《模拟电子技术》胡宴如主编(第四版)习题解答-第3章
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章
第3章 多级放大电路自测题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。
(2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。
(5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000oui iU A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。
二、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。
A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性C ．晶体管参数受温度影响D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。
A ．便于设计B ．放大交流信号C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。
A ．克服温漂B ．提高输入电阻C ．稳定放大倍数(4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。
A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。
A ．差模放大倍数数值增大B ．抑制共模信号能力增强C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。
A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C.带负载能力强三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时0.7BEQ U V ≈。
模拟电子技术胡宴如主编习题解答-第3章
第3章放大电路如图所示，电流电压均为正弦波，已知R S =600Ω，U S =30mV ，U i =20mV ，R L =1k Ω，U o =。
求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i ；当R L 开路时，测得U o =，求输出电阻R o 。
解：（1）求放大倍数 电压放大倍数为dBA dB A U U A u u i o u 6.3560lg 20lg 20)(6020102.13====⨯==电流放大倍数为dBA dB A mV k V R U U R U I I A i i S i S L o i o i 1.3772lg 20lg 20)(72600/)2030(1/2.1/)(/===-=Ω-Ω-=--==功率放大倍数为dBA dB A I U I U Pi P A p p i i OO O P 4.364320lg 10lg 10)(43207260====⨯===（2）求输入和输出电阻Ω=Ω⨯-=-=Ω=Ω-==k k R U U R mV mV I U R L o t o o i i i 5.01)12.18.1()1(1200600/)2030(203．2在图所示放大电路中，已知三极管β=80，r bb’=200Ω，U BEQ =，试：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQ ；（2）画出H 参数小信号等效电路，求A u 、R i 、R o 、A us ；（3）图若β=60时，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
解：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQVV V R R I V U mAmAI I mA mA R U U I VVV R R R U E C CQ CCCEQ CQBQ E BEQBQ CQ CC B B B BQ 5.11)2.23.4(92.124)(024.08092.192.12.27.092.492.416622416212=+⨯-=+-=====-=-==+⨯=+=β（2）画H 参数等效电路，求Au 、R i 、R o 、A us图的H 参数等效电路如图解所示，由已求I CQ 可得Ω=Ω+Ω=β++=k ..I U )(r r EQ T 'bb be 3192126812001 故962.16.0)144(2.13.42.1)3.1//16//62(////1443.1)1.5//3.4(8021'-=+-⨯=+==Ω==Ω=Ω==-=⨯-=-==u i s i s o us C o be B B i be L i o u A R R R u u A k R R k k r R R R r R u u A β（3）当β=60，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
