电子技术基础第二第三章
电子技术基础(数字)康华光课后解答
VNLA(max) =VIL(max) —VOL(max) =0.8V—0.4V=0.4V
2.4
0.4
2
0.8
逻辑门 B
3.5
0.2
2.5
0.6
逻辑门 C
4.2
0.2
3.2
0.8
解：根据表题 3.1.1 所示逻辑门的参数，以及式（3.1.1）和式（3.1.2），计算出逻 辑门 A 的高电平和低电平噪声容限分别为：
VNHA =VOH (min) —VIH (min) =2.4V—2V=0.4V
(2) L D(A C)
(3) L (A B)(C D)
2.2.2 已知函数 L（A，B，C，D）的卡诺图如图所示，试写出函数 L 的最简与 或表达式
解： L(A, B,C, D) BCD BCD BCD ABD 2.2.3 用卡诺图化简下列个式 （1） ABCD ABCD AB AD ABC 解： ABCD ABCD AB AD ABC ABCD ABCD AB(C C)(D D) AD(B B)(C C) ABC(D D) ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD
解： A ABC ACD (C D)E
A( 1 B C) A C D C D E
A A C D C D E
AB +AB
1 0 0 1
A CD CDE A CD E 2.1.4 用代数法化简下列各式 (3) ABC(B C) 解： ABC(B C) (A B C)(B C)
（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H 1.4 二进制代码 1.4.1 将下列十进制数转换为 8421BCD 码： （1）43 （3）254.25 解：（43）D=（01000011）BCD 1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣 ASCⅡ码的表示：P28 （1）+ （2）@ （3）you (4)43 解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的 ASCⅡ码，然后将二进制码转换 为十六进制数表示。 （1）“+”的 ASCⅡ码为 0101011，则（00101011）B=（2B）H （2）@的 ASCⅡ码为 1000000,(01000000)B=(40)H (3)you 的 ASCⅡ码为本 1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为
《电子技术基础》第五版高教康华光版部分课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制2 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+ （2）@ （3）you (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
（1）“+”的ASCⅡ码为0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1. 6.1中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 (3)A B AB AB ⊕=+（A ⊕B ）=AB+AB 解：真值表如下A B A B ⊕ABAB A B ⊕AB +AB0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
电子技术基础(电工Ⅱ)李春茂主编_机械工业出版社_课后习题答案
1-9 有 A、B、C 3 只晶体管，测得各管的有关参数与电流如题表 1-2 所示，试填写表中空白的栏目。
表 1-2 题 1-9 表
电流参数
管号
iE / mA iC / mA iB / μA ICBO / μA ICEO / μA
A
1
0.982
18
2
111
0.982
B
0.4
0.397
3
1
132.3 0.99
目录
第一章 双极型半导体器件∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙1 第二章 基本放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙7 第三章 场效应晶体管放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙18 第四章 多级放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙23 第五章 集成运放电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙33 第七章 直流稳压电源∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙46 第九章 数字电路基础知识∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙51 第十章 组合逻辑电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙61 第十一章 时序逻辑电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙73 第十二章 脉冲波形的产生和整形∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙90 第十三章 数/模与模/数转换电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙96
