MOS管全参数代换大全
常用场效应管参数及代换
常用场效应管参数及代换场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种用来放大和控制电流的电子元件。
它是由一个金属门极与两个半导体区域（源极和漏极）组成。
在常见的场效应管中，有三种主要类型：结型场效应管（JFET），增强型场效应管（MOSFET）和绝缘栅极场效应管（IGBT）。
本文将重点介绍增强型场效应管（MOSFET）的常用参数及其代换方法。
一、常用参数1.电流参数(i)静态漏极电流（IDSS）：在门极电压VGS=0时，漏极电流的值。
(ii) 静态漏极电流温度系数：静态漏极电流随温度变化的变化率。
(iii) 动态漏极电流（ID）：在特定的电压和温度条件下，从漏极流出的电流的值。
2.电压参数(i)额定漏极到源极电压（VDS）：漏极和源极之间的最大电压。
(ii) 额定源极到栅极电压（VGS）：源极和栅极之间的最大电压。
(iii) 阈值电压（VT）：当栅极电压超过阈值电压时，通道开始导电。
(iv) 栅极欠压（VGS（th））：栅极电压低于这个电压时，场效应管处于截止区。
(v) 漏极饱和电压（VDS（sat））：漏极电压达到饱和时，在这个电压下，漏极与源极之间的电流达到最大值。
(vi) 最大可承受漏极电流（IDM）：超过这个电流值时，场效应管可能损坏。
3.输入参数(i) 栅极输入电容（Cgs）：栅极和源极之间的电容。
(ii) 栅极反向传导（gfs）：源极电流变化与栅极电压变化之间的比例关系。
4.输出参数(i) 漏极输出电容（Cds）：漏极和源极之间的电容。
(ii) 漏极跟随导纳（gd）：漏极电流变化与漏极电压变化之间的比例关系。
5.尺寸参数(i)源极宽度（W）：源极沿着通道长度方向的尺寸。
(ii) 通道长度（L）：源极和漏极之间的距离。
二、代换方法1.输出导纳代换场效应管的漏极跟随导纳gd可以用其中一个公式进行代换：gd ≈ 2IDSS/VGS（th）2.输出电容代换输出电容Cds可以用其中一个公式进行代换：Cds ≈ CM + CGS x VDS/VGS其中CM是一个常数，等于通道本身的电容，CGS是栅极和源极之间的电容。
MOS管替换大全
Part V DSS R DS(ON)I D P D Package Toshiba Note Vender Number(V)(ohm)(A)(W)Replacement2N70006050.20.4TO-92Fairchild 2N7002607.50.1150.2SOT-23Fairchild 2SJ377-600.19-5POWER MOLD2SJ377A Toshiba 2SJ378-600.19-5TPS2SJ378A Toshiba 2SJ380-1000.21-12TO-220IS2SJ380A Toshiba 2SJ401-600.045-20TO-220FL/SM2SJ401A Toshiba 2SJ402-600.038-30TO-220FL/SM2SJ402A Toshiba 2SJ407-2001-6TO-220IS2SJ407A Toshiba 2SJ412-1000.21-16TO-220FL/SM2SJ412A Toshiba 2SJ419-120.082-4SOP-8(Single)Sanyo 2SJ420-120.063-5SOP-8(Single)Sanyo 2SJ421-300.058-5SOP-8(Single)TPC8104-H A Sanyo 2SJ438-600.19-5TO-220IS2SJ438A Toshiba 2SJ439-160.2-5POWER MOLD2SJ439A Toshiba 2SJ464-1000.09-18TO-220IS2SJ464A Toshiba 2SJ465-160.71-2POWER-MINI2SJ465A Toshiba 2SJ468-300.1-4SOP-8(Single)TPC8104-H A Sanyo 2SJ469-300.075-5SOP-8(Single)TPC8104-H A Sanyo 2SJ482-600.19-5SP2SJ482A Toshiba 2SJ507-600.7-1TO-92MOD2SJ507A Toshiba 2SJ508-100 1.9-1POWER-MINI2SJ508A Toshiba 2SJ509-100 1.9-1TO-92MOD2SJ509A Toshiba 2SJ511-300.45-2POWER-MINI2SJ511A Toshiba 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2SK2312600.01745TO-220IS2SK2312A Toshiba 2SK2313600.01160TO-3P(N)2SK2313A Toshiba 2SK23141000.08527TO-220AB2SK2314A ToshibaPart V DSS R DS(ON)I D P D Package Toshiba Note Vender Number(V)(ohm)(A)(W)Replacement2SK23502000.48.5TO-220IS2SK2350A Toshiba 2SK2376600.01745TO-220FL/SM2SK2376A Toshiba 2SK23812000.85TO-220IS2SK2381A Toshiba 2SK23822000.1815TO-220IS2SK2382A Toshiba 2SK2385600.0336TO-220IS2SK2385A Toshiba 2SK2389700 1.75TO-220AB2SK2389A Toshiba 2SK23911000.08520TO-220IS2SK2391A Toshiba 2SK2398600.0345TO-3P(N)2SK2233A Toshiba 2SK23991000.235POWER MOLD2SK2399A Toshiba 2SK24001000.235TPS2SK2400A Toshiba 2SK24012000.1815TO-220FL/SM2SK2401A Toshiba 2SK24172500.57.5TO-220IS2SK2417A Toshiba 2SK2440200.0386SOP-8(Single)TPC8008A Sanyo 2SK2441200.0327SOP-8(Single)TPC8008A Sanyo 2SK2442300.0297SOP-8(Single)TPC8006-H A Sanyo 2SK2445600.01850TO-3P(N)2SK2445A Toshiba 2SK24661000.04630TO-220IS2SK2466A Toshiba 2SK2493160.15POWER MOLD2SK2493A Toshiba 2SK2507500.04625TO-220IS2SK2507A Toshiba 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Toshiba 2SK2996600110TO-220IS2SK2996A Toshiba 2SK29978008 1.5DP2SK2997A Toshiba 2SK2998500180.5TO-92MOD2SK2998A Toshiba 2SK3017900 1.258TO-3P(N)IS2SK3017A Toshiba 2SK3051600.0345TO-220FL/SM2SK2266A Toshiba 2SK306760052TO-220IS2SK3067A Toshiba 2SK30685000.5212TO-220FL/SM2SK3068A Toshiba 2SK3085600 2.2 3.5TO-220AB2SK3085A Toshiba 2SK3088900 4.33TO-220FL/SM2SK3088A Toshiba 2SK3089300.0340TO-220FL/SM2SK3089A Toshiba 2SK3090300.0245TO-220FL/SM2SK3090A Toshiba 2SK31175000.2720TO-3P(SM)2SK3117A Toshiba 2SK3125300.00760TO-3P(SM)2SK3125A Toshiba 2SK31264500.6510TO-220IS2SK3126A Toshiba 2SK3127300.01145TO-220FL/SM2SK3127A Toshiba 2SK3128300.01160TO-3P(N)2SK3128A Toshiba 2SK31762000.05230TO-3P(N)2SK3176A Toshiba BS107200260.13TO-92Siemens BS1706050.50.83TO-92Fairchild BS1706050.3TO-92Siemens BS2706020.40.625TO-92Fairchild BSO307N300.075 4.2SOP-8(Single)TPC8004A