第6章PVD与CVD
PVD与CVD
2.蒸发镀用途
蒸镀只适用于镀 制对结合强度要 求不高的某些功 能膜,例如用作 电极的导电膜, 光学透镜的反射 膜及装饰用的金 膜、银膜。
2.蒸发镀用途
蒸镀纯金属膜中90%是铝膜,铝膜有广泛的用 途。 目前在制镜工业中已经广泛采用蒸镀,以铝代 银,节约贵重金属。 集成电路是镀铝进行金属化,然后再刻蚀出导 线。在聚酯薄膜上镀铝具有多种用途,可制造 小体积的电容器;制作防止紫外线照射的食品 软包装袋等;经阳极氧化和着色后即得色彩鲜 艳的装饰膜。 双面蒸镀铝的薄钢板可代替镀锡的马口铁制造 罐头盒。
一、 蒸发镀
在真空条件下,用加热蒸发的方法使镀膜材 料转化为气相,然后凝聚在基体表面的方法 称为蒸发镀膜,简称蒸镀。 蒸发镀是PVD方法中最早用于工业生产的一 种方法,该方法工艺成熟,设备较完善,低 熔点金属蒸发效率高,可用于制备介质膜、 电阻、电容等,也可以在塑料薄膜和纸张上 连续蒸镀铝膜。
绕射性好。
基片的正面反面甚至内孔、凹槽、狭缝等,都能沉积上薄膜。
沉积速率快,镀层质量好 。
离子镀膜获得的镀层组织致密,针孔、气泡少。而且镀前对工件 ( 基片 )清洗处理较简单。成膜速度快,可达 75m/min ,可镀制厚 达30m的镀层,是制备厚膜的重要手段。
2 离子镀膜的特点
可镀材质广泛
真空蒸镀时,蒸发粒子动能为0.1~1.0eV,膜对 基体的附着力较弱,为了改进结合力,一般采 用: 在基板背面设臵一个加热器,加热基极,使基 板保持适当的温度,这既净化了基板,又使膜 和基体之间形成一薄的扩散层,增大了附着力。 对于蒸镀像Au这样附着力弱的金属,可以先蒸 镀像Cr,Al等结合力高的薄膜作底层。
1.基本原理
其中靶是一平板,由欲沉积的材料组成,一般 将它与电源的负极相连,故此法又常称为阴极 溅射镀膜。 固定装臵可以使工件接地、悬空、偏臵、加热、 冷却或同时兼有上述几种功能。真空室中需要 充入气体作为媒介,使辉光放电得以启动和维 持,最常用的气体是氩气。
PVD与CVD涂层工艺比较
物 理 气 相 沉 积
化 学 气 相 沉 积
1000℃, 沉积温度 高,基体 的 硬度~20μ m 或更厚, 适合于开 发多层厚 膜涂层, 高耐磨性。
TiN TiC TiCN A12o3 ZrO2 金刚石等 。
高
排出的 废气对 环境 有污染 。
PVD与CVD涂层工艺比较
沉积温度 500℃或更 低, 沉积温度低 刀具变型 不, 基体的 硬度 强度不降低 。 涂层厚度 2~5μ m, 涂层较薄 ,刃口锋 利。 涂层表面 状态 涂层为压 应力,有 利于抑制 裂缝的扩 展;刃口 可不作钝 处理;表 面致密, 粗糙度低 。 涂层为拉 应力,易 生成裂 缝;刃口 必须作钝 化处理; 表面较粗 糙。 主要涂层 材料 TiN TiCN TiA1N A12o3 A1CrN MoS2 WC/C 等。 涂层 结合 强度 低 对环境 影响 无污染 主要应用领域 1.高速钢通用刀 具:钻头、丝锥 、立铣刀。 2.高速钢精密复 杂刀具:拉刀、 齿轮刀具。 3.整体硬质合金 刀具。 4.可转位螺纹刀 片、切断、切槽 刀片。 1.硬质合金可转 为刀片:车刀片 、铣刀片等。 2.金刚石涂层。
PVD与CVD表面处理技术
1. PVD简介PVD是英文Physical Vapor Deposition(物理气相沉积)的缩写,是指在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术,利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离,利用电场的加速作用,使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。
2. PVD技术的发展PVD技术出现于二十世纪七十年代末,制备的薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点。
最初在高速钢刀具领域的成功应用引起了世界各国制造业的高度重视,人们在开发高性能、高可靠性涂层设备的同时,也在硬质合金、陶瓷类刀具中进行了更加深入的涂层应用研究。
与CVD工艺相比,PVD工艺处理温度低,在600℃以下时对刀具材料的抗弯强度无影响;薄膜内部应力状态为压应力,更适于对硬质合金精密复杂刀具的涂层;PVD工艺对环境无不利影响,符合现代绿色制造的发展方向。
目前PVD涂层技术已普遍应用于硬质合金立铣刀、钻头、阶梯钻、油孔钻、铰刀、丝锥、可转位铣刀片、异形刀具、焊接刀具等的涂层处理。
PVD技术不仅提高了薄膜与刀具基体材料的结合强度,涂层成分也由第一代的TiN发展为TiC、TiCN、ZrN、CrN、MoS2、TiAlN、TiAlCN、TiN-AlN、CNx、DLC和ta-C等多元复合涂层。
3. 星弧涂层的PVD技术增强型磁控阴极弧:阴极弧技术是在真空条件下,通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态,从而完成薄膜材料的沉积。
