数字电子技术
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正离子核
硅原子
锗原子
硅和锗最外层轨道上的 四个电子称为价电子。
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1.1.1 本征半导体
本征半导体—化学成分纯净、结构完整的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常 称为“九个9”。
本征半导体的共价键结构
在绝对温度T=0K时， 所有的价电子都被共价键 紧紧束缚在共价键中，不 会成为自由电子，因此本 征半导体的导电能力很弱 ，接近绝缘体。
(1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下， 所对应的反向工作电压。
(2) 动态电阻rZ ——
rZ =U /I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡，稳压性能越好。
(3) 最小稳定工作电流Izmin ——
保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。
(4) 最大稳定工作电流Izmax ——
电子空穴对 自由电子 N型半导体
++ + + ++ + + ++ + +
多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴
施主离子
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2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。
硅原子 空穴 硼原子
电子空穴对 P型半导体
空穴
－ － －－
－ － －－
－ － －－
受主离子
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子
1.3.1 基本结构
NPN型
B
基极
C 集电极
N P N
E 发射极
符号:
集电极 C
BP N
基极 P
发射极 E
PNP型
NPN管
PNP管
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C 集电极
集电区：
面积较大
N
B
P
基极
N
基区： 较薄， 掺杂浓度低
B
基极
发射区：
E
掺杂浓度较高
发射极
C 集电极
N
集电结
P
N
发射结
E 发射极
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1.3.2 BJT的内部工作原理（NPN管）
1.5
△ iB
IB =100uA IB =80uA IB =60uA IB =40uA IB =20uA IB=0 uCE (V)
β一般取20~200之间
（2）共基极电流放大系数：
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2.极间反向电流
例 2 ： 二 极 管 构 成 的 限 幅 电 路 如 图 所 示 ， R ＝ 1kΩ ， UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、 串联电压源模型计算电流I和输出电压uo
解：（1）采用理想模型分析。
采用串联电压源模型分析。
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（2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如下图右所示， 分别采用理想二极管模型和串联电压源模型分析电路并画出
超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。
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例4：图示电路，已知发光二极管的导通电压为1.6V，正向 电流为5 ∼ 20mA时才能发光。试问： （1）开关处于何位置时发光二极管可能发光‽ （2）为使发光二极管发光，电路中R的取值范围是多少‽
解：1） 开关断开时。 2）
R的取值范围是220 ∼880 Ω。
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1.3 双极型晶体管
半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时， 多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被 称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor， 简称BJT）。BJT是由两个PN结组成的。
图1.3.1 晶体管的几种常见外形
2020/11/21
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二极管的单向导电性将不能很好的体现。
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+-
C
C
当f很高时， 很小，电容近似短路，二极管 失去单向导电作用。
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1.2.3 wk.baidu.com极管的模型及近似分析计算
1.二极管的直流模型
R 1kΩ E 10V
D—非线性器件 RLC—线性器件
i
I
u
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二极管的模型
二极管的V—A特性
导通压降
本征半导体的导电性取决于外加能量：
温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。
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1.1.2 杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的 半导体称为杂质半导体。
1.N型半导体
在本征半导体中掺入五价杂质元素，例 如磷，砷等，称为N型半导体。
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N型半导体
硅原子 多余电子
磷原子
外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动＞漂移运动
→多子扩散形成正向电流I F
正向电流
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(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区
外电场的方向与内电场方向相同。
外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动＞扩散运动
→少子漂移形成反向电流I R
P
在一定的温度下，由本 征激发产生的少子浓度是 一定的，故IR基本上与外 加反压的大小无关，所以 称为反向饱和电流。但IR 与温度有关。
三极管在工作时要 加上适当的直流偏 置电压。 若在放大工作状态： 发射结正偏： 由VBB保证 集电结反偏： 由VCC、 VBB保证 UCB=UCE - UBE > 0
2020/11/21
＋
+
UCB
c区
－
b区
UCE
＋
UBE
e区
－
－
共发射极接法
