半导体制程工艺萧宏 ch13

半导体制造工艺流程简介word精品文档38页

半导体制造工艺NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——铝下CVD——QC检查（tox、R□）——前处理——HCl氧化——前处理——氢气处理——三次光刻——QC检查——追扩散——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——QC检查（ts）——五次光刻——QC检查——大片测试——中测——中测检查（——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查）——综合检查——入中间库。

GR平面品种（小功率三极管）工艺流程为：编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区干氧氧化——QC检查（tox）——一GR光刻（不腐蚀）——GR硼注入——湿法去胶——前处理——GR基区扩散——QC检查（Xj、R□）——硼注入——前处理——基区扩散与氧化——QC检查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——发射区干氧氧化——QC检查（tox）——磷注入——前处理——发射区氧化和再扩散——前处理——POCl3预淀积（R□）——后处理——前处理——铝下CVD——QC检查（tox）——前处理——氮气退火——三次光刻——QC检查——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——正向测试——五次光刻——QC检查——大片测试——中测编批——中测——中测检查——入中间库。

半导体工艺知识点总结

半导体工艺知识点总结半导体工艺这事儿啊，就像一场超级精细的魔术表演。

咱先说说半导体材料这一块吧。

硅，那可是半导体世界里的大明星，就像一场演唱会里的主唱一样重要。

它的特性特别适合用来做半导体器件。

不过你可别以为硅就是唯一的主角啦，还有像锗啊之类的材料也在这个大舞台上有自己的戏份呢。

这半导体材料啊，就像是盖房子的砖头，没有好砖头，房子肯定盖不结实，同理，没有合适的半导体材料，后面那些神奇的半导体器件就无从谈起啦。

光刻技术呢，这可是半导体工艺里的一把神奇画笔。

光刻就像是在微观世界里搞艺术创作。

光刻机能把设计好的电路图案精确地印到硅片上，这个精度啊，那是超级高的。

你要是把硅片想象成一块超级小的画布，光刻技术就是那个能在上面画出超级精细图案的神来之笔。

这就好比刺绣，普通的刺绣可能针法粗糙一点没关系，可这半导体光刻啊，就像是苏绣里最精细的那种，一针一线都不能差，稍微有点偏差，整个电路可能就废了。

蚀刻工艺也很关键呢。

蚀刻就像是一个超级精准的雕刻师，把不需要的部分一点一点地去除掉，只留下我们想要的电路结构。

这就像做木雕一样，木雕师傅拿着刻刀，一点点地把多余的木头削掉，最后呈现出精美的木雕作品。

半导体蚀刻也是这个道理，只不过它是在微观层面上进行的，那难度可比木雕大多了。

再说说掺杂工艺吧。

掺杂就像是给半导体材料注入灵魂。

往纯净的半导体材料里加入一些杂质原子，就好像给一杯白开水加点糖或者盐一样，一下子就改变了它的性质。

这一改变可不得了，能让半导体具备我们想要的电学特性，像是导电性之类的。

这就好比一个人原本很内向，突然给他注入了一些开朗的元素，整个人的性格就变得不一样了，在半导体这里，就是电学性能发生了变化。

封装工艺呢，这就是给做好的半导体芯片穿上保护的外衣。

芯片就像一个娇弱的小宝宝，需要好好保护起来。

封装就像是给小宝宝做一个坚固又舒适的小房子。

这个小房子不仅要保护芯片不受外界环境的影响，像温度、湿度之类的，还要能方便芯片和外界进行连接，就像房子要有门和窗户一样，芯片封装也要有引脚之类的东西来实现电气连接。

半导体制程工艺设备流程

半导体制程工艺设备流程
半导体制程就像做小饼干一样。

做小饼干得先有材料呀，半导体制程一开始也是要准备好硅片，硅片就像是做小饼干的面粉团。

接着呢，要把硅片洗得干干净净的。

就像咱们洗手一样，把脏东西都去掉，这样做出来的半导体才好呢。

比如说，硅片上可能有一些灰尘或者小颗粒，要是不洗干净，就像小饼干里混进了沙子，那可不好啦。

然后要在硅片上进行光刻啦。

这光刻就像是给小饼干印图案。

光刻机能把设计好的图案印在硅片上，就像小印章在小饼干上印出漂亮的小花纹一样。

再之后就是蚀刻啦。

蚀刻就像是把小饼干上多余的部分去掉。

按照光刻出来的图案，把不需要的地方去掉，这样就慢慢做出半导体需要的形状了。

做完这些，还要进行掺杂呢。

这就好比给小饼干加一些特别的调料，像巧克力豆或者水果干。

掺杂就是往硅片里加入一些特殊的东西，让硅片有不同的电学性质。

最后就是封装啦。

这就像把做好的小饼干装进漂亮的盒子里。

封装就是把做好的半导体保护起来，这样它就可以用到我们的手机、电脑这些东西里面啦。

半导体制造工艺流程简介 (2)

