世界最全面的脱硅技术工艺总汇
单晶硅全厂生产工艺有哪些
单晶硅全厂生产工艺有哪些单晶硅是目前应用非常广泛的半导体材料,用于制造集成电路、太阳能电池等产品。
单晶硅的生产工艺主要包括下列几个步骤:1. 初级生产阶段在单晶硅的生产过程中,首先需要进行初级生产阶段的工艺。
这一阶段主要包括矽矿的选矿、还原精炼和产出矽锭。
•选矿:通过选矿技术,从矿石中提取矽石,为后续工艺提供原料。
•还原精炼:将提取的矽石经过还原反应、精炼过程,制备成熔融硅。
•产出矽锭:将熔融硅注入单晶矽棒中,经过液相晶体生长(Czochralski法或Floating Zone法),得到矽锭。
2. 中间生产阶段在得到矽锭之后,需要进行中间生产阶段的工艺,包括矽片锯切、薄膜涂覆和光刻等过程。
•矽片锯切:将单晶矽锭切割成薄片,厚度通常在100至200微米之间。
•薄膜涂覆:在矽片表面涂覆一层光敏胶,为后续光刻制程做准备。
•光刻:利用光刻技术,在光敏胶上照射UV光,形成芯片的图案。
3. 后期工艺阶段最后一阶段是后期工艺阶段,主要包括离子注入、蒸发沉积和衬底去除等工艺步骤。
•离子注入:通过离子注入技术,向矽片中注入杂质原子,改变材料的电子结构。
•蒸发沉积:在矽片表面蒸发沉积材料,用于制备多层结构或特殊涂层。
•衬底去除:将矽片背面的衬底(通常为氧化硅)去除,得到单晶硅片。
通过以上的生产工艺步骤,单晶硅可以成功生产用于半导体和太阳能电池等产品的材料。
不同的工艺步骤需要精密的操作和严格的控制,以确保单晶硅的质量和性能符合要求。
在不断的工艺优化和创新下,单晶硅的生产工艺也在不断发展和完善,以满足不同领域的需求。
铝土矿脱硅工艺技术模型
铝土矿脱硅工艺技术模型【摘要】简述了氧化铝生产工艺、反浮选脱硅技术,介绍了脱硅工艺模型的设计及原理,对未来的发展进行了展望。
【关键词】铝土矿;浮选;脱硅;模型1、前言铝土矿是氧化铝工业的基本原料,我国铝土矿资源储量丰富,预计资源总储量可达近35亿吨以上。
而我国铝土矿绝大部分属于高铝、高硅、矿物成分复杂的一水硬铝石。
2、氧化铝生产工艺目前,我国氧化铝工业多采用拜耳法和烧结法的结合。
首先,用碱液与矿石中的氧化铝反应生产铝酸钠,其溶于碱溶液后成为铝酸钠溶液;其次,铝酸钠溶液通过加晶、搅拌、分解等方法,使溶液中的氧化铝以Al(OH)3状态结晶析出;第三,氢氧化铝通过焙烧获得氧化铝。
在此过程中,矿石所含的杂质及大部分硅的化合物以固体形式存在进入赤泥,而赤泥和低品位矿石则采用烧结法生成氧化铝。
由此可见,该工艺存着投资大、能耗高、工艺长等缺点。
因此,预先脱除矿石中的部分SiO2,使矿石的A/S满足拜耳法生产要求,可节约成本、提高矿石综合利用率。
3、反浮选化学脱硅技术简述由于铝土矿中硅矿物的含量远远低于一水硬铝石或三水铝石的含量,为了有效的脱去铝土矿中的SiO2,提高A/S比,满足拜耳法生产要求,依据“浮少抑多”的原则,现多采用反浮选工艺进行脱硅处理,即抑制一水硬铝石,浮选铝硅酸盐矿物。
该工艺具有以下特点:(1)由于硅酸盐矿物的硬度较低,易于研磨,可以在一水硬铝石粒度较粗的状态下进行浮选分离,这样,不仅降低了磨矿能耗,而且可以获得相对较粗的一水硬铝石精矿粒度,使得产物的水分含量明显下降;(2)浮选中的含硅上浮矿物产率较小,药剂使用量低,可降低成本,同时可避免捕收剂等进入精矿,从而减轻或避免有机物在拜耳法过程中的积累,也有利于其降低水分;(3)容易脱除含硅矿物,在一定程度上减小了氧化铝生产过程中管道上硅渣结疤的问题;(4)便于尾矿处理与综合利用。
4、脱硅实验及控制模型建立为了寻找影响铝土矿脱硅的主要因素,通过对矿物的浮选、溶出实验,同时,利用化学多元素分析等手段研究原矿的结构及性质,最后通过对铝土矿预脱硅进行机理研究,特建立脱硅体系控制模型。
铁精粉脱硅技术原理-概述说明以及解释
铁精粉脱硅技术原理-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分可以简要介绍铁精粉脱硅技术的背景和重要性。
可以从以下几个方面进行阐述:铁精粉作为一种重要的原材料在工业生产中具有广泛的应用。
然而,铁矿石中常常存在硅酸盐的形式,其中的硅元素会对铁精粉的质量产生负面影响。
因此,为了提高铁精粉的纯度和质量,在生产过程中需要采用脱硅技术。
铁精粉脱硅技术是一种通过化学反应、物理处理或者两者的结合来去除铁矿石中的硅元素的方法。
通过脱硅技术,可以有效降低铁精粉中的硅含量,提高铁精粉的质量,满足工业生产对高纯度铁精粉的需求。
铁精粉脱硅技术的发展与应用一直是冶金工业领域的热点研究领域。
随着科学技术的不断进步,人们对铁精粉脱硅技术的研究越发深入,新的脱硅方法和装备也得到了广泛应用。
这些技术的发展不仅提高了铁精粉的质量,还降低了生产成本,促进了冶金工业的可持续发展。
本文将重点探讨铁精粉脱硅技术的原理及其在铁精粉生产中的应用。
通过对其原理的解析,可以更好地理解铁精粉脱硅技术的工作机制,为相关领域的研究和实践提供有益的参考。
在文章的后续部分,我们将详细介绍不同的铁精粉脱硅技术及其优缺点,并对其未来发展进行展望。
通过本文的阐述,我们有望进一步推动铁精粉脱硅技术的研究和应用,为实现铁精粉高效、低成本的生产提供有效的解决方案。
1.2文章结构1.2 文章结构本文将分为以下几个部分进行论述。
第一部分是引言,引言部分将概述本文的主题和目的,并介绍铁精粉脱硅技术的背景和重要性。
第二部分是正文,正文将详细介绍铁精粉脱硅技术。
首先,我们将对铁精粉脱硅技术进行全面的介绍,包括其定义、应用领域以及主要的工艺流程。
其次,我们将重点探讨铁精粉脱硅技术的原理,包括其基本原理、反应机理以及常用的脱硅方法和设备。
通过对原理的深入分析,我们可以更好地理解铁精粉脱硅技术的优势和局限性。
第三部分是结论,结论部分将对本文进行总结,并展望未来对铁精粉脱硅技术的发展方向和挑战。
国内外高硅铝土矿焙烧预脱硅工艺的评述
国内外高硅铝土矿焙烧预脱硅工艺的评述高硅铝土矿是一种重要的铝矿资源,其主要成分为高岭石和脉石。
然而,高硅铝土矿中的硅含量较高,会对铝的提取造成一定的难度。
为了降低硅铝土矿中的硅含量,提高铝的提取效率,研究人员开发了焙烧预脱硅工艺。
焙烧预脱硅工艺是一种通过加热高硅铝土矿,在氧气或空气气氛下使其发生一系列热化学反应,从而实现硅的脱除的方法。
该工艺主要包括预热、焙烧和冷却三个阶段。
