(集成电路反向设计)导出hierux库
用PowerDesigner反向工程来导处Oracle数据模型图
用PowerDesigner反向工程来导处数据模型图
以powerdesigner15 和Gracle11g为例，其它版本大同小异。
基本步骤如下：
1.新建物理模型文件
打开或新建一个PhysicalDataModel文件(.pdm)
在对话框中选择PhysicalData，取一个模型名（如ScottData），在下拉列表框中选择对应数据库的版本。
2.配置数据库连接
菜单项Database->Configure Connections
添加数据源Scott_Data
输入Data Source Name(数据源名称，随便取一个就行，比如Scott_Data) ，选择Service Name (就是你要连接的数据库的网络服务名) ，UserID填入用户名Scott，点TestConnection，在对话框中输入用户名和口令，测试连接。
3.生成数据物理模型
.Database->Update Model from Database
在对话框中选Selection选项，在下拉框中是刚才配好的数据源
点击确定->一个连接输入框，输入User Name 和Password 点击connect。
出现表格的列表，选择需要导出的表->点OK。
数据表比较多而且负责的话，就慢慢等吧。
11.使用的OptiBPM和OptiSystem的集成光学电路仿真 - 散射数据导出
第11课：使用的OptiBPM和OptiSystem的集成光学电路仿真- 散射数据导出（光学BPM）散射的数据是在OptiBPM中一个新的模拟功能。
OptiBPM中使用时更大的光子电路的一小部分被分离为使用BPM表征散射数据。
这个较小的部分具有波导进入左侧和退出的右侧。
N个输入和M 个输出被假定为具有光在一个模态的配置，虽然输入和输出波导可以倾斜。
您可以导出生成的OptiBPM OptiSystem的要供日后分析散射数据矩阵。
本课介绍如何生成和导出散射数据，并以简单的二维定向耦合器的OptiBPM和OptiSystem的仿真器之间的连接。
有两个部分：o第一部分- OptiBPM中o第二部分- OptiSystem中在您开始这一课o完成第6课：设计用VB脚本3dB耦合器。
理论背景我们将分析一个碱性光子电路中，马赫- 曾德尔干涉仪（MZI），如图1所示。
该设备实际上是由四个基本部件/设备，我们的目标是把电路进入这些原语自现有的设备，或者，换句话说，3dB耦合器。
它们可以通过的OptiBPM装置分开的模拟和后来分析由OptiSystem.The设备的整个装置可以是相当大的，因此，消耗较长的模拟时间。
任何部门到子组件减少了时间消耗厉害，因为仿真速度是成正比的分量的区域（参见技术背景有关更多信息，散射数据）。
在这一点上，我们应该强调的电路划分标准是大小写敏感的，这个决定是依赖于用户的知识和经验，但是子（即它们的边界）也常常可见自然。
另一方面，不正确的subcomponental分裂可导致错误的结果。
此外，设计人员已经明确要enitiating任何实用的设计之前，心中一给定电路的工作原理。
在这个例子中，我们将设计的MZI具有最大强度为另一波长的一个波长和最小强度（在相同的端口）。
这是MZI的主要行为，它可以被利用作为一个基本开关，因为其他输出端口明显的行为以互补的方式与第一个。
该装置的功能是众所周知的。
光线射入一个输入（我们将选择上面的输入波导，标志着'输入'）。
ASIC课程设计——MOS输出级电路设计与Hspice仿真
ASIC课程设计——MOS输出级电路设计与Hspice仿真————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：目录一．背景介绍 (1)二．设计要求与任务 (2)三．电路原理及设计方法 (2)1．电阻负载共源级放大器电路原理分析 (3)2．有源负载共源放大器设计方法 (5)四．HSpice软件环境概述 (7)1．简介 (7)2．特点 (8)3．界面预览 (8)五．设计过程 (10)六．结果和讨论 (11)七．设计心得 (12)八．库文件程序附录 (13)一．背景介绍ASIC是Application Specific Integrated Circuit的英文缩写，在集成电路界被认为是一种为专门目的而设计的集成电路。
ASIC的设计方法和手段经历了几十年的发展演变，从最初的全手工设计已经发展到现在先进的可以全自动实现的过程。
在集成电路界ASIC被认为是一种为专门目的而设计的集成电路。
是指应特定用户要求和特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路。
ASIC的特点是面向特定用户的需求，ASIC在批量生产时与通用集成电路相比具有体积更小、功耗更低、可靠性提高、性能提高、保密性增强、成本降低等优点。
ASIC分为全定制和半定制。
全定制设计需要设计者完成所有电路的设计，因此需要大量人力物力，灵活性好但开发效率低下。
如果设计较为理想，全定制能够比半定制的ASIC芯片运行速度更快。
半定制使用库里的标准逻辑单元（Standard Cell），设计时可以从标准逻辑单元库中选择SSI（门电路）、MSI（如加法器、比较器等）、数据通路（如ALU、存储器、总线等）、存储器甚至系统级模块（如乘法器、微控制器等）和IP核，这些逻辑单元已经布局完毕，而且设计得较为可靠，设计者可以较方便地完成系统设计。
现代ASIC常包含整个32-bit处理器，类似ROM、RAM、EEPROM、Flash的存储单元和其他模块. 这样的ASIC常被称为SoC（片上系统）。
图解 Altium Designer光绘文件导出主要步骤
图解Altium Designer光绘文件导出主要步骤一、GERBER概述GERBER文件是一种国际标准的光绘格式文件,它包含RS-274-D和RS-274-X两种格式,其中RS-274-D称为基本GERBER格式,并要同时附带D码文件才能完整描述一张图形;RS-274-X称为扩展GERBER格式,它本身包含有D码信息。
常用的CAD软件都能生成此二种格式文件。
用户或企业设计部门，往往出于各方面的考虑(如使用盗版软件又不想被发现、担心PCB厂家或委托方吃里扒外等…)，只愿意提供给生产制造部门电路板的Gerber 文件。
Gerber文件是所有电路设计软件都可以产生的文件，在电子组装行业又称为模版文件（stencil data）,在PCB制造业又称为光绘文件。
可以说Gerber文件是电子组装业中最通用最广泛的文件格式。
因此对于一个电子生产企业，拥有一个能够处理Gerber文件的电脑辅助制造CAM软件是非常重要的，它对安排产品生产的准备、制造及测试各工序都有辅助提高质量的作用。
二、AD制造输出GERBER功能本文以ST公司STM32某块实验板为例导出可以提供给PCB加工厂的GERBER相关文件。
目标一：钻孔信息生成设置首先在AD中打开所需PCB文件，并确定当前窗口位于PCB操作界面下：设定PCB原点“Edit”→“Origin”→“Set”此操作将手动定位PCB板起始位置，习惯上放置于板边缘处，某一方向下角，如下图所示：放置钻孔位图符号对应的孔大小的列表操作：切换到DrillDrawing 层后用放置字符串的工具放置一个String: Place→String按快捷键P+S。
一般放置于右下角处（因为在导入CAM350 里面的时候钻孔列表是从左下方起始向右上方拓展的）此时按tab 键，在出现的text 文本框中点击下拉箭头，在出现的序列中选择.Legend点击OK。
放置于右下角后PCB如下所示：目标二：导出Gerber选择File→Fabrication Outputs→Gerber Files 开始进行GERBER导出步骤：此操作用于指定输出Gerber 文件中使用的单位（Units）和格式（Format）。
Omega学习手册
