第三章_三极管放大电路基础习题解答
半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
《电工电子学》第3章习题答案
第3章习题答案3.2.1 选择题1．晶体管能够放大的外部条件是___C______。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏2．当晶体管工作于饱和状态时，其__A_______。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。
则该管的为___C______。
(a) 40 (b) 50 (c) 604．反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能___A______。
(a) 越好 (b) 越差 (c) 无变化5．温度升高，晶体管的电流放大系数b___A______。
(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变6．温度升高，晶体管的管压降|UBE|__B_______。
(a) 升高 (b) 降低 (c) 不变7．对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，__C______极的电位最低。
(a) 发射极 (b) 基极 (c) 集电极8．温度升高，晶体管输入特性曲线____B____。
(a) 右移 (b) 左移 (c) 不变9．温度升高，晶体管输出特性曲线___A_____。
(a) 上移 (b) 下移 (c) 不变10．温度升高，晶体管输出特性曲线间隔___C_____。
(a) 不变 (b) 减小 (c) 增大11．晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流iC___B_____。
(a) 不变化 (b) 有一定变化 (c) 无法判断12.当晶体管的集电极电流时，下列说法正确的是__C_____。
(a) 晶体管一定被烧毁 (b) 晶体管的 (c) 晶体管的一定减小13．对于电压放大器来说，___B____越小，电路的带负载能力越强。
(a) 输入电阻 (b) 输出电阻 (c) 电压放大倍数14．在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位___B____。
基本放大电路习题解答
第2章自测题、习题解答自测题2一、在括号内用“”或“X”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5 ）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（1 ）X （2）V （3）X （4）X （5）V （6）X （7）X试分析图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
解：（a ） 不能。
因为输入信号被直流电源U BB 短路。
（b ） 可能。
（c ） 不能。
因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载（叠加）在静 态电压之上，必然失真。
（d ） 不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e ） 不能。
因为输入信号被C 2短路。
（f ） 不能。
因为输出信号被U CC 短路，恒为零。
（g ） 可能。
（h ） 可能。
（i ） 不能。
因为T 截止。
已知U cc = 12V ,晶体管的=100 , R b = 100k Q 。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
（1）当U j = 0V 时，测得U BEQ =，若要基极电流I BQ = 20 A ,则R b 和R W 之和R b = ____ k Q; 而右测得 U CEQ = 6V ,贝~ ____________________________ k Qo （2）若测得输入电压 有效值U i =5mV 时，输出电压(d> to m(g!1 (h) (0图 T2- 2在图T2 — 3所示电路中,有效值U ° =, 则电压放大倍数 A = __________________ 沁 ____ 。
电子电路基础习题册参考答案-第三章
2、串联负反馈都是电流负反馈，并联负反馈都是电压反馈。
（错）3、将负反馈放大器的输出端短路，则反馈信号也随之消失。
（错）4、在瞬时极性法判断中，+表示对地电压为正，—表示对地电压为负。
（错）5、在串联反馈中，反馈信号在输入端是以电压形式出现，在并联反馈中，反馈信号在输入端是以电流形式出现。
（对）三、选择题1、反馈放大短路的含义是（C ）。
A．输入与输出之间有信号通路 B.电路中存在反向传输的信号通路C．除放大电路外，还有反向传输的信号通路2.图3-1-1所示为某负反馈放大电路的一部分，Re1引入（C ），Re2引入（B ）。
A．交流反馈B．直流反馈C．交直流反馈3、判断是串联反馈还是并联反馈的方法是（C ）。
A．输出端短路法B．瞬时极性法C．输入端短路法4、将放反馈放大器的输出端短路，若反馈信号仍存在则属（B ）。
A．电压负反馈B．电流负反馈C．串联负反馈D．并联负反馈5．电路如图3-1-2a所示，反馈类型为（D ）。
A．电压并联直流负反馈B．电压并联交直流负反馈C．电流串联交直流负反馈D．电流并联交直流负反馈6、电路如图3-1-2b所示，反馈类型为（C ）。
A．电流串联负反馈B．电压并联正反馈C．电压串联负反馈D．电流并联正反馈四、简答题1、什么是正反馈？什么是负反馈？主要用途是什么？略2、图3-1-3所示电路中，所引入的分别是直流单奎还是交流反馈？是正反馈还是负反馈？3、图2-1-4所示电路中，在不增加电路元件的情况下，如何改变接线方式，可达到稳定静态工作点，减小失真的目的？4、在图3-1-5所示各电路中，指出哪些是反馈元件？判断个电路的反馈类型（如系多级放大器，只判断级间反馈类型）。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
§3-2负反馈对放大器性能影响一、填空题1、放大器引入负反馈使得放大器的放大倍数下降，放大倍数的稳定性提高，非线性失真减小，同频带展宽，改变了放大器的输入输出电阻。
《电工学-电子技术B》习题解答
《电子技术》习题与解答第二章：半导体二极管和三极管、第三章：基本放大电路一、单项选择题*1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）A 、正、反向电阻相等B 、正向电阻大，反向电阻小C 、反向电阻比正向电阻大很多倍D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2．电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V ，当U i =3V 时，则U 0的值( D )。
A 、不能确定B 、等于0C 、等于5VD 、等于3V**3．半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。
A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个5．晶体管的主要特性是具有（ D ）。
A 、单向导电性B 、滤波作用C 、稳压作用D 、电流放大作用 *6．稳压管的稳压性能是利用PN 结的（ D ）。
A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性8．对放大电路进行动态分析的主要任务是（ C ） A 、确定静态工作点QB 、确定集电结和发射结的偏置电压C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r 0D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r o *9．射极输出器电路如题9图所示，C 1、C 2足够大，对输入的交流信号u 可视作短路。
则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。
A 、两者反相，输出电压大于输入电压B 、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压C 、两者相位差90°，且大小相等D 、两者同相，输出电压大于输入电压 *11．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时，电压放大倍数将( B )A 、减少B 、增大C 、保持不变D 、大小不变，符号改变 13．在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是( A )。
题2图题9图A 、正确的B 、不正确的C 、耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。
第三章半导体三极管及放大电路基础2
T VBE IB IC
温度与Q点 动画五 温度每升高1 °C ， 要增加0.5%1.0%
温度T 输出特性曲线族间距增大
3.5.2 射极偏置电路
1. 稳定工作点原理
目标：温度变化时，使IC维持恒定。 如果温度变化时，b点电位能基 本不变，则可实现静态工作点的稳 定。
.