增强型磁控阴极弧利用电磁场的共同作用,将靶材表面的电弧加以有效地控制,使材料的离化率更高,薄膜性能更加优异。
过滤阴极弧:过滤阴极电弧(FCA )配有高效的电磁过滤系统,可将离子源产生的等离子体中的宏观粒子、离子团过滤干净,经过磁过滤后沉积粒子的离化率为100%,并且可以过滤掉大颗粒,因此制备的薄膜非常致密和平整光滑,具有抗腐蚀性能好,与机体的结合力很强。
磁控溅射:在真空环境下,通过电压和磁场的共同作用,以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击,致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜。
薄膜技术中PVD和CVD的区别详解
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溅射法
直流溅射沉积装置
真空系统中,靶材
是需要溅射的材料, 它作为阴极。相对于 作为阳极的衬底加有 数千伏的电压。在对 系统预抽真空以后, 充入适当压力的惰性 气体。
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溅射法
溅射法分类
(1)直流溅射; (2)高频溅射; (3)磁控溅射; (4)反应溅射; (5)离子镀。
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真空蒸镀
蒸发源分类
(一)电阻加热蒸发 (二)电子束加热蒸发 (三)电弧加热蒸发 (四)激光加热蒸发
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真空蒸镀
真空蒸发的影响因素
1.物质的蒸发速度 2.元素的蒸汽压 3.薄膜沉积的均匀性 4.薄膜沉积的纯度
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真空蒸镀
薄膜沉积的纯度
蒸发源的纯度; 加热装置、坩埚可能造成的污染; 真空系统中的残留气体。
物理气相沉积(PVD)
物理气相沉积法过程的三个阶段: 1,从原材料中发射出粒子; 2,粒子运输到基片; 3,粒子在基片上凝结、成核、长大、成膜。
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物理气相沉积(PVD)
PVD
物理气相沉积技术中最为基本的两种方法就 是蒸发法和溅射法,另外还有离子束和离子助等 等方法。
蒸发法相对溅射法具有一些明显的优点,包 括较高的沉积速度,相对较高的真空度,以及由 此导致的较高的薄膜质址等。
薄膜制备
张洋洋
薄膜制备工艺包括:薄膜制备方法的 选择,基体材料的选择及表面处理, 薄膜制备条件的选择和薄膜结构、性 能与工艺参数的关系等。
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薄
膜
物理气相沉积(PVD)
制
化学气相沉积 ( CVD)
PVD和CVD涂层方法
.PVD和CVD涂层方法涂层方法目前生产上常用的涂层方法有两种:物理气相沉积(PVD) 法和化学气相沉积(CVD) 法。
前者沉积温度为500℃,涂层厚度为2~5μm;后者的沉积温度为900℃~1100℃,涂层厚度可达5~10μm,并且设备简单,涂层均匀。
因PVD法未超过高速钢本身的回火温度,故高速钢刀具一般采用PVD法,硬质合金大多采用CVD法。
硬质合金用CVD法涂层时,由于其沉积温度高,故涂层与基体之间容易形成一层脆性的脱碳层(η相),导致刀片脆性破裂。
近十几年来,随着涂覆技术的进步,硬质合金也可采用PVD法。
国外还用PVD/CVD相结合的技术,开发了复合的涂层工艺,称为PACVD法(等离子体化学气相沉积法)。
即利用等离子体来促进化学反应,可把涂覆温度降至400℃以下(目前涂覆温度已可降至180℃~200℃),使硬质合金基体与涂层材料之间不会产生扩散、相变或交换反应,可保持刀片原有的韧性。
据报道,这种方法对涂覆金刚石和立方氮化硼(CBN)超硬涂层特别有效。
用CVD法涂层时,切削刃需预先进行钝化处理(钝圆半径一般为0.02~0.08mm,切削刃强度随钝圆半径增大而提高),故刃口没有未涂层刀片锋利。
所以,对精加工产生薄切屑、要求切削刃锋利的刀具应采用PVD法。
涂层除可涂覆在普通切削刀片上外,还可涂覆到整体刀具上,目前已发展到涂覆在焊的硬质合金刀具上。
据报道,国外某公司在焊接;..式的硬质合金钻头上采用了PCVD法,结果使加工钢料时的钻头寿命比高速钢钻头长10倍,效率提高5倍。
涂层成份又有哪些呢?各自的区别在哪里,应用面怎样。
通常使用的涂层有:TiC、TiN、Ti(C.N)、Gr7O3、Al2O3等。
以上几种CVD的硬质涂层基本具备低的滑动摩擦系数,高的抗磨能力,高的抗接触疲劳能力,高的表面强度,保证表面具有足够的尺寸稳定性与基体之间有高的粘附强度。
