三极管放大电路习题
半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:c2.当晶体管工作于饱和状态时,其_________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案:b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案:b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案:c6.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案:a7.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案:a8.温度升高,晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案:a9.温度升高,晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案:b10.对 PNP 型晶体管来说,当其工作于放大状态时,_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案:c11.温度升高,晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案:b12.温度升高,晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案:a12.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案:c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案:a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时,下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案:c16.对于电压放大器来说,越小,电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案:b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ,则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案:b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ,则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案:c19在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案:b20在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案:a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案:c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案:c25. 既能放大电压,也能放大电流的是 _________ 放大电路。
晶体三极管及放大电路练习题
晶体三极管及放大电路练习题一、填空题1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即______区、______区和______区。
当三极管工作在______区时,关系式IC=βIB才成立;当三极管工作在______区时,IC=0;当三极管工作在______区时,UCE≈0。
2、NPN型三极管处于放大状态时,三个电极中电位最高的是______,______极电位最低。
3、晶体三极管有两个PN结,即________和________,在放大电路中________必须正偏,________反偏.4、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而________,穿透电流ICEO随温度升高而________,β值随温度升高而________。
5、硅三极管发射结的死区电压约为________V,锗三极管发射结的死区电压约为________V,晶体三极管处在正常放大状态时,硅三极管发射结的导通电压约为________V,锗三极管发射结的导通电压约为________V。
6、输入电压为20mV,输出电压为2V,放大电路的电压增益为________.7、多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越_________。
8当半导体三极管的正向偏置,反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即极电流能控制极电流。
9、(2-1,低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为, , 三种.10、(2-1,低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
11、(2—1,中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时,与之间的关系。
12、(2—1,低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
13、(2—1,中)为了保证不失真放大,放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路,如果静态工作点太低,将会产生失真,应调R B,使其,则I B,这样可克服失真。
14、(2-1,低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
三极管_试题
三极管_试题低频功率放大电路一、填空题1、以功率三极管为核心构成的放大器称功率放大器。
它不但输出一定的电压还能输出一定的电流,也就是向负载提供一定的功率。