半导体NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻—□□—QC检查——单结测试——磷注入——前处理——发射区氧化——前处理——发射区再扩散——前处理——POCl3预淀积（R□）——后处理——前处理——HCl退火、N2退火——三次光刻——QC检查——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮氢合金——氮气烘焙——正向测试（ts）——外协作（ts）——前处理——五次光刻——QC检查——大片测试——测试ts——中测编批——中测——中测检查——入中间库。

变容管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查——N+光刻——QC检查——前处理——干氧氧化——QC检查——P+注入——前处理——N+扩散——P+光刻——QC检查——硼注入1——前处理——CVD（LTO）——QC检查——硼注入2——前处理——LPCVD ——QC检查——前处理——P+扩散——特性光刻——电容测试——是否再加扩——电容测试——......（直到达到电容测试要求）——三次光刻——QC检查——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——铝反刻——QC检查——前处理——氢气合金——氮气烘焙——大片测试——中测——电容测试——粘片——减薄——QC检查——前处理——背面蒸发——综合检查——入中间库。

半导体制程工艺发展史

半导体制程工艺发展史嘿，朋友们！今天咱们来唠唠半导体制程工艺那超级有趣的发展史。

这就像是一场科技界的超级变变变魔术秀。

很久很久以前啊，半导体的制程工艺就像个蹒跚学步的小娃娃。

那时候的制程，简单又粗糙，就像用石头和树枝搭建小房子一样，晶体管大得像巨人的脚趾头。

早期的半导体制造就像在黑暗中摸索的探险家，到处乱撞，不过这也是一切伟大开始的模样嘛。

然后呢，制程工艺就像个努力减肥的人，开始慢慢变瘦变小。

晶体管的尺寸不断缩小，就像从大象变成了小老鼠。

这个过程就像是一场微观世界的缩骨功表演，那些技术人员就像是微观世界的魔法师，指挥着原子和分子乖乖听话。

到了后来，制程工艺进入了一个狂飙突进的时代。

这就像是赛车在高速赛道上飞奔，一刻也不停歇。

光刻技术闪亮登场，它就像一把超级精准的雕刻刀，在硅片这个大蛋糕上精心雕琢。

这时候的晶体管变得更小了，小到你感觉它们就像一群小精灵，在硅片的小天地里欢快地跳舞。

再往后啊，制程工艺的发展像是一场军备竞赛。

各个科技公司就像争强好胜的武林高手，都想把自己的制程工艺修炼到极致。

每一次制程的提升就像是学会了一招新的绝世武功，都想在半导体这个江湖里称霸一方。

随着时间的推移，半导体制程工艺越来越像一个神秘的黑科技乐园。

3D NAND闪存技术的出现，就像是在硅片上盖起了高楼大厦，原本平平无奇的硅片瞬间变成了繁华的微观都市。

这简直是把微观世界变成了一个充满奇迹的梦幻王国。

现在啊，半导体制程工艺已经像是一艘冲向宇宙深处的超级飞船。

量子技术也开始渗透进来，这就像是给飞船加上了超级燃料。

它朝着更小、更高效、更强大的方向一路狂奔，谁也不知道它最终会发展成什么样子，也许会像科幻电影里那样，创造出拥有自我意识的超级芯片呢。

总之，半导体制程工艺的发展史就像是一部充满惊喜和奇迹的长篇小说，每一页都写满了人类智慧的光辉。

从最初的粗陋到现在的高精尖，就像一只毛毛虫变成了绚丽的蝴蝶。

而我们就像坐在观众席上的吃瓜群众，眼睁睁地看着这场精彩的科技大秀不断上演新的节目。

半导体制造实用工艺流程简介

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半导体制造工艺流程课件

04
半导体制造的后处理
金属化
01
02
03
金属化
在半导体制造的后处理中，金属化是一个关键步骤，用于在芯片上形成导电电路。
金属材料
通常使用铜、铝、金等金属作为导电材料，通过物理或化学沉积方法将金属薄膜沉积在芯片表面。
连接电路
金属化过程将芯片上的不同元件连接成完整的电路，实现电子信号的传输和处理。
高纯度材料
半导体制造需要使用高纯度材料，以确保芯片的性能和可靠性。然而，高纯度材料的制备和加工难度较大，需要克服许多技术难题。
制程控制
半导体制造过程中，制程控制是至关重要的。制程控制涉及温度、压力、流量、电流、电压等众多参数，需要精确控制这些参数以确保芯片的性能和可靠性。
环境影响
能源消耗
半导体制造是一个高能耗的过程，需要大量的电力和能源。随着半导体产业的发展，能源消耗也在不断增加，对环境造成了很大的压力。
废弃物处理
半导体制造过程中会产生大量的废弃物，如化学废液、废气等。这些废弃物如果处理不当，会对环境造成很大的污染和危害。
碳排放
半导体制造过程中的碳排放也是一个重要的问题。减少碳排放是半导体产业可持续发展的关键之一。
未来发展趋势
先进封装技术
随着摩尔定律的逐渐失效，先进封装技术成为半导体制造的重要发展方向。通过将多个芯片集成在一个封装内，可以实现更小、更快、更低功耗的芯片系统。
