模拟电子技术基础课后习题答案童诗白
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第5章 放大电路的频率响应
第5章 放大电路的频率响应习题5.1在图P5.1所示电路中，已知晶体管的'bb r、C μ、C π，i be R r ≈。
填空：除要求填写表达式的之外，其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。
(1)在空载情况下，下限频率的表达式L f ≈(112(//)s b be R R r C π+ )。
当R S 减小时，L f 将( ① )；当带上负载电阻后，L f 将( ② )。
(2)在空载情况下，若b-e 间等效电容为'C π，则上限频率的表达式H f ≈('''12[//(//)]b e bb b s r r R R C ππ+ )；当R S 为零时，H f 将( ① )；当R b 减小时, g m 将( ① ),'C π将( ① ), H f 将( ③ )。
图P 5.1 图P 5.25. 2已知某电路的波特图如图P5.2所示，试写出uA 的表达式。
解：设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。
5532 3.210(1)(1)(1)(1)101010ujfA ff f j j j jf --≈≈++++5.3已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示，试写出uA 的表达式。
图P5.3 图P5.4解：观察波特图可知，中频电压增益为40dB ，即中频放大倍数为−100 ; 下限截止频率为1Hz 和10Hz ，上限截止频率为250kHz 。
故电路uA 的表达式为： 25510010110(1)(1)(1)(1)(1)(1)2.5101010uf A f f f j jf j j jf jf -+==++++++⨯5.4已知某电路的幅频特性如图P5.4所示，试问：(1)该电路的耦合方式；(2)该电路由几级放大电路组成；(3)当f =104H Z 时，附加相移为多少？当f =105H Z 时，附加相移又约为多少？（4）该电路的上限频率Hf 为多少？解：(1)因为下限截止频率为0 , 所以电路为直接耦合电路；(2)因为在高频段幅频特性为−60dB ／十倍频，所以电路为三级放大电路；(3)当f =104Hz 时，'00453135φ=-⨯=-； 当f =105Hz 时，'903270o o φ=-⨯=-。
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第一章
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS 大的特点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
《模拟电子技术基础》(童诗白)课后习题答案
模拟电子技术基础第 1 章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小1.2电路如图P1.2 所示，已知u i = 10sinωt (V)，试画出u i 与u o 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。
1.3电路如图P1.3 所示，已知u i =5sinωt(V)，二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u i 与u o 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流I D = (V −U D ) / R = 2.6mA其动态电阻:r D ≈U T / I D =10Ω图 P1.4故动态电流的有效值： I d = U i / r D ≈1mA1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V ，正向导通电压为 0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
(2)并联相接可得 2 种：0.7V ；6V 。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第6章 放大电路中的反馈
第6章放大电路中的反馈习题6.1选择合适答案填入空内。
(1)对于放大电路，所谓开环是指( B )。
A.无信号源B.无反馈通路C.无电源D.无负载而所谓闭环是指( B )A.考虑信号源内阻B.存在反馈通路C.接入电源D.接入负载(2)在输入量不变的情况下，若引入反馈后( D )，则说明引入的反馈是负反馈。
A.输入电阻增大B.输出量增大C.净输入量增大D.净输入量减小(3)直流负反馈是指( C )。
A.直接耦合放大电路中所引入的负反馈B.只有放大直流信号时才有的负反馈C.在直流通路中的负反馈(4)交流负反馈是指( C )。
A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B.只有放大交流信号时才有的负反馈C.在交流通路中的负反馈(5)为了实现下列目的，应引入A.直流反馈B.交流反馈①稳定静态工作点，应引入( A )；②稳定放大倍数，应引入( B )；③改变输入电阻和输出电阻，应引入( B )；④抑制温漂，应引入( A )；⑤展宽频带，应引入( B )。
6.2选择合适答案填入空内。
A.电压B.电流C.串联D.并联(1)为了稳定放大电路的输出电压，应引入( A )负反馈；(2)为了稳定放大电路的输出电流，应引入( B )负反馈；(3)为了增大放大电路的输入电阻，应引入( C )负反馈；(4)为了减小放大电路的输入电阻，应引入( D )负反馈；(5)为了增大放大电路的输出电阻，应引入( B )负反馈；(6)为了减小放大电路的输出电阻，应引入( A )负反馈；6.3下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入括号内。
(1)只要在放大电路中引入反馈,就一定能使其性能得到改善。
( ×)(2)放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。
( ×)(3)反馈量仅仅决定于输出量。
( √)(4)既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。
( ×)6.4判断图P6.4所示各电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈。
模拟电子技术基础(童诗白 华成英)课后答案第3章
第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui &&&=，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 放大电路中的反馈题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第六章 放大电路中的反馈自测题一、在括号内填入“√”或“×”，表明下列说法是否正确。
（1）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（ ）（2）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
（ ）（3）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
