mos管参数表
常用MOS管型号参数
MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFR9020 -50V,-9.9A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF9520 -100V,-6A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF9540 -100V,-19A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF9610 -200V,-1.8A TO-220
常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。
注意，焊接ＭＯＳ止静电。
TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。
上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。
MOS管参数详细讲解和驱动电阻选择
MOS管参数详细讲解和驱动电阻选择MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是一种常见的功率电子器件，常用于开关电源、逆变器、驱动器等应用中。
在这篇文章中，我将详细讲解MOS管的参数以及驱动电阻的选择。
首先，我们来了解一下MOS管的主要参数：1. 额定电压（Vds）：额定电压是指MOS管能够承受的最大输入电压。
超过额定电压可能会损坏MOS管。
2.最大电流（Id）：最大电流是指MOS管能够承受的最大输入电流。
超过最大电流可能会导致MOS管过热而损坏。
3. 漏源极电阻（Rds）：漏源极电阻是指MOS管导通状态下的电阻值，也称为导通电阻。
导通电阻越小，MOS管的导通能力越强。
4. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指MOS管进入导通状态所需要的控制电压。
控制电压低于阈值电压时，MOS管处于截止状态。
5. 输入电容（Ciss）：输入电容是指MOS管的栅极和源极之间的电容。
输入电容越大，需要的输入电流和电压就越大。
6. 输出电容（Coss）：输出电容是指MOS管的漏极和源极之间的电容。
输出电容越大，驱动MOS管的电路需要更多的电流和电压。
驱动MOS管的关键是正确选择驱动电阻。
驱动电阻的选择需要考虑以下几个因素：1.驱动电流：驱动电流是指驱动电路向MOS管的栅极提供的电流。
驱动电流越大，MOS管的开关速度越快。
通常来说，驱动电流应该选取MOS管栅极驱动电流的两倍。
2.上升时间和下降时间：驱动电阻的选择会直接影响MOS管的上升时间和下降时间。
上升时间和下降时间越短，MOS管的开关速度就越快。
通常来说，驱动电阻的值应该足够小以提高驱动电流。
3.总功耗：驱动电阻的选择也会影响驱动电路的总功耗。
过大的驱动电阻会导致更大的功耗，并可能使驱动器过热。
综上所述，在选择驱动电阻时，我们需要权衡驱动电流、上升/下降时间和总功耗等因素。
合理选择驱动电阻的值可以提高MOS管的开关速度，减小功耗，并保证MOS管的工作可靠性。
MOS管参数解释
MOS管参数解释莫斯管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET）是一种电子器件，常用于放大、开关和模拟电路中。
它有三个电极：栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。
MOS管的参数非常重要，决定了MOS管的性能和特性。
本文将详细解释MOS管的主要参数。
1. 阈值电压（Threshold Voltage）：阈值电压是指当栅极电压等于源极电压时，MOS管开始导通的电压。
阈值电压可以通过改变栅极电流和源极电流来控制，影响MOS管的导通和截止特性。
2. 漏极电流（Drain Current）：漏极电流是指MOS管工作时从漏极到源极的电流。
漏极电流可以通过调节栅极电压和源极电压来控制。
漏极电流是MOS管的输出电流，在放大电路中起到重要作用。
3. 开关速度（Switching Speed）：MOS管的开关速度是指它从导通到截止或从截止到导通的时间。
开关速度受到MOS管内部电容和电荷传输的影响。
较高的开关速度可以使MOS管在高频应用中更为有效。
4. 导通电阻（On-resistance）：导通电阻是指MOS管在导通状态下的电阻大小。
导通电阻直接影响MOS管的功耗和效率。
较低的导通电阻可以减小功率损失。
5. 对耗（Power Dissipation）：对耗是指MOS管的功率损耗。
对耗主要由漏极电流和漏极电压决定，较高的对耗可能导致MOS管过热和损坏。
6. 压降（Voltage Drop）：压降是指从源极到漏极之间的电压差。
压降与MOS管的电流和导通电阻有关。
较大的压降可能会影响电路的正常工作。
7. 输出容载（Output Capacitance）：输出容载是指MOS管输出端的电容。
输出容载影响MOS管的开关速度和频率特性。
较大的输出容载可能导致MOS管在高频应用中的性能下降。
8. 噪声系数（Noise Figure）：噪声系数是指MOS管对输入信号中的噪声的放大程度。
常用N沟道mos管参数
常用N沟道mos管参数N沟道MOS管是一种常用的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它具有许多优良的特性，广泛应用于电子设备和电路中。
以下是一些常用的N沟道MOS管参数的介绍。
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指当栅极电压超过一定值时，MOS管开始导通的电压。
对于N沟道MOS管，阈值电压通常为负值，一般在-1V至-5V之间。
2. 最大漏电流（Idss）：最大漏电流是指当栅极电压为零时，N沟道MOS管漏极电流的最大值。
它表示了当MOS管处于关闭状态时的最大漏电流水平，一般为几微安到几毫安。
3. 饱和漏源电压（VDSsat）：饱和漏源电压是指当MOS管处于饱和区时，漏源间的电压。