高频电子线路作业及答案(胡宴如 狄苏燕版)三章
第３章 谐振功率放大器3.1 谐振功率放大器电路如图3.1.1所示，晶体管的理想化转移特性如下图P3.1所示。
已知：BB 0.2V V =，i 1.1cos ()u t V ω=，回路调谐在输入信号频率上，试在转移特性上画出输入电压和集电极电流波形，并求出电流导通角θ及c0I 、c1m I 、c2m I 的大小。
[解] 由BE BB 0.2 1.1cos ()0.2 1.1cos (),i u V u V t V V t ωω=+=+=+可作出它的波形如图P3.1(2)所示。
根据BE u 及转移特性，在图P3.1中可作出c i 的波形如(3)所示。
由于0t =时， BE BE max (0.2 1.1)=1.3,u u V V ==+则max 0.7C i A =。
因为()cos im BE on BB U U V θ=-，所以 BE(on)BBim0.60.2cos 0.364,1.1U V U θ--===则得 69θ=︒由于0(69)0.249α︒=，1(69)0.432α︒=，2(69)0.269α︒=，则00max 11max 22max (69)0.2490.70.174(69)0.4320.70.302(69)0.2690.70.188c C c m C c m C I i A I i A I i Aααα=︒=⨯==︒=⨯==︒=⨯= 3.2 已知集电极电流余弦脉冲max 100mA C i =，试求通角120θ=︒，70θ=︒时集电极电流的直流分量0c I 和基波分量1c m I ；若CC 0.95cm U V =，求出两种情况下放大器的效率各为多少？6 [解] (1) 120θ=︒，0()0.406αθ=，1()0.536αθ= 01100.40610040.6mA,0.53610053.6mA()110.5360.9562.7%2()20.406c c m cm c CC I I U V αθηαθ=⨯==⨯===⨯⨯=(2) 70θ=︒，0()0.253αθ=，1()0.436αθ=010.25310025.3mA,0.43610043.6mA10.4360.9581.9%20.253c c m c I I η=⨯==⨯==⨯⨯= 3.3 已知谐振功率放大器的CC 24V V =，C0250mA I =，5W o P =，cm CC 0.9U V =，试求该放大器的D P 、C P 、C η以及c1m I 、max C i 、θ。
模拟电子技术基础(第四版)华成英课后答案第三章
& = β 2 R3 = 125 A u2 rbe2 & =A & ⋅A & ≈ −125 A
u u1 u2
Ri = R1 ∥ R2 ∥ rbe1 ≈ 0.93kΩ Ro = R3 = 3kΩ
在 图 （ b） 所 示 电 路 中
& = − β 1 ⋅ ( R1 ∥ rbe2 ) ≈ −50 A u1 rbe1 & = − β 2 R4 ≈ −42 A u2 rbe2 & =A & ⋅A & ≈ 2100 A u u1 u2 Ri = ( R5 + R2 ∥ R3 ) ∥ rbe1 ≈ 1.2kΩ Ro = R4 = 1kΩ
)
二、现有基本放大电路： A. 共 射 电 路 D. 共 源 电 路 B. 共 集 电 路 E. 共 漏 电 路 C. 共 基 电 路
根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 （ 1 ）要 求 输 入 电 阻 为 1k Ω 至 2k Ω ，电 压 放 大 倍 数 大 于 3000 ，第 一 级 应 采用 ，第二级应采用 。
（ 2 ） 要 求 输 入 电 阻 大 于 10M Ω ， 电 压 放 大 倍 数 大 于 300 ， 第 一 级 应 采 用 ，第二为 100k Ω ～ 200k Ω ， 电 压 放 大 倍 数 数 值 大 于 100 ， 第一级应采用 ，第二级应采用 。
图 （ b）
rbe2 + R2 1+ β2
& = A u
(1 + β 1 )( R2 ∥ R3 ∥ rbe2 ) β R ⋅ (− 2 4 ) rbe1 + (1 + β 1 )( R2 ∥ R3 ∥ rbe2 ) rbe2
模拟电子技术基础 胡宴如 耿苏燕 高等教育出版社 第三章 课后答案
Ri = R B1 // R B 2 // rbe = (62 // 16 // 1.3)kΩ = 1.2kΩ uo Ri 1.2 × (−144) = Au = = −96 u s Rs + Ri 0.6 + 1.2
− 60 × ( 4.3 // 5.1 ) = −140 1 Ri = ( 62 // 16 // 1 )kΩ = 0.93kΩ Ro = RC = 4.3kΩ Au =
.c
图 P3.3
om
（2）画 H 参数等效电路，求 Au、Ri、Ro
U BQ =