.
.
be
3.6.1 共 集电极电 路
2. 复合管
作用：提高电流放大系数，增大电阻rbe
复合管也称为达林顿管
3.6.2 共基极电路
1. 静态工作点 直流通路与射极 偏置电路相同
VB Rb2 VCC Rb1 Rb2
VB VBE IC IE Re
VCE VCC IC Rc IE Re VCC IC ( Rc Re )
得
VCC VBE IB Rb (1 ) Re
VCE VCC I E Re VCC I C Re
3.6.1 共 集电极电 路
1. 电路分析
②电压增益
26( mV ) rbe 200 (1 ) I EQ ( mA )
其中
Vi I b rbe ( I b I b ) RL I b rbe I b (1 ) RL V ( I I ) R I (1 ) R
VB VBE IC IE Re
VCE VCC I C ( Rc Re ) I IB C
3.5.2 射 极偏置电 路
3. 固定偏流电路与射极偏置电路的比较
Ib Ic I b Rc
RL VO
Vii v
Rb
电子技术学习指导与习题解答：第3章 多级放大电路
第3章 多级放大电路3.1 如图 3.7所示为两级阻容耦合放大电路，已知12CC =U V ，20B1B1='=R R k Ω，10B2B2='=R R k Ω，2C2C1==R R k Ω，2E2E1==R R k Ω，2L =R k Ω，5021==ββ，6.0BE2BE1==U U V 。
（1）求前、后级放大电路的静态值。
（2）画出微变等效电路。
（3）求各级电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。
u s+u o -CC图3.7 习题3.1的图分析 两级放大电路都是共发射极的分压式偏置放大电路，各级电路的静态值可分别计算，动态分析时需注意第一级的负载电阻就是第二级的输入电阻，即i2L1r R =。
解 （1）各级电路静态值的计算采用估算法。
第一级：412102010CC B2B1B2B1=⨯+=+=U R R R U （V ）7.126.04E1BE1B1E1C1=-=-=≈R U U I I （mA ）0.034507.11C1B1===βI I （mA ）2.5)22(7.112)(E1C1C1CC CE1=+⨯-=+-=R R I U U （V ） 第二级：412102010CC B2B1B2B2=⨯+='+''=U R R R U （V ）7.126.04E2BE2B2E2C2=-=-=≈R U U I I （mA ）电子技术学习指导与习题解答46 0.034507.12C2B2===βI I （mA ） 2.5)22(7.112)(E2C2C2CC CE2=+⨯-=+-=R R I U U （V ）（2）微变等效电路如图3.8所示。
R U +-图3.8 习题3.1解答用图（3）求各级电路的电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。
三极管V 1的动态输入电阻为：10807.126)501(30026)1(300E11be1=⨯++=++=I r β(Ω) 三极管V 2的动态输入电阻为：10807.126)501(30026)1(300E22be2=⨯++=++=I r β(Ω) 第二级输入电阻为：93.008.1//10//20////be2B2B1i2==''=r R R r （k Ω） 第一级等效负载电阻为：63.093.0//2//i2C1L1==='r R R （k Ω） 第二级等效负载电阻为：12//2//L C2L2==='R R R （k Ω） 第一级电压放大倍数为：3008.163.050be1L11u1-=⨯-='-=r R A β 第二级电压放大倍数为：5008.1150be2L22u2-=⨯-='-=r R A β 两级总电压放大倍数为：1500)50()30(u2u1u =-⨯-==A A A3.2 在 如图 3.9所示的两级阻容耦合放大电路中，已知12CC =U V ，30B1=R k Ω，20B2=R k Ω，4E1C1==R R k Ω，130B3=R k Ω，3E2=R k Ω，5.1L =R k Ω，5021==ββ，8.0BE2BE1==U U V 。
第三章 双极性三极管及其放大电路基础
一、双极型三极管BJT
BJT放大的条件和电流分配关系
放大的条件： 发射结正向偏置；集电结反向偏置。 电流分配关系：
I C I B I E I B IC (1 ) I B
这是贯穿模拟电子电路分析的两个最重要的概念
无量纲 电导
三、放大电路的分析方法
小信号模型分析法（等效电路法）
1、晶体管的h参数等效模型（交流等效模型） 交流等效模型（按式子画模型）
U be h11 I b h12U CE I C h21 I b h22U CE
三、放大电路的分析方法
小信号模型分析法（等效电路法）
2、h参数的物理意义
放大的概念与放大电路的性能指标
1、放大的概念
放大的对象：变化量 放大的本质：能量的控制
判断电路能否放 大的基本出发点
放大的特征：功率放大
放大的基本要求：不失真
二、基本共射极放大电路
放大的概念与放大电路的性能指标
2、性能指标
任何放大电路均可看成为两端口网络。
输出电流 输入电流
信号源 内阻
信号源
二、基本共射极放大电路
基本共射放大电路的组成及各元件的作用
动态信号作用时：
uI ib ic iRc uCE (uo )
输入电压 uI为零时，晶体管各 极的电流、b-e间电压、管压降， 称为静态工作点Q。记作IBQ、 ICQ（IEQ）、 UBEQ、 UCEQ。 基本共射放大电路
IC 1 100 I B 0.01
IC 5 50 I B 0.1
一、双极型三极管BJT
讨论
放大电路基础
第三章放大电路基础练习题一、填空1.单级双极型三极管放大电路中，输出电压与输入电压反相的为共极电路，输出电压与输入电压同相的有共极电路、共极电路。
2.已知某放大电路的∣Au∣=100，∣Ai∣=100，则电压增益为dB，电流增益为dB，功率增益为dB。
3.差动放大电路中，差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比，称为，理想差动放大电路中其值为。
4.放大器的静态工作点过高可能引起______失真，过低则可能引起____ __失真。
分压式偏置电路具有自动稳定____ __的优点。
