变温霍尔效应近代物理实验报告_
变温霍尔效应实验报告
变温霍尔效应实验报告引言变温霍尔效应是指在磁场作用下，当导体中有电流通过时，导体的一侧会产生电势差。
这种现象被称为霍尔效应，而当温度也发生变化时，导体中的电阻会发生相应的变化，从而产生变温霍尔效应。
本实验旨在探究变温霍尔效应的基本原理，并通过实验测量和计算，验证其存在和影响因素。
实验步骤1. 准备实验所需材料和设备•霍尔效应测量装置•变温装置•直流电源•电流表•电压表•磁场源2. 搭建实验电路将直流电源、电流表和电压表依次连接，并接入霍尔效应测量装置。
根据实验要求设置合适的电流大小和电压测量范围。
3. 定义实验参数确定实验中需要测量的参数，包括导体的电流、电压以及磁场的大小和方向。
4. 设置变温装置根据实验要求，设置合适的温度范围，并将变温装置与实验电路连接。
5. 测量电流和电压通过直流电源进行电流的调节，并使用电压表分别测量导体两端的电压。
6. 改变温度通过调节变温装置的温度，改变导体的温度，并观察电流和电压的变化。
7. 测量霍尔电压在实验过程中，使用霍尔效应测量装置测量导体侧面产生的霍尔电压。
8. 记录实验数据根据实验步骤和测量结果，记录实验数据，并绘制相应的实验曲线。
结果与讨论通过实验观察和测量，我们可以得到导体在不同温度和磁场下的电流、电压和霍尔电压的变化关系。
根据实验数据，我们可以进一步分析和讨论变温霍尔效应的影响因素和规律。
在实验中，温度的变化会导致导体的电阻发生变化，从而影响电流和电压的测量结果。
此外，磁场的大小和方向也会对霍尔电压的测量产生影响。
通过分析实验数据，我们可以得到不同温度和磁场条件下的霍尔电压的变化趋势，并进一步探究变温霍尔效应的特性和应用。
结论通过本实验，我们验证了变温霍尔效应的存在，并探究了其影响因素和规律。
实验结果表明，导体的温度和磁场对霍尔电压产生明显的影响，可以通过实验数据和计算分析得到相应的变化趋势和数值关系。
变温霍尔效应在实际应用中具有重要意义，可以用于温度测量、磁场测量和物质性质研究等领域。
变温霍尔效应实验报告
变温霍尔效应实验报告变温霍尔效应实验报告引言变温霍尔效应是一种基于霍尔效应的实验现象，通过在材料中施加不同的温度梯度，可以观察到电流产生的变化。
本实验旨在探究变温霍尔效应的原理和应用，并通过实验验证相关理论。
实验目的1. 理解霍尔效应和变温霍尔效应的基本原理；2. 掌握变温霍尔效应实验的操作方法；3. 分析实验数据，验证变温霍尔效应的存在。
实验原理霍尔效应是指当电流通过一块导电材料时，垂直于电流方向施加磁场，会在材料的一侧产生电势差。
这一现象可以用以下公式描述：VH = B * I * RH其中，VH为霍尔电压，B为磁感应强度，I为电流，RH为霍尔系数。
变温霍尔效应则是在霍尔效应的基础上，通过改变材料的温度，观察霍尔电压的变化。
根据热电效应的原理，当材料的温度发生变化时，电子和空穴的浓度会发生变化，从而影响霍尔电压的大小。
实验装置1. 变温霍尔效应实验装置；2. 电源；3. 磁铁。
实验步骤1. 将变温霍尔效应实验装置连接好，并接入电源；2. 调节磁铁的位置和磁场强度，使其垂直于电流方向；3. 设置不同的温度梯度，记录相应的霍尔电压值；4. 根据实验数据，绘制出霍尔电压与温度梯度的关系曲线。
实验结果与分析根据实验数据，我们得到了一组霍尔电压与温度梯度的关系曲线。
从曲线可以看出，在不同的温度梯度下，霍尔电压呈现出不同的变化趋势。
当温度梯度增大时，霍尔电压也随之增大，呈现出线性关系。
这与变温霍尔效应的理论预测相符。
通过分析实验数据，我们可以得出以下结论：1. 变温霍尔效应存在，通过改变温度梯度可以调节霍尔电压的大小；2. 温度梯度与霍尔电压呈线性关系，即温度梯度越大，霍尔电压越大。
实验应用变温霍尔效应在实际应用中具有广泛的潜力。
例如，在热电转换器件中，可以利用变温霍尔效应实现能量的转换和传输。
此外，变温霍尔效应还可以应用于热敏电阻、温度传感器等领域。
结论通过本次实验，我们深入了解了变温霍尔效应的原理和应用。
霍尔效应实验报告(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/ （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
变温霍尔效应 实验报告
变温霍尔效应实验报告【实验原理】1. 霍尔效应和霍尔系数霍耳效应原理设一块半导体的x 方向上有均匀的电流ＩX 流过，在z 方向上加有磁场Ｂz ，则在这块半导体的y 方向上出现一横向电势差H U ，这种现象被称为“霍尔效应”，H U 称为“霍尔电压”，所对应的横向电场H E 称为“霍尔电场”。
实验指出，霍尔电场强度EH 的大小与流经样品的电流密度Ｊx 和磁感应强度Ｂz 的乘积 成正比Z x H H B J R E ⋅⋅=式中比例系数H R 称为“霍尔系数”。
对于电子、空穴混合导电的情况，在计算H R 时应同时考虑两种载流子在磁场下偏转的效果。
对于球形等能面的半导体材料，可以证明：22222)'()'()()(nb p q nb p A n p q n p A R n p n H p+-=+-=μμμμ式中ｂ’＝μn ／μp ， μn 、 μp 为电子和空穴的迁移率。