RB 2 16 × 24V VCC = = 4.92V RB1 + RB 2 62 + 16 U BQ − U BEQ 4.92 − 0.7 I CQ = = mA = 1.92 mA RE 2 .2 U CEQ = VCC − I CQ ( RC + RE ) = 24V − 1.92 × ( 4.3 + 2.2 )V = 11.5V
rbe = 200Ω + 81×
由图（c）可得
Au =
u o − β ( R B 2 // RC // R L ) − 80 × (100 // 3.9 // 10)kΩ = = = −157 ui rbe 1.4kΩ
w w
所以
w
求 Au、Ri、Ro。
3.6 放大电路如图 P3.6 所示，已知三极管的β=50，rbb’=200Ω，UBEQ=0.7V，各电容
.c
om
求静态工作点 ICQ、UCEQ； （2）画出 H 参数小信号等效电路，求 Au、Ri、Ro； （3）求源电压增 益 Aus。 解： （1）求静态工作点
U BQ = I CQ ≈
模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白精编版
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础第四版习题解答完整版
模拟电子技术基础第四版习题解答Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
模拟电子技术基础第四版课后答案第三章
第3章多级放大电路自测题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为至2kQ,电压放大倍数大于3000 ,第一级应采用（A）, 第二级应采用（A ）。
（2）要求输入电阻大于10MQ,电压放大倍数大于300 ,第一级应采用（D ）,第二级应采用（A ）。
（3）要求输入电阻为1002”200皿,电压放大倍数数值大于100 ,第一级应采用（B ）,第二级应采用（A ）。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10 ,输入电阻大于1OM0输出电阻小于1000 第一级应采用（D ）,第二级应采用（B ）。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且|4.|= ¥ >1000,输出电阻X100 ,第一级应采用釆用（C ）,第二级应（B ）。
二、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（C、D ）。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（C ）。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容（3）选用差动放大电路的原因是（A ）。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数（4）差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的（A ）,共模信号是两个输入端信号的（C ）。
A.差B.和C.平均值（5）用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的（B ）。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使（C ）。
A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C.带负载能力强三、电路如图T3・3所示，所有晶体管均为硅管，B均为200,加=2000 ,静态时%①0.7V。
试求：（1）静态时4管和4管的发射极电流。
⑵若静态时u（） > 0 ,则应如何调节屆的值才能使=0若静态=0 V t则屆==,电压放大倍数为多少解：⑴盂管的集电极电流I C 3 = (i/z -U BEQ3)/R E3= 0.3mA 静态时71管和乃管的发射极电流I El =/^=0.15mA⑵若静态时5 > 0 ,则应减小 屁当M, =0时u o = 0,力管的集电极电流I CQ4 = V EE /R C 4 = 0.6mA o加=久+(1 + 0)护"9也 仮4A_0｛尺2〃［也+（1+"）心］｝zA,, ---------------------------------- 10.3屁的电流及其阻值分别为:2-0认2-譽0・⑷皿,p_ 人 4尺£4 + BEQ4f2=—兀—电压放大倍数求解过程如下:=6.8M八 26mV oc/.久2 f+（1 + 0）—P 35K1lEQ2 图 T3 • 3（-6V ）/<2R10kQ-o ----习题判断图所示各两级放大电路中7；和誥管分别组成哪种基本接法的放大电路。