5.NPN管和PNP管构成放大电路时，所需的工作电压极性相，但这两种管子的微变等效电路。
6.射极输出器的主要特点是：电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。
7.三种基本组态双极型三极管放大电路中，若希望源电压放大倍数大，宜选用共__ 极电路，若希望带负载能力强，宜选用共极电路，若希望从信号源索取的电流小，宜选用共极电路，若希望用作高频电压放大器，宜选用共极电路。
8.差分电路的两个输入端电压分别为u i1=2.00V，u i2=1.98V，则该电路的差模输入电压u id为V，共模输入电压u ic为V。
9.场效应管放大电路中，共极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相；共极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。
10.在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中，若两个输入电压u i1=u i2，则输出电压u O = 。
若u i1=+50mV，u i2=+10mV，则可知该差动放大电路的共模输入信号u ic= ; 差模输入电压u id = ，因此分在两输入端的一对差模输入信号为u id1= ，u id2= 。
11.三种基本组态双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是共极电路，输入电阻最小的是共极电路，输出电阻最小的是共极电路。
12.当放大电路要求恒压输入时，其输入电阻应远于信号源内阻；要求恒流输入时，输入电阻应远于信号源内阻13.某放大电路的电压增益为100 dB，即电压放大倍数为倍。
第三章 放大电路基础练习
第三章放大电路基础一、单选题1. 图示电路（）A．等效为PNP管B．等效为NPN管C．为复合管，其等效类型不能确定D．三极管连接错误，不能构成复合管2. 关于基本共射放大电路中的静态工作点（简称Q点），下列说法中不正确的是（）。
A．Q点过高会产生饱和失真B．Q点过低会产生截止失真C．导致Q点不稳定的主要原因是温度变化D．Q点可采用微变等效电路法求得3. 把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（）A．增大差模输入电阻B．提高共模增益C．提高差模增益D．提高共模抑制比4. 图示电路中，为共发射极放大电路的是（）。
5. 差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（）。
A．不变B．提高一倍C．提高两倍D．减小为原来的一半6. 图示电路（）A．等效为PNP管，电流放大倍数约为β1B．等效为NPN管，电流放大倍数约为β2C．连接错误，不能构成复合管D．等效为PNP管，电流放大倍数约为β1β27. 乙类互补对称功率放大电路会产生交越失真的原因是（）A．输入电压信号过大B．三极管电流放大倍数太大C．晶体管输入特性的非线性D．三极管电流放大倍数太小8. 直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为（）。
A. 晶体管的非线性B. 电阻阻值有误差C. 晶体管参数受温度影响D. 静态工作点设计不当9. 关于复合管，下述正确的是（）A．复合管的管型取决于第一只三极管B．复合管的输入电阻比单管的输入电阻大C．只要将任意两个三极管相连，就可构成复合管D．复合管的管型取决于最后一只三极管10. 图示电路中，出现下列哪种故障必使三极管截止（）。
A. R B1开路B. R B2开路C. R C短路D. C E短路11. 选用差分放大电路的主要原因是（）。
A．减小温漂B．提高输入电阻C．稳定放大倍数D．减小失真12.交越失真是（）A．饱和失真B．频率失真C．线性失真D．非线性失真13. 复合管的优点之一是（）A．电流放大倍数大B．电压放大倍数大C．输出电阻增大D．输入电阻减小14. 已知两共射极放大电路空载时电压放大倍数绝对值分别为A1u和A2u，若将它们接成两级放大电路，则其放大倍数绝对值（）。
(完整版)第三章习题解答
第三章双极型三极管基本放大电路3-1 选择填空1.晶体管工作在放大区时，具有如下特点______________。
a. 发射结正偏，集电结反偏。
b. 发射结反偏，集电结正偏。
c. 发射结正偏，集电结正偏。
d. 发射结反偏，集电结反偏。
2．晶体管工作在饱和区时，具有如下特点______________。
a. 发射结正偏，集电结反偏。
b. 发射结反偏，集电结正偏。
c. 发射结正偏，集电结正偏。
d. 发射结反偏，集电结反偏。
3．在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是______组态。
a. 共射b. 共集c. 共基d. 不确定4．对于题3-1图所示放大电路中，当用直流电压表测得U CE ≈V CC 时，有可能是因为______，测得U CE ≈0时，有可能是因为________。
题3-1图ccR La.R B 开路b. R C 开路c. R B 短路d. R B 过小5．对于题3-1图所示放大电路中，当V CC =12V ，R C =2k Ω，集电极电流I C 计算值为1mA 。
用直流电压表测时U CE =8V ，这说明______。
a.电路工作正常b. 三极管工作不正常c. 电容C i 短路d. 电容C o 短路 6.对于题3-1图所示放大电路中，若其他电路参数不变，仅当R B 增大时，U CEQ 将______；若仅当R C 减小时，U CEQ 将______；若仅当R L 增大时，U CEQ 将______；若仅更换一个β较小的三极管时，U CEQ 将______；a.增大b. 减小 c . 不变 d. 不确定 7.对于题3-1图所示放大电路中，输入电压u i 为余弦信号，若输入耦合电容C i 短路，则该电路______。
a.正常放大b. 出现饱和失真c. 出现截止失真d. 不确定 8. 对于NPN 组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压_______失真；若产生截止失真，则输出电压_______失真。
第三章三极管基本放大电路练习题
