首尔半导体SZ5-M1

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首尔半导体 全光谱

首尔半导体 全光谱

首尔半导体全光谱1.引言首尔半导体全光谱1.1 概述随着科技的发展和进步,全光谱技术作为一种新兴的技术正在逐渐崭露头角。

首尔半导体公司作为行业的领军者,致力于推动和应用全光谱技术在各个领域的发展。

全光谱技术是一种通过捕捉和处理所有可见光和红外线光谱的技术。

与传统的光谱技术相比,全光谱技术能够更加全面地捕捉和分析光谱信息,从而提供更准确、更全面的数据。

这使得全光谱技术在许多不同领域的应用都变得可能和有价值。

在医疗行业,全光谱技术可以用于癌症的早期检测和诊断。

通过分析人体发射的各种光谱信息,可以快速、准确地判断是否存在异常情况。

同时,全光谱技术还可以在农业领域发挥重要作用。

例如,通过监测作物叶片的光谱反射值,可以评估植物的生长状况、营养水平和病虫害情况,从而帮助农民更好地管理自己的农田。

此外,全光谱技术还可以应用于环境监测领域。

通过监测大气、水体或土壤的光谱信息,可以及时了解环境的污染程度和变化趋势,从而采取相应的措施来保护环境。

再比如,在安防领域,全光谱技术可以用于人脸识别,通过分析人脸的光谱信息,可以更准确地辨别出人脸的特征,提升安防的精准度和效果。

总之,全光谱技术作为一种前沿的技术手段,具有广泛的应用前景和潜力。

首尔半导体公司以其领先的研发实力和创新能力,致力于推动全光谱技术在各个行业的应用和发展,为我们的生活带来更多的便利和进步。

接下来的文章将对首尔半导体公司的介绍和全光谱技术的应用进行详细探讨。

1.2 文章结构文章结构部分的内容可以按照以下方式进行编写:第2部分正文:2.1 首尔半导体公司介绍在这一部分中,将对首尔半导体公司进行详细介绍。

包括公司的背景信息、发展历程和目前的地位。

重点介绍公司在半导体行业的专长和核心技术,以及其在市场竞争中的优势。

2.2 全光谱技术的应用该部分将深入探讨全光谱技术在不同领域的应用。

首先,对全光谱技术的基本原理进行简要介绍,解释全光谱技术在光谱分析中的作用和优势。

TH01韩国ADS一键触摸按键IC

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TH01(1-CH Differential Sensitivity Calibration Capacitive Touch Sensor) 1Specification1.1General featuresTH01 SOT-26 (Drawings not to scale)® TH01 (1-CH Differential Sensitivity Calibration Capacitive Touch Sensor)ADSemiconductor Confidential 2/132 Pin Description (SOT-26)PIN NumberName I/ODescription Protection1 OUTPUT Digital OutputTouch detect output VDD/GND 2VDDPowerPower (2.5V ~ 5.0V) GND 3 SYNCAnalogInput/OutputSelf operation signal outputPeripheral operation signal input Sensitivity selection input [Note1]VDD/GND 4 CS Analog Input Capacitive sensor input VDD/GND 5 GND Ground Supply ground VDD6 CR Analog Input Reference capacitive sensor inputfor differential sensitivity calibration and initial touch detect [Note2]VDD/GNDNote1 : Refer to chapter 6.3, 6.4 SYNC implementationNote2 : Touch during reset time can be detected by differential detect method of TH013 Absolute Maximum RatingSupply voltage 5.5 V Maximum voltage on any pin VDD+0.3 V Maximum current on any PAD 100mA Continuous power Dissipation 200mW Storage Temperature -50 ~ 150℃ Operating Temperature -20 ~ 75℃ Junction Temperature 150℃Note3 : Unless any other command is noted, all above are operated in normal temperature.4 ESD & Latch-up Characteristics4.1 ESD characteristicsMode Polarity Minimum LevelReference 8000V VDD 8000V VSS H.B.MPos / Neg8000V P to P 500V VDD 500V VSS M.M Pos / Neg 500V P to P C.D.MPos / Neg800VDIRECT4.2 Latch-up characteristicsMode PolarityMinimum Level Test Step Positive 25mA ~ 100mA I TestNegative -25mA ~ -100mA25mA V supply over 5.0VPositive1V ~ 7.5V0.51.0V® TH01 (1-CH Differential Sensitivity Calibration Capacitive Touch Sensor)ADSemiconductor Confidential 3/135 Electrical Characteristics▪ V DD =3.3V (Unless otherwise noted), T A = 25℃Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Units Operating supply voltage V DD2.53.3 5.0 V V DD = 3.3V - 15 25 Current consumptionI DDV DD = 5.0V- 30 50 ㎂ Output maximum sinkcurrentI OUTT A = 25℃ - - 4.0㎃ Internal reset criterionV DD voltage V DD_RST T A = 25℃- - 0.3∙V DDVSense inputcapacitance range[Note4]C S --100Reference inputcapacitance range[Note5]C R - - 100 ㎊Sense (Reference) inputresistance range R S , R R- 200 1000 Ω Minimum detectablecapacitance variation ΔC S C S = 10pF0.2 - - ㎊ΔC S > 0.2pF - 12 -Output impedance (open drain) Zo ΔC S < 0.2pF - 30M - ΩSelf calibration time after V DD settingT CAL - 200 - ms Maximum supply voltagerising time T R_VDD - - 100 ms Recommended sync resistance range R SYNC1220MΩNote 4:The sensitivity can be increased with lower C S value.The recommended value of C S is different from each other application. 10pF is recommended when using 3T PC(Poly Carbonate) cover and 10㎜ x 7㎜ touch pattern used.Note 5: Recommended C R value is C S_TOT +ΔC S /2 – C R_PARA < C R <C S_TOT +ΔC S - C R_PARA forproper initial touch detect. Large C R value makes initial touch invalid, and small C R value can cause abnormal initial touch detect.- C S_TOT is the sum of C S and parasitic capacitance at CS pin (C S_PARA ). - ΔC S is the capacitance variation made by correct touch.TH01(1-CH Differential Sensitivity Calibration Capacitive Touch Sensor) 6TH01 ImplementationTH01(1-CH Differential Sensitivity Calibration Capacitive Touch Sensor) 6.2CS and CR implementationR SCCTH01(1-CH Differential Sensitivity Calibration Capacitive Touch Sensor)Sensitivity example figure of TH01 (when normal sensitivity selection selected) 6.3 SYNC implementationSYNCTH01(1-CH Differential Sensitivity Calibration Capacitive Touch Sensor) 6.4SYNC implementation for sensitivity selection.VDD SYNC<<TH01(1-CH Differential Sensitivity Calibration Capacitive Touch Sensor)7Recommended Circuit DiagramThe values of C S and C R depend on sensor pattern and peripheral condition. The C R should be bigger than C S_TOT. (See 6.2 CS and CR implementation, C S_TOT+ΔC S/2 <C R+C PARA< C S_TOT +ΔC S) The C S pattern should be routed as short as possible and the width of line might be about 0.25mm. The SYNC pin should be connected to R SYNC (or VDD, GND). (See 6.3, 6.4 SYNC pin implementation chapters)From two TH01 to ten TH01 (or other TS series touch sensor) can work on the one application at the same time thanks to SYNC function.(Refer to chapter 6.3)The capacitor that is between VDD and GND is optional. It should be placed as close as possible from TH01.® TH01 (1-CH Differential Sensitivity Calibration Capacitive Touch Sensor)ADSemiconductor Confidential 9/137.2 Application example (Normal Touch Sensor application)Refer to 7.1 Application example (Capacitive Hall Sensor application).® TH01 (1-CH Differential Sensitivity Calibration Capacitive Touch Sensor)ADSemiconductor Confidential 10/137.3Example - Power Line Split StrategyA. Not split power line (Bad power line design)The noise that is generated by power load or relay can be loaded at Sensor IC power line. A big inductance might be appeared in the case of connection line between power board and display board is too long, moreover the voltage ripple could be generated by digital load such as LED (LCD) display driver on V DD line.B. Split power line (One V DD regulator used) – RecommendedC. Split power line (Separated V DD regulator used) – Strongly recommendedTH01(1-CH Differential Sensitivity Calibration Capacitive Touch Sensor) 8PACKAGE DESCRIPTIONTH01(1-CH Differential Sensitivity Calibration Capacitive Touch Sensor) NOTE:1. Dimensions and tolerances are as per ANSI Y14.5, 1982.2. Package surface to be matte finish VDI 11 ~ 13.® TH01 (1-CH Differential Sensitivity Calibration Capacitive Touch Sensor)ADSemiconductor Confidential 13/13NOTES:LIFE SUPPORT POLICYAD SEMICONDUCTOR’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT AND GENERAL COUNSEL OF AD SEMICONDUCTOR CORPORATIONThe ADS logo is a registered trademark of ADSemiconductorⓒ 2006 ADSemiconductor – All Rights Reserved www.adsemicon.co.kr。

半导体刻蚀设备龙头股(具体)

半导体刻蚀设备龙头股(具体)

半导体刻蚀设备龙头股(具体)半导体刻蚀设备龙头股以下是半导体刻蚀设备领域的龙头股:__北方华创(002371):公司从事电子工艺装备和电子元器件的研发、制造、销售。

北方华创是国家科技重大专项“24纳米工艺高纯度化学机械抛光液”的承担单位,掌握着国际先进的集成电路和显示面板等关键设备的研发和生产技术。

__芯原股份(688520):公司致力于为优质软件公司提供自主研发的软件许可授权,为客户提供芯片定制开发服务,同时依托于自身投资平台开展股权投资。

__拓荆科技(688072):公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售。

公司的主要产品为半导体薄膜设备,包括物理法等薄膜设备、化学法等薄膜设备及其他薄膜设备,产品与服务涵盖半导体薄膜设备领域。

__极米科技(688616):公司专注于智能娱乐方向的发展,主营业务是智能投影产品的研发、生产和销售。

请注意,以上信息仅供参考,投资有风险,入市请谨慎。

半导体加锂电龙头股半导体+锂电两大龙头股的股票是【多氟多】。

此外,还有其他符合条件的股票,如【雅化集团】(现价15.61,资金流入),【立中集团】(现价12.01,资金流入),【中国宝安】(现价9.18,资金流入)等。

半导体及元件龙头股以下是半导体及元件的龙头股:1.歌尔股份:公司集产品研发、制造、销售于一体,从事微型电声产品和半导体器件的研发、生产和销售,主要产品包括无线耳机、有线耳机、智能穿戴、扬声器、微电子电路、光电子器件、半导体精密塑封封装与精密结构件等。

2.韦尔股份:公司专注于半导体器件和半导体解决方案,主要产品包括半导体分立器件、电源及采样电路、被动元件、光电子器件、半导体解决方案等。

3.斯达半导:公司聚焦于光伏和储能领域,主要产品包括第一代IGBT产品、第二代IGBT产品、超级周功率芯片产品等。

4.华润微:公司是我国领先的功率半导体企业之一,主要产品包括功率器件、特种半导体产品、晶圆代工及GaN电力电子器件及芯片等。

首尔半导体 SZ5-M2-WW-C8 博泰铭光电代理

首尔半导体 SZ5-M2-WW-C8 博泰铭光电代理

Rev2.1
2

SZ5-M2-WX-XX - High-power LED
Performance Characteristics
Table 2. Product Selection Guide
Min. Luminous Flux [2] ФV [3] [lm] @ 350mA Flux [lm] @85 °C 135 144 153 135 144 153 104 114 123 114 123 135 104 114 123 Flux [lm] @25 °C 150 160 170 150 160 170 118.5 130 140 130 140 150 118.5 130 140 Min. Luminous Flux [2] ФV [3] [lm] @ 85 °C CRI [4], Ra
Rev2.1
4