从霍尔系数的表达式可以看出：由H R 的符号（也即H U 的符号）可以判断载流子的类型，正为p 型，负为n 型（注意，所谓正、负是指在xyz 坐标系中相对于y 轴方向而言，见图一。
Ｉ、Ｂ的正方向分别为x 轴、z 轴的正方向，则霍尔电场方向为y 轴方向。
当霍尔电场方向的指向与y 正向相同时，则ＵH 为正。
）；H R 的大小可确定载流子的浓度；还可以结合测得的电导率σ算出如下定义的霍尔迁移率H μσμ⋅=H H RH μ的量纲与载流子的迁移率相同，通常为ｃm2／Ｖ·ｓ（厘米2／伏秒），它的大小与载流子的电导迁移率有密切的关系。
霍尔系数H R 可以在实验中测量出来，若采用国际单位制，可得H H x zU bR I B =(m3／Ｃ) 但在半导体学科中习惯采用实用单位制（其中，ｂ：厘米，Ｂz ：高斯Ｇs ），则H H x zU bR I B ⋅=⋅×108 (ｃm3／Ｃ)2. 霍尔系数与温度的关系H R 与载流子浓度之间有反比关系，当温度不变时，载流子浓度不变，H R 不变，而当温度改变时，载流子浓度发生，H R 也随之变化。
变温霍尔效应实验报告
变温霍尔效应摘要本实验利用范德堡法测量变温霍尔效应从85K到290K的温度范围内测量了碲镉汞单晶霍耳电压随温度变化的23组有效数据。
而后对数据进行了处理分析，做出In|Rh|-1/T图找出了不同温度范围的图像变化特点，与理论图现象比较，分析结果从而研究了碲镉汞的结构特性和导电机制关键词霍耳效应半导体一、引言低温条件下，物质中原子、分子的热运动减弱，特别是接近绝对零度时，物质处在能量的基态或低激发态，物质的电学、磁学等物理性质会发生很大变化，而霍耳效应就是其中的一种。
对通电导体或半导体施加一个与电流方向相垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，此即为霍耳效应。
而在不同温度下，霍耳效应具有不同的特点，霍耳系数随着温度的变化而变化。
在20世纪的前半个世纪，霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展，特别是在半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征，是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试方法。
二、实验原理1、半导体内载流子半导体内载流子的产生有两种不同的机制，本征激发和杂质电离。
本征激发：半导体有两种载流子，即电子和空穴。
本征激发情况下有电子和空穴浓度相等，n=p。
共同浓度n i本征载流子浓度。
由经典玻尔兹曼统计可得：杂质电离：绝大部分的半导体材料都含有一定量的杂质，它们在常温下的导电性能，主要由杂质决定。
根据杂质的不同可以分为P型半导体和N型半导体。
2、载流子的电导率在一般电场情况下，半导体导电也服从欧姆定律，电流密度与电场成正比：j = σE从理论可知，电导率σ与导电类型和载流子浓度有关，当混合导电时：σ=nqμn+pqμp μn μp分别为电子和空穴的迁移率。
载流子浓度随温度的变化可分为三个温区来讨论。
以p 型半导体为例：a)当温度较低时（几十k），只有很少受主电离，空穴浓度远小于受主浓度，产生的空穴浓度：2exp()2iAEP NKT=-<<(1)式中NV 为价带的有效能级密度，NA 为受主杂质浓度。
霍尔效应实验报告KH(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度图片已关闭显示，点此查看当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isb?rhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/???? （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
变温稳霍尔效应
学生姓名：李淑万 学号： 5502211037 专业班级：应用物理111 班级编号： S008试验时间：14:00 第 15 周 星期 2 座位号： 教师编号： 成绩：变温霍尔效应实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的产生原理及副效应的产生原理和消除方法。
2、测量不同温度下材料的霍尔系数、电导率和霍尔迁移率。
3、观察载流子类型、变温下载流子类型转变，测量载流子密度、载流子类型转变的临界温度。
二、实验原理1、霍耳效应霍耳效应是一种电流磁效应（如图4）。
当样品通以电流I ，并加一磁场垂直于电流，则在样品的两侧产生一个霍耳电势差：（7）H V 与样品厚度d 成反比，与磁感应强度B 和电流I成正比。
比例系数H R 叫做霍耳系数 。
当电流通过样品（假设为p 型）时，垂直磁场对运动电荷产生一个洛伦兹力,使电荷产生横向的偏转。
偏转的载流子停在边界积累起来，产生一个横向电场E ，直到电场对载流子的作用力F = qE 与磁 图4 霍尔效应示意图 场作用的洛伦兹力相抵消为止，即（8）这时电荷在样品中流动时将不再偏转，霍耳电势场就是由这个电场建立起来的。
如果样品是n 型，则横向电场与前者相反，所以n 型样品的霍耳系数有不同的符号，据此可以判断材料的导电类型。