（ ）（4）阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。
（ ）解：（1）× （2）√ （3）× （4）√二、已知交流负反馈有四种组态：A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈选择合适的答案填入下列空格内，只填入A 、B 、C 或D 。
（1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 ；（2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 ；（3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ；（4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 。
解：（1）B （2）C （3）A （4）D三、判断图T6.3所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈，并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f u A 或fs u A 。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T6.3解：图（a ）所示电路中引入了电流串联负反馈。
反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数fu A 分别为 L 31321f 32131 R R R R R R A R R R R R F u ⋅++≈++= 式中R L 为电流表的等效电阻。
图（b ）所示电路中引入了电压并联负反馈。
反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数fu A 分别为 12f 2 1R R A R F u -≈-= 图（c ）所示电路中引入了电压串联负反馈。
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 信号的运算和处理题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第七章信号的运算和处理自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）运算电路中一般均引入负反馈。
（）（2）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）（3）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）（4）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
（）解：（1）√（2）×（3）√（4）×二、现有电路：A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路F. 乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O，应选用。
（2）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用。
（3）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用。
（4）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用。
（5）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用。
（6）欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用。
解：（1）C （2）F （3）E （4）A （5）C （6）D三、填空：（1）为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
（2）已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
（4）为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：（1）带阻（2）带通（3）低通（4）有源四、已知图T7.4所示各电路中的集成运放均为理想运放，模拟乘法器的乘积系数k 大于零。
试分别求解各电路的运算关系。
图T7.4解：图（a ）所示电路为求和运算电路，图（b ）所示电路为开方运算电路。
它们的运算表达式分别为I3142O 2O43'O 43I 12O2O1O I343421f 2I21I1f O1 )b (d 1)1()( )a (u R kR R R u ku R R u R R u R R u t u RCu u R R R R R R R u R u R u ⋅=⋅-=-=-=-=⋅+⋅+++-=⎰∥习题本章习题中的集成运放均为理想运放。
《模拟电子技术基础》课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)3章 多级放大电路题解
基础课程教学资料第三章多级放大电路自测题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( )（5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）×（2）√√（3）√×（4）×（5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用，第二级应采用。
（2）要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用，第二级应采用。
（3）要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用，第二级应采用。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
(完整版)模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第七章
第7章信号的运算和处理自测题一、现有电路：A.反相比例运算电路B.同相比例运算电路C.积分运算电路D.微分运算电路E.加法运算电路F.乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
(1)欲将正弦波电压移相＋90o，应选用( C )。
(2)欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用( F )。
(3)欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用( E )。
(4)欲实现A u=−100 的放大电路，应选用( A )。
(5)欲将方波电压转换成三角波电压，应选用( C )。
(6)欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用( D )。
二、填空：(1)为了避免50H z电网电压的干扰进入放大器，应选用( 带阻)滤波电路。
(2)已知输入信号的频率为10kH z~12kH z，为了防止干扰信号的混入，应选用( 带通)滤波电路(3)为了获得输入电压中的低频信号，应选用( 低通)滤波电路。