SZ5-M2-WX-XX - High-power LED
Characteristics Graph
Fig 1. Color Spectrum, Tj=25℃
1.25
Relative Radiant Power [%]
1.00
Cool CRI70 Neutral CRI70 Warm CRI80 Neutral CRI80 Warm CRI70
Rev2.1
3

SZ5-M2-WX-XX - High-power LED
Performance Characteristics
Table 3. Absolute Maximum Ratings
Value Parameter Forward Current [1] Peak Pulsed Forward Current Reverse Voltage Power Dissipation Forward Voltage (@700mA, 85ºC) Junction Temperature Operating Temperature Storage Temperature Viewing angle Thermal resistance (J to S) [3] ESD Sensitivity(HBM) [4]

3R3-大电流电感

3R3-大电流电感

Applications•Voltage Regulator Module (VRM)•Multi-phase regulators •Point-of-load modules•Desktop and server VRMs and EVRDs •Base station equipment •Notebook regulators •Battery power systems •Graphics cards•Data networking and storage systemsEnvironmental Data•Storage temperature range:-55°C to +125 °C •Operating temperature range:-55°C to +125°C (ambient plus self-temperature rise)•Solder reflow temperature:J-STD-020D compliantPackaging•Supplied in tape and reel packaging,1,500 parts per 13”diameter reelDescription•Halogen Free•125°C maximum total temperature operation•7.4 x 7.0 x 3.0mm maximum surface mount package •Powder iron core material •Magnetically shielded,low EMI•High current carrying capacity,Low core losses •Inductance range from 0.15μH to 10.0μH •Current range from 3.2 to 52 Amps •RoHS compliantHigh Current,Power InductorsHCM0703 SeriesSMD Device1Open Circuit Inductance (OCL) Test Parameters:100kHz,0.25V rms ,0.0Adc,@ +20°C.2Full Load Inductance (FLL) Test Parameters:100kHz,0.25V rms ,I sat @ +20°C.3I rms :DC current for an approximate temperature rise of 40°C without core loss.Derating is necessary for AC currents.PCB layout,trace thickness and width,air-flow and proximity of other heat generating components will affect the temperature rise.It is recommended that thetemperature of the part not exceed 125°C under worst case operating conditions verified in the end application.4I sat :Peak current for approximately 20% rolloff at +20°C.5K-factor:Used to determine B p-p for core loss (see graph).B p-p = K *L *ΔI.B p-p (Gauss),K:(K-factor from table),L:(inductance in μH),ΔI (peak-to-peak ripple current in amps).6Part Number Definition:HCM0703-xxx-R • HCM0703 = Product code and size• xxx= Inductance value in μH,R = decimal point,If no R is present then 3rd digit equals number of zeros.• “-R”suffix = RoHS compliantProduct SpecificationsPartOCL 1(μH)FLL min,2I rms 3I sat 4 @ 20°C DCR (m Ω) @ 20°C DCR (m Ω) @ 20°CNumber 6±20%(μH)(Amps)(Amps)(Typical)(Maximum)K-factor 5HCM0703-R15-R 0.150.0926.052.0 1.90 2.501610.3HCM0703-R22-R 0.220.1323.040.0 2.50 2.80615.4HCM0703-R47-R 0.470.2817.526.0 4.00 4.20430.2HCM0703-R68-R 0.680.4115.525.0 5.00 5.50367.4HCM0703-R82-R 0.820.4913.024.0 6.708.00286.2HCM0703-1R0-R 1.000.6011.022.09.0010.0259.7HCM0703-1R5-R 1.500.909.0018.014.015.0175.7HCM0703-2R2-R 2.20 1.328.0014.018.020.0163.6HCM0703-3R3-R 3.30 1.98 6.0013.528.030.0158.2HCM0703-4R7-R 4.70 2.82 5.5010.037.040.0118.1HCM0703-6R8-R 6.80 4.08 4.508.0054.060.0106.8HCM0703-8R2-R 8.20 4.92 4.007.5064.068.095.3HCM0703-100-R10.06.003.207.0070.577.681.2D i m e n s i o n s-m mTemperature Rise vs.Total LossThe only controlled copy of this Data Sheet is the electronic read-only version located on the Cooper Bussmann Network Drive. All other copies of this document are by definition uncon-trolled. This bulletin is intended to clearly present comprehensive product data and provide technical information that will help the end user with design applications. Cooper Bussmann reserves the right, without notice, to change design or construction of any products and to discontinue or limit distribution of any products. Cooper Bussmann also reserves the right to change or update, without notice, any technical information contained in this bulletin. Once a product has been selected, it should be tested by the user in all possible applications.Life Support Policy: Cooper Bussmann does not authorize the use of any of its products for use in life support devices or systems without the express written approval of an officer of the Company. Life support systems are devices which support or sustain life, and whose failure to perform, when properly used in accordance with instructions for use provided in the label-ing, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.North AmericaCooper Electronic Technologies 1225 Broken Sound Parkway NW Suite FBoca Raton, FL 33487-3533Tel: 1-561-998-4100Fax: 1-561-241-6640Toll Free: 1-888-414-2645Cooper Bussmann P .O. Box 14460St. Louis, MO 63178-4460Tel: 1-636-394-2877Fax: 1-636-527-1607EuropeCooper Electronic Technologies Cooper (UK) Limited Burton-on-the-WoldsLeicestershire • LE12 5TH UK Tel: +44 (0) 1509 882 737Fax: +44 (0) 1509 882 786Cooper Electronic Technologies Avda. Santa Eulalia, 29008223Terrassa, (Barcelona), Spain Tel: +34 937 362 812+34 937 362 813Fax: +34 937 362 719Asia PacificCooper Electronic Technologies 1 Jalan Kilang Timor#06-01 Pacific Tech Centre Singapore 159303Tel: +65 278 6151Fax: +65 270 4160Solder Reflow Profile。

瑞能半导体科技股份有限公司产品选择指南说明书

瑞能半导体科技股份有限公司产品选择指南说明书

PRODUCT SELECTION GUIDEWeEn SemiconductorsEV CHARGERTELECOM POWERSOLAR INVERTERHOME APPLIANCEMOTOR CONTROL瑞能半导体科技股份有限公司,源自恩智浦半导体标准产品事业部,注册于2015年8月5号,运营中心落户上海,全资子公司和分支机构包括吉林芯片生产基地、上海和英国产品及研发中心、香港物流中心以及遍布全球其他国家的销售和客户服务点。

作为全球功率半导体行业的佼佼者,瑞能始终专注于研发行业领先、广泛且深入的双极功率半导体产品组合,包括:碳化硅二极管,可控硅整流器和三端双向可控硅、功率二极管、高压晶体管等。