电子技术基础(第二版)前三章习题答案
第一章1.1 能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。
1.2已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA 。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V ，U O2＝5V 。
1.3写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。
（该题与书上略有不同）解：U O1≈1.3V ，U O2＝0，U O3≈－1.3V ，U O4≈2V ，U O5≈1.3V ，U O6≈－2V 。
1.5 电路如图P1.5（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值（该题与书上数据不同）解：u O 的波形如解图P1.5所示。
解图P1.51.9电路如图T1.9所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝0.7V 。
试问： （1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？ （2）若T 临界饱和，则R b ≈？ 解：（1）R b ＝50k Ω时，基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBEBB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O ＝U CE ＝2V 。
1.11电路如图P1.11所示，试问β大于多少时晶体管饱和？ 解：取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则Cb C BECC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以，100Cb=≥R R β时，管子饱和。
图1.11 1.12 分别判断图P1.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态第二章2.1试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
《电子技术基础与技能》(张金华主编)习题答案
《电子技术基础与技能》（主编：张金华）各章复习与考工模拟题答案第1章 二极管及其应用一、判断题 1．√ 2．× 3．× 4．× 5．√ 6．√二、选择题 1．B 2．D 3．C 4．C 5．A三、综合题1．U AB =0 U AB =6V 2．3．亮 亮 4．（1）桥式整流 电容滤波 （2（3）U L =0.9U 2 （4）U L =1.2U 2L第2章 三极管及放大电路基础 一、判断题 1．√ 2．× 3．×二、选择题 1．C 2．A 3．C三、填空题1．正偏电压 反偏电压 2．各电极电流 极间电压 3．高 低 略小于1 4．20dB 四、综合题 1．2．3．（a ）饱和失真 一般调节偏置电阻R b ，使其阻值减小。
（b ）截止失真 一般调节偏置电阻R b ，使其阻值增大。
（c ）饱和与截止失真 减小输入信号的幅度或更换三极管。
第三章 常用放大器 一、判断题 1．√ 2．× 3．× 4．× 5．×二、选择题 1．C 2．A1.01mA β=100 5mA β=50 u 0u iu 0 u i R 1 R 3 R 4VT 1 VT 2+ +- -3．B4．C5．D6．B三、综合题1．u0=8(u I2-u I1)2．t2．×3．×4．5．×二、填空题1．负载输出2．78××79××输出为正12V的集成稳压器输出为负12V的集成稳压器3．（U Z=14V）14 15 14 4 10三、综合题为了保证稳压管的正常工作，在稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流的大小，只有在R取值合适时，稳压管才能安全地工作在稳压状态。
其稳压过程：U I升高或R L变大→U0升高→I Z变大→I R变大→U R变大→U0减小，使输出电压U0稳定；当U I降低或R L变小，同理分析输出电压U0也能基本保持稳定。
(完整版)电子技术基础教学大纲
电子技术基础教学大纲电子技术基础是入门性质的技术基础课，它既有自身的理论体系，又有很强的实践性。
本课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养分析问题和解决问题的能力，为今后进一步学习、研究、应用电子技术打下基础。
本课程是我院工科电类专业的必修课。
模拟部分教学大纲学时：55 学分:4适用专业：电子类、自控类、计算机类专业（高职高专）先修课程：《大学物理》、《电工技术基础》一、课程内容和基本要求第一章半导体器件1、正确理解PN结的形成及其单向导电作用，熟练掌握二极管、稳压管的外特性和主要参数。
2、正确理解半导体三极管的结构及工作原理，熟练掌握外特性和主要参数。
第二章基本放大电路1、正确理解放大的基本概念，放大电路的主要指标，掌握放大电路的组成特点。
