模拟电子技术 第二版 (刘波粒 刘彩霞 赵增荣 著) 国防工业出版社 课后答案

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电路与模拟电子技术(第二版)第7章习题解答

电路与模拟电子技术(第二版)第7章习题解答

第七章 基本放大电路7.1 试判断题7.1图中各电路能不能放大交流信号,并说明原因。

解: a 、b 、c 三个电路中晶体管发射结正偏,集电结反偏,故均正常工作,但b 图中集电极交流接地,故无交流输出。

d 图中晶体管集电结正偏,故晶体管不能正常工作,另外,交流输入信号交流接地。

因此a 、c 两电路能放大交流信号,b 、d 两电路不能放大交流信号。

7.2 单管共射放大电路如题7.2图所示,已知三极管的电流放大倍数50=β。

(1)估算电路的静态工作点; (2)计算三极管的输入电阻be r ;(3)画出微变等效电路,计算电压放大倍数; (4)计算电路的输入电阻和输出电阻。

解:(1)A A R U U I B BE CC B μ40104103007.01253=⨯≈⨯-=-=-CC +o -题7.2图C CC (a)题7.1图mA A I I B C 210210405036=⨯=⨯⨯==--βV I R U U C C CC CE 61021031233=⨯⨯⨯-=-=-(2)Ω=+=+=9502265030026300C Cbe I r β (3)放大电路的微变等效电路如图所示 电压放大倍数7995.03||350||-=-=-=be L C u r R R A β(4)输入电阻:Ω≈⨯==950950||10300||3be B i r R r输出电阻 Ω==k R r C 307.3 单管共射放大电路如题7.3图所示。

已知100=β (1)估算电路的静态工作点;(2)计算电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻 (3)估算最大不失真输出电压的幅值;(4)当i u 足够大时,输出电压首先出现何种失真,如何调节R B 消除失真?解:电路的直流通路如图所示,CC BQ E BEQ BQ B U I R U I R =+++)1(βAmA R R U U I EB BEQ CC BQ μβ435.010130015)1(=⨯+≈++-≈由此定出静态工作点Q 为 mA I I BQ CQ 3.4==β,V R R I U U E C C CC CEQ 3.4)5.02(3.415)(≈+⨯-=+-=(2)Ω=⨯+=9053.426100300be r 由于R E 被交流傍路,因此16690.05.1100||-=⨯-=-=be L C u r R R A βΩ≈==k r R r be B i 9.0905.0||300||+u o -CC +u o -题7.3图CCRΩ==k R R C O 2(3)由于U CEQ =4.3V ,故最大不饱和失真输出电压为 V U U CEQ 6.37.03.47.00=-=-=' 最大不截止失真输出电压近似为V R I U L CQ 4.65.13.40=⨯='⋅='' 因此,最大不失真输出电压的幅值为3.6V 。

模拟电子技术基础简明教程课后习题答案详解

模拟电子技术基础简明教程课后习题答案详解

模拟电子技术基础简明教程(第二版)课后 习题答案习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理 想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2 假设一个二极管在 50C 时的反向电流为10卩A , 试问它在20C 和80C 时的反向电流大约分别为多大?已知 温度每升高10C ,反向电流大致增加一倍。

解:在20C 时的反向电流约为:2°x 10# A= 1.25卩A在80C 时的反向电流约为:2310」A = 80」A习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:① 如在二极管两端通过 1k ?的电阻加上1.5V 的电压,如图(b),此时二极管的电流 I 和电压U 各为多少?② 如将图(b)中的1.5V 电压改为3V ,贝V 二极管的电流和电 压各为多少? 解:根据图解法求解 ①电源电压为1.5V 时1.5 二 U II 0.8A, U : 0.7V②电源电压为3V 时3二U II 2.2A, U : 0.8V可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,贝匸 极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。

1.5V 1k? (b)习题1-4 已知在下图中,U| = 10sin® t (V), R L=1k?,试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波形,并在波形图上标出幅值。