Omega学习手册Omega学习手册 0前言 (9)第一章陆地观测系统定义 (10)1.0 技术讨论 (10)1.1 模块简介 (10)1.2 Database and Line Information 观测系统和测线信息 (15)1.3 Geometry Database Creation 观测系统数据库创建 (15)1.4 Primary and Secondary Data Tables (16)1.5 Pattern Specifications (16)1.6 Field Statics Corractions (16)1.7 Trace Editing 道编辑 (19)第二章静校正 (24)第一节2-D 折射静校正（EGRM） (24)1.0 技术讨论 (24)1.1 简介 (24)1.2 第一步——对拾取值进行处理 (25)1.3 第二阶段---建立折射模型 (37)1.4 第3步——计算静校正 (46)1.5 特别选件 (49)1.6 海洋资料处理要考虑的因素 (53)1.7 控制手段 (53)参考文献： (63)3.0 道头总汇： (63)第二节三维折射波静校正 (64)1.0 技术讨论 (64)2.0 二维与三维折射静校正方法 (64)1.2 折射静校正计算原理 (65)1.3 初始值的给定 (67)1.4 最小二乘法延迟时的计算 (67)1.5 iterations (75)1.6 Diving Waves (81)1.7 建立折射模型 (84)1.8 uphole options (86)1.9 water uphole corrections (87)1.10 用井口信息修正风化层速度 (88)1.11 静校正量的计算 (89)1.12 地表基准面和剩余折射静校正 (90)1.13 定义偏移距范围 (91)1.14 定义速度 (91)1.15 延迟时控制 (92)1.16 观测系统、辅助观测系统和一些道头字的输入要求 (92)1.17 输出的库文件和道头字 (96)第三节反射波剩余静校正(miser) (97)2.0 地表一致性剩余静校正 (98)3.0 非地表一致性静校正 (102)第四节反射波最大叠加能量静校正计算 (103)1.0 模块简介： (104)2.0 应用流程： (105)3.0 分子动力模拟法的理论基础： (106)4.0 模块中参数的设计 (106)5.0 应用实例及效果分析 (110)第五节波动方程基准面校正 (113)1.0 技术讨论 (113)1.1 理论基础 (115)1.2 波动方程层替换的应用 (117)1.4 模块算法 (118)1.5 应用的方法 (120)第三章地表一致性振幅补偿 (127)第一节地表一致性振幅补偿–拾取（1） (127)1.0 技术讨论 (127)1.1 概况 (127)1.2 地表一致性振幅补偿流程 (128)1.3 振幅统计 (128)1.4 预处理/道编辑 (129)1.5 自动道删除 (129)1.6 模块输出 (130)1.7 分析时窗 (130)2.0 道头字总结 (131)3.0 参数设置概要 (131)4.0 参数设置 (131)4.3 Amplitude Reject Limits (132)第二节地表一致性振幅补偿–分解（2） (133)目录 (133)一、技术讨论 (134)二、道头字总结 (148)三、参数设置概述 (148)四、参数设置(简) (148)第三节地表一致性振幅补偿–应用（3） (149)目录 (149)一、技术讨论 (150)1.1 背景 (150)1.2 SCAC处理过程的流程图 (150)1.2.1 HIDDEN SPOOLING (151)1.3 模块概论 (152)二、道头字总结 (152)三、参数设置概述 (152)五、参数设置(略) (153)5.1 General (153)5.2 SCAC Term Application (153)5.3 Printout Options (153)第四节剩余振幅分析与补偿 (153)1.0 技术讨论： (153)1.1 背景 (154)1.2 模块的输入和输出 (155)1.3 分析过程概述 (155)1.4 分析参数表 (159)1.5 设置网格范围 (164)1.6 分析用时间门参数设定 (166)1.7 时空域加权 (167)1.8 打印选项参数设置 (168)1 .9 应用过程综述 (168)1.10 应用参数设置 (171)1.11 应用时间门参数设置 (173)1.12 RAC函数的质量控制 (174)1.13 在振幅随偏移距变化（A VO）处理中的注意事项 (175)1.14 背景趋势推算 (176)2.0 道头字总结 (176)3.0 参数设置摘要 (176)4.0 设置参数 (176)4.1 Units (176)4.2 General (176)4.3 Analysis (177)Primary Auto Range： (180)Secondary Auto Range： (180)4.6 Primary Manual Range 用于划分面元的首排序范围确定（手动设置） (180)4.7 Secondary Auto Range：用于划分面元的次排序范围确定（手动设置）1804.8 Analysis Time Gates ：分析时间门参数（可选） (181)4.9 Temporal Smoothing Weights at Top of Data （可选） (181)4.10 Temporal Smoothing Weights at Bottom of Data（可选） (181)4.11 Primary Spatial Smoothing Weights（可选） (182)4.12 Secondary Spatial Smoothing Weights（可选） (182)4.13 Application (182)4.14 Application Time Gates (183)5.0 参考流程 (183)第四章 (185)第一节瞬时增益 (185)1.0 技术讨论 (185)第二节指数函数增益 (188)1.1 背景 (188)1.2 梯度平滑 (189)2.0 道头总结 (191)3.0 参数设置概要 (191)4.0 参数设置 (191)4.1 General (191)5.0 应用实例 (192)第四章反褶积 (195)第一节地震子波处理(SWP)指导 (195)辅导班Tutorial (195)辅导班1 快速漫游（Quick Tour） (195)概要 (195)快速漫游: 基本训练 (195)辅导班2 –a 为信号反褶积准备一个子波 (203)辅导班2 –b 从野外信号中消除原始的仪器响应影响 (204)辅导班２–c 建立新的仪器响应和新的整形算子 (209)辅导班２– d 将滤波器保存到带通滤波作业文件中 (211)辅导班３用尖脉冲的逆做特征信号反褶积 (213)第二节子波转换应用指导 (215)子波训练 (215)第三节地表一致性反褶积分析 (218)地表一致性谱分解 (225)地表一致性反褶积算子设计 (249)反褶积算子的应用 (255)第四节谱分析 (273)第五节地表一致性反褶积分析 (297)第六节地表一致性谱分解 (302)第八节地表一致性反褶积算子设计 (320)第九节反褶积算子的应用 (325)第六章动校正 (345)第一节视各向异性动校正 (345)第七章各种理论方法简介 (355)第一节层速度反演方法简介 (355)1.1 层速度反演的几种方法 (355)1.1.1 相干反演 (356)1.1.2 旅行时反演 (357)1.1.3 叠加速度反演 (358)2.1 二维层速度反演 (359)2.1.1 相干反演计算的偏移距范围 (359)2.1.2 单个CMP位置超道集的选择 (359)2.1.3 相干反演中的互相关 (360)2.1.4 不确定值 (360)2.1.5 速度的横向变化 (360)3.1 三维层速度反演 (361)3.1.1 方位角范围 (361)3.1.2 相干反演 (362)3.1.3 叠加速度反演 (363)3.1.4 方位角 (364)3.1.5 DMO (364)3.1.6 射线追踪 (364)第二节射线偏移方法简介 (365)1.1 射线偏移 (365)1.2 向射线偏移与成像射线偏移 (367)第三节层位正演方法简介 (368)1.1 层位正演 (368)1.2 零偏移距正演 (369)1.3 成像射线追踪－从深度域到时间偏移域的零偏移距正演 (369)1.4 CMP射线追踪 (371)1.5 CRP正演 (371)1.6 3D正演 (372)1.7 速度正演 (372)1.8 浮动基准面与静校正的处理 (372)第四节扩展STOLT--FK 偏移 (373)概述 (373)1.0 技术讨论 (373)1.1 背景 (374)1.2 扩展STOLT算法 (374)1.3 扩展STOLT偏移的推荐参数 (376)1.4 截断速度和W因子 (377)1.5 框架速度（frame velocity） (378)1.6 速度的横向变化 (378)1.7 速度输入 (378)1.8 三维偏移 (379)1.9 反偏移 (379)1.10 反偏移到零偏移距的处理 (379)1.11 充零方式镶边 (380)1.12 边界处理 (380)1.13 频率内插 (381)1.14 随机波前衰减 (381)1.15 三维偏移中少道的情形 (381)1.16 时间内插 (381)第五节DMO 准备模块 (381)概述: (382)1.0 技术讨论： (382)1.1 理论基础 (382)1.2 递进叠加文件 (382)1.3 速度监控和非矩形网格 (383)1.4 倾角加权表 (383)1.5 统计分析 (383)1.6 层位属性分析 (384)1.7 位图化（Bitmapping） (384)1.8 均衡DMO (384)1.9 限定边界DMO (385)1.10 随意边界DMO (386)1.11 3D DMO Monitor (389)DMO 倾角校正 (390)（DMO X-T STACK）（2） (390)概述: (390)1.0 技术讨论 (390)1.1 简介 (390)1.2 递进叠加 (390)1.3 倾角时差校正（Dip Moveout）-DMO (391)1.4 处理类型 (392)1.5 DMO应用模式 (392)1.6 算子设计 (393)1.7 递进叠加文件 (393)1.8 固定边界和随意边界中的分片段叠加 (393)1.9 运行时间 (394)1.10 DMO处理流程 (394)DMO 输出模块 .............................................................................................................. - 396 - （DMO X-T OUT）（3）........................................................................................................ - 396 - 第八章多波多分量................................................................................................................ - 397 - 第一节多分量相互均衡.............................................................................................. - 397 -1.0 技术讨论......................................................................................................... - 397 -1.1 引言................................................................................................................. - 397 -1.2 数据的输入/输出............................................................................................ - 397 -1.3 背景介绍......................................................................................................... - 398 -1.4 原理................................................................................................................. - 398 -1.5 道头字集......................................................................................................... - 400 -1.6 三维实例......................................................................................................... - 401 -1.7 操作指南......................................................................................................... - 404 -第二节S波两分量旋转合成....................................................................................... - 408 -1.1 引言................................................................................................................. - 408 -1.2 背景介绍......................................................................................................... - 409 -1.3 输入数据......................................................................................................... - 410 -1.4 旋转的应用..................................................................................................... - 412 -1.5 测算水平方向................................................................................................. - 416 -第三节转换波速度比（Vp/Vs）计算 ..................................................................... - 417 -1.0 技术讨论......................................................................................................... - 418 -1.1 引言................................................................................................................. - 418 -1.2 输入速度和Vp/Vs文件 ................................................................................ - 418 -1.3 输出速度和Vp/Vs文件 ................................................................................ - 420 -1.4 有效Vp/Vs比值计算 .................................................................................... - 420 -1.5 S波速度计算(Vs) .......................................................................................... - 421 -1.6 平均Vp/Vs比值计算 .................................................................................... - 424 -第四节共转换点计算(CCP_BIN) ............................................................................. - 424 -1.0 技术简介......................................................................................................... - 425 -1.1 基础原理......................................................................................................... - 425 -1.2 更新道头字..................................................................................................... - 427 -1.3 输入速度和Vp/Vs比率文件 ........................................................................ - 427 -1.4 共转换点的计算方法..................................................................................... - 428 -1.5 时窗................................................................................................................. - 430 -1.6 操作指导......................................................................................................... - 431 -1.7 有关提高运行效率的指导............................................................................. - 433 - 第九章模型建立.................................................................................................................. - 435 - 第一节地震岩性模型建立.......................................................................................... - 435 -1.0 技术讨论......................................................................................................... - 435 -SLIM处理 ............................................................................................................... - 435 -1.2 概述................................................................................................................. - 436 -1.3 SLIM模型研究 .............................................................................................. - 437 -1.4 输入层的细分................................................................................................. - 441 -第二节地震岩性模拟属性分析.............................................................................. - 442 -1. 0 技术讨论........................................................................................................ - 442 -1.1 地震模拟模型处理......................................................................................... - 442 -1.2 概要............................................................................................................... - 442 -1.3 地震记录输入................................................................................................. - 443 -1.4 合成地震记录剖面图..................................................................................... - 443 -1.5 地球物理属性................................................................................................. - 444 -1.6 测井记录数据................................................................................................. - 445 -1.7 显示................................................................................................................. - 445 -第三节地震正演模拟模型生成................................................................................ - 445 -1.0 技术讨论......................................................................................................... - 445 -1.1 地震正演模拟模型处理................................................................................. - 446 -1.2 概要................................................................................................................. - 446 -1.3 SLIM模型讨论 .............................................................................................. - 446 -1.4 输入层的细分................................................................................................. - 450 -1.5 井记录............................................................................................................. - 451 -1.6 密度是速度的函数......................................................................................... - 451 - 第四节地震岩性模型优化.......................................................................................... - 453 - 技术讨论.................................................................................................................. - 453 -1.1 地震岩性模拟过程......................................................................................... - 453 -1.2 概要................................................................................................................. - 453 -1.3 问题的公式化................................................................................................. - 453 -1.4 计算方法......................................................................................................... - 455 -1.5 影响区域......................................................................................................... - 462 - 第五节地震岩性模拟控制点定义.............................................................................. - 464 -1.0 技术讨论......................................................................................................... - 464 -1.1 概要................................................................................................................. - 464 -1.2 二维控制点组................................................................................................. - 465 -1.3 三维控制点组................................................................................................. - 467 -前言自西方地球物理公司Omega处理系统引进以来，通过我院处理人员的不断开发，目前已成为西北分院的主力处理系统。
PD反向工程导出数据库结构
PD反向工程导出数据库结构by tsonghuaPowerdesigner反向工程（Reverse Engineer）可以连接数据库，然后导出其数据库结构（表、视图等），然后加以分析、设计等。
比如，这里可以通过2种方式来反向Oracle数据库结构1 脚本1.1.用toad连接，在Schema Browser下，选中需要导出的表，右键，选Create Script，生成脚本。
如下图：1.2 打开PD，新建一个Physical Data Model然后依次Database菜单\Revserse Engineer Database。
在Database Reverse Engineering界面选择unsing script file，然后浏览上一步从Toad生成的脚本，确定即可。
1.3 同样地，可以不新建model然后再反向；而直接在打开PD后，点file\Reverse Engineer\Database，此后设置同上。
2.ODBC 数据源2.1 Reverse Engineering的时候选ODBC2.2 connect to an ODBC data source2.3 依次add\用户DSN\添加\创建新数据源（选驱动程序）2.4 选好驱动程序后就是设置oracle用户、密码2.5 确定之后，就是选择需要导出的表、视图等。
设置好后就自动导出。
2.6 可能第二种方式某些中文会产生乱码，用脚本的话，可以避免3. 效果4. 将导出的数据库结构生成word文档。
将生成的pdm文件，借助第三方软件PDMReader数据字典阅读器，实现导出word的功能。
导出效果12/31/2009 10:49:05 AM。
数字集成电路版图的反向提取
实验32 数字集成电路版图的反向提取实验32 数字集成电路版图的反向提取数字集成电路产品应用领域十分广泛，数字集成电路的设计技术日新月异。
集成电路反向设计是一种重要的集成电路设计技术，数字集成电路版图的反向提取是数字集成电路反向设计过程中的重要关键环节之一。
本实验要求学生能够独立对标准CMOS数字集成电路版图，完成电路的反向提取、绘制整理和功能分析等工作。
通过对CMOS数字集成电路版图的反向提取实践，锻炼并提高学生对集成半导体器件与数字集成电路版图的认知能力和对电路整理与结构布局的优化能力，培养学生对数字集成电路反向设计思想的理解，加强学生灵活运用所学《半导体物理》、《场效应器件物理》、《数字集成电路设计》和《集成电路制造技术》等理论知识的能力。