在预热阶段,高硅铝土矿经过加热,使其含水率降低,为后续的焙烧做准备。
在焙烧阶段,高硅铝土矿在高温下发生一系列反应,包括高岭石的分解、硅酸盐的形成和硅酸盐的分解等。
在冷却阶段,焙烧后的产物经过冷却处理,得到焙烧后的高硅铝土矿。
国内外对高硅铝土矿焙烧预脱硅工艺进行了广泛的研究和应用。
在国内,许多研究机构和企业都进行了相关的研究工作。
例如,某研究团队通过对高硅铝土矿样品进行焙烧实验,发现焙烧温度、焙烧时间和氧气流量对硅的脱除率有重要影响。
另外,某企业利用焙烧预脱硅工艺成功地实现了高硅铝土矿的硅脱除,提高了铝的提取率。
国外的研究也取得了一定的进展。
例如,某外国研究团队通过对高硅铝土矿样品进行X射线衍射分析和热失重分析,研究了焙烧温度对高硅铝土矿中高岭石的分解和硅酸盐的形成的影响。
研究结果表明,在适当的焙烧温度下,高岭石可以完全分解,硅酸盐可以形成,并且焙烧产物中的硅含量得到显著降低。
高硅铝土矿焙烧预脱硅工艺具有一定的优点和潜力。
首先,该工艺能够有效地降低高硅铝土矿中的硅含量,提高铝的提取率。
其次,焙烧预脱硅工艺相对简单,操作方便,适用于工业化生产。
此外,该工艺还可以降低对环境的污染,提高资源利用效率。
然而,高硅铝土矿焙烧预脱硅工艺还存在一些问题和挑战。
首先,焙烧温度、焙烧时间和氧气流量等操作参数的选择对工艺效果有重要影响,需要进一步的研究和优化。
其次,焙烧过程中产生的气体和固体废弃物需要进行有效的处理和利用,以减少对环境的影响。
此外,高硅铝土矿的品位和矿石性质也对焙烧工艺的效果产生影响,需要针对不同的矿石进行工艺设计和优化。
国内外多晶硅生产的主要工艺技术
国内外多晶硅生产的主要工艺技术1,改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢,氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅,然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯,提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。
国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。
2,硅烷法——硅烷热分解法硅烷是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。
然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。
以前只有日本小松掌握此技术,由于发生过严重的爆炸事故后,没有继续扩大生产。
但美国Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。
3,流化床法以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内高温高压下生成三氯氢硅,将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅,继而生成硅烷气。
制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应,生成粒状多晶硅产品。
因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大,生产效率高,电耗低与成本低,适用于大规模生产太阳能级多晶硅。
唯一的缺点是安全性差,危险性大。
其次是产品纯度不高,但基本能满足太阳能电池生产的使用。
此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。
目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。
此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。
4,太阳能级多晶硅新工艺技术除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外,还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。
1)冶金法生产太阳能级多晶硅据资料报导日本川崎制铁公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太阳能电池厂应用,现已形成800吨/年的生产能力,全量供给SHARP公司。
主要工艺是:选择纯度较好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭,去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后,进行粗粉碎与清洗,在等离子体融解炉中去除硼杂质,再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭,去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分,经粗粉碎与清洗后,在电子束融解炉中去除磷和碳杂质,直接生成太阳能级多晶硅。
冶金法提纯太阳能级多晶硅的除P除B关键技术
国内外冶金法提纯太阳能级多晶硅的关键技术1、日本Kawasaki Steel 公司(日本新日铁):以冶金级金属硅为原料,使用两段法进行提纯,第一阶段,在电磁炉中采用真空除P、定向凝固法初步除去金属杂质;第二阶段,在等离子体熔炼炉中,在氧化气氛下除B和C,熔化的硅再次定向凝固最后除去金属杂质。
在两步定向凝固过程中,金属杂质经过固/液分界面上直接偏析出来,材料纯度达到了太阳能级多晶硅的要求。
相关技术已经在国外公司使用。
2、德国Heliotronic/Wacker公司(德国瓦克):首先采用酸浸,使得硅金属中的杂质进入溶液,随后对浸出后的渣滓进行熔化,最后进行定向凝固;3、德国Bayer AG 公司:采用酸浸,然后在反应性气体(氢气、水蒸气、四氯化硅)中熔化,以除去其中的部分杂质,最后采用真空和定向凝固的方法,以实现除杂效果。
4、挪威Elkem公司:主要是将金属硅破碎后酸浸,然后加入高纯金属,采用定向凝固等方法除去硅中的杂质。