产品广泛应用于电信、计算机、消费类电子产品、智能家电、照明、汽车和电源管理应用等市场领域。

自诞生以来,瑞能已走过逾 50 年辉煌历程,作为全球功率半导体行业的佼佼者, 我们的目标是帮助客户提高成本效益和生产效率,促进中国及全球智能制造行业的发展。

19691980s2000s20062020201520132009High Voltage Transistors (HVT)Fast, Ultrafast & Hyperfast Power DiodesBipolar 4-Quadrant TriacsBipolar 3-Quadrant Hi-Com TriacsHyperfast diodes Triac & SCR Planar Technology PlatformACT & ACTT Platform (AC Switch), Casco DiodesTemperature & Overload Protected Triac (TOPTriac)Automotive SiC Standard Power Diodes Automotive SCRs 1600V Planar SCRsSilicon Carbide DiodesEnhanced E ciency Pt Planar diodes (EEPP)Generation 2: Schottky Barrier Diodes High Voltage SCRsSuper Advanced Best E ciency Rectifier Diodes (SABER)Generation 1: Schottky Barrier DiodesWeEn Semiconductors:Span o from NXP, Over 50-Y ears Leading Experience in PowerWeEn Semiconductors Co., Ltd, span o from NXP, registered on Aug 5, 2015 .The operational headquarters locates in Shanghai and the company’s wholly-owned subsidiaries and branches include: the front-end fabrication in Jilin, north east China, the warehouse and distribution center in Hong Kong and research & development centers in Shanghai and Manchester, UK. WeEn also has sales o ces set up and customer service access throughout the world. As a key player in the semiconductor industry, WeEn has focused on developing a large portfolio of industry-leading bipolar power products including thyristors (i.e. silicon controlled rectifiers and triacs), silicon power diodes and high voltage transistors. Addition-ally, WeEn has developed a state-of-the-art portfolio of silicon carbide diodes and power Schottky diodes as well as making available a number of AECQ products. All these products are widely used in the markets for telecommunications, computers, consumer electronics, intelligent home appliances, lighting, automotive and power management applications.With over 50 years of design and manufacture experience, WeEn helps to drive up e ciency in your designs and to contribute to the development of China and global intelligent manufacturing.aim is to help our customers achieve higher cost e ciency and production e ciency and to contribute to the development of China and global intelligent manufacturing.AC Thyristor Triacs / AC ThyristorsAC Thyristor TriacsAC ThyristorsTemperature and Overload Protected Triacs (Toptriac)3Q Hi-com Triacs (0.8A - 45A)4Q Triacs (0.6A - 45A)Silicon Controlled Rectifiers (0.8A - 126A)Power DiodesHyperfast Power Diodes1200V Planar Hyperfast Power DiodesPower DiodesUltrafast Power DiodesSiC Schottky DiodePower Schottky Diodes600V - 1600V Standard Power DiodesPower Diode BridgePower Diode ModuleWeEn High Voltage 1600V SCRs1600V/50A & 1600V/80A, Planar PassivatedWeEn 30A Hi-Com TM TriacsDFN 8x8 PackageWeEn Silicon Carbide Junction Barrier Schottky (JBS) 650V and 1200V SeriesWeEn Products for EV On Board ChargerWeEn Products in Smart HomeCertificationsWeEn Nanchang Reliability & Failure Analysis Laboratory 040506070809101112131415161718193CONTENTS(3Q Hi-Com power switches, overvoltage protection)AC Thyristor Triacs / AC ThyristorsAC Thyristor TriacsTemperature and Overload Protected Triacs (Toptriac)2Q Hi-Com power switches, exclusive negative gate triggering, over-temperature protectionAC Thyristor Triacs part numbering AC Thyristors part numbering(2Q Hi-Com power switches, exclusive negative gate triggering, ’Common’ mounting base, overvoltage protection)AC ThyristorsI GT key: C = 35 mA; C0 = 5 - 30 mA; E = 10 mAT : high T j (max) 150 °C N: Enhanced Dynamic PerformanceI GT key: D = 5 mA; E = 10 mAI GT key:C0 = 5 - 35mATypes in bold red italic represent products in development4Types in bold red represent new productsHi-Com Triacs (0.8A - 45A)3Q5I key:* High I TSM **: Enhanced immunity to false triggering T: high T j (max) 150CD = 5mA (10mA in 3+);E = 10mA (25mA in 3+);F = 25mA (70mA in 3+); - = 35mA (70mA in 3+);G = 50mA (100mA in 3+); G0 = 50mA (100mA in 3+), 10mA min4Q Triacs(0.6A - 45A)4Q Triacs part numbering6Silicon Controlled Rectifiers(0.8A - 126A)Silicon Controlled Rectifiers part numberinghigh I TSM ** Hi-Com / fast turn-off T: high T j (max) 150 A: Automotive quali ed AEC-Q101°CTypes in bold red represent new productsTypes in bold red italic represent products in development7Hyperfast Power Diodes1200V Planar Hyperfast Power DiodesTypes in bold red represent new productsTypes in bold red italic represent products in development8Types in bold red italic represent products in development9SOD113(2-pin SOT186A)SOT429(3-pin TO247)NXPSC04650X NXPSC06650X SiC Schottky Diode650V SiC Schottky Diode• Highly stable switching performance • High forward surge capability IFSM • Extremely fast reverse recovery time• Superior in ef ciency to Silicon Diode alternatives • Reduced losses in associated MOSFET • Reduced EMI• Reduced cooling requirements • RoHS compliantI n t h e S p o t l i g h t Types in bold red italic represent products in development1200V SiC Schottky Diode• Highly stable switching performance • High forward surge capability IFSM • Extremely fast reverse recovery time• Superior in ef ciency to Silicon Diode alternatives • Reduced losses in associated MOSFET • Reduced EMI• Reduced cooling requirements • RoHS compliant• High junction operating temperature capability (T j(max) = 175 °C)I n t h e S p o t l i g h t10Power Schottky Diodes600V - 1600V Standard Power DiodesPower Diode Moduleemploying series die technology for the lowest possible trrWDMF75M16• Three phase recti ers• Heat transfer through aluminium oxide DBC, ceramic isolated metal baseplate • High voltage capability• High inrush current capability • Planar process• High operating temperature capability (T j (max) = 150°C)I n t h e S p o t l i g h tPower Diode BridgeTypes in bold red represent new productsWDMF75M1611WeEn High Voltage 1600V SCRs1600V/50A & 1600V/80A, Planar PassivatedProductTYN50W-1600T TYN80W-1600T TO-247TO-247Key ParametersPackageParametersPackageIT(AV)IT(RMS)VDRMIGTITSMTj(max)dIT/dtdVD/dtTO-24750A79A1600V80mA max650A @ 10ms150°C150A/us1500V/µs @150o CTYN50W-1600TTO-24780A126A1600V80mA max850A @ 10ms150°C150A/us1000V/µs @150o CTYN80W-1600TProduct 12WeEn 30A Hi-Com TM TriacsProductApplications PackageParametersI T(RMS)V DRM I GT I TSM T j(max)dI T /dt30A 800V 50mA max 270A @ 20ms 150°C 100A/µsBTA330 BT series30A 800V 35mA max 270A @ 20ms 150°C 100A/µsBTA330 CT seriesBTA330-800BT BTA330X-800BT BTA330Y-800BT BTA330Y-800CT BTA330B-800BT BTA330B-800CTTO220TO220FP IITO220IITO220D 2PAK D PAKKey ParametersProduct13DFN 8x8 PackagePackage OutlinePart NoV DC(V)I F (A)V F (V)*1I FSM (A)*2Cd(pF)*3I R (mA)L x W x H (mm 3)WNSC04650T WNSC06650T WNSC08650T WNSC10650T650650650650468101.561.501.551.5836547276468101.561.501.551.5810 x 11 x 4.41104848 x 8 x 0.856454.4-42%-88%Footprint (mm 2)Volume (mm 3)D 2PAK Telecom / Server power Photovoltaic inverterDFN 8X8DFN 8X8 vs D 2PAK1415WeEn SiC JBS for Photovoltaic InverterWeEn Silicon Carbide Junction Barrier Schottky (JBS) 650V and 1200V SeriesKey features of WeEn SiC JBS· No reverse recovery charge · Qr temperature independent · High thermal conductivityNXPSC10650NXPSC20650WeEn SiC JBS for Server Power / Telecom Power D2,D3: SiCNXPSC20650W NXPSC10650XVoltage650V 1200VCurrent4-30A 2-40APackageTO220 / TO247 / DPAK / D 2PAK TO220 / TO247NXPSC20650W-A BT155W-1200T-A BT153B-1200T-A BYC30W-600PT2-AWeEn Products for EV On Board Charger16Automotive Grade, AEC-Q101 qualified· Fast Switching Silicon Diodes T j(max) 175°C · High E ciency Silicon Carbide Diodes T j(max) 175°C · High Current SCRs T j(max) 150°CWeEn Products in Smart HomeDish Washer· Planar passivated ACT/ACTT series with over-voltage clamp function· ACT108W-800E used for water inlet valve control · ACTT4S-800E used for water extraction pump controlWash Machine· Planar Passivated technology with the best false trigger capability· BTA201W-800E used for Valve control · BTA416Y-800C used for drum motor controlAir-con· Platinum-doping SABER TM Series Fast Recovery Diodes· BYV415W-600P, BYV415J-600P used for PFC · BYV30JT-600P, BYC30W-600PT2, BYC20X-600P, BYC30X-600P used for traditional PFCCoffee Machine:· Planar passivated technology, high T j(max) 150o C capability for better heating control· BTA316Y-800CT used for heating element control · TOPT16-800C0 used for heating element control with over temp. protection function embedded17Certifications18Items of Reliability test & FAWeEn Nanchang Reliability & Failure Analysis Laboratory瑞能南昌可靠性测试实验室及失效分析实验室F I B &S E M&E D XX -R A Y T e s e c C -S A MT e m p e r atu r e C y c l eU H A S T &PP O TR e v e r s e bia s t r o p i ca lE S D (H B M&M M )Website: Mailbox:********************2020 WeEn SemiconductorsAll rights reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. Theinformation presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license under patent- or other industrial or intellectual property rights.Date of release: July 2020Document order number: 20200701。

翠展微电子PIR产品手册说明书

翠展微电子PIR产品手册说明书

PIR产品手册翠展微电子2021公司介绍翠展微电子成立于2018年4月,公司位于中国上海张江综合性国家科学中心的张江集成电路产业区内,工厂位于浙江省嘉善经济技术开发区。

作为一家中国本土的汽车级功率器件与模拟集成电路设计销售公司,公司立志打破进口垄断,实现进口替代,将翠展微电子打造成为新能源汽车半导体行业的中国品牌领军企业。

公司将聚焦中国新能源汽车行业的挑战和压力,提供有竞争力的半导体产品和服务,持续为新能源汽车客户创造价值。

公司团队由多名业内资深人员构成,成员具有平均15年国际汽车半导体公司及汽车电子行业的销售、应用、方案设计及设计研发经验,在汽车级功率器件与集成电路产品领域具有雄厚的研发实力和销售渠道。

我们有一支专业、坚韧、有活力的人才队伍,坚持以技术为导向,为客户提供个性化、系统级的产品与技术咨询服务,致力于提供优良的技术服务和高性价比的产品,驱动中国汽车电子产业快速蓬勃发展,共筑中国芯,中国梦!型号/功能描述VDD IDD(典型值@3V VDD)输出形式M9401智能型PIR信号调理芯片1.4V to3.6V 4.5µA人体移动检测,输出I/O信号测试模式下单线通信模式(兼容DOCI)M1601数字型PIR信号调理芯片1.4V to3.6V 3.0µA数字模式输出原始PIR信号及芯片温度值单总线模式,兼容DOCI方式M8601可编程数字式PIR信号调理芯片1.4V to3.6V 3.0µA人体移动检测,输出I/O信号或数字模式,输出原始PIR信号值和芯片温度值M8602内置存储单元可编程数字式PIR信号调理芯片1.4V to3.6V 3.0µA人体移动检测,输出I/O信号或数字模式,输出原始PIR信号值和芯片温度值I2C总线通信模式M9601可编程数字式PIR信号调理芯片1.4V to3.6V 3.0µA人体移动检测,输出I/O信号或数字模式,输出原始PIR信号及芯片温度值单总线通信模式兼容DOCI封装形式主要电气参数DFN8L2X2-0.55裸晶圆▪宽电压工作范围▪极低的工作电流▪自检模式可实现数字探头功能测试▪Motion输出脉宽时间128挡可调DFN8L2X2-0.55裸晶圆▪输出PIR原始信号▪超低工作电流,宽电压工作范围▪全数字信号处理方式▪片上温度传感器▪自检模式可实现数字的探头功能测试DFN8L2X2-0.55裸晶圆▪芯片数字可编程,Motion检测或数字模式▪超低工作电流,宽电压工作范围▪片上温度传感器▪自检模式可实现数字的探头功能测试▪可实现系统防误报功能DFN8L2X2-0.55裸晶圆▪内置存储单元▪芯片数字可编程,Motion检测或数字模式▪超低工作电流,宽电压工作范围▪片上温度传感器▪自检模式可实现数字的探头功能测试▪可实现系统防误报功能DFN8L2X2-0.55裸晶圆▪可实现人体存在检测或人体移动检测功能▪芯片数字可编程,Motion检测或数字模式▪超低工作电流,宽电压工作范围▪片上温度传感器▪单总线通信接口,兼容DOCI模式自检模式可实现数字的探头功能测试▪可实现系统防误报功能超低功耗热释电传感器信号调理芯片PIR Sensors-Ultra-Low Power Pyroelectric Sensor Signal Processor超低功耗热电堆信号调理芯片TPS Sensors–Ultra Low Power Thermopile Sensor Signal Processor型号/功能描述VDDIDD(典型值@3VVDD)输出形式M1801低功耗、单点式热电堆传感器信号调理芯片1.4V to3.6V10µA热电堆原始信号单总线通信接口,兼容DOCI模式M3801低功耗、单点式热电堆传感器信号调理芯片1.4V to3.6V10µA热电堆原始信号I2C总线通信接口封装形式主要电气参数DFN8L2X2-0.55裸晶圆▪输出热电堆(TPS)原始信号▪超低工作电流,宽电压工作范围▪全数字信号处理方式▪片上温度传感器实现温度补偿▪对TPS信号的分辨率可达17-位,最小0.8µV/Count▪片上温度传感器达14-位,精度可达0.02K▪单总线通信接口,兼容DOCI模式DFN8L2X2-0.55裸晶圆▪输出热电堆(TPS)原始信号▪超低工作电流,宽电压工作范围▪全数字信号处理方式▪片上温度传感器实现温度补偿▪对TPS信号的分辨率可达17-位,最小0.8µV/Count▪片上温度传感器达14-位,精度可达0.02K▪I2C总线通信接口▪DFN8L2X2-0.55▪圆晶▪DFN8L2X2-0.55▪圆晶▪数字PIR传感器▪人体入侵检测▪工业领域安防、报警▪智能楼宇、智能照明、智能家居主要特点▪可直接连接热释电(PIR)敏感元▪兼容差模、共模PIR信号输入方式▪宽电压工作范围1.4V~3.6V▪极低的工作电流,4.5µA典型值@3V ▪ADC灵敏度3.25µV/bit ▪极高的电源抑制系数(PSR)▪优良的抗RF射频干扰性能▪外部可调灵敏度▪Motion输出脉宽时间128档可应用领域封装▪数字PIR传感器▪人体入侵检测▪工业领域安防、报警▪智能楼宇、智能照明、智能家居典型应用电路智能型热释电传感器信号调理芯片|M9401主要特点▪和热释电(PIR)敏感元直接相连▪兼容差模、共模PIR信号输入方式▪宽电压工作范围1.4V~3.6V ▪极低的工作电流,3.5µA典型值@3V▪ADC灵敏度6.5µV/bit▪极高的电源抑制系数(PSR)▪内置片上温度传感器可实现温度补偿▪单线通信接口模式(DOCI)数字型热释电传感器信号调理芯片|M1601应用领域封装典型应用电路▪DFN8L2X2-0.55▪圆晶▪DFN8L2X2-0.55▪圆晶▪无线人体入侵传感器▪电池供电的智能门禁系统▪红外摄像机、打猎机▪工业领域安防、报警▪智能楼宇、智能照明、智能家居▪可编程检测机制及工作模式▪兼容差模、共模PIR信号输入方式▪宽电压工作范围1.4V~3.6V ▪极低的工作电流,3µA典型值@3V ▪ADC灵敏度6.5µV/bit ▪内置2.2V稳压电源输出▪片上温度传感器可实现温度补偿▪I2C通信接口▪内置存储单元及OTP▪无线人体入侵传感器▪电池供电的智能门禁系统▪红外摄像机、打猎机▪工业领域安防、报警▪智能楼宇、智能照明、智能家居主要特点应用领域封装典型应用电路数字可编程热释电传感器信号调理芯片|M8601▪可编程检测机制及工作模式▪兼容差模、共模PIR信号输入方式▪宽电压工作范围1.4V~3.6V▪极低的工作电流,3µA典型值@3V ▪ADC灵敏度6.5µV/bit▪内置2.2V稳压电源输出▪片上温度传感器可实现温度补偿▪可在线监控芯片供电电压主要特点内置存储单元、数字可编程型热释电传感器信号调理芯片|M8602应用领域封装典型应用电路▪无线人体入侵及人体存在监测▪池供电的智能门禁系统▪红外摄像机、打猎机▪工业领域安防、报警主要特点典型应用电路1-检测人体移动(M9601芯片外置)数字可编程热释电传感器信号调理芯片|M9601应用领域▪可编程检测机制及工作模式▪兼容差模、共模PIR信号输入方式▪宽电压工作范围1.4V~3.6V▪极低的工作电流,3µA典型值@3V▪ADC灵敏度6.5µV/bit▪内置2.2V稳压电源输出▪片上温度传感器可实现温度补偿▪可在线监控芯片供电电压典型应用电路2-检测人体存在(M9601芯片内置)▪DFN8L2X2-0.55▪圆晶▪DFN8L2X2-0.55▪圆晶▪远程非接触测温▪紧凑型耳温枪/额温抢▪红外测温仪▪可穿戴设备▪热电堆MEMS单元直接相连▪兼容差模、共模PIR信号输入方式▪宽电压工作范围1.4V~3.6V ▪极低的工作电流,最大10µA工作电流▪ADC灵敏度0.8µV/bit ▪极高的电源抑制系数(PSR)▪内置片上温度传感器可实现温度补偿▪I2C总线信接口模式▪远程非接触测温▪紧凑型耳温枪/额温抢▪红外测温仪▪可穿戴设备主要特点应用领域封装典型应用电路单通道热电堆传感器信号调理芯片|M1801主要特点▪热电堆MEMS单元直接相连▪兼容差模、共模PIR信号输入方式▪宽电压工作范围1.4V~3.6V▪极低的工作电流,最大10µA工作电流▪ADC灵敏度0.8µV/bit▪极高的电源抑制系数(PSR)▪内置片上温度传感器可实现温度补偿▪兼容单线通信接口模式(DOCI)单通道热电堆传感器信号调理芯片|M3801应用领域封装典型应用电路/上海上海市浦东新区祖冲之路2305号B 幢515室电话:************苏州江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园二期A203-5 嘉善浙江省嘉兴市嘉善县滨江路6号2幢 电话:************* 联系我们Contact us。

