第五章硅片加工-_硅片清洗详解
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洁净环境：超净间。
等级 1 10 100 … 100000
≤0.5um ≤ 1 ≤ 10 ≤100 … ≤ 100000
≥0.5um 0 0 1
… ≤ 700
数值越大，洁净度越低，环境越脏
5）硅片表面污染的种类
污染的种类是清洗的对象，硅片表面的污 染物主要有： 1）有机杂质。 2）颗粒杂质。 3）金属污染——最难清洗。
第五章 硅片表面的清洗
主要内容 1. 表面污染和清洗简介。 2. 硅片表面清洗的原理与方法。 3. 切割、研磨、抛光片清洗的工艺与流程。
1. 污染和清洗简介
1）清洗的目的和意义 2）材料表面的吸附污染与去除原理 3）较少吸附的主要途径 4）环境洁净度的概念 5）硅片表面的污染种类——清洗对象
硅表面的吸附形式： 1）化学吸附。 2）物理吸附。
1）化学吸附
定义：在硅片表面上，通过电子转移（离子 键）或电子对共用（共价键）形式，在硅片 和杂质之间，形成化学键或生成表面配位化 合物等方式产生的吸附。
主要特点：是一种较近距离的作用，成键稳 定，比较难清除。和表面最上层的原子分布 有关，更确切说，和表层电子云的分布有关。
这些清洗，一般称为：切割片清洗，研磨 片清洗，抛光片清洗，其中抛光片清洗对 洁净度要求最高。
扫描电镜（SEM）测量的材料表面图像
2）材料表面的特点
表面的特点：
最表层存在悬挂键，即不饱和键。 表面粗糙不平整。 微观表面积可能很大，而不同于宏观的表面。 存在较强局域电场。
表面的这些特点决定，表面易吸附杂质颗粒， 而被沾污。
低温，吸附很慢 高温，显著增大 通常不可逆 不易去除
3）减少吸附的主要途径
物理吸附： 提高洁净度，减少可吸附颗粒—超洁净 多次清洗，消除物理吸附
化学吸附： 每道工艺结束，进行清洗，减少杂质 最终进行可消除化学吸附的清洗（抛光 片清洗）
4）环境洁净度的概念
定义：在空间中，单位体积空气中，含有 杂质粒子的数目。通常以大于或等于被考 虑粒径的粒子最大浓度限值进行划分的等 级标准。
简单说，环境越干净，杂质少，物理吸附量 就少，反之，吸附量就大，因此，环境洁净 是物理吸附的主要途径。
项目 吸附力 选择性 吸附层 吸附活化
能
吸附温度
可逆性
物理吸附 范德华力 所有杂质
多层
<4kJ/mol 小
低温，吸附很快 高温，吸附减慢
可逆 易去除
化学吸附 化学键力 可反应杂质
单层
>40kJ/mol大
2）物理吸附
定义：硅片表面和杂质颗粒之间，由于长程 的范德瓦耳斯吸引作用，所引起的表面吸附。
特点：这种吸附，可以吸附较远范围，而且 较大的杂质颗粒，吸附之后，颗粒和表面的 距离比较大，结合能力也比较弱，因此杂质 也比较容易脱落。
物理吸附的特点：
1）作用距离大，从几十纳米到微米量级。 2）可吸附的杂质种类多。 3）作用力弱。 4）可释放性强。
材料表面吸附的原理
表面吸附：硅材料的表面存在大量的悬挂键， 这本身是不饱和键，因此具有很高的活性， 很容易与周围原子或者颗粒团簇发生吸引， 引起表面沾污，这就是表面的吸附。
硅表面吸附的三个因素： 1）硅表面性质，包括粗糙度，原子密度等， 这归根到底是表面势场的分布。 2）杂质颗粒的性质（如大小，带电密度等）， 以及吸附后的距离。 3）温度。温度高，杂质颗粒动能大，不易被 吸附（束缚）。
化学吸附的特点：
1）吸附稳定牢固，不易脱离。
2）只吸附单原子层，而且至多吸附满整个表 层。这是因为只能在近距离成化学键。
3）对吸附原子的种类有选择性。比如Si表层 吸附O原子较容易。
4）表面原子密度越大，吸附越强。比如硅 （111）面的化学吸附能力最强。
物理吸附区
此区域无法化学吸附 表面化学吸附的原子
3）金属杂质 这是一种最重要的污染物。比如Cu、Fe、Al、
Mn等原子或者离子。 危害：导致硅表面电阻率降低，并且随温度
不稳定，器件易被击穿。
分为两类：