第三章 三极管基本放大电路练习题一、选择题（1）当晶体管工作于饱和状态时，其（ ）A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏（2）测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为（ ）A.60B. 40C.70（3）温度升高，晶体管输入特性曲线（ ）A.右移B.左移C.不变（4）温度升高，晶体管输出特性曲线（ ）A.上移B.下移C.不变（5）温度升高，晶体管输出特性曲线间隔（ ）A.不变B.减小C.增大（6）在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是（ ）失真。
A.饱和B.截止C.饱和和截止（7）失真的主要原因是（ ）A.输入电阻太小B.静态工作点偏低C.静态工作点偏高（8）在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是放大电路（ ）A.共射极B.共集电极C.共基极（9）与空载相比， 接上负载后，放大电路的动态范围一定_______A.不变B.变大C. 变小（10）如图所示放大电路中，已知I1>>I BQ，U BQ>>U BEQ，则当温度升高时，（ ）。
A．I CQ基本不变 B．I CQ减小 C． I CQ增大 D．U CEQ 增大10题图（11）使用万用表直流电压档，测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图所示，从而可判断出该晶体管工作在（ ）A.饱和状态B.放大状态C.截止状态D.倒置状态11题图（12）工作在放大区的某三极管，当IB从20μA增大到40μA时，IC 从1mA变成2mA。
它的β约为__________。
A.50B.100C.200二、 简答题（1）试判断题图所示的各电路能否放大交流电压信号？为什么？1题图（2）2题图中，已知U BE=0.6V，β=50。
（1）欲使三极管截止，R B=？（2）若R B=300kΩ，欲使三极管饱和，R C=？（3）R B=300kΩ，R C=3.9kΩ时，三极管处于何种状态？2题图三、计算题（1）晶体管放大电路如题图1所示，已知V CC = 12 V，R B =500 kΩ，R C = 5kΩ，R L =5kΩ，β=50。
(完整版)放大电路练习题及答案
一、填空题1．射极输出器的主要特点是电压放大倍数小于而接近于1， 输入电阻高 、 输出电阻低 。
2．三极管的偏置情况为 发射结正向偏置，集电结反向偏置 时，三极管处于饱和状态。
3．射极输出器可以用作多级放大器的输入级，是因为射极输出器的 输入电阻高 。
4．射极输出器可以用作多级放大器的输出级，是因为射极输出器的 输出电阻低 。
5．常用的静态工作点稳定的电路为 分压式偏置放大 电路。
6．为使电压放大电路中的三极管能正常工作，必须选择合适的 静态工作点 。
7．三极管放大电路静态分析就是要计算静态工作点，即计算 I B 、 I C 、 U CE 三个值。
8．共集放大电路（射极输出器）的 集电极 极是输入、输出回路公共端。
9．共集放大电路（射极输出器）是因为信号从 发射极 极输出而得名。
（）10．射极输出器又称为电压跟随器，是因为其电压放大倍数 电压放大倍数接近于1 。
11．画放大电路的直流通路时，电路中的电容应 断开 。
12．画放大电路的交流通路时，电路中的电容应 短路 。
13．若静态工作点选得过高，容易产生 饱和 失真。
14．若静态工作点选得过低，容易产生 截止 失真。
15．放大电路有交流信号时的状态称为 动态 。
16．当 输入信号为零 时，放大电路的工作状态称为静态。
17．当 输入信号不为零 时，放大电路的工作状态称为动态。
18．放大电路的静态分析方法有 估算法 、 图解法 。
19．放大电路的动态分析方法有 微变等效电路法 、 图解法 。
20．放大电路输出信号的能量来自 直流电源 。
二、选择题1、在图示电路中，已知U C C ＝12V ，晶体管的β＝100，'b R ＝100k Ω。
当i U ＝0V 时，测得U B E ＝0.7V ，若要基极电流I B ＝20μA ，则R W 为 k Ω。
AA. 465B. 565C.400D.3002.在图示电路中，已知U C C ＝12V ，晶体管的β＝100，若测得I B ＝20μA ，U C E ＝6V ，则R c ＝ k Ω。
机械工程出版社第三章 场效应管电路习题答案
第3章 场效应晶体管放大电路3.1知识要点3.1.1场效应管有结型和MOS 型两大类，每类都有N 沟道和P 沟道之分，MOS 场效应管还有增强型和耗尽型之分，故场效应管有6种类型。
它们的结构、工作原理、伏安特性、作用、主要参数、电路组成、分析方法相似；正向控制原理都是利用栅源电压改变导电沟道的宽度而实现对漏极电流的控制；小信号模型完全相同；但由于沟道类型不同，结构上也有不同，因此6种管子对偏置电压的要求各不相同。
栅源电压为零时存在原始导电沟道的场效应管称为耗尽型场效应管；天然原始导电沟道，只有在U GS绝对值大于开启电压U GS（th）绝对值后才能形成导电沟道的，则称为增强型场效应管。
2GS D DSS P(1) U I I U =−当工作于放大区时，对耗尽型场效应管1.2.4 场效应晶体管表5.1 晶体管与场效应管比较比较项目晶体管场效应管载流子两种不同极性的载流子（电子与空穴）同时参与导电，故又称为双极型晶体管只有一种极性的载流子（电子或空穴）参与导电，故又称为单极型晶体管 控制方式电流控制电压控制类型 NPN 型和PNP 型两种 N 沟道和P 沟道两种 放大参数 200~20=β5~1m =g mA/V输入电阻 42be 10~10=r Ω较小147gs 10~10=r Ω很大 输出电阻 r ce 很大 r ds 很大 热稳定性 差 好制造工艺 较复杂简单，成本低，便于集成对应电极基极-栅极，发射极-源极，集电极-漏极3.1.2 场效应晶体管放大电路共源极分压式偏置放大电路及其直流通路、交流通路和微变等效电路如图2.6所示。
U DDo +U DD（a ）放大电路（b ）直流通路+u o -o（c ）交流通路 （d ）微变等效电路图5.1 共源极分压式偏置放大电路（1）静态分析：DD G2G1G2G U R R R U +=SG S S D R U R U I ==)(S D D DD DSR R I U U +−= （2）动态分析：Lm u R g A ′−= 式中L D L//R R R =′。