Siemens BSO615N600.15 2.6SOP-8(Single)Siemens BSO615NV600.12 3.1SOP-8(Single)Siemens BSP123100 6.000.38 1.7SOT223Siemens 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BUZ272-1000.3-1540TO-220AB2SJ380B Siemens BUZ30580017.5150TO-2182SK2607A Siemens BUZ3078003375TO-2182SK2603B Siemens BUZ3088004 2.675TO-2182SK2603B Siemens BUZ30A2000.1321125TO-220AB YTA640A Siemens BUZ312000.213.575TO-220AB YTA640A Siemens BUZ31010005 2.575TO-2182SK1359A Siemens BUZ31110006 2.375TO-2182SK1359A Siemens BUZ3121000 1.56150TO-2182SK2613A Siemens BUZ31L2000.213.575TO-220AB YTA640A Siemens BUZ322000.49.575TO-220AB YTA630A Siemens BUZ3234000.315170TO-2182SK2837A Siemens BUZ3254000.3512.5125TO-2182SK2698A Siemens BUZ3264000.510.5125TO-2182SK2841B Siemens BUZ3305000.69.5125TO-2182SK2842B Siemens BUZ3315000.88125TO-2182SK2601A Siemens BUZ3326000.88.5150TO-2182SK2699A Siemens BUZ332A6000.98150TO-2182SK2699A Siemens BUZ3335000.413.5170TO-2182SK2698A Siemens BUZ3346000.512180TO-2182SK2915A Siemens BUZ3385000.413.5TO-2182SK2698A Siemens BUZ3395000.511.5170TO-2182SK2698A Siemens BUZ3412000.0733170TO-2182SK3176A Siemens BUZ342500.0160400TO-2182SK2551A Siemens 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F4H3C30/-300.07/0.154/-3.5SOP-8(P&N)TPC8401A Shindengen F4H3N300.074SOP-8(Single)TPC8004A Shindengen F4H3ND300.074SOP-8(Dual)TPC8201A Shindengen F4H3P-300.15-3.5SOP-8(Single)Shindengen F4H3PD-300.15-3.5SOP-8(Dual)TPC8301A Shindengen F5H2ND200.045SOP-8(Dual)TPC8202A Shindengen F5H3N300.055SOP-8(Single)TPC8004A Shindengen F5H3ND300.055SOP-8(Dual)TPC8201A Shindengen F5H3P-300.09-4.5SOP-8(Single)TPC8104-H A Shindengen F7H2N200.0227SOP-8(Single)TPC8008A Shindengen F7H3P*-300.05-6.5SOP-8(Single)TPC8105-H A Shindengen F8H3N300.038SOP-8(Single)TPC8006-H A Shindengen F9H4N400.039SOP-8(Single)Shindengen FA38SA50LC5000.1338500SOT-227IRFA57SA50LC5000.0857625SOT-227IR FDC6301N2540.220.9SSOT-6(Dual)Fairchild FDC6302P-2510-0.120.9SSOT-6(Dual)Fairchild FDC6303N250.450.680.9SSOT-6(Dual)Fairchild FDC6304P-25 1.1-0.460.9SSOT-6(Dual)Fairchild FDC6306P-200.16-1.90.9SSOT-6(Dual)Fairchild FDC6320C25/-254/100.22/-0.120.9SSOT-6(P&N)Fairchild FDC6321C25/-250.045/1.10.68/-0.460.9SSOT-6(P&N)Fairchild FDC6322C25/-254/1.10.22/-0.460.9SSOT-6(P&N)Fairchild FDC633N300.042 5.2 1.6SSOT-6(Single)Fairchild FDC634P-200.08-3.5 1.6SSOT-6(Single)Fairchild FDC636P-200.13-2.8 1.6SSOT-6(Single)Fairchild FDC638P-200.05-4.5 1.6SSOT-6(Single)Fairchild FDC6506P-300.165-1.80.9SSOT-6(Dual)Fairchild FDC653N300.0355 1.6SSOT-6(Single)Fairchild FDC654P-300.075-3.6 1.6SSOT-6(Single)Fairchild FDC655AN300.027 6.3 1.6SSOT-6(Single)Fairchild FDC6561AN300.095 2.50.9SSOT-6(Dual)Fairchild FDC658P-300.05-4 1.6SSOT-6(Single)Fairchild FDG6301N2540.220.3SC70-6(Dual)Fairchild FDG6302P-2510-0.140.3SC70-6(Dual)Fairchild FDG6303N250.450.50.3SC70-6(Dual)Fairchild FDG6304P-25 1.1-0.410.3SC70-6(Dual)Fairchild FDG6320C25/-254/100.22/-0.140.3SC70-6(P&N)Fairchild FDG6321C25/-250.45/1.100.50/-0.410.3SC70-6(P&N)Fairchild FDG6322C25/-254/1.100.22/-0.410.3SC70-6(P&N)Fairchild FDN336P-200.2-1.30.5SOT-23Fairchild FDN337N300.065 2.20.5SOT-23Fairchild FDN338P-200.13-1.60.5SOT-23Fairchild FDN340P-200.07-20.5SOT-23Fairchild FDN357N300.06 2.20.5SOT-23Fairchild FDN358P-300.125-1.50.5SOT-23Fairchild FDN359AN300.044 2.70.5SOT-23Fairchild FDN360P-300.085-20.5SOT-23FairchildPart V DSS R DS(ON)I D P D Package Toshiba Note Vender Number(V)(ohm)(A)(W)ReplacementFDP4030L300.0352037.5TO-220AB2SK2844A Fairchild FDP6030L300.01355275TO-220AB2SK3127B Fairchild FDP6035AL300.01254858TO-220AB2SK3127B Fairchild FDP6035L300.0115875TO-220AB2SK3127B Fairchild FDP603AL300.0223350TO-220AB2SK2844A Fairchild FDP6670AL300.00658075TO-220AB Fairchild FDP7030BL300.0096065TO-220AB2SK3127B Fairchild FDP7030L300.007100125TO-220AB Fairchild FDP8030L300.003580187TO-220AB Fairchild FDPNDP6030300.0184675TO-220AB2SK2844A Fairchild FDR4410300.0139.3 1.8SSOT-8(Single)Fairchild FDR4420A300.00911 1.8SSOT-8(Single)Fairchild FDR8308P-200.05-3.20.8SSOT-8(Dual)Fairchild FDR835N300.0158.7 1.8SSOT-8(Single)Fairchild FDR836P-200.03-6.1 1.8SSOT-8(Single)Fairchild FDR838P-200.017-8.1 1.8SSOT-8(Single)Fairchild FDR8508P-300.052-30.8SSOT-8(Dual)Fairchild 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MOS管全参数代换大全