2、掌握放大电路定性分析方法及静态工作点的估算方法。
3、熟练掌握放大电路的等效电路法，会计算静态工作点，能用微变等效电路计算放大电路的电压放大倍数、输入和输出电阻。
4、正确理解放大器失真产生的原因及解决的办法，放大电路频率特性的概念及其频率特性。
5、了解级间耦合放大电路的工作原理及指标的估算，选频放大电路。
第三章场效应管放大电路1、正确理解结型场效应管和绝缘栅场效应管的结构、工作原理，掌握特性曲线和主要参数。
2、确理解场效应管放大电路结构，工作原理。
第四章集成运算放大电器1、熟练掌握集成运算放大器的组成、性能特点和基本单元电路。
2、正确理解差动放大器的组成、工作原理及应用，了解通用型集成运算放大器的主要性能指标。
3、了解集成运放的应用及两种基本电路。
第五章负反馈放大电路1、练掌握反馈的基本概念和分类，会判断反馈放大电路的类型和极性。
2、熟练掌握负反馈的四种组态及其对放大电路性能的影响。
第六章集成运算放大器的应用1、练掌握由集成运放组成线性电路和非线性应用电路的方法和应用知识。
2、练掌握由集成运算放大器组成的比例、加减法和积分运算电路、信号处理电路等的结构及分析方法。
电工与电子技术基础第2版习题参考答案第3章
习题3.1 某三相同步发电机，三相绕组连接成星形时的线电压为10.5kV ，若将它连接成三角形，则线电压是多少？若连接成星形时，B 相绕组的首末端接反了，则3 个线电压的有效值 U AB 、U BC 、U CA 各是多少？解：三相绕组连接成星形时U L =3U P ，线电压为10.5kV ，则每相绕组的电压为6.06kV ，若连接成三角形U L =U P ，则线电压为6.06kV 。
若连接成星形时，B 相绕组的首末端接反了，则B 相相电压的相位与原来的相差1800， 根据相量计算可得U AB =6.06 kV 、U BC =6.06 kV 、U CA =10.5 kV 。
3.2 题3.2 图所示的三相对称电路，线电压U L =380V ，每相负载Z = 6+j8Ω，试求相电压、相电流和线电流，并画出电压和电流的相量图。
题3.2 图解：由题意：负载作星接U l =3U p 因U l =380V ，则U a =U b =U c = = 220 （V ）设U a = 220/0°（V ）因相电流即线电流，其大小为：.220/0°I A == 22/−53°(A) 6 + j 8.I B = 22/−173ο(A).I C = 22/67°(A) 此时的相量图略。
3.3 有一电源和负载都是星形连接的对称三相电路，已知电源相电压为220V ，负载每相阻抗Z = Ω10 ，试求负载的相电流和线电流。
3 380第3 章三相交流电路习题解答77解：负载的相电压等于电源的相电压：U p = 220（V）U P 220(A)I l = I p = = = 22Z 103.4 已知星形联接的对称三相负载，每相阻抗为40∠25°（Ω）；对称三相电源的线电压为380Ｖ。
求: 负载相电流，并绘出电压、电流的相量图。
解：ＵAB ＝380ＶＺ＝40∠25°Ω（１）三相对称电源接入三相对称负载令U A ＝２２０∠０°Ｖ则相线电流I A =U A ／Z＝５.５∠-２５°ＶI B ＝５.５∠－１４５°ＶI c ＝５.５∠９５°Ｖ(2) 矢量图如图所示。
《电子技术基础》正式教案
《电子技术基础》正式教案第一章：电子技术概述1.1 电子技术的定义与发展介绍电子技术的定义讲解电子技术的发展历程1.2 电子技术的基本组成部分介绍电子电路的基本组成部分讲解电子元件的功能和特点1.3 电子技术的基本测量与测试方法介绍电子技术的测量与测试方法讲解测量工具的使用和测量原理第二章：模拟电子技术基础2.1 模拟电子元件介绍电阻、电容、电感等基本元件的特性讲解二极管、晶体管等有源元件的功能和特点2.2 模拟电子电路分析并讲解基本放大电路、滤波电路、振荡电路等介绍模拟集成电路的基础知识2.3 模拟信号处理讲解模拟信号的采样与保持介绍模拟信号的调制与解调第三章：数字电子技术基础3.1 数字电子元件介绍逻辑门、逻辑电路的功能和特点讲解触发器、计数器等数字电路的应用3.2 数字电路设计分析并讲解组合逻辑电路、时序逻辑电路的设计方法介绍数字集成电路的基础知识3.3 数字信号处理讲解数字信号的编码与解码介绍数字信号的滤波与加密技术第四章：电子电路的设计与实践4.1 电子电路设计的基本原则和方法讲解电子电路设计的基本原则介绍电子电路设计的方法和步骤4.2 电子电路仿真与实验讲解电子电路仿真软件的使用方法安排电子电路实验项目，讲解实验原理和方法4.3 电子电路的安装与调试讲解电子电路的安装工艺和注意事项介绍电子电路调试的方法和技巧第五章：现代电子技术应用与发展5.1 微电子技术及其应用介绍微电子技术的基本概念和特点讲解微电子技术在现代电子产品中的应用5.2 通信技术及其应用介绍通信技术的基本原理和分类讲解通信技术在现代通信系统中的应用5.3 嵌入式系统及其应用介绍嵌入式系统的基本概念和组成讲解嵌入式系统在现代工业中的应用第六章：传感器与信号检测6.1 传感器的基本原理与应用介绍传感器的作用和分类讲解常见传感器的原理及其在电子技术中的应用6.2 信号检测技术讲解信号检测的基本原理和方法介绍信号处理技术在电子技术中的应用6.3 传感器与信号检测实验安排传感器与信号检测实验项目讲解实验原理和操作方法第七章：电源技术与电子测量7.1 电源技术基础介绍电源的分类和基本原理讲解电源电路的设计和保护7.2 电子测量技术介绍电子测量的基本概念和方法讲解电子测量仪器仪表的使用和维护7.3 电源与电子测量实验安排电源与电子测量实验项目讲解实验原理和操作方法第八章：可编程逻辑器件与计算机8.1 