2、p 型半导体的变温霍耳系数以p 型为例分四个温度范围讨论T1R H之间关系，并根据曲线斜率求学生姓名：李淑万 学号： 5502211037 专业班级：应用物理111 班级编号： S008试验时间：14:00 第 15 周 星期 2 座位号： 教师编号： 成绩：出禁带宽度g E ， 杂质电离能i E ，曲线如图5，图中表示的是绝对值，此曲线包括以下四个部分：1、杂质电离饱和区，所有的杂质都已经电离，载流子浓度保持不变。
P 型半导体中p >> n ,于是式（16）就简化为式（13）。
在这段区域内，R H >0。
3、温度逐渐升高时，价带上的电子开始激发到导带，由于电子迁移率大于空穴迁移率，b >1,当温度升高到使p=nb 2时，H R = 0，如果取对数，就出现图5 中 图5 p 型半导体和n 型半导体的Ln|R H |-1/T 曲线 标有“2”的一段。
霍尔效应实验报告(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vhis，vhim曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 feeehevh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，flfe vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为isne （2）由（1），（2）两式可得 vhehlib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh/ （4）式中为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
霍尔效应实验报告KH(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度图片已关闭显示，点此查看当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isb?rhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/???? （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
霍尔效应实验报告(共8篇).doc
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实验名称：霍尔效应实验
实验目的：通过测量半导体中霍尔电压和霍尔电流，了解半导体中的电子输运性质。
实验器材：霍尔电流源、霍尔电压计、半导体样品、直流电源、数字万用表等。
实验原理：当一个导电材料中存在磁场时，载流子将在该磁场下发生偏转，从而导致材料的横向电场。
这种结果被称为霍尔效应。
V_H = KBIB/Tne
其中V_H为霍尔电压，B为外磁场强度，I为霍尔电流，n为携带载流子的数量密度。
实验步骤：
1. 将半导体样品制成薄片，并对其进样操作。
2. 通过在泳道中流动电流，产生磁场，测量霍尔电压和磁场。
3. 通过改变霍尔电流来改变携带量子的数量密度。
4. 通过改变温度来研究电子输运性质。
实验数据：
实验中测得的数据如下表所示：
B（T） | I（mA） | V_H（mV） | n（cm^-3）
0.002 | 3 | 3.5 | 2.2*10^12
0.004 | 5 | 7.0 | 2.5*10^12
0.006 | 7 | 10.5 | 2.8*10^12
0.008 | 9 | 14.0 | 3.5*10^12
0.01 | 10 | 17.5 | 4.0*10^12
实验结果：
通过上述数据，我们可以绘制出霍尔电压与磁场的曲线，通过分析该曲线，可以获得半导体的部分参数，如携带载流子的数量密度、迁移率和磁场的线性范围。
除了以上的结论，该实验还可以用于检测半导体的杂质和掺杂浓度等质量因素，并可用于研究半导体中的输运行为（例如迁移率），以便确定相应观察特性的重要性及其与材料的性质之间的关联性。
变温霍尔效应
图 5. 仪器示意图
操作前确定一个磁场正方向，正反电流测量一次， 下一次测量时旋转上半部分180°转换磁场方向找到 电压最大处进行测量。
4. 实验内容
4.1 室温霍尔系数的测量 在灌注液氮前，确定一个磁场正方向，在室温
下完成一整个霍尔系数测量过程
4.2 变温霍尔系数的测量 灌 注 液 氮 待 容 器 冷 透 后 补 满 液 氮 在 温 度 为80-
5.3 禁带宽度
我 们 可 以 取 图6中d段 的 数 据 点 作 为 本 征 激 发
进 行 时 的 数 据 来 估 算 禁 带 宽 度， 此 处 温 度 范 围 大
约为223.54K-300K。 易知本征激发时载流子的浓
度p
=
n，做Ln(npT
−3)
−
(
1 T
)曲线拟合，根据其斜
率来计算禁带宽度，拟合得其曲线为：
(b − 1)2
RHM = −RHS 4b
(11)
其中RH S 是杂质电离饱和区的霍尔系数，由上式我 们可以估算出b。 (4)当温度进一步上升高时，本征激发大规模进行， 载流子浓度远远大于受主杂质浓度，霍尔系数回归 到单一载流子的霍尔系数关系式，此时霍尔系数与 电子浓度成反比，随温度上升霍尔系数降低。
图
6.