MOS管全参数代换大全Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)是现代电子领域中广泛使用的一种晶体管。
MOSFET具有多个参数，这些参数用于描述其性能和特性。
下面将介绍一些常见的MOSFET参数。
1. 阈值电压（Threshold voltage）: 这是MOSFET开始导通的电压。
当控制电压高于阈值电压时，MOSFET开始导通电流。
2. 饱和漏极电流（Saturation drain current）: 这是MOSFET在饱和区时的漏极电流。
饱和区是指当控制电压高于阈值电压时，MOSFET的漏极电流保持恒定的区域。
3. 转导（Transconductance）: 这是MOSFET的输出电流（漏极电流）与输入电压（栅极电压）之间的比率。
转导可以描述MOSFET的电流放大能力。
4. 输出电阻（Output resistance）: 这是MOSFET的输出电压与输出电流之间的比率。
输出电阻是用来描述MOSFET的输出特性和负载能力的。
5. 共栅电容（Gate capacitance）: 这是MOSFET的栅极电容。
由于MOSFET的栅极与通道之间存在一个绝缘层，所以栅极电容对于MOSFET的电性能和开关速度至关重要。
6. 漏极电流（Drain current）: 这是MOSFET的漏极电流。
漏极电流受到控制电压和输入信号的影响。
7. 最大漏极电流（Maximum drain current）: 这是MOSFET能够承受的最大漏极电流。
超过这个电流值，MOSFET可能会被损坏。
8. 漏极-源极电阻（Drain-source resistance）: 这是MOSFET的漏极电压与漏极电流之间的比率。
漏极-源极电阻通常很小，可以忽略不计。
9. 网络延迟（Propagation delay）: 这是MOSFET在输入信号变化到输出信号变化之间的时间延迟。
开关管代换表
07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W 5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片,全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道,N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道,8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道,N沟道MOS管各一A0D405 30V,18A,P高压板MOS管贴A0D408 30V,18A,P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V,38/27A,N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1,60V 4。
MOS管代换表
电脑主板场管代换表（MOS管代换）如无特别说明，同一条内的管子可以相互替换1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ >，可替代市面上各类型9435 APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等! 2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>，可替代市面上各类型9926 ：APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、MT9926 TM9926 、GE9926、iTM9926、MI9926、TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等!//3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>：暂无4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>，可替代市面上各类型4953 ：GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、TM4953、STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、SPP4953A、GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、AKE4953 等等! SD4953BDY替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM4953 5、SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>，可替代市面上各类型4435 ：APM4435、Si4435DY、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435 、MT4435、H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、ME4435、SPP4435、SM4435 等等! 6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ 30V>，替代各型4410：APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N STN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等！7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>，替代各型2300：APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300 SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等! 8、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>，替代各类2301 APM2301 、Si2301、CEM2301 、STS2301 、AP2301 、MT2301、IRLML6401、ST2301、ST2301A、STS2301A、SSS2301、SSS2301A、MI2301、ST2301M、ME2301、TM2301、CES2301、KI2301DY 等等! 9、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>，可替代市面上各类型2301M、2301A、2301S : APM2301A、SSS2301A、STS2301A、ST2301M 等等! 10、SD2302 SOT-23-3L <20V 3.2A 85mΩ>，可替代市面上各类型2302 : APM2302 、SSS2302 、AP2302 、STS2302 、MT2302、ST2302 等等! 11、锂电保护板MOS 管：SD8205 (SD8205G TSSOP-8；SD8205S TSOP-6 ) SD8205S TSOP-6 <4A 20V 28 mΩ>，可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205；SD8205G TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>，可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205、5N20V、9926。
电脑主板适用场效应管参数及代换