可编程逻辑器件介绍可编程逻辑器件的分类和特点讲解可编程逻辑器件的设计和应用8.2 计算机硬件基础介绍计算机硬件系统的组成和功能讲解中央处理器（CPU）、存储器、输入输出设备等的基本原理和应用8.3 计算机软件与编程介绍计算机软件的分类和特点讲解计算机编程语言及其应用第九章：电子技术在工程应用中的案例分析9.1 电子技术在通信工程中的应用分析电子技术在通信系统、设备中的应用案例讲解通信工程中的关键技术及其解决方案9.2 电子技术在自动化控制中的应用分析电子技术在自动化控制系统中的应用案例讲解自动化控制工程中的关键技术及其解决方案9.3 电子技术在现代医疗设备中的应用分析电子技术在医疗设备中的应用案例讲解医疗电子工程中的关键技术及其解决方案第十章：电子技术的创新与发展趋势10.1 电子技术的创新与发展介绍电子技术在科研、产业等领域的创新成果分析电子技术的发展趋势和前景10.2 现代电子技术的应用领域讲解电子技术在物联网、大数据、等领域的应用10.3 电子技术的创新与产业发展探讨电子技术产业发展对经济社会的影响分析电子技术创新对人才培养的需求和挑战重点解析本文档是《电子技术基础》正式教案的完整版，共包含十个章节。
电子技术基础
图1-1二极管的伏安特性曲线①OA段：死区。
死区电压：硅管为05V，锗管为02V
②AB段：正向导通区。
导通电压：锗管为07V，硅管为03V。
（2）反向特性：
①OC段：反向截止区。
反向截止区的特点：
随反向电压增加，反向电流基本不变，电流值比较小。只有当温度升高时，反向电流才会增加。
（2）求交流放大系数时，取△IB=20μA，△IC=1 mA，则交流放大系数β=△IC/△IB=50。
（3）当基极IB=0时，对应集电极电流即为ICEO的值，根据三极管的输出特性，IB=0的曲线对应的集电极电流IC约为02 mA。
第一章半导体器件的基础知识
第二章二极管应用电路
第三章三极管基本放大电路
第四章负反馈放大器
第五章正弦波振荡器
第六章集成运算放大器
第七章功率放大器
第八章直流稳压电源
第九章晶闸管及应用电路
第十章逻辑门电路
第十一章数字逻辑基础
第十二章组合逻辑电路
第十三章集成触发器
第十四章时序逻辑电路
6 PN结：经过特殊的工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界处就会出现一个特殊的接触面，称为PN结。
7 PN结内电场的方向：由N区指向P区。内电场将阻碍多数载流子的继续扩散，又称为阻档层或耗尽层。
8 PN结的反向击穿是指PN结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，称为PN结的反向击穿。
半导体器件是各种电子线路的核心，晶体二极管和晶体三极管及场效应管是应用广泛的半导体器件之一，熟悉并掌握这些半导体器件的结构、特性及主要参数是本章的重点。
电子技术入门基础教程
第一章电子技术入门基础1．基本概念与规律1.1电路: 由金属导线和电气,电子部件组成的导电回路.(直流电路和交流电路)1.2电路图: 用电路元件符号表示电路连接的图.1.3电流:导体中的自由电荷在电场力的作用下做有规则的定向运动就形成了电流. 用I表示,单位为安A/mA/uA1.4电流计算公式: I=Q/T Q导体横截面的电荷量, T电荷通过导体的时间.1.5电阻: 导体对电流的阻碍称为该导体的电阻.用字母R表示.单位:欧姆Ω,KΩ千欧MΩ兆欧.1.6电阻计算机公式: R=ρ*l/S. ρ导体固有的电阻率. L导体长度, S导体的横截面积.1.7电位:又称电势,处于电场中某个位置的单位电荷所具有的电势能.1.8电压:电流形成的原因(电荷才会从高电势向低电势流动).中国电压220V.1.9电动势:反映电源把其他形式的能转换成电能的本领的物理量.电动势使电源两端产生电压(电源消耗能量在两极建立的电位差称为电动势)1.9.1化学电动势:干电池,锂电池,蓄电池1.9.2感生/动生电动势:电动机1.9.3光生电动势:1.9.4压电电动势:1.9.5温差电动势:1.10通路:电路导通,有正常电流流过负载,负载正常工作.1.11开路：电路断开，无电流流过负载,负载不工作.1.12短路:电路中电源正负极间没有负载而是直接接通叫做短路.1.13接地: 接地是为保证电工设备正常工作和人身安全而采取的一种用电安全措施，通过金属导线与接地装置连接来实现，常用的有保护接地、工作接地、防雷接地、屏蔽接地、防静电接地等。
1.14屏蔽:为防止某些元器件和电路工作时受到干扰,对这些元器件和电路采取隔离措施,称为屏蔽。
屏蔽的具体做法就是用金属材料(屏蔽罩)将元器或电路封闭起来,再将屏蔽罩接地。
1.15欧姆定律: 在同一电路中,导体中的电流跟导体两端的电压成正比,跟导体的电阻成反比.I=U/R1.16电功:电流做的功称为电功.W电功=UIT(U电压,I电流,T表示时间) W单位为J(焦)1.17电功率:单位时间内电流做的功叫电功率.用来表示消耗电能的快慢.P=UI,单位为W(瓦)1.18焦耳定律:说明传导电流将电能转换为热能的定律.电流通过导体产生的热量跟电流的二次方成正比,跟导体的电阻成正比,跟通电时间成正比.Q=I²RT Q指热量,单位为焦耳J. (电热器:电炉,电烙铁,电钣锅,电熨斗) 2．电阻的连接方式(串联等流分压,并联等压分流.)1.1电阻的串联: 两个或两个以上的电阻头尾接连在电路中,称为电阻的串联.1.1.1串联电阻的电流相同。
数字电子技术基础(第4版)课后习题答案详解
(9)Y = BC + AD + AD
