(完整版)电子技术基础期末复习资料(含答案解析),推荐文档
中职《 电子技术基础 》期末试卷(含参考答案)
2015 学年第 1 学期《电子技术基础》期末试卷（A卷，四大题型34小题）考试形式：闭卷一、填空题（10小题，20空格，每空格1分，共20分。
）1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。
2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR 越大，抑制零漂的能力越强。
3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。
4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。
5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。
6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。
7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。
8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。
9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。
10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK快速晶闸管；200表示表示200A，9表示900V。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR _，属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR _。
2.单相调压电路带电阻负载，其导通控制角的移相范围为_0-180O_，随的增大，Uo_降低_，功率因数_降低__。
3.单相交流调压电路带阻感负载，当控制角＜(=arctan(L/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间__逐渐延长_。
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《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。
《电子技术基础》复习要点
《电子技术基础》复习要点课程名称：《电子技术基础》适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社复习要点第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
❑导电能力介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
201X年《电子技术基础》复习资料(题目)
一、填空题1、多极放大电路常用的耦合方式有三种： 耦合、 耦合和 耦合。
2、半导体中中存在两种载流子： 和 。
纯净的半导体称为 ，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为 。
杂质半导体分为两种： 半导体——多数载流子是电子；P 型半导体——多数载流子是 。
当把P 型半导体和N 型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个 ，这是制造半导体器件的基础。
3、在本征半导体中加入5价元素可形成 半导体，加入3价元素可形成 半导体。
4、对一个放大电路进行静态分析，首先应作该放大电路的 通路，而作，动态分析时，应作该放大电路的 通路。
若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容易引起输出信号失真。
非线性失真分为 失真和 失真。
5、一只三极管的β＝50，当A I B μ10=时，集电极电流是 mA 。
6、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数 ；负反馈使放大倍数 ；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是 ，交流负反馈能够 改善放大电路的 。
7、电压负反馈使输出 保持稳定，因而 了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而 了输出电阻。
串联负反馈 了放大电路的输入电阻；并联负反馈则 了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态： 式、 式、 式和 式。
8、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的 成分，同时，尽量保留其中的 成分。
滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。
电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于 电流。
在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低 成分。
9、直流稳压电源一般由变压器电路、 及 和稳压电路四部分组成。
10、在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av= Av1是 放大器，Av2是 放大器，Av3是放大器。
11、集成运算放大器在状态和条件下，得出两个重要结论他们是：和( )12、基本门电路有门、门和门。
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第一章数字电路基础第一部分基础知识一、选择题1．以下代码中为无权码的为。
A. 8421BCD码B. 5421BCD码C. 余三码D. 格雷码2．以下代码中为恒权码的为。
A.8421BCD码B. 5421BCD码C. 余三码D. 格雷码3．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。
A. １B. ２C. ４D. 164．十进制数25用8421BCD码表示为。
A.10 101B.0010 0101C.100101D.101015．在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。
A.（256）B.（127）C.（FF）D.（255）1016 10 106．与十进制数（53.5）等值的数或代码为。
10 A.(0101 0011.0101) B.(35.8) C.(110101.1) D.(65.4)8 8421BCD1627．矩形脉冲信号的参数有。
A.周期B.占空比C.脉宽D.扫描期：数为)等值的7.与八进制数(438．8 B.(27.6) C.(27.011)3 ) D. (100111.11).A. (1001112162169. 常用的BCD码有。
码三 D.余421码格 B.雷码 C.8偶A.奇校验码10．与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。
A.容易设计B.通用性强C.保密性好D.抗干扰能力强二、判断题（正确打√，错误的打×）1. 方波的占空比为0.5。
（）2. 8421码1001比0001大。
（）3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。
（）4．格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。
（）5．八进制数（18）比十进制数（18）小。
（）108）（。
1为应值上位验校的码验校奇1248在，时5数制进十送传当．6．7．在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号，语音信号不是数字信号。
（）8．占空比的公式为：q = t / T，则周期T越大占空比q越小。
（）w9．十进制数（9）比十六进制数（9）小。