在饱和区，MOS管的漏源电压会接近其最小可能值，一般为几十毫伏到几百毫伏。
4. 上升沟道电阻（Rdson）：上升沟道电阻是指在N沟道MOS管处于饱和区时，漏源之间的电阻。
它表示了MOS管饱和状态下导通时的电阻水平，一般为几十毫欧到几百毫欧。
5. 峰值漏源电流（Idp）：峰值漏源电流是指在N沟道MOS管导通时，漏极电流的最大值。
它表示了MOS管能够承受的最大电流水平，一般为几安到几十安。
6. 开启时间（ton）和关闭时间（toff）：开启时间是指MOS管从关断状态到完全导通所需的时间，关闭时间是指MOS管从导通状态到完全关断所需的时间。
它们是描述MOS管开关速度的重要参数，一般为几十纳秒到几百纳秒。
7. 电源电压（Vdd）：电源电压是指N沟道MOS管工作时的电源供应电压。
它决定了MOS管工作的电压范围，一般为几伏到几十伏。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指N沟道MOS管的输入端（栅极）与输出端（漏极）之间的电容。
它影响着MOS管的输入和输出特性，一般为几皮法到几十皮法。
9. 漏源电容（Coss）：漏源电容是指N沟道MOS管的漏极与源极之间的电容。
它影响着MOS管的开关速度和功耗，一般为几皮法到几十皮法。
10.载流能力：载流能力是指N沟道MOS管能够承受的最大电流负载。
常用MOS管型号参数
场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET IRF9540 -100V,-19A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9610 -200V,-1.8A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9620 -200V,-3.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR9020 -50V,-9.9A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETEDISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V,-12A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU410A 500V ,1.2A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFZ20A 50V,15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ30 50V,30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ40 50V,50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET SFP9634 -250V,-5A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V,-8.6A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V,-18A TO-220 DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V,-1.53A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9224 -250V,-2.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9310 -400V,-1.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFS9630 -200V,-4.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFS9634 -250V,-3.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFU9220 -200V,-3.1A I-PAK DISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 100V,60A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEDISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60 600V, 3.2A TO-220(F/P)。
MOS管分类及参数
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双极型三极管 噪声 较大 温度特性 受温度影响较大 输入电阻 几十到几千欧姆 静电影响 不受静电影响 集成工艺 不易大规模集成
场效应三极管 较小 较小，可有零温度系数点 几兆欧姆以上 易受静电影响 适宜大规模和超大规模集成 避免栅极悬空
四种MOS管的比较：
1. 对于P沟道器件，VDD必为负值，衬底必须接在电 路中的最高电位上。对于N沟道器件， VDD必为正值，衬 底必须接在电路中的最低电位上。 2. 就UGS而言，增强型器件是单极性的，其中P沟道 为负值，N沟道为正值，而耗尽型器件则可正可负。 3.N沟道器件，UGS向正值方向增大， ID 越大；P沟 道器件， UGS越向负值方向增大， ID越大。
) （当U GS(off) uGS 0时）
U GS(off)
(2)极间电容：三个极间均存在电容。
uDS (3)输出电阻rd：rd iD
U GS＝C
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主要参数
