光耦ctr测试电路图
光耦参数选型重要指标-CTR

光耦参数选型重要指标-CTR光耦全称是光耦合器,英文名字是:optical coupler,英文缩写为OC,亦称光电隔离器,简称光耦。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值隔离电压:发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值集电极-发射极电压:集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC 与直流输入电流IF 的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR 的范围大多为20%~300%(如4N35),而PC817 则为80%~160%,达林顿型光耦合器(如4N30)可达100%~5000%。
这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。
因此,CTR 参数与晶体管的hFE 有某种相似之处。
线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线普通光耦合器的CTR-IF 特性曲线呈非线性,在IF 较小时的非线性失真尤为严重,因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF 特性曲线具有良好的线性度,特别是在传输小信号时,其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR 值。
因此,。
光电耦合器ctr测试电路

当电源接通后,LED 不发光。
按下S2,LED 会发光。
调RP ,LED 的发光强度会发生变化,说明光电耦合器是好的。
印刷电路板图如下图,电池采用3V 纽扣电池,电池安装在印刷板的铜箔面,用铜片扣住并焊稳即可。
光电耦合器测试电路光电耦合器运用广泛,笔者依据光电耦合器特性,设计一个方便的测试光电耦合器电路,该电路简单、准确,使用方便。
本印刷板适合用于TLP621、TLP521、TLP321、TLP124、TLP121、PC817、PC713、PC617、ON3111、ON3131以及TLP332、TLP532、TLP632、TLP634、TLP732、CNX82A 、FX0012CE ,在使用4个脚的光电耦合器器时把S3的1、2脚短路;在使用6个脚的光电耦合器时请把S3的2、3脚短路。
小4 脚,光电耦合器 (4 Pin Optocouplers)----GaAs 输入,光电晶体管输出CTR @ 10 mA IF(%) 型号(规格)厂牌min maxBVCEO(V)minBVCBO(V)maxVCE (sat) (V)maxtON/tOFF(uS)maxVISOAC[RMS]TLP521-1 TOSHIBA 50 600 55 7 0.4 2/3 2.5kV TLP521-2 TOSHIBA 50 600 55 7 0.4 2/3 2.5kV TLP521-3 TOSHIBA 50 600 55 7 0.4 2/3 2.5kV TLP521-4 TOSHIBA 100 600 55 7 0.4 2/3 2.5kV TLP621-1 TOSHIBA 50 600 55 7 0.4 2/3 10kV TLP721 TOSHIBA 50 600 55 7 0.4 3/3 4.0kV PS2501 NEC 80 600 80 7 0.3 3/5 5.0kV PS2561 NEC 80 400 80 7 0.3 3/5 5.0kV 817(KP1010) COSMO 50 60035 6 0.2 18/18 5.0kVKPC817D COSMO 50 600 35 6 0.2 18/18 5.0kV PC817 SHARP 50 600 35 6 0.2 18/18 5.0kV PC817A SHARP 80 160 35 6 0.2 18/18 5.0kV PC817B SHARP 130 260 35 6 0.2 18/18 5.0kV PC817C SHARP 200 400 35 6 0.2 18/18 5.0kV PC817D SHARP 300 600 35 6 0.2 18/18 5.0kV H11A817 FSC 50 600 35 6 0.2 18/18 5.3 kV H11A817A FSC 80 160 35 6 0.2 18/18 5.3 kV H11A817B FSC 130 260 35 6 0.2 18/18 5.3 kV H11A817C FSC 200 400 35 6 0.2 18/18 5.3 kV H11A817D FSC 300 600 35 6 0.2 18/18 5.3kV4 脚,光电耦合器 (4 Pin Optocouplers)----GaAs 输入,光电晶体管输出CTR @10mA IF(%)PartNumber厂牌min maxBVCEO(V)minBVCBO(V)minVCE (sat) (V)maxtON/tOFF(uS)maxVISOAC[RMS]TLP320 TOSHIBA 20 8055 7 0.4 3/3 5.0KV TLP620 TOSHIBA 50 60055 7 0.4 3/3 5.0kV PC814 SHARP 20 30035 6 0.2 4/18 5.0kV PC814A SHARP 50 15035 6 0.2 4/18 5.0kV H11AA814 Fairchild 20 30035 6 0.2 -- 5.3 kV H11AA814A FAIRCHILD 50 