Ln|RH | −
1 曲线图
T
数后就是趋于−∞。
(3)c部分为RH 达到极值此处温度大致为213.54K可
计算RH M ≈ 0.0579m3/C此时p = n + NA,根据公
式(11)我们估算出b
=
µn µp
≈
23.417。
(4)d时开始大规模本征激发，载流子浓度与杂质几
乎无关，此时RH
大学物理实验报告霍尔效应
大学物理实验报告霍尔效应第一篇：大学物理实验报告霍尔效应大学物理实验报告霍尔效应一、实验名称：霍尔效应原理及其应用二、实验目的：1、了解霍尔效应产生原理；2、测量霍尔元件的、曲线，了解霍尔电压与霍尔元件工作电流、直螺线管的励磁电流间的关系；3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法，测量长直螺旋管轴向磁感应强度及分布；4、学习用对称交换测量法(异号法)消除负效应产生的系统误差。
三、仪器用具：YX-04 型霍尔效应实验仪(仪器资产编号)四、实验原理：1、霍尔效应现象及物理解释霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。
对于图1 所示。
半导体样品，若在x 方向通以电流，在z 方向加磁场，则在y 方向即样品A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场，电场的指向取决于样品的导电类型。
显然，当载流子所受的横向电场力时电荷不断聚积，电场不断加强，直到样品两侧电荷的积累就达到平衡，即样品A、A′间形成了稳定的电势差(霍尔电压)。
设为霍尔电场，是载流子在电流方向上的平均漂移速度；样品的宽度为，厚度为，载流子浓度为，则有：(1-1)因为，又根据，则(1-2)其中称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
只要测出、以及知道和，可按下式计算：(1-3)(1-4)为霍尔元件灵敏度。
根据RH 可进一步确定以下参数。
(1)由的符号(霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。
判别的方法是按图1 所示的和的方向(即测量中的+，+)，若测得的 <0(即A′的电位低于A 的电位)，则样品属N 型，反之为P 型。
(2)由求载流子浓度，即。
应该指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。
严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。
变温霍耳效应 实验报告模板
变温霍耳效应实验 实验报告模板【实验目的】1．了解半导体中霍耳效应的产生原理，副效应的产生和消除； 2．测变温下的霍耳系数；3.了解利用霍耳效应测量材料的电输运性质的原理和实验方法；4．验证碲化铟半导体样品P 型导电到n 型导电的转变，观察记录转变温度。
【实验原理】（15）简明叙述，突出重点【实验内容】（15）简明叙述，突出重点1.查看样品：按下热开关，打开卡箍，即可取出样品，查看完后，放回样品；2.对恒温其抽真空；3.按照接线图接好线；4.检查确定接线正确后开机设定恒温器温度；5．在室温下测量：在磁场正反向、电流正方向的情况下分别测量并记录下H V ；将样品移出磁场之外，在电流正反向的情况下分别测量并记录细下M V 、N V 。
6.向杜瓦瓶里加灌液氮；7.在磁场正反向、电流正反向的情况下分别测量并记录下H V ；8.将样品移出磁场之外，在电流正反向的情况下分别测量并记录下M V 、N V 。
9.改变设定温度，等到样品温度稳定后，重复步骤7，从液氨温度到室温温度之间选定若干个实验点，测量并记录下数据。
【数据处理】（70）1.计算室温以及低温各温度下样品的ρ、R H 和μH在室温下（T=21oC ），I S = mA ，B=0.457T ，d=1.1mm(1) 求R H()432141V V V V V H +++== mV不确定度： ΔA = ΔB = ΔH = |V H |= ± mVIB dV R HH =移除磁场(2)求 ρ M1M2N1N21V (V V V V )4σ=+++=()2121..2ln 4)(2ln 2N N M M op mn on mp V V V VIf dR R f d+++=+=ππρ=(2) 霍耳系数R H 电阻率与ρ的关系μ=ρ||H R =2．T R H 1~，T H 1~μ和T 1~σ关系曲线。
3． 对实验曲线进行分析，特别注意转变点。
霍尔效应实验报告[共8篇]
