主流DDR2内存颗粒
豪门盛宴——7款DDR2 667／800内存横向评测
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DDR 2内存详解
DDR II内存技术详解DDR2（Double Data Rate 2）综述：回想起DDR的发展历程，从DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400、DDR533技术，第一代DDR的发展已经走到了技术的极限。
由于DDR-I架构的局限性，当频率达到400MHz后，就很难再有所提升，而随着新的处理器技术不断发展，前端总线对内存带宽的要求却越来越高，老迈的DDR SDRAM已经无法胜任，拥有更高更稳定运行频率的内存将是大势所趋，DDR II不可阻挡地走到了大众面前。
相对来说，作为接班人的DDR-Ⅱ在总体上仍保留了DDR-I的大部分特性，相比DDR-I 的设计变动并不大，即使针脚数发生了改变，但仍可以强行将DDR II的内存插入到DDR-I 的DIMM槽中，这也是需要大家注意的地方。
总体而言，DDR-Ⅱ主要进行了以下几点改进：1．改进针脚设计：DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针。
(注：DDR-II针脚数量有200Pin、220Pin、240Pin三种，其中240Pin的DDR-Ⅱ将用于桌面PC系列)2．降低工作电压：DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
3．改进封装方式：它采用了更为先进的FBGA封装方式替代了传统的TSOP/TSOP-II方式。
4．更低的延迟时间：DDR2内存的延迟时间介于1.8ns到2.2ns之间（由厂商根据工作频率不同而设定），远低于DDR的2.9ns。
由于延迟时间的降低，从而使DDR2可以达到更高的频率，最高可以达到1GHz以上的有效频率。
5. 4bit Prefect架构（4位数据预读取）：这也是DDR II内存能在相同的核心频率下，达到更高的数据传输率的关键技术之一。
6．OCD（Off-Chip Driver离线驱动调校）：使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
主流DDR2667内存选购一点通
主流DDR2 667内存选购一点通随着94五、SocketM2平台、PT880 Pro平台的慢慢普及，支持DDR2内存的平台已经全面进入到人们的视野。
DDR2内存取代DDR1已是不争的事实了。
因此目前欲组建主流PC平台的朋友应该第一考虑DDR2平台。
从目前的情形来看，由于内存颗粒本钱取得操纵和生产量的提升，高规格DDR2667内存在价钱上几乎接近DDR2 533内存，在如此的情形下，装机用户在DDR2 667与DDR2 533内存的选择上是不是应该毫不犹豫地选择DDR2 667呢？一、DDR已落伍，DDR2跨入主流第一咱们看到，最新的945以上的主板取消了对DDR内存的支持，改成仅支持DDR2内存，这说明，厂商已经舍弃了DDR 内存，而将精力换到DDR2内存上，其实这也是内存的必然进展趋势，因为除DDR2内存，DDR3内存又在等待终止另一个轮回。
但不管怎么样，目前DDR2内存成了主宰市场的领导者，在价钱上，目前DDR2内存乃至要比DDR内存还低。
除平台自身的性质外，DDR2内存成为市场主流的另外缘故确实是性能。
由于DDR2对I/O Buffer的改良，致使在频率上高于DDR内存2倍的预读取能力，DDR2不仅比DDR有更快的运行速度，DDR2在功耗上也有专门大的冲破。
DDR2的工作电压是1.8V，那个技术参数比DDR下降了大约0.7V，接近30%的功耗差距，使得DDR2超级符合双核平台的需要。
另外，DDR2内存的封装形式也高出DDR一筹，DDR2大体采纳了FBGA封装形式，与DDR经常使用的TSOP/TSOP-II相较，FBGA能够提供更优良的电气性能和散热条件，而这也是DDR2的运行频率能够更快的缘故）。
毫无疑问的是，在价钱廉价，性能更超卓情形下，DIY用户显然会选择主流的DDR2内存了。
DDR与DDR2内存区别二、主流趋势，DDR2 667放光荣尽管DDR2内存成为市场主流，但在DDR内存市场上，此刻存在DDR2 533、DDR2 667、DDR2 800几个规格，其中目前市场上要紧以DDR2 533、DDR2 667比较常见，DDR2 800临时属于高端产品，适合那些追求高性能的发烧用户，而DDR2 533属于最入门的产品，更为重要的是，在主流平台的趋势应用下，DDR2 667表现出了比DDR533更为超卓的性能，同时在价钱上几乎与DDR 533持平，比如超胜DDR2-667 512MB/DDR2-533 512MB价钱都为330元；胜创DDR2-667 512MB价钱为320元，而胜创DDR2-533 512MB也需要315元，显现这一情形，第一归根于双核和SocketM2处置器的显现，在这种平台上，只有DDR2 667才能发挥应有的性能优势。