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精品文档《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为 08001）共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。
一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。
A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是（）。
A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中（）。
A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。
精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
电子技术基础期末复习题
2014级电气自动化技术专业《电子技术基础》复习资料一、填空题。
1、二极管工作在正常状态时，若给其施加正向电压时，二极管导通, 若施加反向电压时，则二极管截至，这说明二极管具有单向导电性。
2、晶体管从内部结构可分为NPN 型和PNP型。
3、NPN型硅晶体管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为C＞VB＞VE，基极和发射极电位之差约等于0.7。
V4、在晶体管放大电路中，测得IC=3mA，IE=3.03mA，则IB=0.03，= 100 。
5、按晶体管在电路中不同的连接方式，可组成共基、共集和共射三种基本放大电路；其中共集电路输出电阻低，带负载能力强；共射电路兼有电压放大和电流放大作用。
6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。
若用作开关则应工作在饱和和截至状态，并且是一个无触点的控制开关。
7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。
8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。
9、n个输出端的二进制编码器共有2n个输入端，对于每一组输入代码，有1个输入端具有有效电平。
10、画晶体管的微变等效电路时，其B、E两端可用一个线性电阻等效代替，其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。
11、1位加法器分为半加器和全加器两种。
12、多级放大器的级间耦合方式有3种，分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。
13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。
14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。
15、反馈量与放大器的输入量极性相反，因而使净输入量减小的反馈，称为负反馈。
为了判别反馈极性，一般采用瞬时极性法。
16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V。
17、施加深度负反馈可使运放进入线性区，使运放开环或加正反馈可使运放进入非线性区。
18、逻辑功能为“全1出0，见0出1”的逻辑门电路时与非门。
19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码，则要采用4位二进制代码。
电子技术基础期末复习资料(含答案)
11级电子技术基础期末复习资料一．概念填空：1．电路由电源负载中间环节三部分组成。
2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。
3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。
4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。
5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。
6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。
7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。
8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。
9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。
11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。
12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管的阴（或负）极。
13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
40. N型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
14．若三极管工作在放大区，其发射结必须正偏、集电结必须反偏；三极管最重要的特性是具有电流放大作用。
15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电感电流i l (0+)= i l (0-) 。
16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___截止状态_____。
38．3个输入的译码器，最多可译出__8____(2×2×2)____ 路的输出。
17.4个输入的译码器，最多可译出__16___（2×2×2×2）______ 路的输出。
18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合______逻辑电路和时序________逻辑电路两大类。
电子技术基础试题库及参考答案
电子技术基础试题库及参考答案试卷一一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共13小题，总计34分)1、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为 ( )。
(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门2、(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大，反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍(d) 正、反向电阻都等于无穷大3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。
(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈(b) RF1和RF2引入的均为负反馈(c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈4、(本小题2分)振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在（）。
(a) O 点(b) A 点(c) B 点(d) C 点5、(本小题2分)电容三点式振荡电路如图所示，其振荡频率为（）。
(a)fL C C C Co ≈+121212π()(b) fLC CC Co≈+121212π()(c) fLC CC Co≈+11212()6、(本小题2分)整流电路如图所示，直流电压表V（内阻设为无穷大）的读数均为90 V，二极管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中（）。
7、(本小题2分)若晶闸管的控制电流由小变大，则正向转折电压（）。