15035 6 0.2 -- 5.3 kV LTV814A LITEON 50 15035 6 0.1 -- 5.0kV6 脚,光电耦合器 (6 Pin Optocouplers)---GaAs 输入,光电晶体管输出CTR @>10mA IF(%) Part Numbermin maxBVCEO(V)minBVCBO(V)minVCE(sat) (V)maxtON/tOFF(uS)maxVISO AC[RMS] 1min 4N25 20 -- 30 70 0.5 -- 5.3 kV 4N26 20 -- 30 70 0.5 -- 5.3 kV 4N27 10 -- 30 70 0.5 -- 5.3 kV 4N28 10 -- 30 70 0.5 -- 5.3 kV4N35 100-- 30 70 0.3 10/10 5.3 kV 4N36 100-- 30 70 0.3 10/10 5.3 kV 4N37 100-- 30 70 0.3 10/10 5.3 kV CNW11AV-1 10030070 70 0.4 15/15 4.0 kV CNW11AV-2 50 -- 70 70 0.4 15/15 4.0 kV CNW11AV-3 20 --7070 0.4 15/15 4.0 kV CNW83 40 -- 50700.4-- 5.9 kV CNW85 63 320 80 120 0.4 --5.9 kV CNX35U 40 160 30 70 0.4 20/20 5.3 kV CNX36U 80 200 30 70 0.4 20/20 5.3 kV CNX38U 70 210 80 120 0.4 20/20 5.3 kV CNX83A.W 40 --5070 0.4--5.3 kV CNY17-1 40 80 70 70 0.4 10/10 5.3 kV CNY17-2 63 125 70 70 0.4 10/10 5.3 kV CNY17-3 100200 70700.410/105.3 kVCNY17-4 160320 70 70 0.4 10/10 5.3 kV H11A1 50 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV H11A2 20 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV H11A3 20 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV H11A4 10 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV H11A5 30 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV MCT2 20 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV MCT210 150-- 3030 0.4 -- 5.3 kV MCT2200 20 -- 30 70 0.4 10/10 5.3 kV MCT2201 100--3070 0.4 10/10 5.3 kV MCT2202 63 -- 30 70 0.4 10/10 5.3 kV MCT271 45 90 30 70 0.4 7/7 5.3 kV MCT2E 20 -- 30 70 0.4--5.3 kVSL5500 50 300 30 30 0.4 20/50 5.3 kV SL5501 25 400 30300.4 20/50 5.3 kVSL5504 25 400 80 120 0.4 50/150 5.3 kV SL5511 25 -- 30 30 0.4 20/50 5.3 kV SL5583.W 40 320 50 70 0.4 20/50 5.3 kV TIL111 12.5-- 30700.4 10/105.3kV6 脚,光电耦合器 (6 Pin Optocouplers)---ALGAAs 输入,光电晶体管输出CTR @<10mA IF(%)Part Numbermin maxBVCEO(V)minBVECO(V)min tON/tOFF(us)max VISO AC[RMS] 1 min CNW82 40 -- 50 7 -- 5.9 kV CNW84 63 320 80 7 -- 5.9 kV CNX82A.W 40 250 50 7 -- 3.75 kV CNY17F-1 40 80 70 7 10/10 5.3 kV CNY17F-2 63 125 70 7 10/10 5.3 kV CNY17F-3 100 200 70 7 10/10 5.3 kV CNY17F-4 160 320 70 7 10/10 5.3 kV MOC8101 50 80 30 7 20/20 5.3 kV MOC8102 73 117 30 7 20/20 5.3 kV MOC8103 108 173 30720/205.3 kVMOC8104 160 256 30 7 20/20 5.3kV MOC8105 65 133 30 7 20/20 5.3kV MOC8106 50 150 70 -- -- 5.3kV MOC8107 100 300 70 -- -- 5.3kV MOC8108 250 600 70 -- -- 5.3kV MOC8111 20 -- 30 7 20/20 5.3kV MOC8112 50 -- 30 7 20/20 5.3kV MOC8113 100 -- 30 7 20/20 5.3kV SL5582.W 40 320 50 7 20/50 3.75kV 