主流DDR2编号识别方法
随着内存技术的进步，现在DDR2已经渐成主流，虽然在很多人的眼中，DDR2仍然有着这样或那样的不足，但在业界主力厂商的大力推广下，在CPU平台不断向更高频率冲刺的时候，DDR2代替原有的DDR已经不可避免。
以下为各大品牌的DDR内存的测评报告。
三星（SAMSUNG）三星电子DDR2内存芯片外观三星电子有关DDR2内存芯片的编号规则如下：三星的编号还第16、17、18三位，我们没在此说明。
因此，这三位编号并不常见，一般用于OEM与特殊的领域，因而在此就不介绍了。
以前面的芯片照片为例，可以看出这是一枚容量为512Mbits、位宽为8bit、4个逻辑Bank、SSTL/1.8V接口、采用FBGA封装的DDR2-400芯片，并且是第三代产品。
海力士（Hynix）海力士DDR2内存芯片外观海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。
因此，在海力士的封装材料中也特别注明了这一点。
根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。
尔必达（ELPIDA）海力士DDR2内存芯片外观海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。
因此，在海力士的封装材料中也特别注明了这一点。
根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。
新主流DDR2显卡评测
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本次测试 ．我们准备了两套平台分别用于Ｐ ＩＥ Ｃ— 显卡 和ＡＧ 显卡的测 Ｐ 试 。具体 的测试 平台如下 。
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内存篇-DDR2、DDR3、DDR4内存是什么意思,有什么区别
内存篇-DDR2、DDR3、DDR4内存是什么意思,有什么区别内存篇-DDR2、DDR3、DDR4内存是什么意思，有什么区别DDR 全称是DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM），也就是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR 内存是目前主流的电脑存储器，现在市面上有DDR2、DDR3 和DDR4 这 3 种类型。
最大的区别就是断口不同了◎DDR2 内存：DDR 是现在的主流内存规范，各大芯片组厂商的主流产品全部是支持它的。
DDR2 内存其实是DDR 内存的第二代产品，与第一代DDR 内存相比，DDR2 内存拥有两倍以上的内存预读取能力，达到了4bit 预读取。
DDR2 内存能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。
DDR2 已经逐渐被淘汰，但在二手电脑市场可能还会看到。
◎DDR3 内存：相比于DDR2 有更低的工作电压，且性能更好、更为省电。
从DDR2的4bit 预读取升级为8bit 预读取，DDR3内存使用了0.08μm 制造工艺，其核心工作电压从DDR2 的1.8V 降至 1.5V，相关数据预测DDR3 比DDR2 节省30% 的功耗。
在目前的多数家用电脑中，都在使用DDR3 内存。
◎DDR4 内存：DDR4 内存是目前最新一代的内存规格，DDR4 相比于DDR3 最大的性能提升有以下3 点。
16bit 预读取机制，相对于DDR3 8bit 预读取，在同样内核频率下理论速度是DDR3 的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。
小提示：从工作原理上说，内存包括随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）和高速缓存（Cache）。
平常所说的内存通常是指随机存储器，它既可以从中读取数据，也可以写入数据，当电脑电源关闭时，存于其中的数据会丢失；只读存储器的信息只能读出，一般不能写入，即使停电，这些数据也不会丢失，如BIOS ROM；高速缓存在电脑中通常指CPU的缓存。
主流DDR2内存颗粒
主流DDR2内存颗粒主流DDR2内存颗粒主流DDR2内存颗粒目前，市面上的内存就制造上主要分为两大类。
一类来自采用现代、三星、英飞凌等国际半导体芯片制造商生产的的内存芯片，然后打造自己品牌的产品，比如目前金士顿、威刚等品牌的内存都属于此类内存模块。
二类就是DRAM大厂的原厂内存。
由于DRAM大厂的原厂内存更多的是被整机厂商使用，而直接在国内零售市场和最终用户见面的机会并不多，目前国内的消费者能够买到的原厂内存一般只有三星“金条”与英飞凌原厂内存。
由于原厂内存一般都具有极佳的PCB设计和制造品质使其拥有品质优秀、兼容性好、超频能力强、稳定性一流等特点，因此吸引了大批超频玩家通过各种渠道去获得这些原厂内存条来满足自己PC的超频需要。