2、功率放大器简称功放。
对它的要求与低频放大电路不同,主要是:输出功率尽可能大、_效率____尽可能高、非线性失真尽可能小,还要考虑功放管的散热问题。
3、功放管可能工作的状态有三种:甲类放大状态,它的失真小、效率低;乙类它的失真大、效率高。
4、功率放大电路功率放大管的动态范围大,电流、电压变化幅度大,工作状态有可能超越输出特性曲线的放大区,进入截至区或饱和区,产生交越失真。
5、所谓“互补”放大器,就是利用NPN 型管和NP型管交替工作来实现放大。
6、OTL电路和OCL电路属于甲乙类工作状态的功率放大电路。
7、为了能使功率放大电路输出足够大的功率,一般晶体三极管应工作在极限状态。
8、当推挽功率放大电路两只晶体管的基极电流为零时,因晶体三极管的输入特性线性,故在两管交替工作时产生交越失真。
9、对于乙类互补称功放,当输入信号为正半周时, NPN型管导通, PNP 型管截止;当输入信号为负半周时, PNP 型管导通, NPN 型管截止;输入信号为零(Ui=0)时,两管截至,输出为 0 。
10、乙类互补对称功放的两功率管处于偏置工作状态,由于电压的在存在,当输入信号在正负半周交替过程中造成两功率管同时截至 ,引起交界处的失真,称为交越失真。
11、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有:甲类功放、乙类功放和甲乙类功放电路。
12、甲乙类推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路图向功放管提代少量电流,以减少交越失真。
13、乙类互补对称功放允许输出的最大功率Pom= Ucem Icm 21、。
总的管耗Pc= 0.4Pom(P E -P O ) 。
14、为了避免输出变压器给功放电路带来的不便和失真,出现了 OTL 功放电路;为了避免输出电容引出的失真,又出现了 OCL 功放电路。
半导体三极管及其放大电路练习及标准答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:c2.当晶体管工作于饱和状态时,其_________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案:b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案:b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案:c6.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案:a7.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案:a8.温度升高,晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案:a9.温度升高,晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案:b10.对 PNP 型晶体管来说,当其工作于放大状态时,_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案:c11.温度升高,晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案:b12.温度升高,晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案:a12.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案:c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案:a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时,下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案:c16.对于电压放大器来说,越小,电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案:b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ,则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案:b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ,则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案:c19在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案:b20在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案:a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案:c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案:c25. 既能放大电压,也能放大电流的是 _________ 放大电路。
三极管放大电路试题
三极管放大电路试题1. 下列说法正确的是( )放大器的输入电阻越小越好(正确答案)放大器的输入电阻越大越好放大器的输出电阻和输人电阻相等放大器的输出电阻越大越好2. 有些放大电路在发射极电阻旁并上个电容Ce,则Ce的作用是()A.稳定静态工作点B.交流旁路,减少信号在Re上的损失(正确答案)C.改善输出波形D.减小信号失真3.在固定偏置放大电路中,若静态工作点比较高,则输入信号较大时,电路将首先出现()失真。