6 脚,光电耦合器 (6 Pin Optocouplers)---GaAs 输入,高电压光电晶体管输出CTR @<10 mAI F(%) PartNumber min max BV CEO(V)minBV CBO(V)minV CE(sat)(V)maxt ON/t OFF(us)maxV ISOAC[RMS]1 min4N3820--8080 1.0-- 5.3 kVH11D120--3003000.4-- 5.3 kVH11D220--3003000.4-- 5.3 kVH11D320--2002000.4-- 5.3 kVH11D410--2002000.4-- 5.3 kV MOC820420--4004000.4-- 5.3 kV MOC820510--4004000.4-- 5.3 kV MOC82065--4004000.4-- 5.3 kV6 脚,光电耦合器 (6 Pin Optocouplers)---GaAs 输入,光电复合>晶体管输出(达林顿管输出)CTR @<10 mA I F(%) Part Numbermin max BV CEO(V)minBV CBO(V)maxV CE(sat)(V)maxt ON/t OFF(us)maxV ISOAC[RMS]1 min4N29100--3030 1.05/40 5.3 kV 4N30100--3030 1.05/40 5.3 kV 4N3150--3030 1.25/40 5.3 kV 4N32500--3030 1.05/100 5.3 kV 4N33500--3030 1.05/100 5.3 kV CNX48U600--3030 1.0-- 5.3 kV H11B1500--2530 1.0-- 5.3 kV H11B2200--2530 1.0-- 5.3 kVH11B255 100 -- 55 55 1.0 -- 5.3 kV H11B3 100 -- 25 30 1.0 -- 5.3 kV MOC8080-M500--55551.0--7.5 kV6 脚,光电耦合器 (6 Pin Optocouplers)---GaAs 交流输入(双向输入),光电晶体管输出 CTR @ 10 mA I F (%) Part Number min max BV CEO (V) min BV CBO (V) min V CE (sat)(V) max t ON /t OFF (us) max V ISO AC[RMS] H11AA1 20 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV H11AA2 10 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV H11AA3 50 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV H11AA4100--30700.4--5.3 kV6 脚,光电耦合器 (6 Pin Optocouplers)---GaAs 输入,光电可控硅输出 Part Number I FT (mA)max V TM (V) max V DM (V) max I DM (uA) max I H (mA) max t ON /t OFF (us) max V ISO AC[RMS] 4N39 14 1.3 200 50 1 50/- 5.3 kV 4N40 14 1.3 400 150 1 50/- 5.3 kV H11C1 20 1.3 200 50 -- -- 5.3 kV H11C2 20 1.3 200 50 -- -- 5.3 kV H11C3 30 1.3 200 50 -- -- 5.3 kV H11C4 20 1.3 400 150 -- -- 5.3 kV H11C5 20 1.3 400 150 -- -- 5.3 kV H11C6301.3400150----5.3 kV6 脚,光电耦合器 施密特触发输出I FT(OFF)/I FT(ON)(mA) Part Numbermin max V CC (V) max t ON /t OFF (uS) max V OL (V) max I CCL (mA)max V ISO AC[RMS] 1 min H11L1 0.3 1.6 15 -- 0.4 5 5.3 kV H11L1 0.3 1.6 15 -- 0.4 5 5.3 kV H11L2 0.3 10 15 -- 0.4 5 5.3 kV H11L2 0.3 10 15 -- 0.4 5 5.3 kV H11L3 0.3 5 15 -- 0.4 5 5.3 kV MOC5007 0.3 1.6 15 4/4 0.4 5 5.3 kV MOC50080.34154/40.455.3 kVMOC50090.310154/40.45 5.3 kV6 脚,光电耦合器高耐压、非过零检测可控硅触发输出Part NumberI FT(mA)maxV TM(V)maxV DM(V)minI H(uA)typI RM(nA)maxV ISOAC[RMS]1 minMOC3010153250100100 5.3 kV MOC3011103250100100 5.3 kV MOC301253250100100 5.3 kV MOC3020303400100100 5.3 kV MOC3021153400100100 5.3 kV MOC3022103400100100 5.3 kV MOC302353400100100 5.3 kV MOC305115 2.5600280100 5.3 kV MOC305210 2.5600280100 5.3 kV6-Pin