热解碳涂层石墨产品说明书

热解碳涂层石墨产品说明书

化学品安全技术说明书物品名称: 热解碳涂层石墨; Pyrolytic Carbon Coated Graphite 修正日期: 2022-07-15 符合GB/T 16483和GB/T 17519标准SDS ID: 0152 (CHINA)版本 3.0物品名称热解碳涂层石墨; Pyrolytic Carbon Coated Graphite供应商的详细情况当地信息 (Local information):艾微美科材国际贸易(上海)有限公司ATMI International Trading Co,LTD上海市科苑路88号德国中心二号楼523-533室Unit 523-533, Tower 2, German Center, No.88 Keyuan Road, Shanghai 201203, China 邮政编码:201203Zip Code: 201203电话:86-21-80236500Telephone: 86-21-80236500应急电话:Emergency Call:86-21-80236500 (上海)1-703-527-3887 (国际)86-532-83889090 (中国,24 小时应急电话)电子邮箱:********************************产品用途半导体和工业应用使用限制不明。

分类标准对其未作要求标签要素象形图分类标准对其未作要求信号词分类标准对其未作要求危险性说明分类标准对其未作要求。

防范说明预防措施分类标准对其未作要求。

事故响应分类标准对其未作要求。

安全储存分类标准对其未作要求。

废弃处置按照地方/区域/国家/国际规章处置内装物/容器。

物理和化学危险无相关数据健康危害无相关数据环境危害无相关数据分类未包括的其它危险性不明。

吸入如果发生不利影响,转移到无污染的地方。

如果没有呼吸给人工呼吸。

立即就医。

接触皮肤用肥皂和水清洗皮肤至少15分钟同时脱去污染了的衣服和鞋子。

首尔Acrich3 芯片评估

首尔Acrich3 芯片评估

首尔Acrich3芯片评估标准应用电路:整理后的原理图、PCB板及焊接后的图片:原理图上,红线圈出的,part1部分为外置有源泄放电路。

part2部分为内置泄放电路及可控硅切相角设置。

part3为OTP延时开机电容。

part4部分,电阻为功率设置电阻,电容为抑制噪声电容。

1、(未串入可控硅调光器)实测波形:上面几组图片中,示波器显示,第一路为输入交流电压波形,第二路为输入电流波形,并附加相应输入电压下,点亮灯珠的图片。

上面2张图片为,另一块电源板测得的输入电压、电流波形。

可看出,正常工作时,已经有轻微震荡出现,下面两张图片是120Vac时,展开后的震荡波形。

全输入电压测试过程中,肉眼观察无闪烁,无可闻噪声,照相机下有频闪。

2、温升测试、热点测试:2.1、过温测试:(左侧高温测试,右侧降温后测试)总结:1、芯片存在过温,过温点:175-180℃2、升温到过温过程中,未出现功率下降情况(无降额)3、过温后(开机状态下),温度降至40℃,输入功率仍仅0.4W左右;重新开机后才可正常工作。

(过温锁死)3、恒功率测试:串入可控硅实测(选用公司现有的:“可支持调光范围最大的一款调光器”):1、原理图上Part2部分中的下电阻R12-2352-0805未变:上图左、右分别为测试电源支持可控硅最大、最小调光(仍能点亮灯珠)功能2、原理图上Part2部分中的下电阻改为R12-683-0805时:此时可实现恒功率模式(下图实测数据):整理成表格:输入功率随输入电压变化情况个人感觉此种输入功率分布更好:1、输入电压低(功率低),相对输入电流大,芯片采样电阻等温升大;2、额定(标称)输入电压时,芯片工况最好,输入功率最高。

3、输入电压高时,芯片承担灯珠分压,热耗较大,适当减少输入功率上面实测表格,可看出:1、整体调光与恒功率不可兼容2、下电阻选值越大,支持可控硅调光最小角度越小;反之,越大。

4、串入可控硅调光后的实测波形:上面几组波形为,不同输入电压、不同切相角时的实测波形。

深圳智芯半导体科技有限公司介绍企业发展分析报告

深圳智芯半导体科技有限公司介绍企业发展分析报告

Enterprise Development专业品质权威Analysis Report企业发展分析报告深圳智芯半导体科技有限公司免责声明:本报告通过对该企业公开数据进行分析生成,并不完全代表我方对该企业的意见,如有错误请及时联系;本报告出于对企业发展研究目的产生,仅供参考,在任何情况下,使用本报告所引起的一切后果,我方不承担任何责任:本报告不得用于一切商业用途,如需引用或合作,请与我方联系:深圳智芯半导体科技有限公司1企业发展分析结果1.1 企业发展指数得分企业发展指数得分深圳智芯半导体科技有限公司综合得分说明:企业发展指数根据企业规模、企业创新、企业风险、企业活力四个维度对企业发展情况进行评价。

该企业的综合评价得分需要您得到该公司授权后,我们将协助您分析给出。

1.2 企业画像类别内容行业科技推广和应用服务业-其他科技推广服务业资质空产品服务是:集成电路设计与销售;电子元器件、电子1.3 发展历程2工商2.1工商信息2.2工商变更2.3股东结构2.4主要人员2.5分支机构2.6对外投资2.7企业年报2.8股权出质2.9动产抵押2.10司法协助2.11清算2.12注销3投融资3.1融资历史3.2投资事件3.3核心团队3.4企业业务4企业信用4.1企业信用4.2行政许可-工商局4.3行政处罚-信用中国4.4行政处罚-工商局4.5税务评级4.6税务处罚4.7经营异常4.8经营异常-工商局4.9采购不良行为4.10产品抽查4.11产品抽查-工商局4.12欠税公告4.13环保处罚4.14被执行人5司法文书5.1法律诉讼(当事人)5.2法律诉讼(相关人)5.3开庭公告5.4被执行人5.5法院公告5.6破产暂无破产数据6企业资质6.1资质许可6.2人员资质6.3产品许可6.4特殊许可7知识产权7.1商标7.2专利7.3软件著作权7.4作品著作权7.5网站备案7.6应用APP7.7微信公众号8招标中标8.1政府招标8.2政府中标8.3央企招标8.4央企中标9标准9.1国家标准9.2行业标准9.3团体标准9.4地方标准10成果奖励10.1国家奖励10.2省部奖励10.3社会奖励10.4科技成果11土地11.1大块土地出让11.2出让公告11.3土地抵押11.4地块公示11.5大企业购地11.6土地出租11.7土地结果11.8土地转让12基金12.1国家自然基金12.2国家自然基金成果12.3国家社科基金13招聘13.1招聘信息感谢阅读:感谢您耐心地阅读这份企业调查分析报告。

V-57抛光液产品说明书

V-57抛光液产品说明书

化学品安全技术说明书物品名称: V-57; V-57 抛光液 修正日期: 2022-07-01符合GB/T 16483和GB/T 17519标准SDS ID: 1118 (CHINA)-E版本 1.1物品名称V-57; V-57 抛光液 供应商的详细情况 SinmatNow part of Entegris 1912 NW 67th Place Gainesville, FL 32653 USATelephone Number: +1 352 334 7270Telephone Number: +1 800 394 4083 (toll free within North America)应急电话: Emergency Call:86-532-83889090 (中国24小时化学事故应急咨询服务热线)4001-204937 (ChemTrec 中国)1-703-527-3887 (ChemTrec 国际) 86-21-80236500 (上海)电子邮箱:********************************当地信息 (Local information):艾微美科材国际贸易(上海)有限公司 ATMI International Trading Co,LTD上海市科苑路88号德国中心二号楼523-533室Unit 523-533, Tower 2, German Center, No.88 Keyuan Road, Shanghai 201203, China邮政编码: 201203 Zip Code: 201203电话:86-21-80236500 Telephone: 86-21-80236500应急电话: Emergency Call:86-532-83889090 (中国24小时化学事故应急咨询服务热线)4001-204937 (ChemTrec 中国)1-703-527-3887 (ChemTrec 国际) 86-21-80236500 (上海)电子邮箱:********************************产品用途半导体基板用抛光剂。

亚太四大半导体市场的崛起

亚太四大半导体市场的崛起

亚太四大半导体市场的崛起四大巨头,领航亚太复苏之路,未来可期多极市场,方兴未艾弹性应对,关键所在降低依赖,独立自主体量庞大,不容忽视1 6 13 16 18 24目录2四大巨头,领航亚太在政府支持、巨大市场体量以及研发投入增加等众多因素的推动下,中国大陆、日本、韩国和中国台湾,占据全球半导体总收入前六大国家/地区的四席。