不过，无论是什么品牌的内存模块，都离不开内存颗粒，这往往是对内存性能的最大决定因素。
由于当前可以生产内存颗粒的厂商不多，因此我们很容易从内存颗粒上辨别出所选择内存模块的规格、性能。
三星(Samsung)三星有GC和ZC(G为FBGA封装方式,Y为FBGA-LF)系列，另外还有SC和YC，并采用90nm生产工艺，使相同晶元可以生产出更多的颗粒，从而降低了成本。
YC是外形最小的一种封装方式，性能表现也最好，现在市面上很少见到。
目前较常见到的有GCCC(多用于DDR2-400)、GCD5/ZCD5(多用于DDR2-533)、GCD6/GCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用于DDR2-800)等；这些内存颗粒在超频方面同样有着不容小视的实力，且仍保持低延迟风格。
不过经过编号更改后(由SAMSUNG改为SEC)，默认时序参数已设定得较为保守，不过某些DDR2-533默认延迟仍设定在4-4-4-10上。
通常情况下三星DDR2-533内存时序参数可以稳定在3-3-3-4上，优势明显，这也是为什么三星颗粒品质较好的一个原因。
GCCC和GCD5颗粒大都具备在5-5-5-15参数下超频至DDR2-800以上水平。
如何通过颗粒编号,识别当今现代（HYNIX）内存条规格
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。
但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。
而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。
一、DDR SDRAM：现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。
现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。
虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。
这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。
从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。
但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。
而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。
一、DDR SDRAM：现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。
现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。
虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。
这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。
从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
三星内存颗粒规格指标详解
三星内存颗粒规格指标详解尽管市面上的内存品牌十分繁杂，但采用的内存颗粒不外乎三星、现代、英飞凌等这几家，其中三星的内存颗粒所占比重是极大的。
搞清楚三星内存颗粒的规格参数与性能指标，在内存的选购中是极为重要的。
当然，对内存而言，并不是只要采用同样型号的颗粒，内存的性能指标就会相同。
因为即便对同一型号的内存颗粒而言，也有等级之分，不同等级的颗粒，其性能也会有所区别，同时，更重要的，内存生产厂商的设计能力与生产工艺也会在很大程度上影响内存的性能与指标。
因此，对内存颗粒的性能指标，只能在我们选购内存时作为参考，而不要将其绝对化。
三星DDR内存颗粒面向中低端市场的内存颗粒三星TCB3颗粒TCB3是三星早期推出的6ns DDR颗粒，可以稳定地工作在PC2700，2-2-2-X 的时序，参数非常优秀。
此外它同样可以工作在PC3200，但时序需要相应地调低，200MHz时的时序为2-3-3-6，虽不能说优秀但表现尚可。
TCB3颗粒的频率极限大致在230MHz左右，这对于一款默认为166MHz的内存来说，超频幅度很大。
TCB3对于电压并不太敏感，3.0V电压下频率提升也不是很大。
目前该款颗粒多见于低端内存。
三星TCCC颗粒TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面编号为“C”的颗粒，表示其PC3200时预设CAS值为3。
TCCC可以工作在250-260MHz，3-4-4-8的时序，而默认200MHz 时可以保持2.5-3-3-6的时序，由于TCCC颗粒的售价比较便宜，因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。