GaAs 输入,高耐压、过零检测可控硅触发输出(Zero-Crossing TRIAC Output)Part NumberI FT(mA)maxV TM(V)maxV DM(V)mindv/dt(V/us)minI DRM 1(nA)maxV ISOAC[RMS]MOC30311532501000100 5.3 kV MOC30321032501000100 5.3 kV MOC3033532501000100 5.3 kV MOC30411534001000100 5.3 kV MOC30421034001000100 5.3 kV MOC3043534001000100 5.3 kV MOC3061153600600500 5.3 kV MOC3062103600600500 5.3 kV MOC306353600600500 5.3 kV MOC3081153800600500 5.3 kV MOC3082103800600500 5.3 kV MOC308353800600500 5.3 kV MOC31621036001000100 5.3 kV MOC3163536001000100 5.3 kV8 脚,光电耦合器 1 Mbit/s 高速线性输出型号厂牌I F V OL V CC I OH I CCL t PLH/t PHL V ISO(规格) (mA) max (V)max (V)max (uA)max (uA)max (us) max AC[RMS] 6N135 FSC 16 0.415 0.5 40 1.5/1.5 2.5 kV 6N136 FSC 16 0.415 0.5 40 0.8/0.8 2.5 kV 6N136 TOSHIBA16 0.415 0.5 40 0.8/0.8 2.5kV CNW135 16 0.430 0.5 200 1.5/1.5 5.0 kV CNW136 16 0.430 0.5 2000.8/0.8 5.0 kV CNW4502 16 0.430 0.5 2000.8/0.8 5.0 kV HCPL-2503 16 0.415 0.5 40 0.8/0.8 2.5 kV HCPL-4502160.4150.5400.8/0.82.5 kV8 脚,光电耦合器 (8 Pin Optocouplers)--GaAsP 输入,双通道光电晶体管输出 CTR @ >10 mA I F (%) Part Number min max BV CEO (V) min BV ECO (V) min V CE (sat)(V) max t ON /t OFF (us) max V ISO AC[RMS] MCT6 20 -- 30 6 0.4 -- 2.5 kV MCT61 50 -- 30 6 0.4 -- 2.5 kV MCT62 100 -- 30 6 0.4 -- 2.5 kV MCT9001506005570.4--2.5 kV8 脚,光电耦合器 (8 Pin Optocouplers)--GaAsP 输入,10 Mbit/s 高速数字式输出8-脚封装 10 Mbit/s 高速数字式输出; GaAsP Input型号 (规格)厂牌I F(mA)V OL (V) max V (V)max t PLH /t PHL (us) max I OH(uA)max CM H /CM L(kV/us)V ISO AC[RMS] 6N137 TOSHIBA 5 0.6 7 0.075/0.075250-- 2.5kV 6N137 FSC 5 0.6 7 0.075/0.075250-- 2.5 kV HCPL-2601 FSC 5 0.6 7 0.075/0.0752501/1 2.5 kV HCPL-2611FSC50.670.075/0.0752503.5/3.52.5kV评论• 网易首页 • 网易博客搜索首页日志相册音乐收藏博友关于我公司简介- 联系方法- 招聘信息- 客户服务- 相关法律- 互动营销- 网易公司版权所有 ©1997-2009。
光耦开关电源电路图大全(光电耦合器可控精密稳压源)

光耦开关电源电路图大全(光电耦合器可控精密稳压源)光耦开关电源电路图(一)在开关电源中电源反馈隔离电路由光电耦合器如PC817以及并联稳压器TL431所组成,其典型应用如图3所示。
当输出电压发生波动时,经过电阻分压后得到取样电压与TL431中的2.5V带隙基准电压进行比较,在阴极上形成误差电压,使光耦合器件中的LED工作电流生产相应的变化,在通过光耦合器件去改变TOPSwitch控制端得电流大小,进而调节输出占空比,使Uo保持不变,达到稳压目的。
图3反馈回路中主要元件的作用及选择:R1R4R5主要作用是配合TL431和光耦合器件工作,其中R1为光耦的限流电阻,R4及R5为TL431的分压电阻,提供必须工作电流以完成对TL431保护。
光耦开关电源电路图(二)电源反馈隔离电路由光电耦合器PC817以及并联稳压器TL431 所组成,如图1所示,其中R2为光耦的限流电阻,R3 及R4 为TL431 的分压电阻,C1 作为频率补偿之用。
光电耦合器的限流电阻R2 可由下式求得式1其中 VF 为二极管的正向压降, IF 为二极管的电流。
若PC817 之耦合效率为η ,则所产生的集极电流IC 会与IF 之间关系式为:IC =η . IF式2此时反馈电压信号为:Vf =Ic .R1 式3输出电压Vo ,则由TL431内部2.5V之参考电压求得:光耦开关电源电路图(三)应用原理输出电压取样由R3与R4完成,TL431参考极接R3与R4之间,输出为5V时,TL431的参考极为2.5V,阴极电流稳定,当电源电压发生变化时,比如上升,则TL431参考极电压大于2.5V,则阴极电流增加,与此同时,光耦的LED电流增加,由于采用的是线性光耦,故光耦的输出电流也增加,TOP414G的C极电流增加后使得占空比降低,从而使得输出端电压降低,同时光耦的LED电流下降,当输出端电压降低到5V以下时,TL431参考极电压低于2.5V,阴极电流为0,光耦不工作,TOP414G的C无电流,他的占空比将上升以提高输出电压,由此实现负反馈稳压。