提纯后的多晶硅中的主要杂质B、P均控制在1ppm以下,并实现工业化生产。
5、国内的冶金工艺技术该方法以冶金级硅为原料,结合湿法处理、等离子和电磁感应加热等手段,以真空氧化精炼、真空蒸馏精炼、真空脱气、真空凝固精炼等真空冶金过程为主,由冶金级硅直接制备太阳能级多晶硅。
所采用的技术路线如下:冶金级硅去除部分铁、铝、钙、钛等杂质太阳能级硅锭图1.真空综合法制备太阳能级硅工艺流程图与现有的多晶硅制备技术相比,该技术具有以下特点:(1)以真空冶金新技术为主体。
我国在有色金属真空冶金领域研究特色鲜明,研究水平达到国际先进水平,所开发的真空冶金新技术和配套设备都具有自主知识产权,为新工艺的研究已积累了较丰富的研究开发经验,具备了良好的研究条件;(2)投资少。
1000吨/年生产线预计需投资约1.5亿元;(3)设备简单、安全性好。
经预处理后的精炼过程都是在真空条件下完成,所需辅助系统少,安全性也较高;(4)电耗和生产成本低。
常压连续脱硅新工艺
常压连续脱硅新工艺作者:陈浩瀚来源:《科技视界》2014年第14期【摘要】本文结合河南神火新材料有限公司生产实际,阐述了常压连续脱硅工艺技术的使用情况。
通过工艺技术的创新,神火新材料公司不但成功实现了常压连续两段脱硅,而且一次精制液的A/S指数为:250~350,二次精制液的A/S指数为:600~800.【关键词】烧结法;常压连续脱硅;水化石榴石;水合铝硅酸钠;硅量指数;经济效益0 前言在纯烧结法氧化铝生产中,传统粗液脱硅技术是采用高压或者中压脱硅,汽耗量往往在1.4t/t-Al2O3以上,粗液脱硅的能耗占烧结法氧化铝生产总能耗的17%左右。
降低粗液脱硅的汽耗,一直时氧化铝工作者的努力方向。
常压连续脱硅被众多氧化铝工作者认为是替代高压或者中压脱的一种新方法,但在国内氧化铝生产中应用并不多。
某氧化铝厂在初期设计时采用常压连续脱硅,但在试生产过程中并没有成功,不得不重新采用中压脱硅。
神火新材料公司通过不断的技术改造和创新,现已经成熟的应用了常压连续脱硅,并取得了良好的效果。
1 常压连续脱硅的技术控制条件神火新材料公司常压连续脱硅采用的技术控制条件如下:(1)一段连续脱硅溶液温度控制在95~105℃。
(2)脱硅原液的ak控制在1.43~1.50,若ak太低将造成Al2O3水解,ak过高将造成精液的分解时间过长。
(3)一段连续脱硅的脱硅时间为4~5小时。
(4)二段连续脱硅的温度控制在90~95℃。
(5)二段连续脱硅的脱硅时间为2~3小时。
2 常压连续脱硅的工艺流程二段脱硅采用向铝酸钠溶液中加入石灰乳进行脱硅,二段脱硅产生的硅渣(主要成分为水化石榴石3CaO·Al2O3·xSiO2·(6-2x)H2O)全部作为一段脱硅的晶种。
将一段脱硅2#槽内的部分料浆,经水力旋流器分离,将部分硅渣返回一脱硅1#槽,以此来提高一脱硅1#槽和2#槽的固含,增加脱硅晶种量,缩短一段脱硅时间。
在一段脱硅槽和二段脱硅槽内安装由蒸汽盘管,通过蒸汽盘管的间接加热来提高溶液的温度。
硅冶炼方法
主要的多晶硅生产工艺1、改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢(或外购氯化氢),氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅,然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯,提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。
国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。
2、硅烷法——硅烷热分解法硅烷(SiH4)是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。
然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。
以前只有日本小松掌握此技术,由于发生过严重的爆炸事故后,没有继续扩大生产。
但美国Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。
3、流化床法以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内(沸腾床)高温高压下生成三氯氢硅,将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅,继而生成硅烷气。
制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应,生成粒状多晶硅产品。
因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大,生产效率高,电耗低与成本低,适用于大规模生产太阳能级多晶硅。
唯一的缺点是安全性差,危险性大。
其次是产品纯度不高,但基本能满足太阳能电池生产的使用。
此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。
目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。
此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。
4、太阳能级多晶硅新工艺技术除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外,还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。
1)冶金法生产太阳能级多晶硅主要工艺是:选择纯度较好的工业硅(即冶金硅)进行水平区熔单向凝固成硅锭,去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后,进行粗粉碎与清洗,在等离子体融解炉中去除硼杂质,再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭,去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分,经粗粉碎与清洗后,在电子束融解炉中去除磷和碳杂质,直接生成太阳能级多晶硅。