PVD与CVD涂层工艺比较;..PVD与CVD涂层工艺比较涂层涂层表面主要涂层对环境主要应用领域结合强沉积温度涂层厚度状态材料影响度1.高速钢通用刀具:TiN钻头、丝锥、物立铣刀。
PVD和CVD涂层方法
PVD和CVD涂层方法涂层方法目前生产上常用的涂层方法有两种:物理气相沉积(PVD) 法和化学气相沉积(CVD) 法。
前者沉积温度为500℃,涂层厚度为2~5µm;后者的沉积温度为900℃~1100℃,涂层厚度可达5~10µm,并且设备简单,涂层均匀。
因PVD法未超过高速钢本身的回火温度,故高速钢刀具一般采用PVD法,硬质合金大多采用CVD法。
硬质合金用CVD法涂层时,由于其沉积温度高,故涂层与基体之间容易形成一层脆性的脱碳层(η相),导致刀片脆性破裂。
近十几年来,随着涂覆技术的进步,硬质合金也可采用PVD法。
国外还用PVD/CVD相结合的技术,开发了复合的涂层工艺,称为PACVD法(等离子体化学气相沉积法)。
即利用等离子体来促进化学反应,可把涂覆温度降至400℃以下(目前涂覆温度已可降至180℃~200℃),使硬质合金基体与涂层材料之间不会产生扩散、相变或交换反应,可保持刀片原有的韧性。
据报道,这种方法对涂覆金刚石和立方氮化硼(CBN)超硬涂层特别有效。
用CVD法涂层时,切削刃需预先进行钝化处理(钝圆半径一般为0.02~0.08mm,切削刃强度随钝圆半径增大而提高),故刃口没有未涂层刀片锋利。
所以,对精加工产生薄切屑、要求切削刃锋利的刀具应采用PVD法。
涂层除可涂覆在普通切削刀片上外,还可涂覆到整体刀具上,目前已发展到涂覆在焊的硬质合金刀具上。
据报道,国外某公司在焊接式的硬质合金钻头上采用了PCVD法,结果使加工钢料时的钻头寿命比高速钢钻头长10倍,效率提高5倍。
涂层成份又有哪些呢?各自的区别在哪里,应用面怎样。
通常使用的涂层有:TiC、TiN、Ti(C.N)、Gr7O3、Al2O3等。
以上几种CVD的硬质涂层基本具备低的滑动摩擦系数,高的抗磨能力,高的抗接触疲劳能力,高的表面强度,保证表面具有足够的尺寸稳定性与基体之间有高的粘附强度。
PVD与CVD涂层工艺比较PVD与CVD涂层工艺比较沉积温度涂层厚度涂层表面状态主要涂层材料涂层结合强度对环境影响主要应用领域物理气相沉积500℃或更低,沉积温度低刀具变型不,基体的硬度强度不降低。
PVD与CVD
气相沉积技术一般可分为两大类:物理气 相沉积(Physical Vapour Deposition-PVD)和化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition--CVD)。
能力知识点1 物理气相沉积
在真空条件下,利用各种物理方法,将镀 料气化成原子、分子或使其离子化为离子, 直接沉积到基体表面上的方法称为物理气 相沉积(PVD)。 物理气相沉积法主要包括真空蒸镀、溅射 镀膜、离子镀膜等。
绕射性好。
基片的正面反面甚至内孔、凹槽、狭缝等,都能沉积上薄膜。
沉积速率快,镀层质量好 。
离子镀膜获得的镀层组织致密,针孔、气泡少。而且镀前对工件 ( 基片 )清洗处理较简单。成膜速度快,可达 75m/min ,可镀制厚 达30m的镀层,是制备厚膜的重要手段。
2 离子镀膜的特点
可镀材质广泛
物理气相沉积(PVD)技术经历了由最初的真空蒸镀到1963 年离子镀技术的开发和应用。20世纪70年代末磁控溅射技术有 了新的突破。 近年来,各种复合技术,如离子注入与各种PVD方法的复合, 已经在新材料涂层、功能涂层、超硬涂层的开发制备中成为必 不可少的工艺方法。 PVD法已广泛用于机械、航空、电子、轻工和光学等工业部门 中制备耐磨、耐蚀、耐热、导电、磁性、光学、装饰、润滑、 压电和超导等各种镀层。 随着物理气相沉积设备的不断完善、大型化和连续化,它的应 用范围和可镀工件尺寸不断扩大,已成为国内外近20年来争相 发展和采用的先进技术之一。
溅射镀膜的基本过程
正离子
溅射原子
靶
基 片
靶面原子 的溅射
溅射原子向 基片的ห้องสมุดไป่ตู้移
溅射原子在 基片沉积
阴极溅射时溅射下来的材料原子具有10~35eV 的动能,比蒸镀时原子动能(0.1~1.0eV)大 得多,因此溅射镀膜的附着力也比蒸镀膜大。
优选薄膜技术中PVD和CVD的区别详解
物理气相沉积(PVD)
PVD
这种薄膜制备方法相对于下面还要介绍的化 学气相沉积方法而言,具有以下几个特点: 1.需要使用固态的或者熔化态的物质作为沉积过 程的源物质。 2.源物质要经过物理过程进入气相。 3.需要相对较低的气体压力环境。 4.在气相中及衬底表面并不发生化学反应。
物理气相沉积(PVD)
真空蒸镀
蒸发源分类
(一)电阻加热蒸发 (二)电子束加热蒸发 (三)电弧加热蒸发 (四)激光加热蒸发
真空蒸镀
真空蒸发的影响因素
1.物质的蒸发速度 2.元素的蒸汽压 3.薄膜沉积的均匀性 4.薄膜沉积的纯度
真空蒸镀
薄膜沉积的纯度