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第 1 章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第 2 章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第 3 章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第 4 章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第 5 章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第 6 章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第 7 章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第 8 章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第 9 章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第 10 章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第 1 章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。
( √ )(2)因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
( √ )(6)若耗尽型 N 沟道 MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型 MOS 管C.耗尽型 MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术教程第3章习题答案
第3章 习题1. 概念题：（1）在放大电路中，三极管或场效应管起的作用就是 将一种形式的电量转换为另一种形式的电量 。
（2）电源的作用是 为能量转换提供能源 ，如果离开电源，放大器可以工作吗（ 不能 ）（3）单管放大器的讲解从电容耦合形式开始，这是因为 阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点 ，如果信号和负载直接接入，其 工作点 的计算将要复杂的多。
（4）在共射放大器的发射极串接一个小电阻，还能认为是共射放大器吗（ 能 ）在共集放大器的集电极串接一个小电阻，还能认为是共集放大器吗（ 能 ）（5）在模电中下列一些说法是等同的，（A 、C 、F ）另一些说法也是等同的。
（B 、D 、E ）A. 直流分析B. 交流分析C. 静态分析D. 动态分析E. 小信号分析F. 工作点分析（6）PN 结具有单向导电性，信号电压和电流的方向是随时间变化的，而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大，这是因为 放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量 。
（7） β大的三极管输入阻抗 也大 ，小功率三极管的基本输入阻抗可表示为EQTbb'be I U )1(r r β++≈。
（8）画直流通路比画交流通路复杂吗（不）在画交流通路时直流电压源可认为 短路 ，直流电流源可认为 开路 ，二极管和稳压管只考虑其 动态内阻 即可。
（9）求输出阻抗时负载R L 必须 断开 ，单管放大器输出阻抗最难求的是共 集电极 放大器，其次是共 源 放大器。
（10）对晶体管来说，直流电阻指 晶体管对所加电源呈现的等效电阻 ，交流电阻指 在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻 ，对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗（ 无 ）（11）在共射级放大器或共源放大器中，电阻R C 或R D 的作用是 把电流I C 或I D 的变化转换为电压的变化 。
（12）放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真，引起非线性失真的主要原因是 放大器工作点偏离放大区 。
模拟电子技术基础答案全解(第四版)
第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I L LO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
《模拟电子技术基础》胡宴如 课后答案
第1章 半导体二极管及其电路分析`1．1 某二极管在室温（300K ）下的反向饱和电流为0.1pA ，试分析二极管外加电压在0.5V~0.7V 之间变化时，二极管电流的变化范围。
解：由于 )1(−=TD U u S D eI i由题意知I S =0.1pA ，室温下U T ≈26mV ，故当U D =0.5V 时，得i D =0.1×10－12×（126500−e）A ≈22.5μA当U D =0.7V 时，得mA A ei D 3.49)1(101.02670012≈−××=−因此U D 在0.5~0.7V 之间变化时，i D 在22.5μA~49.3mA 之间变化。