铝土矿浮选脱硅工艺设计
铝土矿浮选脱硅工艺设计铝土矿浮选脱硅工艺设计,听起来就有点复杂对吧?别担心,今天我就带你一起走一遍,像讲故事一样,轻松有趣地聊聊这个过程。
得说,铝土矿是什么东西?它就是我们提炼铝的原料。
你可以把它想象成一个大矿石,里面有铝,当然还有很多杂七杂八的东西,像什么硅,铁,钙这些不太需要的成分。
好像拿到手的一块饼干,不小心摔了点沙子进去了,吃起来是不是有点不舒服?这时候,咱们要把这些杂物除掉,让铝土矿变得更纯净,好提取铝。
这个过程,浮选脱硅就是其中的一个关键步骤。
浮选脱硅,说简单也简单,说复杂也不复杂。
你可以把它想象成在水中游泳的过程,铝土矿和水中的一些杂质分开。
我们先把铝土矿磨成粉末,然后放到一个大池子里,加入水和一些化学药剂。
说到这,你可能会问了:“啥化学药剂?”别急,继续听我讲下去。
这些药剂就像是池塘里的“调皮鬼”,它们能把铝土矿和杂质分开,有的药剂让铝土矿变得像油一样浮在水面上,有的药剂让硅类杂质沉到底部。
浮选的目的是让我们能轻松捞起上面漂浮的铝土矿,轻松放弃下面的杂质。
就像捞鱼一样,鱼浮在水面上,杂草沉底,捞鱼的过程就变得轻松多了。
就这么简单,但也不完全简单,里面的门道还真不少。
想象一下,浮选池就像一个巨大的“洗澡盆”,铝土矿颗粒在水中漂来漂去,我们要通过不断调节水流、药剂和气泡的大小,调整“洗澡水”的温度和压力,确保每颗铝土矿都能洗得干干净净,不夹带一点点杂质。
这就要求工艺设计必须非常精细,稍微一不小心,杂质就会跟铝土矿“搅和”在一起,弄得一团乱。
就像洗衣服一样,选错了洗涤剂,反而把衣服弄脏了,这样岂不是得不偿失?除了药剂的选择,气泡也是一个关键因素。
这气泡呢,别看它看似不起眼,但实际上它在浮选过程中起到了至关重要的作用。
你想啊,气泡就像是水面上的小船,能把轻的铝土矿颗粒带到水面上。
而这些杂质,比如硅,硫化物等,它们密度大,沉得快,怎么让这些杂质离开呢?嗯,气泡的大小,气泡的数量,甚至气泡的分布,都需要严格控制。
如何提炼硅&多晶硅生产工艺
以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内(沸腾床)高温高压下生成三氯氢硅,将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅,继而生成硅烷气。
制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应,生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大,生产效率高,电耗低与成本低,适用于大规模生产太阳能级多晶硅。唯一的缺点是安全性差,危险性大。其次是产品纯度
不高,但基本能满足太阳能电池生产的使用。
此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。
4,太阳能级多晶硅新工艺技术
除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外,还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。
2.粗硅和氯气在高温条件下反应生成氯化硅:
Si(粗)+2Cl2==SiCl4
3.氯化硅和氢气在高温条件下反应得到纯净硅:
SiCl4+2H2==Si(纯)+4HCl
以上是硅的工业制法,在实验室中可以用以下方法制得较纯的硅:
1.将细砂粉(SiO2)和镁粉混合加热,制得粗硅:
SiO2+2Mg==2MgO+Si(粗)
2)气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅
据资料报导[1]以日本Tokuyama公司为代表,目前10吨试验线在运行,200吨半商业化规模生产线在2005-2006年间投入试运行。
主要工艺是:将反应器中的石墨管的温度升高到1500℃,流体
三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注入,在石墨管内壁1500℃高温处反应生成液体状硅,然后滴入底部,温度回升变成固体粒状的太阳能级多晶硅。
宝钢高炉炉前脱硅技改工程简介1
宝钢高炉炉前脱硅技改工程简介一、概况随着炼钢技术的发展和市场所需钢种质量要求的提高,炼钢铁水预处理技术不断发展起来。
宝钢采用铁水脱硅预处理技术,有利于调整公司产品结构,冶炼国内、外市场需求量不断增加的低磷、低硫、高纯度、高附加值的钢种,提高公司市场竞争力和经济效益。
1994年宝钢3号高炉开炉投产时,设计建造了一套高炉炉前脱硅系统,采用的是炉前铁沟撒入法,从投入使用实绩看,此种铁沟工艺明显不能满足脱硅生产要求,而且作业时劳动强度大,对环境易造成极大的影响。
到上世纪末,随着宝钢二炼钢的顺利投产和一炼钢三脱技术的改造,炼钢可生产更多高附加值钢种以满足市场的需要。
为此,作为铁水预处理工艺技术,需要更多的低硅铁水,必须在高炉炉前增设脱硅工艺。
通过与北京钢铁研究设计总院的合作,炼铁厂在充分论证和吸收国外先进工艺技术的基础上,重新建造新的高炉炉前脱硅工艺系统,1998年1号高炉炉前脱硅系统建成并投入使用,设计能力为50%脱硅,即年脱硅铁水量为165万吨;1999年宝钢3号高炉脱硅技改建成投产,设计为100%脱硅能力,即年脱硅铁水量为345万吨;2001年下半年,宝钢2号高炉在进一步吸收宝钢前两座高炉脱硅工艺技术的基础上,技改建成100%设计脱硅能力,即年脱硅铁水量为325万吨(2号高炉大修扩容后可达到370万吨)。
至此,宝钢高炉炉前脱硅工艺系统通过分期改造,全部建成并顺利投产,设计三座高炉年铁水脱硅处理能力共达到835万吨,完全能够满足炼钢所需低硅([SI]≤0.20%)铁水的需求。
二、脱硅工艺方案及脱硅工艺参数1.脱硅工艺方案宝钢高炉炉前脱硅工艺采用炉前喷吹法脱硅方案,脱硅设施包括脱硅站、脱硅空压机和炉前喷枪装置。
即在高炉炉前建有脱硅喷吹站,脱硅剂经罐车输送至脱硅喷吹站,经喷吹罐加压、流化后,通过喷吹管线,从脱硅喷枪喷入出铁中的摆动流咀中,脱硅剂(主要是烧结矿除尘粉,含较高的FeO)与铁水一起进入鱼雷罐中,脱硅剂与铁水中的[SI]发生剧烈反应,形成SiO2进入渣中,从而达到铁水脱[SI]的目的。