三、极限参数 (1)最大漏级电流IDM： 正常工作漏极电流上限值。 (2)击穿电压 最大漏源电压U(BR)DS 最大栅源电压U(BR)GS (3)最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= U (BR)DS IDM决定。
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栅 场 效 应 管
N 沟 道 耗 尽 型
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绝 缘 栅 场 效 应 管
P 沟 道 增 强 型
P 沟 道 耗 尽 型
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1.4.3
场效应三极管的参数和型号
பைடு நூலகம்
一、直流参数 (1)开启电压UGS(th) (或UT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 UDS一定， iD >0。 (2)夹断电压UGS(off) (或UP) 夹断电压是结型和耗尽型FET的参数，漏极电流约为 零时的UGS值 。即当UGS=UGS(off) 时,漏极电流为零（微小电 流）。 (3)饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当UGS=0时，产生预夹断时所对 应的漏极电流。
常用MOS管型号参数
场效应管分类型号简介封装DISCR ETEM OS FE T 2N7000 60V,0.115ATO-92 DISC RETEMOS F ET 2N700260V,0.2A S OT-23 DISC RETEMOS F ET IR F510A 100V,5.6A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF520A 100V,9.2A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF530A100V,14A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F540A 100V,28ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF610A 200V,3.3A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF620A 200V,5A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF630A 200V,9A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF634A 250V,8.1A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F640A 200V,18ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF644A 250V,14A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF650A 200V,28A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF654A 250V,21A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF720A400V,3.3ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF730A 400V,5.5A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF740A 400V,10A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF750A400V,15A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F820A 500V,2.5A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF830A 500V,4.5A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF840A500V,8A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF9520-100V,-6ATO-220 DIS CRETEDISCR ETEM OS FE T IRF9610-200V,-1.8A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF9620 -200V,-3.5A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRFP150A 100V,43A TO-3PD ISCRE TEMO S FET IRFP250A200V,32A T O-3PDISCR ETEM OS FE T IRF P450A 500V,14ATO-3P DISC RETEMOS F ET IR FR024A 60V,15AD-PAK DISC RETEMOS F ET IR FR120A 100V,8.4A D-P AK DI SCRET EMOS FETIRFR214A 250V,2.2A D-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF R220A 200V,4.6A D-PA K DIS CRETEMOSFET I RFR224A 250V,3.8A D-PAK D ISCRE TEMO S FET IRFR310A400V,1.7AD-PAK DISC RETEMOS F ET IR FR9020 -50V,-9.9A D-PAK D ISCRE TEMO S FET IRFS540A100V,17A