A.交越失真B.双重失真C.截止失真D饱和失真(正确答案)4. 分压式偏置电路与固定式偏置电路相比较,能够()A.确保电路工作在放大区B.提高电压放大倍数C.提高输入电阻D.稳定静态工作点(正确答案)5. 在分压式偏置电路中若将下偏置电阻阻值减小,电路中的静态工作点()A.ICQ增大B.VCEQ增大(正确答案)C.VCEQ减小D.VCEQ、ICQ不变6. 多级放大器的上、下限截止频率变化情况是()A.上限频率变大B.下限频率变大(正确答案)C.下限频率变小D.上限频率不变7. 多级放大器中具有阻抗变换功能的耦合方式是()A.阻容耦合B.变压器耦合(正确答案)C.直接耦合D.光电耦合8. 已知Ai=1000,则Gi=()A.30dBB.90dBC.40dBD.60 dB(正确答案)9. 放大器的输出电路Ro越小,则()A.带负载能力越强(正确答案)B.带负载能力越弱C.放大倍数越低D.通频带越宽10. 在晶体管放大电路中,若电路的静态工作点太低,将会产生()A.饱和失真B.截止失真(正确答案)C.交越失真D.不产生失真11. 放大电路在未输人交流信号时,电路所处于工作状态是()A.静态(正确答案)B.动态C.放大状态D.截止状态12. 放大器的通频带指的是()A.上限频率以下的频率范围B.下限频率以上的频率范围C.下限频率以下的频率范围D.上下限频率之间的频率范围(正确答案)一个多级放大器由两个相同的放大器组成,已知每级的通频带为15KHZ,放大器总通频带为()A.15KHZB.30KHZC.大于15KHZD.小于15KHZ(正确答案)14. 放大器的功率增益定义式为()A.AP=Po/PIB.GP=20LgAPC.GP=20Lg(Po/PI)D.GP=10LgAP(正确答案)15. 在分压式偏置放大电路中,当三极管的β值增大时,电路中的静态工作点()A.IBQ增大B.IBQ减小(正确答案)C.VBEQ增大D.IEQ减小16.两级放大器的放大倍数AV1=30,AV2=50,输人信号有效值Vi=1mV,输出端信号有效值应为()A.80mVB.1.5V(正确答案)C.0.15VD.150V17.某三极管的极限参数为VBR=25V,ICM=13mA,PCM=130mW,在以下工作条件哪个是允许的?()A.Ic=12mA,VCE=10V(正确答案)B.Ic=20mA,VCE=10VC.Ic=120mA,VCE=3VD.Ic=40mA.VCE=50V18. 画交流通路时()A.把电容视为开路,电源视为短路B.把电源和电容都视为开路C.把电容视为短路,电源视为开路D.把电源和电容都视为短路(正确答案)19. 放大器设置合适的静态工作点,以保证晶体管放大信号时,始终工作在()A.饱和区B.截止区C.放大区(正确答案)D.击穿区20. 在基本放大电路中,描述放静态工作点的参数正确的是()A.Ib,Ic,VceB.IB,IC,VCE(正确答案)C.iB,iC,VCED.ib,ic.,vce21. 在放大电路中,交直流电压电流用()表示。
晶体三极管及放大电路练习题
11、(2-1,中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V一定时,晶体三极管及放大电路练习题CE与之间的关系。
填空题一、12、(2-1,低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,区。
当三1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即______区、______区和______还需输入信号。
13、(2-1,中)为了保证不失真放大,放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的;______区时,关系式IC=IC=0______区时,βIB才成立;当三极管工作在极管工作在基本共射放大电路,如果静态工作点太低,将会产生失真,应调R,使B0。
______当三极管工作在区时,UCE≈其,则I ,这样可克服失真。
B14、(2-1,低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
极电位最______、2NPN型三极管处于放大状态时,三个电极中电位最高的是,______15、(2-1,低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的低。
较大变化。
必须正________________PN3、晶体三极管有两个结,即________和,在放大电路中16、(2-1,低)共射组态既有放大作用,又有放大作用。
17、(2-1,中)共基组态中,三极管的基极为公共端,极为输入端,极偏,________反偏。
为输出端。
随温度升4、晶体三极管反向饱和电流,穿透电流ICEO________ICBO随温度升高而18、(2-1,难)某三极管3个电极电位分别为V=1V,V=1.7V,V=1.2V。
可判定该三极管CEB是工作于区的型的三极管。
高而________。
,β值随温度升高而________19、(2-1,难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V,②2.8 V,③5V,,锗三极管发射结的死区电压约为________V5、硅三极管发射结的死区电压约为试判断:a.①脚是,②脚是,③脚是(e, b,c);,晶体三极管处在正常放大状态时,硅三极管发射结的导通电压约为________Vb.管型是(NPN,PNP);。
三极管放大电路题集
三极管放大电路,反相器题集1,放大电路如图所示,已知三极管的BE V =0.7V ,β=50,be r =1K Ω (1)计算静态工作点Q (2)计算源电压放大倍数sov v 、 输入电阻、输出电阻。
2,在图所示的放大电路中,已知V V CC 12=,V V BE 6.0=,Ω=k R B 201,Ω=k R B 102,Ω=501E R ,Ω=k R E 32,Ω==k R R L C 4,40=β,试求:(1)估算电路的静态工作点(2)电压放大倍数、输入电阻、输出电阻 (3)若不计1E R ,再求电压放大倍数、输入电阻3,在图所示电路中,12CC =U V ,20B1=R k Ω,10B2=R k Ω,2C =R k Ω,200E1=R Ω,8.1E2=R k Ω,200s =R Ω,3L =R k Ω,晶体管的6.0BE =V V ,50=β,信号源电压10s =V mV 。
试求:(1)静态值I B 、I C 、V CE 。
(2)输入电阻r i 和输出电阻r o 。
(3)求输出电压V o 的值。
4,题图所示电路中,已知V CC =6 V ,V EE =6 V ,R C =2 k Ω,R E =1 k Ω,v s + v o - CCU BEQ =0.7 V ,β=50,静态时V C =0。