1.9 (a) Y = ABC + BC
(10)Y = AC + AD + AEF + BDE + BDE (b) Y = ABC + ABC
(c) Y1 = AB + AC D,Y2 = AB + AC D + ACD + ACD
(d) Y1 = AB + AC + BC,Y2 = ABC + ABC + ABC + ABC 1.10 求下列函数的反函数并化简为最简与或式
(1)Y = AC + BC
(2)Y = A + C + D
(3)Y = (A + B)( A + C)AC + BC 解：Y = ( A + B)(A + C)AC + BC = [( A + B)( A + C) + AC]⋅ BC = ( AB + AC + BC + AC)(B + C) = B + C
= 0.05mA <
I
，
B
∴
T饱和，
v o＝0.2V
(0
~
0.3V都行）
2.3 解：
s 闭合时，输入低电平，此时
VIL = R2 × 5I I′L ≤ 0.4V
R2
≤
0.4 5I I′L
=
0.4V 2mA
= 200Ω
s 断开时，输入为高电平，此时
R2的最大允许值为200Ω
VIH = Vcc − (R1 + R2 ) × 5I IH ≥ 4V ∴ R1最大允许值为10K－R 2
电子技术基础(上习题)(附答案)
电子技术基础一、 填空第一章 直流电路分析基础１．电路一般由 电源 、 负载 和 中间环 三部分组成。
２.电源是将 其他形式的能转换成电能 的装置。
3.负载是将 电能转换为其他形式的能 的设备。
4．电路的作用包括 能源转换 和 信号处理 两个方面。
５.交流电是指 大小和方向随时间变换而变化 的电压或电流。
6．数字信号是指 大小和方向不随时间变化而变化 的电压或电流信号。
7．模拟信号是指 大小和方向随时间连续变化 的电压或电流信号。
８.电路中的元件分为有源元件和无源元件，其中无源元件包括 电阻 、电感 和 电容 三种。
9.在电路中起激励作用的是独立电源，包括理想独立电流源 和 非理想电压源 。
10.电路中有两种电源，其中起激励作用的是独立电源，不起激励作用的是 受控 电源。
11. 一般来说,电流分为 直流 、 交流 和 随机电流 三种类型。
1２.求出的功率如果大于０，表示该元件吸收功率 ；如果功率小于0,表示该元件 发出功率 。
13.一般来说,电压分为 直流电压 、 交流电压 和 随机电压 三种类型。
14.对于一个二端元件,在关联参考方向的时，该元件功率的计算公式习惯表示为 P=UI ;与此相反,在非关联参考方向的时，其功率计算公式习惯表示为 P= －UI 。
15．根据是否提供激励，电源分为 独立 和 受控 两种。
第二章 一阶过渡电路1.一阶过渡电路的全响应分析通常用三要素法,三要素分别指 初始值f (0) 、 稳态值f (∞) 和 时间常数τ 。
2.ＲＣ过渡电路中的时间常数的表达式为 τ=RC ；RL 过渡电路中的时间常数的表达式为τ=lR 。
3.根据是否有信号输入，一阶过渡电路分为 零输入 响应和 零状态 响应。
４.一阶电路的全响应既可以用零输入响应和零状态响应表示，也可用 多个暂态 和 多个稳态 表示。
第三章 正弦交流电1.正弦交流电源的三要素是指 振幅 、 频率 和 出相位 。
电路与模拟电子技术基础（第2版）习题解答第3章习题解答
第3章正弦稳态电路的分析习题解答3.1 已知正弦电压()V314sin 10q -=t u ，当0=t 时，V 5=u 。
求出有效值、频率、周期和初相，并画波形图。
周期和初相，并画波形图。
解 有效值为有效值为有效值为 V 07.7210==UHz 502314==pf ；s 02.01==fT将 0=t , V 5=u 代入，有代入，有 )sin(105q -=，求得初相°-=30q 。
波形图如下。
波形图如下3.2 正弦电流i 的波形如图3.1所示，写出瞬时值表达式。
所示，写出瞬时值表达式。
图3.1 习题3.2波形图波形图解 从波形见，电流i 的最大值是A 20，设i 的瞬时值表达式为的瞬时值表达式为A π2sin 20÷øöçèæ+=q t T i当 0=t 时，A =10i ，所以，所以 q sin 2010=，求得，求得 °=30q 或 6π=q 。
当 s 2=t 时，A =20i ，所以，所以 ÷øöçèæ+´=6π2π2sin 2020T ，求得，求得 s 12=T 。
所以所以 A÷øöçèæ°+=306πsin 20t i。
3.3正弦电流()A 120 3cos 51°-=t i ，A )45 3sin(2°+=t i 。
求相位差，说明超前滞后关系。
关系。
解 若令参考正弦量初相位为零，则1i 的初相位°-=°-°=30120901q ，而2i 初相位°=452q ，其相位差其相位差 °-=°-°-=-=75453021q q j ， 所以1i 滞后于2i °75 角，或2i 超前1i °75 角。
电工电子教案
电工电子教案第一章：电工基础1.1 电流、电压和电阻教学目标：了解电流、电压和电阻的概念及其关系。
学会使用万用表测量电流、电压和电阻。
教学内容：电流、电压和电阻的定义。
电流、电压和电阻的测量方法。
万用表的使用方法。
教学活动：引入电流、电压和电阻的概念。
演示电流、电压和电阻的测量方法。
学生分组实验，使用万用表测量电流、电压和电阻。
1.2 电路元件教学目标：了解电路元件的种类和作用。
学会使用电路元件搭建简单电路。
教学内容：电路元件的种类：电源、开关、导线、电阻、电容等。
电路元件的作用。
简单电路的搭建方法。