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1．BJT内部的载流子传输过程
（1）因为发射结正偏，所以发 射区向基区注入电子 ，形成了扩 散电流IEN 。同时从基区向发射区 也有空穴的扩散运动，形成的电 流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。
解：1）开关断开时。
2）开关闭合时。
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1.2.4 稳压二极管
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管
＋
反偏电压≥UZ时，
稳压管反向击穿。
UZ
－
稳定 电压
限流电阻
当稳压二极管工作在 反向击穿状态下，工 作电流IZ在Izmax和Izmin 之间变化时，其两端 电压近似为常数。
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稳压二极管的主要 参数
束缚电子
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当温度升高或受到光照时，共价键中的束缚电子能量增高，有的电 子挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。 这一现象称为本征激发，即热激发。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中出现一个空位，称为空穴。
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+4
+4
空穴
+4
电子空穴对
可见，本征激发同时
产生电子空穴对。
+4
+4
外加能量越高（温度
越高），产生的电子空
穴对越多。
与本征激发相反的
+4 +4
现象——复合
自由电子
+4 +4
在一定温度下，本征激 发和复合同时进行，达 到动态平衡。电子空穴 对的浓度一定。
常温300K时： 硅：
电子空穴对的浓度
锗：
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E
－
＋
导电机制
自由电子 带负电荷 电子流
载流子
空穴 带正电荷 空穴流 ＋总电流
i 为流过PN结的电流
IS 为反向饱和电流 UT =kT/q 称为温度的电压当量
其中k为玻耳兹曼常数 1.38×10－23
q 为电子电荷量1.6×10－9 T 为热力学温度 室温（相当T=300 K）时， UT=26 mV。
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PN结的伏安特性曲线
反向饱和电流 反向击穿电压
反向击穿
反偏 IR（少子漂移）
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1.2.1 半导体二极管的V—A特性曲线
实验曲线
锗
击穿电压UBR
(1) 正向特性 i
u
V
mA
(2) 反向特性
i u
V
uA
反向饱和电流
导通压降 硅：0.7 V
死区 电压
E
锗：0.3V
硅：0.5 V 锗： 0.1 V
E
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1.2.2 二极管的主要参数
(1) 最大整流电流IF
二极管长期连续工 作时，允许通过二极管的
相应的输出电压波形。
ui
4V
2V
t
0
-4V
uo
解：①采用理想二极管模型 2V
t
分析。波形如右图所示。
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ui
4V
2.7V
t
0
-4V
uo
2.7V
②采用串联电压源模型
t
分析，波形如右图所示。 0
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例3：图示电路，二极管导通电压UD为0.7V，试分别估算 开关S断开和闭合时，输出电压Uo的值。
称为穿透电流。 IE =IC+IB
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1.3.3 BJT的特性曲线（共发射极接法） (1) 输入特性曲线 iB=f(uBE) uCE=常数
死区电压
硅 0.5V 锗 0.1V
导通压降
硅 0.7V 锗 0.3V
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(2)输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=const
饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7 V。 此时发射结正偏，集电结也正偏。
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杂质半导体的示意图
多子—空穴
多子—电子
P型半导体
N型半导体
－ － －－
++ + +
－ － －－
++ + +
－ － －－
++ + +
少子—电子
少子—空穴
少子浓度——与温度有关 多子浓度——与温度无关
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1.1.3 PN结及其单向导电性
1 . PN结的形成
PN结合 因多子浓度差 多子的扩散 空间电荷区
串联电压源模型（恒压降模型）
UD
U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。
理想二极管模型
正偏 反偏
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二极管的近似分析计算
例1： R
1kΩ
E
I
10V
串联电压源模型 R
理想二极管模型 R
1kΩ
E
I
10V
0.7V
1kΩ
E
I
10V
实际测量值： I=9.32 mA
相对误差
相对误差
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PN结面积大，用于 工频大电流整流电路。
用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小，用于 高频整流和开关电路中。
(3) 平面型二极管：
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半导体二极管的型号
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
2AP9
用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N 型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。
最大正向平均电流。
(2) 最高反向工作电压UR
二极管工作时允许外加的
最大反向电压，超过此值，二极管
(3) 反向电流IR——
可能因反向击穿而损坏。
室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。 硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(A)级。
(4) 最高工作频率fM——
fM是二极管工作的上限频率。超过此值，由于结电容的作用，
电击穿——可逆 热击穿——烧坏PN结
IF（多子扩散） 正偏