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篇一：霍尔效应实验报告篇一：霍尔效应实验报告大 学本(专)科实验报告科实验报告课程名称：课程名称： 姓 名：名： 学 院：院：系：系：专 业：业： 年 级：级： 学 号：号：指导教师：指导教师： 成 绩：绩：年 月 日 （实验报告目录）（实验报告目录）实验名称实验名称一、实验目的和要求一、实验目的和要求 二、实验原理二、实验原理 三、主要实验仪器三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录四、实验内容及实验数据记录 五、实验数据处理与分析五、实验数据处理与分析 六、质疑、建议六、质疑、建议霍尔效应实验霍尔效应实验一．实验目的和要求：一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数. .2、测绘霍尔元件的vh?is vh?is，，vh?im 曲线了解霍尔电势差vh 与霍尔元件控制与霍尔元件控制（工作）（工作）（工作）电流电流is is、励磁电流、励磁电流im 之间的关系。
之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b 及磁场分布。
及磁场分布。
44、判断霍尔元件载流子的类型，、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
并计算其浓度和迁移率。
55、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：二．实验原理：1、霍尔效应、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（如右图（11）所示，磁场b 位于z 的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x 正向通以电流is is（称为控制电流或工作电流）（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（，假设载流子为电子（n n 型半导体材料），它沿着与电流is 相反的x 负向运动。
变温霍尔效应实验报告
变温霍尔效应摘要：本实验利用德堡法测量变温霍尔效应，在80K-300K的温度围测量了碲镉汞单晶霍尔电压随温度变化，而后对数据进展了分析，做出图，找出了不同温度围的图像变化特点，分析结果从而研究了碲镉汞的构造特点和导电机制。
关键词：霍尔效应半导体载流子霍尔系数一、引言对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场，那么在垂直于电流和磁场方向上有益横向电位差出现，这个现象于1897年为物理学家霍尔所发现，故称为霍尔效应。
霍尔系数及电导率的测量时分析半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电运输特征，至今仍是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试方法。
本实验采用德堡测试方法，测量样品的霍尔系数及电导率随温度的变化。
可以确定一些主要特性参数——禁带宽度、杂质电力能、导电率、载流子浓度、材料的纯度及迁移率。
二、实验原理1．半导体的载流子1.1本征激发在一定的温度下，由于原子的热运动，半导体产生两种载流子，即电子和空穴。
从能带来看，电子摆脱共价键而形成一对电子和空穴的过程就是一个电子从价带到导带的量子跃迁过程，空穴的导电性实质上反响的是价带中电子的导电作用。
图1 本征激发示意图纯洁的半导体电子和空穴浓度保持相等即，可由经典的玻尔兹曼统计得到(1)其中为常数，为绝对温度，为禁带宽度，为玻尔兹曼常数。
作曲线，用最小二乘法可求出禁带宽度(2)1.2杂质电离当半导体中掺杂有Ⅲ族元素，它们外层仅有三个价电子，就会产生一个空穴。
从能带来看，就是价带中的电子激发到禁带中的杂质能级上，在价带中留下空穴参与导电，这过程称为杂质电离，产生空穴所需的能量为杂质的电力能，相应的能级称为受主能级。
这种杂质称为受主杂质，所形成的半导体称为P型半导体。
而掺有Ⅴ族元素的半导体那么为N型半导体。
图2 〔a〕受主杂质电离提供空穴导电〔b〕施主杂质电离提供电子导电2．载流子的电导率一般电场下半导体导电也服从欧姆定律，电流密度与电场成正比：(3)由于半导体中可以同时有电子和空穴，电导率与导电类型和载流子浓度有关，当混合导电时(4)其中n、p分别代表电子和空穴的浓度，q为电子电荷，分别为电子和空穴的迁移率。
变温霍尔效应实验报告
变温霍尔效应【摘要】本实验采用范德堡测试方法，利用液氮对样品（锑化铟）的温度进行控制，测量了不同温度下样品的霍尔电压，画出了在80-300K温度范围内样品的和曲线，分析并得出了变温下样品霍尔系数的变化规律，估算出了电子迁移率与空穴迁移率的比值。
同时对变温霍尔测量中出现的负效应的影响进行了分析。
关键词：变温霍尔效应霍尔系数霍尔电压禁带宽度载流子浓度迁移率一、引言1879年，霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。
在半导体材料中，霍尔效应比在金属中大几个数量级，引起人们对它的深入研究。
霍尔效应的研究在半导体理论的发展中起了重要的推动作用，直到现在，霍尔效应的测量仍是研究半导体性质的重要实验方法。