T O-220F DIS CRETEMOSFET I RFS630A 200V,6.5A TO-220F DISC RETEMOS F ET IR FS634A 250V,5.8A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRF S640A 200V,9.8A TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRFS644A250V,7.9ATO-220F DI SCRET EMOS FETIRFS730A 400V,3.9A T O-220F DIS CRETEMOSFET I RFS740A 400V,5.7A TO-220F DISC RETEMOS F ET IR FS830A 500V,3.1A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRF S840A 500V,4.6A TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRFS9Z34-60V,-12ATO-220F DI SCRET EDISCR ETEM OS FE T IRF SZ34A 60V,20A T O-220FDIS CRETEMOSFET I RFU110A 100V,4.7A I-PAKD ISCRE TEMO S FET IRFU120A100V,8.4AI-PAKDISC RETEMOS F ET IR FU220A 200V,4.6A I-P AKDI SCRET EMOS FETIRFU230A 200V,7.5A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF U410A 500V ,1.2A I-P AKDI SCRET EMOS FETIRFU420A 500V,2.3A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF Z20A50V,15A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF Z24A60V,17A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF Z30 50V,30A TO-220D ISCRE TEMO S FET IRFZ34A 60V,30A TO-220D ISCRE TEMO S FET IRFZ40 50V,50A TO-220DI SCRET EMOS FETIRFZ44A 60V,50A TO-220DI SCRET EMOS FETIRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRLS Z14A60V,8A,Log ic TO-220F DISC RETEMOS F ET IR LZ24A 60V,17A,L ogicTO-220DIS CRETEMOSFET I RLZ44A 60V,50A,Logic TO-220DI SCRET EMOS FETSFP36N03 30V,36A TO-220D ISCRE TEMO S FET SFP65N0660V,65A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP9540-100V,-17A TO-220DI SCRET EMOS FETSFP9634 -250V,-5A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP9644-250V,-8.6A TO-220D ISCRE TEDISC RETEMOS F ET SF R9214 -250V,-1.53A D-PAKDISCR ETEM OS FE T SFR9224-250V,-2.5A D-P AK DI SCRET EMOS FETSFR9310 -400V,-1.5AD-PAK DISC RETEMOS F ET SF S9630 -200V,-4.4A TO-220F DISC RETEMOS F ET SF S9634 -250V,-3.4A TO-220F DISC RETEMOS F ET SF U9220 -200V,-3.1A I-PAKD ISCRE TEMO S FET SSD2002 25V N/P Dua l 8SO P DIS CRETEMOSFET S SD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISC RETEMOS F ET SS D2101 30VN-chSingl e 8SO P DIS CRETEMOSFET S SH10N80A 800V,10A TO-3P D ISCRE TEMO S FET SSH10N90A 900V,10ATO-3P DISC RETEMOS F ET SS H5N90A 900V,5ATO-3P DISC RETEMOS F ET SS H60N10 100V,60A TO-3PDIS CRETEMOSFET S SH6N80A 800V,6A TO-3PDIS CRETEMOSFET S SH70N10A 100V,70A TO-3P D ISCRE TEMO S FET SSH7N90A900V,7A TO-3PD ISCRE TEMO S FET SSH9N80A800V,9A TO-3PD ISCRE TEMO S FET SSP10N60A 600V,9A T O-220 DISC RETEMOS F ET SS P1N60A 600V,1ATO-220DIS CRETEMOSFET S SP2N90A 900V,2A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP35N03 30V,35A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP3N90A900V,3A