设二极管的正向压降和反向习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z、动态电阻X Z以及温度系数a u,是大一些好还是小一一些好?答:动态电阻r Z愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z愈大, 则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数a u的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版

电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版

《电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版》第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路;1.4.2 1-n ,)1(--n b ;1.4.3 不变;1.4.4 21W ,负载;1.4.5 Ω1.65A , ;1.4.6 1A 3A , ; 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=; 1.4.8 1A ;1.4.9 Ω4.0,A 5.12;1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源;1.4.11 3A ;1.4.12 3A ;1.4.13 Ω2;1.4.14 15V ,Ω5.4;1.4.15 V 6S =U 。

二、单 项 选 择 题1.4.16 C ; 1.4.17 B ; 1.4.18 D ; 1.4.19 A ;1.4.20 A ; 1.4.21 C ; 1.4.22 B ; 1.4.23 D 。

第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路,开路;2.4.2 零输入响应;2.4.3 短路,开路;2.4.4 电容电压,电感电流;2.4.5 越慢;2.4.6 换路瞬间;2.4.7 三角波;2.4.8 s 05.0,k Ω25; 2.4.9 C R R R R 3232+; 2.4.10 mA 1,V 2。

二、单 项 选 择 题2.4.11 B ; 2.4.12 D ; 2.4.13 B ;2.4.14 D ; 2.4.15 B ; 2.4.16 C 。

第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10, , ; 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ;3.4.3 容性, A 44;3.4.4 10V ,2V3.4.5 相同;3.4.6 V 30,20V ;3.4.7 A 44,W 7744;3.4.8 A 5;3.4.9 减小、不变、提高;3.4.10 F 7.87μ;3.4.11 20kVA ,12kvar -;3.4.12 不变、增加、减少;3.4.13 电阻性,电容性; 3.4.14 LC π21,阻抗,电流;3.4.15 1rad/s ,4;3.4.16 Ω10;3.4.17 P L U U =,P L 3I I =,︒-30; 3.4.18 P L 3U U =,P L I I =,超前。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。

模拟信号是连续变化的信号,可以表示任意数值;数字信号是离散变化的信号,只能表示有限的数值。

2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。

电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。

模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域;数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。

第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流,并给出它们的单位。

电压(V)是电势差,单位为伏特(V);电流(I)是电荷通过导体的速率,单位为安培(A)。

2.列举常见的电压源和电流源。

常见的电压源有电池、发电机、电源等;常见的电流源有电流表、发电机、电源等。

3.简述欧姆定律的定义和公式。

欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。

根据欧姆定律,电流等于电压与电阻之间的比值,即I=V/R,其中I为电流,V为电压,R为电阻。

第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。

电阻是指导体对电流的阻碍程度,单位为欧姆(Ω)。

2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么?给出示意图。

–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加,即R= R1 + R2 + … + Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加,再取倒数,即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。

电压分压原理指的是当在一个电阻网络中,多个电阻串联,电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。

电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。

电容是指导体上储存电荷的能力,单位为法拉(F)。

2.串联电容和并联电容的计算方法是什么?给出示意图。

–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加,再取倒数,即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn,其中C为总电容,C1、C2、…、Cn为各个电容值。