一、实验原理1. 标准CMOS工艺简介在现代集成电路工艺技术中，CMOS工艺技术占据重要位置，得到了广泛的应用。
P型衬底N阱CMOS工艺的主要工艺技术包括有：氧化技术、光刻技术、刻蚀技术、离子注入技术和淀积技术等。
各种工艺技术交替多次出现，达到了对半导体器件和集成电路图形的逐层加工处理。
最终形成了图形化的半导体器件和集成电路实体。
氧化技术用于生长氧化层，包括干氧、湿氧等主要方法，氧化层主要用于栅绝缘介质、杂质掩蔽和隔离保护等。
光刻技术是通过紫外光或电子束对涂有光致抗蚀剂的半导体材料进行照射，利用光致抗蚀剂在照射前后溶解性的变化，实现光刻掩膜版到半导体材料上的图形转移，为后续加工工艺开设有用窗口。
刻蚀技术是采用化学或物理的方法对一定区域的材料进行腐蚀或销蚀的技术，是实现对多余无用材质进行去除的一项技术。
离子注入是通过加速杂质离子并将杂质离子打入靶体材料的一种掺杂技术。
可以实现P型和N型杂质的掺入。
淀积技术是通过物理化学方法在基片上生长材料薄层的一种技术。
可以实现多晶硅栅等材料的生长。
2. 集成半导体器件认知标准CMOS工艺下的集成半导体器件主要有NMOS晶体管、PMOS晶体管、多晶硅电阻和多晶硅电容等。
集成电路版图设计(反向提取与正向设计)
集成电路设计综合实验报告班级：微电子学1201班姓名：学号：日期：2016年元月13日一.实验目的1、培养从版图提取电路的能力2、学习版图设计的方法和技巧3、复习和巩固基本的数字单元电路设计4、学习并掌握集成电路设计流程二.实验内容1. 反向提取给定电路模块（如下图所示），要求画出电路原理图，分析出其所完成的逻辑功能，并进行仿真验证；再画出该电路的版图，完成DRC验证。
2. 设计一个CMOS结构的二选一选择器。
（1）根据二选一选择器功能，分析其逻辑关系。
（2）根据其逻辑关系，构建CMOS结构的电路图。
（3）利用EDA工具画出其相应版图。
（4）利用几何设计规则文件进行在线DRC验证并修改版图。
三.实验原理1. 反向提取给定电路模块方法一:直接将版图整体提取（如下图）。
其缺点：过程繁杂,所提取的电路不够直观,不易很快分析出其电路原理及实现功能。
直接提取的整体电路结构图方法二：将版图作模块化提取，所提取的各个模块再生成symbol，最后将symbol按版图连接方式组合成完整电路结构（如下图）。
其优点：使电路结构更简洁直观、结构严谨、层次清晰，更易于分析其原理及所实现的功能。
CMOS反相器模块CMOS反相器的symbolCMOS传输门模块 CMOS传输门的symbolCMOS三态门模块 CMOS三态门的symbolCMOS与非门模块 CMOS与非门的symbol各模块symbol按版图连接方式组合而成的整体电路经分析可知，其为一个带使能端的D锁存器，逻辑功能如下:①当A=1，CP=0时，Q=D，Q—=D—；②当A=1，CP=1时，Q、Q—保持；③当A=0，Q=0，Q—=1。
2.CMOS结构的二选一选择器二选一选择器（mux2）的电路如图所示，它的逻辑功能是：①当sel=1时，选择输入A通过，Y=A；②当sel=0时，选择输入B通过，Y=B。
二选一选择器（mux2）由三个与非门（nand）和一个反相器（inv）构成(利用实验1 的与非门和反相器symbol即可)。
STM8CubeMX中文版用户使用手册
2 开始使用 STM8CubeMX ..................................................................................................2
1、原则 .......................................................................................................................... 2
4.1 欢迎页面 ................................................................................................................16
4.2 新工程窗口 ............................................................................................................17
4.4.1 文件菜单 .....................................................................................................20
4.4.2 工程菜单 .....................................................................................................21
4.3 主界面 ....................................................................................................................19
EDA技术的基础知识
EDA技术的基础知识目录一、EDA技术概述 (2)1. EDA技术定义与发展历程 (3)2. EDA技术应用领域及重要性 (4)二、EDA工具软件介绍 (5)1. EDA软件分类与特点 (6)2. 常用EDA软件工具及其功能介绍 (8)三、数字电路设计基础 (9)1. 数字电路概述及特点 (11)2. 数字电路基本原理与器件类型 (12)3. 数字逻辑代数及逻辑设计基础 (14)四、模拟电路设计基础 (15)1. 模拟电路概述及特点 (17)2. 模拟电路基本原理与器件参数分析 (18)3. 模拟电路设计与仿真分析 (19)五、EDA设计流程与实现方法 (20)1. 设计需求分析 (22)2. 设计原理框图与功能验证 (23)3. 逻辑设计与仿真验证 (24)4. 物理设计与布局布线优化 (26)5. 测试验证与可靠性分析 (27)六、EDA技术中的关键概念与技术点解析 (28)1. 原理图输入与混合信号仿真技术解析 (29)2. 布局布线优化算法与技巧探讨 (30)3. 自动化测试生成与验证技术介绍 (32)4. EDA设计中的知识产权保护问题探讨等）进一步深入介绍不同章节内容34七、设计流程详细解析 (36)一、EDA技术概述EDA技术，即电子设计自动化（Electronic Design Automation），是电子工程领域的一门重要技术。
它利用计算机辅助设计（CAD）软件，来完成超大规模集成电路（VLSI）芯片的功能设计、综合、验证、物理设计等一系列流程。
EDA技术能够大大提高电子设计的效率和可靠性，降低设计成本，缩短产品上市时间。
随着半导体技术的飞速发展，集成电路（IC）的设计越来越复杂，传统的硬件描述语言（如Verilog HDL和VHDL）已经无法满足设计需求。
EDA技术应运而生，成为电子设计领域的重要工具。
EDA技术涵盖了数字电路设计和模拟电路设计两个方面。
数字电路设计主要关注逻辑电路的设计和实现，包括组合逻辑电路、时序逻辑电路等。
ADI公司Ultra Librarian 导出封装使用说明
2017-10-17
官网还有这个芯片的参考代码
Ad2s1210是旋变的解码芯片
可以在Analog Devices官网上查到芯片资料和原理图符号与PCB封装BXL文件下载。
用bxl文件导出原理图符号和PCB封装（可以导出Altium designer 、candence等格式的原理图符号与对应封装库）：
1. Load Data:导入bxl文件
2.选中Altium Designer
3.Step 3：Export to selected tools，会弹出txt指示文档
把文档用谷歌翻译一下。
4.按照txt文档指示的路径找到时间最新的文件，复制到桌面或其他好找的地方：
5.file——open——选中UL_Import.PrjScr，打开
.