1）物理吸附在硅表面，一般较大金属颗粒。 2）化学吸附，形成金属硅化物，即成化学键。 清洗方法：依靠化学清洗，腐蚀表层的硅， 附带将其清除，或者依靠形成络合物而去除。
1）清洗的目的和意义
硅片清洗的目的：
硅片加工过程中，表面会不断被各种杂质污 染，为获得洁净的表面，需要采用多种方法， 将硅片进行清洗，进行洁净化。一般每道工 序结束之前，都有一次清洗的过程，要求做 到本流程污染，本流程清洗。
意义：多次清洗工序可以保证最终硅片表面 的洁净性。
何时需要清洗
切片、倒角、磨片、热处理、背损伤、化 学剪薄，CMP等各个阶段，在工艺结束之 后，都需要进行一次清洗，尽量消除本加 工阶段的污染物，从而达到一定的洁净标 准。而随着加工的进行，对表面洁净度的 要求也不断提高，最终抛光结束之后，还 要进行一次清洗。
最表层有机污染
表层和内层 金属原子、离子
表层颗粒
清理的顺序：
有机层
金属
颗粒
需清洗的样品
切割片 研磨片 抛光片——最高洁净度的清洗
清洗的对象： 1）有机污染——覆盖层（首先处理）。 2）金属污染——浅表层（其次处理）。 3）颗粒污染——（若很多，则先超声水清 洗），反应中会形成（最终要处理一次）。
浸润液滴 不Biblioteka Baidu清除
2） 颗粒杂质
颗粒尺寸比较大，物理吸附在硅表面，吸附 能力很低，容易去除。比如：空气中的颗粒、 粉尘。
清除方法：超声清洗。
超声清洗：硅片浸在清洗液中，在超声波作 用下，颗粒做受迫振动，其动能增强，可以 脱离硅片表面，并悬浮在溶液中。
≥0.4um颗粒：超声清洗。 0.2um～0.4um颗粒：兆声波清洗。
1）有机污染 有机类分子或者液滴粘附在硅片表面形成的
污染。比如：润滑油类，研磨浆油性的，粘 胶硅棒和CMP中硅片固定的蜡。 特点：一般是物理吸附，不过有机分子，一 般亲硅片表面而疏水，不能用水溶解。
清洗方法：
采用表面活性剂，进行物理溶解而清洗。
使其在酸、碱环境中水解，再清洗。
不浸润液滴 易清除
清洗原则： 1）可以将污染物去除。 2）防止清洗反应物二次污染表面。
硅表面的吸附形式：
1）化学吸附——成化学键，结合牢固。
等级 1 10 100 … 100000
≤0.5um ≤ 1 ≤ 10 ≤100 … ≤ 100000
≥0.5um 0 0 1
… ≤ 700
数值越大，洁净度越低，环境越脏
5）硅片表面污染的种类
污染的种类是清洗的对象，硅片表面的污 染物主要有： 1）有机杂质。 2）颗粒杂质。 3）金属污染——最难清洗。
第五章 硅片表面的清洗
主要内容 1. 表面污染和清洗简介。 2. 硅片表面清洗的原理与方法。 3. 切割、研磨、抛光片清洗的工艺与流程。
1. 污染和清洗简介
1）清洗的目的和意义 2）材料表面的吸附污染与去除原理 3）较少吸附的主要途径 4）环境洁净度的概念 5）硅片表面的污染种类——清洗对象
硅表面的吸附形式： 1）化学吸附。 2）物理吸附。
1）化学吸附
定义：在硅片表面上，通过电子转移（离子 键）或电子对共用（共价键）形式，在硅片 和杂质之间，形成化学键或生成表面配位化 合物等方式产生的吸附。
主要特点：是一种较近距离的作用，成键稳 定，比较难清除。和表面最上层的原子分布 有关，更确切说，和表层电子云的分布有关。
这些清洗，一般称为：切割片清洗，研磨 片清洗，抛光片清洗，其中抛光片清洗对 洁净度要求最高。
扫描电镜（SEM）测量的材料表面图像
2）材料表面的特点
表面的特点：
最表层存在悬挂键，即不饱和键。 表面粗糙不平整。 微观表面积可能很大，而不同于宏观的表面。 存在较强局域电场。
表面的这些特点决定，表面易吸附杂质颗粒， 而被沾污。
低温，吸附很慢 高温，显著增大 通常不可逆 不易去除
3）减少吸附的主要途径
物理吸附： 提高洁净度，减少可吸附颗粒—超洁净 多次清洗，消除物理吸附
化学吸附： 每道工艺结束，进行清洗，减少杂质 最终进行可消除化学吸附的清洗（抛光 片清洗）
4）环境洁净度的概念
定义：在空间中，单位体积空气中，含有 杂质粒子的数目。通常以大于或等于被考 虑粒径的粒子最大浓度限值进行划分的等 级标准。