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1.2 半导体二极管
结构
二极管 = PN结 + 管壳 + 引线
符号
P
+
阳极
N
-
阴极
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二极管的几种外形：
二极管按结构分为三大类：
(1) 点接触型二极管
PN结面积小，结电容小，
用于检波和变频等高频电路。
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(2) 面接触型二极管：
N
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PN结加正向电压时，具有较大的正向 扩散电流，呈现低电阻， PN结导通；
PN结加反向电压时，具有很小的反向 漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。
结论：PN结具有单向导电性。
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3. PN结的电流方程和伏安特性曲线
根据理论分析，电流方程为：
u 为PN结两端的电压降
当 u>0 u>>UT时 当 u<0 |u|>>|U T |时
（2）发射区的电子注 入基区后，变成了少数载 流子。少部分遇到的空穴 复合掉，形成IBN。所以基 极电流I B ≈ I BN 。大部分 到达了集电区的边缘。
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（3）因为集电结 反偏，收集扩散到 集电区边缘的电子，
形成电流ICN 。
另外，集电结区的 少子形成漂移电流 ICBO。
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形成内电场 阻止多子扩散，促使少子漂移。 内电场E
空间电荷区
少子漂移电流
耗尽层
多子扩散电流
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少子漂移
补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E
又失去多子，耗尽层宽，E
内电场E 耗尽层
多子扩散
少子漂移电流
动态平衡：扩散电流 ＝ 漂移电流
多子扩散电流
总电流＝0
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2. PN结的单向导电性
(1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。
2．电流分配关系
定义：
称为共基极直流电流放大系数
称为共基极交流电流放大系数
其值的大小约为0.9～0.99，近似为1。
定义：
称为共射极直流电流放大系数
称为共射极交流电流放大系数
其值一般在几十到一百多倍。
一般有
，
三个电极上的电流关系:
IE =IC+IB
2020/11/21
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基本关系：
其中：
截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。
饱和区 放大区——
曲线基本平行等 距。 此时，发 射结正偏，集电 结反偏。 该区中有：
放大区
截止区
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1.3.4 BJT的主要参数
1.电流放大系数
i C (mA)
（1）共发射极电流放大系数：
2.3
△ iC
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2020/11/21
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1.1 半导体基础知识
在物理学中，根据材料的导电能力，将其划分为三类： a. 导体：电阻率<10-4Ω∙cm的物质； b. 绝缘体：电阻率>109Ω∙cm的物质； c. 半导体：电阻率介于二者之间的物质； 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。
硅原子
锗原子
硅和锗最外层轨道上的 四个电子称为价电子。
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1.1.1 本征半导体
本征半导体—化学成分纯净、结构完整的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常 称为“九个9”。
本征半导体的共价键结构
在绝对温度T=0K时， 所有的价电子都被共价键 紧紧束缚在共价键中，不 会成为自由电子，因此本 征半导体的导电能力很弱 ，接近绝缘体。
(1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下， 所对应的反向工作电压。
(2) 动态电阻rZ ——
rZ =U /I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡，稳压性能越好。
(3) 最小稳定工作电流Izmin ——
保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。
(4) 最大稳定工作电流Izmax ——
电子空穴对 自由电子 N型半导体
++ + + ++ + + ++ + +
多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴
施主离子
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2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。
硅原子 空穴 硼原子
电子空穴对 P型半导体
空穴
－ － －－
－ － －－
－ － －－
受主离子
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子
1.3.1 基本结构
NPN型
B
基极
C 集电极
N P N
E 发射极
符号:
集电极 C
BP N
基极 P
发射极 E
PNP型
NPN管
PNP管
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C 集电极
集电区：
面积较大
N
B
P
基极
N
基区： 较薄， 掺杂浓度低
B
基极
发射区：
E
掺杂浓度较高
发射极
C 集电极
N
集电结
P
N
发射结
E 发射极
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1.3.2 BJT的内部工作原理（NPN管）
1.5
△ iB
IB =100uA IB =80uA IB =60uA IB =40uA IB =20uA IB=0 uCE (V)
β一般取20~200之间
（2）共基极电流放大系数：
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2.极间反向电流
例 2 ： 二 极 管 构 成 的 限 幅 电 路 如 图 所 示 ， R ＝ 1kΩ ， UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、 串联电压源模型计算电流I和输出电压uo
解：（1）采用理想模型分析。
采用串联电压源模型分析。