这四大市场均拥有多家跨国半导体巨美国47%中国大陆5%资料来源:SIA 韩国19%荷兰4%日本10%中国台湾6%头。

亚太地区也是全球最大的半导体市场,销量占全球的60%,其中仅中国大陆市场的占比就超过30%。

图1:各国/地区半导体收入(前六大国家/地区)图2:2019年收入排名前十的亚洲半导体供应商(百万美元)亚太四大半导体市场的崛起|四大巨头,领航亚太公司2019年收入(百万美元)国家/地区三星电子52,214韩国台积电34,632中国台湾SK 海力士22,478韩国海思半导体11,550中国大陆铠侠8,797日本索尼8,654日本联发科技8,066中国台湾瑞萨6,755日本中芯国际3,014中国大陆罗姆半导体2,803日本资料来源:公司报告半导体价值链较长,涉及众多专业领域,包括设备、电子设计自动化(EDA )软件、知识产权、整合元件制造商(IDM 与设计公司)、代工厂和半导体封装测试(OSAT )。

亚太四大市场各自占据独特优势,并在全球半导体行业价值链中发挥着举足轻重的作用。

韩国半导体行业规模庞大,企业数量众多,其中三星和SK 海力士是韩国最大的半导体公司。

三星的实力更是首屈一指,业务领域涵盖集成电路设计、智能手机和晶圆生产。

多年来,SK 海力士一直引领全球动态随机存取存储器(DRAM )和NAND 闪存市场份额。

韩国拥有超过20,000家半导体相关企业,包括369家集成电路企业,2,650家半导体设备企业以及4,078家半导体材料企业。

一家标准的半导体厂商周围通常聚集多家配套企业。

SZ系列GPS标准时间同步钟说明书

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SZ系列GPS标准时间同步钟说明书目录1,装置概述 (1)2,技术参数 (2).............................................................................................................................. .. (2)2.2 主要技术指标............................................................................................................................ (2)2.3 机械结构............................................................................................................................ .. (3)3,通讯规约 (5)3.1 规约1............................................................................................................................. . (5)3.2 规约2(BJT)..................................................................................................................... .. (5)3.3 规约3(IRIG—B)............................................................................................................... . (6)4,装置说明 (7)4.1 SZ-2UA GPS标准时间同步钟............................................................................................................................ .. (7)4.2 SZ-4U GPS标准时间同步钟............................................................................................................................ . (8)4.3 SZ-5000 GPS双机冗余系统............................................................................................................................ .. (10)4.4 SZ-IRIG-B扩展器............................................................................................................................ .. (17)4.5 SZ-TM12/14/22/24同步脉冲扩展器............................................................................................................................ . (18)4.6 SZ-232&485扩展器............................................................................................................................ (20)4.7 SZ-FIB81/82,SZ-FIB91/92光纤收发器 (21)4.8 SZ—LED远距离显示器............................................................................................................................ .. (23)5,使用说明 (25)5.1 开机步骤............................................................................................................................ (25)5.2 液晶显示............................................................................................................................ (25)5.3 装置调试注意事项............................................................................................................................ . (25)SZ系列GPS标准时间同步钟说明书11,装置概述随着电力系统自动化技术的发展,系统对时间统一的要求越来越迫切,对时间的同步精度要求越来越高.由南自电网控制技术有限责任公司研制的SZ系列GPS标准时间同步钟就是专门为电力系统的自动化提供高精度时间基准的时间同步设备.该设备以美国导航星全球定位系统(GPS)为时间基准,时间同步精度1μs.它选用美国专业生产厂家生产的GPS接收机部件进行二次开发研制而成.装置可以同时跟踪视场内的12颗GPS卫星,自动选择最佳卫星进行定位,定时,装置支持IRIG-B码对时输入接口,作为GPS卫星定时信号的后备.输出与协调世界时UTC时间同步精度为1μs的秒(1PPS),分(1PPM),时(1PPH)定时脉冲和北京时间的钟面,还可实现工频量的测量,外部事件(SOE)产生的时刻记录,并按照一定格式经串行口分别输出日期,时间,周波钟,周波数,钟差,事件产生时刻和安全运行天数等信息,装置同时支持网络NTP,SNTP对时接口,供电力系统需要标准时间尺度的各种自动化装置使用.本设备采用单片机控制,软硬件结合的技术设计,充分利用GPS接收组件的潜力.因此系统具有可靠性高,功能多,精度高,性价比好和操作方便等特点,完全可以满足电力系统时间同步要求.它的使用推广,将大大促进电力系统的事故分析,故障测距和继电保护等自动化技术的发展.SZ系列GPS标准时间同步钟装置由标准同步钟本体和时标信号扩展装置组成,时标信号扩展装置包括对时脉冲扩展装置,时间报文扩展装置,IRIG-B码扩展装置,对时信号通道中继装置,双机系统切换装置等系列装置.装置设计采用模块化方式,除了提供本说明书中的典型配置方式外,可根据现场的实际需要方便扩展组合,具有广泛的适用性.SZ系列GPS标准时间同步钟说明书22,技术参数2.1 环境参数环境温度范围: a) 工作温度:-10 ~+55℃;b) 贮存,运输极限环境温度:-25 ~+75℃;相对湿度: 5% ~95%(最大绝对湿度28g/m3);大气压力: 86 KPa ~106 KPa.2.2 主要技术指标1) 接收频率:1575.42MHz,可同时跟踪8~12颗GPS卫星.2) 天线射频灵敏度:-166dbw,天线馈线长度30~200米馈线(馈线长度超过30米订货时应注明).3) 捕获时间:20秒~2分钟.4) 1PPS输出:TTL电平/RS485电平准时沿: 上升沿,上升时间≤50ns上升沿的时间准确度≤1μs脉冲宽度:约50ms空接点准时沿: 上升沿,上升时间≤120ns上升沿的时间准确度≤2μs脉冲宽度:约50ms5) 1PPM输出TTL电平/RS485电平准时沿: 上升沿,上升时间≤90ns上升沿的时间准确度≤2μs脉冲宽度:约100ms空接点准时沿: 上升沿,上升时间≤150ns上升沿的时间准确度≤2μs脉冲宽度:约100ms6) 1PPH输出空接点准时沿: 上升沿,上升时间≤2μs上升沿的时间准确度≤2μs脉冲宽度:约1000ms7) 接口电路:SZ系列GPS标准时间同步钟说明书38) IRIG-B(DC)非调制信号:TTL电平0~5V;RS232电平电气特性符合GB/T6107-2000;RS485电平电气特性符合EIA/485;9) IRIG-B(AC)调制信号:载波频率:1kHz;信号幅值(峰-峰值):高:≥10V,低:符合3:1调制比要求;输出阻抗:600欧姆,隔离输出.10) 静态空接点(光隔离)输出:允许外接电压≥250V DC(订货时应注明).11) 有源脉冲输出:5V,24V或220V有源脉冲(订货时应注明).12) GPS主时钟内部守时准确度优于8107-×.13) 显示:十四位LCD显示,显示内容包括日期,时间,卫星数.14) 串行口:输出编码(年月日时分秒),工频钟时间(时分秒),钟差,周波数和突发事件产生的时刻, 每秒发一次.输出有RS232电平和RS485电平.15) 告警接点输出:电源中断,外部时间基准信号消失,输出信号出错告警.16) 电源:每台设备均为双电源供电输入电压范围:交流220V或直流110V~220V±10%最大输出功率:15W输入频率范围:47~63Hz2.3 机械结构SZ系列GPS标准时间同步钟说明书4机箱尺寸为标准的19英寸N*U工业机箱.1U机箱定位孔间距为34mm;2U机箱定位孔间距为76mm;4U机箱定位孔间距为101.6mm.2U机箱尺寸及开孔图(单位:mm)SZ-2UA 标准时间同步钟1PPSSZ系列GPS标准时间同步钟说明书53,通讯规约SZ系列GPS既可以采用报文方式软件对时,又可以采用脉冲方式硬对时,其中报文方式的通讯规约如下.3.1 规约1接口标准:RS232或RS422/RS485通讯速率:2400bps,4800 bps,9600 bps可选数据位:8位(ASCⅡ码)起始位:1位停止位:1位校验位:无输出报文格式:报文中必须的时间信息应采用下表格式:串口时间报文格式S T h h m m s s D D M M Y Y Y Y V V P P C A同步标志帧头时十位时个位分十位分个位秒十位秒个位日十位日个位月十位月个位年千位年百位年十位年个位卫星求解卫星求解卫星数量十位卫星数量个位校验字节标准时结束报文说明:与秒脉冲(PPS)的前沿对齐,装置收到卫星信号则发送字符S,装置失步就停发字符S,S的ASCII码为53H;为发送时间信息的信息头,T的ASCII码为54H;然后依次是小时的十位,个位,分钟的十位,个位……直到年的个位信息,分别为0-9的ASCII码(30H-39H);VV为卫星求解,有效发30H30H, 卫星求解无效发3FH3FH;PP为接收到的卫星数量,为0-9的ASCII码(30H-39H);校验字节是小时的十位,个位,分钟的十位,个位……直到卫星数量个位信息逐字节异或后再非运算的结果(即:异或非校验);为发送时间信息的信息结尾,A的ASCII码为41H.报文发送时间:每秒输出,每分输出或根据请求输出1次(帧),或用户指定的方式输出.3.2 规约2(BJT)接口标准:RS232或RS422/RS485通讯速率:4800bps数据位:8位(ASCⅡ码)起始位:1位停止位:1位校验位:无输出报文格式:SZ系列GPS标准时间同步钟说明书6语句1:BJT,YYMMDD,hhmmss,±XXXX.XX,HHFFPP,ff.f1f1f1语句2:SOE,YYMMDD,hhmmss,UUUUUU语句3:ERR, YYMMDD,hhmmss其中:BJT表示北京时间,SOE表示外部事件,ERR表示信号丢失或接收卫星少于3颗.YY为年,MM为月,DD为日,hh为时,mm为分,ss为秒,UUUUUU为微秒,±表示钟差的符号,XXXX.XX为钟差值(标准钟—工频钟),单位为秒,HHFFPP分别为工频钟的时,分,秒.ff为周波数的两位整数部分,f1f1f1为周波数的三位小数部分.(如年份需要四位表示,即YYYY,请说明)* 正常情况,只发语句1;* 有外部事件时,发语句2;* 当出现信号丢失或接收的卫星少于3颗时,发告警语句3.语句3中的YYMMDD,hhmmss,表示失星时的年,月,日,时,分,秒.