教学活动：介绍电路元件的种类和作用。
演示简单电路的搭建方法。
学生分组实验，搭建简单电路。
第二章：电子技术基础2.1 电子元件教学目标：了解电子元件的种类和作用。
学会使用电子元件搭建简单电子电路。
教学内容：电子元件的种类：二极管、晶体管、电阻、电容等。
电子元件的作用。
简单电子电路的搭建方法。
教学活动：介绍电子元件的种类和作用。
演示简单电子电路的搭建方法。
学生分组实验，搭建简单电子电路。
2.2 电路分析方法教学目标：了解电路分析的基本方法。
学会使用欧姆定律、基尔霍夫定律等分析电路。
教学内容：电路分析的基本方法：欧姆定律、基尔霍夫定律等。
电路分析的步骤。
电路分析的实例。
教学活动：介绍电路分析的基本方法。
演示电路分析的步骤和实例。
学生分组实验，练习电路分析。
第三章：电机与控制3.1 直流电机教学目标：了解直流电机的工作原理和特性。
学会使用直流电机进行控制。
教学内容：直流电机的工作原理。
直流电机的特性：转速、转矩等。
直流电机的控制方法：开关控制、PWM控制等。
教学活动：介绍直流电机的工作原理和特性。
演示直流电机的控制方法。
学生分组实验，使用直流电机进行控制。
3.2 交流电机教学目标：了解交流电机的工作原理和特性。
学会使用交流电机进行控制。
教学内容：交流电机的工作原理。
交流电机的特性：转速、转矩等。
交流电机的控制方法：开关控制、变频控制等。
电子技术基础(张龙兴版)教案
《电子技术基础(张龙兴版)全套教案》之第一至五章第一章：电子技术导论1.1 电子技术的定义与发展历程1.2 电子技术的基本组成部分1.3 电子技术的主要应用领域1.4 学习电子技术的方法与意义第二章：电子元件2.1 半导体器件的基本原理与特性2.2 晶体管的结构与类型2.3 电阻、电容、电感的作用与计算2.4 常用电子元件的识别与选用第三章：基本电路分析3.1 电路的基本概念与基本定律3.2 简单电阻电路的分析与计算3.3 交流电路的分析与计算3.4 电路仿真软件的使用与实践第四章：放大电路4.1 放大电路的基本原理与类型4.2 晶体管放大电路的设计与分析4.3 放大电路的频率响应与稳定性4.4 放大电路的应用实例第五章：数字电路基础5.1 数字电路的基本概念与逻辑门5.2 组合逻辑电路的设计与分析5.3 时序逻辑电路的设计与分析5.4 数字电路仿真与实践第六章：信号与系统6.1 信号的分类与特性6.2 系统的性质与分类6.3 信号的时域分析6.4 信号的频域分析第七章：模拟电子技术7.1 模拟电路的基本概念7.2 运算放大器的基本原理与应用7.3 滤波器的设计与分析7.4 模拟信号处理实例第八章：数字信号处理8.1 数字信号处理的基本概念8.2 数字滤波器的设计与分析8.3 快速傅里叶变换（FFT）8.4 数字信号处理在实际应用中的实例第九章：电子测量技术9.1 电子测量的基本概念与方法9.2 常用电子测量仪器与仪表9.3 测量误差与数据处理9.4 电子测量实验指导第十章：电子技术实验与实践10.1 电子技术实验的基本要求与流程10.2 常用实验仪器的使用与维护10.3 经典电子技术实验介绍第十一章：通信原理基础11.1 通信系统的概述11.2 模拟通信系统11.3 数字通信系统11.4 通信系统的性能评估第十二章：微电子技术与集成电路12.1 微电子技术概述12.2 集成电路的类型与设计12.3 半导体器件的封装与测试12.4 集成电路的应用实例第十三章：电源技术与电子负载13.1 电源技术的基本概念13.2 开关电源的设计与分析13.3 电子负载的设计与应用13.4 电源系统的测试与保护第十四章：嵌入式系统与微控制器14.1 嵌入式系统的基本概念14.2 微控制器的结构与工作原理14.3 嵌入式系统的编程与开发14.4 嵌入式系统的应用实例第十五章：电子技术在现代社会中的应用15.1 电子技术在通信领域的应用15.2 电子技术在计算机领域的应用15.3 电子技术在医疗领域的应用15.4 电子技术在交通领域的应用重点和难点解析第一章：电子技术导论重点：电子技术的定义与发展历程、电子技术的主要应用领域。
(完整word版)《电子技术基础》第五版课后答案
解:图解3.1.7所示电路中L1= ,L2= ,L3= ,L4实现与功能,即L4=L1 L2 L3,而L= ,所以输出逻辑表达式为L=
3.1.9图题3.1.9表示三态门作总线传输的示意图，图中n个三态门的输出接到数据传输总线，D1，D2，……Dn为数据输入端，CS1，CS2……CSn为片选信号输入端.试问:
= — =0.8V—0.4V=0.4V
同理分别求出逻辑门B和C的噪声容限分别为:
=1V
=0.4V
=1V
=0.6V
电路的噪声容限愈大,其抗干扰能力愈强,综合考虑选择逻辑门C
3.1.3根据表题3.1.3所列的三种门电路的技术参数,计算出它们的延时-功耗积,并确定哪一种逻辑门性能最好
表题3.1.3逻辑门电路的技术参数表
逻辑门A
1
1.216Biblioteka 逻辑门B56
8
逻辑门C
10
10
1
解:延时-功耗积为传输延长时间与功耗的乘积,即
DP=tpdPD
根据上式可以计算出各逻辑门的延时-功耗分别为
= = *16mw=17.6* J=17.6PJ
同理得出: =44PJ =10PJ,逻辑门的DP值愈小,表明它的特性愈好,所以逻辑门C的性能最好.
3.1.5为什么说74HC系列CMOS与非门在+5V电源工作时,输入端在以下四种接法下都属于逻辑0: (1)输入端接地; (2)输入端接低于1.5V的电源; (3)输入端接同类与非门的输出低电压0.1V; (4)输入端接10kΩ的电阻到地.