沉积薄膜质量
影响沉积薄膜质量的因素包括反应温度、气体流量、压强等，需通过实验优化获得最佳工艺参数。
外延生长
外延生长目的
在半导体材料表面外延生长一层单晶层，用于扩展器件尺寸、改善材料性能和提高集成度。

第三代半导体器件制造工艺流程

第三代半导体器件制造工艺流程下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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半导体制造工艺流程

艺性能
01
02
• 集成多种制程技术：提高生
• 改进工艺参数：提高工艺性
产效率、降低生产成本
能、降低生产成本
• 优化工艺流程：简化工艺步
• 优化设备配置：提高设备利
骤、提高工艺稳定性
用率、降低设备维护成本
绿色制造与可持续发展
绿色制造：降低生产过程中的能耗、污染等
• 采用环保材料：降低生产过程中的环境污染
• 陶瓷：具有良好的热性能、抗冲击性能等优点
• 金属：具有良好的导热性能、电磁屏蔽性能等优点
测试工艺：测试方法与设备
测试方法：功能测试、参数测试、可靠性测试等
• 功能测试：检查器件是否正常工作
• 参数测试：测试器件的各项性能指标
• 可靠性测试：测试器件的寿命、稳定性等
测试设备：测试机、示波器、热阻仪等
• 抛光：提高晶圆表面的平整度和
• 扩散：将掺杂剂扩散到晶圆内部
所需尺寸的晶圆
光洁度
• 清洗：去除晶圆表面的污染物和
残留物
中道工艺：光刻与刻蚀
光刻工艺：通过光刻胶将图形转移到
晶圆表面的过程
刻蚀工艺：通过化学或
物理方法将晶圆表面的
图形转移到晶圆内部
光刻与刻蚀的工艺优化
与解决方案
• 光刻胶的涂覆：在晶圆表面涂覆
特点
前道工艺：晶圆制备与加工
晶圆制备：将半导体材料加工成晶圆
的过程
晶圆加工：对晶圆进行
表面处理、掺杂等工艺
掺杂工艺：通过扩散或
离子注入等方法改变晶
圆内部的杂质浓度
• 硅晶棒的生长：通过化学气相沉
• 研磨：去除晶圆表面的杂质和损
• 离子注入：将掺杂剂离子注入到
积等方法制备硅晶棒

半导体的生产工艺流程共14页word资料

半导体的生产工艺流程微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon- based micromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。

一、洁净室一般的机械加工是不需要洁净室(clean room)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。

但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。

为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。

洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class 10为例，意谓在单位立方英呎的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。

所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵(参见图2-1)。

为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下：1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。

所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。

2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。

换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。

3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。

4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。

5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴 (air shower) 的程序，将表面粉尘先行去除。

6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触 (在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。

) 当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。

7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水 (DI water, de-ionized water)。