串口输出年,月,日,时,分,秒,工频时间,钟差,周波数和外部事件产生的时刻(准确到微秒),每秒发送一次,起始位与标准秒的同步误差小于0.2ms.3.3 规约3(IRIG—B)数据格式:秒,分,时,一年中的第n天,每秒发送一次,内含100个脉冲.分直流码和交流码两种.SZ系列GPS标准时间同步钟说明书74,装置说明4.1 SZ-2UA GPS标准时间同步钟4.1.1. 结构说明标准2U工业机箱,组屏方便,其尺寸为482.6(宽)mm×88.90mm(高)×290mm(深).4.1.2.功能配置显示: 6位LCD和8位LCD两个显示窗口;串行口: 4个RS232/485串行口输出报文对时,出厂配置为串口默认输出规约1,如有特殊需求订货时应注明.脉冲输出: 1个秒脉冲,1个分秒脉冲,1个时脉冲输出口,接口方式可选为TTL电平/RS485电平/空接点;IRIG-B码输出: 2个IRIG-B(DC)码输出,接口方式可选为TTL电平/RS485电平/RS232电平;若采用IRIG-B(AC)调制信号输入时订货时应注明.IRIG-B码输入: 可选配2个IRIG-B(DC)码输入,作为卫星定时信号的后备,接口方式可选为TTL电平/RS485电平/RS232电平,订货时应注明.SNTP接口: 可选配1~2个RJ45接口的SNTP网络对时接口,订货时应注明.告警接点输出: 电源中断,外部时间基准信号消失,输出信号出错总告警三种告警接点输出,为继电器空接点,工作电压为220V.电源: 采用双电源供电4.1.3. 面板说明面板布置示意图如图所示SZ-2UA GPS标准时间同步钟1PPS132南自电网(1)液晶led/' target='_blank'>显示屏1: 6位LCD显示器,显示年,月,日.格式为:YY.MM.DD.(2)1PPS指示灯: 接收机跟踪时,每秒闪烁一次.(3)液晶显示屏2:8位LCD显示器,用于显示接收机的状态,时间,日期.4.1.4.背板说明背板布置示意图如图所示SZ系列GPS标准时间同步钟说明书8天线输入1234567891011121314151617181PPS1PPM+-+-+-+-TDGND+-+-+-TDGND1234失电失步5678告警备用1920+-1X1PPM1PPHRS232RS232RS485RS485IRIG-BIRIG-B2一路电源+13-OFFONOFFON地P1P2二路电源-21+3地2XSNTP1SNTP23X4X(1)天线输入: BNC高频插座;(2)SNTP接口: 可选配1~2个RJ45接口的SNTP网络对时接口;(3)1X端子: 1X1~1X2为1PPS输出;1X3~1X4为1PPM输出(RS485电平);1X5~1X6为1PPM输出(光隔输出);1X7~1X8为1PPH输出;1X9~1X12为串口1,2输出,为RS232接口;1X13~1X16为串口3,4输出,为RS485接口;1X17~1X20为2个IRIG-B(DC)码输出;(4)2X端子: 2X1~2X2为失电告警输出,为常闭接点;2X3~2X4为外部时间基准信号消失告警输出;2X5~2X6为输出信号出错总告警输出;(5)3X,4X端子: 3X1~3X3为第一路电源输入;4X1~3X3为第二路电源输入;(6)电源开关.4.2 SZ-4U GPS标准时间同步钟4.2.1 结构说明标准4U工业机箱,其尺寸为482.6mm(宽)×177.8mm(高)×320mm(深)4.2.2 功能配置SZ-4U GPS标准时间同步钟将1PPS,1PPM信号以16路为模扩展为16~96路同步信号输出,以无源空接点或24V有源接点方式输出.也可将串口信号(报文对时)及IRIG-B码信号以16路为模扩展为16~96路信号输出.4.2.3 面板说明面板布置示意图如图所示SZ系列GPS标准时间同步钟说明书9(1)LCD1,LCD2,1PPS指示灯信息同SZ-2UA型;(2)P1……P6:脉冲扩展板,每块板可扩展16路1PPS或1PPM同步信号分,秒脉冲可通过板上的位码开关选择,ON为分脉冲,OFF为秒脉冲;注:a.同步脉冲为无源空接点输出时,将板上的跳线2和3短接.b.同步脉冲为24V有源输出时,将板上跳线1和2短接,3和4短接.(3)PW:电源板,为扩展板提供工作电源4.2.4 背板说明背板布置示意图如图所示:(1)PW:电源输入(2)P1,P2,P3,P4,P5,P6:34芯扁平电缆插座,用于16~96路信号输出.a.当脉冲输出为无源空接点时,34芯扁平电缆定义为1,3,5…31为空接点"+"端即+24V电源输入端.2,4,6…32为空接点"-"端,即同步脉冲信号输出端.b.当脉冲输出为有源接点时,34芯扁平电缆定义为1,3,5…31为空接点"-"端即接地端,24V地.2,4,6…32为空接点"+"端,即同步脉冲信号输出端.SZ系列GPS标准时间同步钟说明书10(3)天线:卫星天线输入插座(4)1PPS输出插座: BNC高频插座,TTL电平输出,外壳为地.(5)1PPM输出插座: BNC高频插座,TTL电平输出,外壳为地.(6)1PPH输出插座: BNC高频插座,整点时输出一个约为1s宽的正脉冲,TTL电平输出,外壳为地.(7)串口1~4: RS232接口,2脚信号发送,5脚信号地;RS485接口,2脚TR+,4脚TR-.(8)电源:交直流电源插座.(9)保险:保险丝插座(1~2A)背板示意图4.3 SZ-5000 GPS双机冗余系统4.3.1 概述随着我国电力事业的迅猛发展,对系统内的时间统一提出了更高的要求,以往的单台GPS(全球卫星定位系统)同步时钟虽具有高可靠性,高准确性,但一旦出现故障则整个对时系统无法运行.针对这一问题,本公司研发出了SZ系列GPS双机冗余系统,它时刻保持时间的同步输出,极大的增加了系统无故障运行时间,使整个系统更加安全可靠地运行.4.3.2 SZ系列GPS双机冗余系统配置4.3.2.1 系统原理框图SZ系列GPS标准时间同步钟说明书114.3.2.2 基本设备配置设备名称说明SZ-DUA GPS标准时间同步钟SZ-SW 双机切换器SZ-232&485 串行接口扩展(分八路及十六路以上两种)SZ-FIB8(1/2) 8路光纤发送/接收器SZ-IRIG-B IRIG-B码扩展(分AC,DC两种)SZ-TM 同步脉冲扩展器4.3.2.3 SZ系列GPS双机冗余系统结构SZ系列GPS标准时间同步钟说明书124.3.3 工作原理SZ-SW双机切换器A,B双机同时接收两个GPS同步时钟送来的信号,机内所带单片机对其串行数据进行接收检查,通过对比选择一台较好的GPS时钟信号经数据选择电路输出.上电复位时,切换器A为主机, 切换器B为备机:1, 当SZ-DUA GPS1,SZ-DUA GPS2及SZ-SW 切换器A,SZ-SW 双机切换器B机均正常工作时,则系统选择SZ-DUA GPS1通过SZ-SW A机输出.2, 当SZ-DUA GPS1或SZ-DUA GPS2其中一台异常,SZ-SW 双机切换器A,SZ-SW 双机切换器B正常工作时,系统自动选择正常工作的那台GPS 同步时钟通过当前的主切换器输出.3, 当SZ-DUA GPS1,SZ-DUA GPS2正常工作,SZ-SW双机切换器A或SZ-SW双机切换器B其中一台异常时,系统自动选择SZ-DUA GPS1通过正常工作的那台切换器输出.4, 当SZ-DUA GPS1或SZ-DUA GPS2其中一台异常,SZ-SW双机切换器A或SZ-SW双机切换器B 其中一台异常工作时,系统自动选择正常工作的GPS通过正常工作的切换器输出.5, 当SZ-SW双机切换器A和SZ-SW双机切换器B均异常工作时,无输出.6, 当GPS1和GPS2均异常但有时钟信号输出, SZ-SW双机切换器A和SZ-SW双机切换器B又有一个正常工作时,系统仍有时钟信号输出.7, 每隔24小时(中午12:00)系统自动检测,切换器A,B轮流工作.4.3.4 SZ-SW双机切换器A/B的组成SZ-SW双机切换器A/B由主控板,后背板和显示板组成.4.3.4.1 SZ-SW双机切换器(A/B)框图4.3.4.2 结构说明标准2U工业机箱,其尺寸为482.6mm(宽)×88.9mm(高)×290mm(深).SZ系列GPS标准时间同步钟说明书134.3.4.3 主控板CZ1为GPS1的输入插座CZ4为GPS切换输出插座CZ2为GPS2的输入插座CZ5为5V电源插座CZ3为双机通讯的输入输出(RS232电平)插座CZ6为显示输出插座4.3.4.4 显示板显示板上有如下指示灯(LED),它们的含义分别为:SZ-SW 双机切换器电源2告警主机备机GPS1GPS1GPS2GPS2正常异常正常异常南自电网电源1①电源灯——指示控制板上的5V电源.②告警灯——指示双机接口电路是否正常以及两个GPS是否都故障.③主机——控制板上跳线器U16断开为主机,A,B机中一台应断开,另一台应闭合.④备机——跳线器闭合为备机.⑤GPS1正常——GPS1工作正常.⑥GPS1异常——GPS1工作异常.⑦GPS2正常——GPS2工作正常.⑧GPS2异常——GPS2工作异常.4.3.4.5 SZ-SW双机切换器A/B后背板端子接线后背板如下图:SZ系列GPS标准时间同步钟说明书14GPS输入1切换输出双机互连GPS输入2S1切换器选择开关S2S3S4S5ABAB(注意所有开关位置应一致)SNTP接口1234失电失步5678告警备用5X16芯插头16芯插头10芯插头16芯插头2一路电源+13-OFFONOFFON地P1P2二路电源-21+3地6X7X1X3X4X2X12(1)5X端子: 5X1~5X2为失电告警输出,常闭接点;5X3~5X4为外部时间基准信号消失告警输出;5X5~5X6为输出信号出错总告警输出;(2)6X,7X端子:6X1~6X3为第一路电源输入;7X1~7X3为第二路电源输入;(3)SNTP接口:可选配1~2个RJ45接口的SNTP网络对时接口(4)S1~S5为主备机控制,用于设置切换器为A机或B机,所有开关位置必须一致;(5) GPS输入1,GPS输入2,切换输出为16芯扁平电缆,双机互连为10芯扁平电缆,各扁缆序号的信号和名称如下端口号GPS输入1(RS485标准)GPS输入2(RS485标准)切换输出(RS485和RS232标准)双机互连(RS232标准)1 1PPS+ 1PPS+ 1PPS+ SKO12 1PPS- 1PPS- 1PPS- SKO23 1PPM+ 1PPM+ 1PPM+ SKI14 1PPM- 1PPM- 1PPM- SKI25 1PPH+ 1PPH+ RS485+ GND6 1PPH- 1PPH- RS485- GND7 IRIG-B+ IRIG-B+ IRIG-B+ /BUSENO8 IRIG-B- IRIG-B- IRIG-B- BUSENO9 BM+ BM+ BM+ /BUSENI10 BM- BM- BM- BUSENI11 BS+ BS+ BS+12 BS- BS- BS-13 BK+ BK+ 1RS232TD14 BK- BK- 1RS232GND15 BJ+ BJ+ 2RS232TD16 BJ- BJ- 2RS232GNDGPS1和GPS2分别将8组RS485标准的信号输入至SZ-SW切换装置,切换装置之间依靠10根数据线交换信息,切换装置在比较信号之后将GPS对时信号输出,其中1PPS,1PPM,1PPH,IRIG-B为RS485标准,提供给信号扩展装置使用,RS485为RS485标准的通信接口, 1RS232,2RS232为RS232标准的通信接口,3个通信接口默认为输出规约1,如有特殊需求订货时应注明.SZ系列GPS标准时间同步钟说明书15BM,BS,BK,BJ可以根据需要更改为BJT,BCD或其他信号输出.(6)扁平电缆的连接方式如下图:切换输出跟十六芯插梳相连,十六芯插梳分左右两种4.3.5 SZ-DUA GPS标准时间同步钟SZ-DUA GPS标准时间同步钟为双机冗余系统的GPS标准时间同步钟.4.3.5.1 结构说明标准2U工业机箱,其尺寸为482.6mm(宽)×88.9mm(高)×290mm(深).4.3.5.2 显示板说明面板布置示意图如图所示SZ-DUA GPS标准时间同步钟1PPS南自电网(1)液晶显示屏1: 6位LCD显示器,显示年,月,日.格式为:YY.MM.DD.(2)1PPS指示灯: 接收机跟踪时,每秒闪烁一次.(3)液晶显示屏2:8位LCD显示器,用于显示接收机的状态,时间,日期.4.3.5.3 背板说明SZ系列GPS标准时间同步钟说明书16后背板如图所示天线GPS输出11PPS1PPM1PPHBMBSBK+-+-+-+-+-+-IRIG-B+-+-BJ12345611121314151678910GPS输出21PPS1PPM1PPHBMBSBK+-+-+-+-+-+-IRIG-B+-+-BJ123456111213141516789101234失电失步5678告警备用3X2一路电源+13-OFFONOFFON地P1P2二路电源-21+3地4X5X1X2X(1)天线输入:BNC高频插座;(2),(3)GPS输出1和GPS输出2均为16芯扁平电缆,端子定义如下表所示. 端口号GPS输出1(RS485标准)GPS输出2(RS485标准)1 1PPS+ 1PPS+2 1PPS- 1PPS-3 1PPM+ 1PPM+4 1PPM- 1PPM-5 1PPH+ 1PPH+6 1PPH- 1PPH-7 IRIG-B+ IRIG-B+8 IRIG-B- IRIG-B-9 BM+ BM+10 BM- BM-11 BS+ BS+12 BS- BS-13 BK+ BK+14 BK- BK-15 BJ+ BJ+16 BJ- BJ-注:BM,BS,BK,BJ可以根据需要更改为BJT,BCD或其他信号输出.