(a) 由大变小 (b) 由小变大(c) 保持不变8、(本小题2分)某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号（D7 ~ D0），输出为 0~ 的模拟电压。
若数字信号的最低位是“1”其余各位是“0”，则输出的模拟电压为( )。
(a) (b) (c)9、(本小题3分)电路如图所示，已知U CC＝12V，RC＝3k，β＝40且忽略U BE,若要使静态时U C E＝9V，则R B应取（）。
电子技术复习题及电子技术基础及参考答案(自考)
13电子技术复习题一、选择题1、半导体中的空穴和自由电子数相等，这样的半导体称为（ C ）A. P型半导体；B. N型半导体；C. 本征半导体。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、P型半导体中的多数载流子是（ B ）。
A.电子B.空穴C.电子和空穴4、N型半导体中的多数载流子是（ A ）。
A. 电子B.空穴C.电子和空穴5. 整流电路加滤波电路的主要作用是（ B ）A. 提高输出电压；B. 减少输出电压的脉动程度；C. 降低输出电压；D. 限制输出电流。
6. 三端稳压电源输出负电压并可调的是（ B ）A. CW79XX系列；B. CW337系列；C. CW317系列D. CW78XX系列7、基本放大电路中，经过晶体管的信号电流有（C ）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
8、基本放大电路中的主要放大对象是（B ）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
9、分压式偏置的NPN型晶体管共发射极放大电路中，U B 点电位过高，晶体管易出现（ A ）。
A、饱和状态B、截止状态C、放大状态10、晶体管放大电路中，基极电流i B 的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B ）。
A、截止区；B、饱和区；C、死区。
11. NPN型晶体放大电路中，晶体管各级电位最高的是：（C）A. 基极；B. 发射极；C. 集电极12、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A ）A、带负载能力强；B、带负载能力差；C、减轻前级或信号源负荷。
13、在三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（ C ）对应。
A、集电极电流B、发射极电流C、基极电流14、为了增大放大电路的动态范围，其静态工作点应选择（ D ）。
A、截止点;B、饱和点;C、交流负载线的中点；D、直流负载线的中点。
15. 在晶体管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体管（ B ）A. 电压U CE增大；B. 电压U CE减小；C. 基极电流减小。
(完整版)电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
(完整版)电子技术基础复习题及答案
电子技术基础一、选择题：1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( )(A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( )(A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( )(A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( )(A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( )(A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围(C) 提高共模抑制比6．若A+B=A+C，则（）(A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C7．同步计数器中的同步是指（）（A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变；（C）各触发器受同一时钟脉冲的控制8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（）（A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）（A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）（A）增加（B）减少（C）不变11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）A、输入电阻高B、输出电阻低C 、共模抑制比大D 、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( )13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)213．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2D 、(000100110001)214．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（ ） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（ ）A 、B A B A +++ B 、B A B A +++C 、B A B A +D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（ ） A. n nQ T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T17．多谐振荡器有（ ）A 、两个稳定状态B 、一个稳定状态，一个暂稳态C 、两个暂稳态D 、记忆二进制数的功能18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度______空穴浓度 （ ）A 、等于、大于、小于B 、小于、等于、大于C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）A、稳压二极管与负载电阻串联B、稳压二极管与负载电阻并联。
电子技术基础试题库及参考答案
电子技术基础试题库及参考答案试卷一一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共13小题，总计34分)1、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为 ( )。
(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门A2、(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大，反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍(d) 正、反向电阻都等于无穷大3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。
(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈(b) RF1和RF2引入的均为负反馈(c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈R-∞＋R4、(本小题2分)振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在（）。
(a) O 点(b) A 点(c) B 点(d) C 点U omfm5、(本小题2分)电容三点式振荡电路如图所示，其振荡频率为（ ）。
(a)f L C C C C o ≈+121212π() (b) f L C C C C o ≈+121212π()(c) f L C C C C o ≈+11212()+U CC6、(本小题2分)整流电路如图所示， 直流电压表V （内阻设为无穷大） 的读数均为90 V ，二极管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中（ ）。