模拟电子技术基础课后答案

模拟电子技术基础课后答案
(4)在 和 时,电压增益都等于零。
答:(1)带阻(2)低通(3)高通(4)带通
6-2在下列各种情况下,应分别采用哪种类型(低通、高通、带通、带阻)的滤波电路。
(1)希望抑制50Hz交流电源的干扰;
(2)希望抑制500Hz以下的信号;
(3)有用信号频率低于500Hz;
(4)有用信号频率为500 Hz。
解:根据二极管的伏安特性
当V>>VT时 则
若锗二极管的 , ,则
若硅二极管的 , ,则
2-4两个硅二极管在室温时反向饱和电流分别为2×10-12A和2×10-15A,若定义二极管电流I=0.1mA时所需施加的电压为导通电压,试求各VD(on)。若I增加到10倍,试问VD(on)增加多少伏。
解:根据二极管的伏安特性
解(a)图中理想二极管D2导通,D1截止
V=3V I=8mA
(b)图中理想二极管D1导通,D2截止
V=1V I=4mA
2-10假定题2-10图电路中的二极管是理想的,求图中标记的电压和电流值。
解:(a)图中理想二极管D1导通,D2导通
V=0
(b)图中理想二极管截止,D2导通
2-11假定题2-11图电路中的二极管是理想的,利用戴维南定理简化电路,并求图中标记的电压和电流值。
(4)变窄。
(5)导通,截止。
(6)单向导电性。
(7)反向击穿。
习题6
6-1设运放为理想器件。在下列几种情况下,他们分别属于哪种类型的滤波电路(低通、高通、带通、带阻)?并定性画出其幅频特性。
(1)理想情况下,当 和 时的电压增益相等,且不为零;
(2)直流电压增益就是它的通带电压增益;
(3)理想情况下,当 时的电压增益就是它的通带电压增益;

电子技术(数字部分)第二版课后习题参考答案

电子技术(数字部分)第二版课后习题参考答案
& 1
& 1
& 1
& Y
B
C
1.12 用代数法化简下列各式
(1)AB BC A(
)
(2)(A B AB
(3)ABC B C( ) (5)AB AB AB AB
)
4 ABABCABAB (
)
(6)(A B
) (A B) (AB AB)()
7
(7)B ABC AC AB BC
(8)ABC ABC ABC A
8
(
1)
() (1 C B
ABCD ABD BC D ABD DC BC BD ABD C BC BD ()
ABD ABC BC BD BD DA BC CA BD BA BC BA ()
AB BC BD
(10) AC ABC BC ABC AC ABC BC ABC (A C A B C BC ABC AB AC CA CB C BC ABC)(
2-4 ) :
(l)43 (2)127 (3 ) 254.25 (4 ) 2.718
解:(1)
2 43 1 2 21 1 2 10 0
25 1 22 0 21 1
0
43=(101011)B (101 011)B=(53)O (0010 1011)B=(2B)H
(2)
2 127 1 2 63 1 2 31 1 2 15 1
10
通止止通通止止通通止 0
11
通止通止通止通止止通 1
同或 L AB AB A B
2.4 试分析图题 2.4 所示的 CMOS 电路,说明它们的逻辑功能。
解:
EN 1 EN 0 L 高阻 L A ( )a
EN=1,TN2、TP2 截止,电路不工作,L=高阻;EN=0,TN2、TP2 导通,TN1、TP1 为反相

第1章《自测题、习题》参考答案

第1章《自测题、习题》参考答案

模拟电子技术基础自测题与习题参考答案刘波粒刘彩霞主编高等教育出版社Higher Education Press目录目录第1章半导体二极管及其基本电路.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1第2章双极型晶体管及其基本放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . 6第3章场效应管及其基本放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18第4章多级放大电路与频率响应. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26第5章放大电路中的反馈. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . .40第6章功率放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . .50第7章集成运算放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . .60第8章集成运算放大电路的基本应用. . . . . . . . . . . .. . . . . . .73第9章信号发生电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . .91第10章直流电源. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . .102模拟电子技术基础 1 第1章半导体二极管及其基本电路自测题1.1填空题1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于________,而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。

(完整版)电路与模拟电子技术(第二版)殷瑞祥_习题答案_第1-4章标准版-高等教育出版社

(完整版)电路与模拟电子技术(第二版)殷瑞祥_习题答案_第1-4章标准版-高等教育出版社

1.4习械详解!-i 电珞#艮R已MHL in: *aii!feWRin(n 流P童尿胃的於*/芥深虏口套际方凯. .ijLb*■ J口丁. —¥ -9 A _ 4 * 11 ♦ L * f■: J,5 ----- ---- s-A = - I A *11 JL『峋di也f»果蛭金哈,去元丈峋击斜。