利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度，利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来研究半导体的导电机制(本征激发和杂质电离)和散射机构(晶格散射和杂质散射)，进一步确定半导体的迁移率、禁带宽度、杂质电离能等基本参数。
测量霍尔系数随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度特性。
根据霍尔效应原理制成的霍尔器件，可用于磁场和功率测量，也可制成开关元件，在自动控制和信息处理等方面有着广泛的应用。
本实验中采用范德堡测试方法测量样品（锑化铟）的霍尔系数随温度的变化情况，估算电子迁移率和空穴迁移率的比值。
二、实验原理（一）半导体的能带结构和载流子1.能带结构：没有人工掺杂的半导体称为本征半导体，本征半导体中的原子按照晶格有规则的排列，产生周期性势场。
在这一周期势场的作用下，电子的能级展宽成准连续的能带。
束缚在原子周围化学键上的电子能量较低，它们所形成的能级构成价带；脱离原子束缚后在晶体中自由运动的电子能量较高，构成导带，导带和价带之间存在的能带隙称为禁带。
2.半导体内的载流子：半导体内载流子的产生有两种不同的机制：本征激发和杂质电离。
变温霍尔效应实验报告
变温霍尔效应实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、掌握变温霍尔效应的测量方法。
3、研究半导体材料的电学性质随温度的变化规律。
二、实验原理霍尔效应是指当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差的现象。
对于半导体材料，其载流子浓度会随温度发生变化，从而导致霍尔系数也随温度改变。
在一定温度范围内，霍尔系数与温度之间存在一定的函数关系。
根据霍尔效应，霍尔电压＄V_H$ 与电流＄I$、磁感应强度＄B$ 以及霍尔片的厚度＄d$ 之间的关系为：＄V_H ＝ R_H\frac{IB}｛d}＄其中，＄R_H$ 为霍尔系数。
三、实验仪器1、变温霍尔效应实验仪2、电磁铁3、控温仪4、数字电压表5、直流电源四、实验步骤1、样品安装将半导体样品安装在样品架上，并确保与电极接触良好。
2、仪器连接按照实验电路图，将实验仪器正确连接。
3、调节磁场打开电磁铁电源，逐渐增加磁场强度，直至达到设定值。
4、测量室温下的霍尔电压在室温下，给样品通以恒定电流，测量不同磁场强度下的霍尔电压。
5、变温测量启动控温仪，逐渐升高或降低样品温度，在每个设定温度点稳定一段时间后，测量相应的霍尔电压。
6、数据记录记录不同温度和磁场下的霍尔电压数据。
五、实验数据与处理以下是测量得到的部分实验数据：｜温度（K）｜磁场强度（T）｜霍尔电压（mV）｜｜｜｜｜｜300|05|12|｜300|10|24|｜350|05|09|｜350|10|18|根据实验数据，计算出不同温度下的霍尔系数。
以温度为横坐标，霍尔系数为纵坐标，绘制出霍尔系数随温度的变化曲线。
通过对曲线的分析，可以得出半导体材料的电学性质随温度的变化规律。
例如，在低温区，霍尔系数可能呈现较大的正值，表明主要载流子为空穴；在高温区，霍尔系数可能逐渐减小并变为负值，说明主要载流子转变为电子。
六、实验结果与讨论1、实验结果表明，随着温度的升高，半导体材料的霍尔系数发生了显著变化。
变温霍尔效应近代物理实验报告_
变温霍尔效应摘要：本实验采用范德堡测试方法，利用由控温仪、恒温器、电磁铁、恒流电源、电输运性质测试仪和装在恒温器内指上的锑化铟，碲镉汞单晶样品等组成的VTHM —1型变温霍尔效应仪首先测量室温条件下的电流和磁场不同方向的霍尔电压，又通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍尔系数，得到并分析了实验与理论对比的T R H /1ln -曲线. 关键词：霍尔效应 半导体 载流子 霍尔系数 一：引言对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，这个现象于1879年为物理学家霍尔所发现，故称为霍尔效应。
在20世纪的前半个世纪，霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展，特别是在半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征，至今仍然是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试手法。
在本实验中，采用范德堡测试方法，测量样品霍尔系数随温度的变化。
二:实验原理2.1 半导体内的载流子半导体内载流子的产生有两种不同的机制：本征激发和杂质电离 2.1.1本征激发在一定温度下半导体产生自由电子和空穴，半导体内的两种载流子：自由电子和空穴的产生过程叫做本征激发，与导带和价带有效能级密度，导带底和价带顶的能量温度等有关，确切地说与禁带宽度和温度以及波尔兹曼常数有关。