详解PC817光耦的重要参数——CTR值
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详解PC817光耦的重要参数——CTR值PC817是一种经典的光电耦合器,它是由一个发光二极管(LED)和一个光敏转换器(光敏三极管或光敏二极管)组成的。
CTR,即Current Transfer Ratio(电流传输比),是光耦器的重要参数之一、CTR表示输入光的强度和输出电流之间的比例关系,下面将详细解释PC817光耦的CTR值,并介绍其在电路设计中的影响因素和应用。
CTR值是光耦器的核心参数之一,定义为输出电流与输入光功率之比。
它表征了光电耦合器的敏感度和增益,即多少输入光能转换为输出电流。
通常,CTR值用百分比或以A/W(安培/瓦特)为单位表示。
CTR值受到多种因素影响,包括LED的发光强度、光电转换器的灵敏度和耦合效率等。
其中,LED发光强度与CTR值有较为直接的关系。
LED的发光强度取决于驱动电流和温度等因素,一般情况下,驱动电流越大,LED的发光强度越大,CTR值也会相应增大。
而温度的升高则会使LED的发光强度下降,从而降低CTR值。
另外,光电转换器的灵敏度和耦合效率也会影响CTR值。
CTR值的选择在电路设计中起到至关重要的作用。
首先,CTR值决定了光电转换器(如光敏三极管或光敏二极管)的输出电流大小。
在进行电路设计之前,我们需要确定所需的输出电流,然后根据CTR值来选择合适的光电转换器。
如果CTR值过低,需要更高的输入光功率才能得到所需的输出电流,这可能会导致其他问题,如功耗过高、噪声增加等。
因此,CTR值应选择适当的范围,既要满足输出电流要求,也要考虑功耗和噪声等因素。
其次,CTR值还影响光耦器的信号传输速度。
光电转换器的输出电流能够快速响应输入光的变化,而CTR值越大,输出电流变化就越快。
因此,在需要高速响应的应用中,通常选择CTR值较大的光耦器,以确保信号传输的速度和准确性。
此外,CTR值还与光隔离的效果有关。
光电转换器的输入光越强,输出电流越大,从而达到更好的光隔离效果。
光耦参数CTR的定义

光耦参数CTR的定义光耦是一种将光信号和电信号进行光电转换的器件,由光源、光纤和光接收端组成。
CTR是光耦参数中的一个重要指标,英文全称为Current Transfer Ratio,中文全称为电流传递比。
它是指光耦器件输入光功率和输出电流之间的转换关系,即光电转换效率。
CTR的计算方式为输出电流(Iout)除以输入光功率(Pin)。
这个参数通常以百分比形式表示,例如CTR为100%时,表示光耦器件将100%的输入光功率转化为输出电流。
CTR值越高,表示其光电转换效率越高。
CTR值的大小取决于多种因素,包括光源的光强度、光纤的传输损耗、光电器件的灵敏度等。
常见的光耦器件有光电三极管(Phototransistor)、光电二极管(Photodiode)等。
CTR的重要性在于它能够反映光耦器件的性能和性能稳定性。
一个优秀的光耦器件应该具备高CTR,以确保高光电转换效率。
CTR值的稳定性也是一个优秀光耦器件的重要指标,即CTR在长期使用或在不同环境下是否会发生明显变化。
在实际应用中,CTR的数值是重点考虑的因素之一、在设计和选择光耦器件时,需要根据具体的应用需求,合理选择CTR值。
例如,在高灵敏度的应用场景中,需要选择CTR值较高的光耦器件,以保证信号的传输质量和灵敏度。
而在大功率应用场景中,需要选择CTR值较低的光耦器件,以确保光耦器件的可靠性和稳定性。
此外,CTR的值还会受到其他因素的影响,例如温度、工作电压等。
在实际应用中,需要充分考虑这些因素,为光耦器件的设计和选择提供合理的参考。
总之,CTR是光耦器件的重要参数之一,它定义了输入光功率和输出电流之间的转换关系。
CTR的数值反映了光耦器件的光电转换效率和性能稳定性,对于合理设计和选择光耦器件具有重要意义。
在实际应用中,需要根据具体需求,合理选择CTR值,并考虑其他因素对CTR值的影响,以确保光耦器件的性能和可靠性。
详解光耦的重要参数—CTR值
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详解光耦的重要参数——CTR值CTR电流传输比(currenttransferratio):描述光耦控制特性的参数,即副边的输出电流(IO)与原边输入电流(IF)的百分比,传输比CTR=IO÷IF×100%。
CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
隔离电压:发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
集电极-发射极电压:集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性,在IF较小时的非线性失真尤为严重,因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度,特别是在传输小信号时,其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。