• 蒸发源的纯度; • 加热装置、坩埚可能造成的污染; • 真空系统中的残留气体。
溅射法
溅射法利用带有电荷的离子在电 场中加速后具有一定动能的特点,将 离子引向欲被溅射的靶电极。在离子 能量合适的情况下,入射的离子将在 与靶表面的原子的碰撞过程中使后者 溅射出来。这些被溅射出来的原子将 带有一定的动能,并且会沿着一定的 方向射向衬底,从而实现在衬底上薄 膜的沉积。
溅射法
直流溅射沉积装置
真空蒸镀
• 装置: • 真空系统 • 蒸发系统 • 基片支撑 • 挡板 • 监控系统
真空蒸镀
大量材料皆可以在真空中蒸发,最终 在基片上凝结以形成薄膜。真空蒸发沉积 过程由三个步骤组成: ①蒸发源材料由凝聚相转变成气相; ②在蒸发源与基片之间蒸发粒子的输运; ③蒸发粒子到达基片后凝结、成核、长大、 成膜。
薄膜的化学气相沉积(CVD)
CVD所涉及的化学反应类型
1.热解反应 2.还原反应 3.氧化反应 4.化合反应 5.歧化反应 6.可逆反应
薄膜的化学气相沉积(CVD)
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沉积温度 物 理 气 相 沉 积 500℃或更 低, 沉积温度低 刀具变型 不, 基体的 硬度 强度不降低 。 涂层厚度 2~5μ m, 涂层较薄 ,刃口锋 利。 涂层表面 状态 涂层为压 应力,有 利于抑制 裂缝的扩 展;刃口 可不作钝 处理;表 面致密, 粗糙度低 。 涂层为拉 应力,易 生成裂 缝;刃口 必须作钝 化处理; 表面较粗 糙。 主要涂层 材料 TiN TiCN TiA1N A12o3 A1CrN MoS2 WC/C 等。 涂层 结合 强度 低 对环境 影响 无污染 主要应用领域 1.高速钢通用刀 具:钻头、丝锥 、立铣刀。 2.高速钢精密复 杂刀具:拉刀、 齿轮刀具。 3.整体硬质合金 刀具。 4.可转位螺纹刀 片、切断、切槽 刀片。 1.硬质合金可转 为刀片:车刀片 、铣刀片等。 2.金刚石涂层。
物 理 气 相 沉 积
1000℃, 沉积温度 高,基体 的 硬度、 强度降低 ,需开发 专门的基 体用于涂层 。
5~20μ m 或更厚, 适合于开 发多层厚 膜涂层, 高耐磨性。
TiN TiC TiCN A12o3 ZrO2 金刚石等 。 Nhomakorabea高
排出的 废气对 环境 有污染 。
pvd与cvd技术适用的薄膜制程
pvd与cvd技术适用的薄膜制程薄膜制程是一种利用物理或化学方法在基底上形成一层薄膜的工艺。
在材料科学和工程中,薄膜制程被广泛应用于各种领域,如电子器件、光学器件、表面涂层等。
其中,物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)和化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)是两种常见的薄膜制备技术。
PVD技术是一种将固态材料通过物理蒸发或溅射的方式沉积在基底上的方法。
它通常包括蒸发、溅射和离子镀三种方式。
蒸发是将材料加热至高温,使其蒸发并沉积在基底上;溅射是通过离子轰击的方式将材料从固态转变为气态,并在真空环境中沉积在基底上;离子镀是利用离子束轰击材料表面,使其释放出离子,并将离子沉积在基底上。
PVD技术具有高纯度、致密性好、结构均匀等优点,适用于制备金属薄膜、合金薄膜、氧化物薄膜等。
CVD技术是一种将气态或液态前体物质在基底表面化学反应生成固态产物的方法。
它通常包括化学气相沉积和低压化学气相沉积两种方式。
化学气相沉积是将气态前体物质与氧化剂在基底表面进行反应,生成固态产物;低压化学气相沉积是在较低的压力和温度下进行沉积。
CVD技术具有成膜速度快、控制性好、沉积均匀等优点,适用于制备金属薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜等。
PVD和CVD技术在薄膜制程中有着不同的适用性。
PVD技术适用于制备厚度较薄的薄膜,通常在几纳米到几十微米之间。
由于PVD 技术在沉积过程中,材料以固态形式进行转移,因此PVD制备的薄膜具有较高的致密性和纯度。
此外,PVD技术还可以在复杂的表面结构上进行沉积,如孔洞、凹槽等,适用于制备具有特殊形状要求的薄膜。
相比之下,CVD技术适用于制备较厚的薄膜,通常在几十纳米到几百微米之间。
由于CVD技术是通过化学反应生成固态产物,因此可以在基底表面上形成较为均匀的薄膜。
此外,CVD技术还可以在较低的温度下进行沉积,适用于对基底温度敏感的材料。
PVD与CVD解析
1.蒸发镀的原理
和液体一样,固体在一定温度下也可以或多 或少的气化(升华),形成该物质的蒸气。 在高真空中,将镀膜材料加热到高温,相应 温度下的饱和蒸气就在真空槽中散发,蒸发 原子在各个方向的通量并不相等。基体设在 蒸气源的上方阻挡蒸气流,且使基体保持相 对较低的温度,蒸气则在其上形成凝固膜。 为了弥补凝固的蒸气,蒸发源要以一定的比 例供给蒸气。