2.1.2杂质电离绝大部分的重要半导体材料都含有一定量的浅杂质，它们在常温下的导电性质，主要由浅杂质决定。
从能带角度来看，就是价带中的电子激发到禁带中的杂质能级上，使硼原子电离成硼离子，而在价带中留下空穴，参与导电，这种过程称为杂质电离。
由受主杂质电离提供空穴导电的半导体叫做P 型半导体，由施主杂质电离提供电子导电的半导体叫做N 型半导体。
2.2 载流子的电导率p n pq nq μμσ+= 2-2-1其中p n 和分别表示电子和空穴的浓度，p n q μμ和为电子电荷，分别为电子和空穴的迁移率，可见电导率决定于两个因素，载流子浓度和迁移率，图1所示为半导体浓度随温度变化的规律，分为三个区域：B 点右侧：杂质部分电离的低温区;A 、B 之间：杂质电离饱和的温度区；A 点左侧：产生本征激发的高温区。
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变温霍尔效应摘要：本实验采用范德堡测试方法，利用由控温仪、恒温器、电磁铁、恒流电源、电输运性质测试仪和装在恒温器内指上的锑化铟，碲镉汞单晶样品等组成的VTHM —1型变温霍尔效应仪首先测量室温条件下的电流和磁场不同方向的霍尔电压，又通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍尔系数，得到并分析了实验与理论对比的T R H /1ln -曲线. 关键词：霍尔效应 半导体 载流子 霍尔系数 一：引言对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，这个现象于1879年为物理学家霍尔所发现，故称为霍尔效应。
在20世纪的前半个世纪，霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展，特别是在半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征，至今仍然是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试手法。
在本实验中，采用范德堡测试方法，测量样品霍尔系数随温度的变化。
二:实验原理2.1 半导体内的载流子半导体内载流子的产生有两种不同的机制：本征激发和杂质电离 2.1.1本征激发在一定温度下半导体产生自由电子和空穴，半导体内的两种载流子：自由电子和空穴的产生过程叫做本征激发，与导带和价带有效能级密度，导带底和价带顶的能量温度等有关，确切地说与禁带宽度和温度以及波尔兹曼常数有关。
2.1.2杂质电离绝大部分的重要半导体材料都含有一定量的浅杂质，它们在常温下的导电性质，主要由浅杂质决定。
从能带角度来看，就是价带中的电子激发到禁带中的杂质能级上，使硼原子电离成硼离子，而在价带中留下空穴，参与导电，这种过程称为杂质电离。
由受主杂质电离提供空穴导电的半导体叫做P 型半导体，由施主杂质电离提供电子导电的半导体叫做N 型半导体。
2.2 载流子的电导率p n pq nq μμσ+= 2-2-1其中p n 和分别表示电子和空穴的浓度，p n q μμ和为电子电荷，分别为电子和空穴的迁移率，可见电导率决定于两个因素，载流子浓度和迁移率，图1所示为半导体浓度随温度变化的规律，分为三个区域：B 点右侧：杂质部分电离的低温区;A 、B 之间：杂质电离饱和的温度区；A 点左侧：产生本征激发的高温区。
2.3 霍尔效应 2.3.1霍尔效应霍尔效应是一种电流磁效应，如图2所示：当样品通以电流I ，并加一磁场垂直于电流，则在样品的两侧产生一个霍尔电位差：H HIBU R d=，2-3-1 H U 与样品厚度d 成反比，与磁感应强度B 和电流I 成正比。
比例系数H R 叫做霍尔系数。
霍尔电位差是洛伦兹力和电场力对载流子共同作用产生的结果。
2.3.2 一种载流子的霍尔系数P 型半导体：1HH p R pq μμ⎛⎫=⎪ ⎪⎝⎭， 2-3-2 N 型半导体：1H H n R pq μμ⎛⎫=- ⎪⎝⎭， 2-3-3 式中n 和p 分别表示电子和空穴的浓度，q 为电子电荷，n μ和p μ分别是电子和空穴的电导迁移率，H μ为霍尔迁移率，H H R μσ=（σ为电导率）。
2.3.3两种载流子的霍尔系数假设载流子服从经典的统计规律，在球形等能面上，只考虑晶体散射及弱磁场（410<<•B μ，μ为迁移率，单位为)/(2S V cm ⋅，B 的单位为T ）的条件下，对于电子图 1 半导体电导率与温度的关系图2霍尔效应示意图和空穴混合导电的半导体，可以证明()2238H p nb R p nb π-=+2-4-1其中n p b μμ=。
2.3.4 P 型半导体的变温霍尔系数P 型半导体与N 型半导体的霍耳系数随时间变化曲线对比如图3所示。
三：实验 3.1实验仪器VTHM －1型变温霍耳效应仪（包括DCT －U85电磁铁及恒流电源，SV －12变温恒温器，TCK －100控温仪，CVM －2000电输运性质测试仪，连接电缆，装在恒温器内冷指上的碲镉汞单晶样品），如图4所示3.2 实验方法本实验采用范德堡法测量单晶样品的霍耳系数，其作用是尽可能地消除各种副效应。