(4)3X端子:3X1~3X2为失电告警输出,为常闭接点;3X3~3X4为外部时间基准信号消失告警输出;3X5~3X6为输出信号出错总告警输出;SZ系列GPS标准时间同步钟说明书17(5)4X,5X端子:4X1~4X3为第一路电源输入;5X1~5X3为第二路电源输入;(6)电源开关.4.3.6 系统连接方式SZ-DUA GPS冗余系统由SZ-DUA双GPS时钟,SZ-SW双机切换器及SZ-TM2脉冲扩展,SZ-232&485串口报文扩展,SZ-IRIG-B交直流B码扩展等外围扩展设备组成,系统可提供本地及远程多种设备所需的各种信号,其连接线如下:信号类别本地连接方式远程连接方式1PPS将SZ-SW切换器1PPS信号的+ - 端连接到SZ-TM的1PPS信号的+ -端将SZ-FIB82光信号接收器1PPS信号的+ - 端连接到SZ-TM的1PPS信号的+ -端1PPM将SZ-SW切换器1PPM信号的+ -端连接到SZ-TM的1PPM信号的+ -端将SZ-FIB82光信号接收器1PPM信号的+ -端连接到SZ-TM的1PPM信号的+ -端报文对时BJT将SZ-SW切换器BJT信号的+- 端连接到SZ-232&485的BJT信号的+ -端将SZ-FIB82光信号接收器BJT信号的+ - 端连接到SZ-RS232/485扩展器的BJT信号的+ -端IRIG-B(DC) 将SZ-SW切换器BCD信号的+- 端连接到SZ-IRIG-B扩展器的输入信号的+ -端将SZ-FIB82光信号接收器BCD信号的+ -端连接到SZ-IRIG-B扩展器的输入信号的+ -端IRIG-B(AC)将SZ-SW切换器BK,BS,BJ,BM信号的+- 端分别连接到SZ- IRIG-B的BK,BS,BJ,BM信号的+-端将SZ-FIB82光信号接收器信号BK,BS,BJ,BM的+- 端连接到SZ-IRIG-的BK,BS,BJ,BM信号的+-端4.4 SZ-IRIG-B扩展器4.4.1 结构说明标准2U工业机箱,尺寸为482.6mm(宽)×88.9mm(高)×290mm(深)4.4.2 功能配置SZ-IRIG-B扩展器将IRIG-B码信号扩展为32路IRIG-B码信号输出,接口方式可选为TTL电平/RS485电平/RS232电平或交流IRIG-B码.IRIG-B码信号输入为两路,装置自动切换于信号较好的回路.装置采用双电源输入.4.4.3 面板说明面板布置示意图如下图所示SZ-IRIG-B 扩展器PWR2B2B3B4B5B6B7B8B9B10B11B12B13B14B15B16B1B18B19B20B21B22B23B24B25B26B27B28B29B30B31B32B17南自电网PWR1SZ系列GPS标准时间同步钟说明书18(1)PWR1,PWR2为两路电源指示;(2)B1~B32为32路IRIG-B码信号输出指示.4.4.4 背板说明背板布置示意图如下图所示1X2X1234+-+-IRIG-BBJT3X+-+-+-+--+-+-+-++-+-+-+--+-+-+-+B23B26B27B28B29B30B31B32B17B18B19B20B21B22B24B25 1234567810111213141516917181920212223242627282930313225+-+-+-+--+-+-+-++-+-+-+--+-+-+-+B7B10B11B12B13B14B15B16B1B2B3B4B5B6B8B9 12345678101112131415169171819202122232426272829303132251161732SW1SW21234失电失步5678告警备用4X2一路电源+13-OFFONOFFON地P1P2二路电源-21+3地6X5X(1)1X端子: 1X1~1X32为B1~B16 16个IRIG-B码扩展输出;(2)2X端子: 2X1~2X32为B17~B32 16个IRIG-B码扩展输出;(3)3X端子: 3X1~3X4为2个IRIG-B(DC)码输入;(4)4X端子: 4X1~4X2为失电告警输出,为常闭接点;4X3~4X4为外部时间基准信号消失告警输出;4X5~4X6为输出信号出错总告警输出;(5)5X,6X端子:5X1~5X3为第一路电源输入;6X1~6X3为第二路电源输入;(6)SW1: 为两个8位位码开关,通过此开关可分别将第1~16路设置成两路输入信号的扩展输出, 其定义为:ON表示第一路信号输入的扩展,OFF表示第二路信号输入的扩展;(7)SW2:为两个8位位码开关,通过此开关可分别将第17~32路设置成两路输入信号的扩展输出, 其定义为:ON表示第一路信号输入的扩展,OFF表示第二路信号输入的扩展;4.5 SZ-TM12/14/22/24同步脉冲扩展器4.5.1 结构说明标准2U工业机箱,尺寸为482.6mm(宽)×88.9mm(高)×290mm(深)4.5.2 功能配置从GPS设备中接收秒脉冲和分脉冲,经过隔离,驱动放大,具有分,秒脉冲,有源,无源可选,结构合理等优点.应用于需要硬对时的各种保护及监控装置.装置采用双电源输入.扩展脉冲接口方式可选为TTL电平/RS485电平或空接点.若为空接点则将装置分为允许外接220V电压脉冲输出和允许外接24V电压脉冲输出两种模式,装置型号如下:SZ-TM12同步脉冲扩展器为16路24V脉冲输出.SZ-TM22同步脉冲扩展器为32路24V脉冲输出.SZ-TM14同步脉冲扩展器为16路220V脉冲输出.SZ-TM24同步脉冲扩展器为32路220V脉冲输出.SZ系列GPS标准时间同步钟说明书194.5.3 面板说明SZ-TM22同步脉冲扩展器面板布置示意图如下图所示SZ-TM22 同步脉冲扩展器PWR2M2M3M4M5M6M7M8M9M10M11M12M13M14M15M16M1M18M19M20M21M22M23M24M25M26M27M28M29M30M31M32M17南自电网PWR1(1)PWR1,PWR2为两路电源指示;(2)M1~M32为32路秒或分脉冲输出指示.4.5.4 背板说明SZ-TM22同步脉冲扩展器背板布置示意图如下图所示1161732SW1SW21234+-+-1PPS1PPM3X+-+-+-+--+-+-+-++-+-+-+--+-+-+-+M23M26M27M28M29M30M31M32M17M18M19M20M21M22M24M25 1234567810111213141516917181920212223242627282930313225 +-+-+-+--+-+-+-++-+-+-+--+-+-+-+M7M10M11M12M13M14M15M16M1M2M3M4M5M6M8M9 1234567810111213141516917181920212223242627282930313225 1234失电失步5678告警备用4X2一路电源+13-OFFONOFFON地P1P2二路电源-21+3地6X5X(1)1X端子:1X1~1X32为M1~M16 16个脉冲扩展输出;(2)2X端子:2X1~2X32为M17~M32 16个脉冲扩展输出;(3)3X端子:3X1~3X2为1PPS输入;3X3~3X4为1PPM输入;输入信号TTL电平/RS485电平或空接点可选;(4)4X端子:4X1~4X2为失电告警输出,为常闭接点;4X3~4X4为外部时间基准信号消失告警输出;4X5~4X6为输出信号出错总告警输出;(5)5X,6X端子:5X1~5X3为第一路电源输入;6X1~6X3为第二路电源输入;(6)SW1: 为两个8位位码开关,通过此开关可分别将第1~16路设置成秒脉冲或分脉冲输出,其定义为:ON表示秒脉冲输出,OFF表示分脉冲输出;(7)SW2: 为两个8位位码开关,通过此开关可分别将第17~32路设置成秒脉冲或分脉冲输出,其定义为:ON表示秒脉冲输出,OFF表示分脉冲输出;注: SZ-TM24同步脉冲扩展器和SZ-TM22同步脉冲扩展器端子相同;SZ-TM12,SZ-TM14同步脉冲扩展器无X2及SW2端子.SZ系列GPS标准时间同步钟说明书204.6 SZ-232&485扩展器4.6.1 结构说明SZ-232&485扩展器采用标准1U工业机箱.尺寸:482.6mm(宽)×44.45mm(高)×290mm(深);SZ-232&485A扩展器采用标准2U工业机箱,尺寸:482.6mm(宽)×88.9mm(高)×290mm(深);4.6.2 功能配置从GPS设备中接收串口报文信号,经过隔离,驱动放大后多路输出,应用于需要扩充对时报文接口场合.装置采用双电源输入.扩展报文接口方式可选为RS232电平或RS485电平.SZ-232&485扩展器可输出4路RS232电平和4路RS485电平.SZ-232&485A扩展器可输出32路信号,RS232电平或RS485电平可选.4.6.3 面板说明SZ-232&485扩展器面板布置示意图如下图所示SZ-232&485 扩展器PWR21PPS1RS2322341234RS485南自电网PWR1(1)PWR1,PWR2为电源指示;(2)1PPS为秒脉冲输入指示;(3)1~4为4路RS232输出指示;(4)5~8为4路RS485输出指示;SZ-232&485A扩展器面板布置示意图如下图所示SZ-232&485A 扩展器PWR2C2C3C4C5C6C7C8C9C10C11C12C13C14C15C16C1C18C19C20C21C22C23C24C25C26C27C28C29C30C31C32C17南自电网PWR1(1)PWR1,PWR2为电源指示;(2)1~32为32路扩展信号输出指示;4.6.4 背板说明SZ-232&485扩展器背板布置示意图如下图所示SZ系列GPS标准时间同步钟说明书21-+-TDGND+--+485-1+485-2485-3485-4232-1232-2232-3232-4 TDGNDTDGNDTDGND2X 910111213141516123456781234+-+-1PPSBJT1X2一路电源+13-OFFONOFFON地P1P2二路电源-21+3地5X4X1234失电失步5678告警备用3X(1)1X端子:1X1~1X2为1PPS输入;1X3~1X4为报文输入,可选为RS232电平或RS485电平;(2)2X端子:2X1~2X8为4路RS485电平扩展输出;2X9~2X16为4路RS232电平扩展输出;(3)3X端子:3X1~3X2为失电告警输出,为常闭接点;3X3~4X4为外部时间基准信号消失告警输出;3X5~3X6为输出信号出错总告警输出;(5)4X,5X端子:4X1~4X3为第一路电源输入;5X1~5X3为第二路电源输入;SZ-232&485A扩展箱背板布置示意图如下图所示+-+-+-+--+-+-+-++-+-+-+--+-+-+-+1X2X1234+-+-1PPSBJT3XC23C26C27C28C29C30C31C32C17C18C19C20C21C22C24C25 1234567810111213141516917181920212223242627282930313225+-+-+-+--+-+-+-++-+-+-+--+-+-+-+C7C10C11C12C13C14C15C16C1C2C3C4C5C6C8C9 12345678101112131415169171819202122232426272829303132251234失电失步5678告警备用4X2一路电源+13-OFFONOFFON地P1P2二路电源-21+3地6X5X(1)1X端子:1X1~1X32为1~16路扩展信号输出;(2)2X端子:2X1~2X32为17~32路扩展信号输出;(3)3X端子:3X1~3X2为1PPS输入;3X3~3X4为报文输入,可选为RS232电平或RS485电平;(4)4X端子:4X1~4X2为失电告警输出,为常闭接点;4X3~4X4为外部时间基准信号消失告警输出;4X5~4X6为输出信号出错总告警输出;(5)5X,6X端子:5X1~5X3为第一路电源输入;6X1~6X3为第二路电源输入;4.7 SZ-FIB81/82,SZ-FIB91/92光纤收发器4.7.1 结构说明SZ-FIB81/82,SZ-FIB91/92光纤收发器采用标准1U工业机箱.尺寸:482.6mm(宽)×44.45mm(高)×290mm(深);SZ系列GPS标准时间同步钟说明书224.7.2 功能配置SZ-FIB81/82,SZ-FIB91/92光纤收发器能够实现RS485/RS422总线设备在光纤上互连,SZ-FIB81/82接口为多模光纤,SZ-FIB91/92接口为单模光纤.由于采用了光纤作为传输介质,本设备可以在恶劣工作环境下实现安全,高速,长距离通信,可以广泛应用在各种工业控制领域.装置采用双电源输入.型号SZ-FIB81/82 SZ-FIB91/92光波长850nm 1310nm光纤类型多模单模光口插座ST ST距离2km 10kmSZ-FIB81,SZ-FIB91为光纤发送器,SZ-FIB82,SZ-FIB92为光纤接收器,成对使用.4.7.3 面板说明SZ-FIB81光纤发送器面板布置示意图如下图所示SZ-FIB81 光纤发送器PWR1TX1TX2TX3TX4TX5TX6TX7TX8南自电网PWR2(1)PWR1,PWR2为电源指示;(2)绿灯依次为TX1~TX8的发送信号指示灯(也可根据工程定义为其他信号指示),有信号传输时,对应的灯会闪烁;(3)SZ-FIB91光纤发送器,面板布置相同(4)SZ-FIB82,SZ-FIB92光纤接收器,绿灯依次为RX1~RX8的接收信号指示灯.(也可根据工程定义为其他信号指示),有信号接收时,对应的灯会闪烁;4.7.4 背板说明SZ-FIB81光纤发送器背板布置示意图如下图所示TX8TX7TX6TX1TX2TX3TX4TX5-+--++--+TX1+TX2TX3TX4TX5TX6TX7TX8-+-+-+1X910111213141516123456782一路电源+13-OFFONOFFON地P1P2二路电源-21+3地4X3X1234失电失步5678告警备用2XSZ-FIB82光纤接收器背板布置示意图如下图所示RX8RX7RX6RX1RX2RX3RX4RX5-+--++--+RX1+RX2RX3RX4RX5RX6RX7RX8-+-+-+1X910111213141516123456782一路电源+13-OFFONOFFON地P1P2二路电源-21+3地4X3X1234失电失步5678告警备用2X(1)2X端子:2X1~2X2为失电告警输出,为常闭接点;2X3~2X4为外部时间基准信号消失告警输出;2X5~2X6为输出信号出错总告警输出;SZ系列GPS标准时间同步钟说明书23(2)3X,4X端子:3X1~3X3为第一路电源输入;4X1~4X3为第二路电源输入;(3)信号接口连接:使用时应将光纤发送输出(TX)与光纤接收输入(RX)对接(注:单模和多模设备不能混用). 当此设备用于GPS对时系统时,各光纤端子和凤凰端子见下表:凤凰端子光纤输出光纤输入+ -TX1 RX1 1 2TX2 RX2 3 4TX3 RX3 5 6TX4 RX4 7 8TX5 RX5 9 10。

