大学电路与模拟电子技术基础(第2版) 习题解答-第7章习题解答

20XX年复习资料

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习 题 7

7.1 确定图7.1所示电路的漏极电流。

VT

R D

+DD

V V P = -6V I DSS =3mA VT

R D

-DD

V V P = 6V I = -12mA

(a)(b)

图7.1 习题7.1图

(a) U GSQ =－2V ，mA)(33.1)6

2

1(3)1(P GS DSS D =-⨯=-

=U U I I (b) U GSQ =3V ，I D =－20XXXX ×(1－3/6)=－3(mA)

7.2 电路如图7.2所示，MOSFET 的U T = 2V ，K = 50mA/V 2

，确定电路Q 点的I DQ

和U DSQ 值。

)V (13.32415

10015

DD g2

g1g2GSQ =⨯+=

⨯+=

V R R R U

)mA (9.63)213.3(50)(22T GSQ DQ =-⨯=-=U U K I

)V (2.112.09.6324d DQ DD DSQ =⨯-=-=R I V U

7.3 试求图7.3所示每个电路图的U DS ，已知|I DSS | = 8mA 。

(a) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =8(mA) U DSQ =V DD －I DQ R d = 20XXXX －8×1=4(V)

(b) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =8(mA) U DSQ =V DD －I DQ R d = 20XXXX －8×1.2=5.4(V) (c) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =－8(mA) U DSQ =V DD －I DQ R d = －9+8×0.56=－4.52(V)

R g1VT

+V DD 24V

R g2100k 15k Ω

R d 200Ω

VT

+V DD 12V

R g 10M Ω

R d 1.0k Ω

VT

+V DD 15V R g 10M ΩR d 1.2k Ω

VT

+V DD -9V R g 10M Ω

R d 560Ω

(a)(b)(c)

图7.2 习题7.2电路图 图7.3 习题7.3电路图

7.4 某MOSFET 的I DSS = 20XXXXmA 且U P = －8V 。 (1) 此元件是P 沟道还是N 沟道？ (2) 计算U GS = －3V 是的I D ； (3) 计算U GS = 3V 时的I D 。 (1) N 沟道； (2) )mA (9.3)83

1(10)1(P GS DSS D =-⨯=-

=U U I I (3) )mA (9.18)8

3

1(10)1(P GS DSS D =+⨯=-

=U U I I 7.5 图7.4所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。

说明它的开启电压th U （或夹断电压p U ）约是多少。

-1

01

2u GS / V

-3i D / mA

-4

-2

GS -i D / mA

01

23-3-1

u GS / V i D / mA

0-2

(a)

(b)

(c)

图7.4 习题7.5图

(a) N 沟道 耗尽型FET U P =－3V ； (b) P 沟道 增强型FET U T =－4V ； (c) P 沟道 耗尽型FET U P =2V 。

7.6 图7.5所示为场效应管的输出特性曲线，分别判断各场效应管属于何种类型（结型、绝缘栅型、增强型、耗尽型、N 沟道或P 沟道），说明它的夹断电压p U （或开启电压th U ）为多少。

5

1015

DS -i D / mA 3V

2V 1V (a)

u GS = 0V

5

1015

DS i D / mA

-1V 0V 1V

(b)

u GS = 2V

图7.5 习题7.6图

(a) JFET P 沟道 U P =3V ；

(b) 耗尽型 N 沟道FET U P =－1.0V

7.7 画出下列FET 的转移特性曲线。 (1)U P = －6V ，I DSS = 3mA 的JFET ； (2) U P = －6V ，I DSS = 1mA 的MOSFET ；

(3) U T = 8V ，K = 0.2mA/V 2

的MOSFET 。

(1) i D /mA u GS /V

o

－6

3 (2) i D /mA

u GS /V

o

－6

3 (3) i D /mA u GS /V

o

8

12

3.2

7.8 试在具有四象限的直角坐标上分别画出各种类型场效应管的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。

i D

u GS

o

JFET

耗尽型FET

增强型FET

U P U P

U T

N 沟道

i D u GS

o

U P

U P U T

JFET

耗尽型FET

增强型FET

P 沟道

7.9 判断图7.6所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。