第三章 半导体三极管及其放大电路基础3.1
IB/mA -0.001 IC/mA 0.001 IE/mA 0
0 0.01 0.01
0.01 0.56 0.57
0.02 1.14 1.16
0.03 1.74 1.77
0.04 2.33 2.37
0.05 2.91 2.96
I B IC I E , IC I E
IC IB
U CE
(b ) 共 发 射 极
(c) 共 集 电 极
图3 -
三极管的三种组态
下面以共发射极组态为例 分析：
1）NPN型晶体管
2）依据外部条件建立电路：
发射结（BE结）须正向偏置→ 输入回路（基极回路） 集电结（BC结）须反向偏置→ 输出回路（集电极回路） 发射极接地（原因） 3）VCC(EC)
＞VBB(EB)
第三章
半导体三极管及其放大电路 基础
3.1 半导体三极管
3.2 基本共射极放大电路
3.3 放大电路的静态分析 3.4 放大电路的动态分析 3.5 静态工作点的稳定 3.6 共集与共基极放大电路
3.1 半导体三极管
晶体管
半导体二极管（第二章） 双极型半导体三极管（第三章） 半导体三极管 单极型半导体三极管（第四章）
发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。
常用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种系列三极 管类型。它们对应的型号分别为： 3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、 3C(硅PNP)、3D(硅NPN) 。
围绕内部结构阐述晶体管的电流放大作用：
二、三极管中的电流分配（内部载流子的传输过程）* 1.三极管放大的两个条件： 1）内部条件：三个区（发射区、基区和集电区）的掺杂浓度 与厚薄均不一样。两个PN结的结面积不同。从外表上看两个N
电工学(下册)电子技术基础 第3章 习题解答讲解
第3章晶体三极管及其放大电路3.1 测得放大电路中的晶体三极管3个电极①、②、③的电流大小和方向如图3.1所示，试判断晶体管的类型（NPN或PNP），说明①、②、③中哪个是基极b、发射极e、集电极c，求出电流放大系数 。
图3.1 习题3.1图解：(a) ①-c ②-b ③-e PNP β=1.2/0.03=40(b) ①-b ②-e ③-c NPN β=1.5/0.01=1503.2 试判断图3.2所示电路中开关S放在1、2、3哪个位置时的I B最大；放在哪个位置时的I B最小，为什么？+V CC图3.2 习题3.2图解：在①时，发射极相当于一个二级管导通，此时I B就等于此导通电流。
在②时，三极管相当于两个并联的二极管，此时I B等于两个二级管导通电流之和，所以此时的电流最大。
在③时，发射极导通，集电结反偏，集电结收集电子，所以I B电流下降，此时电流最小。
3.3.测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图3.3所示，判断晶体管三极管的类型（NPN或PNP）及三个电极，并分别说明它们是硅管还是锗管。
解：(a) ①-e ②-c ③-b 硅NPN(b) ①-b ②-c ③-e 锗PNP(c) ①-b ②-e ③-c 锗PNP图3.3 习题3.3图3.4 用万用表直流电压挡测得晶体三极管的各极对地电位如图3.4所示，判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）。
2.7V(a)(b)－5V－－0.6V(c)－(d)9V－6V(e)0V(f)图3.4 习题3.4图解：(a) 截止 (b) 饱和 (c) 放大 (d) 饱和 (e) 截止 (f) 损坏3.5 某晶体管的极限参数为I CM = 20mA 、P CM = 200mW 、U (BR)CEO = 15V ，若它的工作电流I C = 10mA ，那么它的工作电压U CE 不能超过多少？若它的工作电压U CE = 12V ，那么它的工作电流I C 不能超过多少？解：)V (1510200,15min ,min C CM (BR)CEO CE =⎭⎬⎫⎩⎨⎧=⎭⎬⎫⎩⎨⎧=I P U U )mA (67.1612200,20min ,min CE CM CM C =⎭⎬⎫⎩⎨⎧=⎭⎬⎫⎩⎨⎧=U P I I3.6 图3.5所示电路对正弦信号是否有放大作用？如果没有放大作用，则说明理由并将错误加以改正（设电容的容抗可以忽略）。
三极管及放大电路基础试题及答案
三极管及放大电路基础试题及答案一、单选题1.在图示电路中，已知VCC＝12V，晶体管的ß＝100， RB＝100kΩ。
当Ui ＝0V时，测得UBE＝0.7V，若要基极电流IB＝20μA，则RW为( )kΩ。
A、465B、565C、400D、300【正确答案】：A2.有些放大器在发射极电阻上并联一个电容CE，则CE的作用是( )A、稳定静态工作点B、交流旁路，减少信号在RE上的损耗C、改善输出电压波形D、减小信号失真【正确答案】：B3.放大电路设置偏置电路的目的是A、使放大器工作在截止区B、使放大器工作在饱和区C、使放大器工作在线性放大区D、使放大器工作在集电极最大允许电流ICM状态下【正确答案】：C4.温度上升时，三极管的反向饱和电流( )A、增大B、减小C、不变D、上下波动【正确答案】：A5.在共射基本电路中，当用直流电压表测得UCE≈VCC时，有可能是因为( )A、Rb开路B、Rb过小C、Rc开路D、Re过小【正确答案】：A6.如果三极管的基极电流是40μA ，集电极电流是2mA ，则三极管的电流放大系数为A、20B、50C、200D、500【正确答案】：B7.多级放大器的输出电阻Rｏ就是( )A、第一级输出电阻B、最后一级输出电阻C、每级输出电阻之和D、每级输出电阻之差【正确答案】：B8.放大器的低频区指的是A、上限频率以上的频率范围B、下限频率以上的频率范围C、下限频率以下的频率范围D、放大器上限频率和下限频率之间的频率范围【正确答案】：C9.多级放大电路与单级放大电路相比，总的频带宽度( )A、变窄B、变宽C、不变D、为0【正确答案】：A10.分压式工作点稳定电路如图所示，已知β=60，UCE( )=0.3VUBE=0.7V。