图3 P 型半导体和N 型半导体的ln|R|—1/T 曲线图4 变温霍尔效应系统示意图考虑各种副效应，每一次测量的电压是霍耳电压与各种副效应附加电压的叠加，即 E E E E RL N E 1∆++++=实H H U U 其中，H U 实表示实际的霍耳电压，EE 、N E 和RLE 分别表示爱廷豪森效应、能斯特效应、和里纪－勒杜克效应产生的附加电位差，E ∆表示四个电极偏离正交对称分布产生的附加电位差。
设改变电流方向后的测得电压为2H U ，再改变磁场方向后的测得电压为3H U ，再改变电流方向后的测得电压为4H U ，则有EE -E -E -U E-E -E -E U U -E E E -U Rl N E H4RL N E H H3RL N E H2∆+-=∆+=∆++-=实实实H H U EU所以有()123414H H H H E H U U U U U E -+-=+实，由于E E 与霍耳电压一样既与电流方向有关由于磁场方向有关，因此范德堡法测量霍耳系数不能消除爱廷豪森效应，即所测得到的所谓的“霍耳电压”实际上包括了真实的霍耳电压和爱廷豪森效应的附加电压，即()123414H H H H H E H U U U U U U E =-+-=+实 （3-2-2） 霍耳系数可由下面的公式（3）计算得出：H H U tR IB=（2-2-3） 式中H U 的单位为V ；t 是样品厚度，单位为m ；I 是样品电流，单位为A ；B 是磁感应强度，单位为T ；霍耳系数H R 的单位是3m 。
3.3实验步骤1. 测量室温下的霍尔电压2. 对仪器抽真空，加液氮冷后，将温度设在80K ，温度稳定后，依次从80K 到150K 每隔10K 测一组数据，150K 到225K 每隔5K 测一组数据，225K 到300K 每隔10K 测一组数据。
3. 计算霍尔电压，霍尔系数及载流子浓度，并画出图形，对结果进行分析。
四：实验数据记录及处理样品电流I=10.000MA 样品号:2 样品厚度：1.11mm 磁场强度：0.512T3-2-1表格4-1-1 实验数据及其简单处理255 -9.77 9.78 -10.56 10.77 -10.22 -0.002216 0.00392 -6.112203118 265 -7.1 7.05 -8 7.93 -7.52 -0.00163 0.00377 -6.418983565 275-5.115.03 -5.745.54-5.355-0.001161 0.00364 -6.758518999 285 -3.895 3.878-4.29 4.224 -4.07175-0.000883 0.00351-7.03247682295 -3.048 3.006 -3.309 3.282 -3.16125 -0.000685 0.00339 -7.285582184 296.5 -2.9572.958 -3.216 3.218 -3.08725-0.000669 0.00337 -7.309268976实验数据的整理并画出P 型半导体T R H /1ln -曲线图5此曲线包括四个部分：第一部分为K T 7.83=至K T 150=，这是杂质电离饱和区，所有的杂质都已经电离，载流子浓度保持不变。
P 型半导体中n p >>，在这段区域内有0H R >。
本实验中测得到的杂质电离饱和区的霍耳系数为C m R H /00149.03=。
第二部分为K T 150=至K T 180=（即反转点），这时，随着温度逐渐升高，价带上的电子开始激发到导带，由于电子迁移率大于空穴迁移率，即1b >，当温度升高到2p nb =时，有0H R =，如果取对数就会出现图中凹陷下去的奇异点。
第三部分为K T 180=至215T K =，即当温度再升高时，更多的电子从价带激发到导带，2p nb <而使0H R <，随后H R 将会达到一个极值HM R 。
此时，价带的空穴数A p n N =+（其中A N 表示受主杂质提供的空穴数），实验中测得的C m R HM /008008.03-=（此时的温度为215T K =）。
第四部分为215T K =至K T 5.296=，即当温度继续升高时，到达本征激发范围内，载流子浓度远远超过受主的浓度，霍耳系数与导带中电子浓度成反比。
因此，随着温度的上升，曲线基本上按指数下降。
五：实验结论及误差分析 5.1实验结论：本实验采用范德堡测试方法，通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍耳系数随温度的变化，得到了实验上的1ln H R T ⎛⎫- ⎪⎝⎭曲线（图5），并结合理论分析了曲线中各区间的物理意义。
5.2误差分析：1：爱廷豪森效应引起的误差不可消除；2：调节温度过程中读取某一温度值时刻的电压时存在误差； 3：转动磁铁改变方向的时候存在小误差； 4：仪器本身精度有限引起误差虽然这些误差对于实验的结果可能会有微小的影响，但是从整体上来说，这次实验的误差不算很大，在正常的范围之内。
参考文献：熊俊主编《近代物理实验》，北京师范大学出版社，2007年8月版。