(1)(6分)求I BQ 、I CQ 和U CEQ ;(2)(2分)求R ; (3)(2分)画出交流通路。
5,电路和各元件的参数如题所示,β=50,U BE 忽略不计。
(1)画出直流通路,求静态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ ;(4分) (2)画出交流通路,求输入电阻r i 、输出电阻r o ;(4分) (3)求电压放大倍数A V ;(1分) (4)若u i =20sin(100 t +20°) mV ,试写出u o 的表达式。
(1分)6,如图所示电路,已知三极管V 1的V BE =0.6V ,V CES =0.4V ,β=50,试求(1)电路能否正常工作及Vo 的值;(8分)(2)在输入为8V 时要使三极管饱和,R 1应如何选取?7,如题83图所示电路中,三极管的U BE =0.7V ,U CES =0.3V ,二极管为理想二极管。
三极管及放大电路测试题
、三极管及放大电路测试卷一、选择正确答案填入空内,只需填入A 、B 、C 、D1.已知图示电路中晶体管的100β,k 1be r ,在输入电压为有效值等于10mV 的1kHz 正弦信号时,估计输出电压有效值为____过____。
( A .0.5V , B .1V , C .2V , D .5V )。
+V CC C 2C 1R b 300k 2k(+12V)10F10F 2kR L R c u iu o???2.放大电路如图所示,已知硅三极管的50,则该电路中三极管的工作状态为()。
3.放大电路如图所示,已知三极管的05,则该电路中三极管的工作状态为()。
??4.放大电路A 、B 的放大倍数相同,但输入电阻、输出电阻不同,用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大,在负载开路条件下测得A 的输出电压小,这说明A 的()。
A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小答: B答:BA. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定答: CA. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定答: B5.关于三极管反向击穿电压的关系,下列正确的是()。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(D. CBOBR CEO BR EBO BR U U U )()()(答: B6.在三极管放大电路中,下列等式不正确的是()。
A.C BEI I I B. ?BC I βI C. CEO CBOI I )1( D.答: C7.图示电路中,欲增大U CEQ ,可以()。
A. 增大RcB. 增大R LC. 增大R B1D. 增大???8、射极输出电路如图所示,分析在下列情况中L R 对输出电压幅度的影响,选择:2(1).保持i U 不变,将L R 减小一半,这时o U 将____;(2).保持s U 不变,将L R 减小一半,这时o U 将____。
三极管放大电路习题课
作业:作业1.已知单管共射极电压放大电路如图所示,U CC =12V , R B =390KΩ,R C =2KΩ,R L =2KΩ,β=80,U BEQ =0.7V 。
试估算:① 放大电路的静态工作点Q ;② 晶体管的r be ;③ 电路的电压放大倍数A u ;④ 输入电阻R i 和输出电阻R o ;⑤ 画出微变等效电路。
作业2.同相比例电路如图所示,已知Ω=K R 31,若电压放大倍数等于7试求:①该反馈电阻的f R 的值;②该电路的反馈系数F ;③该电路的平衡电阻2R 的值。
习题课:1. 已知单管电压放大电路如图所示,U CC=12V,R B=300KΩ,R C=3 KΩ,R L=3KΩ,β=50,U BEQ=0.7V。
试估算:①放大电路的静态工作点Q;②晶体管的r be;③电路的电压放大倍数A u;④输入电阻R i和输出电阻R o;⑤画出微变等效电路。
2.如图所示,已知R B1=20KΩ,R B2=10 KΩ,R E =1.5 KΩ,R C =2 KΩ,R L =2 KΩ,U CC =12V ,β=50,U BEQ =0.7V 。
试求:①画出直流通路;②放大电路的静态工作点Q ; ③晶体管的r be ;④电路的电压放大倍数A u ; ⑤输入电阻R i 和输出电阻R o 。
3.同相比例电路如图所示,已知Ω=K R 31,若电压放大倍数等于5。
试求:①该反馈电阻的f R 的值;②该电路的反馈系数F ;③该电路的平衡电阻2R 的值。
4.反相比例电路如图所示,已知R1=10KΩ,R f =20KΩ。
试求:①该电路的电压放大倍数;②该电路的输入电阻r id的值;③该电路的平衡电阻R2的值。
7.反馈的判断u iu o。
(完整版)第三章习题解答
第三章双极型三极管基本放大电路3-1 选择填空1.晶体管工作在放大区时,具有如下特点______________。
a. 发射结正偏,集电结反偏。
b. 发射结反偏,集电结正偏。
c. 发射结正偏,集电结正偏。
d. 发射结反偏,集电结反偏。
2.晶体管工作在饱和区时,具有如下特点______________。
a. 发射结正偏,集电结反偏。
b. 发射结反偏,集电结正偏。
c. 发射结正偏,集电结正偏。
d. 发射结反偏,集电结反偏。
3.在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中,电压放大倍数小于1的是______组态。
a. 共射b. 共集c. 共基d. 不确定4.对于题3-1图所示放大电路中,当用直流电压表测得U CE ≈V CC 时,有可能是因为______,测得U CE ≈0时,有可能是因为________。
题3-1图ccR La.R B 开路b. R C 开路c. R B 短路d. R B 过小5.对于题3-1图所示放大电路中,当V CC =12V ,R C =2k Ω,集电极电流I C 计算值为1mA 。
用直流电压表测时U CE =8V ,这说明______。