根据蒸发镀的原理可知,通过采用单金属镀膜 材料或合金镀膜材料就可在基体上得到单金属 膜层或得到合金膜层。但由于在同一温度下, 不同的金属具有不同的饱和蒸气压,其蒸发速 度也不一样,蒸发速度快的金属将比蒸发速度 慢的金属先蒸发完,这样所得的膜层成分就会 与合金镀料的成分有明显的不同。所以,通过 蒸发镀获得合金镀膜比获得单金属镀膜困难。
Байду номын сангаас
一、 蒸发镀
在真空条件下,用加热蒸发的方法使镀膜材 料转化为气相,然后凝聚在基体表面的方法 称为蒸发镀膜,简称蒸镀。 蒸发镀是PVD方法中最早用于工业生产的一 种方法,该方法工艺成熟,设备较完善,低 熔点金属蒸发效率高,可用于制备介质膜、 电阻、电容等,也可以在塑料薄膜和纸张上 连续蒸镀铝膜。
物理气相沉积(PVD)技术经历了由最初的真空蒸镀到1963 年离子镀技术的开发和应用。20世纪70年代末磁控溅射技术有 了新的突破。 近年来,各种复合技术,如离子注入与各种PVD方法的复合, 已经在新材料涂层、功能涂层、超硬涂层的开发制备中成为必 不可少的工艺方法。 PVD法已广泛用于机械、航空、电子、轻工和光学等工业部门 中制备耐磨、耐蚀、耐热、导电、磁性、光学、装饰、润滑、 压电和超导等各种镀层。 随着物理气相沉积设备的不断完善、大型化和连续化,它的应 用范围和可镀工件尺寸不断扩大,已成为国内外近20年来争相 发展和采用的先进技术之一。
PVD和CVD
7.2 物理成膜7.2.1 概述1. 定义利用蒸发、溅射沉积或复合的技术,不涉及到化学反应,成膜过程基本是一个物理过程而完成薄膜生长过程的技术,以PVD为代表。
2. 成膜方法与工艺❑真空蒸发镀膜(包括脉冲激光沉积、分子束外延)❑溅射镀膜❑离子成膜材料及试验方法磁控溅射设备溅射进样真空室激光分子束外延设备Methods of film preparation include laser deposition, sputtering, MOCVD, and sol-gel techniques.The composition and crystal structure of films depend on material quality, fabriccation method, synthesis condition, and post-annealing.Natural World “Atomic-World ”Target/evaporated source Substrate surface Atomic rain Clusters Particles Discharge Impurity, Contamination VacuumCloudEarth surface --groundNatural rainSnowHailThunder stormDust, PollutionEnvironmental protection Cloudtargetsubstrate原子层的晶体生长“世界”与自然世界的比拟7.2.2 真空蒸发镀膜1. 工艺原理真空室内加热的固体材料被蒸发汽化或升华后,凝结沉积到一定温度的衬底材料表面。
形成薄膜经历三个过程:1)蒸发或升华。
通过一定加热方式使被蒸发材料受热蒸发或升华,由固态或液态变成气态。
2)输运到衬底。
气态原子或分子在真空状态及一定蒸气压条件下由蒸发源输运到衬底。
PVD与CVD涂层工艺比较
TiN TiCN TiA1N A12o3 A1CrN MoS2 WC/C 等。
低 无污染 1.高速钢通用刀 具:钻头、丝锥 、立铣刀。 2.高速钢精密复 杂刀具:拉刀、 齿轮刀具。 3.整体硬质合金 刀具。 4.可转位螺纹刀 片、切断、切槽 刀片。
1000℃, 5~20μm 涂层为拉 TiN
高
化 沉积温度 学 高,基体
或更厚, 应力,易 TiC 适合于开 生成裂 TiCN
气 的 硬度、 发多层厚 缝;刃口 A12o3
相 强度降低
膜涂层, 必须作钝 ZrO2
沉 ,需开发 高耐磨性。 化处理; 金刚石等
积 专门的基 体用于涂层
表面较粗
1.硬质合金可转 为刀片:车刀片 、铣刀片等。 2.金刚石涂层。
PVD与CVD涂层工艺比较
沉积温度
涂层厚度
涂层表面 主要涂层
状态
材料
涂层 结合 强度
对环境 影响
主要应用领域
500℃或更 2~5μm,
低,
涂层较薄
沉积温度低 ,刃口锋 物 刀具变型 利。 理 不, 气 基体的 硬度
相 强度不降低 沉。 积
涂层为压 应力,有 利于抑制 裂缝的扩 展;刃口 可不作钝 处理;表 面致密, 粗糙度低 。
CVD和PVD
超硬材料是指硬度(H V)超过4000的物质,只有极少数材料如金刚石能达到这一要求。
金刚石具有独特的晶格结构,是由S P3杂化键结合的碳原子形成紧密的正四面体形式。
这样的结构使得金刚石具有极高的杨氏模量和晶格密度,硬度(H V)可达到10000。
与金刚石相类似,c-B N、β-C3N4等也是由S P3键结合正四面体结构的物质(类金刚石碳中也含有大量的S P3杂化碳),其性质和金刚石也十分相似,属超硬材料。