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深圳市芯源半导体有限公司介绍企业发展分析报告

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Enterprise Development专业品质权威Analysis Report企业发展分析报告首航半导体科技(苏州)有限公司免责声明:本报告通过对该企业公开数据进行分析生成,并不完全代表我方对该企业的意见,如有错误请及时联系;本报告出于对企业发展研究目的产生,仅供参考,在任何情况下,使用本报告所引起的一切后果,我方不承担任何责任:本报告不得用于一切商业用途,如需引用或合作,请与我方联系:首航半导体科技(苏州)有限公司1企业发展分析结果1.1 企业发展指数得分企业发展指数得分首航半导体科技(苏州)有限公司综合得分说明:企业发展指数根据企业规模、企业创新、企业风险、企业活力四个维度对企业发展情况进行评价。

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1.2 企业画像类别内容行业空资质空产品服务:半导体器件专用设备制造;半导体分立器件制1.3 发展历程2工商2.1工商信息2.2工商变更2.3股东结构2.4主要人员2.5分支机构2.6对外投资2.7企业年报2.8股权出质2.9动产抵押2.10司法协助2.11清算2.12注销3投融资3.1融资历史3.2投资事件3.3核心团队3.4企业业务4企业信用4.1企业信用4.2行政许可-工商局4.3行政处罚-信用中国4.5税务评级4.6税务处罚4.7经营异常4.8经营异常-工商局4.9采购不良行为4.10产品抽查4.12欠税公告4.13环保处罚4.14被执行人5司法文书5.1法律诉讼(当事人)5.2法律诉讼(相关人)5.3开庭公告5.4被执行人5.5法院公告5.6破产暂无破产数据6企业资质6.1资质许可6.2人员资质6.3产品许可6.4特殊许可7知识产权7.1商标7.2专利7.3软件著作权7.4作品著作权7.5网站备案7.6应用APP7.7微信公众号8招标中标8.1政府招标8.2政府中标8.3央企招标8.4央企中标9标准9.1国家标准9.2行业标准9.3团体标准9.4地方标准10成果奖励10.1国家奖励10.2省部奖励10.3社会奖励10.4科技成果11 土地11.1大块土地出让11.2出让公告11.3土地抵押11.4地块公示11.5大企业购地11.6土地出租11.7土地结果11.8土地转让12基金12.1国家自然基金12.2国家自然基金成果12.3国家社科基金13招聘13.1招聘信息感谢阅读:感谢您耐心地阅读这份企业调查分析报告。

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SZ5-M1-WX-XX – High-Power LED
Superior Efficacy and Lumen output with Small Form Factor
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
Z Power LED – Z5-M1
SZ5-M1-WX-XX (Cool, Neutral, Warm)
RoHS
MacAdam 3-Step
0.75
0.50
0.25
0.00 350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
Wavelength [nm]
Fig 2. Typical Spatial Distribution
100 90
Relative Luminous Intensity [%]
80 70 60 50 40 30 20 10 0 -80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80
Features and Benefits
• • • • • • • High Lumen Output and Efficacy Designed for high current operation Low Thermal Resistance Wide CCT range 3000~7000K High Color Quality, CRI Min. 80 ANSI compliant Binning MacAdam 3 Step for Warm White
1.6 1.4 1.2
Forward Current [A]
1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8
Forward Voltage [V]
Fig 4. Forward Current vs. Relative Luminous Flux (Tj = 25℃)
[2]
Symbol Min. IF IF VR Pd Tj Topr Tstg RθJ-S - 40 - 40 4.5 Class 3A JESD22-A114-E Typ. Max. 1.5 2.0 5 5.22 150 125 125 -
Unit A A V W ºC ºC ºC K/W
Notes :
Forward Current Characteristics
Fig 5. Forward Current vs. CIE X, Y Shift, Tj = 25℃
0.02
CIE(X) CIE(Y)
0.01
0.00
-0.01
-0.02 0 200 400 600 800 1000 1200 1400
Product Brief
Description
• The Z-Power series is designed for high flux output applications with high current operation capability. It incorporates state of the art SMD design and low thermal resistant material. The Z Power LED is ideal light sources for directional lighting applications such as Spot Lights, various outdoor applications, automotive lightings and high performance torches .
3

SZ5-M1-WX-XX – High-Power LED
Performance Characteristics
Table 4. Absolute Maximum Ratings, Tj = 25ºC
Value Parameter Forward Current [1] Peak Pulsed Forward Current Reverse Voltage Power Dissipation Junction Temperature Operating Temperature Storage Temperature Thermal resistance (J to S) [3] ESD Sensitivity(HBM) [4]
700mA* 3.14 3.14 3.14 3.14
1.2A* 3.33 3.33 3.33 3.33
Table 3. Electro Optical Characteristics, Tj = 85ºC
CCT (K) Part Number
[1]
Typical Luminous Flux [2] ФV [3] (lm) 350mA 142 137 126 117 700mA* 258 250 229 210 1.2A* 393 380 349 322 350mA 2.78 2.78 2.78 2.78
Typical Forward Voltage (VF) [4] 700mA* 2.96 2.96 2.96 2.96 1.2A* 3.14 3.14 3.14 3.14
Typ. SZ5-M1-W0-00 SZ5-M1-WN-00 SZ5-M1-WN-C8 SZ5-M1-WW-C8 5300 4000 4000 3000
Part Number
CCT (K) [1]
Typical Forward Voltage (VF) [4]
Typ. SZ5-M1-W0-00 SZ5-M1-WN-00 SZ5-M1-WN-C8 SZ5-M1-WW-C8 5300 4000 4000 3000
350mA 2.95 2.95 2.95 2.95
Rev2.0, May 30, 2014
1

SZ5-M1-WX-XX – High-Power LED
Table of Contents
Index
• • • • • • • • • • • • Product Brief Table of Contents Performance Characteristics Color Bin Structure Mechanical Dimensions Packaging Information Product Nomenclature (Labeling Information) Recommended Solder Pad Reflow Soldering Characteristics Handling of Silicone Resin for LEDs Precaution For Use Company Information
2

SZ5-M1-WX-XX – High-Power LED
Performance Characteristics
Table 2. Electro Optical Characteristics, Tj = 25ºC, RH30%
Typical Luminous Flux [2] ФV [3] (lm) 350mA 158 156 142 128 700mA* 285 276 253 231 1.2A* 433 415 382 353 CRI [5], Ra Min. 70 70 80 80 Viewing Angle (degree s) 2Θ ½ Typ. 118 118 118 118
Angular Displacement [degrees]
5

SZ5-M1-WX-XX – High-Power LED
Forward Current Characteristics
Fig 3. Forward Voltage vs. Forward Current (Tj = 25℃)
Forward Current [mA]
7

SZ5-M1-WX-XX – High-Power LED
Junction Temperature Characteristics
Fig 6. Relative Light Output vs. Junction Temperature, IF = 350mA
Table 1. Product Selection Table
CCT Part Number Color SZ5-M1-W0-00 SZ5-M1-WN-00 SZ5-M1-WN-C8 SZ5-M1-WW-C8 Cool White Neutral White Neutral White Warm White Min. 4700K 3700K 3700K 2600K Typ. 5300K 4000K 4000K 3000K Max. 7000K 4700K 4700K 3700K Min 70 70 80 80 CRI


Key Applications
• • • • • • • Indoor lighting Outdoor lighting Automotive Architectural lighting Industrial lighting (High/Low bay) Portable Torch Home appliance
400 350
Relative Luminous Flux [%]
300 250 200 150 100 50 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
Forward Current [mA]
6

SZ5-M1-WX-XX – High-Power LED
Notes :
(1) Correlated Color Temperature is derived from the CIE 1931 Chromaticity diagram. Color coordinate : 0.005, CCT 5% tolerance. (2) Seoul Semiconductor maintains a tolerance of 7% on flux and power measurements. (3) ФV is the total luminous flux output as measured with an integrating sphere. (4) Tolerance is 0.06V on forward voltage measurements. (5) Tolerance is 2.0 on CRI measurements. * No values are provided by real measurement. Only for reference purpose
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