解:对于74HC系列CMOS门电路来说,输出和输入低电平的标准电压值为:
电子技术基础三重点
第一章电路分析基础(一)学习目的与要求本章介绍电路的基础知识，主要内容有：电路的基本概念和基本定律；电阻、电感和电容的元件特性；电源元件的伏安特性；电阻的串联电路与并联电路；电路的基本定律及基本分析方法；正弦交流电的基本概念及分析计算等。
本章重点内容是电路的基本定律和电路的基本分析方法。
难点是电感和电容的元件特性、正弦交流电的分析计算。
本章总的要求：深刻理解欧姆定律和基尔霍夫定律的概念；掌握利用叠加原理分析电路的方法；理解正弦交流电的基本概念；了解复数的基本运算；掌握计算正弦交流电路的相量分析法。
建议本章学习时间是16学时。
(二)课程内容1．电路的基本概念2．电阻、电感和电容3．电源元件4．串联电路与并联电路5．直流电路分析与计算6．正弦交流电路(三)考核知识点与考核要求1．电路的基本概念考核知识点(1)电路的组成与作用(2)直流电与交流电的概念(3)模拟信号与数字信号的概念(4)电路的基本物理量及其参考方向考核要求(1)识记：直流电与交流电的区别、数字信号与模拟信号(2)领会：电流、电压等基本物理量的概念及参考方向的意义2. 电阻、电感和电容考核知识点(1)电阻元件的伏安关系(2)电感元件的伏安关系(3)电容元件的伏安关系考核要求(1)识记：电阻、电感和电容元件的伏安关系：电感和电容元件的储能形式(2)领会：电感元件具有阻碍电流变化的性质和电容元件的隔直通交作用(3)简单应用：电阻元件在电路中的功率情况及电路的功率平衡3．电源元件考核知识点(1)理想电压源和实际电压源的伏安特性(2)理想电流源和实际电流源的伏安特性考核要求(1)识记：理想电压源和理想电流源的表示符号(2)领会：理想电压源、电流源和实际电压源、电流源的伏安特性4．串联电路与并联电路考核知识点(1)电阻串联的分压公式(2)电阻并联的分流公式考核要求(1)识记：串联电路与并联电路的结构及等效变换(2)领会：串联电路的分压公式与并联电路的分流公式5．直流电路分析与计算考核知识点(1)关联和非关联情况下的欧姆定律应用(2)KCL、KVL的应用(3)利用叠加原理分析计算电路考核要求(1)领会：关联和非关联情况下的欧姆定律作用(2)简单应用：KCL、KVL的应用(3)综合应用：利用叠加原理分析计算电路6．正弦交流电路考核知识点(1)正弦交流电的三要素(2)正弦交流电的瞬时值表达式、波形图及相量表达式(3)相量的基本运算(4)正弦交流电路的简单分析与计算考核要求(1)识记：正弦交流电的三要素(2)领会：正弦交流电的瞬时值表达式、波形图及相量表达式(3)简单应用：相量的基本运算第二章放大电路原理(一)学习目的与要求本章内容介绍了模拟电子技术的相关知识，主要内容有：半导体器件介绍；基本放大器工作原理；多级与差动放大器；放大器中的负反馈等。
电子技术基础课件第3章 集成运算放大器及正弦波振荡电路
图中VT3组成分压式工作点稳定电路，该电路当温度发生变 化时，Ie3基本不变，且
从而阻止了Ic1、Ic2随温度升高而增大，起到抑制零漂的作用。
*3.1.4 差动放大电路的4种接法
1．单端输入、双端输出式 单端输入、双端输出式差动放大电路如图3.3所示。
2．双端输入、单端输出式 双端输入、单端输出式差动放大电路如图3.4所示。
② 中间级。其作用是提供较高的电压放大倍数，一般由共发射 极放大电路组成。
③ 输出级。输出级的作用是提供一定的电压变化，通常采用互 补对称放大电路。
④ 辅助环节。使各级放大电路有稳定的直流偏置。
2．集成运放符号
集成运放是高电压放大倍数、高输入电阻、低输出电阻的直 接耦合放大电路，由于直接耦合放大电路存在零点漂移问题，所 以对零漂影响最大的第一级电路往往采用差动放大器。
（a）新符号
（b）旧符号
图3.9 集成运放的图形符号
3．主要参数 集成运放的性能可以用各种参数来反映，为了合理正确地
选择和使用集成运放，下面介绍集成运放的主要性能指标。 ① 开环电压放大倍数Auo：指无反馈时集成运放的差模电压放大 倍数。 ② 差模输入电阻rid：指差模输入时运放无外加反馈回路时的输 入电阻。
集成电路按电路功能可分为模拟集成电路和数字集成电路， 模拟集成电路主要有集成功率放大器、集成运算放大器、集成 稳压器等。由于集成电路体积小、稳定性好，因而在各种电子 设备及仪器中得到了广泛的应用。
3.2.1 集成电路的特点
与分立元件电路相比，集成电路具有以下突出特点。 1．可靠性高、寿命长 2．体积小、重量轻 3．速度高、功耗低 4．成本低
3．抑制零点漂移的措施 ① 选用稳定性能好的高质量的硅管。
② 采用高稳定度的稳压电源可以抑制电源电压波动引起的零漂。
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P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称 正偏；
P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称 反偏。
三、PN结的击穿特情况图
(2) PN结加反向电压时的导电情况
PN结加反向电压时的导电情况图
在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度 是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所 加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。
二、 PN结的单向导电性
(2) 扩散电容CD
PN结正向偏置时，多数载流子在扩散过程中引 起电荷积累（即积累在P区的电子和N区的空穴） ，正向电压变化时，积累在P区的电子和N区的空 穴随外加电压的变化就构成了PN结的扩散电容。
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分析证明
垫垒电容CB正比于PN结面积S，反比于耗尽区厚度
➢ 齐纳击穿：对掺杂浓度高的半导体，PN结 的耗尽层很薄，只要加入不大的反向电压 （U<4V），耗尽层可获得很大的场强， 足以将价电子从共价键中拉出来，而获得 更多的电子空穴对，使反向电流骤增。