简单说，环境越干净，杂质少，物理吸附量 就少，反之，吸附量就大，因此，环境洁净 是物理吸附的主要途径。
项目 吸附力 选择性 吸附层 吸附活化
能
吸附温度
可逆性
物理吸附 范德华力 所有杂质
多层
<4kJ/mol 小
低温，吸附很快 高温，吸附减慢
可逆 易去除
化学吸附 化学键力 可反应杂质
单层
>40kJ/mol大
2）物理吸附
定义：硅片表面和杂质颗粒之间，由于长程 的范德瓦耳斯吸引作用，所引起的表面吸附。
特点：这种吸附，可以吸附较远范围，而且 较大的杂质颗粒，吸附之后，颗粒和表面的 距离比较大，结合能力也比较弱，因此杂质 也比较容易脱落。
物理吸附的特点：
1）作用距离大，从几十纳米到微米量级。 2）可吸附的杂质种类多。 3）作用力弱。 4）可释放性强。
材料表面吸附的原理
表面吸附：硅材料的表面存在大量的悬挂键， 这本身是不饱和键，因此具有很高的活性， 很容易与周围原子或者颗粒团簇发生吸引， 引起表面沾污，这就是表面的吸附。
硅表面吸附的三个因素： 1）硅表面性质，包括粗糙度，原子密度等， 这归根到底是表面势场的分布。 2）杂质颗粒的性质（如大小，带电密度等）， 以及吸附后的距离。 3）温度。温度高，杂质颗粒动能大，不易被 吸附（束缚）。
化学吸附的特点：
1）吸附稳定牢固，不易脱离。
2）只吸附单原子层，而且至多吸附满整个表 层。这是因为只能在近距离成化学键。
3）对吸附原子的种类有选择性。比如Si表层 吸附O原子较容易。
4）表面原子密度越大，吸附越强。比如硅 （111）面的化学吸附能力最强。
物理吸附区
此区域无法化学吸附 表面化学吸附的原子
3）金属杂质 这是一种最重要的污染物。比如Cu、Fe、Al、
Mn等原子或者离子。 危害：导致硅表面电阻率降低，并且随温度
不稳定，器件易被击穿。
分为两类：
1）物理吸附在硅表面，一般较大金属颗粒。 2）化学吸附，形成金属硅化物，即成化学键。 清洗方法：依靠化学清洗，腐蚀表层的硅， 附带将其清除，或者依靠形成络合物而去除。
1）清洗的目的和意义
硅片清洗的目的：
硅片加工过程中，表面会不断被各种杂质污 染，为获得洁净的表面，需要采用多种方法， 将硅片进行清洗，进行洁净化。一般每道工 序结束之前，都有一次清洗的过程，要求做 到本流程污染，本流程清洗。
意义：多次清洗工序可以保证最终硅片表面 的洁净性。
何时需要清洗
切片、倒角、磨片、热处理、背损伤、化 学剪薄，CMP等各个阶段，在工艺结束之 后，都需要进行一次清洗，尽量消除本加 工阶段的污染物，从而达到一定的洁净标 准。而随着加工的进行，对表面洁净度的 要求也不断提高，最终抛光结束之后，还 要进行一次清洗。
最表层有机污染
表层和内层 金属原子、离子
表层颗粒
清理的顺序：
有机层
金属
颗粒
需清洗的样品
切割片 研磨片 抛光片——最高洁净度的清洗
清洗的对象： 1）有机污染——覆盖层（首先处理）。 2）金属污染——浅表层（其次处理）。 3）颗粒污染——（若很多，则先超声水清 洗），反应中会形成（最终要处理一次）。
浸润液滴 不Biblioteka Baidu清除
2） 颗粒杂质
颗粒尺寸比较大，物理吸附在硅表面，吸附 能力很低，容易去除。比如：空气中的颗粒、 粉尘。
清除方法：超声清洗。
超声清洗：硅片浸在清洗液中，在超声波作 用下，颗粒做受迫振动，其动能增强，可以 脱离硅片表面，并悬浮在溶液中。
≥0.4um颗粒：超声清洗。 0.2um～0.4um颗粒：兆声波清洗。
1）有机污染 有机类分子或者液滴粘附在硅片表面形成的
污染。比如：润滑油类，研磨浆油性的，粘 胶硅棒和CMP中硅片固定的蜡。 特点：一般是物理吸附，不过有机分子，一 般亲硅片表面而疏水，不能用水溶解。
清洗方法：
采用表面活性剂，进行物理溶解而清洗。
使其在酸、碱环境中水解，再清洗。
不浸润液滴 易清除
清洗原则： 1）可以将污染物去除。 2）防止清洗反应物二次污染表面。
硅表面的吸附形式：
1）化学吸附——成化学键，结合牢固。