～～D ()a7、(本小题2分)若晶闸管的控制电流由小变大， 则正向转折电压 （ ）。
(a) 由大变小 (b) 由小变大 (c) 保持不变 8、(本小题2分)某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号（D7 ~ D0），输出为 0~25.5V 的模拟电压。
若数字信号的最低位是“1” 其余各位是“0”， 则输出的模拟电压为( )。
《电子技术基础》复习资料
《电子技术基础》复习资料一：选择题1：以下哪个是半导体________。
A：铜B：铁C：铝D：硅2：在下面由理想二极管组成的电路中，两个电路的输出电压分别是________。
(如图P31) A．Vr1=0, Vr2=0B．Vr1=0, Vr2=6vC．Vr1=6v, Vr2=0D．Vr1=6v, Vr2=6v3：某二极管的击穿电压为300V，当直接对220V正弦交流电进行半波整流时，该二极管________。
A：会击穿B：不会击穿C：不一定击穿D：完全截止4：放大器电压放大倍数A V= -40,其中负号代表________。
A．放大倍数小于0 B：衰减C：同相放大D：反相放大5：若某电路的电压增益为-20Db,该电路是_______。
A．同相放大器 B. 衰减器C．跟随器 D. 反相放大器6：NPN三极管工作在放大状态时，其两个结的偏压为________。
A：V BE>0 V BE>V CE B：V BE<0 V BE<V CEC：V BE>0 V BE<V CE D：V BE<0 V CE.>07：要使输出电压稳定又具有较高输入电阻，放大器应引入_______负反馈。
A：电压并联B：电流串联C：电压串联D：电流并联8：直流负反馈对电路的作用是_______。
A：稳定直流信号，不能稳定静态工作点B：稳定直流信号，也能稳交流信号C：稳定直流信号，也能稳定静态工作点D：不能稳定直流信号，但能稳定交流信号9：交流负反馈对电路的作用是________。
A：稳定交流信号，改善电路性能B：稳定交流信号，也稳定直流偏置C：稳定交流信号，但不能改善电路性能D：不能稳定交流信号，但不能改善电路性能10：OCL电路中，为保证功放管的安全工作，P CM应大于________A：P OM B：0.2 P OM C：0.1 P OM D：2 P OM11：OTL功放电路中，输出端中点静态电位为________。
《电子技术基础》期末试题(附答案)
《电子技术基础》期末试题（附答案）一、填空题（每空1分，共100分）1、将交流电变成直流电的过程叫整流。
2、整流器一般由整流变压器、整流电路、滤波电路。
3、常用的单相整流有单相半波整流、单相桥式整流等几种。
4、整流电路按被整流的交流电相数，可分为单相整流与三相整流两种，按整流后输出的电压电流的波形，又可分为半波整流与全波整流两种。
5、在变压器二次侧电压相同的情况下，全波整流的输出电压比半波整流高1倍，而且脉动小。
6、在三相整流电路中，在某时刻，只有正极电位最高和负极电位最低的二极管才能导通。
7、三相桥式整流电路适宜工作在高电压、脉动小场合。
8、所谓滤波，就是保留脉动脉动中的直流成分，尽可能滤除其中的交流成分，把脉动直流变成平滑直流的过程。
9、常用的滤波电路有电容滤波、电感滤波、复式滤波等几种，滤波电路一般接在整流电路的后面。
10、滤波电路中，滤波电容和负载并联，滤波电感和负载串联。
11、电容滤波是利用电路中电容充电速度快，放电速度慢的特点，使脉动直流电压变的平滑，从而实现滤波的。
12、负载电阻的阻值越大，电容C的容量越大，电容滤波的效果越好。
13、电容滤波适用于小负载，电感滤波适用于大负载场合。
14、选用整流二极管时，主要考虑最高反向电压、最大电流。
15、整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。
16、所谓稳压电路，就是当电网电压波动或负载发生变化，能使输出电压稳定的电路。
17、硅稳压管在电路中，它的正极必须接电源的负极，它的负极接电源的正极。
18、电压调整件和负载串联的稳压电路叫串联型稳压电路。
19、串联型稳压电路包括基准电压、取样电压、比较放大电路和调整器件等几部分。
20、常用的稳压电路有三种类型：即串联稳压电路、并联稳压电路、和开关型稳压电路21、硅晶体闸流管简称，俗称。
22、晶闸管有三个电极：、和。
23、晶闸管有个ＰＮ结，单结管有ＰＮ结。
24、电阻性负载单相半波角可控整流电路的最大控制角为，最大导通角为，最大移相范围是。
电子技术基础(含答案)
83.已知图所示电路中晶体管的＝100，rbe=1kΩ。
（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；
（2）若测得 和 的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？
84.放大电路如图所示，已知图中Rb1＝10kΩ， Rb2＝2．5kΩ，Rc＝2kΩ，Re＝750Ω，RL＝1．5kΩ，Rs＝10kΩ，Vcc＝15V，β＝150。设Cl，C2，C3都可视为交流短路，试用小信号分析法计算电路的电压增益AV，源电压放大倍数AVS，输入电阻Ri，输出电阻Ro。
21.如果三极管的发射结反偏，则三极管处于的状态是（ ）
A.放大B.饱和C.截止D.倒置
22.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真。
A.饱和B.截止C.交越D.频率
23.射极输出器的主要特点是（ ）
A.电压放大倍数无穷大，输出电阻高，输入电阻低
B.电压放大倍数接近1，输出电阻低，输入电阻高
A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零
16.以下电路中，可用作电压跟随器的是（ ）。
A．差分放大电路B．共基放大电路C．共射放大电路D．共集放大电路
17.共模抑制比KCMRR是（ ）。
A. 差模输入信号与共模输入信号之比
B. 输入量中差模成份与共模成份之比
C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比
C.除放大电路以外还有信号通道 D.输出与输入信号成非线性的关系
40.对于放大电路，所谓开环是指（ ）。
A．无信号源 B．无反馈通路 C．无电源 D．无负载
41.整流的目的是（ ）。
A.将交流变为直流 B.将高频变为低频 C.将正弦波变为方波D.将直流变为交流
(完整版)电子技术基础(含答案)
《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。
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发
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5 求下列电路中各点的电位。
(a)答案：（b）答案：
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（a）答案：
图下中，各方框泛指元件。
已知=2A, I= -1A,V a= -10V，V=8V
答案：
t
e
t
uc32
6
6
)(-
-
=
τ=3/2S
6．1．求题图2.1所示各电路的等效电阻R ab,
R1=R2=1 Ω，R3=R4=2Ω，R5=4Ω，G1=G2=1
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已知逻辑符号如图2所示，请写出与它们对应
图2
答案略
图4
7. 用卡诺图化简下列各式：
8．写出图5所示各逻辑电图5
9．组合逻辑电路如图6所示，请写出它的逻辑功能表达式。
B,(4)F(A,B,(3)F(A,CD B (2)A CD B (1)A
11．试用数据选择器74LS151实现逻辑函数Y=AB+BC+AC 答案：由于函数Y 中含有变量A 、B 、函数Y 的最小项表达式为
ABC
C AB C B A BC A )B AC(B )A BC(A )C AB(C AC
BC AB Y +++=+++++=++=我去人也就有人！为UR扼腕入站内信不存在向你偶同意调剖沙。