卷考方满牝度.珂丫岫淹安际L是偷、也禽■・ _________ IRi-sx v= - a v.t^ii*flit? 9EF1-> tkttb点电ttft3 V 1-3 电SUffJSK**1t« F,术-L 用点的电ft Q A<«a«Y,V^ V b- - 220 Vt自断开,血藉中岫奏为―、U--22A v,v k< %mv.1-3・0|游暗电屋L率样元陌的对率.并侵明•蛇丘惜*电・1.•琴瓦忤If或栽“也深发白貌由*黑黄戒醵枝的小拳是由乎花"幻灯片2电悠与Rlltt电孑枝娘学月曹导、习财解舀1-5 一个参定位为220 V. 10 kW的电阻炉可否接到220 V.30 kW的咆W 知果将它榛算I 220 V.5 kW的电潭上.情E乂由付?解:一个如定供为22U V.IOkW的电阳炉可以摘封220 V.30 kW的电淼上使用.畏为负裁(电昵炉)正您工什所石。

的电压、助率均未&过电源宅底•功率的敏定值;但不腹技到220 V,5 kW的电源I•.因为其鹿率强出电旃或定功率I倍.游导敢电源.烧坏ai-6 某电wae-H 1 kn.i 元件.他手边只有o 5 w的250 A.500 n.75O n,l hfl的电用多只,住样连接才旭林合81值枷功攀的要求?M:将两卜Suoa.o 3 W的电阳串联秘来叩可」区为这辑£电01僚为(500 ♦ 500» Qri kn.*足为他要求;若魄设总电压为C.«H个电阳k的电队为%时电徵的用书为品W5 5W.电点的山为扁=泻= 2X0 5 w = l W.也同时埔足餐浆.采取M地方底能角定船仙噂求但无法同时质足或木妾成》1-7也路m医所承.已知:L = 2 A,U.・10 V.分新来理想电流源和珂肥电任潭发出的功率.说朗功率平骨关系•*>P L -10X2 -20 出功率.母电*iP v= 10x2 w =20 W .ifefl®取HI功卒.是负破」P.-M产加电跟发州的玩率斗于勇裁取用的功率.电跋中功率平U N1-8电略MUi所小,有■电斥U、为?30 V.内阵为七的直道电漫•竖网快唱吼月R•的供电埃对负氧供电,求:(1)当底入酎,电潴火指柔筑栽电流k=2 A,«只电匮表指示电*电}£^«228 V;fttt 电压U\ 224 V.求R..E.和七•的皿(2)为电A*电机上= 】0A。

(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全

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第1章习题答案1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。

(1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。

(√)(2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。

(×)(3)线性电路一定是模拟电路。

(√)(4)模拟电路一定是线性电路。

(×)(5)放大器一定是线性电路。

(√)(6)线性电路一定是放大器。

(×)(7)放大器是有源的线性网络。

(√)(8)放大器的增益有可能有不同的量纲。

(√)(9)放大器的零点是指放大器输出为0。

(×)(10)放大器的增益一定是大于1的。

(×)2 填空题:(1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。

(2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。

(3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。

(4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。

(5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。

(6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。

(7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。

(8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。

(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。

(10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带f BW是250KHZ。

3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。

如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。

电路与模拟电子技术(第二版第三章习题解答教学文稿

电路与模拟电子技术(第二版第三章习题解答教学文稿

第三章 正弦交流电路3.1 两同频率的正弦电压,V t u V t u )60cos(4,)30sin(1021︒+=︒+-=ωω,求出它们的有效值和相位差。

解:将两正弦电压写成标准形式V t u )18030sin(101︒+︒+=ω V t u )9060sin(42︒+︒+=ω,其有效值为V U 07.72101==,V U 83.2242==︒=︒-︒=150,15021021ϕϕ或︒=-=∆6021ϕϕϕ3.2 已知相量21421321,,322,232A A A A A A j A j A &&&&&&&&⋅=+=++=+=,试写出它们的极坐标表示式。

