MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）。它是电子设备中的一种重要元件，主要用于功率放大、开关控制、电源稳压等方面。以下是MOS管的主要参数及其作用：

1. 阈值电压（Vth）：指MOS管内部电场的强度，它决定了MOS管是否导通。如果外加电压大于阈值电压，MOS管就会导通。

2. 最大漏极电压（Vdss）：指MOS管能够承受的最大漏极电压，超过这个电压就会损坏MOS管。

3. 最大漏极电流（Idmax）：指MOS管能够承受的最大漏极电流，超过这个电流就会损坏MOS管。

4. 静态工作点（Qpoint）：指MOS管在直流条件下的工作状态，需要根据具体电路要求来确定。

5. 动态响应特性：包括开关速度、延迟时间和过渡时间等参数，决定了MOS管在高频和快速开关中的性能。

6. 热稳定性：指MOS管在高温环境下的稳定性能，一般用温度系数来衡量。

7. 输出电容（Coss）：指MOS管漏极和栅极之间的电容，影响了MOS管的开关速度和功率损耗。

在实际应用中，需要根据具体电路要求来选择合适的MOS管，通常需要考虑的因素包括电压、电流、功率、频率、温度等因素。同时，为了确保电路的可靠性，还需要注意MOS管的静态和动态特性匹配以及防止过温等问题。因此，掌握MOS管的主要参数并选择合适的MOS管应用于具体电路是电子工程师们的必备技能和基本功。

常用MOS管型号参数(精)

场效应管分类型号简介封装 DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET

IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET

IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 -100V,-6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9540 -100V,-19A TO-220 DISCRETE MOS FET

MOS管参数详解

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）

作为一种常见的场效应管，具有很多重要的参数需要了解和掌握。下面详

细介绍MOS管的几个重要参数。

1. 门电压（Vgs）：门电压是指施加在MOS管的栅极和源极之间的电

压差。它决定了MOS管的导通和截止状态。当Vgs小于MOS管的阈值电压（Vth）时，MOS管处于截止状态；当Vgs大于Vth时，MOS管处于导通状态。

2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指MOS管处于导通和截止状态的临

界电压。当Vgs小于Vth时，MOS管截止，导通状态转变为截止状态；当Vgs大于Vth时，MOS管导通，截止状态转变为导通状态。

3.漏极电流（Id）：漏极电流是指从漏极流出的电流。在MOS管导通

状态下，漏极电流与门电压和漏源电压有关。

4. 开关比（On/Off Ratio）：开关比是指MOS管导通和截止状态下

的漏极电流差异。开关比越大，表示MOS管的截止和导通状态差异越大，

具有更好的开关特性。

5. 压降（Voltage Drop）：压降是指MOS管导通状态下，从漏极到

源极的电压差。在导通状态下，压降越小，表示MOS管的导通效果越好。

6. 战略伏（Subthreshold Voltage）：战略伏是指MOS管处于微弱

导通状态时的电压范围。当Vgs小于战略伏时，MOS管具有微弱导通功能。

7. 输出电阻（Output Resistance）：输出电阻是指在MOS管导通状

态下，漏源电压改变时，漏极电流变化的程度。输出电阻越小，表示MOS