因此,它适合传输模拟电压或电流信号,能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~300%(如4N35),而pc817则为80%~160%,台湾亿光(如EL817)可达50%~600%。
这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。
因此,CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离,在设计电路时,必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器,目前在国内应用地十分普遍。
光电耦合器组成的开关电路及光电耦合器检测电路
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光电耦合器组成的开关电路及光电耦合器检测电路光电耦合器组成的开关电路光电耦合器检测电路光电耦合器 , 检测法XC2C64A-7VQ44I其电路符号如图1. 5.1所示。
光电耦合器是把发光二极管和光电三极管封装在一个管壳内构成的前面已介绍过,发光二极管是一种能将电能直接转换成光能的特殊二极管,加正向电压可发光;与发光二极管相反,光电管是一种能把光能转换成电能的半导体器件。
它包括光电二极管和光电三极管两大类。
光电二极管是由PN结和有聚光作用的透镜组成。
通常情况下,给PN结加反向偏置电压时,产生的反向饱和电流是很小的,但如果有光照射时,半导体电阻率会显著减小(光敏性),将激发产生光生载流子(电子空穴对),在反向电压作用下,光生载流子漂移通过PN结,使PN结由反向截止转换为反向导通。
光电三极管是具有两个PN结的光电器件。
它的工作原理与光咆二极管类似,只是它还利用了三极管的放大作用,因此灵敏度更高。
光电耦合器以发光二极管为输入端,光电三极管为输出端。
当输入端有电信号输入时(发光二极管加正向电压),发光二极管发光,光电三极管因受光照产生光电流,输出端就有电信号输出。
因此,光电耦合器是以光为媒介传输电信号的。
其特点是输入和输出之间实现了电绝缘。
使用光电耦合器时应注意以下几个参数:①隔离电阻:即发光二极管与光电三极管之间的绝缘电阻,一般在10~10Q之间。
②极间耐压:即发光二极管与光电三极管之间的耐压,一般在500V以上。
③最高工作频率:一般不超过lOOkHz。
光电耦合器主要用来实现微型计算机接口与各类控制对象之间的电气隔离,以增强抗干扰能力,提高系统工作的可靠性。
图1·5.2电路是用于耦合脉冲信号的应用电路。
当输入信号u,为低电平时,三极管VT截止,光电耦合器输入端的发光二极管无电流通过不发光,输出端光电三极管截止,输出电压口。
为低电平;当输入信号Vi为高电平时,三极管VT饱和导通,发光二极管发光,光电三极管产生光电流,输出电压u。
工程师必备 光耦的转换效率CTR
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工程师必备光耦的转换效率CTR什么是转换效率CTR?CTR电流传输比(currenttransferratio):描述光耦控制特性的参数,即副边的输出电流(IO)与原边输入电流(IF)的百分比,传输比CTR=IO÷IF×100%。
下图显示一个使用晶体管耦合器的普通线路。
如果LED电流IF运行至输入端,集电器电流IC将运行至输出端。
该电流传输比称为转换效率(CTR:电流传输比)通过(IC/IF)× 100(%)表示。
与晶体管的hFE一样,转换效率是晶体管耦合器一个重要的参数。
1、CTR:电流传输比,是指发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值2、Isolation Voltage:隔离电压,是指发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值3、Collector-Emitter Voltage:集电极-发射极电压,是指集电极-发射极之间的耐压值的最小值驱动电流一般在2~20mA对普通光耦来说,一般不提输入电阻。
因为光耦的输入端实际上就是一个发光二极管,当给此二极管加上正向3V~24V的直流电压后(当然千万不能忘了串入一只合适的限流电阻),输出端的导通电阻就会从无穷大变到只有几十欧姆。
可以这么说,输入端的驱动电流决定输出端的导通电阻。
但一般当驱动电流大于5mA后输出端的导通电阻基本上已经达到饱和,所以一般都是根据不同的驱动电压通过调整限流电阻的阻值将驱动电流控制在5mA左右。
普通光耦输出端的带负载能力一般在100mA左右。
1、要是发光管没有电流,那么光敏三极管处于截至状态;2、要是发光管有电流,那么根据电流传输比计算,三极管会流过一个电流;3、假设Ic=1mA;那么如果Vc/Rc=1mA,那么三极管基本上进入饱和导通状态;如果Vc/Rc=0.5mA,那么三极管肯定进入了饱和导通状态;如果Vc/Rc=2mA,那么三极管进入了放大状态;当然这是一个大体上的计算方法;还要考虑到Vce的值;但是因为同样的一种型号一个批次的光耦,它们的电流传输比离散性很大,所以大体上推算一下即可;实际上的光耦的上拉电阻的选值,要根据Ib、电流传输比、Vcc来大体上推算一下,然后根据工程情况而定;如果是传递开关量信号,那么,进入深度饱和就可以了;如果是要传送频率的信号,那么,要仔细的选择Ib和Rc,找到一个最合适的参数;光耦的电流传输比CTR,是指光耦输出电流与输入电流之比,也可以叫作光耦的放大倍数、或增益、或传输斜率。
详解光耦的重要参数——CTR值

详解光耦的重要参数——CTR值CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