除硅的工艺技术介绍
除硅的工艺技术介绍.混凝脱硅混凝脱硅是利用某些金属的氧化物或氢氧化物对硅的吸附或凝聚来达到脱硅目的的一种物理化学方法。
这是一种非深度脱硅方法,一般的混凝+过滤可去除60%的胶体硅,混凝+澄清过滤可去除90%的胶体硅。
1镁剂脱硅在实际的水处理过程中,常将镁剂和石灰一起使用以保证脱硅效果。
镁剂脱硅的效果决定于:①PH值:镁剂脱硅的最佳PH值为10.1-10.3。
为保证PH值,有必要在处理系统中加入石灰。
石灰不仅有调节PH的功能,而且还可以除去部分二氧化硅、暂时硬度和二氧化碳等。
②混凝剂的用量:采用镁剂脱硅时,通常都加混凝剂。
适当的混凝剂可以改善氧化镁沉渣的性质,提高除硅效果。
一般所用的混凝剂为铁盐,其添加量为0.2〜0.35mmo1/1o③水温:提高水温可以加速除硅过程,并使除硅效果提高。
40C时出水中残留硅可达1mg/1以下。
④水在澄清器中的停留时间:水温为30C时,实际停留时间应>1h,40℃时约为1h,120C 时为20〜30IT1in。
⑤原水水质:原水的硬度大时对镁剂脱硅的效果有利。
原水中硅化合物含量对镁剂比耗GngMgO∕mgSiθ2τ)有影响。
镁剂比耗随原水硅化合物含量的增加而减少,随水中胶体硅所占比例的增加而增加,一般在5〜20范围内。
2铝盐脱硅决定铝盐脱除溶解硅效果的主要条件有:①温度:铝盐除硅的最适宜温度为200C0②接触时间:在铝盐与含硅水接触30min后,大多数的硅可被吸附脱除。
③PH值:最适宜的PH值范围为8〜9。
④铝盐的结晶状态和物理性质:铝盐沉淀物如果在溶液之外生成,尤其是经过干燥后,其脱硅效果将大为减弱,而铝盐的结晶状态对二氧化硅脱除效果的影响为:A1O(OH)>A12O3-3H20>Λ1(0H)SO铝盐脱除胶体硅的最佳PH范围为4.1-4.7,大约40mo1胶体硅仅需1mo1铝盐即可。
3铁盐脱硅氢氧化铁能够吸附溶解硅,一般认为其最有效的PH值为9,且无定形氢氧化铁比其晶形的吸附效果更佳。
拜耳法脱硅
第六章 铝酸钠溶液的脱硅
熟料溶出温度改变,AB、AC曲线的位置会有所不同,但仍 保持上述形状。在20~100℃温度范围内,SiO2在铝酸钠溶液中的 介稳溶解度随溶液中Al2O3浓度的增加而提高,可按以下经验公式 计算。当Al2O3浓度在50g/l以上时: [SiO2]=2+1.65n(n-1) g/l 式中n为Al2O3浓度(g/l)除以50后的数值。当Al2O3浓度在50g/l以下 时: [SiO2]=0.35+0.08n(n-1) g/l 此时 n 为 Al2O3 浓度 (g/l) 除以 10 后的数值。据此可以大致地估计溶 出时,粗液的SiO2 浓度以及碳分母液所允许的 SiO2 含量,从而可 预计脱硅过程所必须达到的最低要求,即精液硅量指数的最低值。 但是碳分母液中含有大量Na2CO3,使SiO2的介稳溶解度要比计算 值小得多,精液的硅量指数应该比计算值高,通常不应低于400。
脱硅时间 (小时) 精液SiO2含量 (克/升) 脱硅程度(%) 0 1 2 6 12 15
5.8
0
0.87
86
0.7
88.6
0.64
89.5
0.25
95.5
0.22
96
第六章 铝酸钠溶液的脱硅
3.原液Al2O3浓度
Al2 O3 而降低。但这对提高硅量指数意义不大, S = 。 SiO2
A
当Na2OK浓度一定时,SiO2浓度随着Al2O3浓度降低
第六章 铝酸钠溶液的脱硅
某厂采用的三段脱硅工艺,其实质是将两段脱硅法中 第二段的石灰分两次加入,即增加一次脱硅。其流程图如 图所示。
第六章 铝酸钠溶液的脱硅
八、影响含水铝硅酸钠析出的主要因素
1. 温度
“全三脱”工艺技术介绍20140411
南深逐渐变大。东侧为古滦 河口 , 水下古河道在潮流的
首 钢 京 唐 公 司 曹 妃 甸 工 业 区
作用下,形成潮流侵蚀槽 , 槽 宽 1—1.5km, 长 度 达 17km , 最大水深 25m ,成为渤海湾 唯一不需开挖的天然航道。
3
围海造地吹填量1.1亿m3
软地基处理打桩28万根
混凝土浇注400万m3
S P
T.O
21
典型高品质钢种的性能与洁净度要求
钢 类 超低碳钢 代表 钢种 IF钢 技术特点 同时要求降低钢中的碳 、氮和含氧量,提高产 品成型性 洁净度要求 10-6 [C]<20, [N]<20, [S]<50, T.O<20, dS<50m [C]=0.2, [Si]=1.5, [Mn]=1.5 [S]<10, [P]<80 [O]<20, [N]<50, [H]<1 性能指标
3、“全三脱”工艺推动洁净钢水平的提高
洁净钢并非特指某一类具体的钢种,而是代表实际生产过程中控制 钢水洁净度所能达到的工艺水平。因此,洁净钢不是一个钢种的概念, 而属于生产工艺范畴,反映出洁净钢具体的生产工艺和制造水平。
工艺进步与洁净度水平的提高(×10-6)
元素 C 年代 1962 1977 1991 1965 1978 1998 1965 1977 1993 1968 1978 1998 极限浓度 80 20 6 50 10 3 150 30 6 30 10 4 钢种 电工钢 深冲钢 极低碳钢 低温用钢 管线钢 压力容器钢 耐热钢,低温钢 9%Ni钢 超低温钢 高强度厚板 高碳线材 轴承钢 技术突破 采用RH/DH工艺 提高RH循环流量 提高RH界面反应速度 KR铁水脱硫 LF炉工艺优化 转炉低[S]与精炼优化 转炉大渣量脱磷 LD-AOD 多级脱磷 RH/DH VAD 采用脱磷铁水
“全三脱”工艺技术介绍20140411
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1、铁水一罐到底技术及铁水脱硫预处理
采用铁水罐一包到底技术,减 少铁水运输过程温降。 采用在铁水罐搅拌法(KR) 脱硫工艺,机械搅拌过程中加入脱 硫剂进行脱硫,然后扒渣。脱后硫 ≤ 0.002% 的比例达到 99% 以上,达 到世界先进水平。
首钢京唐公司炼钢部
当前京唐炼钢厂存在的问题和不稳定因素分析
主 • 要 • 技 • 术 • 问 题: •
工艺流程长 钢水质量不稳定 生产成本高 渣量大,能耗、铁耗高 CO2排放量大
洁净钢生产新流程