a.电路工作正常b. 三极管工作不正常c. 电容C i 短路d. 电容C o 短路 6.对于题3-1图所示放大电路中,若其他电路参数不变,仅当R B 增大时,U CEQ 将______;若仅当R C 减小时,U CEQ 将______;若仅当R L 增大时,U CEQ 将______;若仅更换一个β较小的三极管时,U CEQ 将______;a.增大b. 减小 c . 不变 d. 不确定 7.对于题3-1图所示放大电路中,输入电压u i 为余弦信号,若输入耦合电容C i 短路,则该电路______。
a.正常放大b. 出现饱和失真c. 出现截止失真d. 不确定 8. 对于NPN 组成的基本共射放大电路,若产生饱和失真,则输出电压_______失真;若产生截止失真,则输出电压_______失真。
三极管放大电路习题
三极管放大电路一、在括号内用“”或“×”表明下列说法是否正确。
(1)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()(2)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(3)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()(4)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(5)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()(6)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
()解:(1)√(2)×(3)×(4)√(5)×(6)×二、试分析图所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图解:(a)不能。
因为输入信号被V B B短路。
(b)可能。
(c)不能。
因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。
(d)不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
(e)不能。
因为输入信号被C2短路。
(f)不能。
因为输出信号被V C C短路,恒为零。
(g)可能。
(h)不合理。
因为G-S间电压将大于零。
(i)不能。
因为T截止。
三、在图所示电路中, 已知V C C =12V ,晶体管的=100,'b R =100k Ω。
填空:要求先填文字表达式后填得数。
(1)当iU =0V 时,测得U B E Q =,若要基极电流I B Q =20μA , 则'b R 和R W 之和R b =≈ k Ω;而若测得U C EQ =6V ,则R c = ≈ k Ω。
(2)若测得输入电压有效值i U =5mV 时,输出电压有效值'o U =, 则电压放大倍数uA = ≈ 。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ,则带上负载图 后输出电压有效值o U = = V 。
解:(1)3 )( 565 )(BQ CEQ CC BQ BEQ CC ,;,I U V I U V β-- 。
第三章三极管基本放大电路练习题
第三章 三极管基本放大电路练习题一、选择题(1)当晶体管工作于饱和状态时,其( )A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结反偏,集电结正偏C.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结反偏(2)测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为( )A.60B. 40C.70(3)温度升高,晶体管输入特性曲线( )A.右移B.左移C.不变(4)温度升高,晶体管输出特性曲线( )A.上移B.下移C.不变(5)温度升高,晶体管输出特性曲线间隔( )A.不变B.减小C.增大(6)在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是( )失真。
A.饱和B.截止C.饱和和截止(7)失真的主要原因是( )A.输入电阻太小B.静态工作点偏低C.静态工作点偏高(8)在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是放大电路( )A.共射极B.共集电极C.共基极(9)与空载相比, 接上负载后,放大电路的动态范围一定_______A.不变B.变大C. 变小(10)如图所示放大电路中,已知I1>>I BQ,U BQ>>U BEQ,则当温度升高时,( )。
A.I CQ基本不变 B.I CQ减小 C. I CQ增大 D.U CEQ 增大10题图(11)使用万用表直流电压档,测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图所示,从而可判断出该晶体管工作在( )A.饱和状态B.放大状态C.截止状态D.倒置状态11题图(12)工作在放大区的某三极管,当IB从20μA增大到40μA时,IC 从1mA变成2mA。
它的β约为__________。
A.50B.100C.200二、 简答题(1)试判断题图所示的各电路能否放大交流电压信号?为什么?1题图(2)2题图中,已知U BE=0.6V,β=50。
(1)欲使三极管截止,R B=?(2)若R B=300kΩ,欲使三极管饱和,R C=?(3)R B=300kΩ,R C=3.9kΩ时,三极管处于何种状态?2题图三、计算题(1)晶体管放大电路如题图1所示,已知V CC = 12 V,R B =500 kΩ,R C = 5kΩ,R L =5kΩ,β=50。
放大电路计算题
放大电路计算题 练习题3一、计算分析题(每题1分)1. 图示硅三极管放大电路中,V CC =30V ,R C =10kΏ,R E =2.4 kΏ,R B =1MΏ,β=80,BEQ U =0.7V Ω=200'bb r ,各电容对交流的容抗近似为零,试:(1)求静态工作点参数I BQ ,,I CQ 、U CEQ 。
(2)若输入幅度为0。