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（2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如下图右所示， 分别采用理想二极管模型和串联电压源模型分析电路并画出
超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。
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例4：图示电路，已知发光二极管的导通电压为1.6V，正向 电流为5 ∼ 20mA时才能发光。试问： （1）开关处于何位置时发光二极管可能发光‽ （2）为使发光二极管发光，电路中R的取值范围是多少‽
解：1） 开关断开时。 2）
R的取值范围是220 ∼880 Ω。
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1.3 双极型晶体管
半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时， 多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被 称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor， 简称BJT）。BJT是由两个PN结组成的。
图1.3.1 晶体管的几种常见外形
2020/11/21
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二极管的单向导电性将不能很好的体现。
数字电子技术
+-
C
C
当f很高时， 很小，电容近似短路，二极管 失去单向导电作用。
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1.2.3 wk.baidu.com极管的模型及近似分析计算
1.二极管的直流模型
R 1kΩ E 10V
D—非线性器件 RLC—线性器件
i
I
u
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二极管的模型
二极管的V—A特性
导通压降
本征半导体的导电性取决于外加能量：
温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。
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1.1.2 杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的 半导体称为杂质半导体。
1.N型半导体
在本征半导体中掺入五价杂质元素，例 如磷，砷等，称为N型半导体。
数字电子技术
N型半导体
硅原子 多余电子
磷原子
外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动＞漂移运动
→多子扩散形成正向电流I F
正向电流
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(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区
外电场的方向与内电场方向相同。
外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动＞扩散运动
→少子漂移形成反向电流I R
P
在一定的温度下，由本 征激发产生的少子浓度是 一定的，故IR基本上与外 加反压的大小无关，所以 称为反向饱和电流。但IR 与温度有关。
三极管在工作时要 加上适当的直流偏 置电压。 若在放大工作状态： 发射结正偏： 由VBB保证 集电结反偏： 由VCC、 VBB保证 UCB=UCE - UBE > 0
2020/11/21
＋
+
UCB
c区
－
b区
UCE
＋
UBE
e区
－
－
共发射极接法
数字电子技术
1．BJT内部的载流子传输过程
（1）因为发射结正偏，所以发 射区向基区注入电子 ，形成了扩 散电流IEN 。同时从基区向发射区 也有空穴的扩散运动，形成的电 流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。
解：1）开关断开时。
2）开关闭合时。
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1.2.4 稳压二极管
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管
＋
反偏电压≥UZ时，
稳压管反向击穿。
UZ
－
稳定 电压
限流电阻
当稳压二极管工作在 反向击穿状态下，工 作电流IZ在Izmax和Izmin 之间变化时，其两端 电压近似为常数。
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稳压二极管的主要 参数
束缚电子
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当温度升高或受到光照时，共价键中的束缚电子能量增高，有的电 子挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。 这一现象称为本征激发，即热激发。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中出现一个空位，称为空穴。
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+4
+4
空穴
+4
电子空穴对
可见，本征激发同时
产生电子空穴对。
+4
+4
外加能量越高（温度
越高），产生的电子空
穴对越多。
与本征激发相反的
+4 +4
现象——复合
自由电子
+4 +4
在一定温度下，本征激 发和复合同时进行，达 到动态平衡。电子空穴 对的浓度一定。
常温300K时： 硅：
电子空穴对的浓度
锗：
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E
－
＋
导电机制
自由电子 带负电荷 电子流
载流子
空穴 带正电荷 空穴流 ＋总电流
i 为流过PN结的电流
IS 为反向饱和电流 UT =kT/q 称为温度的电压当量
其中k为玻耳兹曼常数 1.38×10－23
q 为电子电荷量1.6×10－9 T 为热力学温度 室温（相当T=300 K）时， UT=26 mV。
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PN结的伏安特性曲线
反向饱和电流 反向击穿电压
反向击穿
反偏 IR（少子漂移）
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1.2.1 半导体二极管的V—A特性曲线
实验曲线
锗
击穿电压UBR
(1) 正向特性 i
u
V
mA
(2) 反向特性
i u
V
uA
反向饱和电流
导通压降 硅：0.7 V
死区 电压
E
锗：0.3V
硅：0.5 V 锗： 0.1 V
E
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1.2.2 二极管的主要参数
(1) 最大整流电流IF
二极管长期连续工 作时，允许通过二极管的
相应的输出电压波形。
ui
4V
2V
t
0
-4V
uo
解：①采用理想二极管模型 2V
t
分析。波形如右图所示。
数字电子技术
ui
4V
2.7V
t
0
-4V
uo
2.7V
②采用串联电压源模型
t
分析，波形如右图所示。 0