隔离电压:发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压 V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
集电极-发射极电压:集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的 CTR-IF特性曲线呈非线性,在IF较小时的非线性失真尤为严重,因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度,特别是在传输小信号时,其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。
因此,它适合传输模拟电压或电流信号,能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~300%(如4N35),而pc817则为80%~160%,台湾亿光(如EL817)可达 50%~600%。
这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。
因此,CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离,在设计电路时,必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器,目前在国内应用地十分普遍。
鉴于此类光耦合器呈现开关特性,其线性度差,适宜传输数字信号(高、低电平),可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。
在开关电源的隔离中,以及设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数,除了必须遵循普通光耦的选取原则外,还必须遵循下列原则:1、推荐采用线性光耦合器,其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整2、光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%~200%。
光耦开关应用电路的设计方法

光耦开关应用电路的设计方法摘要本文详细说明光耦在开关应用中的基本原则和方法。
并给出光耦寿命评估方法和评估工具。
关键词光耦寿命老化内容光耦设计中,最让人头痛的是随着工作时间的推移,CTR会逐渐下降,超出了设计时的最小规定值,使电路工作不正常。
甚至LED完全老化,光耦丧失基本功能。
业界通常以CTR下降到标称值的30%或者50%为光耦失效标准。
决定CTR的关键因素有:LED 光输出量(LOP),三极管的Hfe(放大倍数),温度,LED电流,元件结构。
长时间工作造成CTR下降最主要的原因是LED的光输出功率(light output power)的衰减。
发光功率衰减的重要原因是热应力。
如很高环境温度和较大的正向LED电流。
可以设想有这样一个函数⊿CTR=F(Ta, IF, t)。
其中⊿CTR是CTR的下降量;Ta是工作环境;IF是LED的电流,t是工作时间,最大的t就是寿命。
1. IF的确定假定已知有一个参照系统S_r,其试验条件:LED的通态电流为IF_t,温度Ta_t条件下,LOP每年下降m(假设m=10% 。
有HCNW136实验基础,本文从略. 但是根据线型光耦HCNR201的实验结果,CTR不是按照线型规律下降。
看来这个还需要做通用光耦的CTR老化实验。
本文仍然假定为通用光耦的CTR按照线型规律下降)。
而实际设计的系统S_d中IF=5mA,温度Ta=70℃条件下,根据相关公式可以得出加速因子A.(具体推导本文从略)。
以我司最常见的通用光耦PS2701-1-V-F3-A/P为例,该光耦的最小工作电流IFmin=1mA. 对应的最小发光量为LOP0;假定LOP近似和IF成正比。
可知,本系统中光耦能够工作条件下允许最大CTR下降程度为:ΔCTR_inh=(IF-IFmin)/IF=80% ;假如设计中允许的ΔCTR_sys为50%,则在参照系统S_r条件下,该光耦可以工作ΔCTR_sys/m =5年。
光电耦合器电路图大全(可控硅稳压电路隔离耦合电路详解)

光电耦合器电路图大全(可控硅稳压电路隔离耦合电路详解)光电耦合器的工作原理光电耦合器是一种把红外光发射器件和红外光接受器件以及信号处理电路等封装在同一管座内的器件。
当输入电信号加到输入端发光器件LED上,LED发光,光接受器件接受光信号并转换成电信号,然后将电信号直接输出,或者将电信号放大处理成标准数字电平输出,这样就实现了“电-光-电”的转换及传输,光是传输的媒介,因而输入端与输出端在电气上是绝缘的,也称为电隔离。
光电耦合器,是近几年发展起来的一种半导体光电器件,由于它具有体积小、寿命长、抗干扰能力强、工作温度宽及无触点输入与输出在电气上完全隔离等特点,被广泛地应用在电子技术领域及工业自动控制领域中,它可以代替继电器、变压器、斩波器等,而用于隔离电路、开关电路、数模转换、逻辑电路、过流保护、长线传输、高压控制及电平匹配等。
光电耦合器电路图(一)开关电路对于开关电路,往往要求控制电路和开关电路之间要有很好的电隔离,这对于一般的电子开关来说是很难做到的,但采用光电耦合器就很容易实现了。
图中(a)所示电路就是用光电耦合器组成的简单开关电路。
在图中,当无脉冲信号输入时,三极管BG处于截止状态,发光二极管无电流流过不发光,则a、b两端电阻非常大,相当于开关“断开”。
当输入端加有脉冲信号时,BG导通,发光二极管发光,则a、b两端电阻变得很小,相当于开关“接通”。
故称无信号时开关不通,为常开状态。