半导体工艺介绍

半导体工艺介绍近年来，半导体行业蓬勃发展，半导体芯片应用广泛，涉及包括电子通讯、人工智能、工业自动化等领域。

半导体工艺作为半导体芯片制造的核心技术之一，扮演着至关重要的角色。

本文将介绍半导体工艺的基本概念、分类、制造流程、工艺优化等方面的内容。

一、基本概念半导体工艺是指对硅片进行掩膜、氧化、掺杂、沉积等一系列工艺步骤，使之具备制造芯片的基本条件。

半导体工艺技术是芯片制造的核心技术之一，其复杂性、精确性和高度自动化的特征也是半导体工艺技术区别于其他制造工艺的关键。

半导体工艺不仅涉及到微米级别的制造精度，也考虑到芯片的功耗、速度、成本等因素。

二、分类按照半导体工艺的技术流程，可以将其分为NMOS(负型金属氧化物半导体)工艺、PMOS(正型金属氧化物半导体)工艺、CMOS(互补型金属氧化物半导体)工艺、BiCMOS(双极型互补型金属氧化物半导体)工艺、SiGe(硅锗)工艺等多种类型。

其中，NMOS工艺是指在硅片表面形成一个极薄的金属氧化物层，再通过添加掺杂物的方式，使得硅片表面形成N型半导体区。

PMOS工艺则是借助于P型半导体区，形成电子的空穴。

CMOS工艺则是将NMOS和PMOS工艺相结合，形成一个互补型的电路。

BiCMOS工艺则是在CMOS工艺的基础上，加入双极型器件。

SiGe工艺则是通过在晶体硅表面沉积一定比例的锗(另一种半导体材料)来增加晶体硅的速度，提高芯片的性能。

三、制造流程从传统的工艺流程来看，半导体晶圆制造通常分为晶圆生长、晶圆切割、研磨、清洗、掩膜制备、曝光、开窗、准直、腐蚀、去掉掩膜，掺杂、沉积、退火、金属化、刻蚀、包封等多个环节。

以CMOS工艺为例，其主要生产过程包括沉积氧化物、制备掩膜、曝光和开窗、蚀刻、掺杂、金属化等环节。

首先，在晶圆表面沉积一层氧化物，形成氧化物层；接着，通过制备掩膜，筛选出需要进行加工的区域，并进行曝光和开窗处理，将需要掺杂的区域暴露在氧化物层的表面；随后，进行腐蚀和掺杂处理，将掺杂物注入半导体中，形成N或P型区域；再通过沉积金属等工艺，形成连接电路。

半导体制程概论萧宏

• 電路的速度變慢，消耗更多的功率
Hong Xiao, Ph. D.
12
第12页，共167页。
應用 : 微鏡面(Micro-mirror)
• 數位投影顯示 • 鋁—鈦合金 • 小晶粒，高反射力 • “家庭劇院 ”
Hong Xiao, Ph. D.
13
第13页，共167页。
應用 : 融合(Fuse)
或Co接觸之處形成 – 濕式蝕刻製程剝除未反應的Ti 或 Co – 選擇性的再次退火以增加傳導率
Hong Xiao, Ph. D.
19
第19页，共167页。
自我對準的鈦金屬矽化物的形成步驟
Ti-
多晶矽匣極
n+ n-
匣極氧化層 n- n+
鈦沉積
Ti TiS2i
多晶矽匣極
TiS2i TiS2i
n-
n-
Si 小開口的接觸窗 , 使用PVD填入金屬的情形
第41页，共167页。
Al·Cu
W SiO 2
Si
使用CVD鎢填入
小開口的接觸窗
41
鎢 CVD
• WF6 為鎢的源材料 • 和SiH4 反應形成核層(nucleation layer) • 和H2 反應形成巨量的鎢沉積 • 需要一層氮化鈦來幫助鎢的黏附
Hong Xiao, Ph. D.
35
第35页，共167页。
氮化鈦
• 阻擋層
– 防止鎢擴散
• 附著層
– 幫助鎢附著在氧化矽的表面
• 抗反射層鍍膜 (ARC)
– 降低反射率和改進金屬圖案化微影技術的解析度
– 防止小丘狀突出物和控制電遷移
• 可以藉由PVD 和 CVD製程來沉積