(4)为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用( 有源)滤波电路。
三、已知图T7.3所示各电路中的集成运放均为理想运放，模拟乘法器的乘积系数k大于零。
试分别求解各电路的运算关系。
(a)(b)图T7.3解：图(a)所示电路为求和运算电路，图(b)所示电路为开方运算电路。
它们的运算表达式分别为：(a) 12413121234()(1)//f I I O f I R u u R u R u R R R R R R =-+++⋅⋅+ 11O O u u dt RC =-⎰(b) '23322144O I O O R R R u u u ku R R R =-⋅=-⋅=-⋅ 2413O I R R u u kR R =⋅习题本章习题中的集成运放均为理想运放。
7.1填空：(1) ( 同相比例 )运算电路可实现A u ＞1 的放大器。
(2) ( 反相比例 )运算电路可实现A u ＜0 的放大器。
(3) ( 微分 )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第六章
第6章 放大电路中的反馈自测题一、已知交流负反馈由四种组态：A.电压串联负反馈；B.电压并联负反馈； C.电流串联负反馈；D.电流并联负反馈。
选择合适答案填入下列空格内。
1.欲得到电流-电压转换电路，应在放大电路中引入( B )。
2.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入( C )。
3.欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入( A )。
4.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入( D )。
二、判断图T6.2所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈，并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数uf A 或usf A 。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a)(b)(c) (d) 图T6.2解：图(a)所示电路中引入了电流串联负反馈。
反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数分别为：13123Fui O R R u F i R R R ==++； 12313O O L uf L I F u i R R R R A R u u R R ++==≈。
式中R L 为电流表的等效电阻。
图(b)所示电路中引入了电压并联负反馈。
反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数分别为：21F iu O i F u R =≈-； 2111O O O uf I I F u u u R A u i R i R R ==≈=- 图(c)所示电路中引入了电压串联负反馈。
反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数分别为：1O uu F u F u == 1O O uf I Iu uA u u =≈= 图(d)所示电路中引入了正反馈。
三、电路如图T6.3 所示。
图T6.3(1)正确接入信号源和反馈，使电路的输入电阻增大，输出电阻减小；(2)若20ou iU A U ==，则R f 应取多少千欧？解：(1)应引入电压串联负反馈，如解图T6.3所示。
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第一章
第1章 常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS R 大的特点。
( √ ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × ) 二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS =0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，?=100，U BE =0.7V 。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第8章 波形的发生和信号的转换
第8章 波形的发生和信号的转换习题8.1判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)在图T8.1所示方框图中，产生正弦波振荡的相位条件是A F ϕϕ=。
( × )(2)因为RC 串并联选频网络作为反馈网络时的0o F ϕ=，单管共集放大电路的0o A ϕ=，满足正弦波振荡电路的相位条件πϕϕn A F2=+，故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。
( × )(3)在RC 桥式正弦波振荡电路中，若RC 串并联选频网络中的电阻均为R ，电容均为C ，则其振荡频率1/o f RC =。
( × )(4)电路只要满足1=F A，就一定会产生正弦波振荡。
( × ) (5)负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
( × )(6)在LC 正弦波振荡电路中，不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率太低。
( √ )8.2判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，就应在其电路中使集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。
( √ )(2)如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同，那么当它们的输入电压相同时，它们的输出电压波形也相同。
( × )(3)输入电压在单调变化的过程中，单限比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。
( √ ) (4)单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
( × )8.3选择合适答案填入空内。
A.容性 B.阻性 C.感性(1)LC 并联网络在谐振时呈( B )；在信号频率大于谐振频率时呈( A )；在信号频率小于谐振频率时呈( C )。
(2)当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率时，石英晶体呈( B )；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈( C )；其余情况下，石英晶体呈( A )。
童诗白模拟电子技术基础课后习题答案
− UCES 2
≈ 3.28V
RL' = 1kΩ
6
RL
= 3kΩ时，U om
=
I CQ RL' 2
≈ 2.12V
2.12 ② ① ② ① ③ ③②①③① ③③①③③
2.13（1）静态及动态分析：
U BQ
≈
Rb1 Rb1 + Rb2
⋅VCC
=
2V
I BQ
= I EQ 1+ β
≈ 10μ
A
I EQ
= U BQ − U BEQ Rf + Re