针对传统工艺流程的缺点,日本采用分段冶炼工艺,将钢水提纯任 务从炉外精炼转移到铁水预处理,解决了传统流程低碳脱磷、钢渣过氧 化和大量生成夹杂物难以去除等技术弊病。经过20年的发展完善,形成 了洁净钢制造新流程。实现了转炉大批量生产洁净钢,且降低洁净钢生 产成本。
450
800 0.9
26
550
690
21
高级电工钢 35W230
[C]<24, P1.5/50 [S+N]<30 (W/kg) [Si]2.6~2.9% 2.20 [S]<10, [N]<25
B50 (T) 1.68
22
核心技术
关键技术
转炉铁水“三脱”预处理技术 脱碳转炉高速吹炼与快速出钢 少渣溅渣护炉技术 脱碳转炉干法除尘技术 全流程高效化运行技术 铁水高效脱硫工艺 转炉铁水“三脱”预处理技术 转炉少渣冶炼工艺 转炉洁净钢生产技术 减少辅原料消耗与炼钢渣量
南深逐渐变大。东侧为古滦 河口 , 水下古河道在潮流的
首 钢 京 唐 公 司 曹 妃 甸 工 业 区
作用下,形成潮流侵蚀槽 , 槽 宽 1—1.5km, 长 度 达 17km , 最大水深 25m ,成为渤海湾 唯一不需开挖的天然航道。
常压脱硅操作规程范本
常压脱硅操作规程范本一、操作目的常压脱硅是指在常压条件下通过一系列方法将硅杂质从原料中去除的工艺。
本操作规程的目的是规范常压脱硅操作的步骤和要求,确保操作的安全性和有效性。
二、适用范围本操作规程适用于常压脱硅操作的全过程,包括设备准备、操作前的准备工作、常压脱硅的实施过程以及操作后的清理与维护工作。
三、操作步骤3.1 设备准备3.1.1 检查常压脱硅设备的完好性和安全性,确保设备无漏损、无损坏。
3.1.2 清理常压脱硅设备,并确保干净无异物。
3.1.3 检查常压脱硅设备的输送系统、泵和阀门等是否正常工作。
3.2 操作前的准备工作3.2.1 根据操作要求,准备好所需的原料和试剂。
3.2.2 检查水源和电源是否正常,并进行测试和调整。
3.2.3 确认操作人员已经接受培训,熟悉操作要求和安全注意事项。
3.3 常压脱硅的实施过程3.3.1 打开常压脱硅设备的输送系统,使原料进入常压脱硅设备。
3.3.2 控制常压脱硅设备的流量和温度,确保操作的稳定性。
3.3.3 根据操作要求添加所需的试剂,如酸、碱或络合剂等。
3.3.4 设置常压脱硅设备的操作时间,根据实际情况进行调整。
3.3.5 监测操作过程中的关键参数,如温度、压力、PH值等,及时进行调整和控制。
3.3.6 完成常压脱硅操作后,关闭设备的输送系统,并停止试剂的添加。
3.4 操作后的清理与维护工作3.4.1 关闭常压脱硅设备的泵和阀门,并排空设备中的液体。
3.4.2 清洗常压脱硅设备和管道,确保设备的清洁和无污染。
3.4.3 检查设备的密封性和连接件的完好性,及时修复和更换损坏的零件。
3.4.4 做好设备的日常维护工作,包括定期检查、保养和维修等。
四、安全注意事项4.1 操作人员要佩戴必要的个人防护装备,如安全帽、防护眼镜、防护服等。
4.2 在操作过程中要注意操作技巧和规范操作流程,防止发生事故和产生危险。
4.3 在使用试剂时要遵守相关规定,保证操作的安全性和环境的保护。
脱硅
第2章铁水预处理脱硅1、脱硅意义铁水预处理脱硅,有两种目的,一种是对硅含量比较高的铁水,为了转炉冶炼时达到渣量减少的目的,进行预处理脱硅,这种情况铁水原始的硅含量往往在0.5%以上,经过处理后硅的含量在0.2%¬0.35%左右,这样可以大大减少转炉渣量,同时化渣较好。
我国曾在20世纪50年代在鞍钢为提高平炉炼钢的冶炼技术经济指标而实行过铁水预处理脱硅。
[赵沛,炉外精炼及铁水预处理实用技术手册,冶金工业出版社,北京,2004年6月第一版,155]这种目的的铁水预处理脱硅模式现在运用已经越来越少。
另一种则是现在普遍使用的工艺,主要目的是为后续进行的铁水预处理脱磷创造良好的条件。
这种处理模式其原始硅可能较高,但也可能已经比较低如0.3%,不管怎样还是要进行处理,其硅的目标值为:0.08%¬0.10%。
因为只有在硅的含量低于0.10%的条件下,铁水预处理脱磷才能取得较好的作业指标。
经过铁水预处理脱硅后,铁水的硅含量从原始的0.35%¬0.50%左右,降低到0.08%¬0.10%的范围,再经过铁水预处理脱磷,硅含量继续下降,大约降低到0.004%¬0.006%左右的范围。
在转炉冶炼如仍主要用石灰造渣的话,化渣有一定的困难,此时需要加一些能有效化渣的矿物。
2、脱硅模式和工艺脱硅模式主要有高炉炉前预处理脱硅和铁水站预处理脱硅两种方式。
高炉炉前处理又有撇渣器前铁水沟处理和摆动溜槽处理两种方式。
高炉炉前处理有利的一面是:不需要另外投资兴建处理车间,不占用铁水停留时间,充分利用出铁过程中自然形成的铁水落差的冲击力;不利一面是:会恶化炉前操作环境,增设一些设备如喷吹设备、投料设备或多或少会给正常操作带来不利影响,脱硅率较低且不稳定。
用铁水预处理站脱硅,脱硅率较高并相对稳定,工人操作条件较好,但是这种方式需要投资,铁水停留时间增加,温降也相应增加,需要专门机械设备扒渣。
偏铝酸钠脱硅工艺
偏铝酸钠脱硅工艺是一种水处理技术,主要采用偏铝酸钠作为处理剂,通过一系列反应将水中的硅酸根物质去除。
该工艺的主要步骤如下:
1.投加偏铝酸钠。
2.调节pH值。
3.生成氢氧化铝等固液混合物。
4.通过管式膜(TMF)过滤。
该工艺具有以下特点:
•对于原水中没有钙镁硬度的水质,仅需要去除二氧化硅,使用偏铝酸钠混凝除硅工艺。
•混凝后生成的氢氧化铝等固液混合物通过管式膜直接过滤,不带入硬度离子,管式膜产水直接进入蒸发器。
•大量的工程经验表明偏铝酸钠:二氧化硅质量比在2:1的情况下,PH调整到8-9之间,可以把二氧化硅降到10mg/L以内。
世界最全面的脱硅技术工艺总汇
>・M将上下而求索・一种钻白合金脱硅的方法技术领域一种钻白合金脱硅的方法,涉及一种用高硅钻口合金为原料制备电铜、高纯钻盐的工艺的方法。
背景技术我国是一个钻资源缺乏的国家,生产所需90%左右的钻原料依赖于国外进口。
2007年3月,刚果制定限制出口政策,禁止原矿出口,只允许在当地加工成初级冶炼金属成品(钻冶炼的中间产品或钻口合金)才能出口,我国大量依黑进口钻精矿加工成钻盐的局面将会逐步扭转成进口钻冶炼中间产品或者以钻白合金来作为原料。
在刚果以含铜2^10%,含钻站8%的水钻矿为原料,采用鼓风炉还原熔炼或电炉还原熔炼等,得到含Cul0%"40%, Col0%"40%, Fe30%"60%的合金,同时为了增加金属回收率,火法还原冶炼过程中均釆用过还原技术,致使合金中的硅含量相对较高,有时高达15%,曲于合金中硅的存在,导致其耐腐性增加,加大了合金的处理难度。