1V 的正弦波,求输出电压u o1、u o2的幅值,并指出u o1、u o2与u i 的相位关系;(3)求输入电阻R i 和输出电阻R o1、R o2.图号3226解:(1)Ak k VV R R U V I E B BE CC BQ μβ5.244.28110007.030)1(=Ω⨯+Ω-=++-=mA A I I BQ CQ 96.15.2480=⨯==μβV k k mA V R R I V U E C CQ CC CEQ 7.5)4.210(96.130)(=Ω+Ω⨯-=+-≈(2) Ω≈⨯+Ω=++=k mAmVI U r r E T bb be 3.196.12681200)1(Q 'β 当从u o1输出时,放大电路为共射组态,故输出电压u o1与输入电压u i 反相,且1.44.2813.11080)1(11-=Ω⨯+ΩΩ⨯-=++-==k k k R r R u u A E be C i o u ββV V A U U u im om 41.01.41.011=⨯=⨯=[][]Ω≈Ω⨯+ΩΩ=++=k k k M R r R R E be B i 6414.2813.1//1)1(//βΩ=≈k R R C o 101当从u o2输出时,放大电路为共集组态,故输出电压u o2与输入电压u i 同相,且99.04.2813.14.281)1()1(122≈Ω⨯+ΩΩ⨯=+++==k k k R r R u u A E be E o u ββ 或 12≈u A VV A U U u im om 099.099.01.022=⨯=⨯=Ω≈ΩΩ=+=16813.1//4.21//2k k r R R be E o β 输入电阻不变,为164k Ω计算的最后结果数字:I CQ =1.96mA , I BQ =24。
2三极管及放大电路测试题解读
mV (sin 96. 5k Ω
4. 15104
. 1510k Ω3. 3
mV (sin 20k Ω4. 15104
. 1510
(
be B be B S be
B be B s be
t t r R r R R r R r R u u ωω≈+⨯+⨯+⨯=+++=
A (sin 26. 4sin k Ω
R L 3k Ω
三、填空题:
1、在下图所示的硅三极管放大电路中,虚线表示短路故障,×表示断路故障。当用电压表测量图中各故障电路的集电极对地静态电压C U时,电压读数分别约为:
①__________V,②__________V,③__________V,④__________V。
C 12V
C +15V
o ≈+=R R R A U u
(3)(b)负载能力强。
2、为使电路中的锗晶体管工作在临界饱和状态(V
3. 0CE
-=U),c R应为多
大?为了增大饱和深度,c R应增大还是减小?
270k Ω
R b-12V
3、放大电路和示波器测得输出电压u O的波形如图所示,试问该放大电路产生了什么失真(饱和、截止)?为消除失真应采取什么措施?
12、图中三极管为硅管,β=100,试求电路中I B、I C、U CE的值,判断三极管工
作在什么状态。
13、图中三极管为硅管,β=100,试求电路中I B、I C、U CE的值,判断三极管工
作在什么状态。
14、三极管放大电路如图所示,已知电容量足够大,CC V =12V,三极管的
BEQ
U
=0.6V,β=50,Ω
半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a发射结正偏,集电结正偏b发射结反偏,集电结反偏c发射结正偏,集电结反偏答案:c2.当晶体管工作于饱和状态时,其_________a发射结正偏,集电结正偏b发射结反偏,集电结反偏c发射结正偏,集电结反偏答案:a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a0.1Vb0.5Vc0.7V答案:b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a0.1Vb0.3Vc0.5V答案:b5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。
则该管的β为_____a40b50 c60答案:c6.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能_________a越好b越差c无变化答案:a7.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能_________a高b低c一样答案:a8.温度升高,晶体管的电流放大系数________a增大b减小c不变答案:a9.温度升高,晶体管的管压降|UBE|_________a升高b降低c不变答案:b10.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,_________极的电位最低。
a发射极b基极c集电极答案:c11.温度升高,晶体管输入特性曲线_________a右移b左移c不变答案:b12.温度升高,晶体管输出特性曲线_________a上移b下移c不变答案:a12.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔_________a不变b减小c增大答案:c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a两者无关b有关c无法判断答案:a15.当晶体管的集电极电流Icm>Ic时,下列说法正确的是________a晶体管一定被烧毁b晶体管的PC=PCMc晶体管的β一定减小答案:c16.对于电压放大器来说,越小,电路的带负载能力越强________a输入电阻b输出c电压放大倍数答案:b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为_________aNPN型锗管bPNP型锗管cPNP型硅管答案:b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V,则该管_________a处于饱和状态b放大状态c截止状态d已损坏答案:c19在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位_________a同相b反相c相差90度答案:b20在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是_________失真a饱和b截止c饱和和截止答案:a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a输入电阻太小b静态工作点偏低c静态工作点偏高答案:c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a输出功率b静态工作点c交流参数答案:c25.既能放大电压,也能放大电流的是_________放大电路。