此外也有不少DDR 500内存同样采用了TCCC颗粒，不过由于已经接近极限频率，留下的超频空间很小。
电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响，但在2.8V时已经基本可以达到最高频率。
三星TCC4颗粒TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400内存颗粒，不过并不常见，在一些品牌的PC3200低端内存甚至是PC2700内存上面可以看到它。
内存升级迫在眉睫!——9款DDR2 800内存鉴赏
本还 是 不低 ， 以在 多 数情 况 下它仍 然 只是 高 端 玩家 的 所 收 藏 品。目前华 硕 等知 名 主板 厂 商也 已经 逐渐 开 始重 视 Ｍｏ 主 板领域 ， ＤＴ 未来相 信大 家的选 择 一定会更 多。
家 ， 及希望 未来 使用Ｃ ｎｏ 处理 器 的玩家 。 以 ｏ ｒｅ
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本 刊 ２ ０ 年 第 １ 期 曾经 对 ＤＤＲ２ ０５ ８ 内存 市 场 的情 况做 了一次 详 细报 道 。当时， Ｅ Ｃ （ｏｎ ｌｃｒｎ Ｊ ＤＥ Ｊ ｉｔＥｅ ｔｏ Ｄ ｖｃ ｎ ｉｅ ｒ ｇＣｏ ｎ ｉ 电子元件工 业联 合会 还 ｅ ｉｅＥ ｇｎ ｅｉ ｕ ｃｌ ｎ ） 没有制定 ＤＤ ０ 内存规范 ， Ｒ２８ ０ 市场上 的ＤＤ ０ 内存 Ｒ２８ ０
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明明白白买DDR2内存 看清DDR2内存颗粒编号
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三星金条内存 编码完全攻略之DDR2
编者按：我们并非硬件的芯片级玩家，所以我们并不了解硬件的核心技术；我们并非DIY超级发烧友，所以我们并不追求更高端的DIY硬件。
对于一款硬件产品，我们要掌握其性能指标，才能让其在我们的应用中发挥较好的效果。
内存，大家在选购时考虑最多的就是容量、频率，很少从编码上去核对是否与标准的参数相同。
说实话，很多内存的经销商都不了解内存编码每一个字母、每一个数字代表的含义，往往他们也是告知购买者也只是容量和频率。
难道经销商告知的和卖出的就是原创内存吗？不销售假冒、打磨的内存吗？今天小编就给大家完全攻略全球最大的内存制造、OEM品牌厂商三星的金条内存编码，因为三星除了自有品牌外，也销售颗粒，这样市场原装内存与贴牌或使用三星颗粒的其他品牌内存很难识别，要知道三星金条可是品质过硬的中高端内存，商家为谋取暴利，往往会用一些欺骗手段的。
一、内存颗粒的编码排序结构三星金条DDR2内存编码结构上图是目前主流的三星金条DDR2内存的颗粒编码排序，一长串的字母+字符，让大家很难去理解各编码代表的含义，从整体看，所有的字母、数字组合分成了11段，下面小编就一一解释。
在三星金条的内存颗粒上我们会看到两类品牌标识：SAMSUNG和SEC（“三星电子”的英文缩写），这都是三星官方英文标识。
SAMSUNG由于字母较多，一般用在TSOP封装的长方形颗粒上，而SEC为缩写，多用在mBGA封装的小正方形颗粒上。
第一段字母是每个内存颗粒品牌的标识，“K”为三星半导体存储颗粒的标识，只要是采用三星制造、销售的内存颗粒，编码均以K开头；第二段数字是“4”，这个位置永远是数字4，表示这是DRAM内存；第三段字母是内存颗粒的类型，“S”表示SDRAM、“H”表示DDR、“T”表示DDR2 DRAM、“D”表示GDDR1（显存颗粒）；第四段含两个字符，表示单颗内存颗粒的容量。
56：256Mb、51：512Mb、1G：1Gb、2G：2Gb，注意这是小写的“b”（位），芯片级多以“b”表示容量，换算成我们熟悉的“B”（字节）时，需要除以8；第五段含两个数字，表示芯片位数，有04：×4、06：×4 Stack、07：×8 Stack、08：×8、16：×16、26：×4 Stack（JEDEC）、27：×8 Stack（JEDEC）几种规格。
我整理的SD DDR DDR2 DDR3内存资料
DDR2（俗称二代）内存的工作频率从667MHZ到1066MHZ不等，工作电压为1.8V，笔记本上用的DDR2全部为200针脚，频率有667、800、900。（台式DDR2内存频率有667、800、900、1150、1066，有240个针脚）。
DDR3（俗称三代）内存频率有1066、1333、1600、1800、1866、2000MHZ，但是笔记本用的DDR3内存只有1066MHz这个频率的，其工作电压为1.5V，有204个针脚。
DDR2内存单面金手指针脚数120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；
DDR3内存单面金手指针脚数120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚.