三极管基极电位UB约为( )A、2VB、3VC、４ＶD、５Ｖ【正确答案】：C11.以下关于三极管的说法中，正确的是A、三极管属于单极型器件B、三极管内存在有三个PN结C、三极管的穿透电流随温度升高而增大D、三极管的正向导通电压随温度升高而增大12.以下关于输入电阻的叙述中，正确的是A、输入电阻越小，对信号源的影响就越小B、输入电阻越大，对信号源的最响就越小C、输入电阻大小对输出电阻有影响D、输入电阻大小对信号源无影响【正确答案】：B13.用指针式万用表检测某晶体三极管时，用红表笔搭接1脚，黑表笔分别搭接23脚时，指针偏转角均较大。
电子线路第三章答案
《模拟电子线路》课程教案内容：第三章习题解答3－1放大器功率放大倍数为100，问功率增益是多少分贝？答：由G P＝10lgA P，得G P＝10lg100＝10×2＝20dB。
3－2 假如输入电压为20mV，输出电压为2V，问放大器的电压增益是多少分贝？答：因为A V＝V O/V i＝2V÷20mV＝2000÷20＝100，而G V＝20lgA V所以G V＝20lg100＝40 dB。
3－3 假如输入信号电压为V i＝0.02V，电流I i＝1.0mA；输出电压V O＝2V，电流I O＝0.1A。
问放大器的电压、电流增益和功率增益各为多少分贝？答：因为A V＝2V÷0.02V＝100，A i＝0.1A÷1mA＝100÷1＝100，Ap＝A V×A i＝104所以G V＝20lgA V＝20lg100＝40 dBG i＝20lgA i＝20lg100＝40 dBG P＝10lgA P＝10lg104＝40 dB3－4 电压增益是－60dB，试问它的电压放大倍数是多少？该电路是放大器吗？答：由G V＝20lgA V得A V＝10（GV/20）＝10（－60/20）＝10－3＝0.001。
该电路不是放大器而是衰减器。
3－5 画出由PNP型管接成的共发射极交流放大电路，并标出静态电流方向和静态管压降（V CEQ）的极性。
答：PNP型管接成的共发射极交流放大电路如右图所示。
静态管压降（V CEQ）的极性为上负下正。
3－6 什么是“非线性失真”？放大电路为什么要设置适宜的静态工作点？答：因为放大电路本身的非线性所造成的输出信号波形失真称为非线性失真。
放大电路假如不设置适宜的静态工作点，信号放大时就可能使晶体三极管进入饱和区或截止区，产生非线性失真。
所以放大电路必须设置适宜的静态工作点。
3－7 用图3.0.1所示方法调整静态工作点有什么错误？应如何改正？画出准确的电路图。
第3章多级放大电路习题解答
第3章-多级放大电路-习题解答第3章自测题、习题解答自测题3一、选择：选择：（请选出最合适的一项答案）1、在三种常见的耦合方式中，静态工作点独立，体积较小是（）的优点。
A）阻容耦合B) 变压器耦合C）直接耦合2、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越（）。
A) 大B) 小C) 和放大倍数无关3、在集成电路中，采用差动放大电路的主要目的是为了（）A) 提高输入电阻B) 减小输出电阻C) 消除温度漂移D) 提高放大倍数4、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（）A) 等于60 B) 等于900 C) 小于900 D) 大于9005、将单端输入——双端输出的差动放大电路改接成双端输入——双端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）；改接成单端输入——单端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）。
A) 不变 B ）增大一倍 C) 减小一半 D) 不确定解：1、A 2、A 3、C 4、C 5、A C二、填空：6、若差动放大电路两输入端电压分别为110i umV=，24i u mV=，则等值差模输入信号为id u =mV ，等值共模输入信号为icu = mV 。
若双端输出电压放大倍数10udA=，则输出电压o u =mV 。
7、三级放大电路中，已知1230u u AA dB==，320u AdB=，则总的电压增益为 dB ，折合为 倍。
8、在集成电路中，由于制造大容量的 较困难，所以大多采用 的耦合方式。
9、长尾式差动放大电路的发射极电阻eR 越大，对 越有利。
10、多级放大器的总放大倍数为 ，总相移为 ，输入电阻为 ，输出电阻为 。
解：6、3mV 7mV 30mV7、80 4108、电容 直接耦合 9、提高共模抑制比10、各单级放大倍数的乘积 各单级相移之和 从输入级看进出的等效电阻 从末级看进出的等效电阻三、计算： 11、如图T 3－11，设12CEV=，晶体管50β=，300bb rΩ'=，11100b R k Ω=，2139b R k Ω=，16c R k Ω=，13.9e Rk Ω=，1239b R k Ω=，2224b R k Ω=，23c R k Ω=，22.2e Rk Ω=，3LRk Ω=，请计算uA 、ir 和or 。
半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a发射结正偏，集电结正偏b发射结反偏，集电结反偏c发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a发射结正偏，集电结正偏b发射结反偏，集电结反偏c发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a0.1Vb0.5Vc0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a0.1Vb0.3Vc0.5V答案：b5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。
则该管的β为_____a40b50 c60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a越好b越差c无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a高b低c一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数________a增大b减小c不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a升高b降低c不变答案：b10.对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________极的电位最低。