TO-220DISCR ETEDISC RETEMOS F ET SS P4N60AS 600V,4A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP4N90AS900V,4.5ATO-220 DIS CRETEMOSFET S SP5N90A 900V,5A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP60N06 60V,60A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP6N60A600V,6A TO-220DISCR ETEM OS FE T SSP70N10A 100V,55A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP7N60A 600V,7A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP7N80A800V,7A TO-220DISCR ETEM OS FE T SSP80N06A 60V,80ATO-220DIS CRETEMOSFET S SR1N60A 600V,0.9A D-PAKD ISCRE TEMO S FET SSR2N60A600V,1.8AD-PAK DISC RETEMOS F ET SS R3055A 60V,8A D-PAKDISCR ETEM OS FE T SSS10N60A 600V,5.1A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F D ISCRE TEMO S FET SSS3N80A800V,2A TO-220F DISC RETEMOS F ET SS S3N90A 900V,2ATO-220FDI SCRET EMOS FETSSS4N60AS600V,2.3ATO-220F DI SCRET EMOS FETSSS4N90AS900V,2.8ATO-220F DI SCRET EMOS FETSSS5N80A 800V,3A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS6N60600V, 3.2A TO-220(F/P) 。
常见mos管
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如未买到相应电流的，可用更多大额定电流的代替。
注意，焊接ＭＯＳ管应防止静电。
TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管 IRF7805Z 的引脚图。
上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补充）封装形式 极性 型号 电流(A) 耐压(V)导通电阻(m Ω)SO-8 N 型 SI4336 22 30 4.2 SO-8 N 型 IRF7831 21 30 3.6 SO-8 N 型 IRF7832 20 30 4 SO-8 N 型 IRF7822 18 30 SO-8 N 型 IRF7836 17 30 5.7 SO-8 N 型 IRF8113 17 30 5.6 SO-8 N 型 SI4404 17 30 8 SO-8 N 型 FDS6688 16 30 6SO-8 N型IRF8721 14 30 8.5 SO-8 N型IRF7805 13 30SO-8 N型IRF7805Q 13 30 11 SO-8 N型IRF7413 12 30 18 SO-8 N型TPC8003 12 30 6 SO-8 N型IRF7477 11 30 20 SO-8 N型IRF7811 11 30 12 SO-8 N型IRF7466 10 30 15 SO-8 N型SI4410 10 30 14 SO-8 N型SI4420 10 30 10 SO-8 N型A2700 9 30 7.3 SO-8 N型IRF7807 8.3 30SO-8 N型SI4812 7.3 30 28 SO-8 N型SI9410 6.9 30 50 SO-8 N型IRF7313 6 30 29 SO-8 P型SI4405 17 30 7.5 SO-8 P型STM4439A 14 30 18 SO-8 P型FDS6679 13 30 9 SO-8 P型SI4411 13 30 8 SO-8 P型SI4463 12.3 20 16 SO-8 P型SI4407 12 30SO-8 P型IRF7424 11 30 13.5 SO-8 P型IRF7416 10 30 20 SO-8 P型IRF7416Q 10 30 20 SO-8 P型SI4425 9 30 19 SO-8 P型IRF7424 8.8 30 22 SO-8 P型SI4435 8 30 20 SO-8 P型SI4435DY 8 30 20 SO-8 P型A2716 7 30 11.3 SO-8 P型IRF7406 5.8 30 45 SO-8 P型SI9435 5.3 30 50 SO-8 P型IRF7205 4.6 30 70 TO-252 N型FDD6688 84 30 5 TO-3 N型IRF150 40 100 55 TO-220 N型IRF3703 210 30 2.8 TO-220 N型IRL3803 140 30 6 TO-220 N型IRF1405 131 55 5.3 TO-220 N型IRF3205 110 55 8 TO-220 N型BUZ111S 80 55 8 TO-220 N型05N05 75 50 9.5 TO-220 N型IRF2804 75 40 2 TO-220 N型60N06 60 60 14 TO-220 N型50N03L 28 25 21TO-220 N型06N60 5.5 600 750MOS管应用电路设计本文来自: 原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。
常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。