DDR2和DDR3内存的颗粒为正方形,而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一。
DDR 的电压2.5V
DDR2的电压1.8V
DDR3的电压1.5V
同频率的DDR3要比DDR2慢。但是DDR3可以达到比DDR2高的多的频率。
DDR1为2bit预取
DDR2为4bit预取
3为8bit预取
DDR（俗称一代）内存工作电压仅为2.25V，频率为333MHz、400MHz针脚数（俗称的金手指）为200个（台式DDR内存为180针脚，频率也有400MHz的）。
SDRAM 内存金手指针脚数为84个（双面168个），有两个防呆缺口；
SD内存芯片，根据频率不同分SD 100、SD 133、SD 150。每个芯片16MB，因为是16位的，每四颗芯片就能组成64M容量的内存条，8颗芯片组成单面128M内存条，16颗组成双面256M内存条
DDR 内存单面金手指针脚数为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，缺口右边为40个针脚；
DDR2内存
DDR2内存已经成为目前绝大部分用户的标配产品，而如何合理设置DDR2的参数就成为了不少用户（尤其是菜鸟用户）的最想了解的地方。
当你超频的时候，如何平衡内存频率和参数之间的关系；究竟如何合理选取内存频率，什么参数才是带来最高性能呢？相信这些问题是目前最多用户最想了解。
其实要了解这些东西，首先要明白DDR2内存在BIOS中的参数设置情况。
因为要提高系统整体性能，并不只是简单超频CPU外频，调高内存频率这么简单，将一大堆数字合理地分配和组合才是最为重要的。
目前市场上销售的DDR2内存主要按频率来划分，譬如DDR2 533、DDR2 667、DDR2 800就是消费者最常见的产品（注：部分厂商推出DDR2 1000高频DDR2内存，但这些DDR2内存在市场上并不多见，而价格昂贵，所以我们就暂时不讨论一些超频型DDR2内存）。
在这三款内存产品当中，就数DDR2 667内存最为多人购买，因为它同时具备了性能、价格、兼容性这些特点，而DDR2 533已经逐步被DDR2 667所取代。
如果您的内存为镁光D9颗粒，请直接参考本站《镁光小D9内存超频调教全攻略》，如果您是DDR内存，请参考本站《教你如何调整DDR内存参数》至于目前频率较高DDR2 800也逐渐成为玩家购买的对象，因为Intel双核心平台对高频DDR2内存有着极大需求，要发挥酷睿2最大威力，一条高频率、可运行高参数的DDR2内存是非常重要的。
鉴于AMD AM2处理器内置了DDR2内存控制器，所以AM2平台的DDR2设置方法与Intel平台有着不同。
最稳当的DDR2内存设置方法，就是在主板BIOS 当中将DDR2的设置参数设为By SPD，而这个选项也是最安全的DDR2内存设置方法。
不过这个设置最大缺点是，没有将内存的潜力发挥出来，只是用安全换来相对较低的性能。
如果你想超频手中的DDR2，那么By SPD选项将不是你的设置的地方，手动调整才是你的手段。
AM2的同居密友——主流DDR2 667内存选购一点通
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主流DDR2内存颗粒
主流DDR2内存颗粒
目前，市面上的内存就制造上主要分为两大类。
一类来自采用现代、三星、英飞凌等国际半导体芯片制造商生产的的内存芯片，然后打造自己品牌的产品，比如目前金士顿、威刚等品牌的内存都属于此类内存模块。
二类就是DRAM大厂的原厂内存。
由于DRAM大厂的原厂内存更多的是被整机厂商使用，而直接在国内零售市场和最终用户见面的机会并不多，目前国内的消费者能够买到的原厂内存一般只有三星“金条”与英飞凌原厂内存。
由于原厂内存一般都具有极佳的PCB设计和制造品质使其拥有品质优秀、兼容性好、超频能力强、稳定性一流等特点，因此吸引了大批超频玩家通过各种渠道去获得这些原厂内存条来满足自己PC的超频需要。
不过，无论是什么品牌的内存模块，都离不开内存颗粒，这往往是对内存性能的最大决定因素。
由于当前可以生产内存颗粒的厂商不多，因此我们很容易从内存颗粒上辨别出所选择内存模块的规格、性能。
三星(Samsung)