a发射极b基极c集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a右移b左移c不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a上移b下移c不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a不变b减小c增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a两者无关b有关c无法判断答案：a15.当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a晶体管一定被烧毁b晶体管的PC=PCMc晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a输入电阻b输出c电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为_________aNPN型锗管bPNP型锗管cPNP型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管_________a处于饱和状态b放大状态c截止状态d已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a同相b反相c相差90度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________失真a饱和b截止c饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a输入电阻太小b静态工作点偏低c静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a输出功率b静态工作点c交流参数答案：c25.既能放大电压，也能放大电流的是_________放大电路。
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第三章 三极管放大电路基础习题解答3．1 对于典型的晶体管，其β值范围一般为150~50，试求其对应的α值范围。
解：因为ββα+=1，当β值范围为150~50，α值的范围为0.98~0.993。
3．2 如果两个晶体管的参数α分别为0.99和0.98，则两个晶体管的β分别为多少？若其集电极的电流为mA 10，则对应的基极电流分别为多少？ 解：因为ααβ-=1，C B I I β1=。
当99.0=α时，100=β，mA I B 1.0=；当98.0=α时，50=β，mA I B 2.0=。
3．3 对于一个晶体管，若其基极电流为A μ5.7，集电极电流为A μ940，试问晶体管的β和α分别为多少？ 解：33.1255.7940===B C I I β， 992.033.125133.1251=+=+=ββα 3．4 对于一个PNP 型晶体管，当集电极电流为mA 1，其发射结电压V v EB 8.0=。
试问，当集电极电流分别为mA 10、A 5时，对应的发射结电压EB v 分别为多少？ 解：因为TBEV V S C eI I =，则有⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=S C T BE I I V V ln ，因此有⎪⎪⎭⎫⎝⎛=S C T BE I I V V 11ln 。
所以有⎪⎪⎭⎫⎝⎛=-C C T BE BE I I V V V 11ln若令mA I C 101=时，V I I V V V C C T BE BE 06.0110ln 26ln 11=⎪⎭⎫⎝⎛⨯=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=-，则V V V BE BE 86.006.08.006.01=+=+=若令A I C 51=时，V I I V V V C C T BE BE 22.015000ln 26ln 11=⎪⎭⎫⎝⎛⨯=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=-，则V V V BE BE 02.122.08.022.01=+=+=。
3．5 在图P3.5所示的电路中，假设晶体管工作在放大模式，并且晶体管的β为无限大，试确定各图中所对应标注的电压、电流值。
(a)(b)(c)6(d)V 2-8V图P3.5解：因为晶体管的β为无限大，则有0=B I ，E C I I =。
(a) mA I 1107.07.101=-=,(b) ()mA I I E C 51105=---==,V I V E 28.2122-=⋅-=(c) ()mA I I I E C 121083=---===,VV 14=(d) mA V V I EE CC 965.0207.010*******.05=-+=+--=,V I V 35.0101056=⋅-=3．6 晶体管电路如图P3.6所示，试确定各晶体管的β值。
(a) +9V(b)(c)图P3.6解：（a ） A K V I B μ104303.4==，mA KVI C 122==，100101===A mA I I B C μβ。
（b ） mA K I B 1.0203.23.4=-=，mA VI E 102303.2==，mA I I I B E C 9.91.010=-=-=，991.09.9===mAmA I I B C β。
（c ） mA KI E 11910=-=，V K I V E C 11=⨯=，mA K V I C B 0487.01503.8=-=， mA I I I B E C 913.0=-=，53.190487.09513.0===mAmAI I B C β。
3．7 假设晶体管的厄尔利电压为V V A 200=。
当晶体管的集电极电流分别为mA 1、A μ100时，则晶体管的输出电阻o r 分别为多少？ 解：因为CA o I V r =，当mA I C 1=时，Ω=K r o 200；当A I C μ100=时，Ω=M r o 23．8 对于一个晶体管，当集电极电流为A μ10时，对应的输出电阻o r 为ΩM 10，则其厄尔利电压为多少？如果集电极电流变为mA 10时，此时晶体管的输出电阻为多少？解：V r I V o C A 1001010101066=⨯⨯⨯==-，当集电极电流变为mA 10时，晶体管的输出电阻变为Ω===K mAI V r CA o 1010100。