注意，焊接ＭＯＳ止静电。
TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。
上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。
MOS各个参数详解
MOS各个参数详解中电华星应用白皮书八月 30,20161 极限参数:ID :最大漏源电流.是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过ID .此参数会随结温度的上升而有所减额.IDM :最大脉冲漏源电流.体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系，此参数会随结温度的上升而有所减额.PD :最大耗散功率.是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM 并留有一定余量.此参数一般会随结温度的上升而有所减额.（此参数靠不住）VGS :最大栅源电压.，一般为：-20V~+20VTj :最大工作结温.通常为150 ℃或175 ℃ ，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量. （此参数靠不住）TSTG :存储温度范围.2 静态参数V(BR)DSS :漏源击穿电压.是指栅源电压VGS 为0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS . 它具有正温度特性.故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑. 加负压更好。
△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源击穿电压的温度系数，一般为0.1V/ ℃.RDS(on) :在特定的 VGS (一般为 10V )、结温及漏极电流的条件下， MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗.它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET 导通时的消耗功率.此参数一般会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）. 故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算.VGS(th) :开启电压(阀值电压).当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道.应用中，常将漏极短接条件下ID 等于1 毫安时的栅极电压称为开启电压.此参数一般会随结温度的上升而有所降低.IDSS :饱和漏源电流，栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源电流.一般在微安级.IGSS :栅源驱动电流或反向电流.由于MOSFET 输入阻抗很大，IGSS 一般在纳安级.、3 动态参数gfs :跨导.是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度. gfs 与 VGS 的转移关系图如下图所示.Qg :栅极总充电电量.MOSFET 是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的，下面将有此方面的详细论述.Qgs:栅源充电电量.Qgd :栅漏充电(考虑到 Miller 效应)电量.Td(on) :导通延迟时间.从有输入电压上升到 10％开始到 VDS 下降到其幅值90％的时间 ( 参考下图 ) .Tr :上升时间.输出电压 VDS 从 90％下降到其幅值 10％的时间.Td(off) :关断延迟时间.输入电压下降到 90％开始到 VDS 上升到其关断电压时 10％的时间.Tf :下降时间.输出电压VDS 从10％上升到其幅值90％的时间( 参考下图 ) .Ciss:输入电容，Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).Coss :输出电容. Coss = CDS +CGD .Crss :反向传输电容. Crss = CGD .最后三个公式非常重要4 雪崩击穿特性参数这些参数是 MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标.如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态.EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数，说明MOSFET 所能承受的最大雪崩击穿能量.IAR :雪崩电流.EAR :重复雪崩击穿能量.5 热阻:结点到外壳的热阻.它表明当耗散一个给定的功率时，结温与外壳温度之间的差值大小.公式表达⊿ t = PD* .:外壳到散热器的热阻，意义同上.:结点到周围环境的热阻，意义同上.6 体内二极管参数IS :连续最大续流电流(从源极).ISM :脉冲最大续流电流(从源极).VSD :正向导通压降.Trr :反向恢复时间.Qrr :反向恢复充电电量.Ton :正向导通时间.(基本可以忽略不计).7、一些其他的参数：Iar: 雪崩电流Ear: 重复雪崩击穿能量Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数二、在应用过程中，以下几个特性是经常需要考虑的:1、 V ( BR ) DSS 的正温度系数特性.这一有异于双极型器件的特性使得其在正常工作温度升高后变得更可靠.但也需要留意其在低温冷启机时的可靠性.2、 V ( GS) th 的负温度系数特性.栅极门槛电位随着结温的升高会有一定的减小.一些辐射也会使得此门槛电位减小，甚至可能低于0 电位.这一特性需要工程师注意MOSFET 在此些情况下的干扰误触发，尤其是低门槛电位的MOSFET 应用.因这一特性，有时需要将栅极驱动的关闭电位设计成负值(指 N 型， P 型类推)以避免干扰误触发.阈值电压是负温度系数。