6.选中UL_Form.pas,右键open——run
选择日期文件.txt，打开
Start Import即可，等一会儿1~2分钟吧，会弹出done窗口
要是没有出现原理图符号对应的封装的话，选中符号应该就会出现封装
另外，打开PCB库没有出现封装的话，等一会儿，把文件关闭，重新打开就会出现了。
ModelSim的使用(包含实例)
About Using the ModelSim Software with theQuartus II SoftwareModelSim-Altera Design Flow（For Altera Version）1.Set up the ModelSim-Altera working environment2.Set up a project with the ModelSim-Altera software3.Perform a functional simulation with the ModelSim-Altera software4.Perform a timing simulation with the ModelSim-Altera software ModelSim PE/SE Design Flow（For PE/SE Version）1.Set up the ModelSim working environment2.Set up a project with the ModelSim softwarepile libraries and design files with the ModelSim software4.Perform a functional simulation with the ModelSim software5.Perform a timing simulation with the ModelSim software目录MODELSIM-ALTERA版本仿真流程 (3)1、建立M ODEL S IM-A LTERA工作环境 (3)2、用M ODEL S IM-A LTERA建立工程 (3)3、用M ODEL S IM-A LTERA执行功能仿真 (3)4、用M ODEL S IM-A LTERA执行时序仿真 (4)MODELSIM-PE/SE版本仿真流程 (6)P ERFORMING A F UNCTIONAL S IMULATION WITH THE M ODEL S IM S OFTWARE (6)P ERFORMING A T IMING S IMULATION WITH THE M ODEL S IM S OFTWARE (7)相关知识链接 (9)M ODEL S IM P RECOMPILED L IBRARIES（预编译库） (9)A LTERA F UNCTIONAL S IMULATION L IBRARIES（功能仿真库） (12)A LTERA P OST-F IT L IBRARIES（后适配库） (20)P ERFORMING P OWER A NALYSIS WITH THE Q UARTUS II S OFTWARE AND O THER EDA T OOLS (30)使用QUARTUSII自动运行MODELSIM仿真 (36)1、配置N ATIVE L INK (36)2、运行仿真 (38)3、产生T ESTBENCH (39)ModelSim-Altera版本仿真流程1、建立ModelSim-Altera工作环境1.1版本说明ModelSim-Altera（OEM）version 6.4aQuartusII version 9.0该ModelSim版本支持所有QuartusII支持的Altera器件。
集成电路反向设计流程
集成电路反向设计流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor. I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!1. 芯片解剖。
使用化学或物理方法将芯片封装打开，暴露出芯片的内部结构。
(集成电路反向设计)导出hierux库
3.正确填写Βιβλιοθήκη 话框（1）输入Hxoperator安装目录 （2）输入一个.hds的文件全路径 即输入设计库.hds的路径 （3）输入单元库的名称：（为导出的电路取名） （4）网表名称：（默认，无需填写） （5）为基本单元指定以用库：（即填入设计 库中：数字单元库名称） （6）为模拟器件指定引用库（即填入模拟单 元库名称）
（7）覆盖已存在的hierux单元 高级选项：归并模拟器件
点击确定：正确导出，输出窗口不会有报错信 息。
报错信息类型
（1）找不到指定设计库 （2）找不到指定单元库 （3）设计库中找不到网表单元实例的对应库 （4）网表文件中的单元实例与库中的单元实 例端口名称、端口属性不一致。 解决方法：按照输出窗口提示信息逐一修改设 计库或网表单元模板。
hds的路径3输入单元库的名称为导出的电路取名4网表名称默认无需填写5为基本单元指定以用库即填入设计库中数字单元库名称6为模拟器件指定引用库即填入模拟单元库名称7覆盖已存在的hierux单元高级选项归并模拟器件点击确定正确导出输出窗口不会有报错信息
一、导出hierux单元库条件
必须具备的3个条件： 1.chip analyzer已经有提取的完整网表工作区 2.Hx composer已经建立相应的设计库和单元库 3.已经安装了EDIF 200 Parser软件 （管理用户安 装），并且设置环境变量：
整理电路
打开设计库 点击导出的单元库
d1 d2 d3
差分放大器
变量名：EDIF_TOOLS 变量值：输入EDIF 200 Parser软件的安装目录，（例 如“C:\Program Files\MIL\EDIF 200 Parser v3.3）
二、导出hierux单元库步骤
Visio2003专业版导出UML到XMI工具安装
如何设置Visio 2002 专业版作为CASE工具内容摘要Visio 2002 引入了XML元数据交换(XMI) 格式用于将UML图表转换为ESRI Geodatabase。
以下步骤介绍了如何安装XMI导出器（XMI Exporter）到Visio 2002 并用它生成给ArcCatalog模式向导使用的XMI文件。
过程描述1.下载并安装Visio 2002专业版的Service Release 1。
2.下载UML到XMI导出功能的安装文件，XMIExport.exe, 将它保存到磁盘上。
3.双击XMIExport.exe文件，将它解压缩到一个文件夹下。