3．9 在图P3.9所示的电路中，假设晶体管的β无限大，且V V BE 7.0=。
当B V 分别等于V 3、V 1、V 0时，试求对应的E V 和C V 电压。
CE图P3.9解：当V V B 3=时，假设晶体管工作在放大状态，则有V V V V BE B E 3.27.03=-=-=，mA KV I I EE C 3.21===，V K I V C C 7.619=⨯-=，()V V V V V V sat CE E C CE 3.04.4=>=-=，假设正确。
当V V B 1=时，假设晶体管工作在放大状态，则有V V V V BE B E 3.07.01=-=-=，mA KV I I EE C 3.01===，V K I V C C 7.819=⨯-=， ()V V V V V V sat CE E C CE 3.04.8=>=-=，假设正确当V V B 0=时，因其小于V V BE 7.0=，晶体管工作在截止状态，则有，0===B E C I I I ，V K I V C C 919=⨯-=，V V E 0=3．10 在图P3.9所示的电路中，假设晶体管的β无限大。
试求晶体管仍然工作在放大模式时的最大值B V 。
解：BE B E V V V -=，KV I I EE C 1==，BE E C C V V K I V +-=⨯-=919。
为了保证晶体管仍然工作在放大模式时，要求B C V V ≥，则有V V B 85.4≤，其最大值为4.85V 。
3．11在图P3.11所示的电路中，假设晶体管的β无限大，且V V BE 7.0=。
试确定各图中标注的电压、电流值。
2(a)(b)(c)Ω+10V8(d)V 35719V 10图P3.11解：因为晶体管的β无限大，且V V BE 7.0=，则0=B I(a)V V B 0=，V V V V BE B 7.07.001-=-=-=，V V 4.323.3102=⨯-= (b)V V V BE E 7.02-=-=，()mA K V I E 98.17.43.97.41024==--=，V V 47.398.13.3103=⨯-=(c)VV 06=，VV V V EB 7.07.0067=+=+=，mA V I E 98.17.41073=-=，V K I V E 47.3103.335-=-⨯=(d)()V V 5.2103001801801030018030010=-⨯++⨯+=，V V V V EB 2.37.05.2108=+=+=mA KV I E 18.61084=-=，V K I V E 0101049=-⨯=3.12 一个PNP 型的晶体管电路如图P3.12所示。
晶体管的50=β，V V C 5=，试确定电阻CR 的值。
此时当晶体管的β变化为100=β时，试问电路的工作情况发生了什么变化？解：VV V EB B 3.97.01010=-=-=A KV I BB μ93100== ，mA I I I B B C 65.450===β，Ω===K mAI V R C C C 075.165.45当β变化为100=β时，mA I I I B B C 3.9100===β，V R I V C C C 10==。
此时()V V V V V V sat CE C E EC 3.001010=<=-=-=，因此晶体管工作在饱和状态了。
3.13 在图P3.13所示的电路中，当晶体管的β为如下情况时，试确定51~V V 的电压值。
（a ）∞=β，(b) 100=β解：当∞=β时，021==B B I I ，则有V V 01=，V V V V EB 7.07.0012=+=+=，mA KV I E 022.11.91021=-=，V K I V E 7.0101.913-=-⨯=，V V V V BE 4.134-=-=，()mA KV I E 23.41042=--=， V K I V E 2.01.51025-=⨯-=K 100 CV 5V 4当100=β时，mA K K V I EB E 922.011001.9101=++-=β，mA I I E C 912.0111=+=ββ，忽略晶体管T2的基极电流，则有V K I K I V E B 913.01001100111=⨯+=⨯=β， V K I V C 7.1101.913-=-⨯=，V V V V BE 4.234-=-=，()mA KV I E 767.13.41042=--=，V K I V E 99.01.51025=⨯-=又因为mA I I E B 017.0122=+=β，其值小小于1C I ，因此忽略晶体管T2的基极电流是合理的。
3.14 某晶体管的120=β，并且工作在放大模式，试求晶体管的集电极电流分别为mA 5.1和A μ150时的晶体管交流小信号模型参数e be m r r g 、、的值。
解：当mA I C 5.1=时，mS mV mA V I g T C m 69.57265.1===，()Ω=+==2.171mm e g g r ββα，()Ω=+=K r r e be 08.21β。
当A I C μ150=时，mS mV A V I g T C m 769.526150===μ，()Ω=+==1721mm e g g r ββα，()Ω=+=K r r e be 8.201β。
3.15 为了设计一个晶体管放大器，要求晶体管的跨导mS g m 100=，晶体管的基极输入阻抗不小于ΩK 1，则发射极的偏置电流应如何选择，晶体管的最小β要求为多少？ 解：因T C m V I g =，则mA mV mS V g I T m C 6.226100=⨯==，又()me be g r r ββ=+=1，则1001100=Ω⨯==K mS r g be m β。
mA I I I C C E 626.211=+==ββα。
因此发射极的偏置电流应选择2.626mA ，晶体管的最小β要求为100。
3.16 在图3-7-1所示的电路中， V V CC 10=，Ω=K R C 2。
若调节BEQ V 的电压，使得V V CEQ 2=。
此时输入交流信号()V t v be ωsin 004.0=时，请写出()t i C 、()t v C 、()t i B 的总瞬时量，并求该放大器的电压增益为多少？假设晶体管的100=β。