电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018mΩTO-2523353- Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩT O-2633354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ2SK3355-ZJ2SK3355-ZJTO-2633355-ZJ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，130/510ns，Ron=5.8mΩ2SK3354-S-Z2SK3354-S-ZTO-2633366-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩTO-2523367-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩTO-2523377-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩTO-2523385-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ2SK3386-Z2SK3386-ZTO-2523386-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ2SK3385-Z2SK3385-ZTO-2523900-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩTO-2633901-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩTO-2633902-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩTO-2633943-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关40V，82A，104W，29/69ns，Ron=3.5mΩTO-263738-Z N-MOSFET（耗尽型）功率场效应管30V，2A，20W，Ron=0.25ΩTO-252MTD 10N05A N通道，功率场效应管50V，10A，1.8W，Ron=0.1ΩMTD3055ATO-25210N05E 10N05E1N通道，功率场效应管50V，10A，20W，30/45ns，Ron=0.1ΩTO-25210N08E 10N08E1N通道，功率场效应管80V，10A，50W，13/45ns，Ron=0.12ΩTO-252器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型3055A N通道，功率场效应管60V，8A，1.8W，Ron=1.5ΩMTD10N05ATO-2523055A1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，Ron=1.5ΩMTD3055E-E1MTD3055E-E1TO-2523055E 3055E1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，20/65ns，Ron=0.15ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523055EL 3055EL1N通道，功率场效应管60V，12A，40W，20/638ns，Ron=0.18ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523N08L N通道，功率场效应管80V，3A，25W，Ron=0.6ΩTO-2525N05 5N05-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=0.4ΩMTD5N06MTD5N06TO-2525N06 5N06-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=0.4ΩMTD5N05MTD5N05TO-2525N08L N通道，功率场效应管60V，5A，1.75W，Ron=0.3ΩMTD3055ATO-252SUB40N06-25L N通道，场效应管60V，40A，90W，20/50ns，Ron=0.022ΩSUB45N05-20LSUB45N05-20LTO-26345N03-13L N通道，场效应管30V，45A，88W，20/70ns，Ron=0.013ΩTO-26345N05-20L N通道，场效应管50V，45A，90W，20/60ns，Ron=0.018ΩSUB40N05-25LSUB40N06-25LTO-26360N06-18N通道，场效应管60V，60A，120W，30/50ns，Ron=0.018ΩSUB70N06-14SUB70N06-14TO-26370N03-09BP N通道，场效应管30V，70A，93W，18/45ns，Ron=0.009ΩSUB70N03-09PSUB70N03-09PTO-26370N03-09P N通道，场效应管30V，70A，93W，20/60ns，Ron=0.09ΩSUB70N03-09BPSUB70N03-09BPTO-26370N04-10N通道，场效应管40V，70A，107W，30/100ns，Ron=0.01ΩTO-26370N06-14N通道，场效应管60V，70A，142W，30/60ns，Ron=0.014ΩSUB75N06-12LTO-26375N03-04N通道，场效应管30V，75A，187W，20/190ns，Ron=0.04ΩSUB85N03-04PTO-26375N03-07N通道，场效应管30V，75A，120W，30/120ns，Ron=0.007ΩSUB85N03-07PSUB85N03-07PTO-26375N04-05L N通道，场效应管`40V，75A，250W，30/260ns，Ron=0.0055ΩSUB75N05-06TO-26375N05-06N通道，场效应管50V，75A，250W，40/100ns，Ron=0.006ΩSUB75N04-05L75N06-07LTO-26375N05-07N通道，场效应管55V，75A，158W，20/160ns，Ron=0.007ΩSUB70N06-14TO-26375N08-07L N通道，场效应管60V，75A，250W，40/300ns，Ron=0.0075ΩSUB75N06-08SUB75N06-08TO-26375N06-08N通道，场效应管60V，75A，250W，40/120ns，Ron=0.008ΩTO-26375N06-12L N通道，场效应管60V，75A，142W，20/150ns，Ron=0.012ΩSUB70N06-14TO-26375N08-09L N通道，场效应管75V，75A，250W，20/200ns，Ron=0.009ΩSUB75N08-10SUB75N08-10TO-26375N08--10N通道，场效应管75V，75A，187W，40/120ns，Ron=0.01ΩSUB75N08-09LSUB75N08-09LTO-26385N02-03N通道，场效应管20V，55A，250W，30/670ns，Ron=0.003ΩSUB85N02-06TO-26385N02-06N通道，场效应管20V，85A，120W，40/120ns，Ron=0.006ΩSUB85N02-03TO-26385N03-04P N通道，场效应管30V，85A，166W，23/75ns，Ron=0.0043ΩSUB75N03-04TO-26385N03-07P N通道，场效应管30V，85A，107W，25/100ns，Ron=0.007ΩSUB75N03-07SUB75N03-07TO-26385N04-03N通道，场效应管40V，85A，250W，25/145ns，Ron=0.0035ΩSUB85N04-04SUB85N04-04TO-26385N04-04N通道，场效应管40V，85A，250W，35/115ns，Ron=0.004ΩSUB85N04-03TUB85N04-03TO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型85N06-05N通道，场效应管60V，85A，250W，25/140ns，Ron=0.0052ΩSUB85N08-08SUB85N08-08TO-26385N08-08N通道，场效应管75V，85A，250W，30/75ns，Ron=0.008ΩSUB86N06-05SUB86N05-05TO-26385N10-10N通道，场效应管100V，85A，250W，25/85ns，Ron=0.0105ΩTO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型注：中功率场效应管主要用在南桥供电，北桥供电，内存供电和AGP供电电路中。
场效应管代换