半导体制程加热工艺

• 加大科研投入，推动技术创新和产业升级
• 加强国际合作，引进先进技术和管理经验，提高产业水平
谢谢观看
T H A N K Y O U F O R WATC H I N G
• 使用激光、微波等局部加热技术
• 通过反馈控制系统实现精确温度控制
影响半导体制程加热工艺效果的主要因素
影响半导体制程加热工艺效果的主要因素
如何提高半导体制程加热工艺的效果
• 加热方式及参数
• 优化加热方式和参数
• 半导体材料特性
• 选择合适的半导体材料
• 设备性能及控制精度
• 提高设备性能和控制精度
半导体制程加热工艺的产业布局及政策建议
半导体制程加热工艺的产业布局
• 形成完整的产业链，包括加热设备制造、加热工艺研发、加热技术应用等
• 与半导体产业链的其他环节紧密合作，实现产业链的优化和升级
• 重视技术研发和人才培养，提高产业整体竞争力
半导体制程加热工艺的政策建议
• 制定相关政策和规划，引导和支持加热工艺产业的发展
⌛️
半导体制程加热工艺对生产成本和效率的影响
• 影响生产周期
• 影响能源消耗
• 影响设备投资和维护成本
半导体制程加热工艺的发展历程与趋势
半导体制程加热工艺的发展历程
半导体制程加热工艺的发展趋势
• 早期采用高温炉加热
• 提高加热效率和均匀性
• 随后发展为局部加热技术
• 降低能耗和环境影响
• 近年来出现基于激光和微波的加热技术
工艺目标
• 光电器件制程
• 降低生产成本和提高生产效率
• 如掺杂、退火、沉积等
• 微纳制程等
半导体制程加热工艺的重要性及影响

半导体芯片制造流程

半导体芯片制造流程《半导体芯片制造流程：一场微观世界的奇妙冒险嘿，朋友们！今天咱们来聊聊那神秘又超级重要的半导体芯片制造流程，就像是探秘一个微观世界里的超级工厂。