MOS管型号参数表
外形/封装
138
138B
150 150 150 150A 350 150B 150B 150A 150A
138A
150 150 150 150
256C
150B 150 150 150 150B
138A
138E
138A
138E
138A
138E
150 150
256C
150B 139A 139E 150 150 150 150A
4 4.4 6.5
开关时间 ton/toff
60/30 71/59 86/38
国内外相 似型号 RRF121 RRFF121
IRFU9010 IRFR9010 IRFU9020 IRFU9022 CPY301E
50/30 83/39 83/39 75/29
J1025(A) RFD14N05 J843(A) IRFU9014
3 4.5 1.5 2.4 0.19 0.19 0.21 0.55 0.55
4 0.27 4.4
开关时间 ton/toff
90/30 90/30 90/30 90/30 60/30 35/35 35/35
60/25
国内外相 似型号 IRFR020 BUZ71AL BUZ71 BUZ71F1
NDP406AEL BUZ11 BUZ11A
86/38
IRFU9024 IRFU9024 TN0106N2
83/39
2SK1033 IRFU9110 IRFR9120
IRF5522 IRF5522 MHT10P10(A)
25/20
IRFU9110 IRFU9120
41/29 18/18
IRFU9210 IRFU9212 IRFU9220 IRFU9222 IRFJ430 IRFJ430 IRFJ440 IRFJ440 IRFU422 IRFUC20 SDFE20JAA
MOS管参数详解
MOS管参数详解MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作为一种常见的场效应管，具有很多重要的参数需要了解和掌握。
下面详细介绍MOS管的几个重要参数。
1. 门电压（Vgs）：门电压是指施加在MOS管的栅极和源极之间的电压差。
它决定了MOS管的导通和截止状态。
当Vgs小于MOS管的阈值电压（Vth）时，MOS管处于截止状态；当Vgs大于Vth时，MOS管处于导通状态。
2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指MOS管处于导通和截止状态的临界电压。
当Vgs小于Vth时，MOS管截止，导通状态转变为截止状态；当Vgs大于Vth时，MOS管导通，截止状态转变为导通状态。
3.漏极电流（Id）：漏极电流是指从漏极流出的电流。
在MOS管导通状态下，漏极电流与门电压和漏源电压有关。
4. 开关比（On/Off Ratio）：开关比是指MOS管导通和截止状态下的漏极电流差异。
开关比越大，表示MOS管的截止和导通状态差异越大，具有更好的开关特性。
5. 压降（Voltage Drop）：压降是指MOS管导通状态下，从漏极到源极的电压差。
在导通状态下，压降越小，表示MOS管的导通效果越好。
6. 战略伏（Subthreshold Voltage）：战略伏是指MOS管处于微弱导通状态时的电压范围。
当Vgs小于战略伏时，MOS管具有微弱导通功能。
7. 输出电阻（Output Resistance）：输出电阻是指在MOS管导通状态下，漏源电压改变时，漏极电流变化的程度。
输出电阻越小，表示MOS管的控制能力越强。
除了上述参数外，还有一些其他参数也需要了解：1. 最大耐压（Maximum Drain-Source Voltage）：最大耐压是指MOS管能够承受的最大漏源电压。
超过最大耐压，MOS管可能会被击穿。
2. 最大功率（Maximum Power Dissipation）：最大功率是指MOS管能够承受的最大功率。
几种常用的MOS管参数、应用电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF9540
⼏种常⽤的MOS管参数、应⽤电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF95401. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V栅极（Gate—G，也叫做门极），源极(Source—S)，漏极（Drain—D）漏源电压（Vdss）100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）33A栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻44mΩ @ 16A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）130W类型N沟道IRF540N（NMOS管）应⽤电路MOS管由电压控制，与三极管不同（三极管是电流控制）。
说⽩了，给箭头⽅向相反的压降就是导通，⽅向相同就是截⽌可以在单⽚机和栅极之间加⼀个1k的电阻，起到限流作⽤；此外，可以栅极和源极之间加⼀个10k的电阻，⼀是为提供；⼆是起到泻放电阻的作⽤：保护栅极G-源极S2. IRF9540N,P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V漏源电压（Vdss）-100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）23A栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻117mΩ @ 11A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）140W类型P沟道IRF9540N（PMOS管）应⽤电路3. IRF9540,P沟道,-100V,-19A跟IRF9540N的区别是引脚封装不同，从原理图可以看出来，两个正好是上下颠倒的。