1.2 二极管电路如图P1.2所示，二极管的导通电压U D(on) =0.7V ，试分别求出R 为1k Ω、4k Ω时，电路中电流I 1、I 2、I O 和输出电压U O 。
解：（1）R=1k Ω 假设二极管断开，可求得输出电压V V U O 5.41119'−=+×−=可见，电路中二极管的阳极电位高于阴极电位1.5V ，所以，二极管处于导通状态，故mAmA I I I mAmA I O 6.1)3.57.3(3.51212=+−=+===mAmA R U I VV U L O O O )9(7.37.3)1/7.3(/7.3)7.03(−−−−=−==−=−−= （2）R=4k Ω假设二极管断开，可求得输出电压V V U O 8.11419'−=+−=× 可见，电路中二极管阳极电位低于阴极电位，二极管处于截止状态，所以mAI I mA mA R U I VU U I o L O O O O 8.18.1)1/8.1(/8.102'1=−=−=−==−===1.3 图P1.3所示各电路中，设二极管具有理想特性，试判断各二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压U AO 。
模拟电子技术基础胡宴如课后答案
图 P1.6
（b）图P1.6 (b)中，在ui正半周理想二极管导 通，uo=0，在ui负半周，二极管截止，uo=ui，故得 uo波形如图解P1.6(b)所示。
第 1 章 半导体二极管及其电路分析
`
1．1 某二极管在室温（300K）下的反向饱和电流为 0.1pA，试分析二极管外加电压
在 0.5V~0.7V之间变化时，二极管电流的变化范围。
uD
解：由于 iD = I S (eUT − 1)
由题意知IS=0.1pA，室温下UT≈26mV，故当UD=0.5V时，得
I DQ
=
5 − 0.7 2.5
mA
= 1.72mA
（2）求动态量ud、id
画出图 P1.11 电路的小信号等效电路如图解 P1.11（b）所
示。由该图得
ud=ui=5sinωt(mV)
由于 rd
=
26mA I DQ (mA)
=
26 Ω 1.72
≈ 15.1Ω
故 id
= ud rd
= 5 sin ωt(mA) ≈ 0.33Sinωt(mA) 15.1
号源，图P1.4 的小信号等效电路如图解P1.5 所 示。图中△UI=±1V，二极管动态电阻为
图解 P1.5
rd
= UT ID
由题
1.4
已求得UI=6V时，ID=4.9mA，故 rd
=
26mV 4.9mA
≈
5.31Ω
由图解 P1.5 得
ΔU O
=
RL // 3rd R + RL // 3rd
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第1章 半导体二极管及其电路分析`1．1 某二极管在室温（300K ）下的反向饱和电流为0.1pA ，试分析二极管外加电压在0.5V~0.7V 之间变化时，二极管电流的变化范围。
解：由于 )1(−=TD U u S D eI i由题意知I S =0.1pA ，室温下U T ≈26mV ，故当U D =0.5V 时，得i D =0.1×10－12×（126500−e）A ≈22.5μA当U D =0.7V 时，得mA A ei D 3.49)1(101.02670012≈−××=−因此U D 在0.5~0.7V 之间变化时，i D 在22.5μA~49.3mA 之间变化。
1.2 二极管电路如图P1.2所示，二极管的导通电压U D(on) =0.7V ，试分别求出R 为1k Ω、4k Ω时，电路中电流I 1、I 2、I O 和输出电压U O 。
解：（1）R=1k Ω 假设二极管断开，可求得输出电压V V U O 5.41119'−=+×−=可见，电路中二极管的阳极电位高于阴极电位1.5V ，所以，二极管处于导通状态，故mAmA I I I mAmA I O 6.1)3.57.3(3.51212=+−=+===mAmA R U I VV U L O O O )9(7.37.3)1/7.3(/7.3)7.03(−−−−=−==−=−−= （2）R=4k Ω假设二极管断开，可求得输出电压V V U O 8.11419'−=+−=× 可见，电路中二极管阳极电位低于阴极电位，二极管处于截止状态，所以mAI I mA mA R U I VU U I o L O O O O 8.18.1)1/8.1(/8.102'1=−=−=−==−===1.3 图P1.3所示各电路中，设二极管具有理想特性，试判断各二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压U AO 。
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模拟电子技术基础胡宴如自测题答案模拟电子技术胡宴如（第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