常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3PFQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460AFQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3PFQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3PFQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3PFQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3PFQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3PFQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3PFQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3PFFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02AFFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06AMBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3PISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动ICRHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管） 1200V/8A/75W/TO220RHRP15120 （快恢复二极管） 1200V/15A/TO220RHRP30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10ARHRG30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSFET） 200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D （IGBT） 1500V/40A/TO264快速IGBTFGL60N100BNTD （IGBT） 1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT） 1200V/35A/298W/100ns/TO247HGTG11N120CND （IGBT） 1200V/43A/298W/TO247HGTG18N120BND （IGBT） 1200V/54A/390W/90ns/TO247FQP5N50C （MOSFET） 500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35W FQPF5N50C （MOSFET） 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35W FQP9N50C （MOSFET） 500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75W FQPF9N50C （MOSFET） 500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75WFQP13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET） 500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35W FQA16N50 （MOSFET） 500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 （MOSFET） 500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 （MOSFET） 600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B （MOSFET） 400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B （MOSFET） 400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B （MOSFET） 500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220IRF840B （MOSFET） 500V/8A/0.85Ω/134W/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235WFQPF5N60C （MOSFET） 600V/5A/TO220FFQPF8N60C （MOSFET） 600V/8A/TO220FFQPF10N60C （MOSFET） 600V/10A/TO220FQPF12N60 （MOSFET） 600V/12A/51W/0.65Ω/TO220FFCP11N60 （MOSFET） 650V/11A/125W0.32Ω/TO220RHRD660S （快恢复二极管） 600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/75W/TO-220RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管） 60V/0.12A/SOT-23 HUF76629D3S （MOSFET） 100V/20A/110W/TO-252HUF75639S3S （MOSFET） 100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO252ISL9V3040S3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO263ISL9V5036S3S （IGBT） 360V/46A/250W/TO262FQP33N10L （MOSFET） 100V/33A/52MΩ127W/TO220。
MOS管替代大全
TO-220IS
TO-220IS
TO-220IS
TO-220IS
TO-220IS
TPS
TO-92MOD
TO-220AB
TO-3P(N)
TO-3P(N)
TO-3P(N)IS
TO-3P(L)
TO-220FL/SM
TO-3P(N)
TPS
POWER MOLD
TPS
POWER MOLD
TO-220IS
TO-3P(N)
Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba
2SK2400 2SK2401 2SK2417 2SK2440 2SK2441 2SK2442 2SK2445 2SK2466 2SK2493 2SK2507 2SK2508 2SK2542 2SK2543 2SK2544 2SK2545 2SK2549 2SK2550 2SK2551 2SK2556 2SK2557 2SK2598 2SK2599 2SK2600 2SK2601 2SK2602 2SK2603 2SK2604 2SK2605 2SK2606 2SK2607 2SK2608 2SK2610 2SK2611 2SK2613 2SK2614 2SK2615 2SK2637 2SK2661 2SK2662 2SK2679 2SK2698 Part Number
200
0.4
8.5
60
0.017
45
200
0.8
5
200
0.18
15
60
0.03
36
700
1.7
5
100
常用场效应管参数及代换
常用场效应管参数及代换场效应管是一种常用的电子器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。
场效应管的参数包括管子类型、三极管参数、特性参数等。
本文将介绍常用场效应管的参数及其代换关系。
1.场效应管的类型场效应管分为两种类型：N 沟道型（N-Channel）和 P 沟道型（P-Channel）。
N 沟道型的导电介质是负载，而 P 沟道型则是正载。
2.场效应管的三极管参数（1）漏源电流（ID）：场效应管导通时的电流。
（2）漏源电压（VD）：场效应管导通时的电压。
（3）栅极电压（VG）：用于控制场效应管导通和截止的电压。
（4）漏极电压（VDS）：场效应管导通时的漏极电压。
（5）栅源电压（VGS）：场效应管导通时的栅源电压。
3.场效应管的特性参数（1）漏源电流增益（gm）：当栅源电压变化时，漏源电流的变化率。
（2）输出电导（gds）：当栅源电压变化时，输出端漏源电流的变化率。
（3）输出电导增益（gm/gds）：输出电导与漏源电流的比值，表示场效应管的放大性能。
（4）输入电阻（Rin）：场效应管的输入端电阻，用于表示对输入信号的接受能力。
（5）输出电阻（Rout）：场效应管的输出端电阻，用于表示对输出信号的驱动能力。
