微电子器件测试与封装-第四章

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•二极管的参数
•内容|半导体器件测试
•器件的测试
• 半导体器件测试的目的 :
• 检验产品能否符合技术指标的要求 • 剔除不良品 • 根据参数进行分选 • 可靠性筛选
• 测试内容:
• 静态电参数 • 动态电参数 • 热阻 • 可靠性测试
•根据不同环境,可分为:
•常温测试 •高温测试 •低温测试
• 按阶段分
• 芯片测试(中测) • 成品测试(成测)
•SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD
• Page 7
•内容|半导体器件测试
•器件的符号
•D
•G •S
•SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD
• Page 8
•内容|半导体器件测试
•器件的测试
•SOA
•TESEC SOA测试仪
•其他
•DY-2993晶体管筛选仪
•可靠性测试设备介绍
•内容|半导体器件测试
•动态参数测试设备介绍
•双极晶体管开关参数测试仪:
•伏达UI9600 UI9602晶体管测试仪 •KF-2晶体管测试仪 •觉龙(绍兴宏邦)晶体管开关参数测试系统 •肯艺晶体管开关参数测试系统 •DTS-1000分立器件测试系统
•DTS-1000分立器件测试系统 •TESEC 881测试系统 •JCT-200测试系统 •联动科技分立器件测试系统
•静态参数测试设备介绍
•内容|半导体器件测试
•热阻测试仪
•TESEC KT-9614热阻测试仪 •TESEC KT-9414热阻测试仪
•EAS测试系统
•ITC5500 EAS测试系统 •TESEC 3702LV测试系统 •觉龙 T331A EAS测试系统
•SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD
•SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD
• Page 15
•内容|半导体器件测试
•1、ICEO :集电极开路 CE之间加电压VCE,测 试CE之间的反向电流 •2、ICBO :发射极开路 CB之间加电压VCB,测 试CB之间的反向电流 •O-表示OPEN,即开 路的意思,不是0(零) • 由于这些反向电流通 常是不希望它发生的, 因此也叫漏电流
•饱和压降即器件导 通时的压降,饱和 压降越小损耗越小 ,发热量越低
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•双极晶体管的测试
• Page 20
•内容|半导体器件测试
•双极晶体管的测试
•hFE-共发射极低频小信号输出交流短路电流放大系数 •β-当集电极电压与电流为规定值时,Ic与Ib之比,即β =IC/IB 。 • 一般数值上hFE= β,测试条件VCE= IC=
•内容|半导体器件测试
•BVEBO-C极开路时 EB的反向击穿电压
•双极晶体管的测试
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• Page 19
•内容|半导体器件测试
•1、VBESAT:三极 管在饱和状态时输 入的正向压降 •2、VCESAT:三极 管在饱和状态时集 电极-发射极间的 压降,也叫饱和压 降
•MOSFET动态参数测试
•ITC5900测试系统 •觉龙 T342栅极等效电阻测试系统
•内容|基础知识
•质量及其单位
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• Page 14
•内容|半导体器件测试
•双极晶体管的测试
•VFBE:BE正向通电流IB,测试BE之间的压降
•内容|半导体器件测试
•BVCEO –B极开路时CE的反 向击穿电压 •BVCBO-E极开路时CB的反 向击穿电压
•双极晶体管的测试
•作用:测试器件能承受的反 向电压,反向击穿电压越高说 明器件能承受的电压越高
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• Page 18
•测试系统
自动分选机
• 主显示器
•(显示参数 、调用程序)
•测试站(测头 )
• 计数显示器
• 报警灯 • 震盘与导轨
• 气枪
•常规测试系统
•(JUNO DTS-1000)
• TS测试系统
• 自动分选机
•内容|半导体器件测试
•图示仪:
•QT2晶体管特性图示仪 •370B图示仪 •576图示仪
•静态参数测试系统:
•SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD
•器件的分类
• Page 2
•内容|半导体器件测试
• 1、ICEO,ICBO,IEBO • 2、BVCEO,BVCBO,BVEBO • 3、VCESAT、VBESAT • 4、hFE • 5、VFBE 、VFBC 、VFEC • 6、开关时间:TS、TF • 7、热阻
•SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD
•双极晶体管的测试
• Page 16
•内容|半导体器件测试
•双极晶体管的测试
•3、IEBO: C极开路时,EB之间加电压, 测试EB之间的反向电流
•SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD
• Page 17
•双极晶体管的参数
•内容|半导体器件的测试
•MOSFET的参数
• 1.IGSS:栅源漏电
• 2.IDSS:漏源漏电
•D
• 3.BVDSS:漏源反向击穿电压
• 4.VTH: 开启电压
• 5.RDSOห้องสมุดไป่ตู้: 导通电阻
•G
• 6.VFSD:源漏正向电压
• 7.GMP:跨导
•S
• 8.VP: 夹断电压
•SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD
微电子器件测试与封装第四章
2020年7月12日星期日
•内容|半导体器件测试
• 半导体器件 • 一、集成电路
• ASIC • 存储器 • FPGA
• 二、分立器件
• 双极晶体管——Transistor • 场效应晶体管 ——MOSFET • 可控硅 —— SCR • 二极管 —— Diode • IGBT
• Page 4
•内容|半导体器件测试
• 1、ICEO,ICBO,IGE • 2、BVCEO,BVCBO,BVEBO • 3、VCESAT、VBESAT • 4、VTH • 5、VFBE 、VFBC 、VFEC • 7、GMP:GFS • 6、热阻
•IGBT的参数
•内容|半导体器件测试
• VF • VR • IR
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