( ×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( ×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—V＝V。
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图 P1.6
（b）图P1.6 (b)中，在ui正半周理想二极管导 通，uo=0，在ui负半周，二极管截止，uo=ui，故得 uo波形如图解P1.6(b)所示。
U Im ax − 6 − 6 = 30 ×10 −3 100 300
U Imin − 6 − 6 = 10 ×10 −3 100 300
由此可求得 UImax=11V，UImin =9V，即允许的UI变化范围为 10V±1V。
1．15 稳压管稳压电路如图P1.15 所示，稳压管的参数
为UZ =6V，IZ =5mA，PZM=250mW,输入电压UI =20V，试分 析：（1）求UO、IDZ；（2）当RL开路、UI增加 10%时，稳压 管是否能安全工作？（3）当UI减小 10%，RL=1kΩ时，稳压 管是否工作在稳压状态？
2 R
R
=
(10 − 6)2 W 100
= 0.16W
= 160mW
图 P1.13
1.14 试求图P1.13 所示电路安全稳压工作所充许的输入电压UI变化范围。
解：为了保证图P1.13 所示电路既能稳压又能安全工作，当UI变大时，相应的IDZ应不
超过IZM=30mA，UI变小时，相应的IDZ应不低于IZ =10mA，故可得
8
试画uO波形。
ωt
图 P1.16
图解 P1.16
解：由图可知，当uI>5.7V时，V1正偏导通，V2稳压工作，uO=0.7V+5V=5.7V； 当UI<－5.7V时，V1稳压工作，V2正偏导通，uO=－5V－0.7V=－5.7V；当-5.7V<uI<5.7V 时，V1、V2均截止，uO=UI，故得uO波形如图解P1.16 所示。 1.17 设计一稳压管稳压电路，要求输出电压为
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变化范围，故要求IZM－IZ≥IOmax
查手册知稳压管 2CW53 的主要参数为UZ=4~5.8V，IZ=10mA，IZM=41Ma,能满足要求，
故可选用UZ=5V的 2CW53。
为使电路能安全地稳压工作，限流电阻 R 值应满足：
2 R
R
=
(10 − 6)2 W 100
= 0.16W
= 160mW图 P1.131.14 试求图P1.13 所示电路安全稳压工作所充许的输入电压UI变化范围。
解：为了保证图P1.13 所示电路既能稳压又能安全工作，当UI变大时，相应的IDZ应不
超过IZM=30mA，UI变小时，相应的IDZ应不低于IZ =10mA，故可得
4kΩ时，电路中电流I1、I2、IO和输出电压UO。
解：（1）R=1kΩ
假设二极管断开，可求得输出电压
U
' O
=
− 9×1V 1+1
=
−4.5V
可见，电路中二极管的阳极电位高于阴极电位 1.5V，所 以，二极管处于导通状态，故
图 P1.2
U O = (−3 − 0.7)V = −3.7V
I O = U O / RL = (−3.7 / 1)mA = −3.7mA
=
U
' O
=
−1.8V
I O = U O / RL = (−1.8 / 1)mA = −1.8mA
I 2 = − I o = 1.8mA
1.3 图P1.3 所示各电路中，设二极管具有理想特性，试判断各二极管是导通还是截止，
并求出AO两端电压UAO。
图 P1.3
解：图（a）中，断开二极管V1、V2时，可得V1、V2正极电位均为 10V，而V1、V2的负 极电位分别为 0V和－6V，因此V2的正偏电压大于V1的，V2优先导通，使UAO=－6V。这样 就迫使V1反偏截止。
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第3章3.1放大电路如图P3.1所示，电流电压均为正弦波，已知R S =600Ω，U S =30mV ，U i =20mV ，R L =1k Ω，U o =1.2V 。
求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i ；当R L 开路时，测得U o =1.8V ，求输出电阻R o 。
解：（1）求放大倍数 电压放大倍数为dBA dB A U U A u u i o u 6.3560lg 20lg 20)(6020102.13====⨯==电流放大倍数为dBA dB A mV k V R U U R U I I A i i S i S L o i o i 1.3772lg 20lg 20)(72600/)2030(1/2.1/)(/===-=Ω-Ω-=--==功率放大倍数为dBA dB A I U I U Pi P A p p i i OO O P 4.364320lg 10lg 10)(43207260====⨯===（2）求输入和输出电阻Ω=Ω⨯-=-=Ω=Ω-==k k R U U R mV mV I U R L o t o o i i i 5.01)12.18.1()1(1200600/)2030(203．2在图P3.2所示放大电路中，已知三极管β=80，r bb’=200Ω，U BEQ =0.7V ，试：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQ ；（2）画出H 参数小信号等效电路，求A u 、R i 、R o 、图P3.1A us ；（3）若β=60时，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