图46—4中(b)所示电路则为“带闭”状态,因为无信号输入时,虽BG截止,但发光二极管有电流通过而发光,使a、b图46-4两端处于导通状态,相当于开关“接通”。
当有信号输入时,BG 导通,由于BG的集电结压降在0.3V以下,远小于发光二极管的正向导通电压,所以发光二极管无电流流过不发光,则a、b两端电阻极大,相当于开关“断开”,故称“常闭”式。
可见,开关a、b端在电路中不受电位高低的限制,但在使用中应满足a端电位为正,b端为负,并使Uab>3V为好,同时还应注意Uab应小于光电三极管的BVceo。
详解光耦的重要参数—CTR值

详解光耦的重要参数——CTR值CTR电流传输比(currenttransferratio):描述光耦控制特性的参数,即副边的输出电流(IO)与原边输入电流(IF)的百分比,传输比CTR=IO÷IF×100%。
CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
隔离电压:发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
集电极-发射极电压:集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性,在IF较小时的非线性失真尤为严重,因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度,特别是在传输小信号时,其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。
因此,它适合传输模拟电压或电流信号,能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~300%(如4N35),而pc817则为80%~160%,台湾亿光(如EL817)可达50%~600%。
这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。
因此,CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离,在设计电路时,必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器,目前在国内应用地十分普遍。
部品规格书光耦
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XXXXXXX有限公司部品规格书1.适用范围: 适合于816系列光电耦合器。
一. 外型尺寸图:1.LTV-816光耦尺寸图:二. 光耦实物图:三. 测试电路图:四. 输出波形图:五.光电特性:CTR=I C/I F X100% 六. 传输特性:七. 光耦检测项目:1.包装标识:供应商应具有生产厂家的代理资格证书及相关质量保证书,内外包装应防静电、防潮、密封,标识清楚,外箱包装具备下述内容:a. 名牌商标b. 型号规格c. CTR 范围代码d. 封装地e. 数量f. 制造年月、批号2. 外观:元件本体商标、型号、CTR范围代码、批号应与外包装相符,表面不应该有锈蚀、裂痕和其它损伤,形状规则大小统一,管脚分布整齐光洁,刻字圆点(表示第一脚)清楚,耐清洗剂清洗。
3. 尺寸:符合供货方提供的我公司认可的尺寸要求。
(游标卡尺)4. 可焊性:各管脚需有良好的可焊性,光亮易锡(30W 烙铁Φ 0.6锡丝)5.电性能:6. 万用表检测光电耦合器:6.1 用RX100(或者RX1K)档测量发射管的正、反向电阻,检测单向导电性。
6.2 分别测量接收管的集电结与发射结的正、反向电阻,均应单向导电,然后测量穿透电流Iceo 应等于零。
6.3 用RX10K 档检查发射管与接收管的绝缘电阻应为无穷大。
有条件者最好选兆欧表实测绝缘电阻值,但兆欧表的额定电压不得超过光电耦合器的绝缘电压V DC 值,测量时间不超过一分钟。
6.4 光电耦合器的输入端和输出端之间是绝缘的,绝缘电阻根据封装形式有差异,一般大于1010,耐压超过1KV 。
7. 半导体特性图示仪检测:注:X 轴:0.2V/格,Y 轴:5mA/格。
测试输入端正向电压V F =1.2V ,反向耐压V R =6V 输出端电压V CEO =80V , V ECO =6V8. 耐压测试:输入端两脚短接,输出端两脚短接后,输入与输出端打耐压5KV、1mA 、1min9. 盐雾试验:检测光耦管脚是否生锈。
TCRT5000的中文电路图资料 珍贵资料
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TCRT5000
TCRT5000光电传感器模块是基于TCRT5000红外光电传感器设计的一款红外反射式光电开关。
传感器采用高发射功率红外光电二极管和高灵敏度光电晶体管组成,输出信号经施密特电路整形,稳定可靠。
应用场合:
1.电度表脉冲数据采样
2.传真机碎纸机纸张检测
3.障碍检测
4.黑白线检测
基本参数:
1.外形尺寸:长 32mm~37 mm;宽 7.5mm;厚 2mm
2.工作电压: DC 3V~5.5V,推荐工作电压为5V
3.检测距离: 1mm~8mm适用,焦点距离为2.5mm
模块原理和应用
电路原理图:
图 1 TCRT5000传感器模块电路原理图
传感器的红外发射二极管不断发射红外线,当发射出的红外线没有被反射回来或被反射回来但强度不够大时,光敏三极管一直处于关断状态,此时模块的输出端为低电平,指示二极管一直处于熄灭状态;被检测物体出现在检测范围内时,红外线被反射回来且强度足够大,光敏三极管饱和,此时模块的输出端为高电平,指示二极管被点亮。
1:注U1为比较器,常用的可以选
LM358,LM324,LM393,LM339等一系列比较器!。