第一章 半导体基础知识
自测题
一 、（ 1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二 、（ 1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V 四、UO1＝6V UO2＝5V 五、根据 PCM＝200mW 可得：UCE＝40V 时 IC＝5mA，UCE＝30V 时 IC≈6.67mA，UCE ＝20V 时 IC＝10mA，UCE＝10V 时 IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图 略。
（9）√ （10）× （11）× （12）√
2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V
2.7
5
Q：I BQ
= VCC
− U BEQ Rb
− U BEQ R
≈ 22μ
A
ICQ = β I BQ ≈ 1.76mA
空载时：U CEQ
= VCC
− I CQ Rc
≈ 6.2V， rbe
≈ 1mA
U CEQ ≈ VCC − I EQ (Rc + Rf + Re ) = 5.7V
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 模拟电子电路读图题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第十一章 模拟电子电路读图习 题11.1 电路如图P11.1所示，其功能是实现模拟计算，求解微分方程。
（1）求出微分方程； （2）简述电路原理。
图P 11.1解：（1）设A 1、A 3的输出电压分别为u O 1、u O 3。
由于每个集成运放均引入了负反馈，根据“虚断” 和“虚短”可得下列关系式及微分方程：0)(d d )d (1 d 1)(I 41365742O 863O O 7865623I 134O14O O 78656O3O323I 13O1=-++⋅+⋅+--=-=-+=--=⎰⎰u CR R R C R R R R R u R R R t u t u R R R R R R R u R R C R t u CR u u R RR R R u u R Ru R R u（2）当参数选择合适时，输入合适u I ，便可在输出得到模拟解u O 。
11.2图P11.2所示为反馈式稳幅电路，其功能是：当输入电压变化时，输出电压基本不变。
主要技术指标为（1）输入电压波动20％时，输出电压波动小于0.1％；（2）输入信号频率从50～2000Hz变化时，输出电压波动小于0.1％；（3）负载电阻从10kΩ变为5 kΩ时，输出电压波动小于0.1％。
要求：（1）以每个集成运放为核心器件，说明各部分电路的功能；（2）用方框图表明各部分电路之间的相互关系；（3）简述电路的工作原理。
提示：场效应管工作在可变电阻区，电路通过集成运放A3的输出控制场效应管的工作电流，来达到调整输出电压的目的。
图P11.2解：（1）A1：反相比例运算电路；A2：半波精密整流电路；A3：二阶低通滤波器；T：等效成可变电阻。
（2）图P11.2所示电路的方框图如解图P11.2所示。
解图P 11.2（3）当参数选择合适时，若u i 幅值增大导致u O 增大，则r d s 减小，使得u O 1、u O 2减小，从而使u O 减小，趋于原来数值。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案__第3章_多级放大电路
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案__第3章_多级放大电路本页仅作为文档封面，使用时可以删除This document is for reference only-rar21year.March第3章 多级放大电路习题判断图所示各两级放大电路中T 1和T 2管分别组成哪种基本接法的放大电路。
设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。
(a)(b)(c) (d)(e) (f)图解：(a)共射，共基 (b)共射,共射 (c)共射,共射(d)共集，共基 (e)共源，共集 (f)共基，共集设图所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出u A 、i R 和o R 的表达式。
(a) (b)(c) (d)图解：(1)图示各电路的交流等效电路如解图所示。
(2)各电路的u A 、i R 和o R 的表达式分别为：(a)：[]{}122232311223//(1)(1)(1)be ube be R r R R A R r r R ββββ+++=-⋅+++；11i be R R r =+； 2232//1be o r R R R β+=+(b)：123224112322(1)(////)()(1)(////)be u be be be R R r RA r R R r r βββ+=+⋅-++111232//[(1)(////)]i be be R R r R R r β=++； 4o R R = (c)：1222231122{//[(1)]}[](1)be d ube be dR r r R A r R r r ββββ++=-⋅-+++11i be R R r =+； 3o R R =(d)：2846722[(//////)]()u m be be R A g R R R r r β=-⋅-123//i R R R R =+； 8o R R =(a)(b)(c)(d)解图基本放大电路如图(a)、(b)所示，图(a)虚线框内为电路Ⅰ，图(b)虚线框内为电路Ⅱ。
《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社
1第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
uu ouu o图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为 5.5V和8.5V，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V，6V ，9V和14V几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V 。
uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？3图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术基础课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)2章 基本放大电路题解
基础课程教学资料第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2解：（a）不能。
因为输入信号被V B B短路。
（b）可能。
（c）不能。
因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。
因为输入信号被C2短路。
（f）不能。
因为输出信号被V C C短路，恒为零。
（g）可能。
（h）不合理。
因为G-S间电压将大于零。
（i）不能。
因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中， 已知V C C ＝12V ，晶体管的β＝100，'b R ＝100k Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