（6）跨导电导增益（gm/rd）：跨导电导与输出电阻的比值，表示场效应管的放大性能。
（7）截止电压（VGSoff）：当栅源电压较低时，导通电流减小到很小的值。
4.场效应管的代换场效应管的代换常用于简化电路分析和设计。
常用的场效应管代换模型有三种：电流源代换、跨导电源代换和电阻代换。
（1）电流源代换：当场效应管工作在饱和区时，可以将电流源与场效应管并联，电流源的电流值等于场效应管漏源电流（ID），电压值等于场效应管的漏源电压（VD）。
（2）跨导电源代换：当场效应管工作在正常放大区时，可以将跨导电源与场效应管串联，跨导电源的电流值等于场效应管输电导（gm），电压值等于场效应管的栅源电压（VGS）。
（3）电阻代换：当输入电阻（Rin）和输出电阻（Rout）较大时，可以用电阻代替场效应管。
电脑主板场管代换表
电脑主板场管代换表（MOS管代换）2010-11-02 15:20:49|如无特别说明，同一条内的管子可以相互替换1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ>，可替代市面上各类型9435APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等!2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>，可替代市面上各类型9926 ：APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、MT9926TM9926 、GE9926、iTM9926、MI9926、TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等!//3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>：暂无4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>，可替代市面上各类型4953 ：GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、TM4953、STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、SPP4953A、GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、AKE4953 等等!SD4953BDY替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM49535、SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>，可替代市面上各类型4435 ：APM4435、Si4435DY、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435 、MT4435、H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、ME4435、SPP4435、SM4435 等等!6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ30V>，替代各型4410：APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410NSTN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等！7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>，替代各型2300：APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等!8、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>，替代各类2301APM2301 、Si2301、CEM2301 、STS2301 、AP2301 、MT2301、IRLML6401、ST2301、ST2301A、STS2301A、SSS2301、SSS2301A、MI2301、ST2301M、ME2301、TM2301、CES2301、KI2301DY 等等!9、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>，可替代市面上各类型2301M、2301A、2301S : APM2301A、SSS2301A、STS2301A、ST2301M 等等!10、SD2302 SOT-23-3L <20V 3.2A 85mΩ>，可替代市面上各类型2302 :APM2302 、SSS2302 、AP2302 、STS2302 、MT2302、ST2302 等等!11、锂电保护板MOS 管：SD8205 (SD8205G TSSOP-8；SD8205S TSOP-6 )SD8205S TSOP-6 <4A 20V 28 mΩ>，可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205；SD8205G TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>，可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205、5N20V、9926。
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场效应管代换常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3PFQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225ΩIRFP460AFQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3PFQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3PFQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3PFQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3PFQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3PFQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3PFQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3PFFA30U20DN （快恢复二极管）200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02AFFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN （快恢复二极管）600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06AMBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3PISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247APT30D60BRHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220IRF3710/IRF540NFQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动IC RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管） 1200V/8A/75W/TO220RHRP15120 （快恢复二极管） 1200V/15A/TO220RHRP30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10ARHRG30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSFET） 200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D （IGBT） 1500V/40A/TO264快速IGBTFGL60N100BNTD （IGBT） 1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT） 1200V/35A/298W/100ns/TO247HGTG11N120CND （IGBT） 1200V/43A/298W/TO247HGTG18N120BND （IGBT） 1200V/54A/390W/90ns/TO247FQP5N50C （MOSFET） 500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35WFQPF5N50C （MOSFET） 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35WFQP9N50C （MOSFET） 500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75WFQPF9N50C （MOSFET） 500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75WFQP13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET） 500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35WFQA16N50 （MOSFET） 500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 （MOSFET） 500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 （MOSFET） 600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B （MOSFET） 400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B （MOSFET） 400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B （MOSFET） 500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220IRF840B （MOSFET） 500V/8A/0.85Ω/134W/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235WFQPF5N60C （MOSFET） 600V/5A/TO220FFQPF8N60C （MOSFET） 600V/8A/TO220FFQPF10N60C （MOSFET） 600V/10A/TO220FQPF12N60 （MOSFET） 600V/12A/51W/0.65Ω/TO220FFCP11N60 （MOSFET） 650V/11A/125W0.32Ω/TO220RHRD660S （快恢复二极管） 600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/75W/TO-220RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管） 60V/0.12A/SOT-23 HUF76629D3S （MOSFET） 100V/20A/110W/TO-252HUF75639S3S （MOSFET） 100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO252ISL9V3040S3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO263ISL9V5036S3S （IGBT） 360V/46A/250W/TO262FQP33N10L （MOSFET） 100V/33A/52MΩ127W/TO220。
常用功率MOS管代换
常用功率MOS管代换品牌INFINEON型号09N03LA,IPS09N03L 封装TO-251极限电压25（V）极限电流50（A）沟道类型N沟道品牌INFINEON型号09N05，SPD09N05 封装TO-252极限电压55（V）极限电流9.2（A）沟道类型N沟道品牌MOT/ON型号20N03L,20N03HL 封装TO-252/TO-251极限电压20（V）极限电流30（A）沟道类型N沟道品牌MOT,ON,哈里斯型号MTP3055,MTP2955封装TO-220极限电压60（V）极限电流12（A）品牌NIKO型号P3057LD封装TO-252极限电压25（V）极限电流12（A）品牌ST型号D38NH02L,STD38NH02L 封装TO-252极限电压24（V）极限电流38（A）沟道类型N沟道品牌NIKO型号P45N02LD,P45N02LDG封装TO-252极限电压20（V）极限电流45（A）沟道类型N沟道型号50N03封装TO-252,TO-220极限电流50A（A）沟道类型N沟道品牌PHILIPS型号PHB55N03LTAS封装TO-263极限电压25（V）极限电流55（A）沟道类型N沟道品牌IR,ST,三星，MOT,东芝，哈里斯型号IRF630封装TO-220,TO-220F极限电压200V（V）极限电流9（A）沟道类型N沟道品牌MOT，IR，ST，FSC等型号IFR640封装TO-220，T0-263极限电压200V（V）极限电流18A（A）品牌FAIRCHILD型号603AL封装TO-252极限电压30（V）极限电流25（A）沟道类型N沟道品牌FAIRCHILD型号FDD6676封装TO-252极限电压30（V）极限电流78（A）沟道类型N沟道型号NTD60N02R，NTD60N02RG 封装TO-252极限电压24（V）极限电流62（A）沟道类型N沟道品牌ST型号D70N02L封装TO-252极限电压24（V）极限电流60（A）沟道类型N沟道品牌NIKO型号P70N02LDG封装TO-252极限电压25（V）极限电流70（A）沟道类型N沟道型号P75N02LD,P75N02LD 封装TO-252极限电压25（V）极限电流75（A）沟道类型N沟道品牌ST型号STP75NF75封装TO-220极限电压75（V）极限电流80（A）类型结型场效应管沟道类型N沟道型号80N02,80N02G封装TO-252极限电压24（V）极限电流80（A）沟道类型N沟道品牌ON型号85N02G,NTD85N02G封装TO-252极限电压24（V）极限电流85（A）沟道类型N沟道品牌FAIRCHILD型号FDD8896封装TO-252极限电压30（V）极限电流94（A）用途场效应管沟道类型N沟道品牌ST型号D90NH02L,STD90NH02L 封装TO-252极限电压24（V）极限电流60（A）沟道类型N沟道品牌APEC型号9918H,AP9918H 封装TO-252极限电压20（V）极限电流45（A）品牌ON/MOT型号10N10EL封装TO-252极限电压100（V）极限电流10（A）沟道类型N沟道品牌IR,MOT,PH,三星型号IRF9Z24,IRFZ24 封装TO-220极限电压60（V）极限电流17（A）类型结型场效应管品牌IR,三星型号IRF9Z34,IRFI9Z34 封装TO-220,TO-220F极限电压60（V）极限电流19（A）沟道类型P沟道品牌NEC型号2SJ132，J132 封装TO-252.TO-251 极限电压-30（V）极限电流2（A）沟道类型P沟道品牌NEC型号J128，2SJ128 封装TO-252极限电压100（V）沟道类型P沟道。
最新电脑主板适用场效应管参数及代换资料
电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018mΩTO-2523353- Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩT O-2633354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ2SK3355-ZJ2SK3355-ZJTO-2633355-ZJ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，130/510ns，Ron=5.8mΩ2SK3354-S-Z2SK3354-S-ZTO-2633366-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩTO-2523367-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩTO-2523377-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩTO-2523385-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ2SK3386-Z2SK3386-ZTO-2523386-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ2SK3385-Z2SK3385-ZTO-2523900-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩTO-2633901-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩTO-2633902-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩTO-2633943-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关40V，82A，104W，29/69ns，Ron=3.5mΩTO-263738-Z