将超硬材料利用物理或化学的方法沉积在基体表面可以形成超硬涂层。
主要有化学相沉积(C V D)和物理相沉积(P V D)两种方式,因此称为C V D和P V D超硬涂层。
超硬涂层与材料本身相比同样具有极高的硬度、很低的摩擦系数、极强的耐磨和抗蚀性能、良好的热导和高温化学惰性等,而且涂层的实用性较超硬材料本身更强。
正是这些优越性能促使C V D和P V D超硬涂层的研究在近些年里蓬勃兴起,并不断地取得新进展。
逐渐从金刚石涂层研究扩展到探索其它一些超硬材料(涂层),如c-B N、DLC、β-C3N4等。
下面介绍几种超硬涂层在近些年来的研究进展。
PVD和CVD涂层方法涂层方法目前生产上常用的涂层方法有两种:物理气相沉积(PVD) 法和化学气相沉积(CVD) 法。
前者沉积温度为500℃,涂层厚度为2~5µm;后者的沉积温度为900℃~1100℃,涂层厚度可达5~10µm,并且设备简单,涂层均匀。
因PVD法未超过高速钢本身的回火温度,故高速钢刀具般采用PVD法,硬质合金大多采用CVD 法。
硬质合金用CVD法涂层时,由于其沉积温度高,故涂层与基体之间容易形成一层脆性的脱碳层(η相),导致刀片脆性破裂。
近十几年来,随着涂覆技术的进步,硬质合金也可采用PVD法。
国外还用PVD/CVD相结合的技术,开发了复合的涂层工艺,称为PACVD法(等离子体化学气相沉积法)。
即利用等离子体来促进化学反应,可把涂覆温度降至400℃以下(目前涂覆温度已可降至180℃~200℃),使硬质合金基体与涂层材料之间不会产生扩散、相变或交换反应,可保持刀片原有的韧性。
第6章PVD与CVD
2) 真空度单位 1.用压力作测量单位 国际单位制中压力的单位是帕斯卡(Pa)。1Pa的压力就是1mE2面积上作 用1N的力,即1Pa=1N/mE2 2.用真空度的百分数作测量单位 δ%=(1×10E5-p)/(1*10E5)*100% 式中p的单位为Pa。 已知真空度的百分数δ,求气体压力p时可用下式: p=1*10E5(1-δ/100) 真空度的百分数只是当压力高于100Pa时才用。 3)真空区域的划分 为实用上便利起见,人们常把真空度粗划为几个区段。根据GB3163-82, 真空区域大致划分如下: 低真空 10E5~10E2 Pa 中真空 10E2~10E-1 Pa 高真空 10E-1~10E-5 Pa 超高真空 <10E-5 Pa
6.1.1.2 真空的获得
机械泵 1.定片式 定片式:在泵壳内装有一个与泵内表面靠近的偏心转子,泵 定片式 壳上装有一个始终与转子表面接触的径向滑片,当转子旋 转时,滑片能上、下滑动将泵腔分成两个可变容积。定片 式真空泵抽速较小,有单级、双级之分,双级泵的极限真 空可达10-1Pa。泵的结构简单、使用寿命较长和检修容易, 但由于其工作性能不如旋片泵,所以目前已经很少生产和 应用。 2.滑阀式:在偏心转子外部装有一个滑阀,转子旋转带动滑 滑阀式: 滑阀式 阀沿泵壳内壁滑动和滚动,滑阀上部的滑阀杆能在可摆动 的滑阀导轨中滑动,而把泵腔分成两个可变容积。滑阀式 真空泵的抽气原理与旋片泵相似,但两者结构不同。滑阀 式真空泵是利用滑阀机构来改变吸气腔容积的,故称滑阀 泵。
(阳极) 8-底板9-灯丝电源 10-高压电源
6.4.2 工艺
工件 镀前处理 装件 抽真空
冷却
离子 沉积
离子 轰击
烘烤
取件
成品
6.5 镀膜前处理和膜厚测量
薄膜技术中PVD和CVD的区别详解课件
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真空蒸镀
• 装置: • 真空系统 • 蒸发系统 • 基片支撑 • 挡板 • 监控系统
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真空蒸成薄膜。真空蒸发沉积 过程由三个步骤组成: ①蒸发源材料由凝聚相转变成气相; ②在蒸发源与基片之间蒸发粒子的输运; ③蒸发粒子到达基片后凝结、成核、长大、 成膜。
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溅射法
直流溅射沉积装置
真空系统中,靶 材是需要溅射的材料, 它作为阴极。相对于 作为阳极的衬底加有 数千伏的电压。在对 系统预抽真空以后, 充入适当压力的惰性 气体。
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溅射法
溅射法分类
(1)直流溅射; (2)高频溅射; (3)磁控溅射; (4)反应溅射; (5)离子镀。
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真空蒸镀
蒸发源分类
(一)电阻加热蒸发 (二)电子束加热蒸发 (三)电弧加热蒸发 (四)激光加热蒸发
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真空蒸镀