解：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQVV V R R I V U mA mAI I mA mA R U U I VVV R R R U E C CQ CCCEQ CQBQ E BEQBQ CQ CC B B B BQ 5.11)2.23.4(92.124)(024.08092.192.12.27.092.492.416622416212=+⨯-=+-=====-=-==+⨯=+=β（2）画H 参数等效电路，求Au 、R i 、R o 、A us图P3.2的H 参数等效电路如图解P3.2所示，由已求I CQ 可得Ω=Ω+Ω=β++=k ..I U )(r r EQ T 'bb be 3192126812001 故962.16.0)144(2.13.42.1)3.1//16//62(////1443.1)1.5//3.4(8021'-=+-⨯=+==Ω==Ω=Ω==-=⨯-=-==u i s i s o us C o be B B i be L i o u A R R R u u A k R R k k r R R R r R u u A β（3）当β=60，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
图P3.2图解P3.2因β改变时对I CQ 影响很小，可认为I CQ =1.92mA 不变，这样Ω≈Ω+Ω=k .19212661200r be故变小。
几乎不变，i o u R R 、A 3.493.0)1//16//62(1401)1.5//3.4(60Ω==Ω=Ω=-=⨯-=k R R k k R A C o i u 3.3 放大电路如图P3.3所示，已知三极管的β=100，r bb’=200Ω，U BEQ =0.7V ，试：（1）求静态工作点I CQ 、I BQ 、U CEQ ；（2）画出H 参数小信号等效电路，求A u 、R i 、R o ；（3）求源电压增益A us 。
解：（1）求静态工作点VV V R R R I V U mA mAI mA mA R R U U I VVV R R R U E E C CQ CC CEQBQ E E BEQBQ CQ CC B B B BQ 4.6)11.03(1.215)(021.01001.21.211.07.033104015102121212=++-=++-====+-=+-≈=+⨯=+=（2）画H 参数等效电路，求A u 、R i 、R o图P3.3的H 参数等效电路如图解P3.3所示，所以，由已求I CQ 可得Ω=Ω+Ω=k ..r be 4511226101200 故 161.010145.1)7.4//3(100)1()//(1-=⨯+-=++-=E be L C u R r R R A ββ图解P3.3图P3.3Ω=≈Ω=Ω⨯+=++=k R R k k R r R R R c o E be B B i 37.4])1.010145.1//(10//40[])1(//[//121β（3）求源电压增益414167451074.)(...A R R R u u A u i s i s o us -=-+=+==3.4放大电路如图P3.4所示，已知三极管的β=80，r bb’=200Ω，设各电容对交流的容抗近似为零。
试：（1）画出该电路的直流通路，求I BQ 、I CQ 、U CEQ ；（2）画出交流通路及H 参数小信号等效电路，求A u 、R i 、R o 。
解：（1）求静态工作点放大电路的直流通路如图解P3.4（a ）所示，由图可得BEQ B B BQ C CQ BQ CC U )R R (I R )I I (V ++++=21故图P3.4图解P3.4mA mA R R R U V I CB B BEQCC BQ 022.09.3811001007.012)1(21=⨯++-=+++-=β则V.V ..V R )I I (V U mA.mA .I I C CQ BQ CC CEQ BQ CQ 159302208112761022080=⨯⨯-=+-==⨯=β=（2）求主要性能指标作出图P3.4电路的交流通路和H 参数等效电路如图解P3.4（b ）、（c ）所示。
图（c ）中Ω=Ω⨯+Ω=k ..r be 417612681200由图（c ）可得Ω=Ω==Ω≈Ω==-=ΩΩ⨯-=-==k k R R R k k r R R k k r R R R u u A C B o be B i be L C B i o u 75.3)9.3//100(//4.1)4.1//100(//1574.1)10//9.3//100(80)////(212β3.5 共集电极放大电路如图P3.5所示，已知β=100,r bb’=200Ω，U BEQ =0.7V 。