N-MOSFET（耗尽型）功率场效应管30V，2A，20W，Ron=0.25ΩTO-252MTD 10N05A N通道，功率场效应管50V，10A，1.8W，Ron=0.1ΩMTD3055ATO-25210N05E 10N05E1N通道，功率场效应管50V，10A，20W，30/45ns，Ron=0.1ΩTO-25210N08E 10N08E1N通道，功率场效应管80V，10A，50W，13/45ns，Ron=0.12ΩTO-252器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型3055A N通道，功率场效应管60V，8A，1.8W，Ron=1.5ΩMTD10N05ATO-2523055A1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，Ron=1.5ΩMTD3055E-E1MTD3055E-E1TO-2523055E 3055E1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，20/65ns，Ron=0.15ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523055EL 3055EL1N通道，功率场效应管60V，12A，40W，20/638ns，Ron=0.18ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523N08L N通道，功率场效应管80V，3A，25W，Ron=0.6ΩTO-2525N05 5N05-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=0.4ΩMTD5N06MTD5N06TO-2525N06 5N06-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=0.4ΩMTD5N05MTD5N05TO-2525N08L N通道，功率场效应管60V，5A，1.75W，Ron=0.3ΩMTD3055ATO-252SUB40N06-25L N通道，场效应管60V，40A，90W，20/50ns，Ron=0.022ΩSUB45N05-20LSUB45N05-20LTO-26345N03-13L N通道，场效应管30V，45A，88W，20/70ns，Ron=0.013ΩTO-26345N05-20L N通道，场效应管50V，45A，90W，20/60ns，Ron=0.018ΩSUB40N05-25LSUB40N06-25LTO-26360N06-18N通道，场效应管60V，60A，120W，30/50ns，Ron=0.018ΩSUB70N06-14SUB70N06-14TO-26370N03-09BP N通道，场效应管30V，70A，93W，18/45ns，Ron=0.009ΩSUB70N03-09PSUB70N03-09PTO-26370N03-09P N通道，场效应管30V，70A，93W，20/60ns，Ron=0.09ΩSUB70N03-09BPSUB70N03-09BPTO-26370N04-10N通道，场效应管40V，70A，107W，30/100ns，Ron=0.01ΩTO-26370N06-14N通道，场效应管60V，70A，142W，30/60ns，Ron=0.014ΩSUB75N06-12LTO-26375N03-04N通道，场效应管30V，75A，187W，20/190ns，Ron=0.04ΩSUB85N03-04PTO-26375N03-07N通道，场效应管30V，75A，120W，30/120ns，Ron=0.007ΩSUB85N03-07PSUB85N03-07PTO-26375N04-05L N通道，场效应管`40V，75A，250W，30/260ns，Ron=0.0055ΩSUB75N05-06TO-26375N05-06N通道，场效应管50V，75A，250W，40/100ns，Ron=0.006ΩSUB75N04-05L75N06-07LTO-26375N05-07N通道，场效应管55V，75A，158W，20/160ns，Ron=0.007ΩSUB70N06-14TO-26375N08-07L N通道，场效应管60V，75A，250W，40/300ns，Ron=0.0075ΩSUB75N06-08SUB75N06-08TO-26375N06-08N通道，场效应管60V，75A，250W，40/120ns，Ron=0.008ΩTO-26375N06-12L N通道，场效应管60V，75A，142W，20/150ns，Ron=0.012ΩSUB70N06-14TO-26375N08-09L N通道，场效应管75V，75A，250W，20/200ns，Ron=0.009ΩSUB75N08-10SUB75N08-10TO-26375N08--10N通道，场效应管75V，75A，187W，40/120ns，Ron=0.01ΩSUB75N08-09LSUB75N08-09LTO-26385N02-03N通道，场效应管20V，55A，250W，30/670ns，Ron=0.003ΩSUB85N02-06TO-26385N02-06N通道，场效应管20V，85A，120W，40/120ns，Ron=0.006ΩSUB85N02-03TO-26385N03-04P N通道，场效应管30V，85A，166W，23/75ns，Ron=0.0043ΩSUB75N03-04TO-26385N03-07P N通道，场效应管30V，85A，107W，25/100ns，Ron=0.007ΩSUB75N03-07SUB75N03-07TO-26385N04-03N通道，场效应管40V，85A，250W，25/145ns，Ron=0.0035ΩSUB85N04-04SUB85N04-04TO-26385N04-04N通道，场效应管40V，85A，250W，35/115ns，Ron=0.004ΩSUB85N04-03TUB85N04-03TO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型85N06-05N通道，场效应管60V，85A，250W，25/140ns，Ron=0.0052ΩSUB85N08-08SUB85N08-08TO-26385N08-08N通道，场效应管75V，85A，250W，30/75ns，Ron=0.008ΩSUB86N06-05SUB86N05-05TO-26385N10-10N通道，场效应管100V，85A，250W，25/85ns，Ron=0.0105ΩTO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型注：中功率场效应管主要用在南桥供电，北桥供电，内存供电和AGP供电电路中。
MOSFET管代换
603AL 30V 25A 60W N
6N60 600V 6A N
6N70 700V 6A N
6P25 250V 6A
70L02
70N06 70A 60V 125W
BUZ80A 800V 3.8A 100W N
CEB703AL 30V 40A 50W 贴片(大)
CEP7060L 60V 75A 150W N
CS45-12I01
F7811W 30V 14A 3W
FD3055 12A 60V 53W N沟道 小贴片MOS
FS10KM16 800V 10A N
FS10SM16A 800V 10A 200W N
FS10SM18 900V 10A 200W N
FS10UM12 600V 10A 150W N
FS3KM16 800V 3A 30W N
IRF634 250V 8A 75W N
IRF640 200V 18A 125W N
IRF644 250V 14A 125W N
IRF730 400V 5.5A 74W N
IRF740 400V 10A 125W N IRF830 500V 5.9A 125W N
IRF840 500V 8.0A 125W N
IRF9630 200V 6.5A 75W P
IRF9634 250V 4.3A 74W P
IRF9640 200V 11A P
IRFBC40 600V 3A 125W N
TIP30C100V 1A PNP
场效应管
07N03L 30V 80A 150W N
10N60 10A 600V