H67主板BIOS详解

微星H67主板采用图形化UEFI BIOS。

BIOS主页BIOS设置操作规则BIOS支持多国语言，可以选择简体中文。

本详解采用英文底本。

一、节能设置（Green Power）1-1、EUP 2013（欧洲节能标准）EUP2013是欧盟新的节能标准，要求电脑在待机状态时，功耗降低到欧盟的要求。

开启EUP2013可能导致开机加电时间略微延迟。

设置项：开启/关闭，默认是开启。

1-2、CPU Phase Control（CPU供电项管理）CPU供电一般是多相的脉宽调制（PWM）方式，当CPU空闲时不需要大电流，可以关闭多余的供电相，降低供电电路的自身耗电。

CPU供电相管理有三项设置，APS模式/Intel SVID模式/关闭，默认是Intel SVID模式。

APS模式（Active Phase Switching）也叫主动相变换模式，是微星的动态相位切换功能，其原理是依据CPU的负载调控PWM供电的相数。

Intel SVID模式（Serial Voltage Identification）是英特尔VRD12供电规格采用的串行电压识别。

英特尔的EIST就是依据SVID总线侦测CPU电压。

依据CPU电压来调控PWM供电的相数。

关闭：关闭CPU供电相切换功能。

1-3、Motherboard LED Control（主板LED管理）主板上LED指示灯管理，设置项：Auto/Off，默认Auto。

如果想节点电，可以关闭（Off）LED指示灯。

1-4、C1E Support（C1E支持）开启或关闭C1E。

C1E的全称是C1E enhanced halt stat，由操作系统HLT命令触发，通过调节倍频降低处理器的主频，同时还可以降低电压。

设置项：开启/关闭，默认关闭。

1-5、Intel C-State（英特尔C状态）开启或关闭C-State。

C-State是ACPI定义的处理器的电源状态。

处理器电源状态被设计为C0,C1,C2,。

C0电源状态是活跃状态，即CPU执行指令。

C1到Cn都是处理器睡眠状态，即和C0状态相比，处理器消耗更少的能源并且释放更少的热量。

但在这睡眠状态下，处理器都有一个恢复到C0的唤醒时间，不同的C-State要耗费不同的唤醒时间。

设置项：开启/关闭，默认是开启。

C-State与C1E的区别：C-State是ACPI控制的休眠机制，C1E是HLT指令控制的降低CPU频率节能。

C1E是C0状态下的节能。

附件：C-State表1-6、Package C State Limit（C状态限制）这是设置C状态限制。

如果限制到C0，C1E就不起作用，如果限制到C2，就不能进入C3更节能的状态，设置项：C0/C2/C6/C7/No Limit/Auto，默认是Auto，超频时也可以设置为No Limit（不限制）。

二、超频设置（Over Clocking）2-1、Adjust CPU Ratio（调整CPU倍频）这是酷睿二代的CPU超频的方式。

CPU有2种，锁倍频的和不锁倍频的（K字）。

锁倍频的也可以超倍频，只是超的幅度小。

K字CPU的倍频是开放的。

调整方法是回车，从弹出的倍频菜单中选择。

2-2、Internal PLL Overvoltage（超内部PLL电压）PLL电压就是时钟频率电压，超这个电压增强时钟信号，是超频的辅助手段。

设置项：Auto/Disabled/Enabled，默认是Auto。

2-3、EISTEIST全称为“Enhanced Intel Speed Step Technology”，是Intel公司专门为移动平台和服务器平台处理器开发的一种节电技术。