试：（1）估算静态工作点I CQ 、U CEQ ；（2）求A u =u o /u i 和输入电阻R i ；（3）u s =2V ，求输出电压u o 和输出电阻R o 。
解：（1）估算静态工作点由图可得mA .mA ..R R U V I I E B BEQ CC EQ CQ 7216310130070121=+-=+β+-=≈图P3.5V .V )..(R I V U E EQ CC CEQ 856372112=⨯-=-=（2） 求A u 、R i 、Ro 由已求I EQ 可得Ω=Ω+Ω=k ..rbe 73172126101200故Ω=ΩΩ+ΩΩ=++=Ω=Ω⨯+Ω=++==Ω⨯+ΩΩ⨯=+++==7.266.3//10173.1300//1//1//114)8.110173.1//(300)]//)(1(//[99.08.110173.18.1101)//)(1()//)(1(k k k k R r R R R k k k R R r R R k k k R R r R R u u A E be B s o L E be B i L E be L E i o u ββββ（3）由于R i ＞＞R s ，所以u i =u s ，故u o=A u u i =2V3.6 一信号源R s =10k Ω，U s =1V ，负载R L =1k Ω，当R L 与信号源直接相接，如图P3.6（a ）所示，和经射极输出器与信号源相接，如图P3.6（b ）所示，所获得输出电压的大小有无区别？分析计算结果。
说明射极输出器的作用。
解：由图P3.6（a ）可得V .V R R R U U L s L s o 091011011=+⨯=+=图P3.6由图P3.6（b ）求得mA .mA .I EQ 3211013907012=+-=所以求得97405010134150101845501013413903413226101200....A k .k )..//(k R k ..r u i be =⨯+⨯=Ω=Ω⨯+Ω=Ω=Ω+Ω=则得V .V ...R R R U A U A U i s i s ui u o 808451084519740=+⨯=+==上述计算结果说明由于射极输出器的作用，图（b ）输出电压远大于图（a ）的。
由计算过程可以看出，1k Ω的负载电阻R L 经射极输出器后，接到信号源的等效电阻R i 显著提高，射极输出器起到了阻抗变换作用。
3.7 放大电路如图P3.7所示，已知β=70，r bb’=200Ω，I CQ =1mA ，试画出该电路的交流通路及H 参数小信号等效电路，说明它是何种组态的放大电路，并求出A u 、R i 、R o 的大小。
解：画电路的交流通路如图解P3.7(a)所示，可见图P3.7为共基极放大电路，根据图（a ）可作出它的H 参数等效电路如图（b ）所示，图中故Ω=≈Ω=Ω+=β+==⨯=β==k R R k .k ).//(r //R R .r R u u A c o be E i be C i o u 3028070105211102052370Ω=Ω⨯+Ω=k r be 05.2126712003.8 共源放大电路如图P3.8所示，已知场效应管g m=1.2ms，画出该电路交流通路和交流小信号等效电路，求A u、R1、R o。
解：图P3.8电路的交流通路及小信号等效电路如图解P3.8（a）、（b）所示，由图（b）可得73.212.11)10//10(2.11)//(1-=Ω⨯+Ω-=+-==kmskmsRgRRguuASmLDmiouR i=R G3+R G1//R G2=2MΩ+300kΩ//100kΩ≈2MΩR O=R D=10kΩ3.9 电路如图P3.9所示，已知V1、V2的β=80，U BEQ=0.7V，r bb’=200Ω，试求：（1）V1、V2的静态工作点I CQ及U CEQ；（2）图P3.7 图解 P3.7(a) (b)差模电压放大倍数A ud =u o /u i ；（3）差模输入电阻R id 和输出电阻R o 。
解：（1）求静态工作点VU R I V U mAmA R U V I I EQ C CQ CC CEQ EBEQEE EQ CQ 4.2)7.0(1083.01083.08.627.012=--⨯-=--==⨯-=-=≈（2）求差模电压放大倍数Ω=Ω+Ω=k ..r be 728302681200故296721080-=⨯-=β-==.r R u u A be C i o ud （3）求差模输入电阻和输出电阻R id =2r be =2×2.7k Ω=5.4k Ω R O =2R C =20k Ω3.10 电路如图P3.10所示，已知三极管β=100，r bb’=200Ω，U BEQ =0.7V ，试求：（1）V 1、V 2的静态工作点I CQ 及U CEQ ；（2）差模电压放大倍数A ud =u o /u i ；（3）差模输入电阻R id 和输出电阻R o 。