（1）当iU ＝0V 时，测得U B E Q ＝0.7V ，若要基极电流I B Q ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和R b＝ ≈ k Ω；而若测得U C E Q ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。
（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数uA ＝ ≈ 。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载图T2.3 后输出电压有效值o U ＝ ＝ V 。
模拟电子技术基础（童诗白华成英）课后答案第7章
第七章信号的运算和处理自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）运算电路中一般均引入负反馈。
（）（2）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）（3）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）（4）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
（）解：（1）√（2）×（3）√（4）×二、现有电路：A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路F. 乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O O，应选用。
（2）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用。
（3）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用。
（4）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用。
（5）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用。
（6）欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用。
解：（1）C （2）F （3）E （4）A （5）C （6）D 三、填空：（1）为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
（2）已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
（4）为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：（1）带阻（2）带通（3）低通（4）有源第七章题解－1四、已知图T7.4所示各电路中的集成运放均为理想运放，模拟乘法器的乘积系数k 大于零。
试分别求解各电路的运算关系。
图T 7.4 解：图（a ）所示电路为求和运算电路，图（b ）所示电路为开方运算电路。
它们的运算表达式分别为I 3142O 2O43'O 43I 12O2O1O I343421f 2I21I1f O1 )b (d 1 )1()( )a (u R kR R R u ku R R u R R u R R u t u RCu u R R R R R R R u R u R u ⋅=⋅−=−=−=−=⋅+⋅+++−=∫∥第七章题解－2习题本章习题中的集成运放均为理想运放。
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模拟电子技术基础课后习题答案童诗白模拟电子技术基础课后习题答案童诗白第一章半导体基础知识一、（1）√（2）×（4）×（5）√二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC三、UO1≈1.3VUO2＝0UO3≈－1.3VUO4≈2VUO5≈2.3V四、UO1＝6VUO2＝5VUO6≈－2V五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
VBB−UBE=26μARbIC=β IB=2.6mAUCE=VCC−ICRC=2VUO＝UCE＝2V。
2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以VCC−UCES=2.86mA=28.6μAβRb=BB≈45.4kΩ七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
1.1（1）AC（2）A（3）C（4）A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3ui和uo的波形如图所示。
1.4ui和uo的波形如图所示。
1.5uo的波形如图所示。
1.6ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。
1.7（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。
1.9（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故⋅UI≈3.33V当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。
当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。
（2）IDZ=(UI−UZ)R=29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10（1）S闭合。
（2）Rmin=(V−UD)IDmax≈233Ω，Rmax=(V−UD)IDmin=700Ω。
1.11波形如图所示。
1.1260℃时ICBO≈32μA。
1.13选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。
1.141.15晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表管号上中下管型材料T1ebcPNPSiT2cbeNPNSiT3ebcNPNSiT4becPNPGeT5cebPNPGeT6becNPNGe1.16当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。
当VBB＝1V时，T处于放大状态。
因为VBB−UBEQRbVBB−UBEQ=60μA，ICQ=β IBQ=3mA，uO=VCC−ICQRC=9V当VBB＝3V时，T处于饱和状态。
因为IBQ==160μA，ICQ=β IBQ=8mA，uO=VCC−ICQRC＜UBE1.17取UCES＝UBE，若管子饱和，则VCC−UBEVCC−UBER=Rb=β RC，所以β≥b=100管子饱和。
1.18当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。
当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。
因为=480μARbIC=βIB=24mAUEC=VCC−ICRC＜VCC1.19（a）可能（b）可能1.20根据方程（c）不能（d）不能，T会损坏。