三星有GC和ZC(G为FBGA封装方式,Y为FBGA-LF)系列，另外还有SC和YC，并采用90nm生产工艺，使相同晶元可以生产出更多的颗粒，从而降低了成本。
YC是外形最小的一种封装方式，性能表现也最好，现在市面上很少见到。
目前较常见到的有GCCC(多用于DDR2-400)、GCD5/ZCD5(多用于DDR2-533)、GCD6/GCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用于DDR2-800)等；这些内存颗
粒在超频方面同样有着不容小视的实力，且仍保持低延迟风格。
不过经过编号更改后(由SAMSUNG改为SEC)，默认时序参数已设定得较为保守，不过某些DDR2-533默认延迟仍设定在4-4-4-10上。
通常情况下三星DDR2-533内存时序参数可以稳定在3-3-3-4上，优势明显，这也是为什么三星颗粒品质较好的一个原因。
GCCC和GCD5颗粒大都具备在5-5-5-15参数下超频至DDR2-800以上水平。
使用三星ZCD5颗粒的DDR2-533内存在不加电压超频情况下，能够以4-4-4-X的时序稳定工作在DDR2-667模式，更具备挑战DDR2-900的实力，且售价也较高，三星原厂条多选用这种颗粒。
三星DDR2内存颗粒的第一排编号通常由K4开头，代表Memory DRAM的意思
第三位“T”代表内存为DDR2内存
第四、第五位代表容量，其中51代表512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量
第六、第七位代表位宽，08：×8位宽，如果是04则位宽
为×4、06为×4Stack、07为×8Stack、08为×8、16为×16
第八位代表逻辑Bank，其中“3”的逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks
第九位代表接口类型，一般为“Q”，表示接口类型工作电压为SSTL 1.8V
第十位代表颗粒版本，其中“B”代表的产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推、越新越好
第十一位代表封装类型，其中“G”代表封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA(Small)、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF(Small)
第十二位代表功耗类型，其中“C”表示普通能耗，如果是L则为低能耗
第十三、十四位代表内存速度，其中D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2 677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。
总体来说，三星DDR2内存颗粒的超频性能都不错，即便是D5、E6的DDR2颗粒，也可以超到700MHz、800MHz的水准。
常采用三星内存颗粒的内存模块厂商：三星、金士顿、创见、超胜、Apacer等厂商
英飞凌(Infineon)
提起Infineon(中文名：英飞凌)这家由德国西门子(Siemens)公司半导体部改组而来的世界顶级半导体芯片制造商，其生产的内存颗粒一直被全世界的电脑玩家狂热推崇，笔者也相信国内不少的电脑玩家已经是它的忠实FANS了。
英飞凌DDR2内存颗粒编号也象上面海力士、三星一样有规可循，我们可以将其分成9部分来解读内存规格，下面我们以“HYB18T256800AF25”为例：
HYB：就像现代的HY、三星的K4一样是为英飞凌内存颗粒的编号的前缀
18：工作电压为1.8V
T：DDR2
256：容量为256MB，如果是512则为256MB，1G则为1GB 80：位宽为×8，如果是40位宽则为×4，如果是16位宽则为×16
0：Standard product(标准产品)
A：封装版本
F：封装形式为FBGA
25：表示这是一款DDR2 800颗粒，如果是37则为DDR2 533(4-4-4)，如果是3则为DDR2 677(4-4-4)。
在速度标准中，英飞凌的芯片还有一种3S的参数，代表DDR2-667(5-5-5)。