真空蒸发的影响因素
1.物质的蒸发速度 2.元素的蒸汽压 3.薄膜沉积的均匀性 4.薄膜沉积的纯度
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真空蒸镀
薄膜沉积的纯度
• 蒸发源的纯度; • 加热装置、坩埚可能造成的污染; • 真空系统中的残留气体。
物理气相沉积法过程的三个阶段: 1,从原材料中发射出粒子; 2,粒子运输到基片; 3,粒子在基片上凝结、成核、长大、成膜。
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物理气相沉积(PVD)
PVD
物理气相沉积技术中最为基本的两种方法就 是蒸发法和溅射法,另外还有离子束和离子助等 等方法。
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6.1.1.3 真空的测量 热电偶真空计 原理: 原理:在玻璃管中封入加热丝C、D及两根
不同金属丝A与B制成的一对热电偶。当C 和D通以恒定的电流时,热丝的温度一定, 当气体压强降低时,O点温度升高,则热电 偶A、B两端的热电动势E增大,由外接毫 伏计读出电压升高,压强与热电动势并非 线性关系. 热偶真空计的测量范围大约在 Pa之间, 它不能够测量再低的压强,这是因为当压 强更低时,热丝的温度较高,此时气体分 子热传导带走的热量很小,而由热丝引线 本身产生的热传导和热辐射这两部分不再 与压强有关,因此就达到了测量下限。
6.1.1
6.1.1.1
真空技术基础
真空物理基础
真空的定义, 1 真空的定义,真空度的单位几区域划分 1) 真空概念 “真空”是指在给定空间内低于一个大气压力的气体状态, 也就是该空间内气体分子密度低于该地区大气压的气体分子 密度。不同的真空状态,就意味着该空间具有不同的分子密 度。在标准状态(STP:即0℃,10525Pa)下,气体的分子 密度为2.6870*10E24/mE3,而在真空度为1.33*10E-4 Pa时, 气体的分子密度只有3.24*10E16/mE3。完全没有气体的空 间状态为绝对真空。绝对真空实际上是不存在的。
电脑
膜厚测量装置 加热器
基板
实验中控制镀膜厚度 是最重要的。要控制 镀膜的厚度,应该要 求膜厚测量仪与膜材 料蒸发器统一受控与 同一系统,使这两部 分装置协调工作、相 互配合,当膜厚达到 要求时立即停止加热, 并冷却。这样才能有 效地控制膜厚,使镀 膜厚度达到光学仪器 的设计要求。
坩埚
6.2.3 真空蒸镀的现阶段的应用和发展
2 气体分子运动论的基本公式 1)理想气体状态方程 PVD技术应用的真空度范围的气体可视为理想气体,应 用理想气体状态方程时可以不进行修改. pv=M/uRT M-气体质量(kg);u-摩尔质量(kg.mol-1) 适用条件:压强不太高,温度不太低. 2)道尔分压定律 p=p1+p2+……+pn+… 3)平均速度
第6章 物理气相沉积与化学气相沉积 章 6-1 物理气相沉积
定义 物理气相沉积(PVD)技术是指在真空条件下用物理 的方法将材料汽化成原子、分子或使其电离成离子并通过气相 过程在材料或部件表面沉积一层具有某些特殊性能的薄膜技术 主要方法 真空蒸镀(VE) 真空溅射(VS) 离子镀膜(IP) 工艺过程 1成膜材料的汽化 2成膜原子、分子或离子从源到基片的迁移过程 3成膜原子在基片表面的吸附、堆集、形膜和长大成膜.
6.2真空蒸镀 真空蒸镀
6.2.1 原理 在真空中将蒸镀材料加热蒸发产生蒸气,使其附着在基板 上凝聚成薄膜。真空蒸镀属于物理气相沉积法。 1.蒸发过程 1)汽化热 2)蒸气压 3)蒸发温度 4)蒸发速率
6.2.2 真空蒸镀的关键部件
1.蒸发器
蒸发器的加热温度要达到膜材料熔化的温度,其加 热方式通常为电阻法、电子束法等。 电阻法是用高熔点金属做成适当的形状的加热器, 并将膜材料放在上面加热,利用电流的热效应使加 热器温度达到材料蒸发的温度,膜材料蒸发并淀积 在基板上。
(阳极) 8-底板9-灯丝电源 10-高压电源
6.4.2 工艺
工件 镀前处理 装件 抽真空
冷却
离子 沉积
离子 轰击
烘烤
取件
成品
6.5 镀膜前处理和膜厚测量
6.5.1 前处理 1.基片材料 1)金属 2)陶瓷 3)玻璃 4)塑料 2. 基片的清洗 6.5.2 膜厚测量(略)
6.6 薄膜的分析测试技术
3.旋片式(常用):在一个泵壳内并联装有由同一个电动机驱动的多个独 旋片式(常用) 旋片式 立工作室的旋片真空泵。油封式真空泵工作原理用油来保持运动部件 的密封、靠泵腔容积变化而实现抽气的机械真空泵统称油封式真空泵。 它们的工作原理都是使泵腔工作室容积机械地增大和缩小而抽气。当 泵腔内工作室容积变得最小时,与泵的入口管道连通,于是气体进入 泵吸入腔,一直到吸入腔容积最大并重新与进气口分开时为止。当容 积减少时,气体被压缩,直到气体的压力大于一个大气压,排气阀被 打开,将气体排出 .