到后来，新推出的桌面处理器也内置了该项技术。

EIST是根据处理器负载来调节主频和电压的模块，它的触发机制同C1E halt state 是不同的。

操作系统、BIOS的支持是必需的，操作系统通过ACPI进行调节。

EIST提供了更多的CPU频率和电压调节级别，因此可以比C1E halt更加精确的调节处理器的状态。

设置项：Enabled/Disabled，默认是Enabled。

2-4、Intel Turbo Boost（睿频）英特尔第2代睿频技术。

CPU可以根据负载启用核心数量，并自动超频。

单核工作时频率可提高20%。

设置项：Enabled/Disabled，默认是Enabled。

2.5、OC Genie Button Operation（超频精灵按钮）开启/关闭超频精灵，这个设置项相当于微星高端主板上的超频精灵按钮。

设置项：Enabled/Disabled，默认是Enabled。

2-5、DRAM Frequency（内存频率）设置内存的频率，敲回车，从弹出的频率菜单选择，H67不支持内存超频。

2-6、Extreme Memory Profile（X.M.P）启用XMP，XMP是英特尔早期的一个内存超频规格。

把DDR3内存频率提升到1600。

现在有些DDR3内存条支持XMP，可以启用这个选项达到1600。

其实也可以在内存频率里直接设置到1600。

设置项：Enabled/Disabled，默认是Disabled。

2-7、DRAM Timing Mode（内存时序模式）这里是设置内存时序的调整模式。

Auto就是按内存的SPD参数自动设置，Link/Unlink是手动设置，Link是2个通道用同一个时序设置，Unlink是2个通道分开设置时序。

当设置了Link/Unlink后，下面的Advanced DRAM Configuration变为可操作的，以便于手动设置内存时序。

2-8、Advanced DRAM Configuration（高级内存时序配置）1、第一梯队的六个参数这6个参数是最重要的，可以在CPU-Z里面看到。

其中CL、RCD、RP是JEDEC标准排名前三的重要参数。

Command Rate：命令速率，也称之为CR，Command Mode。

设置参数有1T/2T/3T。

这个选项是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。

延迟时间以周期为单位。

1T当然比2T快。

但是要依据内存条的性能。

性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。

一般保持Auto设置即可，让BIOS自己去设置。

tCL：参数范围5-15T。

CL就是CAS# Latency，列地址选通潜伏时间，指的是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。

CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。

因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。

tRCD：参数范围4-15T。

RCD就是RAS# to CAS# Delay，行地址到列地址的延迟时间，数值越小，性能越好。

对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。

JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。

tRP：参数范围4-15T。

RP就是Row# precharge Delay，内存行地址选通脉冲预充电时间。

也叫做“内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。

tRP 用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。

tRP参数大会导致所有的行激活延迟过长，参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。

该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。

参数值大将提高系统的稳定。

这3个参数是JEDEC规范中最重要的参数，参数值越低，内存读写操作越快，但稳定性下降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。

tRAS：参数范围10-40T。

RAS就是Row# active Delay，内存行地址选通延迟。

即“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。

降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。

如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。

该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。

为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。

tRFC：参数范围48-200T。

RFC就是Refresh Cycle Time，刷新周期时间。

它是“SDRAM 行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。

该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。

tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

2、DRAM参数的第二梯队tWR：参数范围5-16T。

WR就是Write Recovery Time，写恢复延时。

该值指的是在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。

这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。

同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。

tWTR：参数范围4-15T。

WTR就是Write to Read Delay，写到读延时。

这个参数设定向DDR内存模块的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。

tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。

偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。

tRRD：参数范围1-15T。

RRD就是Row to Row Delay，行到行延迟。

也称为RAS to RAS delay ，表示“行单元到行单元的延时”。

该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。

tRRD值越小越好。

延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。

然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。

如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。

tRTP：参数范围4-15T。

RTP就是DRAM READ to PRE Time，内部读取到预充电命令时间。

这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。

如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定。

tFAW：参数范围4-63T。

FAW就是DRAM FOUR ACT WIN Time，内存四项动作成功时间。

该选项通常设置为Auto即可，对性能以及稳定性影响不大。

tWCL：参数范围5-15T。

WCL就是Write CAS Latency，写指令到行地址控制器延时。