解: ︒∠=⋅=⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=︒304421234301j e j A & ︒∠=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=604232142j A &3122(21)(1)45A A A j j =+=++=+=∠︒&&& 412443060169016A A A j =⋅=⨯∠︒+︒=∠︒=&&& 3.3 已知两电流 A t i A t i )45314cos(5,)30314sin(221︒+=︒+=,若21i i i +=,求i并画出相图。

解:A t i )9045314sin(52︒+︒+=,两电流的幅值相量为1230m I A =∠︒&,A I m︒∠=13552& 总电流幅值相量为)135sin 135(cos 5)30sin 30(cos 221︒+︒+︒+︒=+=j j I I I mm m &&& ︒∠=+-=++-=11285.453.480.1)2251(2253j jA t t i )112314sin(85.4)(︒+= 相量图如右图所示。

3.4 某二端元件,已知其两端的电压相量为V 120220︒∠=U &,电流相量为A I ︒∠=305&,f=50H Z ,试确定元件的种类,并确定参数值。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

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第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。

二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。

( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。

( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。

( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。

( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594T V T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V>>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。

模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章

模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章

第一章 半导体器件1.1 电路如图P1.1所示,设二极管为理想的,试判断下列情况下,电路中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端的电压AO U 。

(1)V V DD 61=,V V DD 122=;(2)V V DD 61=、V V DD 122-=;(3)V V DD 61-=、V V DD 122-=。

解:1、当V V DD 61=、V V DD 122=时,假设二极管是截止的,则V V B 6=、V V A 12=二极管承受反偏电压,所以二极管截止假设成立。

V V U DD AO 122==。

2、当V V DD 61=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的则V V B 6=、V V A 12-=二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。

V V U DD AO 61==。

3、当V V DD 61-=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的,则V V B 6-=、V V A 12-= 二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。

V V U U DD BO AO 61-===。

1.2 二极管电路如图P1.2所示,二极管的导通电压VU D 7.0)on (=,试分别求出Ω=k R 1、Ω=k R 4时,电路中的电流O I I I 、、21和输出电压O U 。

解:1、当Ω=k R 1时,假设二极管是截止的,则mA I I O 5.41192=+=-= V R I U V L O O B 5.415.4-=⨯-===V V A 3-= (V V V B A 5.1=-)由上分析可知,二极管承受正偏电压导通(假设不成立)故可得其等效电路如图P1.2b所示:根据KCL 、 KVL :⎪⎩⎪⎨⎧+-=-+=+=RI R I R I I I I LO O 222197.039 解之:mA I mAI mA I 3.56.17.3210==-=V R I U L O O 7.317.3-=⨯-==2、当Ω=k R 4时,假设二极管是截止的,则mA I I O 8.11492=+=-=VR I U V L O O B 8.118.1-=⨯-===V V A 3-= V U U B A 2.1-=-由上分析可知,二极管承受反偏电压截止(假设成立)01=I mA I I 8.102=-=V R I U L O O 8.118.1-=⨯-==3.3 设二极管为理想的,试判断P1.3所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压AO U解:(a )假设21V V 、均截止,则V V A 10=、V V B 6-=、V V O 0=, 21V V 、均承受正偏电压,但2V 管的正向偏值电压更大,故它首先导通。

模拟电子技术课后习题及答案

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模拟电子技术课后习题及答案1(总18页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P 型半导体。

( )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS 大的特点。

( )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小。

( )解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、选择正确答案填入空内。

(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。

A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S -TU U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏(5)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

解:U O1≈,U O2=0,U O3≈-,U O4≈2V,U O5≈,U O6≈-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U和O1U各O2为多少伏。

模拟电子技术-第二版答案

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模拟电子技术题库及答案一、选择题1.图Z8.2所示电路,若U I 上升,则U O (A )→U A (A )→U CE1(C )→U O (B )。