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三极管放大电路一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
(1)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()(2)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(3)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()(4)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(5)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()(6)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
()解:(1)√(2)×(3)×(4)√(5)×(6)×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2解:(a)不能。
因为输入信号被V B B短路。
(b)可能。
(c)不能。
因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。
(d)不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
(e)不能。
因为输入信号被C2短路。
(f)不能。
因为输出信号被V C C短路,恒为零。
(g)可能。
(h)不合理。
因为G-S间电压将大于零。
(i)不能。
因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中, 已知V CC =12V ,晶体管的β=100,'b R =100k Ω。
填空:要求先填文字表达式后填得数。
(1)当iU =0V 时,测得U BE Q =0.7V ,若要基极电流I BQ =20μA , 则'b R 和R W 之和R b = ≈ k Ω;而若测得U CE Q =6V ,则R c = ≈ k Ω。
(2)若测得输入电压有效值i U =5m V 时,输出电压有效值'o U =0.6V , 则电压放大倍数uA = ≈ 。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ,则带上负载图T 2.3 后输出电压有效值o U = = V 。
解:(1)3 )( 565 )(BQ CEQ CC BQ BEQ CC ,;,I U V I U V β-- 。
(2)0.3 120 'o LC L i o U R R R U U ⋅-+;- 。
四、已知图T2.3所示电路中V C C =12V ,R C =3k Ω,静态管压降U CE Q =6V ;并在输出端加负载电阻R L ,其阻值为3k Ω。
选择一个合适的答案填入空内。
(1)该电路的最大不失真输出电压有效值U o m ≈ ; A.2VB.3VC.6V(2)当iU =1m V 时,若在不失真的条件下,减小R W ,则输出电压的幅值将 ;A.减小B.不变C.增大(3)在iU =1m V 时,将R w 调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大输入电压,则输出电压波形将 ;A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波 (4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将 。
A.R W 减小B.R c 减小C.V CC 减小解:(1)A (2)C (3)B (4)B五、现有直接耦合基本放大电路如下:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路它们的电路分别如图2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、2.7.2和2.7.9(a)所示;设图中R e<R b,且I CQ、I D Q均相等。
选择正确答案填入空内,只需填A、B、……(1)输入电阻最小的电路是,最大的是;(2)输出电阻最小的电路是;(3)有电压放大作用的电路是;(4)有电流放大作用的电路是;(5)高频特性最好的电路是;(6)输入电压与输出电压同相的电路是;反相的电路是。
解:(1)C,D E (2)B (3)A C D(4)A B D E (5)C (6)B C E, A D六、未画完的场效应管放大电路如图T2.6所示,试将合适的场效应管接入电路,使之能够正常放大。
要求给出两种方案。
解:根据电路接法,可分别采用耗尽型N沟道和P沟道MOS管,如解图T2.6所示。
图T2.6解图T2.6习题2.1按要求填写下表。
解:答案如表所示。
2.2分别改正图P2.2所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图P2.2解:(a)将-V C C改为+V C C。
(b)在+V C C与基极之间加R b。
(c)将V BB反接,且在输入端串联一个电阻。
(d)在V BB支路加R b,在-V CC与集电极之间加R c。
2.3 画出图P2.3所示各电路的直流通路和交流通路。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
图P2.3解:将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路,图略。
图P2.3所示各电路的交流通路如解图P2.3所示;解图P2.32.4 电路如图P2.4(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时U BE Q =0.7V。