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例3：图示电路，二极管导通电压UD为0.7V，试分别估算 开关S断开和闭合时，输出电压Uo的值。
称为穿透电流。 IE =IC+IB
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1.3.3 BJT的特性曲线（共发射极接法） (1) 输入特性曲线 iB=f(uBE) uCE=常数
死区电压
硅 0.5V 锗 0.1V
导通压降
硅 0.7V 锗 0.3V
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(2)输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=const
饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7 V。 此时发射结正偏，集电结也正偏。
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杂质半导体的示意图
多子—空穴
多子—电子
P型半导体
N型半导体
－ － －－
++ + +
－ － －－
++ + +
－ － －－
++ + +
少子—电子
少子—空穴
少子浓度——与温度有关 多子浓度——与温度无关
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1.1.3 PN结及其单向导电性
1 . PN结的形成
PN结合 因多子浓度差 多子的扩散 空间电荷区
串联电压源模型（恒压降模型）
UD
U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。
理想二极管模型
正偏 反偏
数字电子技术
二极管的近似分析计算
例1： R
1kΩ
E
I
10V
串联电压源模型 R
理想二极管模型 R
1kΩ
E
I
10V
0.7V
1kΩ
E
I
10V
实际测量值： I=9.32 mA
相对误差
相对误差
数字电子技术
PN结面积大，用于 工频大电流整流电路。
用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小，用于 高频整流和开关电路中。
(3) 平面型二极管：
数字电子技术
半导体二极管的型号
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
2AP9
用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N 型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。
最大正向平均电流。
(2) 最高反向工作电压UR
二极管工作时允许外加的
最大反向电压，超过此值，二极管
(3) 反向电流IR——
可能因反向击穿而损坏。
室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。 硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(A)级。
(4) 最高工作频率fM——
fM是二极管工作的上限频率。超过此值，由于结电容的作用，
电击穿——可逆 热击穿——烧坏PN结
IF（多子扩散） 正偏
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1.2 半导体二极管
结构
二极管 = PN结 + 管壳 + 引线
符号
P
+
阳极
N
-
阴极
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二极管的几种外形：
二极管按结构分为三大类：
(1) 点接触型二极管
PN结面积小，结电容小，
用于检波和变频等高频电路。
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(2) 面接触型二极管：
N
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PN结加正向电压时，具有较大的正向 扩散电流，呈现低电阻， PN结导通；
PN结加反向电压时，具有很小的反向 漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。
结论：PN结具有单向导电性。
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3. PN结的电流方程和伏安特性曲线
根据理论分析，电流方程为：
u 为PN结两端的电压降
当 u>0 u>>UT时 当 u<0 |u|>>|U T |时
（2）发射区的电子注 入基区后，变成了少数载 流子。少部分遇到的空穴 复合掉，形成IBN。所以基 极电流I B ≈ I BN 。大部分 到达了集电区的边缘。
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（3）因为集电结 反偏，收集扩散到 集电区边缘的电子，
形成电流ICN 。
另外，集电结区的 少子形成漂移电流 ICBO。
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形成内电场 阻止多子扩散，促使少子漂移。 内电场E
空间电荷区
少子漂移电流
耗尽层
多子扩散电流
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少子漂移
补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E
又失去多子，耗尽层宽，E
内电场E 耗尽层
多子扩散
少子漂移电流
动态平衡：扩散电流 ＝ 漂移电流
多子扩散电流
总电流＝0
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2. PN结的单向导电性
(1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。
2．电流分配关系
定义：
称为共基极直流电流放大系数
称为共基极交流电流放大系数
其值的大小约为0.9～0.99，近似为1。
定义：
称为共射极直流电流放大系数
称为共射极交流电流放大系数
其值一般在几十到一百多倍。
一般有
，
三个电极上的电流关系:
IE =IC+IB
2020/11/21
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基本关系：
其中：
截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。
饱和区 放大区——
曲线基本平行等 距。 此时，发 射结正偏，集电 结反偏。 该区中有：
放大区
截止区
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1.3.4 BJT的主要参数
1.电流放大系数
i C (mA)
（1）共发射极电流放大系数：
2.3
△ iC
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1.1 半导体基础知识
在物理学中，根据材料的导电能力，将其划分为三类： a. 导体：电阻率<10-4Ω∙cm的物质； b. 绝缘体：电阻率>109Ω∙cm的物质； c. 半导体：电阻率介于二者之间的物质； 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。