6.1.1.2 真空的获得
机械泵 1.定片式 定片式:在泵壳内装有一个与泵内表面靠近的偏心转子,泵 定片式 壳上装有一个始终与转子表面接触的径向滑片,当转子旋 转时,滑片能上、下滑动将泵腔分成两个可变容积。定片 式真空泵抽速较小,有单级、双级之分,双级泵的极限真 空可达10-1Pa。泵的结构简单、使用寿命较长和检修容易, 但由于其工作性能不如旋片泵,所以目前已经很少生产和 应用。 2.滑阀式:在偏心转子外部装有一个滑阀,转子旋转带动滑 滑阀式: 滑阀式 阀沿泵壳内壁滑动和滚动,滑阀上部的滑阀杆能在可摆动 的滑阀导轨中滑动,而把泵腔分成两个可变容积。滑阀式 真空泵的抽气原理与旋片泵相似,但两者结构不同。滑阀 式真空泵是利用滑阀机构来改变吸气腔容积的,故称滑阀 泵。
真空蒸镀除了镀制光学薄膜外,还被用于镀制软包装铝膜, 它们以优异的机械物理、导电、光学美学,高阻隔、卫生、 无味、经济、环保等性能被广泛地应用于食品、医药、种 子、农药、通讯、电子、化工及军工等领域的包装材料。 此外真空蒸镀法还被应用于制备纳米材料。用真空蒸发、 加热、高频感应等方法使原料气化或形成等粒子体,然后 骤冷。其特点纯度高、结晶组织好、粒度可控,但技术设 备要求高。
MT
3 气流与流导
粘性流 容器尺寸远大于平均自由程时,气体主要是在分子间 相互碰撞的过程中流动.这种气流称为粘性流. 分子流 气体分子主要是和容器壁碰撞过程中流动,称之为分 d λ 子流. 当气体流量用pv表示时,单位时间内流过管道某一截 流量 面的气体量则为气体的流量. Q=pv/t (Pa·L/s) 流量与压力差和流阻Z的关系: Q=(p2-p1)/Z 流导G,则为: G=1/Z=Q/ (p2-p1)
2) 真空度单位 1.用压力作测量单位 国际单位制中压力的单位是帕斯卡(Pa)。1Pa的压力就是1mE2面积上作 用1N的力,即1Pa=1N/mE2 2.用真空度的百分数作测量单位 δ%=(1×10E5-p)/(1*10E5)*100% 式中p的单位为Pa。 已知真空度的百分数δ,求气体压力p时可用下式: p=1*10E5(1-δ/100) 真空度的百分数只是当压力高于100Pa时才用。 3)真空区域的划分 为实用上便利起见,人们常把真空度粗划为几个区段。根据GB3163-82, 真空区域大致划分如下: 低真空 10E5~10E2 Pa 中真空 10E2~10E-1 Pa 高真空 10E-1~10E-5 Pa 超高真空 <10E-5 Pa
v=
8KT = πm
8 RT
πµ
4)平均自由程
λ = 1/( 2π nδ )
2
5)气体分子的流量 气体分子的流量就是单位截流面积,单位时间通过的气 体分子数,对于器壁或处于系统中的固体则是单位时间 分子碰壁数(入射频率).
Z=(1/4)n v = 4.67 *10
[Pa个/(s·cm2)]
24
p/
6.3 溅射镀膜
6.3.1 原理 以几十电子伏特或更高动能的荷电粒子轰击材料表面, 使其溅射出进入气相,可用来刻蚀和镀膜。 入射一个离子所溅射出的原子个数称为溅射产额(Yield)产额 越高溅射速度越快,以Cu、Au、Ag等最高,Ti、Mo、Ta、 W等最低。一般在0.1-10原子/离子。 离子可以直流辉光放电产生,在10-1—10 Pa真空度,在两极 间加高压产生放电,正离子会轰击负电之靶材而溅射也靶材, 而镀至被镀物上。 正常辉光放电的电流密度与阴极物质与形状、气体种类压力 等有关。溅镀时应尽可能维持其稳定。 任何材料皆可溅射镀膜,即使高熔点材料也容易溅镀,但对 非导体靶材须以射频(RF)或脉冲(pulse)溅射;且因导 电性较差,溅镀功率及速度较低。金属溅镀功率可达 10W/cm2,非金属<5W/cm2
扩散泵 1.扩散泵:以低压高速蒸气流(油或汞等蒸气)作为工作介质 的喷射真空泵。气体分子扩散到蒸气射流中,被送到出口。 在射流中气体分子密度始终是很低的,这种泵适于在分子 流状态下工作。可分为: ①自净化扩散泵:泵液中易挥发的杂质经专门的机械输送 到出口而不回到锅炉中的一种油扩散泵。 ②分馏式扩散泵:这种泵具有分馏装置,使蒸气压强较低 的工作液蒸气进入高真空工作的喷嘴,而蒸气压强较高的 工作液蒸气进入低真空工作的喷嘴,它是一种多级油扩散 泵。 ⑷扩散喷射泵:它是一种有扩散泵特性的单级或多级喷嘴 与具有喷射真空泵特性的单级或多级喷嘴串联组成的一种 动量传输泵。油增压泵即属于这种型式。 ⑸离子传输泵:它是将被电离的气体在电磁场或电场的作 用下,输送到出口的一种动量传输泵。
2.膜厚检测装置
现在比较成熟有效的膜厚检测方法主要有两种:光学膜 厚检测、石英晶体振荡式检测。 光学膜厚检测:镀层薄膜的透射率和反射率随着膜的厚 度d的增加存在极大值和极小值,每增加四分之一波长 时,出现透射和反射光强的变化,通过这一变数量计算 膜厚。 石英晶体振荡式检测:石英片由一个固有的谐振频率, 淀积在它表面的物质质量改变时,谐振频率发生变化, 推算淀积层的厚度。
6.3.3 工艺
工件 镀前处理 装件 抽真空
冷却
工件溅射沉积烘烤、轰击源自取件后处理成品
6.4 离子镀 6.4.1 原理 在基体上施加电压,产生离 子对基体和覆盖层的持续轰击 作用的真空镀膜方法。 其工作原理是利用惰性气 体的辉光放电使金属或合金蒸 气离子化;离子经电场加速而 沉积在带付电荷基体上。 优点是:1)优良的绕射性 及覆盖致密、结合力高;2)离 化率高;3)沉积材料广;4) 离子镀原理图 沉积材料省,节略贵重金属;5) 1-绝缘体 2-基体(阴极)3-高压电极 4-阴 无污染 极暗区 5-真空罩 6-辉光区 7-蒸发源灯丝
热阴极电离真空计 热阴极电离规管由三个电极组成,真空计通过控制器的 控制电路单元对电极施加电压、电流,将非电量的气体压 力转换成电量——离子电流,利用控制器的测量显示单元 给出测量结果。热阴极电离规管以其结构简单、性能稳定、 操作方便、反应迅速和量程范围宽受到广泛应用。 组成:加速极G 收集极C 灯丝F