4.从解压文件夹中复制XMIExport.dll到C:\Program Files\MicrosoftOffice\Visio10\DLL下。
5.复制C:\arcgis\arcexe82\CaseTools\Utilities\ESRI XMI Export.vsl 到C:\Program Files\Microsoft Office\Visio10\1033\Solutions\Visio Extras注：不要按照Microsoft 文档中所要求的需要创建VisioUmlAddon.vsl 文件。
ESRI XMI Export.vsl会取代它的。
6.启动Visio 并打开*.vsd。
如果你是打开一个旧的Visio图表，会有一个图形移植的过程。
当提示出现时，请作一个*.vsd的备份。
7.定位到‘工具> 宏> 其它Visio 方案> XMI Export’ 将模型导出为XMI。
选择‘另存为’，将文件另存为一个新的名称。
随后应出现成功导出的提示。
8.复制D:\arcgis\arcexe83\CaseTools\Utilities\uml.dtd 到保存XMI的文件夹。
注：uml.dtd 文件用于定义和验证有Visio创建的XMI文件。
集成电路反向设计电路整理hxdesigner
主要的快捷键
R 旋转选中数据 H 左右翻转选中数据 V 上下翻转选中数据 Shift + i 等距离摆放 Shift 方向键 （方向键的方向对其）
跟踪
在跟踪标签页中，可以用不同的色显示某个实例： 在当前窗口中的实例显示黑色； 在当前电路图但不在当前窗口的实例示蓝色； 不在当前电路图中的实例显示红色；
设置顶层单元
如果一个单元电路中有子电路，首先设置一个顶 层单元才能创建子电路。（方法）选中要设为 顶层单元 右击 选择设为顶层单元
练习一 静电放电保护 ESD 所有器件带网表连接
主要的快捷键
R 旋转选中数据 H 左右翻转选中数据 V 上下翻转选中数据 Shift + i 等距离摆放 Shift 方向键 （方向键的方向对其）
1.在analyzer中提取网表 工作区坐标（2688，11285）（4279，16575） 命名 adc_a3_27**** 2.在hx composer中建立工作区adc_a3_27****所有数字
单元 3.导出adc_a3_27****的hierux库 （方法见 导出hierux库 ppt） 4.整理导出的单元库（也可以整理 ADC设计库中
练习3 两级差分放大器 结果
练习四 模拟工作区 A2 电路整理 此题 不检查是练手用
库ADC—A2中ADC—A2—TOP为未整理的电 路
复制ADC—A2—TOP命名为ADC—A2— 27****
整理电路
练习四 整理后参考 库 ADC—A2中ADC—A2—SCH
练习5 小数字部分网表提取与电路真理
ctrl+r
刷新当前设计
ctrl+tab 切换至下一窗口
shift+tab 切换至上一窗口
Hierux工具中项目的数据结构、基本操作和数据更新方法
Hierux工具中项目的数据结构、基本操作和数据更新方法Hierux工具中项目的数据结构、基本操作和数据更新方法1.1 数据结构1.1.1 层次Hierux：设计数据库（单元库（单元（视图）））Virtuoso：project（library（cell（cellview）））1.1.2 库定义文件Hierux：*.hdsVirtuoso：cds.lib1.1.3 其中一级电路单元分为两个部分：宏单元电路、子电路。
宏单元电路是电路的真实“样貌”，对应virtuoso中的schematic。
最后导出的电路信息与宏单元相关，宏单元电路是“所见即所得”。
子电路是Hierux用来记录反向提取出来的原始数据的，与导出的数据没有直接关联。
因此只对子电路做整理无法直接起到“整理”的目的。
1.2 基本操作1.2.1 提前使用HxComposer创建好设计数据库，并规划好需要用到引用库。
模拟器件库：包含mos，res，cap等等使用到的基本器件。
（命名一般以_DEV结尾或者PDK作为区分）单元引用库：包含INV,NAND,NOR等等使用到的基本单元。
（命名一般以_Lib结尾作为区分）1.2.2 ChipLogic导出数据到Hierux在Analyzer打开需要导出数据的工作区，选择文件→导出→Hierux单元库。
由于这个模块比较简单没有基本，但指定了单元库，所以有一个错误提示，可以忽略。
1.2.3 先缩放单元的布局，避免器件、引线等重叠。
从Analyzer看数据是这样的↓从HxDesigner打开是这样的，显得很紧凑↓在HxDesigner中选择修改→缩放单元布局，勾选“避免单元实例重叠”后确定。
（由于这个模块很小缩放倍率默认就可以，如果是比较大的模块就需要相应的调整缩放倍率，否则会很耗时）缩放完成是这样↓1.2.4 局部电路的定位现在Analyzer框选需要的部分实例，然后按下Ctrl+J。
再到HxDesigner中打开对应的模块按下Shift+J即可定位到对应的实例。
cadence芯片版图设计工具-virtuso
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1. 在chip analyzer（网表提取器）中打开设 计库，在设计库中打开要导出hierux单元库 的工作区。 2.点击文件菜单——选择→导出→ hierux单元 库（出现对话框）
3.正确填写对话框
（1）输入Hxoperator安装目录 （2）输入一个.hds的文件全路径 即输入设计库.hds的路径 （3）输入单元库的名称：（为导出的电路取名） （4）网表名称：（默认，无需填写） （5）为基本单元指定以用库：（即填入设计 库中：数字单元库名称） （6）为模拟器件指定引用库（即填入模拟单 元库名称）
整理电路
打开设计库 点击导出的单元库
d1 d2 d3
差分放大器
（7）覆盖已存在的hierux单元 高级选项：归并模拟器件
点击确定：正确导出，输出窗口不会有报错信 息。
报错信息类型
（1）找不到指定设计库 （2）找不到指定单元库 （3）设计库中找不到网表单元实例的对应库 （4）网表文件中的单元实例与库中的单元实 例端口名称、端口属性不一致。 解决方法：按照输出窗口提示信息逐一修改设 计库或网表单元模板。
一、导出hierux单元库条件
必须具备的3个条件： 1.chip analyzer已经有提取的完整网表工作区 2.Hx composer已经建立相应的设计库和单元库 3.已经安装了EDIF 200 Parser软件 （管理用户安 装），并且设置环境变量：
变量名：EDIF_TOOLS 变量值：输入EDIF 200 Parser软件的安装目录，（例 如“C:\Program Files\MIL\EDIF 200 Parser v3.3）