开发高硅钻白合金脱硅处理工艺就显得尤其重要。
U前,采用高硅合金处理工艺主要有湖南瑞翔新材料有限公司开发的专利200610032051.8" 一种从铜钻铁合金粒中浸岀有价金属的方法”,其采用“髙温熔化-雾化制粉-选择件氧化焙烧-充分细磨-直接酸浸或氧化酸浸"的方法处理铜钻铁合金,通过熔化再选择性的氧化焙烧,使合金以二氧化硅的形式固化在合金中,解决浸出溶液中硅含量高的问题,溶液过滤性能好、铜钻回收收率较高。
但该方法能耗大、流程长、耗时多是无法解决的问题。
在其选择性氧化焙烧过程中需进一步消耗大量能源且冷却过程时间很长,经焙烧后的合金粉部分转变为尖晶石结构,造成团聚所以乂需经过笫二次磨粉。
彭国伟开发的专利200910306801. X “钻铜合金浸岀方法”,利用加入氟助剂,再利用有机酸进行浸出,浸出过程在常压下操作,温度在100°C以下,但在酸性溶液中加入氣试剂,对于设备的腐蚀、后续浸岀产生含氟废水、含氟废渣的处理难度增加。
预脱硅及高压溶出生产工艺技术
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有,即使矿石中的SiO2完全反应,溶出反应后的 SiO2也析出进入赤泥,但生成的含硅矿物的A/S并不 能保证为1。由此可见用上式计算出的理论溶出率会 因溶出条件的不同产生一定的误差。
在处理难溶出的矿石时,其中的Al2O3常常不 能充分溶出。由此可见只用溶出率并不能说明某一 种作业条件的好坏,因为矿石本身就会造成溶出率 的差别。为了消除这种矿石本身品位(A/S)不同造 成的影响,通常采用相对溶出率作为比较各种溶出 作业条件好坏的标准之一。它是实际溶出率与理论 溶出率的比值,即
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因此,铝土矿的溶出过程可分为下列几个步骤: ①、经循环母液润湿矿粒表面。 ②、OH ̄与氧化铝水合物反应生成AlO(OH) ̄。 ③、形成AlO(OH) ̄的扩散层。 ④、AlO(OH) ̄从扩散层扩散出来,OH ̄从溶液中扩散到固 相接触界面上。 对于铝土矿来说第二个步骤(化学反应和第四个步骤(扩散) 在一定条件下起主导作用,在高压和高温的条件下扩散过程 决定着溶出反应速度。 2-2-3影响溶出过程的主要因素 1、铝土矿的矿物组成及结构: 铝土矿按其矿物组成可分为三水铝石、一水软铝石及一水硬 铝石,由于其矿物组成、结晶结构不同,因而溶出难易及对 溶出条件要求各异。溶出过程的困难程度,依三水铝石→一 水软铝石→一水硬铝石顺序递增。
第五节 主要工艺条件和技术参数
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一种钴白合金脱硅的方法技术领域一种钴白合金脱硅的方法,涉及一种用高硅钴白合金为原料制备电铜、高纯钴盐的工艺的方法。
背景技术我国是一个钴资源缺乏的国家,生产所需90%左右的钴原料依赖于国外进口。
2007年3月,刚果制定限制出口政策,禁止原矿出口,只允许在当地加工成初级冶炼金属成品(钴冶炼的中间产品或钴白合金)才能出口,我国大量依靠进口钴精矿加工成钴盐的局面将会逐步扭转成进口钴冶炼中间产品或者以钴白合金来作为原料。
在刚果以含铜2~10%,含钴3~8%的水钴矿为原料,采用鼓风炉还原熔炼或电炉还原熔炼等,得到含Cu10%~40%,Co10%~40%,Fe30%~60%的合金,同时为了增加金属回收率,火法还原冶炼过程中均采用过还原技术,致使合金中的硅含量相对较高,有时高达15%,由于合金中硅的存在,导致其耐腐性增加,加大了合金的处理难度。
开发高硅钴白合金脱硅处理工艺就显得尤其重要。
目前,采用高硅合金处理工艺主要有湖南瑞翔新材料有限公司开发的专利200610032051.8”一种从铜钴铁合金粒中浸出有价金属的方法”, 其采用“高温熔化-雾化制粉-选择件氧化焙烧-充分细磨-直接酸浸或氧化酸浸”的方法处理铜钴铁合金,通过熔化再选择性的氧化焙烧,使合金以二氧化硅的形式固化在合金中,解决浸出溶液中硅含量高的问题,溶液过滤性能好、铜钴回收收率较高。
但该方法能耗大、流程长、耗时多是无法解决的问题。
在其选择性氧化焙烧过程中需进一步消耗大量能源且冷却过程时间很长,经焙烧后的合金粉部分转变为尖晶石结构,造成团聚所以又需经过第二次磨粉。
彭国伟开发的专利200910306801.X“钴铜合金浸出方法”,利用加入氟助剂,再利用有机酸进行浸出,浸出过程在常压下操作,温度在100℃以下,但在酸性溶液中加入氟试剂,对于设备的腐蚀、后续浸出产生含氟废水、含氟废渣的处理难度增加。
通过以上分析看出,由于合金中硅的存在,增加了合金的湿法处理难度,如果从合金的源头将合金中的硅脱除,合金的处理难度将大大降低,提高合金的综合利用率。
发明内容本发明目的就是针对上述已有技术存在的不足,提供一种工艺简单、有价金属铜、钴回收率高的钴白合金脱硅的方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
一种钴白合金脱硅的方法,其特征在于其脱硅过程的步骤依次包括:(1)将钴白合金熔化;(2)加入脱硅剂反应;(3)再加入造渣剂造渣,(4)将造渣从熔体中分离;(5)将分离渣后的熔体雾化成合金粉末,用于回收钴铜镍。
本发明的一种钴白合金脱硅的方法,其特征在于所述的步骤(1)的合金熔化过程采用感应电炉,或其它熔炼电炉,熔化温度为1350-1500℃。
本发明的一种钴白合金脱硅的方法,其特征在于所述的步骤(2)是在常压下,向熔体加入的脱硅剂,使硅与脱硅剂反应生成二氧化硅,脱硅剂为氧化钴、氧化铁、氧化铜、钴酸锂等氧化剂其中的一种或多种组合,加入量为硅的0.4~1.0倍理论需氧量,反应时间10~20min。
其反应原理是利用高温下硅还原性强于钴、铜、铁等金属氧化物的性质,加入金属氧化物使其与熔体中的金属硅反应生成二氧化硅和对应的金属,其反应方程如下:2MeO+Si(液)=Me(液)+SiO2(Me为Ni、Cu、Fe等)2Me2O3+3Si(液)=4Me(液)+3SiO2(Me为Co、Fe等)本发明的一种钴白合金脱硅的方法,其特征在于所述的步骤(3)加入造渣剂与二氧化硅造渣,造渣剂是氧化钙、氧化镁其中的一种或组合,加入量为产生的二氧化硅1.1~1.5倍理论量,反应时间为10~20min。