A.增大 B.不变 C.减小2.PWM 开关稳压电源,当电网电压升高时,其调节过程为U O (A )→占空比D (B )→U O (C )。

A.增大 B. 减小 C.不变3.图Z8.3所示电路装接正确的是(b )。

二、图8.1.3所示电路,写出U O 的表达式,若U Z =6,计算U O 的调节范围。

解:Z P Z P P O U R R R U R R R R R U ⎪⎪⎭⎫⎝⎛++=+++=121211 代入数据U Omin =⎪⎭⎫⎝⎛++51.0131×6V ≈17.9VU Omax =(1+3/0.51)×6V ≈41.3V该电路的输出电压调节范围为17.9V ~41.3V 。

四、将图Z8.3的元器件正确连接起来,组成一个电压可调稳压电源。

解:画出参考接线如下图红线所示。

1.图Z8.1所示电路,求⑴变压器二次电压U2=15V;⑵负载电流I L=10mA⑶流过限流电阻的电流I R=24mA;提示:I R=(U C-U O)/R⑷流过稳压二极管的电流为14mA。

2.78M12的输出电压为12V,最大输出电流为0.5A。

3.CW317三端可调集成稳压器,能够在1.2V至37V输出范围内提供1.5A的最大输出电流。

第八章习题参考答案8.1图Z8.1所示电路,若负载不变,当电网电压下降时,I R、I Z、U R、U O分别如何变化?解:图Z8.1所示电路,若负载不变,当电网电压下降时,I R↓,I Z↓↓,U R↓,U O↑。

8.2在电网电压波动范围为±10%的情况下,设计一输出电压为6V ,负载电阻范围为1k Ω至∞的桥式整流电容滤波硅稳压管并联稳压电源。

提示:U I 可按(2~3)U O 经验公式选取。

解:⑴稳压二极管选取U O =6V ,负载变化范围为1k Ω~∞,说明电源最大输出电流I Lmax =U O /R Lmin =6V/1k Ω=6mAI ZM =(2~3) I Lmax =(12~18)mA查附录表A.3,可选2CZ232型稳压二极管,参数为:U Z =6~6.5V ;I Z =10mA ;I ZM =30mA ;r Z ≤10Ω。

模拟电子技术课后答案(电子工业出版社)

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部分习题参考答案第1章1.1 (1) U Y =0.7V ;(2) U Y =0.7V 。

1.2 (1) U Y =0;(2) U Y = 4.3V ;(3) U Y =4.3V 。

1.5 输出电压的交流分量u o =3.65sin ωt (mV)。

1.6 (1) 当U I =12V 时,U O =4V ;当U I =20V 时,U O =6.67V ;当U I =35V 时, U O = 6V ;(2) 稳压管将因功耗过大而损坏。

1.7 (1) 允许输入电压的变化范围为V 15V 11i <<U ;(2) 允许负载电流的变化范围为mA 25mA 5L <<I ;(3) 输入直流电压U i 的最大允许变化范围为V 14V 11i <<U 。

第2章2.4 (a) 截止;(b) 饱和;(c) 放大;(d) 放大;(e) 饱和;(f) 截止 2.5 (1)60=β;A 406400C EO μ=-=βI ;A 65601C EOC B O μ=+=.βI I ;984061601.ββα==+=(2)Ge 管。

2.6 选用第二只管子。

∵β2=100比较适中、I CEO2=10μA 较小,使用寿命长,且温度稳定性更好。

2.8 (a ) 不能。

因为输入信号被V BB 短路。

(b ) 可能。

(c ) 不能。

图中V BB 极性接反,使NPN 管发射结反偏,不满足放大要求。

(d ) 不能。

晶体管将因发射结电压过大而损坏。

(e ) 不能。

因为输入信号被C 2短路。

(f ) 不能。

因为输出信号被C 3短路,恒为零。

2.9 S 接到位置A 时,I B 最大。

S 接到位置C 时,I B 最小。

2.10 A 放大;B 饱和;C 截止;D 截止。

2.11 β=50;α=0.98;P CM = 50mW ;I CEO =20µA ;U (BR)CEO =35V 。

2.12 50i =A 2.13 R o =10 k Ω2.16 mA 9090)1(B E .I βI =+=2.17 I E = 0.8mA ;I C =0.774 mA ;U EC =4.26V ;α=0.97;β=30。

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