四、PN结的电容效应
PN结的两端电压变化时，引起的PN结内 电荷变化，即为PN结的电容效应。PN结的电容 有两种：
2.1.2 杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使 半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三 价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导 体。
分为两类：(1) N型半导体
(2) P型半导体
(1）N型半导体
在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形 成 N型半导体,也称电子型半导体。
区最称后为P,多N结子。的在扩空散间和电少荷区子，的由漂于移缺达少到多子动，态所平以衡也。称耗
尽层。
一、 PN结的形成
在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形 成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型 半导体的结合面上形成如下物理过程:
PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到 N区， PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电 流小。
简化 模型
+4
价电子
惯性核
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4
(1）本征半导体的共价键结构
这种结构的立体和平面示意图见下图
(c)
(a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图
硅原子空间排列及共价键结构平面示意图
（2）电子空穴对
1
2
本征激发和复合的过程图 可见因光或热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出 现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空 穴中去，称为复合，本征激发和复合在一定温度下会达到动 态平衡。
在N提型供半自导由体电中子自的由五电价子杂是质多原数子载因流带子正,它电主荷要而由成杂为 质正原离子子提，供因；此空五穴价是杂少质数原载子流也子称,为由施热主激杂发质形。成。
(2) P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟 等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。
P型半导体的结构示意图
当反向电压超过反向击穿电压UBR时，反向电 流将急剧增大，而PN结的反向电压值却变化不大， 此现象称为PN结的反向击穿。有两种解释：
一、雪崩击穿 二、齐纳击穿
➢ 雪崩击穿：当反向电压足够高时（U>6V） PN结中内电场较强，使参加漂移的载流子 加速，与中性原子相碰，使之价电子受激 发产生新的电子空穴对，又被加速，而形 成连锁反应，使载流子剧增，反向电流骤 增。
一是势垒电容CB ， (Barrier、Build) 二是扩散电容CD 。(diffuse)
(1) 势垒电容CB
PN结两端电压改变时，阻挡层厚薄也发生变化 ，从而引起阻挡层(空间电荷区、耗尽层、势垒区) 内电荷变化，从而显示出PN结的电容效应，势垒
电容CB是用来描述势垒区的空间电荷随电压变化而
产生的电容效应的。
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2
2.1.1 本征半导体
根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、 绝缘体和半导体。
常用的半导体材料有：元素半导体，如硅Si和锗Ge ；化合物半导体砷化镓GaAs；以及掺杂或制成其他化 合物半导体的材料，如硼（B）、磷（P）、铟（In） 和锑（Sb）等。 半导体特性： ➢导电能力介于导体和绝缘体之间 ➢受到外界光和热的刺激时，导电能力发生显著改变 ➢在纯净半导体中掺入微量杂质，导电能力显著增加
半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。
本征半导体 —
化学成分纯净的半导体,制造半导体器件的 半导体材料的纯度要达到99.9999999%， 常称为“九个9”。 它在物理结构上呈单晶体形态。如硅、锗 单晶体。
硅（锗）的原子结构，四价元素，物质化学性质由价电子决定
Si 2 8 4
Ge 2 8 18 4
空P穴型很半容导易体俘中获空电穴子是，多使数杂载质流原子子，成主为要负由离掺子杂。形三成价 ；杂电质子因是而少数也载称流为子受，主由杂热质激。发形成。
半导体的载流子运动和温度特性
一、载流子的运动
➢ 漂移运动：两种载流子（电子和空穴）在 电场的作用下产生的运动。其运动产生的 电流方向一致。
➢ 扩散运动：由于载流子浓度的差异，而形 成浓度高的区域向浓度低的区域扩散，产 生扩散运动。
2.2 PN结
一、PN结的形成 二、PN结的单向导电性 三、PN结的击穿特性 四、 PN结的电容效应
一、 PN结的形成
在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形 成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型 半导体的结合面上形成如下物理过程:
P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷
2.1 半导体的物理特性 2.2 PN结的形成 2.3 半导体二极管 2.4 半导体三极管 2.5 场效应管
电子电路由许多半导体元器件组成（半导体二极 管、半导体三极管、场效应管等）→半导体导电过 程→半导体器件的基本组成部分PN结→半导体二极 管、半导体三极管、场效应管的结构、工作原理、 特性曲线及主要参数。