（e）可能iD=IDSS(1−UGS(th)逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。
在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。
1.22过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。
1.23uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。
1.24（a）可能（b）不能（c）不能（d第二章基本放大电路一、（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√二、（a）不能。
因为输入信号被VBB短路。
（b）可能（c）不能。
因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。
因为输入信号被C2短路。
（f）不能。
因为输出信号被VCC短路，恒为零。
（g）可能。
（h）不合理。
因为G-S 间电压将大于零。
（i）不能。
因为T截止。
三、（1）(VCC−UBEQ)IBQ 565 ； (VCC−UCEQ)β IBQ 3（2）−Uoi -120 ；⋅Uo 0.3（4）ABDE（6）BCE，AD四、（1）A（2）C（3）B（4）B五、（1）C，DE（2）B（3）ACD六、2.2（a）将－VCC改为＋VCC。
（b）在＋VCC与基极之间加Rb。
（c）将VBB反接，且加输入耦合电容。
（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。
2.3图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。
2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。
带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。
2.5（1）×（2）×（3）×（4）√（5）×（6）×（7）×（8）√（9）√（10）×（11）×（12）√2.6（1）6.4V（2）12V（3）0.5V（4）12V2.7VCC−UBEQICQ=β IBQ≈1.76mA空载时：UCEQ=VCC−ICQRc≈6.2V， rbe=rbb'+(1+β)̇=−β Rc≈−308 AuRi=Rb∥rbe≈rbe≈1.3k̇̇≈ Aus≈1.3kΩIEQ̇≈−93⋅Au−ICQ(Rc∥RL)≈2.3VRo=Rc=5kΩRL=3kΩ时：UCEQ='β R L̇=− A≈−115u̇≈−47⋅Au2.8（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。
（b）截止失真，减小Rb。
（c）同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。
2.9（a）截止失真（b）饱和失真（c）同时出现饱和失真和截止失真2.10（1）ICQ=IBQ=Rb=VCC−UCEQVCC−UBEQ̇̇=−β RLR'=1kΩAu=−=−100 AuL11+=1 RL=1.5kΩRcRL2.11空载时，Uom=UCEQ−UCESRL=3kΩ时，Uom=③③①③③2.13（1）静态及动态分析：UBQ≈IBQ=UBQ−UBEQRb1⋅VCC=2V IEQ=≈1mARb1+Rb2Rf+ReIEQ≈10μA UCEQ≈VCC−IEQ(Rc+Rf+Re)=5.7V≈2.73kΩIEQrbe=rbb'+(1+β)̇=−β(Rc∥RL)≈−7.7Aurbe+(1+β)RfRi=Rb1∥Rb2∥[rbe+(1+β)Rf]≈3.7kΩRo=Rc=5kΩ̇减小，Ȧ≈－1.92。
(2)Ri增大，Ri≈4.1kΩ；Auu VCC−UBEQR1+R2+(1+β)RcICQ=β IBQ UCEQ=VCC−(1+β)IBQRċ=−βR2∥R3R=r∥R R=R∥RAuibe1o23rbe2.15Q点：VCC−UBEQ)R2∥R3＋(1＋β)R1]ICQ=β IBQ UCEQ=VCC−ICQRc+UBEQ̇=β R4R=R∥rbeR=RAui1o4VCC−UBEQ1UBEQ1R3ICQ2≈ ICQ1=β IBQ1UCQ2=VCC− ICQ2R4UBQ2≈UCEQ1(VCC−UBEQ1)+UBEQ1=UBQ2－UBEQ2rbe21+β2̇=β21R4Ȧ=ȦȦAu2uu1u2rbe1rbe2UCEQ2=UCQ2－UBQ2+UBEQ2Ri=R2∥R3∥rbe1 Ro=R4̇≈−1 Ȧ≈+1 Au1u22.18（1）求解Q点：VCC−UBEQRb+(1+β)Re≈32.3μAIEQ=(1+β)IBQ≈2.61mAUCEQ=VCC−IEQRe≈7.17V （2）求解电压放大倍数和输入电阻：RL=∞：Ri=Rb∥[rbe+(1+β)Re]≈110kΩ(1+β)Rerbe+(1+β)Re(1+β)(Re∥RL)rbe+(1+β)(Re∥RL)RL=3kΩ：Ri=Rb∥[rbe+(1+β)(Re∥RL)]≈76kΩ（3）求解输出电阻：Ro=Re∥Rs∥Rb+rbe2.19(1)VCC−UBEQRb+(1+β)Re≈31μA ICQ=β IBQ≈1.86mAUCEQ≈VCC−IEQ(Rc+Re)=4.56V rbe=rbb'+(1+β)≈952ΩIEQRi=Rb∥rbe≈952Ωβ(Rc∥RL)Ro=Rc=3kΩ⋅Us≈3.2mV̇≈304mVUo=AuiUi=若Ce开路，则Ri=Rb∥[rbe+(1+β)Re]≈51.3kΩ̇≈−Rc∥RL=−1.5Au⋅Us≈9.6mV̇≈14.4mVUo=AuiUi=2.20（a）源极加电阻RS。
（b）输入端加耦合电容，漏极加电阻RD。
（c）输入端加耦合电容（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD2.21（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。
在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。
∂iD∂uGSUGS(off)IDSSIDQ=1mA/V̇=−gR=−5 R=1MΩ R=R=5kΩAumDioD2.22（1）求Q点：UGSQ＝VGG＝3V从转移特性查得，当UGSQ＝3V时，IDQ＝1mA，UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V（2）求电压放大倍数：UGS(th)IDQIDO=3mAV̇=−gR=−20AumDAu=−gm(RD∥RL)Ri=R3+R1∥R2R0=RD2.24（a）×（b）×（c）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
（d）×（e）×（f）PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电极。
（g）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
第三章多级放大电路一、（1）×（2）√√（3）√×（4）×（5）√二、（1）AA（2）DA（3）BA（4）DB（5）CB三、（1）BD（2）C（3）A（4）AC（5）B（6）C四、（1）IC3＝（UZ－UBEQ3）/Re3＝0.3mAIE1＝IE2＝0.15mA（2）减小RC2。
当uI＝0时uO＝0，ICQ4＝VEE/RC4＝0.6mA。