利用图解法分别求出R L=∞和R L=3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压U o m(有效值)。
图P2.4解:空载时:I B Q=20μA,I CQ=2m A,U CE Q=6V;最大不失真输出电压峰值约为5.3V,有效值约为3.75V。
带载时:I B Q=20μA,I CQ=2m A,U CE Q=3V;最大不失真输出电压峰值约为 2.3V,有效值约为 1.63V。
如解图P2.4所示。
解图P2.42.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80,r b e =1k Ω,iU =20m V ;静态时U BE Q =0.7V ,U CE Q =4V ,I B Q =20μA 。
判断下列结论是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。
图P2.5(1)200102043-=⨯-=-uA ( ) (2)71.57.04-≈-=uA ( ) (3)4001580-=⨯-=u A ( ) (4)20015.280-=⨯-=uA ( ) (5)Ω=Ω=k 1k )2020(i R ( ) (6) Ω=Ω=k 35k )02.07.0(i R ( )(7)Ω≈k 3i R ( ) (8)Ω≈k 1i R ( )(9)Ω≈k 5o R ( ) (10)Ω≈k 5.2o R ( )(11)s U ≈20m V ( ) (12)sU ≈60m V ( )解:(1)× (2)× (3)× (4)√ (5)× (6)× (7)× (8)√ (9)√ (10)× (11)× (12)√2.6 电路如图P 2.6所示,已知晶体管β=50,在下列情况下,用直流电压表测晶体管的集电极电位,应分别为多少?设V C C =12V ,晶体管饱和管压降U CE S =0.5V 。
(1)正常情况 (2)R b 1短路 (3)R b 1开路(4)R b 2开路 (5)R C 短路图P2.6解:设U BE =0.7V 。
则 (1) 基极静态电流V4.6mA022.0c C CC C b1BE b2BECC B ≈-=≈--=R I V U R U R U V I(2)由于U BE =0V ,T 截止,U C =12V 。
(3)临界饱和基极电流 mA 045.0 cCESCC BS ≈-=R U V I β实际基极电流 mA 22.0 b2BECC B ≈-=R U V I由于I B >I B S ,故T 饱和,U C =U CE S =0.5V 。
(4)T 截止,U C =12V 。
(5)由于集电极直接接直流电源,U C =V CC =12V2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80,'bb r =100Ω。
分别计算R L =∞和R L =3k Ω时的Q 点、uA 、R i 和R o 。
图P2.7解 2.7 在空载和带负载情况下,电路的静态电流、r b e 均相等,它们分别为Ω≈++=≈=≈--=k 3.1mV 26)1(mA76.1 Aμ 22EQbb'be BQ CQ BEQbBEQCC BQ I r r I I RUR UV I ββ空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为Ω==-≈⋅+≈Ω≈≈=-≈-=≈-=k 593k 3.1308 V 2.6 c o bes be be be b i bec c CQ CC CEQ R R A r R r A r r R R r R A R I V U uusu∥βR L =5k Ω时,静态管压降、电压放大倍数分别为47115 V3.2)(bes be be'L L c CQ Lc L CEQ -≈⋅+≈-≈-=≈-+=uusuA r R r A r R A R R I R R R U β∥Ω==Ω≈≈=k 5k 3.1c o be be b i R R r r R R ∥2.8 在图P 2.7所示电路中,由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图P2.8(a )、(b )、(c )所示,试说明电路分别产生了什么失真,如何消除。
图P2.8解:(a )饱和失真,增大R b ,减小R c 。
(b )截止失真,减小R b 。
(c )同时出现饱和失真和截止失真,应增大V CC 。
2.9 若由PN P 型管组成的共射电路中,输出电压波形如图P2.8(a )、(b )、(c )所示,则分别产生了什么失真?解:(a )截止失真;(b )饱和失真;(c )同时出现饱和失真和截止失真。
2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的β =100,r b e =1k Ω。
(1)现已测得静态管压降U CE Q =6V ,估算R b 约为多少千欧;(2)若测得iU 和o U 的有效值分别为1m V 和100m V ,则负载电阻R L 为多少千欧?图P2.10解:(1)求解R bΩ≈-====-=k 565μA 20mA2BQBEQCC b CQBQ cCEQCC CQ I U V R I I R U V I β(2)求解R L :Ω==+Ω=-=-=-=k 5.1 111k 1 100L Lc'Lbe 'L i o R R R R r R A U U A u u β2.11 在图P2.10所示电路中,设静态时I CQ =2m A ,晶体管饱和管压降U CE S =0.6V 。
试问:当负载电阻R L =∞和R L =3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏?解:由于I C Q =2m A ,所以U CE Q =V CC -I C Q R c =6V 。
空载时,输入信号增大到一定幅值,电路首先出现饱和失真。
故 V 82.32CESCEQ om ≈-=U U UΩ=k 3L R 时,当输入信号增大到一定幅值,电路首先出现截止失真。
故V 12.22'LCQ om ≈=R I U2.12在图P2.10所示电路中,设某一参数变化时其余参数不变,在表中填入①增大②减小或③基本不变。