其反应原理利用碱金属和碱土金属氧化物与二氧化硅形成硅酸盐,硅以SiO32-形式入渣漂浮在金属熔体表面,从而达到脱硅的目的。
其方程式为:SiO2+CaO=CaO·SiO2SiO2+MgO =MgO·SiO2本发明的一种钴白合金脱硅的方法,其特征在于脱硅过程进行一次或多次步骤(2)和(3)重复操作,至合金中的硅除到合格的要求。
本发明的一种钴白合金脱硅的方法,其特征在于所述的步骤(4)是将脱硅后的合金熔体,采用高压水喷射,使熔体雾化的同时冷却成固体粉末;雾化后的固体物料通过固液分离,液体通过冷却后返回作为雾化用水。
本发明的一种钴白合金脱硅的方法,其特征在于所述的步骤(4)的雾化后粉料直接在常压下进行氧化浸出,浸出合金中的有价金属,再进行萃取-电积回收铜、中和除铁、P204萃取除杂、P507提纯回收钴、镍的工艺。
浸出:采用有机酸作为浸出剂,氯酸钠作氧化剂,控制浸出终点pH1.0左右,温度85℃,镍、钴、铜的浸出率均在99%以上。
铜萃取-电积:采用lix984作为萃取剂,磺化煤油为稀释剂,进行逆流萃取,萃取二级,洗涤二级,反萃二级,反萃液为电解铜后液,得到的反萃后液作为电解铜的原液。
中和除铁:采用碳酸钙作中和剂,中和温度50℃,时间3小时,后液pH值为4.0。
P204萃取除杂:采用逆流萃取,萃取8级,洗涤5级,反萃5级,反萃铁2级。
P507提纯钴:采用逆流萃取,萃取10级,洗涤10级,反萃5级,反萃铁2级。
湿法处理脱硅后的合金总的有价金属回收率:钴大于97%,铜大于97%。
本发明的一种钴白合金脱硅的方法,造渣剂易于得到,价格便宜;脱硅剂可以是废氧化钴、废氧化铜、废钴酸锂、粗制氢氧化高钴等,有利于原料的综合回收;脱硅后的合金直接进行雾化制粉,有利于湿法处理回收;脱硅后的合金,由于含硅小于3%,后续处理容易,操作简便,金属回收率高。
附图说明图1为本发明方法的工艺流程图。
具体实施方式一种钴白合金脱硅的方法,其工艺过程为采用高硅的钴白合金为原料,通过高温熔化,在加入脱硅剂和造渣剂的作用下使合金中的硅以二氧化硅和硅酸盐的形式浮在表面捞渣脱除,再将合金采用雾化方式,雾化成合金粉末,合金粉末采用常规的湿法工艺处理回收有价金属。
该方法的步骤如下:1、将合金在中频炉中升温熔化,熔化温度为1350-1500℃,根据不同合金的熔点,熔化温度比合金的熔点高50-100℃。
2、加入适量的脱硅剂和造渣剂,使合金熔体中的硅成二氧化硅漂浮在熔体的表面,同时与造渣剂反应生成硅酸盐,从熔体表面捞出。
3、重复步骤1、2的操作,直至合金中硅小于3%。
4、脱硅合格捞完渣的合金熔体慢慢由中频炉中倒出,并用高压喷射水使熔体雾化成细小的粉末,再通过固-液分离,得到含有少量水的固体粉末,液体通过冷却后返回作为雾化用水。
5、固体粉末在常压下进行氧化浸出,再进行萃取-电积回收铜、中和除铁、P204萃取除杂、P507提纯回收钴。
实施例1合金其成分为Co 34.97%、Fe 36.38%、Cu 15.90%、Si 6%,采用2kg中频炉进行试验,坩埚为氧化铝刚玉坩埚,合金加入量为1kg,熔炼温度1480℃,脱硅剂为废的氧化钴(Co含量为69%),一次加入量为200g,造渣剂为氧化钙,一次加入量为100g,反应时间15min,捞渣1次,雾化得合金粉1070g(干计),合金成分为Co45.42%,Cu 14.86%,Fe 33%,Si 1.18%;直接采用硫酸浸出,控制pH值1.0左右,温度60℃,同时加入氧化剂氯酸钠控制矿浆电位为400mv,铜、钴的浸出率分别为99.2%,99.6%。
实施例2合金其成分为Co 36.87%、Fe 33.45%、Cu 13.45%、Si 12.15%,采用1000kg 中频炉进行脱硅,坩埚为特制坩埚,合金加入量为600kg,熔炼温度1400℃,脱硅剂为废的氧化铁(铁含量为64%),一次加入量为70kg,造渣剂为氧化钙,一次加入量为60g,反应时间15min,捞渣1次,重复进行脱硅处理3次,共计加入氧化铁210kg,氧化钙180kg,雾化得合金粉630kg(干计),合金成分为Co35.01%,Cu 12.50%,Fe 40.18%,Si 2.01%,脱硅工序钴、铜的回收率分别为99.70%,97.58%,硅的脱出率为82.63%。
取2kg合金粉直接采用硫酸浸出,控制pH 1.0左右,温度90℃,同时加入氧化剂氯酸钠控制矿浆电位为450mv,铜、钴的浸出率分别为99.2%,99.6%,铁的浸出率为1.6%,溶液采用30%lix984萃取两级,同时加入液碱控制萃余液pH为1.5左右,铜的萃取率为99.18%,萃余液采用碳酸钙做中和剂中和除铁,控制其pH 4.0,溶液含铁仅为0.013g/L,再采用10%P204萃取10级,洗涤4级,反萃4级,反铁2级,P204萃余液再经P507萃取提纯,湿法处理合金粉钴的回收率为97.42%,铜的总回收率为97.89%。
实施例3某合金其成分为Co 28.87%、Fe 40.45%、Cu 18.45%、Si 10.16%,采用1000kg 中频炉进行脱硅,坩埚为特制坩埚,合金加入量为600kg,熔炼温度1350℃,脱硅剂为废的钴酸锂(钴含量为60%),一次加入量为70kg,造渣剂为氧化镁,一次加入量为50g,反应时间15min,捞渣1次,重复进行脱硅处理3次,共计加入钴酸锂210kg,氧化镁150kg,雾化得合金粉660kg(干计),合金成分为Co35.34%,Cu 16.71%,Fe 35.48%,Si 0.58%,脱硅率为93.72%。
取合金粉直接采用硫酸浸出,控制pH值1.0左右,温度90℃,同时加入氧化剂氯酸钠控制矿浆电位为450mv,铜、钴的浸出率分别为99.6%,99.5%,铁的浸出率为1.4%,溶液采用30%lix984萃取两级,同时加入液碱控制萃余液pH为1.0左右,铜的萃取率为98.13%,萃余液采用碳酸钙做中和剂中和除铁,控制其pH 4.0,溶液含铁仅为0.01g/L,再采用10%P204萃取10级,洗涤4级,反萃4级,反铁2级,P204萃余液再经P507萃取提纯,湿法处理合金粉钴的回收率为97.08%,铜的总回收率为97.24%。
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