首先呢，芯片制造就像是盖房子，但这个房子小得不得了，是用原子和分子当“砖块”的。

整个流程从硅片开始，硅可是个厉害角色，就像芯片的地基一样。

获取硅片的过程就有点像采矿人从矿石里找到宝藏，只不过这个宝藏是经过超级提纯，purity（纯度）超标的硅。

想象一下，把硅整得那么纯，那可真是在一堆杂质里挑出了“超级明星”硅原子。

然后，光刻技术登场了，这是制造芯片的魔法画笔。

光刻机要在硅片上画出超精细的图案，把电路图印在那小小的硅片上。

这过程就像世界上最精细的纹身师在做活儿，容不得半点马虎。

我就想啊，这个光刻机一定觉得自己是个超级艺术家，每一笔都能决定芯片的命运。

那些复杂的电路图印上去，看着就像神秘的古老符文，可在芯片看来，那就是它运转的逻辑密码呀。

离子注入和扩散就像是给我们的小芯片吃各种“营养剂”，注入不同的离子像在给芯片身体里添加特殊的微量元素，让它具备不同的电学性能。

这过程要是出点差错，那就像给人乱喂药一样，芯片可能一下子就“病歪歪”的了。

接着来到蚀刻工序，蚀刻机就像一个超级挑剔的雕刻家，把不需要的部分精准地去除，只留下设计好的电路图案。

如果说光刻是画出图案，那蚀刻就是精修，把所有多出来的、不符合要求的全都去掉，就像一个厨师精心准备食材，把不能吃的部分都剔除干净。

再到金属化，这就像给芯片打造传导电流的高速公路。

各种金属材料连接不同的元件，就像在各座小电子城之间建道路，让电子可以顺畅地跑起来。

要是这些“路”修得扭扭歪歪的，电子堵车可就麻烦了，芯片的运行速度会变得像乌龟爬。

最后封装测试环节，就像给芯片穿上保护衣，然后测试下是不是个健康的、能正常工作的“小机灵鬼”。

这个时候要是发现问题，前面的那么多努力可就有点白费了，就像辛苦养大的娃发现有点不聪明一样让人郁闷。

半导体工艺介绍

半导体工艺介绍嘿，朋友们！今天咱们来唠唠半导体工艺，这就像是在微观世界里玩一场超级精密的乐高游戏。

你想象一下，硅片就像是一片超级巨大的白色画布，不过这个画布超级薄，薄到你感觉它像是一片脆弱的薯片，稍微用力就会碎掉。

而半导体工艺工程师呢，他们就像是超级微观的画家，要在这小小的硅片上画出极其复杂的电路图案。

光刻技术就像是一场超级精确的皮影戏。

光就像是皮影戏艺人的手，通过各种超级复杂的光学设备，把设计好的电路图案像皮影一样精准地投射到硅片这个“小舞台”上。

这个过程要求那是相当的精确啊，就好比你在一根头发丝上写一部长篇小说，不能出一丁点儿差错。

蚀刻呢，这就像是用超级小的雕刻刀在硅片上做雕刻。

只不过这个雕刻刀不是真正的刀，而是各种化学试剂或者等离子体。

它们像一群超级微小的小精灵，按照光刻投射的图案，一点一点地把不需要的部分去除掉，就像小精灵们在啃掉多余的部分，只留下完美的电路轮廓。

掺杂工艺就像是给硅片这个“小社会”里的原子们做身份转换。

原本规规矩矩的硅原子，就像一群老实巴交的村民，工程师通过掺杂，给这个小社会里引入一些新的原子成员，像磷原子或者硼原子，这些新成员就像是带着特殊任务的外来者，改变了整个硅片的电学特性，就像一个小村子突然来了几个拥有神奇魔法的人，整个村子的风气都变了。

薄膜沉积技术就像是在硅片上盖房子。

一层一层地把各种材料像盖房子的砖头一样堆积起来，形成不同功能的薄膜。

这就像你盖房子的时候，要小心翼翼地把每一块砖头放好，不能有缝隙，这些薄膜可是关系到整个半导体器件的性能呢。

封装工艺则像是给半导体芯片穿上一件精致的铠甲。

芯片就像一个超级脆弱的小宝贝，封装就是要把它保护起来，让它能够在外界的恶劣环境下生存。

这个铠甲不仅要保护好芯片，还要像一个超级贴心的管家，给芯片提供电气连接，就像管家给主人安排好一切生活所需。

测试环节就像是一场超级严格的考试。

芯片就像一个要毕业的学生，要经过各种测试的洗礼，看看它有没有在前面的制造过程中犯错误。

半导体制造工艺流程简介 (2)

半导体NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻—□□—QC检查——单结测试——磷注入——前处理——发射区氧化——前处理——发射区再扩散——前处理——POCl3预淀积（R□）——后处理——前处理——HCl退火、N2退火——三次光刻——QC检查——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮氢合金——氮气烘焙——正向测试（ts）——外协作（ts）——前处理——五次光刻——QC检查——大片测试——测试ts——中测编批——中测——中测检查——入中间库。

变容管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查——N+光刻——QC检查——前处理——干氧氧化——QC检查——P+注入——前处理——N+扩散——P+光刻——QC检查——硼注入1——前处理——CVD（LTO）——QC检查——硼注入2——前处理——LPCVD ——QC检查——前处理——P+扩散——特性光刻——电容测试——是否再加扩——电容测试——......（直到达到电容测试要求）——三次光刻——QC检查——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——铝反刻——QC检查——前处理——氢气合金——氮气烘焙——大片测试——中测——电容测试——粘片——减薄——QC检查——前处理——背面蒸发——综合检查——入中间库。

半导体制造工艺流程简介

半导体制造工艺NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——铝下CVD——QC检查（tox、R□）——前处理——HCl氧化——前处理——氢气处理——三次光刻——QC检查——追扩散——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——QC检查（ts）——五次光刻——QC检查——大片测试——中测——中测检查（——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查）——综合检查——入中间库。

GR平面品种（小功率三极管）工艺流程为：编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区干氧氧化——QC检查（tox）——一GR光刻（不腐蚀）——GR硼注入——湿法去胶——前处理——GR基区扩散——QC检查（Xj、R□）——硼注入——前处理——基区扩散与氧化——QC检查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——发射区干氧氧化——QC检查（tox）——磷注入——前处理——发射区氧化和再扩散——前处理——POCl3预淀积（R□）——后处理——前处理——铝下CVD——QC检查（tox）——前处理——氮气退火——三次光刻——QC检查——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——正向测试——五次光刻——QC检查——大片测试——中测编批——中测——中测检查——入中间库。

半导体制程工艺 萧宏 ch13

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