漏源电压（Vdss）-100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）19A(Tc)栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻200mΩ @ 11A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）150W(Tc)类型P沟道。
MOS管参数表
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数。
MOS管主要参数
MOS管主要参数：
1.开启电压V T
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的N沟道MOS管，V T约为3～6V；
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的V T值降到2～3V。
2. 直流输入电阻R GS
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的R GS可以很容易地超过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BV DS
·在V GS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使I D开始剧增时的V DS称为漏源击穿电压BV DS
·I D剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加V DS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通
后
，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的I D
4. 栅源击穿电压BV GS
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流I G由零开始剧增时的V GS，称为栅源击穿电压BV GS。
5. 低频跨导g m
·在V DS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·g m反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几mA/V的范围内。
MOS管
处于工作点时的功耗
gmoverid (1/V)
Gm/Ids
lv36 (F)
栅源交叠电容
lv37 (F)
栅漏交叠电容
lv38 (F)
栅衬底交叠电容
lx10 (S)
漏区二极管跨导
lx11 (S)
源区二极管跨导
MOS管工作区域的数字表示
Region
工作区
0
关断
1
线性区
2
饱和区
3
亚阈值区
4
击穿
衬源电压
vth (V)
阈值电压
lv9 (V)
Vth的别名
vdsat (V)
漏源饱和电压
lv26(V)
平带电压
lv10（V）
Vdsat的别名
gm/lx7 (S)
共源跨导
gds/lx8 (S)
共源输出跨导
gቤተ መጻሕፍቲ ባይዱbs/lx9(S)
衬底跨导
betaeff (A/V2)
有效β值
cjd/lx29 (F)
漏区衬底结电容
工艺
MOS
sf
ss
fs
ff
tt
BIP
bipslow
bipfast
biptypical
RES
resslow
resfast
restypical
CAP
capslow
capfast
captypical
噪声
fn
MOS管闪烁噪声
id
MOS管热噪声
rn
电阻热噪声
ib
双极性基极电流散粒噪声
ic
双极性集电极电流散粒噪声
dQs_dVb
MOS管参数详解
MOS 管参数详细解读第一部分最大额定参数最人额定参数，所有数值取得条件仃a=25°C)图1功率MOS FET 的绝对最大额定值VDSS 最大漏■源电压在栅源短接，漏■源额定电压(VDSS)是指漏■源未发生雪崩击穿前所能施加的最人电压。
根 据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS 。
关于V(BR)DSS 的详细描述请参 见静电学特性.VGS 最大栅源电压VGS 额定电压是栅源两极间可以施加的最人电压。
设定该额定电压的主要目的是防止电压 过高导致的栅氧化层损伤。
实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工 艺的不同而改变，因此保持VGS 在额定电压以内可以保证应用的可靠性。
ID •连续漏电流ID 定义为芯片在最人额定结温TJ(max) K,管表面温度在25°C 或者更高温度下，可允许的 最大连续直流电流。
该参数为结与管壳之间额定热阻R6JC 和管壳温度的函数：项目符号 额定伯 单位演极/源极电伍 Vossepv ▲栅妙/源极电压 VGSS ±20v ▲茫圾电流 k>85A “ 脉冲演圾电滾 b(pulse)注：340 A < 反向滴级电谨 •DR 85A • 雪崩电流I AP 祖 60AE AR 曲308 mJ ■ 容许沟道摄耗 Pch 淤 110 W < 容许沟道温度 Tch 150 °C热阻0d>c1.14Tchmax - TcRDS(on0ax x a x Och 一 clo(pulse)使用瞬态热阴一C150°C Rngjon)〔但是*沁R D 鸚JE 加十匚•加詔體掘 Pch 的温度降额是【注】1•在PWWIOms. dutyWI%时的容许值2. 在Tch = 25°C 时的容许偵.Rg>5«)3. 在Tc = 25°C 时的容许偵Pch(Tx) = Pch(25ft C) xTchmax - 25Tchmax _ TcOch-c= ---------- — ----------Pch(取决于封装和芯片的尺寸)2SK3418的例子>D =V DSS 和通态胆阻有相互关系 驱动2S 件的电压越低此值越低 总极电流b 的理论公式是ID 中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25°C (Tease)也很难。