英飞凌DDR2颗粒在品质上都属于上乘货色，超频性也不错，目前采用英飞凌颗粒的厂商有Infineon、金士顿、宇瞻等内存模块厂商
美光(Micron)
美光的DDR2内存芯片编号比较特别，封装上的编号并不是正规的编号，从编号上一般只能识别出这是颗粒的生产日期和产地编号，但是在芯片上也找不到美光所公布的正规编号。
对于这种情况，用户只需将颗粒表面的第二行编号(又称为FBGA码)输入到相关页面上
(/support/fbga/decoder.aspx)查询规格。
值得一提的是，虽然从编号识美光内存颗粒的规格还有一定的障碍，但仍有几款内存颗粒的超频性能特别优异，它们就是被玩家称为“fatboy d9”的D9内存颗粒。
D9内存颗粒最早的编号全称为“FBGA D9”，由于五位编号会以“D9”为起始，所以也被称为“D9”颗粒。
“Fatboy”D9昵称的由来是其110纳米制造工艺导致的芯片体积，然而先进工艺=更好性能的惯例此次被打破，这种样子夸张的内存芯片对工作电压的提高有极好的正面反馈，2.4V以上工作电压的“Fatboy”D9芯片DDR2 400/533内存模组有很多可以把内存时序调节到3-2-2(DDR2 SDRAM支持的最快时序)并且工作在DDR2-800以上的频率上，如果是4-3-2设定，这些怪物突破DDR2-1000频率也不是难事。
要知道这样的成绩是在04、05年生产的DDR2-400/533内存芯片上实现的，其他厂商的DDR2 SDRAM内存芯片的超频能力根本无法望其项背。
此前Crucial、CORSAIR、mushkin、Patriot、OCZ、GEIL等多家DDR2 533超频内存大多数就是采用此类内存颗粒。
但也不是所有的D9都好超，像绿色PCB上的就是普通颗粒，超频能力并不理想。
除了“FBGA D9”颗粒之外，美光还推出了D9GKX、D9GHM、D9DCN等新的D9颗粒。
其中该系列内存精选口碑出众的镁光D9GMH颗粒，在MT将DDR2内存颗粒制程由110纳米转向90纳米后，FATBODYD9就很少见到了，取而代之的就是现在很多内存厂商封装记忆体时优先选用的小D9颗粒。
这些编号为D9GMH、D9GCT、D9GKX等的新一代内存芯片在保持接近“Fatboy”D9低时序能力和对电压敏感的前提下，把4-4-4时序下的频率上限提高到了DDR2-1100附近！而极限运行频率更达到约1200MHz！能实现如此超频目标的芯片本身规格仍旧是DDR2-533/667。
另外，还有易胜(Elixir)、南亚等内存颗粒，在性能上属于中规中距，因此在这里就不再一一介绍了。
如遇到颗粒表面覆盖了散热片或者颗粒表面已被内存厂商重新标注的情况，显然无法再用前面所讲的方法识别内存颗粒的标准规格。
虽然用CPU-Z可以查到内存的相关信息，但并不能保证完全准确，因此我们建议大家最好是向厂商
咨询。
4、海力士(Hynix)
海力士DDR2内存颗粒的第一排编号通常由HY开头
第3、4位“5P”代表DDR2
第5位“S”代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V
第6、7位代表容量，本例中“12”代表512Mb，其它如“28”为128Mb、“56”为256Mb、“1G”为1Gb、“2G”为2Gb。
该值除以8即为单颗容量，再乘以颗粒数便是整条内存的容量
第8、9位代表颗粒位宽，如果为“4”和“8”，则只占编号中的第8位，如本例所示；如果为“16”和“32”，则占第8、9位
第10位代表逻辑Bank数。
其中“1”为2Banks，“2”为4Banks，而“3”为8Banks
第11位代表接口类型。
比如“1”为SSTL_18，另外，“2”为SSTL_2
第12、13位代表产品的规格，比如C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3，字母越靠后越好
海力士内存颗粒的超频性一向不错，比如C5、C3，特别是目前代号S6的DDR2-800内存颗粒比较好超，一般都可以超到1000MHz的水准，因此对于组建扣肉、AM2超频平台的朋友来说，是极不错的选择
常采用的内存模块厂商：很多品牌的DDR2内存都有采用海力士DDR2内存颗粒，如创见、威刚、超胜等。